JPH0728363B2 - One-dimensional CCD image sensor - Google Patents

One-dimensional CCD image sensor

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JPH0728363B2
JPH0728363B2 JP61092636A JP9263686A JPH0728363B2 JP H0728363 B2 JPH0728363 B2 JP H0728363B2 JP 61092636 A JP61092636 A JP 61092636A JP 9263686 A JP9263686 A JP 9263686A JP H0728363 B2 JPH0728363 B2 JP H0728363B2
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JP
Japan
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photoelectric conversion
shift register
conversion element
element array
bit
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静治 五十嵐
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14825Linear CCD imagers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光電変換素子が線状に配置された一次元CCDイ
メージセンサに関し、特にファクシミリ装置等、被読取
り原稿の寸法が多種にわたる場合に、ファクシミリ装置
で原稿位置の調整が容易に行える様にした一次元CCDイ
メージセンサに関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a one-dimensional CCD image sensor in which photoelectric conversion elements are linearly arranged, and particularly when a document to be read has various sizes such as a facsimile machine, The present invention relates to a one-dimensional CCD image sensor in which the position of a document can be easily adjusted with a facsimile machine.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、一次元CCDイメージセンサを使用したファクシミ
リ装置などの組立,調整段階での一次元CCDイメージセ
ンサを含む光学系と原稿との相対位置の調整を行なうた
め、一次元CCDイメージセンサ上にビットマークなる長
方形あるいは三角形などの微小パターンを設けておき、
通常のファクシミリ装置の使用時とは逆にビットマーク
に光を照射し、反射した光をレンズで拡大し原稿面に結
像させ、原稿とビットマーク像との位置関係を調整する
ことにより位置合わせを行っていた。
Conventionally, the relative position between the optical system including the one-dimensional CCD image sensor and the original is adjusted at the assembly and adjustment stage of a facsimile machine using the one-dimensional CCD image sensor, so the bit mark on the one-dimensional CCD image sensor is adjusted. A small pattern such as a rectangle or triangle
Opposite to the normal use of a facsimile machine, the bit mark is irradiated with light, the reflected light is magnified by a lens to form an image on the document surface, and the positional relationship between the document and the bit mark image is adjusted for alignment. Was going on.

