JPH07278818A - Vaporizer for cvd powdery raw material - Google Patents
Vaporizer for cvd powdery raw materialInfo
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- JPH07278818A JPH07278818A JP10231394A JP10231394A JPH07278818A JP H07278818 A JPH07278818 A JP H07278818A JP 10231394 A JP10231394 A JP 10231394A JP 10231394 A JP10231394 A JP 10231394A JP H07278818 A JPH07278818 A JP H07278818A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜製造装置に関
し、詳しくは、ＣＶＤ法により機能性薄膜やコーティン
グ用薄膜などを形成する場合に用いられる、粉体原料を
気化させるための気化器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film manufacturing apparatus, and more particularly to a vaporizer for vaporizing a powder raw material used when forming a functional thin film or a coating thin film by a CVD method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子部品の小型化にともない、各
種電子回路に必須の回路素子を小型化することが必要に
なり、これにともなって、誘電体材料、絶縁体材料、半
導体材料などの薄膜化が望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, along with the miniaturization of electronic parts, it has become necessary to miniaturize circuit elements indispensable for various electronic circuits, and accordingly, dielectric materials, insulator materials, semiconductor materials, etc. A thin film is desired.
【０００３】これらの材料を薄膜化するための代表的な
方法の一つに、膜材料の化合物を、高温中で熱分解、酸
化、還元、重合、あるいは気相化学反応などさせた後、
膜組成を基体上に沈着させることにより成膜を行うＣＶ
Ｄ法がある。このＣＶＤ法は、ＰＶＤ法やゾルゲル法な
どの他の成膜方法に比べて成膜速度が大きく、多層薄膜
の製造が容易であるという特徴を有している。One of the typical methods for thinning these materials is to subject the compound of the film material to thermal decomposition, oxidation, reduction, polymerization, or gas phase chemical reaction at high temperature,
CV for forming a film by depositing a film composition on a substrate
There is D method. The CVD method has a feature that the film forming rate is higher than other film forming methods such as the PVD method and the sol-gel method, and that a multilayer thin film can be easily manufactured.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このＣＶＤ
法により、誘電体薄膜などのセラミックス薄膜を製造す
るにあたっては、膜の原料として、液体原料を用いる場
合と固体原料を用いる場合がある。そして、固体原料と
しては、例えば、ジケトン錯体、有機金属化合物などの
粉体が用いられるが、これらの固体原料は、高温に加熱
すると分解して気化しなくなるため、なるべく低温で昇
華させて気化させることが望ましい。By the way, this CVD
When a ceramic thin film such as a dielectric thin film is manufactured by the method, a liquid raw material or a solid raw material may be used as the raw material of the film. As the solid raw material, for example, a powder of a diketone complex, an organometallic compound, or the like is used, but since these solid raw materials decompose and do not vaporize when heated to a high temperature, they are sublimated and vaporized at a temperature as low as possible. Is desirable.
【０００５】従来、これらの粉体状の固体原料（粉体原
料）を気化させるための気化器としては、例えば、図３
に示すように、両端側にキャリアガスの導入部５１と排
出部５２が形成された気化器本体５３の内部に反射板５
４及び熱電対５５を配設してなる気化器Ｂが用いられて
いる。Conventionally, as a vaporizer for vaporizing these powdery solid raw materials (powder raw material), for example, FIG.
As shown in FIG. 5, the reflector plate 5 is provided inside the carburetor main body 53 in which the carrier gas introduction part 51 and the carrier gas discharge part 52 are formed on both ends.
4 and a thermocouple 55 are used for the carburetor B.
【０００６】そして、この気化器Ｂを用いて粉体原料を
気化させるにあたっては、気化器本体５３内に粉体原料
（図示せず）の入ったボート５６を置き、気化器本体５
３を所定の温度に加熱しつつＡｒガスなどのキャリアガ
スを導入部５１から供給して気化器本体５３を通過さ
せ、排出部５２から排出させることにより原料の気化を
行っている。When vaporizing the powder raw material using the vaporizer B, a boat 56 containing the powder raw material (not shown) is placed in the vaporizer main body 53, and the vaporizer main body 5 is placed.
