JPH07294897A - Production of dot matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Production of dot matrix type liquid crystal display device

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Publication number
JPH07294897A
JPH07294897A JP10793594A JP10793594A JPH07294897A JP H07294897 A JPH07294897 A JP H07294897A JP 10793594 A JP10793594 A JP 10793594A JP 10793594 A JP10793594 A JP 10793594A JP H07294897 A JPH07294897 A JP H07294897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive films
substrate
display device
liquid crystal
Prior art date
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Pending
Application number
JP10793594A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shingo Matsui
眞悟 松井
Masahiro Takagi
正広 高木
Hideaki Masuko
英明 増子
Sukefuku Tajima
右副 田島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP10793594A priority Critical patent/JPH07294897A/en
Publication of JPH07294897A publication Critical patent/JPH07294897A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To easily form black stripes (films) having a high optical density at a low cost with high accuracy by irradiating a transparent substrate with light from the side opposite to the coated surface with a transparent conductive film as a mask, thereby forming the back stripes only between the striped transparent conductive films. CONSTITUTION:A coating liquid 3 of a negative photosetting resin compsn. for a black light shielding layer having an electrical insulating characteristic is applied by a method, such as spin coating on the transparent conductive substrate 1 formed with the transparent conductive films 2 on its one surface. After the solvent is evaporated away by prebaking, the coating is irradiated with UV rays from the rear surface. The unexposed parts (the parts on the transparent conductive films 2) are dissolved away by a developer consisting of an alkaline aq. soln. and the substrate is rinsed with pure water; thereafter, the substrate is subjected to drying and post baking, by which the light shielding layers 4 are formed. The transparent conductive films 2 do not allow transmission of the greater part of the light if the wavelength of the light is 300 to 320nm in the case the transparent conductive films 2 are ITO (cured matter of indium/oxide of tin oxide). The transparent conductive films are thus usable as a photomask. The negative type photosetting resin compsn. may contain an alkaline-soluble copolymer, radiation sensitive compd. and color materials.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高精細のドットマトリ
ックス液晶表示の製造方法に関する。さらに詳しくは、
ストライプ状透明導電膜の間に形成された電気絶縁性の
黒色の遮光層であるブラックストライプを有する高精細
でかつ高コントラストの単純マトリックス方式ドットマ
トリックス液晶表示装置の製造方法に関する。また、該
透明導電基板はELなど他の表示装置にも応用可能な高
機能基板である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a high definition dot matrix liquid crystal display. For more details,
The present invention relates to a method for manufacturing a high-definition and high-contrast simple matrix type dot matrix liquid crystal display device having a black stripe which is an electrically insulating black light-shielding layer formed between striped transparent conductive films. The transparent conductive substrate is a high-performance substrate that can be applied to other display devices such as EL.