第7図に従来例による位置合わせを説明するための光路
図を示す。蛍光灯19によって一次元CCDイメージセンサ2
0を照射し反射した光をレンズ18で拡大し、位置あわせ
用の第1の原稿面15にビットマークの像17を結像させて
第1の原稿面15用であるビットマークの像17の外側のも
のを利用し第1の原稿面15の端部で位置合わせを行って
いる。又、第1の原稿面15より小さい第2の原稿面16に
ビットマークの像17を結像させて位置合わせを行う場合
には第2の原稿面16用であるビットマークの像17の内側
のものを利用し第2の原稿面16の端部で位置合わせを行
っている。
FIG. 7 shows an optical path diagram for explaining the alignment according to the conventional example. One-dimensional CCD image sensor 2 by fluorescent lamp 19
The light reflected by 0 is magnified by the lens 18 and a bit mark image 17 is formed on the first document surface 15 for alignment to form a bit mark image 17 for the first document surface 15. Positioning is performed at the edge of the first document surface 15 using the outer one. When the image 17 of the bit mark is formed on the second document surface 16 which is smaller than the first document surface 15 for alignment, the inside of the bit mark image 17 for the second document surface 16 is used. The alignment is performed at the end of the second document surface 16 by using the above.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来の一次元CCDイメージセンサはビットマー
クを光学的におおよそ10倍に拡大して原稿面に結像させ
るため、ビットマークとその外側との明暗の差を大きく
しなければならず、一次元CCDイメージセンサの遮光ア
ルミニウム膜を選択的に除去することでビットマークを
作り込んでいるため、光漏れ出力の原因になるという欠
点があり、また原稿位置あわせ精度を向上させるために
は、ビットマークを小さくする必要があり、10倍で原稿
面に結像しても0.1mm〜0.2mmの大きさにしか出来ない
為、位置あわせ精度の面からも、位置あわせ作業能率の
面からも問題があった。
The above-mentioned conventional one-dimensional CCD image sensor optically enlarges the bit mark approximately 10 times to form an image on the document surface, and therefore the difference in brightness between the bit mark and its outside must be increased. Since the bit mark is created by selectively removing the light-shielding aluminum film of the original CCD image sensor, it has the drawback of causing light leakage output. It is necessary to make the mark small, and even if it is imaged on the original surface at 10 times, it can only be 0.1 mm to 0.2 mm in size, so there is a problem in terms of alignment accuracy and alignment work efficiency. was there.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の一次元CCDイメージセンサは、光電変換素子列
と、前記光電変換素子列から電荷を受取って転送する少
なくとも一つのシフトレジスタと、前記光電変換素子列
と前記シフトレジスタの間に設けられた転送ゲートと、
前記シフトレジスタにより転送された電荷を電圧に変換
する出力回路とを含んでなる画像信号発生回路並びに所
定の素子を除いて遮光された他の光電変換素子列と、前
記他の光電変換素子列から電荷を受取って転送する他の
シフトレジスタと、前記他の光電変換素子列と前記他の
シフトレジスタの間に設けられた他の転送ゲートと、前
記他のシフトレジスタにより転送された電荷を電圧に変
換する他の出力回路とを含んでなる位置合せ信号発生回
路を有するものである。
The one-dimensional CCD image sensor of the present invention is provided between a photoelectric conversion element array, at least one shift register that receives and transfers charges from the photoelectric conversion element array, and between the photoelectric conversion element array and the shift register. Transfer gate,
An image signal generating circuit including an output circuit for converting the charges transferred by the shift register into a voltage, and another photoelectric conversion element array shielded except for a predetermined element, and from the other photoelectric conversion element array. Another shift register that receives and transfers charge, another transfer gate provided between the other photoelectric conversion element array and the other shift register, and the charge transferred by the other shift register to a voltage. It has an alignment signal generating circuit including another output circuit for conversion.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例を示すセンサ・チップの
主要部の平面模式図である。第2図は第1図のA部詳細
図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a main part of a sensor chip showing a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a detailed view of part A of FIG.

この実施例は、4096ビットの一次元ラインセンサであっ
て、4096個の受光部1a,1b,…を有する光電変換素子列1
と、光電変換素子列1から電荷を受取って転送する一つ
のシフトレジスタ2と、光電変換素子列1とシフトレジ
スタ2の間に設けられた転送ゲート3と、シフトレジス
タ2により転送された電荷を電圧に変換する出力回路4
とを含んでなる画像信号発生回路並びに2個目、376個
目、3720個目及び4095個目の受光部6b等を除いてアルミ
ニウムからなる遮光膜12で遮光された合計4096個の受光
部6a…を有する他の光電変換素子列6と、他の光電変換
素子列6から電荷を受取って転送する他のシフトレジス
タ7と、他の光電変換素子列6と他のシフトレジスタ7
の間に設けられた他の転送ゲート8と、他のシフトレジ
スタ7により転送された電荷を電圧に変換する他の出力
回路9とを含んでなる位置合せ信号発生回路を有するも
のである。
This embodiment is a 4096-bit one-dimensional line sensor, and includes a photoelectric conversion element array 1 having 4096 light receiving portions 1a, 1b, ....
A shift register 2 for receiving and transferring charges from the photoelectric conversion element array 1, a transfer gate 3 provided between the photoelectric conversion element array 1 and the shift register 2, and a charge transferred by the shift register 2. Output circuit 4 for converting to voltage
And a total of 4096 light-receiving portions 6a shielded by the light-shielding film 12 made of aluminum except the image signal generating circuit including and the second, 376th, 3720th and 4095th light-receiving portions 6b. Other photoelectric conversion element array 6 having ..., Other shift register 7 that receives and transfers electric charge from other photoelectric conversion element array 6, and other photoelectric conversion element array 6 and other shift register 7
It has an alignment signal generating circuit including another transfer gate 8 provided between the two and another output circuit 9 for converting the charge transferred by the other shift register 7 into a voltage.