While heating 3 to a predetermined temperature, a carrier gas such as Ar gas is supplied from the introduction part 51 to pass through the vaporizer main body 53 and discharged from the discharge part 52 to vaporize the raw material.
【０００７】しかし、この気化器Ｂを用いた場合、気化
した原料を運ぶキャリアガスは、大部分が原料を入れた
ボート５６から離れた上方を通過してしまうため、十分
な気化量を確保するためには、大量のキャリアガスを流
さなければならない。However, when the vaporizer B is used, most of the carrier gas carrying the vaporized raw material passes above the boat 56 containing the raw material, so that a sufficient vaporization amount is secured. In order to do so, a large amount of carrier gas must be flowed.
【０００８】しかし、ＣＶＤ装置において、排気装置
（ロータリーポンプ）は、通常気化器より下流の成膜室
よりさらに下流側に設置されているため、キャリアガス
の流量を大幅に増大させると気化器Ｂ内の圧力が上昇し
て気化量が減少してしまうという問題点がある。However, in the CVD apparatus, since the exhaust device (rotary pump) is usually installed further downstream than the film forming chamber downstream of the vaporizer, the vaporizer B is significantly increased when the flow rate of the carrier gas is significantly increased. There is a problem that the internal pressure rises and the vaporization amount decreases.
【０００９】したがって、上記の気化器Ｂを蒸気圧の低
い固体原料を気化させるために使用した場合には、十分
な気化量を得ることができず、成膜速度が小さくなると
いう問題点がある。Therefore, when the vaporizer B is used to vaporize a solid raw material having a low vapor pressure, a sufficient vaporization amount cannot be obtained and the film forming rate becomes low. .
【００１０】また、昇華の他に、過熱などにより一部分
解反応が生じて気化しない物質が生成した場合には、こ
の物質が粉体原料の表面を覆ってしまい、気化量が急激
に減少するという問題点がある。Further, in addition to sublimation, when a substance that does not vaporize due to a partial decomposition reaction due to overheating or the like is generated, the substance covers the surface of the powder raw material, and the amount of vaporization sharply decreases. There is a problem.
【００１１】また、従来の他の気化器の例としては、図
４に示すように、円筒状の気化器本体６３を垂直に置
き、上端側から管６４を気化器本体６３の下部にまで挿
入した構造を有し、該管６４の上端側がキャリアガスの
導入部６１になっているとともに、気化器本体の６３の
上部に排出部６２が形成され、さらに、気化器本体６３
の内部に熱電対６５が配設された気化器Ｃがある。As another example of the conventional vaporizer, as shown in FIG. 4, a cylindrical vaporizer body 63 is placed vertically, and a pipe 64 is inserted from the upper end side to the lower portion of the vaporizer body 63. With the above structure, the upper end side of the pipe 64 serves as a carrier gas introduction portion 61, and a discharge portion 62 is formed above the vaporizer main body 63.
There is a carburetor C in which a thermocouple 65 is arranged.
【００１２】そして、この気化器Ｃを用いて粉体原料を
気化させる場合、気化器本体６３内に粉体原料６６を入
れ、気化器本体６３を所定の温度に加熱しつつＡｒガス
などのキャリアガスを導入部６１から供給し、排出部６
２から排出させることにより粉体原料を気化させる。When the powder raw material is vaporized by using the vaporizer C, the powder raw material 66 is put in the vaporizer main body 63, and the vaporizer main body 63 is heated to a predetermined temperature while carrier such as Ar gas. Gas is supplied from the introduction part 61, and the discharge part 6
The powder raw material is vaporized by being discharged from 2.