【従来の技術】近年ドットマトリックス型液晶表示装置
は、薄型、軽量であり、表示品質が良いことから、液晶
TV、携帯型パソコンの表示装置、計測機器の表示装置
としての用途が急速に拡大し、その性能もブラウン管と
同等なレベルに達している。開発され用いられているド
ットマトリックス型液晶表示装置には、TFT(薄膜ト
ランジスタ)などのスイッチ素子を各画素に備えたアク
ティブマトリックス型、TN(ねじれネマティック)型
やSTN(超ねじれネマティック)型液晶、強誘電型液
晶、反強誘電型液晶を用いた単純マトリックス型液晶表
示装置がある。アクティブマトリックス型液晶表示装置
は色彩、絵の動作速度、コントラストなど最も高品質の
表示が可能であるが、透明基板上の各画素にTFTやダ
イオードなどのスイッチ素子を形成するために、工程が
複雑になり製造コストが高くなる。一方、他の単純マト
リックス型の液晶表示装置は、構造が簡単であるため製
造コストは安い。しかし、画素数特にデューティ比(時
分割駆動を行なっている単純マトリックスLCDの走査
線の本数の逆数)が大きくなるに従って、1画素に印加
できるONとOFFの時の実効電圧の比が小さくなり、
表示のコントラスト比が低下して見えにくくなり、TN
型ではデューティ比約1/30が実用上の限界である。
これに対し、印加電圧変化に対する液晶の光透過/遮断
特性を急峻にして高デューティ比での画像のコントラス
トを改良したSTN型液晶表示装置、各画素のスイッチ
素子がなくても液晶自身にメモリー性があるため、コン
トラストの高い表示が可能な強誘電型液晶および反強誘
電型液晶が開発され、単純マトリックス型でも高品質の
画像表示が可能になってきた。特にSTN型液晶は、安
価で高品質の表示装置であり、携帯型パソコンや携帯型
ワープロの表示装置を代表的な用途として最も広く普及
している。しかし、単純マトリックス型であるSTN表
示装置はブラウン管やアクティブマトリックス型液晶表
示装置にくらべるとコントラストが低い、また視野角が
狭い、長時間の使用では目の疲労が大きいなどの短所が
あり、より高度な表示品質のための改良が望まれてい
た。
2. Description of the Related Art In recent years, since dot matrix type liquid crystal display devices are thin and lightweight and have good display quality, their applications as liquid crystal TVs, display devices for portable personal computers, and display devices for measuring instruments are rapidly expanding. , Its performance has reached the same level as that of cathode ray tubes. The dot matrix liquid crystal display devices that have been developed and used include active matrix type, TN (twisted nematic) type, STN (super twisted nematic) type, and strong There is a simple matrix type liquid crystal display device using a dielectric type liquid crystal and an antiferroelectric type liquid crystal. The active matrix type liquid crystal display device can display the highest quality such as color, operation speed of a picture, and contrast, but the process is complicated because a switching element such as a TFT or a diode is formed in each pixel on the transparent substrate. Therefore, the manufacturing cost becomes high. On the other hand, the other simple matrix type liquid crystal display device has a simple structure and thus the manufacturing cost is low. However, as the number of pixels, in particular, the duty ratio (the reciprocal of the number of scanning lines of a simple matrix LCD that performs time-division driving) increases, the ratio of effective voltage when ON and OFF that can be applied to one pixel decreases.
The contrast ratio of the display decreases and it becomes difficult to see
In the mold, the duty ratio of about 1/30 is a practical limit.
On the other hand, the STN type liquid crystal display device in which the light transmission / blocking characteristic of the liquid crystal with respect to the applied voltage change is made steep to improve the contrast of the image at a high duty ratio, the liquid crystal itself has a memory property without the switching element of each pixel. Therefore, ferroelectric type liquid crystals and anti-ferroelectric type liquid crystals capable of high-contrast display have been developed, and high-quality image display has become possible even with a simple matrix type. In particular, the STN type liquid crystal is an inexpensive and high-quality display device, and the display device of a portable personal computer or a portable word processor is most widely used as a typical application. However, the STN display device which is a simple matrix type has disadvantages such as lower contrast than a cathode ray tube or an active matrix type liquid crystal display device, a narrow viewing angle, and large eye fatigue when used for a long time. There has been a demand for improvement in display quality.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】STN型液晶では透明
電極に挟まれた画素部のみを対象にした場合、補償セル
あるいは位相差フィルムを用いた白黒タイプではON/
OFFのコントラスト比は40〜50を達成できる。し
かし、対向する両基板に形成されたストライプ状透明導
電膜(ITOなど)の間の部分(以下マトリックス部と
記す)は、表示装置の面積の15〜40%を占める。こ
のマトリックス部は通常、コントラスト比を低下させる
方向に作用し、表示装置のマトリックス部と画素部を合
わせた平均のコントラスト比は5〜20程度に低下して
しまい表示品質が落ちる。特に高デューティ比の場合、
例えばデューティ比1/200以上の場合それが顕著で
ある。それは、高精細ドットマトリックスSTN型液晶
表示装置では、ITOなどの透明導電膜の膜厚は0.1
〜0.3μmの場合が多いが、透明基板両面に透明導電
膜のある画素部のコントラスト比が最大になるように設
計されることが多い。その際、特にリタデーション(△
n×D、△n:駆動電圧を印加した時としない時の液晶
の光屈折率の差、D:セルギャップ(液晶層の厚み))
の精密な制御が必要なSTN型においてはマトリックス
部では、透明導電膜の膜厚の差に相当する分、画素部と
はリタデーションが異なるので光透過率の制御が困難で
ある。対価する両基板に透明導電膜がないマトリックス
部分は、画素部を移動している際も電圧が印加されない
ので、多くの場合、電圧が印加されない場合に黒になる
よう設計することが多いが、リタデーションの差だけ光
が漏れて画素部より明るくなる。以上の結果、表示装置
全体としては画素部のみの設計値よりもコントラスト比
が大幅に低下することになる。このような現象を防ぐた
めに、ストライプ状透明導電膜を形成した透明基板上に
透明ワニスなどの有機材料、無機材料あるいは有機/無
機複合材料の平坦化膜を形成して、透明導電膜が形成さ
れている部分と形成されていない部分の表面のレベルを
均一にする方法なども用いられているが、表面レベルの
差を完全になくすることはできず、上記課題は十分に解
決されているとはいえない。また遮光層を用いずにブラ
ックマトリッスに相当する部分に別の透明電極を形成し
液晶をある程度配向させて黒くなるように常に電圧を印
加しておく方法(特開平4−350625号公報)もあ
るが表示装置の構造が非常に複雑になる欠点を有する。
また例えばITOの透明導電膜の表面にレジストを塗布
パターニングした後、レジストのない部分を化学的に還
元して黒色化させてブラックマトリックスとする方法
(特開平4−3121号公報)もあるが黒化した部分は
導電性があるためストライプパターンの透明導電膜の場
合、隣同士のストライプが互いに導通しあうため用いる
ことはできない。
In the STN type liquid crystal, when only the pixel portion sandwiched by the transparent electrodes is targeted, it is turned on / off in the black and white type using the compensation cell or the retardation film.
An OFF contrast ratio of 40 to 50 can be achieved. However, a portion (hereinafter referred to as a matrix portion) between the stripe-shaped transparent conductive films (ITO or the like) formed on the opposing substrates occupies 15 to 40% of the area of the display device. This matrix portion usually acts in the direction of lowering the contrast ratio, and the average contrast ratio of the matrix portion and the pixel portion of the display device is lowered to about 5 to 20, resulting in poor display quality. Especially for high duty ratio,
For example, when the duty ratio is 1/200 or more, it is remarkable. In a high-definition dot matrix STN type liquid crystal display device, the film thickness of the transparent conductive film such as ITO is 0.1.
In many cases, it is designed to maximize the contrast ratio of the pixel portion having the transparent conductive film on both surfaces of the transparent substrate. At that time, especially retardation (△
n × D, Δn: difference in photorefractive index of liquid crystal with and without application of drive voltage, D: cell gap (thickness of liquid crystal layer))
In the STN type, which requires precise control, it is difficult to control the light transmittance in the matrix portion because the retardation differs from that in the pixel portion by the amount corresponding to the difference in the film thickness of the transparent conductive film. In the matrix portion where there is no transparent conductive film on both the counter substrates, a voltage is not applied even when the pixel portion is moved, so in many cases, it is often designed to become black when no voltage is applied. The light leaks due to the difference in retardation and becomes brighter than the pixel portion. As a result, the contrast ratio of the display device as a whole is significantly lower than the design value of only the pixel portion. In order to prevent such a phenomenon, a flattening film of an organic material such as a transparent varnish, an inorganic material or an organic / inorganic composite material is formed on a transparent substrate on which a stripe-shaped transparent conductive film is formed to form a transparent conductive film. Although a method of making the surface level of the part that is formed and the part that is not formed uniform is also used, it is not possible to completely eliminate the difference in surface level, and it is said that the above problem has been sufficiently solved. I can't say. Further, there is also a method in which another transparent electrode is formed in a portion corresponding to black matrix without using a light-shielding layer, and liquid crystal is aligned to some extent and a voltage is constantly applied so as to turn black (Japanese Patent Laid-Open No. 4-350625). However, it has a drawback that the structure of the display device becomes very complicated.
There is also a method (Japanese Patent Laid-Open No. 4-3121) in which a resist is applied to the surface of a transparent conductive film of ITO and patterned, and then a portion without the resist is chemically reduced to blacken it to form a black matrix, but black. Since the converted portion is conductive, it cannot be used in the case of a transparent conductive film having a stripe pattern because adjacent stripes are electrically connected to each other.

