JPH07281180A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents

Liquid crystal display device and its production

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Publication number
JPH07281180A
JPH07281180A JP6068575A JP6857594A JPH07281180A JP H07281180 A JPH07281180 A JP H07281180A JP 6068575 A JP6068575 A JP 6068575A JP 6857594 A JP6857594 A JP 6857594A JP H07281180 A JPH07281180 A JP H07281180A
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JP
Japan
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light
substrate
liquid crystal
forming
pixel
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6068575A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahito Kenmochi
雅人 劒持
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH07281180A publication Critical patent/JPH07281180A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a liquid crystal display device in a small size with high precision in which high luminance and high contrast images can be displayed although the opening ratio of pixels is same as that of a conventional device, and to provide its production method. CONSTITUTION:In the area of a quartz substrate 107 covered with an energy beam mask 108, the temp. of the substrate can be raised since the energy beam mask 108 has a function to control the out-flowing of heat caused by irradiation of beams during the substrate is irradiated with beams. Therefore, in the opened part not covered with the mask, various characteristics of the quartz substrate 104 as a substrate can be maintained without modification by irradiation of energy beams. By this method, a microlens array 109 in the pixel part can be easily formed at an accurate position with a good optical shape.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に係り、特
に高輝度の表示画面を備えた液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a high brightness display screen.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置において画素の微細
化、高集積化が進められており、直視型の液晶表示装置
の場合には画面の大型化及び高精細化が進められてい
る。一方、画面の更なる大型化を実現するために、投射
型液晶表示装置(いわゆる液晶プロジェクタ)が開発さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and high integration of pixels have been promoted in liquid crystal display devices, and in the case of direct-viewing type liquid crystal display devices, screen size and definition have been increased. On the other hand, a projection type liquid crystal display device (so-called liquid crystal projector) has been developed in order to realize a larger screen.

【0003】投射型液晶表示装置は、小型な装置本体で
大面積の画面表示が可能であるという特徴を生かして、
小さな液晶表示パネルに画像を形成しこの液晶表示パネ
ルに光源光を透過させてパネル前方の光学系を介して外
部のスクリーンへと拡大投射し大画面を形成するもので
ある。
The projection type liquid crystal display device is capable of displaying a large area screen with a small device body,
An image is formed on a small liquid crystal display panel, light source light is transmitted through this liquid crystal display panel, and enlarged projection is performed on an external screen through an optical system in front of the panel to form a large screen.

【0004】この液晶プロジェクタの特質をさらに有効
に活用するために、それに用いられる液晶表示装置のサ
イズをさらに小型化する技術が研究・開発されている。
In order to make more effective use of the characteristics of this liquid crystal projector, a technique for further miniaturizing the size of the liquid crystal display device used therein has been researched and developed.

【0005】例えば対角0.7 インチ程度のパネルサイズ
の液晶表示装置を用いる場合にも、投射されて拡大され
た画像を高品位なものとするために、その液晶表示パネ
ルの画素数を30万個以上もの画素数に形成することが必
要であり、このような画素数の多い液晶表示パネルを実
現するために液晶表示パネルの微細化・高集積化が進め
られている。
For example, even when a liquid crystal display device having a panel size of about 0.7 inch diagonal is used, the number of pixels of the liquid crystal display panel is 300,000 in order to improve the quality of the projected and enlarged image. It is necessary to form the above number of pixels, and in order to realize a liquid crystal display panel having such a large number of pixels, miniaturization and high integration of the liquid crystal display panel are being advanced.

【0006】そのような要求に対応可能な技術として、
多結晶シリコンを用いて画素部スイッチング素子及び液
晶駆動回路を薄膜トランジスタ(TFT)として形成す
る方法や、画素を微細かつ高集積に形成するに際してそ
の各画素の開口率を向上するための種々の研究・開発が
為されている。
[0006] As a technology capable of meeting such demands,
A method for forming a pixel switching element and a liquid crystal driving circuit as a thin film transistor (TFT) using polycrystalline silicon, and various researches for improving the aperture ratio of each pixel when forming the pixel in a fine and highly integrated manner. Development is being done.

【0007】特に、上述のような投射型液晶表示装置に
おいては、小型化された液晶表示パネルに対してまず要
求されるのは高輝度化(透過光の高効率化)である。
In particular, in the projection type liquid crystal display device as described above, the first requirement for a miniaturized liquid crystal display panel is high brightness (high efficiency of transmitted light).

【0008】しかしながら、従来の技術では、液晶表示
装置の製造プロセス上の加工精度等の点から、液晶表示
パネルの透過光の利用効率は高々30〜40%程度の開口率
しか得られないために、透過光の利用効率の向上という
アプローチからの輝度向上は既に限界に近付いており、
利用されない光については遮光層(BLACK MATRIX)で反
射されて表示に関与すること無く捨てられているのが実
状である。
However, in the prior art, the utilization efficiency of the transmitted light of the liquid crystal display panel can obtain only an aperture ratio of at most about 30 to 40% from the viewpoint of processing accuracy in the manufacturing process of the liquid crystal display device. , The improvement of brightness from the approach of improving the efficiency of use of transmitted light is already near the limit,
The light that is not used is reflected by the light-shielding layer (BLACK MATRIX) and is discarded without being involved in the display.

【0009】ここで、遮光層は一般にアクティブマトリ
ックス型の液晶表示装置においてはTFTの光リーク電
流の抑制や各画素どうしの間隙部分を遮光して画面を引
き締めるといった機能も必要であることから必須の部材
となっている。
Here, in the active matrix type liquid crystal display device, the light-shielding layer is generally indispensable because it is necessary to suppress the light leakage current of the TFT and to shield the gap between the pixels to shield the screen. It is a member.

【0010】そして特に小型・高精細な液晶表示パネル
においては、各画素のさらなる微細化及び多画素化に伴
ってこの開口率はさらに著しく低下する傾向にあり、こ
れによる表示画像の輝度の低下やコントラスト比の低下
が問題となっている。
Particularly, in a small and high-definition liquid crystal display panel, this aperture ratio tends to be remarkably lowered with further miniaturization and increase in the number of pixels of each pixel. The decrease in contrast ratio is a problem.

【0011】そこで、上述のような問題を解決すること
を意図した技術として、各画素部ごとに位置合わせして
機械的加工あるいはエッチング等によって加工してマイ
クロレンズアレイを形成するという技術が提案されてい
る。
Therefore, as a technique intended to solve the above problems, there is proposed a technique of forming a microlens array by aligning each pixel portion and processing by mechanical processing or etching. ing.

【0012】しかしながら、このような技術では、確か
にマイクロレンズアレイによって小さな面積の開口部を
通る光の量を増大させることは可能となるものの、その
ような微細な寸法のマイクロレンズアレイを多画素にわ
たって正確に各画素部ごとに位置合わせして形成するこ
とは、実際上極めて困難であり、実用上位置合わせ精度
が十分に得られないという問題がある。そしてこのよう
な微細加工技術上の問題はさらに液晶表示装置の小型・
高精細化が進むにつれて、さらに解決困難な問題となっ
ていく。
However, with such a technique, although it is possible to increase the amount of light passing through the opening having a small area by the microlens array, it is possible to use such a microlens array having a large number of pixels. It is extremely difficult in practice to accurately form and form each pixel portion, and there is a problem that the alignment accuracy cannot be sufficiently obtained in practical use. The problem with such microfabrication technology is that the liquid crystal display device is
As the resolution becomes higher, the problem becomes more difficult to solve.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題を解決するために成されたもので、その目的は、小
型・高精細な液晶表示装置において、その画素部開口率
は従来のままであっても、高輝度・高コントラストな画
像を表示することが可能な液晶表示装置及びその製造方
法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and its object is to provide a small-sized and high-definition liquid crystal display device in which the pixel portion aperture ratio is the same as that of the conventional one. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of displaying an image with high brightness and high contrast even as it is, and a manufacturing method thereof.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、光透過性絶縁基板上にマトリックスアレイ状に配列
された画素電極と該画素電極に接続されたスイッチング
素子とが形成されたアレイ基板と、前記画素電極に対向
してほぼ平行に間隙を有して対向配置される対向電極が
光透過性絶縁基板上に形成された対向基板と、前記アレ
イ基板と前記対向基板との間隙に周囲を封止して注入・
挟持された液晶層と、前記画素電極どうしの間隙および
前記スイッチング素子を覆うとともに前記画素電極に対
応する部分には開口を有する遮光膜とを有する液晶表示
装置において、前記アレイ基板および前記対向基板のう
ち少なくとも一方の光透過性絶縁基板内または該光透過
性絶縁基板上に該光透過性絶縁基板とは熱伝導率の異な
る光透過性材料を用いて形成された光透過性材料層内
に、前記各開口に対応する位置ごとにマトリックスアレ
イ状に該開口を含む大きさにわたる部分の前記光透過性
絶縁基板または前記光透過性材料層の結晶性または不純
物含有率などの組成を変質せしめて光屈折率を変化させ
て形成されたマイクロレンズを具備することを特徴とし
ている。
A liquid crystal display device according to the present invention is an array substrate having pixel electrodes arranged in a matrix array on a light-transmissive insulating substrate and switching elements connected to the pixel electrodes. A counter substrate having a counter electrode disposed on a light-transmissive insulating substrate, the counter electrode being arranged to face the pixel electrode substantially in parallel with a gap, and the counter substrate is surrounded by a gap between the array substrate and the counter substrate. Seal and inject
In a liquid crystal display device having a sandwiched liquid crystal layer and a light-shielding film which covers the gap between the pixel electrodes and the switching element and has an opening in a portion corresponding to the pixel electrode, the array substrate and the counter substrate In at least one of the light transmissive insulating substrate or in the light transmissive material layer formed on the light transmissive insulating substrate using a light transmissive material having a different thermal conductivity from the light transmissive insulating substrate, Light is generated by modifying the composition such as the crystallinity or the impurity content of the light-transmissive insulating substrate or the light-transmissive material layer in a portion including the openings in a matrix array at each position corresponding to each of the openings. It is characterized by including a microlens formed by changing the refractive index.