【００１３】しかし、この気化器Ｃを用いた場合、キャ
リアガスが粉体原料に吹き付けられるため、キャリアガ
スが粉体原料から大きく離れた部分を通過することはな
いが、粉体原料の投入量を大くしてもキャリアガスと粉
体原料の接触面積をそれほど大きくすることができず、
気化量の大幅な増大を期待することはできない。However, when the vaporizer C is used, since the carrier gas is blown to the powder raw material, the carrier gas does not pass through a portion far away from the powder raw material. The contact area between the carrier gas and the powder raw material cannot be increased so much even if
We cannot expect a significant increase in the amount of vaporization.
【００１４】また、上記の気化器Ｂの場合と同様、昇華
の他に、過熱などにより一部分解反応が生じて気化しな
い物質が生成した場合には、この物質が粉体原料の表面
を覆ってしまい、気化量が急激に減少するという問題点
がある。As in the case of the vaporizer B, when a substance which does not vaporize due to partial decomposition reaction due to overheating in addition to sublimation is produced, this substance covers the surface of the powder raw material. Therefore, there is a problem that the amount of vaporization sharply decreases.
【００１５】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、粉体原料を用いてＣＶＤ法により薄膜を製造する
場合に、十分な気化量を確保して成膜速度を向上させる
ことが可能なＣＶＤ粉体原料用気化器を提供することを
目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems, and when a thin film is manufactured by a CVD method using a powder material, a sufficient vaporization amount can be secured and the film formation rate can be improved. A vaporizer for a CVD powder raw material is provided.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のＣＶＤ粉体原料用気化器は、キャリアガ
スを導入する導入部とキャリアガスを排出する排出部
が、キャリアガスの通過する気化器本体の内部において
粉体原料により隔てられた構造を有することを特徴とす
る。In order to achieve the above object, a vaporizer for a CVD powder raw material according to the present invention has an introduction part for introducing a carrier gas and an exhaust part for discharging the carrier gas through which the carrier gas passes. The inside of the vaporizer main body is characterized by having a structure separated by the powder raw material.
【００１７】また、前記導入部の少なくとも一つが、粉
体原料に実質的に対向していないことを特徴とする。Further, at least one of the introduction parts is not substantially opposed to the powder raw material.
【００１８】[0018]
【作用】キャリアガスの導入部と排出部が、気化器本体
の内部において粉体原料により隔てられており、キャリ
アガスの全量が粉体原料中を通過するため、キャリアガ
スと粉体原料の接触面積が増大して、気化量が増大す
る。[Function] The carrier gas introduction part and the discharge part are separated by the powder raw material inside the vaporizer main body, and the entire amount of the carrier gas passes through the powder raw material, so that the carrier gas and the powder raw material come into contact with each other. The area increases and the amount of vaporization increases.
【００１９】また、キャリアガスの導入部の少なくとも
一つを粉体原料と対向させないように配設することによ
り、導入部が一つしか配設されていない場合には、キャ
リアガスが粉体原料の一部のみを通過（ショートパス）
することを抑制、防止できることはもちろん、複数の導
入部が配設されている場合にも、粉体原料と対向してい
ない導入部からのキャリアガスの流れが、キャリアガス
全体の流れを攪拌して、キャリアガスが粉体原料の一部
のみを通過することを抑制、防止して、全体としての気
化量を確実に増大させることができるとともに、粉体原
料の部分的な過熱を防止することができるようになる。Further, by disposing at least one of the carrier gas introduction portions so as not to face the powder raw material, when only one introduction portion is provided, the carrier gas is the powder raw material. Pass only part of (short pass)
In addition to being able to suppress or prevent this, the flow of the carrier gas from the introduction portion that does not face the powder raw material stirs the entire flow of the carrier gas even when multiple introduction portions are provided. As a result, the carrier gas can be suppressed and prevented from passing through only a part of the powder raw material to surely increase the vaporization amount as a whole, and also the partial overheating of the powder raw material can be prevented. Will be able to.