【0003】カーボンブラックや顔料のような黒色色剤
を混合したインクを印刷することによりブラックマトリ
ックスを得る方法もある。印刷法は近年、高精細印刷法
の技術の開発が進み、小さい面積ならば数μmのパター
ンの印刷も可能になってきた。しかし、インクと版材の
漏れの不均一、印刷(転写)するときの応力による版材
の変形等により、パターンが微細になるほど、また面積
が大きくなるほど、平面内や断面のインクのパターン形
状の均一性は得難くなり、良好な転写像を得られないと
いう欠点がある。顔料など黒色の着色剤を混合した光架
橋性液を用いたフォトリングラフィ法の場合、通常は露
光マスクを用い、光架橋性の液を塗布した側の面から露
光する方法(例えば特開平4−40420号公報)はよ
く知られている。この方法には、投射、近接(プロキシ
ミティ)、接触(コンタクト)などで一括あるいは分割
で露光する方法、光、X線、電子線のビームーを走査さ
せて露光する方法が知られているが、基板(ワーク)の
位置合わせが困難なことや高価な装置が必要であること
などの欠点がある。
There is also a method of obtaining a black matrix by printing an ink mixed with a black colorant such as carbon black or a pigment. As for the printing method, the development of high-definition printing technology has progressed in recent years, and it has become possible to print a pattern of several μm in a small area. However, due to uneven leakage of ink and the plate material, deformation of the plate material due to stress when printing (transferring), etc., the finer the pattern and the larger the area, the more the pattern shape of the ink in the plane or the cross section is changed. It is difficult to obtain uniformity, and there is a drawback that a good transferred image cannot be obtained. In the case of a photolinography method using a photocrosslinkable liquid mixed with a black colorant such as a pigment, a photomask is usually used and light is exposed from the surface coated with the photocrosslinkable liquid (for example, Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4). No. 40420) is well known. As this method, there are known a method of exposing by batch or division by projection, proximity (contact), etc., and a method of exposing by scanning a beam of light, X-rays or electron beams. There are drawbacks such as difficulty in aligning the substrate (work) and the need for expensive equipment.

【0004】上述の欠点を解消するために、カラーフィ
ルターにおいてフィルター材料を透過しない波長領域の
光を用いて、光架橋性の液を塗布した基板の背面より露
光(特開平5−203807)することによって、マス
クを省略し、セルフアラインメントにるす方法もある。
カラーフィルターのない透明導電膜基板では、パターニ
ングされた透明導電膜の上にのみ蒸着法あるいは無電解
メッキ法で金属膜を形成し、これをマスクにして光架橋
性の液を塗布した背面より露光(特開平2−20471
7号公報、特開平3−246516号公報)することに
よって、マスクを使わずセルフアラインメントによりブ
ラックマトリックスの形成された透明導電膜基板を製造
する方法が知られているが、透明導電膜の上に金属膜を
形成し、後で除去する工程が煩雑で歩留まり低下、コス
ト上昇の欠点がある。このように高精細の単純マトリッ
クス液晶表示装置のコントラスト比を向上させる方法、
さらに詳しくは透明導電基板の表示部以外のマトリック
ス部に精度良くかつ容易、低コストで高い光学濃度のブ
ラックストライプ(膜)を形成する方法はこれまで見当
らなかった。
In order to solve the above-mentioned drawbacks, light of a wavelength range which does not pass through the filter material in the color filter is used to expose from the back surface of the substrate coated with the photocrosslinkable liquid (JP-A-5-203807). Depending on the method, the mask may be omitted and self-alignment may be performed.
For a transparent conductive film substrate without a color filter, a metal film is formed only on the patterned transparent conductive film by vapor deposition or electroless plating, and this is used as a mask to apply a photo-crosslinking liquid to expose from the back side. (JP-A-2-20471
No. 7, JP-A-3-246516), a method for producing a transparent conductive film substrate having a black matrix formed by self-alignment without using a mask is known. The steps of forming a metal film and removing it later are complicated, resulting in reduced yield and increased costs. Thus, a method for improving the contrast ratio of a high-definition simple matrix liquid crystal display device,
More specifically, there has not been found a method of forming a black stripe (film) of high optical density in a matrix portion other than the display portion of a transparent conductive substrate with high accuracy and ease, at low cost.