【0015】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、 2枚の光透過性絶縁基板のうち少なくとも一方の光
透過性絶縁基板内または該光透過性絶縁基板とは熱伝導
率の異なる光透過性材料を用いて形成された光透過性材
料層内の画素部に対応する部分ごとにマトリックスアレ
イ状に選択的にエネルギービームを照射して、該部分の
光屈折率を変化させて、前記画素部を含む大きさのマイ
クロレンズを前記各画素部ごとに前記光透過性絶縁基板
内または前記光透過性材料層内に形成する工程と、前記
2枚の光透過性絶縁基板のうち一方の基板上に、前記マ
イクロレンズと位置を合わせてマトリックスアレイ状に
配列された画素電極および該画素電極に接続されたスイ
ッチング素子を形成してアレイ基板を形成する工程と、
他方の光透過性絶縁基板上に対向電極を形成して対向基
板を形成する工程と、前記スイッチング素子および前記
画素電極どうしの間隙を覆うとともに前記画素部に対応
する部分には開口を有する遮光膜を前記アレイ基板およ
び前記対向基板のうち少なくとも一方に形成する工程
と、前記画素電極と前記対向電極とが間隙を有して対向
するように前記アレイ基板と前記対向基板とを対向配置
し、前記アレイ基板および前記対向基板の周囲を封止し
て前記間隙に液晶を注入し液晶層として挟持させる工程
とを含むことを特徴としている。
Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the light transmissive insulating substrate is provided in at least one of the two light transmissive insulating substrates or the light transmissive insulating substrate having a different thermal conductivity. By selectively irradiating an energy beam in a matrix array shape for each portion corresponding to the pixel portion in the light transmissive material layer formed by using the transmissive material to change the light refractive index of the portion, Forming a microlens having a size including a pixel portion in each of the pixel portions in the light transmissive insulating substrate or in the light transmissive material layer;
On one of the two light-transmissive insulating substrates, pixel electrodes arranged in a matrix array in alignment with the microlenses and switching elements connected to the pixel electrodes are formed to form an array substrate. Forming process,
Forming a counter electrode on the other light-transmissive insulating substrate to form a counter substrate; and a light-shielding film that covers a gap between the switching element and the pixel electrode and has an opening in a portion corresponding to the pixel portion. Is formed on at least one of the array substrate and the counter substrate, and the array substrate and the counter substrate are arranged so as to face each other so that the pixel electrode and the counter electrode face each other with a gap. Sealing the periphery of the array substrate and the counter substrate and injecting liquid crystal into the gap to sandwich the liquid crystal layer.

【0016】あるいは、上記の製造方法において、前記
2枚の光透過性絶縁基板のうち少なくとも一方の光透過
性絶縁基板上または該光透過性絶縁基板とは熱伝導率の
異なる光透過性材料を用いて形成された光透過性材料層
上に、前記エネルギービームを遮る材料からなるエネル
ギービームマスク材料層を形成し、該エネルギービーム
マスク材料層に対して画素部に対応する部分ごとにマト
リックスアレイ状に開口をパターニングしてエネルギー
ビームマスクを形成する工程と、前記エネルギービーム
マスクの開口から露出している部分の前記光透過性絶縁
基板内または光透過性材料層内に選択的に前記エネルギ
ービームを照射して前記部分の光屈折率を変化させ前記
画素部を含む大きさのマイクロレンズを前記各画素部ご
とに形成する工程とを具備することを特徴としている。
Alternatively, in the above manufacturing method,
On at least one light-transmissive insulating substrate of the two light-transmissive insulating substrates or on a light-transmissive material layer formed by using a light-transmissive material having a thermal conductivity different from that of the light-transmissive insulating substrate. Forming an energy beam mask material layer made of a material that blocks the energy beam, and patterning openings in a matrix array for each portion corresponding to the pixel portion with respect to the energy beam mask material layer to form an energy beam mask. And a step of selectively irradiating the energy beam in the light-transmissive insulating substrate or the light-transmissive material layer in a portion exposed from the opening of the energy beam mask to change the light refractive index of the portion. And a step of forming a microlens having a size including the pixel portion for each of the pixel portions.

【0017】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、 2枚の光透過性絶縁基板のうち一方の基板上に、画
素電極をマトリックスアレイ状に配列形成し、該画素電
極に接続されるスイッチング素子を配設し、前記画素電
極どうしの間隙および前記スイッチング素子を覆うとと
もに各画素部を露出させる開口を備えた遮光層を形成し
てアレイ基板を形成する工程と、他方の光透過性絶縁基
板上に対向電極を形成して対向基板を形成する工程と、
前記画素電極と前記対向電極とが間隙を有して対向する
ように前記アレイ基板と前記対向基板とを対向配置し、
前記アレイ基板および前記対向基板の周囲を封止して、
密封された空セル状態の液晶セルを形成する工程と、前
記対向基板の光透過性絶縁基板の外向面上または該光透
過性絶縁基板の外向面上に光透過性材料を用いて形成さ
れた光透過性材料層上に、金属イオンを含んだ溶融塩に
対して耐性を有するレジスト膜を塗布する工程と、前記
レジスト膜に対して前記アレイ基板側から前記遮光層の
開口を通して光を照射して前記レジスト膜を露光し該露
光した領域に開口を形成する工程と、光透過性絶縁基板
または光透過性材料層の、前記レジスト膜の開口から露
出した部分に前記金属イオンを含んだ溶融塩を用いて金
属イオンを拡散させて、該部分の光屈折率を変化させ、
前記画素部を含む大きさのマイクロレンズを前記各画素
部ごとに形成する工程と、前記空セル状態の液晶セルの
一部に注入孔を穿設し該注入孔から液晶組成物を注入し
て液晶層として前記液晶セル内に封入・挟持させる工程
とを具備することを特徴としている。
According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the pixel electrodes are arranged in a matrix array on one of the two light-transmissive insulating substrates and connected to the pixel electrodes. A step of forming a array element by forming a light-shielding layer having a switching element and covering the gap between the pixel electrodes and the switching element and having an opening for exposing each pixel portion, and the other light-transmissive insulation Forming a counter electrode on the substrate to form a counter substrate;
The array substrate and the counter substrate are arranged so as to face each other with a gap between the pixel electrode and the counter electrode,
By sealing the periphery of the array substrate and the counter substrate,
A step of forming a liquid crystal cell in a sealed empty cell state, and using a light-transmissive material on the outer surface of the light-transmissive insulating substrate of the counter substrate or on the outer surface of the light-transmissive insulating substrate. A step of applying a resist film having resistance to a molten salt containing metal ions on the light transmissive material layer, and irradiating the resist film with light from the array substrate side through an opening of the light shielding layer. And exposing the resist film to form an opening in the exposed region, and a molten salt containing the metal ion in a portion of the light transmissive insulating substrate or the light transmissive material layer exposed from the opening of the resist film. To diffuse the metal ions to change the photorefractive index of the part,
A step of forming a microlens having a size including the pixel portion for each of the pixel portions, and forming an injection hole in a part of the liquid crystal cell in the empty cell state, and injecting a liquid crystal composition from the injection hole. A step of enclosing and sandwiching the liquid crystal layer in the liquid crystal cell.