【００２０】また、粉体原料とキャリアガスの接触面積
が増大するため、粉体原料の温度上昇（過熱）を抑制し
て粉体原料の分解を防止し、成膜中の気化量の低下を防
止して成膜速度を増大させることができる。Further, since the contact area between the powder raw material and the carrier gas increases, the temperature rise (overheating) of the powder raw material is suppressed, the decomposition of the powder raw material is prevented, and the vaporization amount during film formation is reduced. It is possible to prevent and increase the film formation rate.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、この発明の実施例を示してその特徴と
するところをさらに詳しく説明する。EXAMPLES The features of the present invention will be described below in more detail with reference to examples.
【００２２】図１は、この発明の一実施例にかかるＣＶ
Ｄ粉体原料用気化器の構成を示す断面図である。FIG. 1 shows a CV according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure of the vaporizer for D powder raw materials.
【００２３】このＣＶＤ粉体原料用気化器Ａにおいて
は、ステンレスからなる気化器本体３の下部にキャリア
ガスの導入部１となるパイプ１０が挿入されており、上
部に排出部２が配設されている。なお、パイプ１０の上
端側には、複数の穴（吹出し口）１１が横向きに形成さ
れており、キャリアガスはこの穴１１から横向きに吹き
出される。In this vaporizer A for CVD powder raw material, a pipe 10 serving as a carrier gas introduction portion 1 is inserted in a lower portion of a vaporizer main body 3 made of stainless steel, and a discharge portion 2 is arranged in an upper portion. ing. A plurality of holes (blowing ports) 11 are formed laterally on the upper end side of the pipe 10, and the carrier gas is blown laterally through the holes 11.
【００２４】そして、キャリアガスが通過するメッシュ
状の材料からなる粉体原料保持部材７ａ，７ｂの間に充
填、保持された粉体原料６が気化器本体３の中空部４に
保持されており、この粉体原料６に先端が接するように
温度検出用の熱電対５が配設されている。The powder raw material 6 filled and held between the powder raw material holding members 7a and 7b made of a mesh material through which the carrier gas passes is held in the hollow portion 4 of the vaporizer main body 3. A thermocouple 5 for temperature detection is arranged so that the tip of the powder raw material 6 is in contact with the powder raw material 6.
【００２５】なお、この実施例のＣＶＤ粉体原料用気化
器Ａにおいては、導入部１が原料充填部より下方にある
が、原料が溶融しても、キャリアガスの導入部１（の吹
出し口１１）が原料に対向しない構造となっているの
で、導入部１が溶融落下した原料によって閉塞すること
がなく、長期間安定して使用することができる。In the vaporizer A for CVD powder raw material of this embodiment, the introduction portion 1 is located below the raw material filling portion, but even if the raw material is melted, the carrier gas introduction portion 1 Since 11) has a structure that does not face the raw material, the introduction part 1 is not blocked by the melted and dropped raw material and can be used stably for a long period of time.
【００２６】また、図２は、上記実施例のＣＶＤ粉体原
料用気化器Ａを用いたＣＶＤ成膜装置の構成を示す図で
ある。このＣＶＤ成膜装置は、粉体原料（図示せず）を
気化させる気化器３１（この気化器３１として図１のＣ
ＶＤ粉体原料用気化器Ａが用いられている）と、液体原
料４０を気化させる液体原料用気化器３２と、基板３７
に成膜させる成膜室３３とを備えて構成されている。FIG. 2 is a diagram showing the structure of a CVD film forming apparatus using the vaporizer A for CVD powder raw material of the above embodiment. This CVD film forming apparatus is provided with a vaporizer 31 (as the vaporizer 31 shown in FIG.
VD powder raw material vaporizer A is used), liquid raw material vaporizer 32 for vaporizing liquid raw material 40, and substrate 37.
And a film forming chamber 33 for forming a film.