【課題を解決するため手段】本発明は、対向する2枚の
透明基板の相対する内面に、ほぼ直交するストライプ状
透明導電膜を有するドットマトリックス型液晶表示装置
において、表示領域の前記ストライプ状透明導電膜の間
に電気絶縁性で黒色の遮光層を有する単純ドットマトリ
ックス型液晶表示装置を提供することを目的とする。ま
た本発明のストライプ状透明導電膜の間に形成された電
気絶縁性の黒色の遮光層が、色材を分散させたネガ型光
硬化性樹脂組成物を、透明基板の透明導電膜が形成され
ている面の全面に塗布した後、透明導電膜をマスクとし
て透明基板の塗布した反対側より光照射してストライプ
状透明導電膜の間にのみ形成する方法により、高い表示
品質のドットマトリックス型液晶表示装置を提供するこ
とができる。すなわち、透明基板上の透明導電膜を露光
のマスクとし、上述のような高価な装置や難しい位置合
わせ操作を必要とすることなく、正確な位置精度と良好
なパターン形状のブラックストライプを容易にかつ低コ
ストで形成することができる。しかも本発明によれば、
透明導電膜にパターンの欠け(面積が減少している部分
の欠陥)がある場合でも、その部分をブラックストライ
プの膜が遮断するため、表示動作の際の目立つ輝点とは
ならず欠陥が目立たなくなる利点も大である。形成工程
を図1を用いてさらに具体的に説明する。片面に透明導
電膜を形成した透明導電基板(図1−1)上に、後述の
ような電気絶縁性の黒色の遮光層ネガ型光硬化性樹脂組
成物の塗布液をスピンコートなどの方法で塗布し、プリ
ベークで溶剤を蒸発除去の後、背面より紫外光を照射す
る(図1−2)。アルカリ性水溶液の現像液で未露光部
(透明導電膜上の部分)を溶解除去し、純水ですすいだ
後乾燥、ポストベークし遮光層を形成する(図1−
3)。本発明で用いる透明導電膜は、例えば最も普及し
ているITO(インジウム酸化物/錫酸化物の酸化物)
の場合、光の波長約300〜320nmでは大部分光を
透過せず、光マスクとして利用できる。
According to the present invention, there is provided a dot-matrix type liquid crystal display device having transparent transparent conductive films substantially orthogonal to each other on opposing inner surfaces of two transparent substrates facing each other. An object of the present invention is to provide a simple dot matrix type liquid crystal display device having an electrically insulating black light shielding layer between conductive films. Further, the electrically insulating black light-shielding layer formed between the striped transparent conductive films of the present invention is formed of the negative photocurable resin composition in which a color material is dispersed to form the transparent conductive film of the transparent substrate. Liquid crystal with high display quality by a method of applying only the transparent conductive film as a mask and irradiating light from the opposite side of the transparent substrate to form only between the stripe-shaped transparent conductive films. A display device can be provided. That is, the transparent conductive film on the transparent substrate is used as an exposure mask, and accurate position accuracy and a black stripe having a good pattern shape can be easily and easily formed without the need for an expensive device and a difficult alignment operation as described above. It can be formed at low cost. Moreover, according to the present invention,
Even if the transparent conductive film has a pattern defect (a defect in the area where the area is reduced), the black stripe film blocks that portion, so that the defect does not become a conspicuous bright spot during display operation and the defect is conspicuous. The advantage of disappearing is also great. The forming process will be described more specifically with reference to FIG. A transparent conductive substrate having a transparent conductive film formed on one surface (FIG. 1-1) is coated with a coating liquid of a negative light-curable resin composition of an electrically insulating black light-shielding layer as described later by a method such as spin coating. After coating and evaporating and removing the solvent by pre-baking, ultraviolet light is irradiated from the back surface (Fig. 1-2). The unexposed area (portion on the transparent conductive film) is dissolved and removed with a developer of an alkaline aqueous solution, rinsed with pure water, dried and post-baked to form a light-shielding layer (Fig. 1-
3). The transparent conductive film used in the present invention is, for example, the most popular ITO (oxide of indium oxide / tin oxide).
In this case, most of the light does not pass at wavelengths of about 300 to 320 nm and can be used as an optical mask.

【0005】本発明に用いられる光架橋性のネガ型光硬
化性樹脂組成物は、(A)アルカリ可溶性共重合体、
(B)感放射線性化合物、および(C)色材を含有する
ことができる。
The photocrosslinkable negative-type photocurable resin composition used in the present invention comprises (A) an alkali-soluble copolymer,
It may contain (B) a radiation-sensitive compound and (C) a coloring material.

【0006】(A)アルカリ可溶性樹脂は、例えばエチ
レン系不飽和カルボン酸、エチレン系不飽和スルホン酸
のごとき酸基を有する単量体と共重合可能な酸基をもた
ない単量体との共重合体からなる。酸基を有する単量体
は、重合度の制御の容易性からエチレン系不飽和カルボ
ン酸が好ましい。エチレン系不飽和カルボン酸としては
例えば(メタ)アクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、
マレイン酸、フマール酸、マレイン酸モノアルキルエス
テル、フマール酸モノアルキルエステルを好ましいもの
として挙げることができる。エチレン系不飽和スルホン
酸としては、イソプレンスルホン酸、スチレンスルホン
酸などを挙げることができる。(A)の共重合可能な酸
基をもたない単量体としては、例えばスチレン、α−メ
チルスチレン、ビニルトルエンのごとき芳香族ビニル化
合物、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)ア
クリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロ
キシエチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)ア
クリレートのごときエチレン系不飽和カルボン酸エステ
ル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのごときカルボン
酸ビニルエステル、(メタ)アクリロニトリル、α−ク
ロルアクリロニトリルのごときシアン化ビニル、1,3
−ブタジエン、2−メチル−1,3−ブタジエン、イソ
プレンのごとき脂肪族系共役ジエンなどを挙げることが
できる。さらにアミノエチルアクリレートのごときエチ
レン系不飽和カルボン酸アミノアルキルエステル、グリ
シジル(メタ)アクリレートのごとき不飽和脂肪酸グリ
シジルエステル、末端に(メタ)アクリロイル基を有す
るポリスチレン、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポ
リブチル(メタ)アクリレート、ポリシリコーンのごと
きを含有するマクロモノマーなどを使用することもでき
る。共重合体を得る方法としては、通常の良く知られた
方法、例えばラジカル重合法を採用できる。
The alkali-soluble resin (A) is prepared by combining a monomer having an acid group such as an ethylenically unsaturated carboxylic acid and an ethylenically unsaturated sulfonic acid with a monomer having no acid group capable of copolymerization. It consists of a copolymer. The monomer having an acid group is preferably an ethylenically unsaturated carboxylic acid because the degree of polymerization can be easily controlled. Examples of the ethylenically unsaturated carboxylic acid include (meth) acrylic acid, crotonic acid, itaconic acid,
Maleic acid, fumaric acid, maleic acid monoalkyl ester and fumaric acid monoalkyl ester can be mentioned as preferable ones. Examples of the ethylenically unsaturated sulfonic acid include isoprene sulfonic acid and styrene sulfonic acid. Examples of the monomer (A) having no copolymerizable acid group include aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene and vinyltoluene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl. Ethylenically unsaturated carboxylic acid esters such as (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, vinyl acetate, carboxylic acid vinyl esters such as vinyl propionate, (meth) acrylonitrile, α-chloro. Vinyl cyanide such as acrylonitrile, 1,3
Examples thereof include aliphatic conjugated dienes such as butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene, and isoprene. Further, ethylenically unsaturated carboxylic acid aminoalkyl ester such as aminoethyl acrylate, unsaturated fatty acid glycidyl ester such as glycidyl (meth) acrylate, polystyrene having a (meth) acryloyl group at the terminal, polymethyl (meth) acrylate, polybutyl (meth) It is also possible to use a macromonomer containing acrylate or polysilicone. As a method for obtaining the copolymer, an ordinary well-known method, for example, a radical polymerization method can be adopted.