【0018】あるいは、上記の金属イオンを含んだ溶融
塩に対して耐性を有するレジスト膜の代りに、金属イオ
ンの注入に対して遮蔽性を有するレジスト膜を塗布する
工程と、前記レジスト膜に対して前記アレイ基板側から
前記遮光層の開口を通して光を照射して前記レジスト膜
を露光し該露光した領域に開口を形成する工程と、光透
過性絶縁基板または光透過性材料層の、前記レジスト膜
の開口から露出した部分に前記金属イオンを投射して該
部分の光屈折率を変化させ、前記画素部を含む大きさの
マイクロレンズを前記各画素部ごとに形成する工程と、
前記空セル状態の液晶セルの一部に注入孔を穿設し該注
入孔から液晶組成物を注入して液晶層として前記液晶セ
ル内に封入・挟持させる工程とを具備して、イオンイン
プランテーションによりマイクロレンズを形成すること
を特徴としている。
Alternatively, instead of the resist film having resistance to the molten salt containing the metal ions, a step of applying a resist film having a shielding property against the injection of metal ions, and the step of applying the resist film to the resist film. Exposing the resist film by irradiating light from the side of the array substrate through the opening of the light-shielding layer to form an opening in the exposed region, and the resist of the light-transmissive insulating substrate or the light-transmissive material layer. Projecting the metal ions onto a portion exposed from the opening of the film to change the optical refractive index of the portion, and forming a microlens having a size including the pixel portion in each of the pixel portions;
A step of forming an injection hole in a part of the liquid crystal cell in the empty cell state, injecting a liquid crystal composition through the injection hole, and enclosing and sandwiching it as a liquid crystal layer in the liquid crystal cell. Is characterized by forming a microlens.

【0019】あるいは、上記の製造方法において、前記
マイクロレンズを形成する工程の以前に、前記エネルギ
ービームマスクまたは前記レジスト膜または前記蓄熱膜
のパターンのエッジ部分の断面形状をテーパー状に形成
する工程を含むことを特徴としている。
Alternatively, in the above manufacturing method, before the step of forming the microlens, a step of forming a cross-sectional shape of an edge portion of a pattern of the energy beam mask, the resist film or the heat storage film into a taper shape, It is characterized by including.

【0020】なお、上述のエネルギービームとしては、
例えばレーザビームや、イオンビームや、電子ビームと
いった、それを照射することによって試料に対して熱を
印加することが可能なエネルギービーム、あるいは強光
ランプの光照射等を、好適に用いることができる。
As the above-mentioned energy beam,
For example, an energy beam such as a laser beam, an ion beam, or an electron beam that can apply heat to the sample by irradiating it, or light irradiation of an intense light lamp can be preferably used. .

【0021】また、上述のレジスト膜はいわゆる感光性
樹脂膜であって、光があたった部分が剥離され光があた
らなかった部分が残る、いわゆるネガ型の感光性樹脂膜
を好適に用いることができる。
The above-mentioned resist film is a so-called photosensitive resin film, and it is preferable to use a so-called negative type photosensitive resin film in which a part exposed to light is peeled off and a part not exposed to light remains. it can.

【0022】また、上述の蓄熱層としては、例えば高周
波エネルギーを印加したときに、その部分に集中的に熱
が畜熱されるような、例えばSiのような材料を好適に
用いることができる。
Further, as the heat storage layer, for example, a material such as Si can be preferably used so that the heat is concentrated in the portion when the high frequency energy is applied.

【0023】また、上述のエネルギービームマスクとし
ては、例えばタングステンシリサイドのような金属材料
を好適に用いることができる。またこのタングステンシ
リサイドのような金属材料を用いれば、そのエネルギー
ビームマスクは遮光膜としてもマイクロレンズアレイ形
成後に兼用することも可能となるので好ましい。
For the above energy beam mask, a metal material such as tungsten silicide can be preferably used. Further, it is preferable to use a metal material such as tungsten silicide because the energy beam mask can also be used as a light shielding film after the microlens array is formed.

【0024】また、上述の光透過性材料層としては、例
えば光透過性絶縁基板として用いられる石英基板とは熱
伝導率および融点の異なるPSG膜やBPSG膜等の膜
を好適に用いることができる。
As the above-mentioned light transmissive material layer, for example, a film such as a PSG film or a BPSG film having a thermal conductivity and a melting point different from those of a quartz substrate used as a light transmissive insulating substrate can be preferably used. .

【0025】また、上述の画素部マイクロレンズアレイ
は、対向基板側に形成してもよく、あるいはTFTアレ
イ基板側に形成してもよい。
The above-mentioned pixel portion microlens array may be formed on the counter substrate side or the TFT array substrate side.

【0026】また、上述の遮光膜としては、TFTアレ
イ基板側に、TFTの上を覆うように形成してもよく、
あるいはこれに加えてさらに対向基板側にも形成しても
よい。このとき、対向基板側に設ける遮光膜としては、
前述のごとくエネルギービームマスクとして兼用しても
よく、あるいは、これとは別に遮光膜を別体で形成して
もよい。
The light-shielding film may be formed on the TFT array substrate side so as to cover the TFT.
Alternatively, in addition to this, it may be further formed on the counter substrate side. At this time, as the light-shielding film provided on the counter substrate side,
As described above, it may also serve as the energy beam mask, or a light-shielding film may be formed separately therefrom.

【0027】[0027]

【作用】本発明においては、上述の目的を達成するため
に、対向基板(あるいは場合によってはTFTアレイ
側)に各画素部ごとに対応した位置に微小レンズ(マイ
クロレンズ)を設けて、各画素部ごとの開口率自体は低
くとも、その開口を通過する光の量をマイクロレンズに
よって向上せしめて、透過光量(光の利用効率)の向上
を図るものである。
In the present invention, in order to achieve the above object, a microlens (microlens) is provided at a position corresponding to each pixel portion on the counter substrate (or the TFT array side in some cases), and each pixel is provided. Even if the aperture ratio itself for each part is low, the amount of light passing through the aperture is improved by the microlens to improve the amount of transmitted light (light utilization efficiency).

【0028】このとき、できる限り画素部の透過光量を
増大させるためには、そのマイクロレンズと画素部との
位置合わせずれをできる限り小さくし、さらにマイクロ
レンズと遮光層との距離をできるだけ大きく取ることが
効果的である。このため、セルフアラインで対向基板に
マイクロレンズを形成すべく、対向基板にレジスト等を
塗布してこれを画素部の遮光膜を用いてセルフアライン
で露光すれば効果的である。
At this time, in order to increase the amount of light transmitted through the pixel portion as much as possible, the misalignment between the microlens and the pixel portion should be minimized, and the distance between the microlens and the light shielding layer should be as large as possible. Is effective. Therefore, in order to form the microlenses on the counter substrate by self-alignment, it is effective to apply a resist or the like on the counter substrate and expose it by self-alignment using the light shielding film of the pixel portion.

【0029】あるいはまた、液晶表示装置としてのプロ
セス整合性を考慮して、低温多結晶シリコン形成時に用
いられるようなエネルギービーム照射装置を用いて、マ
イクロレンズを形成したい部分にエネルギービームを照
射して、その部分の光透過性絶縁基板あるいはその上に
形成された光透過性材料層の屈折率を変化させることに
より、その部分にマイクロレンズを形成することができ
る。このようにすれば、プロセス整合性よく好適な形状
のマイクロレンズアレイを形成することが可能である。
このとき、エネルギービームの照射位置を一画素ごとに
照射装置の標準を順次アライメントして行きワンショッ
トずつ照射させてもよいが、ビーム照射時の熱流出等を
考慮してレンズ形成部分以外を覆うように熱伝導性の良
好な金属またはシリコン合金等のエネルギービームに対
する耐性の良好な材料でエネルギービームマスクを形成
し、これで覆われた部分の基板の初期特性は保存し、そ
のマスクから露出している部分のみに選択的にビームを
照射するようにして、その部分の屈折率を変化させるこ
とが効果的である。このとき、エネルギービームマスク
のパターン形成には、遮光膜を用いたセルフアラインで
レジストを露光し、このレジストを用いてエネルギービ
ームマスクをパターニングすれば、さらに簡易にマイク
ロレンズの形成を行なうことができる。
Alternatively, in consideration of the process conformity as a liquid crystal display device, an energy beam irradiating device used at the time of forming low-temperature polycrystalline silicon is used to irradiate an energy beam to a portion where a microlens is to be formed. By changing the refractive index of the light-transmissive insulating substrate at that portion or the light-transmissive material layer formed thereon, a microlens can be formed at that portion. By doing this, it is possible to form a microlens array having a suitable shape with good process matching.
At this time, the irradiation position of the energy beam may be sequentially aligned with the standard of the irradiation device for each pixel and irradiation may be performed one shot at a time, but in consideration of heat outflow during beam irradiation, etc., the portions other than the lens formation portion are covered. The energy beam mask is made of a material having good resistance to the energy beam, such as a metal or silicon alloy having good thermal conductivity, and the initial characteristics of the substrate covered by this are preserved and exposed from the mask. It is effective to selectively irradiate the beam only on the existing portion and change the refractive index of that portion. At this time, in forming the pattern of the energy beam mask, if the resist is exposed by self-alignment using a light shielding film and the energy beam mask is patterned using this resist, the microlens can be formed more easily. .

