JPH07282580A - Power consumption reducing system in dram - Google Patents

Power consumption reducing system in dram

Info

Publication number
JPH07282580A
JPH07282580A JP6073688A JP7368894A JPH07282580A JP H07282580 A JPH07282580 A JP H07282580A JP 6073688 A JP6073688 A JP 6073688A JP 7368894 A JP7368894 A JP 7368894A JP H07282580 A JPH07282580 A JP H07282580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
bits
dram
level
majority
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6073688A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Inoue
正浩 井ノ上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Communication Systems Ltd
Original Assignee
NEC Communication Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Communication Systems Ltd filed Critical NEC Communication Systems Ltd
Priority to JP6073688A priority Critical patent/JPH07282580A/en
Publication of JPH07282580A publication Critical patent/JPH07282580A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the power consumption of a DRAM by decreasing the number of bits being in a level 1 of data to be stored in the DRAM. CONSTITUTION:At the time of writing data in a DRAM 5, a data deciding part 2 decides whether the number of bits being in a level 1 of data inputted to data busses 1 exceeds the majority of the number of all bits of input data or not to output the result to a selection part 4 and the DRAM 5. The selection part 4 selects inverted data from a data inverting part 3 when the decision result exceeds the majority and selects input data from the data busses 1 when the result is less than the majority to output them to the DRAW 5. At the time of reading data from the DRAM 5, the selection part 4 selects the inverted data from the data inverting part 3 when the decision result exceeds the majority and selects input data from the DRAM 5 when the result is less than the majority to output them to the data busses 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はDRAMにおける消費電
力低減方式に関し、特にDRAMに記憶するレベル1の
ビットの数を減少させることにより消費電力を低減する
DRAMにおける消費電力低減方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DRAM power consumption reduction method, and more particularly to a DRAM power consumption reduction method for reducing power consumption by reducing the number of level 1 bits stored in the DRAM.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のDRAMにおける消費電
力低減方式として挙げることができる例えば特開平3−
58381号公報に所載の「半導体記憶装置」では、ワ
ード線及びデータ線ならびにワード線及びデータ線の交
点に格子状に配置されるDRAMを含むメモリアレイ
と、データ線に対応して設けられる単位増幅回路を含む
センスアンプとを備え、単位増幅回路のうち指定される
アドレスに対応するものだけが選択的に動作状態とされ
ることにより、センスアンプの動作電流を削減してい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for reducing power consumption in this type of DRAM, for example, JP-A-3-
In the "semiconductor memory device" disclosed in Japanese Patent No. 58381, a memory array including word lines and data lines and DRAMs arranged in a grid pattern at intersections of the word lines and data lines, and a unit provided corresponding to the data lines. A sense amplifier including an amplifier circuit is provided, and only a unit amplifier circuit corresponding to a specified address is brought into an active state, thereby reducing the operating current of the sense amplifier.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】DRAMは内部のメモ
リセルへの微小電荷の充放電によるデータ線の電位変化
を内部のセンスアンプで増幅することにより“1”,
“0”を記憶してメモリ動作を行っている。
In the DRAM, "1" is obtained by amplifying the potential change of the data line due to the charging / discharging of the minute charge to the internal memory cell by the internal sense amplifier.
The memory operation is performed by storing "0".

【0004】したがって、レベル1のビットを保持する
ために電力を消費している。このため、DRAMの消費
電力はDRAMに記憶するレベル1のビットの数の増加
に伴って増加する。
Therefore, power is consumed to hold the level 1 bit. Therefore, the power consumption of the DRAM increases as the number of level 1 bits stored in the DRAM increases.