【0007】(B)感放射線生化合物としては、例えば
放射線の照射により、分子が解難してラジカルなどの
活性化合物を遊離する光重合開始剤と、それにより不飽
和二重結合の連鎖反応を生じ、三次元に架橋した化合物
となる(メタ)アクリル系オリゴマー(以下「三次元ア
クリルオリゴマー」という)の組み合わせ、あるいは
放射線の照射により、分子が解離してラジカルなどの活
性化合物となり、C=C結合や、C−H結合に挿入反応
により結合し、それ自体が架橋剤となって三次元架橋構
造を生成させる化合物が挙げられる。光重合開始剤とし
ては、例えばカルボニル化合物、アゾ化合物またはアジ
ド化合物、過酸化物あるいはトリハロメタン化合物を挙
げることができる。カルボニル化合物の具体例として
は、ジアセチル、ベンジル、ベンゾイン、2−ヒドロキ
シ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1
−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2
−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエ
トキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)
ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノ
ン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2
−モルフォリノ−1−プロパン−1−オン、2−ベンジ
ル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モノフォリノフェ
ニル)−ブタン−1−オン、ベンゾフェノン、4,4′
−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4′ビ
ス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、2,4−ジエチ
ルチオキサントン、3,3−ジメチル−4−メトキシベ
ンゾフェノンなどが挙げられる。
The radiation-sensitive compound (B) is, for example, a photopolymerization initiator which is decomposed by radiation to liberate an active compound such as a radical, and thereby a chain reaction of unsaturated double bonds is caused. , A combination of (meth) acrylic oligomers (hereinafter referred to as “three-dimensional acrylic oligomers”) that become three-dimensionally cross-linked compounds, or irradiation with radiation dissociates molecules into active compounds such as radicals, resulting in C = C bonds. Another example is a compound that bonds to a C—H bond by an insertion reaction to form a three-dimensional crosslinked structure by itself acting as a crosslinking agent. Examples of the photopolymerization initiator include carbonyl compounds, azo compounds or azide compounds, peroxides or trihalomethane compounds. Specific examples of the carbonyl compound include diacetyl, benzyl, benzoin, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1
-(4-Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2
-Methylpropan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl)
Ketone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2
-Morpholino-1-propan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-monofolinophenyl) -butan-1-one, benzophenone, 4,4 '
-Bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'bis (diethylamino) benzophenone, 2,4-diethylthioxanthone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone and the like.

【0008】アゾ化合物およびアジド化合物としては、
アゾイソブチロニトリル、ジアゾニウム、4−アジドベ
ンズアルデヒド、4−アジドアセトフェノン、4−アジ
ドベンザルアセトフェノン、4−アジドベンザルアセト
ン、アジドピレン、4−ジアゾジフェニルアミン、4−
ジアゾ−4′−メトキシジフェニルアミン、4−ジアゾ
−3′−メトキシジフェニルアミンなどが挙げられる。
過酸化物としては、ジエチルエーテルパーオキサイドな
どが挙げられる。トリハロメタン化合物としては、1,
3−ビス(トリクロロメチル)−5−(2′−クロロフ
ェニル)−s−トリアジン、1,3−ビス(トリクロロ
メチル)−5−(4′−メトキシフェニル)−s−トリ
アジン、などが挙げられる。三次元アクリルオリゴマー
としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリスアクリ
ロイルオキシエチルフォスフェード、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテト
ラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリ
レートなどの多価アクリレート、4−アジドベンズアル
デヒドとポリビニルアルコールの縮合物、4−アジドベ
ンズアルデヒドとフェノールノボラック樹脂の縮合物、
4−アクリロイルフェニルシンナモイルエステルの重合
物または共重合物などが挙げられる。の三次元架橋構
造を生成させる化合物としては、ジアドカルコン、2,
6−ビス(4′−アジドベンザル)シクロヘキサノン、
2,6−ビス(4′−アジドベンザル)−4−メチルシ
クロヘキサノン、1,3−ビス(4′−アジドベンザ
ル)−2−プロパン、1,3−ビス(4′−アジドシン
ナミリデン)−2−プロパン、4,4′−ジアジドスチ
ルベン、が挙げられる。これらの感放射線化合物のう
ち、光重合開始剤として放射線の照射でラジカルを発生
する化合物と多価アクリレートを用いるのが好ましい。
さらに300nm以上での光に対する感度が300nm
以下の波長の光に対する感度に比べて低いものが好まし
くその組み合わせとしては以下のものが挙げられる。例
えば、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−
2−モルフォリノ−1−プロパン−1−オン(CIBA
GEIGY社製 イルガキュア907)、2,2−ジ
メトキシ−2−フェニルアセトフェノン(同イルガキュ
ア−651)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン(同イルガキュア−184)、またはベンゾフェ
ノンを光重合開始剤に用い、ペンタエリスリトールトリ
アクリレート、またはジペンタエリスリトールヘキサア
リレートを三次元アクリルオリゴマーとして用いる。こ
の場合、光重合開始剤は、三次元アクリルオリゴマー1
00重合部に対し、0.01〜200、好ましくは1〜
120重量部を用いる。
As the azo compound and the azide compound,
Azoisobutyronitrile, diazonium, 4-azidobenzaldehyde, 4-azidoacetophenone, 4-azidobenzalacetophenone, 4-azidobenzalacetone, azidopyrene, 4-diazodiphenylamine, 4-
Examples thereof include diazo-4'-methoxydiphenylamine and 4-diazo-3'-methoxydiphenylamine.
Examples of peroxides include diethyl ether peroxide. As the trihalomethane compound, 1,
3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -s-triazine, 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (4'-methoxyphenyl) -s-triazine and the like can be mentioned. As a three-dimensional acrylic oligomer, trimethylolpropane triacrylate,
Polyerythrates such as pentaerythritol triacrylate, trisacryloyloxyethylphosphade, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, condensate of 4-azidobenzaldehyde and polyvinyl alcohol, 4-azidobenzaldehyde and Condensate of phenol novolac resin,
Examples thereof include polymers or copolymers of 4-acryloylphenylcinnamoyl ester. The compounds that form the three-dimensional crosslinked structure of diad chalcone, 2,
6-bis (4'-azidobenzal) cyclohexanone,
2,6-bis (4'-azidobenzal) -4-methylcyclohexanone, 1,3-bis (4'-azidobenzal) -2-propane, 1,3-bis (4'-azidocinnamylidene) -2- Examples include propane and 4,4'-diazidostilbene. Among these radiation-sensitive compounds, it is preferable to use, as a photopolymerization initiator, a compound that generates a radical upon irradiation with radiation and a polyvalent acrylate.
Furthermore, the sensitivity to light above 300 nm is 300 nm.
Those having lower sensitivity to light of the following wavelengths are preferable, and the following are examples of combinations thereof. For example, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl]-
2-morpholino-1-propan-1-one (CIBA
GEIGY Co., Ltd. Irgacure 907), 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (Irgacure-651), 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure-184), or benzophenone is used as a photopolymerization initiator, and pentaerythritol tritium is used. Acrylate or dipentaerythritol hexaarylate is used as the three-dimensional acrylic oligomer. In this case, the photopolymerization initiator is the three-dimensional acrylic oligomer 1
0.01 to 200, preferably 1 to 100 polymer parts
120 parts by weight are used.