【0030】このようにして、最適化された形状にマイ
クロレンズアレイを形成することができ、液晶表示装置
の透過光量を従来よりも70%もの向上を図った液晶表示
装置を実現することが可能となる。
In this way, the microlens array can be formed in an optimized shape, and it is possible to realize a liquid crystal display device in which the amount of transmitted light of the liquid crystal display device is improved by 70% as compared with the conventional one. Becomes

【0031】上記のようなエネルギービームマスクを用
いる場合、エネルギービームは基板上に走査させながら
照射してもよいが、スループットのさらなる向上を図る
ためには、例えばエネルギービームを一括して面適に照
射するような照射装置を用いてもよい。
When the energy beam mask as described above is used, the energy beam may be irradiated while scanning the substrate, but in order to further improve the throughput, for example, the energy beams are collectively and appropriately surfaced. An irradiation device that irradiates may be used.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置及びその製
造方法の実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0033】(実施例1)図1は第一の実施例の液晶表
示装置の概要構造を示す図である。第1の実施例におい
ては、対向基板側の光透過性絶縁基板に、エネルギービ
ームマスクの開口部から露出した部分に対してエネルギ
ービームを照射することによりその部分に画素部マイク
ロレンズを形成して、対角3 インチ、画素ピッチ40μm
のポリシリコンTFT型液晶表示パネルを作製する場合
について述べる。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of a liquid crystal display device of the first embodiment. In the first embodiment, the light-transmissive insulating substrate on the counter substrate side is irradiated with an energy beam on a portion exposed from the opening of the energy beam mask to form a pixel portion microlens in that portion. , Diagonal 3 inches, pixel pitch 40 μm
A case of manufacturing the polysilicon TFT type liquid crystal display panel of is described.

【0034】まず、一般的なTFT画素スイッチング素
子101を形成したアレイ基板102を作製する。光透
過性絶縁基板として本実施例では石英基板103を用い
て、この石英基板103の上にジシランを用いてアモル
ファスシリコンを成膜後、低温固相成長を行い多結晶シ
リコン膜を形成した。その後、この多結晶シリコン膜を
島状に素子分離し、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース
・ドレイン領域(いずれも図示省略)をそれぞれ形成し
てTFT101を作製し、層間絶縁膜104を介してこ
のTFT101の上に遮光膜105を形成して、アレイ
基板102を得る。
First, an array substrate 102 on which a general TFT pixel switching element 101 is formed is manufactured. In this embodiment, a quartz substrate 103 is used as a light-transmissive insulating substrate, and amorphous silicon is formed on the quartz substrate 103 by using disilane, followed by low temperature solid phase growth to form a polycrystalline silicon film. After that, the polycrystalline silicon film is separated into islands, and a gate insulating film, a gate electrode, and source / drain regions (all not shown) are formed to fabricate a TFT 101. The light-shielding film 105 is formed on the TFT 101 to obtain the array substrate 102.

【0035】一方、対向基板106側には、光透過性絶
縁基板として石英基板107を用いて、この石英基板1
07の上にタングステンをスパッタ法で成膜、これを一
般的なフォトリソグラフィー法でパターニングしてエネ
ルギービームマスク108を形成する。このとき、エネ
ルギービームマスクとして用いることができる材料とし
ては、本実施例ではタングステンを上述のように選んだ
が、この他にもチタン、ニッケル、あるいはクロムやシ
リコン合金等、エネルギービームの照射に対して耐性を
有する高融点材料であれば好適に用いることができる。
本実施例においては、エネルギービームとしてエキシマ
レーザビームXeCl(波長 308nm、パルス間隔12.5
ns)を用い、マスクを蓄熱材として用いた。
On the other hand, on the counter substrate 106 side, a quartz substrate 107 is used as a light-transmissive insulating substrate.
An energy beam mask 108 is formed by depositing tungsten on 07 by a sputtering method and patterning it by a general photolithography method. At this time, as the material that can be used as the energy beam mask, tungsten is selected as described above in this embodiment, but in addition to this, titanium, nickel, chromium, silicon alloy, or the like is used for the energy beam irradiation. A high melting point material having resistance can be suitably used.
In this embodiment, the excimer laser beam XeCl (wavelength 308 nm, pulse interval 12.5) is used as the energy beam.
ns) and the mask was used as a heat storage material.

【0036】このとき、エネルギービームマスクのパタ
ーンのエッジ部分の断面形状を図1(a)に示すように
テーパー状に形成すれば、このエネルギービームマスク
108を用いて後の工程で得られるマイクロレンズ10
9の形状をさらに好ましいレンズ形状とすることができ
ることが本発明者の種々の実験により判明した。これ
は、エネルギービームマスクの開口部のテーパー形状に
よって、画素部マイクロレンズを形成する際のエネルギ
ービームの照射による石英基板107内での温度分布が
ガウス分布に近付いて、この温度分布に従って好ましい
凸レンズ形状に画素部マイクロレンズ109が形成され
たためと考えられる。
At this time, if the cross-sectional shape of the edge portion of the pattern of the energy beam mask is formed in a tapered shape as shown in FIG. 1A, a microlens obtained in a later step using this energy beam mask 108. 10
It was found from various experiments by the present inventor that the shape of 9 can be a more preferable lens shape. This is because the tapered shape of the opening of the energy beam mask causes the temperature distribution in the quartz substrate 107 due to the irradiation of the energy beam at the time of forming the pixel microlenses to be close to a Gaussian distribution, and a preferable convex lens shape according to this temperature distribution. It is considered that this is because the pixel portion microlens 109 is formed in the.

【0037】このような形状にエネルギービームマスク
を形成した後、エキシマレーザー発振装置を用いて対向
基板106の表面にエキシマレーザーをビーム状に走査
させながら照射して行き、エネルギービームマスク10
8直下のみを選択的に画素部マイクロレンズ109を形
成する。
After forming the energy beam mask in such a shape, the excimer laser oscillator is used to irradiate the surface of the counter substrate 106 with the excimer laser while scanning the beam with the excimer laser.
The pixel portion microlens 109 is selectively formed only under 8 pixels.

【0038】ここで、エネルギービームマスク108で
覆われていない部分の石英基板107については、ビー
ム照射時にもビーム照射によってもたらされる熱の流出
がほとんど無く、その部分の基板の温度の上昇を下げる
ことができるので、その基板としての石英基板104の
諸特性をエネルギービーム照射によって変質させること
なく維持することができる。
Here, regarding the quartz substrate 107 in the portion not covered with the energy beam mask 108, there is almost no heat outflow caused by the beam irradiation even during the beam irradiation, and the rise in the temperature of the substrate in that portion is reduced. Therefore, various characteristics of the quartz substrate 104 as the substrate can be maintained without being altered by the energy beam irradiation.

【0039】このようにして画素部マイクロレンズアレ
イ109を形成した後、エネルギービームマスク108
を除去し、さらに一般的な方法で対向基板106の画素
部マイクロレンズアレイ109が形成された面とは反対
側の面に透明導電膜からなる対向電極110を形成し、
さらにアレイ基板102及び対向基板106の表面にそ
れぞれ配向膜111a、111bを形成する。そしてア
レイ基板102と対向基板106とを間隙を有して対向
配置しそれらの周囲を封止剤系接着剤112で封着して
空セル状態の液晶セルを形成、その空セルに液晶組成物
を注入して、基板間に液晶層を密封・挟持させる。こう
して本発明に係る液晶表示装置が完成する。
After the pixel portion microlens array 109 is formed in this way, the energy beam mask 108 is formed.
And a counter electrode 110 made of a transparent conductive film is formed on the surface of the counter substrate 106 opposite to the surface on which the pixel microlens array 109 is formed by a general method.
Further, alignment films 111a and 111b are formed on the surfaces of the array substrate 102 and the counter substrate 106, respectively. Then, the array substrate 102 and the counter substrate 106 are arranged so as to face each other with a gap, and their periphery is sealed with a sealant adhesive 112 to form a liquid crystal cell in an empty cell state, and the liquid crystal composition is placed in the empty cell. Is injected to seal and sandwich the liquid crystal layer between the substrates. Thus, the liquid crystal display device according to the present invention is completed.

【0040】このようにして作製された本発明に係る液
晶表示装置を液晶駆動回路に接続してテスト画像を表示
させ、その輝度を測定したところ、これと同様の開口率
を有する従来の液晶表示装置に比べて表示画像の輝度は
40%以上も向上することができたことが確認された。
The liquid crystal display device according to the present invention thus manufactured was connected to a liquid crystal drive circuit to display a test image, and its luminance was measured. As a result, a conventional liquid crystal display having an aperture ratio similar to this was displayed. Compared to the device, the brightness of the displayed image is
It was confirmed that it could be improved by 40% or more.