【0005】しかしながら、前述した従来例の半導体記
憶装置では、DRAMに記憶するレベル1のビット数の
増加への有効な対策はなく、記憶するレベル1のビット
の数の増加に伴いDRAMの消費電力が増加してしまう
という問題点があった。
However, in the above-described conventional semiconductor memory device, there is no effective countermeasure against the increase in the number of level 1 bits stored in the DRAM, and the power consumption of the DRAM increases as the number of level 1 bits stored increases. However, there was a problem in that

【0006】本発明の目的は、DRAMに記憶するデー
タのレベル1のビットの数を減少させることによってD
RAMの消費電力を低減するDRAMにおける消費電力
低減方式を提供することにある。
It is an object of the present invention to reduce the number of level 1 bits of data stored in DRAM by reducing D
It is an object of the present invention to provide a power consumption reduction method for a DRAM that reduces the power consumption of the RAM.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、入力デ
ータのレベル1のビットの数がこの入力データの全ビッ
ト数の過半数を超えるているか否かを判定してその判定
結果を出力するデータ判定部と、前記入力データを反転
して反転データを出力するデータ反転部と、前記データ
判定部の前記判定結果に応じて前記入力データおよび前
記反転データのいずれかを選択する選択部とを備え、D
RAMは前記選択部からのデータの全ビットと前記デー
タ判定部の前記判定結果のビットとを記憶するビット幅
を有することを特徴とするDRAMにおける消費電力低
減方式が得られる。
According to the present invention, it is determined whether or not the number of level 1 bits of input data exceeds a majority of the total number of bits of this input data, and the determination result is output. A data determination unit, a data inversion unit that inverts the input data and outputs inverted data, and a selection unit that selects one of the input data and the inversion data according to the determination result of the data determination unit. Prepare, D
A method for reducing power consumption in a DRAM is obtained in which the RAM has a bit width for storing all bits of the data from the selection unit and the bits of the determination result of the data determination unit.

【0008】また、前記選択部は、前記データ判定部が
前記入力データのレベル1のビット数がこの入力データ
の全ビット数の過半数を超えていると判定した結果とし
てレベル1を出力したときには前記データ反転部からの
前記反転データを選択して出力し、前記データ判定部が
前記入力データのレベル1のビット数がこの入力データ
の全ビット数の過半数以下であると判定した結果として
レベル0を出力したときには前記入力データを選択して
出力することを特徴とするDRAMにおける消費電力低
減方式が得られる。
Further, when the selecting section outputs level 1 as a result of the data judging section judging that the number of bits of level 1 of the input data exceeds a majority of the total number of bits of the input data, the selecting section outputs the level 1. The inverted data from the data inversion unit is selected and output, and the data determination unit determines level 0 as a result of determining that the number of bits of level 1 of the input data is equal to or less than the majority of the total number of bits of this input data. A method for reducing power consumption in a DRAM is obtained in which the input data is selected and output when output.

【0009】[0009]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0010】図1は本発明のDRAMにおける消費電力
低減方式の一実施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a power consumption reduction system in a DRAM of the present invention.

【0011】図1を参照すると、本実施例はDRAM5
と、データバス1またはDRAM5からの入力データの
レベル1のビットの数がこの入力データの全ビット数の
過半数を超えるているか否かを判定してその判定結果を
出力するデータ判定部2と、データバス1またはDRA
M5からの入力データを反転するデータ反転部3と、デ
ータ判定部2の判定結果に応じてデータバス1またはD
RAM5からの入力データおよびデータ反転部3からの
反転データのいずれかを選択する選択部4とを備え、D
RAM5は選択部4からのデータのビットとデータ判定
部2の判定結果のビットとを記憶するビット幅を有して
いる。
Referring to FIG. 1, this embodiment is a DRAM 5
And a data judging section 2 which judges whether or not the number of level 1 bits of the input data from the data bus 1 or the DRAM 5 exceeds a majority of the total number of bits of the input data and outputs the judgment result. Data bus 1 or DRA
A data inverting section 3 for inverting the input data from M5, and a data bus 1 or D depending on the determination result of the data determining section 2.
A selection unit 4 for selecting either the input data from the RAM 5 or the inversion data from the data inversion unit 3;
The RAM 5 has a bit width for storing the bits of the data from the selection unit 4 and the bits of the determination result of the data determination unit 2.

【0012】続いて、本実施例の動作について説明す
る。
Next, the operation of this embodiment will be described.