【0009】(C)色材としては黒色となる有機顔料お
よび無機顔料のいずれもが使用できる。有機顔料は水ま
たは有機溶媒に不溶の染料または顔料が好ましい。具体
的には、カラーインデックス(The Society of Dyers a
nd Colourists 出版)のピグメント(Pigment)に分類さ
れる化合物を挙げることができる。カーボンブラックを
使用することも可能である。また、無機顔料としては、
金属酸化物、金属錯体などで示される含金属化合物が好
ましい。具体的には、鉄、コバルト、銀、カドミウム、
鉛、銅、クロム、アンチモンなどの金属化合物(酸化
物、複合酸化物、硫化物など)を挙げることができる。
顔料(C)の具体例としては、C.I.Pigment
Yellow 24、C.I.Pigment Ye
llow 31、C.I.Pigment Yello
w 53、C.I.Pigment Yellow 8
3、C.I.Pigment Orenge 43、
C.I.Pigment Red 105、C.I.P
igment Red 149、C.I.Pigmen
t Red 176、C.I.Pigment Red
177、C.I.Pigment Violet 1
4、C.I.Pigment Violet 23、
C.I.Pigment Violet 29、C.
I.Pigment Blue 15、C.I.Pig
ment Blue 15:3 C.I.Pigment Blue 22、C.I.P
igment Blue 28、C.I.Pigmen
t Green 15、C.I.Pigment Gr
een 25、C.I.Pigment Green
36、C.I.Pigment Brown 28、
C.I.Pigment Black 1、C.I.P
igment Black 7などを挙げることができ
る。
As the colorant (C), both organic pigments and inorganic pigments that turn black can be used. The organic pigment is preferably a dye or pigment insoluble in water or an organic solvent. Specifically, the Color Index (The Society of Dyers a
The compounds classified as Pigment of nd Colorists publication) can be mentioned. It is also possible to use carbon black. Further, as the inorganic pigment,
A metal-containing compound represented by a metal oxide or a metal complex is preferable. Specifically, iron, cobalt, silver, cadmium,
Examples thereof include metal compounds such as lead, copper, chromium and antimony (oxides, complex oxides, sulfides, etc.).
Specific examples of the pigment (C) include C.I. I. Pigment
Yellow 24, C.I. I. Pigment Ye
low 31, C.I. I. Pigment Yellow
w 53, C.I. I. Pigment Yellow 8
3, C.I. I. Pigment Orange 43,
C. I. Pigment Red 105, C.I. I. P
igment Red 149, C.I. I. Pigmen
t Red 176, C.I. I. Pigment Red
177, C.I. I. Pigment Violet 1
4, C.I. I. Pigment Violet 23,
C. I. Pigment Violet 29, C.I.
I. Pigment Blue 15, C.I. I. Pig
ment Blue 15: 3 C.I. I. Pigment Blue 22, C.I. I. P
igment Blue 28, C.I. I. Pigmen
t Green 15, C.I. I. Pigment Gr
een 25, C.I. I. Pigment Green
36, C.I. I. Pigment Brown 28,
C. I. Pigment Black 1, C.I. I. P
igment Black 7 and the like.

【0010】本発明には上記の他に、必要に応じて界面
活性剤、密着促進剤(カップリング剤)、酸化防止剤、
紫外線吸収剤、凝集防止剤、増感剤、その他高分子化合
物、充填剤、乾燥促進剤などを添加することができる。
In the present invention, in addition to the above, a surfactant, an adhesion promoter (coupling agent), an antioxidant, and
An ultraviolet absorber, an anticoagulant, a sensitizer, other polymer compounds, a filler, a drying accelerator, etc. can be added.

【0011】[0011]

【実施例】以下本発明の実施例について説明するが、本
発明はこれらの実施例によって制限されるものではな
い。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0012】実施例1 (a)メチルメタクリレート50重量%、メタクリル酸
25重量%、αメチルスチレンのマクロモノマー23重
量%とアゾイソブチロニトリル2重量%をエチルセルソ
ルブアセテート中で重合した共重合体100重量部、 (b)ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート10
0重量部 (c)カーボンブラック10%とPigment Re
d 177、Pigment Yellow 83、P
igment Green 36を混合して黒に調合し
た顔料を300重量部 (d)2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−
2−モルフォリノ−1−プロパン−1−オンを80重量
部 (e)ノニオン系界面活性剤50重量部 (f)セルソルブアセテート2500重量部 をホモミキサーで混合し感放射線性の塗布液を調製し
た。
Example 1 (a) Copolymerization of 50% by weight of methyl methacrylate, 25% by weight of methacrylic acid, 23% by weight of macromonomer of α-methylstyrene and 2% by weight of azoisobutyronitrile in ethyl cellosolve acetate. Combined 100 parts by weight, (b) dipentaerythritol hexaacrylate 10
0 parts by weight (c) 10% carbon black and Pigment Re
d 177, Pigment Yellow 83, P
300 parts by weight of a pigment prepared by mixing IGMENT GREEN 36 into black (d) 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl]-
80 parts by weight of 2-morpholino-1-propan-1-one (e) 50 parts by weight of nonionic surfactant (f) 2500 parts by weight of cellosolve acetate were mixed with a homomixer to prepare a radiation-sensitive coating liquid. .