【0041】なお、上述のエネルギービームマスクのエ
ッジ部分の断面形状のテーパーの好適な角度θとしては
5 °<θ<75°、さらに好ましくは10°<θ<60°に設
定することが望ましい。
The preferable angle θ of the taper of the sectional shape of the edge portion of the above energy beam mask is
It is desirable to set 5 ° <θ <75 °, more preferably 10 ° <θ <60 °.

【0042】(実施例2)本発明に係るマイクロレンズ
アレイは、光透過性絶縁基板内に形成するだけでなく、
それ以外にもマイクロレンズアレイを形成すべき光透過
性材料層を基板とは別に基板の上に形成しその光透過性
材料層内にマイクロレンズアレイを形成することもでき
る。本実施例ではそのような場合の製造方法について述
べる。
Example 2 The microlens array according to the present invention is not only formed in the light transmissive insulating substrate, but also
Alternatively, a light-transmitting material layer on which the microlens array is to be formed may be formed on the substrate separately from the substrate, and the microlens array may be formed in the light-transmitting material layer. In this embodiment, a manufacturing method in such a case will be described.

【0043】図2に示すように、石英基板107上にP
SG膜301を成膜する。このPSG膜301は、CV
D法により800 nmの膜厚に成膜した。さらにこのPS
G膜301の上に上述の第1の実施例と同様にしてタン
グステンシリサイドを用いてエネルギービームマスク1
08を形成する。
As shown in FIG. 2, P is formed on the quartz substrate 107.
The SG film 301 is formed. This PSG film 301 is a CV
A film having a thickness of 800 nm was formed by the D method. Furthermore this PS
The energy beam mask 1 is formed on the G film 301 by using tungsten silicide in the same manner as in the first embodiment.
08 is formed.

【0044】そしてエネルギービームマスク108の直
下部分のPSG膜301に対してエネルギービームとし
てエキシマレーザーを照射すると、その部分のPSG膜
301が溶融し、ビーム照射終了後、徐々に自然冷却さ
れて凝固して行く。このとき、エネルギービームが照射
される部分にはエネルギービームマスク108としてタ
ングステンシリサイド膜が被着されているので、このタ
ングステンシリサイドが加熱され、温度が上昇しなかっ
た開口部の部分から冷却されて凝固が始まり、中央部は
最後に凝固するという、PSG膜301の時間的な温度
の分布差が生じる。その結果、エネルギービームマスク
108の開口部つまり画素部の周辺部でのP(リン)濃
度が低くなる一方、中央部ほどその濃度は高くなる。こ
うして、PSG膜301の屈折率は画素部中央部分ほど
大きくなり、周辺部ほど小さくなることになって、良好
な光学的特性を有する画素部マイクロレンズ109が形
成されるのである。
Then, when the excimer laser is irradiated as an energy beam to the PSG film 301 immediately below the energy beam mask 108, the PSG film 301 in that part is melted, and after the beam irradiation is completed, it is gradually cooled and solidified. Go. At this time, since a tungsten silicide film is deposited as the energy beam mask 108 on the portion irradiated with the energy beam, the tungsten silicide is heated and solidified by cooling from the opening portion where the temperature did not rise. Occurs, and the central part is finally solidified, which causes a difference in temperature distribution over time of the PSG film 301. As a result, the concentration of P (phosphorus) in the opening of the energy beam mask 108, that is, the peripheral portion of the pixel portion decreases, while the concentration increases in the central portion. In this way, the refractive index of the PSG film 301 increases in the central portion of the pixel portion and decreases in the peripheral portion, so that the pixel portion microlens 109 having good optical characteristics is formed.

【0045】なお、このとき上述のPSG膜301の代
わりにボロン(硼素)を含むBPSG膜などの光透過性
材料膜を用いることもできる。
At this time, instead of the PSG film 301 described above, a light transmissive material film such as a BPSG film containing boron can be used.

【0046】そしてその後は、上記のように画素部マイ
クロレンズ109が形成された対向基板106を用い
て、本発明に係る液晶表示装置を、上述の第1の実施例
と同様の工程を経て完成することができる。
After that, the liquid crystal display device according to the present invention is completed by using the counter substrate 106 on which the pixel microlenses 109 are formed as described above, through the same steps as those in the first embodiment. can do.

【0047】(実施例3)この第3の実施例において
は、アレイ基板側に遮光膜を形成し、そのアレイ基板を
用いて空セル状態の液晶セルを形成した後、対向基板の
外向面側にレジスト膜を被着させ、このレジスト膜をア
レイ基板側から前記の遮光膜を用いてセルフアラインで
露光してパターニングし、このレジストパターンに基づ
いて対向基板側の光透過性絶縁基板にマイクロレンズを
形成する技術について述べる。なお図3において上述の
各実施例と同様の部位については同一の番号を付して示
している。
(Embodiment 3) In the third embodiment, a light-shielding film is formed on the array substrate side, a liquid crystal cell in an empty cell state is formed using the array substrate, and then the outer surface side of the counter substrate is formed. A resist film is deposited on the substrate, the resist film is exposed from the array substrate side by self-alignment using the light-shielding film, and patterned, and a microlens is formed on the light-transmissive insulating substrate on the counter substrate side based on the resist pattern. A technique for forming the will be described. Note that, in FIG. 3, the same parts as those in each of the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals.

【0048】まず、一般的な画素部スイッチング素子と
してTFT101を備えたアレイ基板102を作製す
る。すなわち、石英基板103上にTFT101を形成
し、さらにその上に層間絶縁層104を介して遮光膜1
05を形成する。こうしてアレイ基板102の主要部を
作製する。このアレイ基板102の詳細な形成方法につ
いては第1の実施例に示した通りである。
First, the array substrate 102 having the TFT 101 as a general pixel switching element is manufactured. That is, the TFT 101 is formed on the quartz substrate 103, and the light-shielding film 1 is further formed on the TFT 101 via the interlayer insulating layer 104.
Form 05. Thus, the main part of the array substrate 102 is manufactured. The detailed method of forming the array substrate 102 is as described in the first embodiment.

【0049】ただしここで、遮光膜105としては本実
施例ではタングステンシリサイドを用いたが、この他に
も例えばチタンやニッケル等の高融点金属や、あるいは
そのシリサイド、またはクロームのような遮光性の高い
金属材料等を好適に用いることができる。あるいはこの
遮光膜105はTFT101と石英基板103との間の
層に形成してもよく、あるいは石英基板103の外向面
側に形成してもよい。あるいは、上記のタングステンシ
リサイドのような金属系材料の他にも、例えばポリイミ
ドに代表されるような有機材料を用いてもよい。
Although tungsten silicide is used as the light-shielding film 105 in this embodiment, a refractory metal such as titanium or nickel, or its silicide, or a light-shielding material such as chrome is also used. A high metal material or the like can be preferably used. Alternatively, the light shielding film 105 may be formed in a layer between the TFT 101 and the quartz substrate 103, or may be formed on the outer surface side of the quartz substrate 103. Alternatively, in addition to the above metal-based material such as tungsten silicide, an organic material represented by polyimide, for example, may be used.

【0050】このようにして主要部が形成されたアレイ
基板102を、対向電極110が形成された対向基板1
06に間隙を有して対向配置し、両基板の周囲を接着剤
兼封止材112で封止して、いわゆる空セル状態の液晶
セルを形成する。
The array substrate 102 on which the main portion is formed in this manner is replaced with the counter substrate 1 on which the counter electrode 110 is formed.
The substrates are arranged so as to face each other with a gap at 06, and the periphery of both substrates is sealed with the adhesive / sealant 112 to form a so-called empty liquid crystal cell.

【0051】ここで、対向基板106の基板としてはN
+ 等のアルカリイオンを含むガラス基板401を、前
述の実施例で用いた石英基板107の代わりに用いた。
これは、後に述べるように、本発明に係るマイクロレン
ズ109をガラス基板401内にイオン交換法によって
形成するためである。
Here, the substrate of the counter substrate 106 is N
A glass substrate 401 containing alkali ions such as a + was used instead of the quartz substrate 107 used in the above-mentioned embodiment.
This is because, as described later, the microlens 109 according to the present invention is formed in the glass substrate 401 by the ion exchange method.

【0052】その後、本発明の技術の主要部と言えるマ
イクロレンズ109を形成する。
After that, the microlens 109, which is the main part of the technique of the present invention, is formed.