【００２７】さらに、成膜室３３の手前にはガス混合器
３４が配設されており、また、成膜室３３内には、原料
ガスを導入するための原料ガス供給ノズル３９、基板
（基体）３７を加熱するための基板ヒータ３８が配設さ
れている。Further, a gas mixer 34 is disposed in front of the film forming chamber 33, and in the film forming chamber 33, a raw material gas supply nozzle 39 for introducing a raw material gas and a substrate (substrate). ) A substrate heater 38 for heating 37 is provided.
【００２８】また、成膜室３３は、ロータリーポンプ３
５により吸引して内部を減圧にすることができるととも
に、圧力調整バルブ３６により内部を所望の圧力に調整
することができるように構成されている。The film forming chamber 33 is provided with the rotary pump 3
5, the inside can be decompressed by suction, and the inside can be adjusted to a desired pressure by the pressure adjusting valve 36.
【００２９】そして、このＣＶＤ成膜装置を用い、ＣＶ
Ｄ粉体原料であるＳｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2（Ｃ12Ｈ8Ｎ2）
2の気化実験を行った。Then, using this CVD film forming apparatus, CV
D powder raw material Sr (C 11 H 19 O 2) 2 (C 12 H 8 N 2 )
Two vaporization experiments were performed.
【００３０】主要なＣＶＤ成膜条件は以下の通りであ
る。 基板 ：ＭｇＯ 基板温度 ：７５０℃ チャンバー圧力 ：３Torr キャリアガス ：Ａｒ キャリアガス流量 ：５０ＳＣＣＭ 酸素ガス流量 ：５０ＳＣＣＭ 成膜時間 ：１ｈｒThe main CVD film forming conditions are as follows. Substrate: MgO Substrate temperature: 750 ° C. Chamber pressure: 3 Torr Carrier gas: Ar Carrier gas flow rate: 50 SCCM Oxygen gas flow rate: 50 SCCM Film formation time: 1 hr
【００３１】上記の条件でＳｒＯ薄膜を形成した場合の
気化器温度と成膜量の関係を表１に示す。Table 1 shows the relationship between the vaporizer temperature and the film formation amount when the SrO thin film was formed under the above conditions.
【００３２】なお、比較のため、図３に示す従来の気化
器を使用して気化実験を行った。その結果を併せて表１
に示す。For comparison, a vaporization experiment was conducted using the conventional vaporizer shown in FIG. The results are also shown in Table 1.
Shown in.
【００３３】[0033]
【表１】 [Table 1]
【００３４】表１に示すように、従来の気化器を使用し
た場合、原料が粉末の状態にある温度（すなわち原料が
溶融しない温度）では、原料はほとんど気化しないが、
この発明の気化器を用いた場合には、十分な気化量を確
保することが可能で３００nm／ｈｒ以上の成膜速度が得
られる。As shown in Table 1, when a conventional vaporizer is used, the raw material hardly vaporizes at a temperature at which the raw material is in a powder state (that is, a temperature at which the raw material does not melt).
When the vaporizer of the present invention is used, a sufficient vaporization amount can be secured and a film forming rate of 300 nm / hr or more can be obtained.
【００３５】なお、従来の気化器を用いた場合でも、気
化器の温度を原料が溶融する温度まで上昇させると気化
量は増大するが、それでも実施例の気化器を用いた場合
に比べて約１／８程度の成膜量（成膜速度）となってい
る。Even when the vaporizer of the related art is used, the vaporization amount increases when the temperature of the vaporizer is raised to the temperature at which the raw material is melted, but the vaporization amount of the vaporizer of the embodiment is about the same as that of the vaporizer of the embodiment. The film formation amount (film formation speed) is about 1/8.