次に、この実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

ライン状に配設した光電変換素子列1によって発生され
た電荷は、転送ゲート3が導通すると同時にシフトレジ
スタ2に転送される。次にシフトレジスタ2が動作し電
荷を順次出力回路4の方向に転送する。出力回路4に転
送された電荷は、出力回路4によって電圧に変換され、
画像信号として信号出力端子5から出力される。一方、
光電変換素子列1に平行で且つ転送ゲート3と反対側に
配設された位置合せ信号発生用の他の光電変換素子列6
によって発生された電荷は、他の転送ゲート8が導通す
ると同時に他のシフトレジスタ7に転送される。次に他
のシフトレジスタ7が動作し電荷を順次他の出力回路9
の方向に転送する。他の出力回路9に転送された電荷
は、他の出力回路9によって電圧に変換され、他の信号
出力端子10より位置合せ信号として出力される。又画像
出力信号と位置合せ出力信号が互いに同期する様、転送
ゲート3および他の転送ゲート8は結線されている。
The charges generated by the photoelectric conversion element array 1 arranged in a line are transferred to the shift register 2 at the same time when the transfer gate 3 becomes conductive. Next, the shift register 2 operates to sequentially transfer the charges toward the output circuit 4. The charge transferred to the output circuit 4 is converted into a voltage by the output circuit 4,
The image signal is output from the signal output terminal 5. on the other hand,
Another photoelectric conversion element array 6 for generating an alignment signal, which is arranged in parallel to the photoelectric conversion element array 1 and on the side opposite to the transfer gate 3.
The electric charge generated by is transferred to the other shift register 7 at the same time when the other transfer gate 8 becomes conductive. Next, the other shift register 7 operates to sequentially charge the other output circuit 9
Transfer in the direction of. The charges transferred to the other output circuit 9 are converted into a voltage by the other output circuit 9 and output as a positioning signal from the other signal output terminal 10. The transfer gate 3 and the other transfer gate 8 are connected so that the image output signal and the alignment output signal are synchronized with each other.

次に原稿位置合せについて説明する。Next, document alignment will be described.

第3図はB4判原稿の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a B4 size document.

B4判原稿の左右両側に2本の縦線14a,14bと14c,14dとが
対になって描かれている。縦線14a,14b,14cおよび14d
は、B4判原稿の紙幅(257mm)を4096に等分割して4096
本のストライプ状領域を想定したとき、左から1番目、
3番目、4094番目および4096番目のストライプ状領域の
中央を走っている。
Two vertical lines 14a, 14b and 14c, 14d are drawn in pairs on the left and right sides of a B4 size document. Vertical lines 14a, 14b, 14c and 14d
Is divided into 4096 by dividing the paper width (257 mm) of B4 size original into 4096
Assuming a striped area of a book, the first from the left,
It runs in the center of the 3rd, 4094th, and 4096th stripe regions.

第4図(a),(b)はそれぞれ原稿位置合せ時の画像
信号波形図,位置合せ信号波形図である。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) are an image signal waveform diagram and an alignment signal waveform diagram at the time of document alignment, respectively.

4096ビットの一次元CCDイメージセンサで読取り可能な
原稿は最大B4判までとする。従ってB4判の原稿の左右両
側のストライプ状領域が一次元CCDイメージセンサの1
ビット目と4096ビット目に対応するようにすればよいの
で第4図(a)の信号出力の左端の一対の黒レベルデー
タの間に位置合せ信号b1が入り、右端の一対の黒レベル
データの間に位置合せ信号b2が入るよう光学系および原
稿位置を調整すればよい。
The maximum size of documents that can be read by the 4096-bit one-dimensional CCD image sensor is B4. Therefore, the striped areas on both the left and right sides of a B4 size document are one of the one-dimensional CCD image sensors.
Since it suffices to correspond to the 4th bit and the 4096th bit, the alignment signal b1 is inserted between the pair of black level data at the left end of the signal output of FIG. The optical system and the position of the original document may be adjusted so that the alignment signal b2 is input therebetween.