【0053】すなわち、対向基板106の外向面側にレ
ジスト膜を塗布した後、これをアレイ基板側から光を照
射する。このとき、遮光膜105を用いてセルフアライ
ンでレジスト膜を露光する。こうして遮光膜の形成され
た領域に対応する部分だけにレジストを残すとともにそ
の他の部分(露光された部分)のレジストは除去して、
その部分に開口を有するレジストパターン402を形成
する。
That is, after applying a resist film to the outer surface side of the counter substrate 106, light is irradiated from the array substrate side. At this time, the resist film is exposed by self-alignment using the light shielding film 105. In this way, the resist is left only in the portion corresponding to the region where the light-shielding film is formed, and the resist in other portions (exposed portion) is removed,
A resist pattern 402 having an opening in that portion is formed.

【0054】続いて、アレイ基板側の石英基板103の
外向面側にもほぼ全面にわたってレジスト403を塗布
してシールドを施しておく。
Subsequently, the resist 403 is applied to the outer surface of the quartz substrate 103 on the array substrate side almost all over the surface to shield it.

【0055】そして、そのような状態の液晶セルを金属
イオンを含む溶融塩に浸す。このようにしてガラス基板
401中のアルカリイオンと前記の溶融塩中に含まれる
金属イオンとが相互拡散されて交換され、その部分のガ
ラス基板401の材質が変質して屈折率の異なる部分と
なる。この部分がレンズ効果を持つ部分となってマイク
ロレンズ109が得られる。
Then, the liquid crystal cell in such a state is immersed in a molten salt containing metal ions. In this way, the alkali ions in the glass substrate 401 and the metal ions contained in the molten salt are mutually diffused and exchanged, and the material of the glass substrate 401 at that portion is altered to become a portion having a different refractive index. . This portion becomes a portion having a lens effect, and the microlens 109 is obtained.

【0056】このときマイクロレンズ109はレジスト
開口部を中心とした好適な光学的形状の凸レンズに形成
され、しかもすでにアレイ基板上に形成された画素領域
を規定する遮光膜105を利用してセルフアラインで形
成されることから、例えば従来のフォトマスクの高精度
な位置合わせなどの必要がなくなって、簡易に全ての画
素に対して正確に位置を揃えてマイクロレンズ109を
形成することができる。その後、前述のレジスト40
2、403を剥離して、空セル状態のセル内部に液晶組
成物(図示省略)を注入して液晶層として封入・挟持さ
せて、本発明に係る液晶表示装置を得る。そして液晶層
の注入の際に用いた開口は液晶が漏れることのないよう
に封止しておくことは言うまでもない。
At this time, the microlens 109 is formed as a convex lens having a suitable optical shape centered on the resist opening, and moreover, self-alignment is performed by using the light shielding film 105 which defines the pixel area already formed on the array substrate. Since it is formed by, it is not necessary to perform high-precision alignment of a conventional photomask, and the microlens 109 can be easily formed with accurate alignment to all pixels. Then, the above-mentioned resist 40
2, 403 are peeled off, and a liquid crystal composition (not shown) is injected into the cell in the empty cell state to be enclosed and sandwiched as a liquid crystal layer to obtain the liquid crystal display device according to the present invention. Needless to say, the opening used for injecting the liquid crystal layer is sealed so that the liquid crystal does not leak.

【0057】このようにして作製された本発明に係る第
3の実施例の液晶表示装置の表示画面は、開口率が同じ
従来の液晶表示パネルと比較すると、53%以上もの輝度
の向上が図られていることが確認できた。
The display screen of the liquid crystal display device of the third embodiment according to the present invention produced in this manner shows an improvement in brightness of 53% or more as compared with the conventional liquid crystal display panel having the same aperture ratio. It was confirmed that it was done.

【0058】またさらには、光源及び光学系の技術をさ
らに改良させることとも相まってさらなる高輝度を実現
することが可能であることを本発明者は実験結果および
試算結果から確認している。
Furthermore, the present inventor has confirmed from experimental results and trial calculation results that it is possible to realize higher brightness in combination with further improvement of the technology of the light source and the optical system.

【0059】(実施例4)上述の第3の実施例における
レジスト402のパターンエッジの断面形状をテーパー
状に形成することによって、さらに好適な形状のマイク
ロレンズ109を形成することができる。このような構
造の第4の実施例の液晶表示装置を図4に示す。
(Embodiment 4) By forming the pattern edge of the resist 402 in the above-mentioned third embodiment into a tapered sectional shape, the microlens 109 having a more preferable shape can be formed. A liquid crystal display device of the fourth embodiment having such a structure is shown in FIG.

【0060】レジスト402のパターンエッジ部分それ
ぞれにはテーパー角を設けているので、このテーパーに
従って薄い膜厚から厚い膜厚にかけて次第に前述の金属
イオンの拡散が遅く緩慢となる。従って、レジスト40
2が被着されておらず露出している部分のガラス基板4
01に対しては深く高い濃度で金属イオンが拡散され、
レジストが厚く被着されている周辺部に行くほど、また
そのテーパーからレジストの中央部分に向かうほど(す
なわち開口部の周辺に向かうほど)金属イオンの拡散は
低く低濃度となる。このような濃度分布に対応して、光
学的にさらに好適な屈折率を実現する形状のマイクロレ
ンズ109を形成することができる。
Since a taper angle is provided at each of the pattern edge portions of the resist 402, the diffusion of the metal ions described above becomes gradually slower and slower from thin film thickness to thick film thickness according to the taper. Therefore, the resist 40
The glass substrate 4 of the exposed portion where 2 is not applied
For 01, metal ions are diffused in a deep and high concentration,
The closer to the periphery where the resist is thickly deposited, and toward the center of the resist from the taper (that is, toward the periphery of the opening), the lower the metal ion diffusion and the lower concentration. Corresponding to such a concentration distribution, the microlens 109 having a shape that realizes an optically more suitable refractive index can be formed.

【0061】このように、イオン交換法を用いてマイク
ロレンズを形成する場合でも、本発明に係る製造方法に
おけるレジストのエッジにテーパーを付けて形成するこ
とにより、好適な光学的形状のマイクロレンズを得るこ
とができる。
As described above, even when the microlenses are formed by using the ion exchange method, the microlenses having a suitable optical shape can be obtained by forming the edges of the resist in the manufacturing method according to the present invention by tapering. Obtainable.

【0062】(実施例5)上記の第3乃至第4の実施例
においては、金属イオンをガラス基板に拡散させてマイ
クロレンズ109を形成するために、金属イオンを含有
する溶融塩を用いたが、このようなウェットな材料を用
いることなく、イオン注入法を用いることによっても、
本発明に係るマイクロレンズ109を形成することがで
きる。そこでこの第5の実施例においては、イオン注入
法によるマイクロレンズ109の形成方法について、図
5に基づいて述べる。
(Fifth Embodiment) In the third to fourth embodiments, a molten salt containing metal ions is used in order to diffuse the metal ions into the glass substrate to form the microlens 109. By using the ion implantation method without using such a wet material,
The microlens 109 according to the present invention can be formed. Therefore, in the fifth embodiment, a method of forming the microlens 109 by the ion implantation method will be described with reference to FIG.

【0063】イオン注入法によるマイクロレンズ109
の形成に際しては、できる限り重い慣性重量のイオン
を、浅い領域に注入することが望ましい。そこで本発明
者は、本発明を完成させるにあたって種々の実験を行な
った際に、実験装置等の条件から砒素(As)を用いて
イオン注入を行なった。すなわち、この第5の実施例に
おいては、光透過性絶縁基板として石英基板107を用
いている。そしてその他のTFT101やアレイ基板1
02の構造及びそれに用いられる材料としては上述の第
3及び第4の実施例とほぼ同様のものを用いるととも
に、前述の第3の実施例及び第4の実施例等で用いたよ
うなレジスト402を用いて、そのレジスト402の開
口部から露出している部分の石英基板107に対して砒
素のイオンをいわゆるイオンインプランテーション法に
より注入した。ただしこのとき、レジスト402として
は前記の材質のみには限定されないことは言うまでもな
い。イオンインプランテーションの際に効果的にイオン
注入を遮蔽することが可能で、かつ前述のようなセルフ
アラインによるパターニングが可能なレジストであれ
ば、好適に用いることができる。
Microlens 109 by ion implantation method
It is desirable to implant ions having the heaviest inertial weight as much as possible in the formation of a shallow region. Therefore, the present inventor performed ion implantation using arsenic (As) under various conditions such as experimental apparatus when various experiments were performed to complete the present invention. That is, in the fifth embodiment, the quartz substrate 107 is used as the light transmissive insulating substrate. And other TFT 101 and array substrate 1
The structure of No. 02 and the material used therefor are almost the same as those in the above-mentioned third and fourth embodiments, and the resist 402 used in the above-mentioned third and fourth embodiments and the like. Using, the arsenic ions were implanted into the portion of the quartz substrate 107 exposed from the opening of the resist 402 by a so-called ion implantation method. However, at this time, needless to say, the resist 402 is not limited to the above materials. A resist that can effectively block ion implantation during ion implantation and that can be patterned by self-alignment as described above can be preferably used.