【0013】幅300μm、スペース40μm、膜厚
0.25μm、30Ω/□のITO膜の形成されている
SiO2 コート付ソーダガラス基板に、上記塗布液を1
000〜3000rpmでスピンコートし、ホットプレ
ート上80℃で5minプリペークした。背面より高圧
水銀灯を用いマスクなしで、10mj/cm2 、1se
c露光した。テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド
0.1%水溶液を用いて現像し、水でリンスした後、1
80℃で1Hr乾燥を行なった。得られた基板では、I
TO膜上の塗布膜は完全に除去され、スペース部分に膜
厚0.50μmの光学濃度1.2のブラックストライプ
が形成された。上述の透明導電基板を用いて240°ツ
イスト、デューティ比1/200の補償セル型STN表
示装置を作成した。ブラックストライプも含めたコント
ラスト比は法線上で38であった。
The above coating solution was applied to a soda glass substrate with a SiO 2 coat having a width of 300 μm, a space of 40 μm, a film thickness of 0.25 μm, and an ITO film of 30 Ω / □ formed thereon.
Spin coating was performed at 000 to 3000 rpm, and prepaking was performed on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes. High pressure mercury lamp from the back side without mask, 10mj / cm 2 , 1se
c exposed. Develop with a 0.1% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, rinse with water, and then
It was dried at 80 ° C. for 1 hour. In the obtained substrate, I
The coating film on the TO film was completely removed, and a black stripe with an optical density of 1.2 having a film thickness of 0.50 μm was formed in the space portion. A compensation cell type STN display device having a 240 ° twist and a duty ratio of 1/200 was prepared using the transparent conductive substrate described above. The contrast ratio including the black stripe was 38 on the normal line.

【0014】実施例2 (a)メチルメタクリレート50重量%、メタクリル酸
25重量%、αメチルスチレンの23重量%とアゾイソ
ブチロニトリル2重量%をエチルセルソルブアセテート
中で重合したブロック共重合体100重量部、 (b)ジペンタエリスリトールヘプタアクリレート10
0重量部 (c)カーボンブラック10%とPigment Re
d 177、Pigment Yellow 83、P
igment Green 36を混合して黒に調合し
た顔料を390重量部 (d)4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2
−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトンを30重量部 (e)ノニオン系界面活性剤50重量部 (f)セルソルブアセテート2500重量部 をホモミキサーで混合し感放射線性の塗布液を調製し
た。上述の塗布液を用い、スピンコート3500rpm
で他の条件は実施例1と同様にしてブラックストライプ
を形成した。得られた基板では、ITO膜上の塗布膜は
完全に除去され、スペース部分に膜厚0.51μmの光
学濃度1.4のブラックストライプが形成された。ま
た、ITOの欠陥部分にも光遮断膜が形成されたため
に、その部分が輝点としては目立たない表示装置が得ら
れた。上述の透明導電基板を用いて240°ツイスト、
デューティ比1/200の補償セル型STN表示装置を
作成した。ブラックストライプも含めたコントラスト比
は法線上で40であった。
Example 2 (a) A block copolymer obtained by polymerizing 50% by weight of methyl methacrylate, 25% by weight of methacrylic acid, 23% by weight of α-methylstyrene and 2% by weight of azoisobutyronitrile in ethyl cellosolve acetate. 100 parts by weight, (b) dipentaerythritol heptaacrylate 10
0 parts by weight (c) 10% carbon black and Pigment Re
d 177, Pigment Yellow 83, P
390 parts by weight of a pigment prepared by mixing IGMENT GREEN 36 with black (d) 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2
30 parts by weight of (hydroxy-2-propyl) ketone (e) 50 parts by weight of nonionic surfactant (f) 2500 parts by weight of cellosolve acetate were mixed with a homomixer to prepare a radiation-sensitive coating solution. Spin coating 3500 rpm using the above coating solution
Other conditions were the same as in Example 1 to form a black stripe. In the obtained substrate, the coating film on the ITO film was completely removed, and a black stripe with an optical density of 1.4 having a film thickness of 0.51 μm was formed in the space portion. Further, since the light blocking film was formed also on the defective portion of ITO, a display device in which the portion was not conspicuous as a bright spot was obtained. 240 ° twist using the above transparent conductive substrate,
A compensation cell type STN display device having a duty ratio of 1/200 was created. The contrast ratio including the black stripe was 40 on the normal line.