次に4096ビットの一次元CCDイメージセンサを用いてA4
判の原稿を読取る場合について説明する。B4判原稿の幅
は257mmあり、A4判原稿の幅は210mmであるので必要な光
電変換素子数は である。従って376ビット目と3720ビット目にビットマ
ーク出力を設定しておけばよい。すなわち第4図(b)
の位置合せ信号b3は376ビット目、b4は3720ビット目に
なるので、第4図(a)に類似のA4判原稿の出力波形を
見ながら原稿位置を調整し左側の一対の黒レベルデータ
および右側の一対の黒レベルデータの間に位置合せ信号
b3,b4がそれぞれ入るようにすればよい。ただし、A4判
原稿の紙幅を3347に等分割し、左から1番目、3番目、
3345番目および3347番目のストライプ状領域に縦線を描
いておく。
Next, using a 4096-bit one-dimensional CCD image sensor,
A case of reading a document of a standard size will be described. The width of a B4 size document is 257 mm, and the width of an A4 size document is 210 mm, so the number of photoelectric conversion elements required is Is. Therefore, bit mark output should be set to the 376th bit and the 3720th bit. That is, FIG. 4 (b)
Since the position alignment signal b3 is at the 376th bit and b4 is at the 3720th bit, the document position is adjusted while observing the output waveform of an A4 size document similar to FIG. 4 (a), and a pair of left black level data and Alignment signal between a pair of right black level data
b3 and b4 should be inserted respectively. However, the paper width of the A4 size manuscript is equally divided into 3347, and the 1st, 3rd, and
Vertical lines are drawn on the 3345th and 3347th stripe regions.

第5図は本発明の第2の実施例を示すセンサ・チップの
主要部の平面模式図である。
FIG. 5 is a schematic plan view of a main part of a sensor chip showing a second embodiment of the present invention.

第1の実施例は、シングル・チャネル型の一次元CCDイ
メージセンサに本発明を適用したものであるが、この第
2の実施例はデュアル・チャネル型の一次元CCDイメー
ジセンサに本発明を適用したものである。すなわち、画
像信号発生回路の光電変換素子列1からの電荷が、1ビ
ット毎交互にそれぞれ偶数ビットは図中上側に配置され
たシフトレジスタ2-1へ、奇数ビットは図中下側に配置
されたシフトレジスタ2-2へ転送ゲート3を通って転送
され、偶数ビット,奇数ビットが別々にシフトレジスタ
2-1,2-2によって出力側へ転送され最終出力段でゲート2
0により交互に出力回路4へ電荷を転送するデュアル・
ゲート型一次元CCDイメージセンサに本発明を適用した
場合の例である。この場合は、位置合せ信号発生回路の
他のシフトレジスタ7の1ビットの寸法はシフトレジス
タ2-1及び2-2の1ビットの寸法の1/2になる。
In the first embodiment, the present invention is applied to a single channel type one-dimensional CCD image sensor, but in the second embodiment, the present invention is applied to a dual channel type one-dimensional CCD image sensor. It was done. That is, the charges from the photoelectric conversion element array 1 of the image signal generation circuit are alternately arranged bit by bit to the shift register 2 -1 in which even bits are arranged on the upper side in the drawing and odd bits are arranged on the lower side in the drawing. To the shift register 2 -2 through the transfer gate 3 and the even and odd bits are separately shifted.
It is transferred to the output side by 2 -1 , 2 -2 and gate 2 at the final output stage.
Dual that alternately transfers charges to the output circuit 4 by 0
It is an example when the present invention is applied to a gate type one-dimensional CCD image sensor. In this case, the 1-bit size of the other shift register 7 of the alignment signal generating circuit is 1/2 of the 1-bit size of the shift registers 2 -1 and 2 -2 .