【0064】上記のようにして石英基板107の各画素
部に対応する部分ごとに選択的にイオン注入を行なっ
て、その部分の屈折率を、イオン注入が成されていない
部分の石英基板の屈折率と比較した。
As described above, ions are selectively implanted into each portion of the quartz substrate 107 corresponding to each pixel portion, and the refractive index of that portion is determined by refraction of the quartz substrate of the portion not ion-implanted. Compared with the rate.

【0065】その結果、本来の石英基板107の部分で
は光の屈折率は1.45であったものが、イオン注入された
領域の屈折率は1.51と変化しており、この部分でマイク
ロレンズ109が形成されていることが確認できた。こ
うして、上記のような製造方法によってもマイクロレン
ズ109を各画素部に対応する領域ごとに形成すること
が可能であることが確認された。
As a result, the original refractive index of the quartz substrate 107 was 1.45, but the refractive index of the ion-implanted region was changed to 1.51, and the microlens 109 was formed in this portion. It was confirmed that it was done. Thus, it was confirmed that the microlens 109 can be formed in each region corresponding to each pixel portion by the manufacturing method as described above.

【0066】なお、本実施例で得られたマイクロレンズ
109は、透過光利用効率の向上は前述の各実施例のよ
うな50%を越えるほどの極めて顕著な結果は、上記の実
験では得られなかった。しかし、イオン注入によって形
成されたマイクロレンズアレイ109の屈折率は、本実
施例よりもさらに高い濃度にイオンを注入することによ
り、さらに効果的に変化させることができることは言う
までもない。そしてその結果、さらに効果的な屈折率を
備えてさらに良好な光利用効率を実現できるマイクロレ
ンズアレイを形成することが可能になるものと考えられ
る。
In the microlenses 109 obtained in this example, a very remarkable result that the improvement of the transmitted light utilization efficiency exceeds 50% as in the above-mentioned examples is obtained in the above experiment. There wasn't. However, it goes without saying that the refractive index of the microlens array 109 formed by ion implantation can be changed more effectively by implanting ions at a higher concentration than in this embodiment. As a result, it is considered that it becomes possible to form a microlens array having a more effective refractive index and realizing a better light utilization efficiency.

【0067】なお、以上の各実施例においては、マイク
ロレンズアレイを対向基板側の石英基板内やガラス基板
内あるいは光透過性材料層内に形成した場合について示
したが、本発明はこれのみには限定されない。光源光の
進行方向によってはアレイ基板側に上記各実施例の製造
方法を適用して設けることも可能であることは言うまで
もない。
In each of the above embodiments, the case where the microlens array is formed in the quartz substrate on the counter substrate side, the glass substrate, or the light transmissive material layer is shown, but the present invention is not limited to this. Is not limited. It goes without saying that the manufacturing method of each of the above-described embodiments can be applied to the array substrate side depending on the traveling direction of the light source light.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば、小型・高精細な液晶表示装置において、
その画素部開口率は従来のままでも、さらに高輝度・高
コントラストな画像を表示することが可能な液晶表示装
置及びその製造方法を提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, in a small and high definition liquid crystal display device,
It is possible to provide a liquid crystal display device capable of displaying an image with higher brightness and higher contrast and a method for manufacturing the same, even though the aperture ratio of the pixel portion remains the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る第1の実施例の液晶表示装置およ
びその製造方法を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明に係る第2の実施例の液晶表示装置およ
びその製造方法を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明に係る第3の実施例の液晶表示装置およ
びその製造方法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明に係る第4の実施例の液晶表示装置およ
びその製造方法を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明に係る第5の実施例の液晶表示装置およ
びその製造方法を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101……TFT 102……アレイ基板 103……石英基板 104……層間絶縁膜 105……遮光膜 106……対向基板 107……石英基板 108……エネルギービームマスク 109……マイクロレンズ 110……対向電極 111a,b…配向膜 112……封止剤系接着剤 401……ガラス基板 402……レジストパターン 101 ... TFT 102 ... Array substrate 103 ... Quartz substrate 104 ... Interlayer insulating film 105 ... Light-shielding film 106 ... Counter substrate 107 ... Quartz substrate 108 ... Energy beam mask 109 ... Microlens 110 ... Counterface Electrodes 111a, b ... Alignment film 112 ... Sealant adhesive 401 ... Glass substrate 402 ... Resist pattern