【００３６】次に、Ｔｉ原料（液体原料）として、Ｔｉ
（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）4を用い、これを図２の液体原料用
気化器３２に入れて使用し、基板３７上にＳｒＴｉＯ3
薄膜を形成した。なお、Ｔｉの気化条件（圧力や温度な
ど）は、組成を合わせるために、固体原料用気化器の種
類に応じて適宜調節した。Next, as a Ti raw material (liquid raw material), Ti
(O-i-C 3 H 7) 4 used, using which was placed in liquid material vaporizer for 32 in FIG. 2, SrTiO 3 on the substrate 37
A thin film was formed. The Ti vaporization conditions (pressure, temperature, etc.) were appropriately adjusted according to the type of vaporizer for solid raw material in order to match the composition.
【００３７】成膜時間２時間のときのＳｒＴｉＯ3薄膜
の膜圧を表２に示す。Table 2 shows the film pressure of the SrTiO 3 thin film when the film forming time was 2 hours.
【００３８】[0038]
【表２】 [Table 2]
【００３９】表２より、ＳｒＴｉＯ3薄膜を形成する場
合においても、従来型の気化器を使用した場合に比べて
７倍以上の成膜速度が得られていることがわかる。It can be seen from Table 2 that even when the SrTiO 3 thin film is formed, the film forming rate is 7 times or more as high as that when the conventional vaporizer is used.
【００４０】なお、ＣＶＤ法による成膜速度は、基板温
度、チャンバー圧力、ノズルの形状及び位置などに依存
する。しかし、原料の気化量（気化速度）は、最も重要
な要因の一つであるため、上記実施例と比較例の相対的
な差は、他の要因を変化させて成膜速度を大きくした場
合にもほとんど変ることがない。The deposition rate by the CVD method depends on the substrate temperature, the chamber pressure, the shape and position of the nozzle, and the like. However, since the vaporization amount (vaporization rate) of the raw material is one of the most important factors, the relative difference between the example and the comparative example is that when the other factors are changed to increase the film formation rate. However, there is almost no change.
【００４１】なお、上記実施例では、ＳｒＯ薄膜、及び
ＳｒＴｉＯ3薄膜を形成する場合を例にとって説明した
が、この発明のＣＶＤ粉体原料用気化器は、これらの薄
膜を製造する場合に限らず、ＰｂＴｉＯ3薄膜やＰＺＴ
薄膜など他の種々の薄膜をＣＶＤ法により形成する場合
にも適用することが可能である。In the above embodiments, the case where the SrO thin film and the SrTiO 3 thin film are formed has been described as an example, but the vaporizer for a CVD powder raw material of the present invention is not limited to the case where these thin films are manufactured. , PbTiO 3 thin film and PZT
It can also be applied to the case where various other thin films such as a thin film are formed by the CVD method.
【００４２】この発明は、さらにその他の点においても
上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範
囲内において、種々の応用、変形を加えることができ
る。The present invention is not limited to the above embodiments in other points as well, and various applications and modifications can be added within the scope of the gist of the invention.
【００４３】[0043]
【発明の効果】上述のように、この発明のＣＶＤ粉体原
料用気化器は、キャリアガスを導入する導入部とキャリ
アガスを排出する排出部が、キャリアガスの通過する気
化器本体の内部において粉体原料により隔てられるよう
に構成されているので、キャリアガスの全量が粉体原料
中を通過する。したがって、キャリアガスと粉体原料の
接触面積を増大させて気化量を飛躍的に増大させること
が可能になり、機能性薄膜でデバイスを形成する場合の
成膜時間を大幅に短縮することができるようになる。As described above, in the vaporizer for CVD powder raw material of the present invention, the introduction part for introducing the carrier gas and the discharge part for discharging the carrier gas are provided inside the vaporizer main body through which the carrier gas passes. Since it is configured to be separated by the powder raw material, the entire amount of the carrier gas passes through the powder raw material. Therefore, it is possible to dramatically increase the vaporization amount by increasing the contact area between the carrier gas and the powder raw material, and it is possible to significantly reduce the film formation time when forming a device with a functional thin film. Like
【００４４】また、粉体原料の気化が効率的に行われる
ために、成膜後の残留物が減少し、原料コストを低減す
ることができる。Further, since the powder raw material is efficiently vaporized, the residue after the film formation is reduced, and the raw material cost can be reduced.