【0013】まず、データのDRAM5への書き込み時
には、データ判定部2はデータバス1に入力されたデー
タのレベル1のビット数aが入力データの全ビット数N
の過半数(N/2)を超えているか否かを判定し、その
判定結果としてビット数a>過半数N/2のときはレベ
ル1、またビット数a≦過半数N/2のときはレベル0
を選択部4およびDRAM5へ出力する。
First, at the time of writing data to the DRAM 5, the data judging section 2 determines that the bit number a of level 1 of the data input to the data bus 1 is the total bit number N of the input data.
It is determined whether or not the number exceeds a majority (N / 2), and the result of the determination is level 1 when the number of bits a> majority N / 2, and level 0 when the number of bits a ≦ majority N / 2.
To the selection unit 4 and the DRAM 5.

【0014】データ反転部3はデータバス1に入力され
たデータのレベルを反転してその反転データを選択部4
へ出力する。
The data inverting section 3 inverts the level of the data input to the data bus 1 and selects the inverted data from the selecting section 4.
Output to.

【0015】選択部4はデータ判定部2から判定結果と
してレベル1が入力されたとき、つまりビット数a>過
半数N/2のときは、データ反転部3から入力された反
転データを選択してDRAM5へ出力する。
The selection unit 4 selects the inverted data input from the data inversion unit 3 when the level 1 is input as the determination result from the data determination unit 2, that is, when the number of bits a> the majority N / 2. Output to DRAM5.

【0016】また、データ判定部2から判定結果として
レベル0が入力されたとき、つまりビット数a≦過半数
N/2のときは、選択部4はデータバス1に入力された
データを選択してDRAM5へ出力する。
When level 0 is input from the data determination section 2 as the determination result, that is, when the number of bits a ≦ a majority N / 2, the selection section 4 selects the data input to the data bus 1. Output to DRAM5.

【0017】DRAM5はデータ判定部2から入力され
た判定結果(レベル0または1)と選択部4から入力さ
れた選択結果のデータとを記憶する。
The DRAM 5 stores the determination result (level 0 or 1) input from the data determination unit 2 and the selection result data input from the selection unit 4.

【0018】次に、DRAM5からのデータの読出し時
には、データ判定部2はDRAM5から入力された判定
結果(レベル0または1)をそのまま選択部4へ出力す
る。
Next, at the time of reading data from the DRAM 5, the data judging section 2 outputs the judgment result (level 0 or 1) inputted from the DRAM 5 to the selecting section 4 as it is.

【0019】データ反転部3はDRAM5から入力され
たデータを反転して反転データを選択部4へ出力する。
The data inverting section 3 inverts the data input from the DRAM 5 and outputs the inverted data to the selecting section 4.

【0020】選択部4はデータ判定部2から判定結果と
してレベル1が入力されたとき、つまりビット数a>過
半数N/2のときは、データ反転部3から入力された反
転データを選択してデータバス1へ出力する。
When the level 1 is input from the data determination unit 2 as the determination result, that is, when the number of bits a> the majority N / 2, the selection unit 4 selects the inverted data input from the data inversion unit 3. Output to data bus 1.

【0021】また、データ判定部2から判定結果として
レベル0が入力されたとき、つまりビット数a≦過半数
N/2のときは、選択部4はDRAM5から入力された
データを選択してデータバス1へ出力する。
When level 0 is input from the data determination unit 2 as the determination result, that is, when the number of bits a ≦ a majority N / 2, the selection unit 4 selects the data input from the DRAM 5 and selects the data bus. Output to 1.

【0022】次に、図2を用いて本実施例による効果に
ついて説明する。
Next, the effect of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0023】図2はDRAMに記憶されるデータのビッ
ト構成について従来技術による場合と本発明による場合
とを対比させて示した図である。なお、書込みデータは
ビット数N=4とし、つまりビットNo.0,1,2,
3の4ビット構成としている。
FIG. 2 is a diagram showing a bit configuration of data stored in the DRAM by comparing the case according to the prior art with the case according to the present invention. The number of bits of the write data is N = 4, that is, the bit number. 0, 1, 2,
3 has a 4-bit configuration.