第6図は本発明の第3の実施例を示すセンサ・チップの
主要部の平面模式図である。
FIG. 6 is a schematic plan view of a main part of a sensor chip showing a third embodiment of the present invention.

この実施例は、画像信号発生回路の光電変換素子列1の
偶数ビットはシフトレジスタ2-1を経て出力端子5-1
ら、奇数ビットはシフトレジスタ2-2を経て出力端子5-2
からそれぞれ出力される型の一次元CCDイメージセンサ
に本発明を適用したものである。この例では偶数ビット
側,奇数ビット側のシフトレジスタ2-1,2-2のそれぞれ
に対応して位置合せ信号発生回路が設けてあり、位置合
せ信号も偶数ビットは出力端子10-1から、奇数ビットは
出力端子10-2から出力されるようになっている。尚、本
発明のビットマークの位置はウェーハ製造上の1パター
ンのみで決定出るのでビットマーク位置の変更が容易に
行なえる。又ここでは原稿の位置あわせ用として説明し
たが、計測用として一次元CCDイメージセンサを使用す
る場合には必要な箇所に必要な数だけビットマークを設
け位置合せ信号を出力することにより例えば被計測用製
品の仕上り寸法の検出を精度良くできる等用途は広い。
This embodiment is an image signal from the generation circuit of the photoelectric conversion element array 1 of the even bit shift register 2 -1 through the output terminal 5 -1, odd bit shift register 2-2 through the output terminal 5-2
The present invention is applied to a one-dimensional CCD image sensor of each type output from The even bit side in this example, the shift register 2 -1 of the odd-numbered bit side, Yes respectively to correspondingly aligned signal generating circuit 2 -2 provided, alignment signal also even bit from the output terminal 10 -1, The odd bits are output from the output terminal 10 -2 . The position of the bit mark of the present invention is determined by only one pattern in wafer manufacturing, so that the bit mark position can be easily changed. Also, although the description has been given here for document alignment, when a one-dimensional CCD image sensor is used for measurement, by providing bit marks as many as necessary at necessary locations and outputting alignment signals It has a wide range of applications, including the ability to accurately detect the finished dimensions of products for use.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、一次元CCDイメージセン
サ上に、一列又は複数列配設された光電変換素子列と平
行に位置合せ信号発生用の他の光電変換素子列を設け、
さらに他の光電変換素子列からの電荷を出力側へ転送す
る他の転送ゲート及び他のシフトレジスタと、他のシフ
トレジスタによって転送された電荷を電圧に変換する他
の出力回路を設け、この他の出力回路からの信号出力を
位置合せ信号とすることにより、従来のウェーハ製造プ
ロセスに何ら新しいプロセスを追加することなく、ビッ
トマークを電気的信号として出力し、且つ一列又は複数
列に配列された光電変換素子による画像信号出力と同期
しているため、オシロスコープ等の波形観測装置により
正確に、しかも作業性良く原稿の位置あわせができる効
果がある。
As described above, the present invention provides, on the one-dimensional CCD image sensor, another photoelectric conversion element row for alignment signal generation in parallel with the photoelectric conversion element row arranged in one row or a plurality of rows,
Further provided are another transfer gate and another shift register for transferring the charge from another photoelectric conversion element array to the output side, and another output circuit for converting the charge transferred by the other shift register into a voltage. By using the signal output from the output circuit of the above as an alignment signal, the bit mark is output as an electrical signal without adding any new process to the conventional wafer manufacturing process, and it is arranged in one or more rows. Since it is synchronized with the output of the image signal by the photoelectric conversion element, there is an effect that the position of the document can be aligned accurately and with good workability by a waveform observation device such as an oscilloscope.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示すセンサ・チップの
主要部の平面模式図、第2図は第1図のA部詳細図、第
3図はB4判原稿の平面図、第4図(a),(b)はそれ
ぞれ原稿位置合せ時の画像信号波形図、位置合せ信号波
形図、第5図は本発明の第2の実施例を示すセンサ・チ