【００４５】さらに、キャリアガスの導入部の少なくと
も一つを粉体原料と対向させないように配設することに
より、導入部が一つしか配設されていない場合には、キ
ャリアガスが粉体原料の一部のみを通過（ショートパ
ス）することを抑制、防止できることはもちろん、複数
の導入部が配設されている場合にも、粉体原料と対向し
ていない導入部からのキャリアガスの流れが、キャリア
ガス全体の流れを攪拌して、キャリアガスが粉体原料の
一部のみを通過することを抑制、防止して、全体として
の気化量を確実に増大させることができるとともに、粉
体原料の部分的な過熱を防止することができるようにな
る。Further, by disposing at least one of the carrier gas introduction portions so as not to face the powder raw material, when only one introduction portion is provided, the carrier gas is the powder raw material. It is possible not only to suppress and prevent the passage of only a part (short pass), but also when there are multiple introduction parts, the flow of the carrier gas from the introduction part that does not face the powder raw material. However, by agitating the entire flow of the carrier gas and suppressing or preventing the carrier gas from passing through only a part of the powder raw material, the vaporization amount as a whole can be reliably increased, and the powder It becomes possible to prevent partial overheating of the raw material.
【００４６】また、粉体原料とキャリアガスの接触面積
が増大するため、粉体原料の温度上昇（過熱）を抑制し
て粉体原料の分解を防止し、成膜中の気化量の低下を防
止して成膜速度を増大させることができる。Further, since the contact area between the powder raw material and the carrier gas is increased, the temperature rise (overheating) of the powder raw material is suppressed to prevent decomposition of the powder raw material, and the vaporization amount during film formation is reduced. It is possible to prevent and increase the film formation rate.
【図１】この発明の一実施例にかかるＣＶＤ粉体原料用
気化器の構造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a vaporizer for a CVD powder raw material according to an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施例にかかるＣＶＤ粉体原料用
気化器を用いたＣＶＤ成膜装置の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a CVD film forming apparatus using a vaporizer for a CVD powder material according to an embodiment of the present invention.
【図３】従来のＣＶＤ粉体原料用気化器を示す断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional vaporizer for CVD powder raw material.
【図４】従来の他のＣＶＤ粉体原料用気化器を示す断面
図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another conventional vaporizer for CVD powder raw material.
１ 導入部 ２ 排出部 ３ 気化器本体 ４ 中空部 ５ 熱電対 ６ 粉体原料 ７ａ，７ｂ 粉体原料保持部材 １０ パイプ １１ 穴（吹出し口） Ａ ＣＶＤ粉体原料用気化器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 introduction part 2 discharge part 3 vaporizer main body 4 hollow part 5 thermocouple 6 powder raw material 7a, 7b powder raw material holding member 10 pipe 11 hole (blowing outlet) A CVD powder raw material vaporizer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久世 三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 伴野 国三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kuze Saburo 2-26-10 Tenjin Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Kunizaburo Banno 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (2)
アガスを排出する排出部が、キャリアガスの通過する気
化器本体の内部において粉体原料により隔てられた構造
を有することを特徴とするＣＶＤ粉体原料用気化器。1. A CVD powder having a structure in which an inlet for introducing a carrier gas and an outlet for discharging a carrier gas are separated by a powder raw material inside a vaporizer main body through which the carrier gas passes. Vaporizer for body material.
料に実質的に対向していないことを特徴とする請求項１
記載のＣＶＤ粉体原料用気化器。2. At least one of the introduction portions is substantially not opposed to the powder raw material.
Vaporizer for CVD powder raw material described.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10231394A JPH07278818A (en) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | Vaporizer for cvd powdery raw material |
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| JP10231394A JPH07278818A (en) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | Vaporizer for cvd powdery raw material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278818A true JPH07278818A (en) | 1995-10-24 |
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Family Applications (1)
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