JPH07273135A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPH07273135A
JPH07273135A JP34295A JP34295A JPH07273135A JP H07273135 A JPH07273135 A JP H07273135A JP 34295 A JP34295 A JP 34295A JP 34295 A JP34295 A JP 34295A JP H07273135 A JPH07273135 A JP H07273135A
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mold
semiconductor device
parts
cleaning
molding
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敏彦 北浦
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彰男 中村
Masayuki Sakamoto
正幸 坂本
Koichi Takashima
浩一 高島
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Nitto Denko Corp
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Abstract

PURPOSE:To manufacture a semiconductor device having a good resin sealed surface efficiently in safety by effecting the cleaning on the surface of a molding die and the deburring simply and efficiently. CONSTITUTION:A semiconductor element is resin sealed by transfer molding to manufacture a semiconductor device. A cleaning sheet is sandwiched by a pair of transfer molding die and hot pressed prior to transfer molding thus cleaning the molding surface of a pair of transfer molding dies using a cleaning sheet.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製法に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】トランジスタ,IC,LSI等の半導体
素子は、セラミックパッケージもしくはプラスチックパ
ッケージにより封止され半導体装置化されている。セラ
ミックパッケージは構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため温度,湿度に対して強く、
しかも中空パッケージのため、機械的強度も高く信頼性
の高い封止が可能である。しかし、構成材料が比較的高
価なものであることと、量産性に欠ける欠点があるた
め、最近では、セラミックパッケージに代えてプラスチ
ックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。
この種の樹脂封止には、エポキシ樹脂組成物が使用され
ており、注型,圧縮成形,射出成形,トランスファーモ
ールド成形等によって樹脂封止することが行われてお
り、最近では、特に量産性と作業性に優れたトランスフ
ァーモールド成形による樹脂封止が賞用されている。
2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are sealed in ceramic packages or plastic packages to form semiconductor devices. The ceramic package itself has heat resistance,
It has excellent moisture resistance, so it is strong against temperature and humidity.
Moreover, since it is a hollow package, high mechanical strength and highly reliable sealing are possible. However, since the constituent materials are relatively expensive and there is a drawback that mass productivity is insufficient, recently, resin sealing using a plastic package instead of the ceramic package has become mainstream.
An epoxy resin composition is used for this type of resin encapsulation, and resin encapsulation is performed by casting, compression molding, injection molding, transfer molding, or the like. And resin encapsulation by transfer molding, which excels in workability, is a prize.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなトランスファーモールド成形により、エポキシ樹
脂組成物で半導体素子を樹脂封止する場合、上記成形を
連続的に行うと、エポキシ樹脂組成物中の離型剤によ
り、トランスファーモールド金型が汚染され、良好な成
形をなしえないという問題が生じている。すなわち、上
記成形時には、エポキシ樹脂組成物中に含まれる離型剤
が金型表面に滲出して離型作用を発揮するのであるが、
成形を繰り返すと、上記金型表面に滲出した離型剤が、
金型表面に順次積層し、次第に酸化劣化して硬い離型剤
酸化劣化層(表面は金型のように平滑ではない)を形成
する。そして、この酸化劣化層の表面で成形材料の成形
が行われるようになり、成形品に上記酸化劣化層の表面
の転写がなされ、成形品の表面が肌荒れしたり、光沢等
が出ないという不都合を生じる。また、このような離型
剤の酸化劣化層が、一旦、金型表面に形成されると、そ
の後、エポキシ樹脂組成物を成形する際、その組成物か
ら滲み出てくる離型剤が、金型表面ではなく、上記離型
剤の酸化劣化層に作用することとなり、充分な離型効果
を発揮しえなくなる。このような問題を解決するため、
従来は、図面に示すように、成形金型1の上型2と下型
3とでつくられるキャビティ4に、リードフレーム5を
備えた半導体素子を位置決めして、そのリードフレーム
5を上記キャビティ4に隣接する上型2と下型3との間
に位置決めし、その状態で、メラミン樹脂成形材料を注
型して成形硬化させ、上記金型表面の離型剤酸化劣化層
をその成形品と一体化させ、酸化劣化層が一体化した成
形品を金型1から取り出すことにより、金型表面を洗浄
するということが行われている。この場合、リードフレ
ームを上記キャビティ4内に位置決めして、メラミン樹
脂成形材料の注型を行うのは、上型2と下型3とを閉じ
た状態において上記キャビティ4に隣接する上型2と下
型3の間の部分にリードフレーム5用の空隙6ができる
ため、そこにリードフレーム5を位置決めしないで、単
に、メラミン樹脂成形材料のみをキャビティ4内に注型
すると、上型2と下型3との間の上記空隙6からメラミ
ン樹脂成形材料が逃げ成形が充分に行えなくなるためで
ある。しかしながら、このようにして金型表面を洗浄す
る場合には、上記のように、リードフレームをいちいち
洗浄すべきキャビティ4に適正に位置決めしなければな
らず、その作業が煩雑であると同時に、上記メラミン樹
脂成形材料の縮合物としてホルマリンが副生し臭気等を
生じるため作業環境が悪化し洗浄作業の作業性の低下の
原因となる。また、上記のようなトランスファーモール
ド成形によって、半導体素子を樹脂封止する場合には、
上記キャビティ4の周囲部分にバリが生じ、このバリは
エアーノズルから吹き出されるエアーによって、自動的
に除去されるようになっているのであるが、時には、エ
アーノズルによって処理しきれない金型1の部分にバリ
を生じることがあり、その際には、人が指等を用いてバ
リを除去しなければならない状態となる。一般に、上記
トランスファーモールド成形は、自動成形によって行わ
れているものであり、上記のような場合には、一旦自動
成形を解除し装置を停止させてバリ取りを行うというこ
とが標準作業化されている。しかしながら、作業が遅れ
ているような場合には、まれに自動成形を継続させたま
ま、型1が開いている僅かの時間内に指等を上記金型
2,3間に挿入して、エアーノズルでは除去しきれない
バリを取るということが行われるのであり、極めて危険
である。
However, when the semiconductor element is resin-sealed with the epoxy resin composition by the transfer molding as described above, if the molding is continuously performed, the separation in the epoxy resin composition is prevented. The transfer agent is contaminated by the mold agent, which causes a problem that good molding cannot be achieved. That is, at the time of the above-mentioned molding, the release agent contained in the epoxy resin composition exudes to the surface of the mold to exert a release action,
When the molding is repeated, the release agent exuded on the mold surface is
The layers are sequentially laminated on the surface of the mold, and gradually deteriorated by oxidation to form a hard release agent oxidation deterioration layer (the surface is not smooth like the mold). Then, the molding material comes to be molded on the surface of the oxidation-deteriorated layer, and the surface of the oxidation-deteriorated layer is transferred to the molded product, so that the surface of the molded product is not roughened and gloss is not generated. Cause Further, once such an oxidation-deteriorated layer of the release agent is formed on the surface of the mold, the release agent exuding from the composition when molding the epoxy resin composition is It acts not on the mold surface but on the oxidation-deteriorated layer of the above-mentioned mold release agent, so that a sufficient mold release effect cannot be exhibited. In order to solve such problems,
Conventionally, as shown in the drawings, a semiconductor element having a lead frame 5 is positioned in a cavity 4 formed by an upper die 2 and a lower die 3 of a molding die 1, and the lead frame 5 is placed in the cavity 4 described above. Is positioned between the upper mold 2 and the lower mold 3 which are adjacent to each other, and in that state, a melamine resin molding material is cast and molded and cured, and the mold release agent oxidation deterioration layer on the surface of the mold is used as the molded product. It is performed that the surface of the mold is cleaned by taking out a molded product which is integrated and the oxidation deterioration layer is integrated from the mold 1. In this case, the lead frame is positioned in the cavity 4 and the melamine resin molding material is cast by the upper mold 2 adjacent to the cavity 4 with the upper mold 2 and the lower mold 3 closed. Since there is a gap 6 for the lead frame 5 in the portion between the lower molds 3, if the lead frame 5 is not positioned there and only the melamine resin molding material is poured into the cavity 4, the upper mold 2 and the lower mold 2 are This is because the melamine resin molding material escapes from the space 6 between the mold 3 and the mold 3 and molding cannot be performed sufficiently. However, when cleaning the die surface in this manner, the lead frame must be properly positioned in each cavity 4 to be cleaned, as described above, and the work is complicated and at the same time, Formalin is by-produced as a condensate of the melamine resin molding material to generate an odor and the like, which deteriorates the work environment and causes a decrease in workability of the cleaning work. Further, when the semiconductor element is resin-sealed by the transfer molding as described above,
Burrs are generated in the peripheral portion of the cavity 4, and the burrs are automatically removed by the air blown from the air nozzle, but sometimes the mold 1 that cannot be processed by the air nozzle is used. Occasionally, burrs may be generated on the part of, and in that case, a person must remove the burrs by using a finger or the like. Generally, the transfer molding is performed by automatic molding, and in the above cases, it is standardized that the automatic molding is temporarily stopped and the apparatus is stopped to deburr. There is. However, if the work is delayed, rarely while automatic molding continues, insert a finger or the like between the molds 2 and 3 within a short time when the mold 1 is open, Burrs that cannot be completely removed by the nozzle are removed, which is extremely dangerous.