【0015】実施例3 (a)メチルメタクリレート64重量%、メタクリル酸
25重量%、ポリスチレンマクロモノマー10重量%と
アゾイソブチロニトリル2重量%をエチルセルソルブア
セテート中で重合したブロック共重合体100重量部、 (b)ジペンタエリスリトールヘプタアクリレート10
0重量部 (c)カーボンブラック10%とPigment Re
d 177、Pigment Yellow 83、P
igment Green 36を混合して黒に調合し
た顔料を380重量部 (d)4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2
−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトンを50重量部 (e)ノニオン系界面活性剤50重量部 (f)セルソルブアセテート3000重量部 をホモミキサーで混合し感放射線性の塗布液を調製し
た。上述の塗布液を用い、スピンコート3000rpm
で他の条件は実施例1と同様にしてブラックストライプ
を形成した。得られた基板では、ITO膜上の塗布膜は
完全に除去され、スペース部分に膜厚0.55μmの光
学濃度1.5のブラックストライプが形成された。ま
た、ITOの欠陥部分にも光遮断膜が形成されたため
に、その部分が輝点としては目立たない表示装置が得ら
れた。上述の透明導電基板を用いて240°ツイスト、
デューティ比1/200の補償セル型STN表示装置を
作成した。ブラックストライプも含めたコントラスト比
は法線上で28であった。
Example 3 (a) A block copolymer 100 obtained by polymerizing 64% by weight of methyl methacrylate, 25% by weight of methacrylic acid, 10% by weight of polystyrene macromonomer and 2% by weight of azoisobutyronitrile in ethyl cellosolve acetate. Parts by weight, (b) dipentaerythritol heptaacrylate 10
0 parts by weight (c) 10% carbon black and Pigment Re
d 177, Pigment Yellow 83, P
380 parts by weight of a pigment prepared by mixing IGMENT GREEN 36 into black (d) 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2
50 parts by weight of (hydroxy-2-propyl) ketone (e) 50 parts by weight of nonionic surfactant (f) 3000 parts by weight of cellosolve acetate were mixed with a homomixer to prepare a radiation-sensitive coating solution. Spin coating 3000 rpm using the above coating solution
Other conditions were the same as in Example 1 to form a black stripe. In the obtained substrate, the coating film on the ITO film was completely removed, and a black stripe having an optical density of 1.5 and a film thickness of 0.55 μm was formed in the space portion. Further, since the light blocking film was formed also on the defective portion of ITO, a display device in which the portion was not conspicuous as a bright spot was obtained. 240 ° twist using the above transparent conductive substrate,
A compensation cell type STN display device having a duty ratio of 1/200 was created. The contrast ratio including the black stripe was 28 on the normal line.

【0016】比較例1 実施例1〜実施例3で使用したのと同様の透明導電基板
を用い、ブラックストラスイプを形成しないで他は同様
の240°ツイストの補償セル型STN表示装置を作成
した。画素間隙部も含めたパネルのコントラスト比は法
線上で21であった。
Comparative Example 1 Using the same transparent conductive substrate as that used in Examples 1 to 3, the same 240 ° twist compensation cell type STN display device was prepared without forming the black strat sweep. . The contrast ratio of the panel including the pixel gap portion was 21 on the normal line.

【0017】比較例2 実施例1〜実施例3で使用したのと同様の透明導電基板
を用い、露光までの工程は実施例1と同様にし、露光工
程では露光用マスクを用いて塗布面側から紫外線を照射
してブラックストラスイプを形成し、他は同様の240
°ツイストの補償セル型STN表示装置を作成した。位
置合わせの良好な部分でのパネルのコントラスト比は3
6得られたが、位置合わせが十分ではない部分ではスト
ライプ部から光漏れがありコントラスト比は大幅に低下
した。
Comparative Example 2 The same transparent conductive substrate as that used in Examples 1 to 3 was used, the steps up to exposure were the same as in Example 1, and the exposure step was performed using an exposure mask. UV rays are radiated from the above to form black stratipes
A twisted compensation cell type STN display device was created. The contrast ratio of the panel in the part where the alignment is good is 3
6 was obtained, but in the portion where the alignment was not sufficient, there was light leakage from the stripe portion and the contrast ratio was significantly reduced.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明の方法によりマスクを用いずに透
明導電膜のない部分にアラインメント精度良くブラック
ストライプを形成することができるために、高デューテ
ィ比の単純マトリックス液晶表示装置でもストライプ部
を含めたコントラスト比が高い表示が可能になり、か
つ、透明導電膜が欠けている部分にも光遮断層が形成さ
れるために、その部分が輝点として欠陥にならないので
品質低下を防ぎ、製造の歩留まりも大幅に改善される。
According to the method of the present invention, since a black stripe can be formed with high alignment accuracy in a portion without a transparent conductive film without using a mask, a simple matrix liquid crystal display device having a high duty ratio also includes a stripe portion. It is possible to display with a high contrast ratio, and since the light blocking layer is formed even in the portion where the transparent conductive film is lacking, that portion does not become a defect as a bright spot, preventing quality deterioration and preventing manufacturing. The yield is also greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】基板の形成工程を順に示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram sequentially showing a substrate forming process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基 板 2 透明導電膜 3 ネガ型光硬化性樹脂組成物の塗布液 4 遮光層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base plate 2 Transparent conductive film 3 Negative photocurable resin composition coating liquid 4 Light-shielding layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田島 右副 東京都中央区築地2丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Uta Tadashi 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Within Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する2枚の透明基板の相対する内面
に、ほぼ直交するストライプ状透明導電膜を有するドッ
トマトリックス型液晶表示装置において、少なくとも表
示領域の前記ストライプ状透明導電膜の間に電気絶縁性
で黒色の遮光層を有するドットマトリックス型液晶表示
装置の製造方法であって、ストライプ状透明導電膜の間
に形成された電気絶縁性の黒色の遮光層が、色材を分散
させたネガ型光硬化性樹脂組成物を、透明基板の透明導
電膜が形成されている面の全面に塗布した後、透明導電
膜をマスクとして透明基板の塗布した反対側より光照射
することによって、ストライプ状透明導電膜の間にのみ
形成されることを特徴とするドットマトリックス型液晶
表示装置の製造方法。
1. A dot-matrix liquid crystal display device having stripe-shaped transparent conductive films which are substantially orthogonal to each other on the inner surfaces of two transparent substrates facing each other. A method of manufacturing a dot-matrix liquid crystal display device having an insulating black light-shielding layer, wherein an electrically insulating black light-shielding layer formed between stripe-shaped transparent conductive films has a negative color material dispersed therein. After applying the photocurable resin composition on the entire surface of the transparent substrate on which the transparent conductive film is formed, the transparent conductive film is used as a mask to irradiate light from the opposite side of the transparent substrate to form a stripe pattern. A method of manufacturing a dot matrix type liquid crystal display device, which is characterized in that it is formed only between transparent conductive films.
JP10793594A 1994-04-22 1994-04-22 Production of dot matrix type liquid crystal display device Pending JPH07294897A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030057084A (en) * 2001-12-28 2003-07-04 제일모직주식회사 Method For Producing Black Matrix With High Resolution, Minimum Line Width And Improved Process Marginability
KR100542302B1 (en) * 1998-06-30 2006-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Manufacturing Method of Liquid Crystal Display

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