【0024】図2において、例えば書込みデータ1の
“0001”におけるレベル1のビット数a=1、ま
た、書込みデータ3の“0011”におけるレベル1の
ビット数a=2で、共に入力データの全ビット数N=4
の過半数の2以下であるので、本実施例における判定結
果はレベル0である。
In FIG. 2, for example, the number of bits of level 1 in write data 1 of "0001" is a = 1, and the number of bits of level 1 in write data 3 is "0011" is a = 2. Number of bits N = 4
Since it is less than 2 which is a majority of the above, the determination result in this embodiment is level 0.

【0025】さらに、例えば書込みデータ7の“011
1”におけるレベル1のビット数a=3で、入力データ
の全ビット数の過半数=2を超えているので、本発明に
よる判定結果はレベル1である。
Further, for example, write data 7 "011"
In the case of 1 ″, the number of bits of level 1 is a = 3, and the majority of the total number of bits of input data = 2, so the determination result according to the present invention is level 1.

【0026】図2に示すとおり、DRAMに記憶される
データのレベル1のビットの総数は、従来技術による場
合は32個になるのに対して本実施例の場合は判定結果
のビットを含めて25個となる。
As shown in FIG. 2, the total number of level 1 bits of the data stored in the DRAM is 32 in the case of the conventional technique, whereas the number of bits of the judgment result is included in the case of the present embodiment. It becomes 25 pieces.

【0027】このように本実施例によれば、データバス
が4ビットのときには、レベル1のビットの総数を従来
の78%に抑えることができる。
As described above, according to the present embodiment, when the data bus has 4 bits, the total number of level 1 bits can be suppressed to 78% of the conventional level.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、入力デー
タのレベル1のビットの数がこの入力データの全ビット
数の過半数を超えるているか否かを判定してその判定結
果を出力するデータ判定部と、入力データを反転して反
転データを出力するデータ反転部と、データ判定部の判
定結果に応じて入力データおよび反転データのいずれか
を選択する選択部とを備え、DRAMは選択部からのデ
ータの全ビットとデータ判定部の判定結果のビットとを
記憶するビット幅を有することにより、DRAMに記憶
されるデータのレベル1のビット数を減少させるので、
レベル1のビット数の増加に伴う消費電力の増加を著し
く抑えることができるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, data for determining whether or not the number of level 1 bits of input data exceeds a majority of the total number of bits of the input data and outputting the determination result. The DRAM includes a determination unit, a data inversion unit that inverts input data and outputs inverted data, and a selection unit that selects either the input data or the inversion data according to the determination result of the data determination unit. By having a bit width for storing all the bits of the data from and the bit of the determination result of the data determination unit, the number of bits of level 1 of the data stored in the DRAM is reduced.
This has an effect that an increase in power consumption due to an increase in the number of bits of level 1 can be significantly suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のDRAMにおける消費電力低減方式の
一実施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a power consumption reduction method in a DRAM of the present invention.

【図2】DRAMに記憶されるデータのビット構成につ
いて従来技術による場合と本発明による場合とを対比さ
せて示した図である。
FIG. 2 is a diagram showing a bit configuration of data stored in a DRAM in comparison with a case according to a conventional technique and a case according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 データバス 2 データ判定部 3 データ反転部 4 選択部 5 DRAM 1 Data Bus 2 Data Judgment Section 3 Data Inversion Section 4 Selection Section 5 DRAM