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光透過性絶縁基板上にマトリックスアレ
イ状に配列された画素電極と該画素電極に接続されたス
イッチング素子とが形成されたアレイ基板と、 前記画
素電極に対向してほぼ平行に間隙を有して対向配置され
る対向電極が光透過性絶縁基板上に形成された対向基板
と、前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に周囲を封
止して注入・挟持された液晶層と、前記画素電極どうし
の間隙および前記スイッチング素子を覆うとともに前記
画素電極に対応する部分には開口を有する遮光膜とを有
する液晶表示装置において、 前記アレイ基板および前記対向基板のうち少なくとも一
方の光透過性絶縁基板内または該光透過性絶縁基板上に
該光透過性絶縁基板とは熱伝導率の異なる光透過性材料
を用いて形成された光透過性材料層内の前記各開口に対
応する位置ごとにマトリックスアレイ状に該開口を含む
大きさにわたる部分の結晶性または不純物含有率を変化
させ該部分の光屈折率を変化させて形成されたマイクロ
レンズを具備することを特徴とする液晶表示装置。
1. An array substrate on which pixel electrodes arranged in a matrix array and switching elements connected to the pixel electrodes are formed on a light-transmissive insulating substrate; A counter substrate in which counter electrodes arranged to face each other with a gap are formed on a light-transmissive insulating substrate, and a liquid crystal layer is filled and sandwiched around the gap between the array substrate and the counter substrate. And a light-shielding film that covers the gap between the pixel electrodes and the switching element and has an opening in a portion corresponding to the pixel electrode, wherein light of at least one of the array substrate and the counter substrate is provided. Each of the above in a transparent insulating substrate or in a light transparent material layer formed on the light transparent insulating substrate by using a light transparent material having a thermal conductivity different from that of the light transparent insulating substrate. A microlens formed by changing the crystallinity or the impurity content of a portion including the opening in a matrix array at each position corresponding to the mouth to change the optical refractive index of the portion. Liquid crystal display device.
【請求項2】 2枚の光透過性絶縁基板のうち少なくと
も一方の光透過性絶縁基板内または該光透過性絶縁基板
とは熱伝導率の異なる光透過性材料を用いて形成された
光透過性材料層内の画素部に対応する部分ごとにマトリ
ックスアレイ状に選択的にエネルギービームを照射して
該部分の光屈折率を変化させて、前記画素部を含む大き
さのマイクロレンズを前記各画素部ごとに前記光透過性
絶縁基板内または前記光透過性材料層内に形成する工程
と、 前記 2枚の光透過性絶縁基板のうち一方の基板上に、前
記マイクロレンズの位置と合致する位置にマトリックス
アレイ状に配列された画素電極および該画素電極に接続
されたスイッチング素子を形成してアレイ基板を形成す
る工程と、 他方の光透過性絶縁基板上に対向電極を形成して対向基
板を形成する工程と、 前記スイッチング素子および前記画素電極どうしの間隙
を覆うとともに前記画素部に対応する部分には開口を有
する遮光膜を前記アレイ基板および前記対向基板のうち
少なくとも一方に形成する工程と、 前記画素電極と前記対向電極とが間隙を有して対向する
ように前記アレイ基板と前記対向基板とを対向配置し、
前記アレイ基板および前記対向基板の周囲を封止して前
記間隙に液晶を注入し液晶層として挟持させる工程とを
含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. A light-transmitting material formed in a light-transmitting insulating substrate of at least one of the two light-transmitting insulating substrates or using a light-transmitting material having a thermal conductivity different from that of the light-transmitting insulating substrate. The portion corresponding to the pixel portion in the conductive material layer is selectively irradiated with an energy beam in a matrix array to change the photorefractive index of the portion, and the microlens having a size including the pixel portion is formed. Forming in each of the pixel units in the light-transmissive insulating substrate or in the light-transmissive material layer, and aligning the position of the microlens on one of the two light-transmissive insulating substrates. Forming an array substrate by forming pixel electrodes arranged in a matrix array at positions and switching elements connected to the pixel electrodes, and forming a counter electrode on the other light-transmissive insulating substrate and a counter substrate To And a step of forming a light-shielding film that covers a gap between the switching element and the pixel electrode and has an opening in a portion corresponding to the pixel portion on at least one of the array substrate and the counter substrate, The array substrate and the counter substrate are arranged so as to face each other with a gap between the pixel electrode and the counter electrode,
And a step of sealing the periphery of the array substrate and the counter substrate and injecting liquid crystal into the gap to sandwich it as a liquid crystal layer.
【請求項3】 請求項2記載の液晶表示装置の製造方法
において、 前記 2枚の光透過性絶縁基板のうち少なくとも一方の光
透過性絶縁基板または該光透過性絶縁基板とは熱伝導率
の異なる光透過性材料を用いて形成された光透過性材料
層の上に、前記エネルギービームを遮る材料からなるエ
ネルギービームマスク材料層を形成し、該エネルギービ
ームマスク材料層に対して画素部に対応する部分ごとに
マトリックスアレイ状に開口をパターニングしてエネル
ギービームマスクを形成する工程と、 前記エネルギービームマスクの開口から露出している部
分に選択的に前記エネルギービームを照射して前記部分
の光屈折率を変化させ前記画素部を含む大きさのマイク
ロレンズを前記各画素部ごとに形成する工程とを具備す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 2, wherein at least one of the two light-transmissive insulating substrates or the light-transmissive insulating substrate has a thermal conductivity. An energy beam mask material layer made of a material that blocks the energy beam is formed on a light transmissive material layer formed by using a different light transmissive material, and the energy beam mask material layer corresponds to a pixel portion. Forming an energy beam mask by patterning openings in a matrix array for each portion to be exposed, and selectively exposing the portion exposed from the opening of the energy beam mask to the energy beam to perform photorefraction of the portion. Forming a microlens having a size including the pixel portion for each of the pixel portions by changing the ratio. Method of manufacturing shows apparatus.
【請求項4】 2枚の光透過性絶縁基板のうち一方の光
透過性絶縁基板上に、画素電極をマトリックスアレイ状
に配列形成し、該画素電極に接続されるスイッチング素
子を配設し、前記画素電極どうしの間隙および前記スイ
ッチング素子を覆うとともに各画素部を露出させる開口
を備えた遮光層を形成してアレイ基板を形成する工程
と、 他方の光透過性絶縁基板上に対向電極を形成して対向基
板を形成する工程と、 前記画素電極と前記対向電極とが間隙を有して対向する
ように前記アレイ基板と前記対向基板とを対向配置し、
前記アレイ基板および前記対向基板の周囲を封止して、
密封された空セル状態の液晶セルを形成する工程と、 前記対向基板の光透過性絶縁基板の外向面上、または該
光透過性絶縁基板の外向面上に光透過性材料を被着させ
て光透過性材料層を形成してその光透過性材料層上に、
金属イオンを含んだ溶融塩に対して耐性を有するレジス
ト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜に対して前記アレイ基板側から前記遮光
層の開口を通して光を照射して前記レジスト膜を露光し
該露光した領域に開口を形成する工程と、 光透過性絶縁基板または光透過性材料層の、前記レジス
ト膜の開口から露出した部分に前記金属イオンを含んだ
溶融塩を用いて金属イオンを拡散させて、該部分の光屈
折率を変化させ、前記画素部を含む大きさのマイクロレ
ンズを前記各画素部ごとに形成する工程と、 前記空セル状態の液晶セルの一部に注入孔を穿設し該注
入孔から液晶組成物を注入して液晶層として前記液晶セ
ル内に封入・挟持させる工程とを具備することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
4. The pixel electrodes are arranged in a matrix array on one of the two light-transmissive insulating substrates, and a switching element connected to the pixel electrodes is arranged. Forming an array substrate by forming a light-shielding layer that covers the gap between the pixel electrodes and the switching element and has an opening that exposes each pixel portion; and forming a counter electrode on the other light-transmissive insulating substrate. And forming a counter substrate, and disposing the array substrate and the counter substrate so as to face each other with a gap between the pixel electrode and the counter electrode,
By sealing the periphery of the array substrate and the counter substrate,
A step of forming a sealed liquid crystal cell in an empty cell state, and applying a light-transmissive material on the outer surface of the light-transmissive insulating substrate of the counter substrate or on the outer surface of the light-transmissive insulating substrate. A light-transmitting material layer is formed, and on the light-transmitting material layer,
Applying a resist film having resistance to a molten salt containing metal ions, and irradiating the resist film with light from the array substrate side through the opening of the light shielding layer to expose the resist film. A step of forming an opening in the exposed region, and diffusing the metal ion in a portion of the light transmissive insulating substrate or the light transmissive material layer exposed from the opening of the resist film using a molten salt containing the metal ion. And changing the optical refractive index of the portion to form a microlens having a size including the pixel portion in each of the pixel portions, and forming an injection hole in a part of the liquid crystal cell in the empty cell state. And a step of injecting a liquid crystal composition from the injection hole so that the liquid crystal layer is enclosed and sandwiched in the liquid crystal cell.
【請求項5】 2枚の光透過性絶縁基板のうち一方の基
板上に、画素電極をマトリックスアレイ状に配列形成
し、該画素電極に接続されるスイッチング素子を配設
し、前記画素電極どうしの間隙および前記スイッチング
素子を覆うとともに各画素部を露出させる開口を備えた
遮光層を形成してアレイ基板を形成する工程と、 他方の光透過性絶縁基板上に対向電極を形成して対向基
板を形成する工程と、 前記画素電極と前記対向電極とが間隙を有して対向する
ように前記アレイ基板と前記対向基板とを対向配置し、
前記アレイ基板および前記対向基板の周囲を封止して、
密封された空セル状態の液晶セルを形成する工程と、 前記対向基板の光透過性絶縁基板の外向面上または該光
透過性絶縁基板の外向面上に光透過性材料を用いて光透
過性材料層を形成してその光透過性材料層上に、金属イ
オンの投射に対して遮蔽性を有するレジスト膜を塗布す
る工程と、 前記レジスト膜に対して前記アレイ基板側から前記遮光
層の開口を通して光を照射して前記レジスト膜を露光し
該露光した領域に開口を形成する工程と、 光透過性絶縁基板または光透過性材料層の、前記レジス
ト膜の開口から露出した部分に前記金属イオンを注入し
て該部分の光屈折率を変化させ、前記画素部を含む大き
さのマイクロレンズを前記各画素部ごとに形成する工程
と、 前記空セル状態の液晶セルの一部に注入孔を穿設し該注
入孔から液晶組成物を注入して液晶層として前記液晶セ
ル内に封入・挟持させる工程とを具備することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
5. Pixel electrodes are arrayed and formed in a matrix array on one of the two light-transmissive insulating substrates, and switching elements connected to the pixel electrodes are arranged, and the pixel electrodes are connected to each other. Forming a light-shielding layer having an opening for covering the gap and the switching element and exposing each pixel portion, and forming an array substrate; and forming a counter electrode on the other light-transmissive insulating substrate to form a counter substrate. And the array substrate and the counter substrate are arranged so as to face each other with a gap between the pixel electrode and the counter electrode,
By sealing the periphery of the array substrate and the counter substrate,
Forming a sealed liquid crystal cell in an empty cell state, and using a light-transmissive material on the outer surface of the light-transmissive insulating substrate of the counter substrate or on the outer surface of the light-transmissive insulating substrate. A step of forming a material layer and applying a resist film having a shielding property against projection of metal ions on the light transmissive material layer; and opening the light shielding layer from the array substrate side to the resist film. Exposing the resist film by irradiating light therethrough to form an opening in the exposed region; and the metal ion in a portion of the light transmissive insulating substrate or the light transmissive material layer exposed from the opening of the resist film. And changing the optical refractive index of the portion to form a microlens having a size including the pixel portion in each of the pixel portions, and forming an injection hole in a part of the liquid crystal cell in the empty cell state. Liquid crystal set from the injection hole A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising the steps of injecting a composition and enclosing and sandwiching the composition as a liquid crystal layer in the liquid crystal cell.
【請求項6】 請求項3乃至5記載の液晶表示装置の製
造方法において、 前記マイクロレンズを形成する工程の以前に、前記エネ
ルギービームマスクまたは前記レジスト膜または前記蓄
熱膜のパターンのエッジ部分の断面形状をテーパー状に
形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
6. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, wherein a cross section of an edge portion of a pattern of the energy beam mask, the resist film, or the heat storage film is formed before the step of forming the microlens. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming a shape into a taper shape.
JP6068575A 1994-04-06 1994-04-06 Liquid crystal display device and its production Withdrawn JPH07281180A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7187495B2 (en) 2003-09-08 2007-03-06 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a screen member for a transmission screen, a screen member for a transmission screen, a transmission screen and a rear projection

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7187495B2 (en) 2003-09-08 2007-03-06 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a screen member for a transmission screen, a screen member for a transmission screen, a transmission screen and a rear projection

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