ップの主要部の平面模式図、第6図は本発明の第3の実
施例を示すセンサ・チップの主要部の平面模式図、第7
図は従来例による位置合せを説明するための光路図であ
る。 1……光電変換素子列、1a〜1d……光電変換素子列の受
光部、2,2-1,2-2……シフトレジスタ、3……転送ゲー
ト、4,4-1,4-2……出力回路、5,5-1,5-2……出力回路、
6……他の光電変換素子列、6a〜6d……他の光電変換素
子列の受光部、7,7-1,7-2……他のシフトレジスタ、8,8
-1,8-2……他の転送ゲート、9,9-1,9-2……他の出力回
路、10,10-1,10-2……他の信号出力端子、11……クロッ
ク入力端子、12……遮光膜、13……B4判原稿、14a〜14d
……縦線、15……第1の原稿面、16……第2の原稿面、
17……ビットマークの像、18……レンズ、19……蛍光
灯、20……一次元CCDイメージセンサ。
FIG. 1 is a schematic plan view of a main part of a sensor chip showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a detailed view of part A of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of a B4 size original, 4 (a) and 4 (b) are image signal waveform diagrams and alignment signal waveform diagrams, respectively, at the time of document alignment, and FIG. 5 is a schematic plan view of the main part of the sensor chip showing the second embodiment of the present invention. FIG. 6 and FIG. 6 are schematic plan views of a main part of a sensor chip showing a third embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is an optical path diagram for explaining the alignment according to the conventional example. 1 ... Photoelectric conversion element array, 1a to 1d ... Photoelectric conversion element array light receiving part, 2,2 -1 , 2, -2 ... shift register, 3 ... transfer gate, 4,4 -1 , 4, -2 ...... Output circuit, 5,5 -1 , 5, -2- …… Output circuit,
6 ... Other photoelectric conversion element array, 6a to 6d ... Light receiving part of other photoelectric conversion element array, 7,7 -1 , 7, -2 ... Other shift register, 8,8
-1 , 8, -2 ...... Other transfer gates, 9,9 -1 ,, 9 -2 ...... Other output circuits, 10,10 -1 ,, 10 -2 ...... Other signal output terminals, 11 ...... Clock Input terminal, 12 ... Shading film, 13 ... B4 size document, 14a-14d
…… Vertical line, 15 …… First manuscript surface, 16 …… Second manuscript surface,
17 …… bit mark image, 18 …… lens, 19 …… fluorescent lamp, 20 …… one-dimensional CCD image sensor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光電変換素子列と、前記光電変換素子列か
ら電荷を受取って転送する少なくとも一つのシフトレジ
スタと、前記光電変換素子列と前記シフトレジスタの間
に設けられた転送ゲートと、前記シフトレジスタにより
転送された電荷を電圧に変換する出力回路とを含んでな
る画像信号発生回路並びに所定の素子を除いて遮光され
た他の光電変換素子列と、前記他の光電変換素子列から
電荷を受取って転送する他のシフトレジスタと、前記他
の光電変換素子列と前記他のシフトレジスタの間に設け
られた他の転送ゲートと、前記他のシフトレジスタによ
り転送された電荷を電圧に変換する他の出力回路とを含
んでなる位置合せ信号発生回路を有することを特徴とす
る一次元CCDイメージセンサ。
1. A photoelectric conversion element array, at least one shift register for receiving and transferring charges from the photoelectric conversion element array, a transfer gate provided between the photoelectric conversion element array and the shift register, and An image signal generating circuit including an output circuit for converting the charge transferred by the shift register into a voltage, and another photoelectric conversion element array shielded except for a predetermined element, and a charge from the other photoelectric conversion element array. Shift register for receiving and transferring the signal, another transfer gate provided between the other photoelectric conversion element array and the other shift register, and converting the charge transferred by the other shift register into a voltage A one-dimensional CCD image sensor having an alignment signal generating circuit including another output circuit for performing the above.
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