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力データのレベル1のビットの数がこ
の入力データの全ビット数の過半数を超えるているか否
かを判定してその判定結果を出力するデータ判定部と、
前記入力データを反転して反転データを出力するデータ
反転部と、前記データ判定部の前記判定結果に応じて前
記入力データおよび前記反転データのいずれかを選択す
る選択部とを備え、DRAMは前記選択部からのデータ
の全ビットと前記データ判定部の前記判定結果のビット
とを記憶するビット幅を有することを特徴とするDRA
Mにおける消費電力低減方式。
1. A data determination unit for determining whether or not the number of level 1 bits of input data exceeds a majority of all the bits of the input data and outputting the determination result.
The DRAM includes a data inverting unit that inverts the input data and outputs inverted data, and a selection unit that selects either the input data or the inversion data according to the determination result of the data determination unit. A DRA having a bit width for storing all bits of data from the selection unit and bits of the determination result of the data determination unit.
Power consumption reduction method in M.
【請求項2】 前記選択部は、前記データ判定部が前記
入力データのレベル1のビット数がこの入力データの全
ビット数の過半数を超えていると判定した結果としてレ
ベル1を出力したときには前記データ反転部からの前記
反転データを選択して出力し、前記データ判定部が前記
入力データのレベル1のビット数がこの入力データの全
ビット数の過半数以下であると判定した結果としてレベ
ル0を出力したときには前記入力データを選択して出力
することを特徴とする請求項1記載のDRAMにおける
消費電力低減方式。
2. When the selecting section outputs level 1 as a result of the data judging section judging that the number of bits of level 1 of the input data exceeds a majority of the total number of bits of the input data, the selecting section outputs the level 1. The inverted data from the data inversion unit is selected and output, and the data determination unit determines level 0 as a result of determining that the number of bits of level 1 of the input data is equal to or less than the majority of the total number of bits of this input data. 2. The method of reducing power consumption in a DRAM according to claim 1, wherein the input data is selected and output when output.
JP6073688A 1994-04-13 1994-04-13 Power consumption reducing system in dram Pending JPH07282580A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6073688A JPH07282580A (en) 1994-04-13 1994-04-13 Power consumption reducing system in dram

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6073688A JPH07282580A (en) 1994-04-13 1994-04-13 Power consumption reducing system in dram

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07282580A true JPH07282580A (en) 1995-10-27

Family

ID=13525411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6073688A Pending JPH07282580A (en) 1994-04-13 1994-04-13 Power consumption reducing system in dram

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07282580A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1494242A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and memory system having mode selection between dual data strobe mode and single data strobe mode with data inversion
US7042800B2 (en) 2003-10-09 2006-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and memory system in which operating mode is set using address signal
CN112712841A (en) * 2019-10-25 2021-04-27 长鑫存储技术(上海)有限公司 Write operation circuit, semiconductor memory and write operation method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0240194A (en) * 1988-07-29 1990-02-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0240194A (en) * 1988-07-29 1990-02-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1494242A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and memory system having mode selection between dual data strobe mode and single data strobe mode with data inversion
US7269699B2 (en) 2003-07-04 2007-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and memory system having mode selection between dual data strobe mode and single data strobe mode with inversion
US7042800B2 (en) 2003-10-09 2006-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and memory system in which operating mode is set using address signal
CN112712841A (en) * 2019-10-25 2021-04-27 长鑫存储技术(上海)有限公司 Write operation circuit, semiconductor memory and write operation method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0917152B1 (en) Semiconductor circuit and method of controlling the same
US7826283B2 (en) Memory device and method having low-power, high write latency mode and high-power, low write latency mode and/or independently selectable write latency
KR100274731B1 (en) Synchronous dram whose power consumption is minimized
JPS63213193A (en) Memory circuit
JP3719808B2 (en) Semiconductor memory device
US6304482B1 (en) Apparatus of reducing power consumption of single-ended SRAM
US20220108744A1 (en) Bitline precharge system for a semiconductor memory device
JPH07282580A (en) Power consumption reducing system in dram
US7869244B2 (en) Digital memory with controllable input/output terminals
JP2002352579A (en) Information storing device and method, memory unit, recording medium, and program
JPH09274796A (en) Semiconductor device and semiconductor system
US7573776B2 (en) Semiconductor memory device having data-compress test mode
JPH0660645A (en) Power saving storage device
JPH0438698A (en) Semiconductor memory
JPH05217381A (en) Storage device
JPH0248748A (en) Memory controlling system
JPH05144256A (en) Semiconductor memory device
JPS6246490A (en) Refresh control system for dynamic memory
JPH05198168A (en) Dram of fifo type
JPH05225784A (en) Semiconductor storage device
JPH05281935A (en) Microcomputer
JPH10199237A (en) Stable drive method for dram
JPH0378192A (en) Semiconductor memory
JPS61142590A (en) Semiconductor memory device
JP2000003306A (en) Storage device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19961126