【0004】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、金型面の洗浄ならびにバリ取りを簡単かつ能
率良く行うことにより、封止樹脂表面が良好な半導体装
置を効率よく、かつ安全に製造しうる方法の提供をその
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a semiconductor device having a good sealing resin surface can be efficiently and safely manufactured by simply and efficiently cleaning the mold surface and deburring. The purpose is to provide a method that can be manufactured.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明は、トランスファーモールド成形によって
半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する半導体
装置の製法であって、上記トランスファーモールド成形
に先立って一対のトランスファー成形金型の間にクリー
ニングシートを挟み加熱加圧することにより上記一対の
トランスファー成形金型の型面を上記クリーニングシー
トで洗浄することをその要旨とする。
In order to achieve the above object, the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is resin-sealed by transfer molding to manufacture a semiconductor device. Prior to the step 1, the cleaning sheet is sandwiched between the pair of transfer molding dies and heated and pressed to clean the die surfaces of the pair of transfer molding dies with the cleaning sheet.

【0006】[0006]

【作用】すなわち、上記のように、一対のトランスファ
ー成形金型の間にクリーニングシートを挟んで加熱加圧
することにより、従来のように、成形金型のキャビティ
内にいちいちリードフレームを位置決め配置するという
煩雑な作業を要することなく、金型面の洗浄をなしうる
ようになる。このとき、従来のようにホルマリン臭が生
じることもない。その結果、金型洗浄の高効率化を実現
することができる。その際、キャビティに隣接する型面
の部分に付着するバリも、同時にクリーニングシートに
付着して除去されるため、従来のように、トランスファ
ーモールド成形型が一定の間隔で開閉する間隙を縫って
指を差し込んでバリを取るという危険な作業が全く不要
になり、安全にバリ取りを行うことができる。このよう
にして封止樹脂の表面が良好に成形されている半導体装
置を効率よく、かつ安全に製造しうるようになる。
In other words, as described above, the cleaning sheet is sandwiched between the pair of transfer molding dies and heated and pressed to position the lead frames one by one in the cavity of the molding dies as in the conventional case. The mold surface can be cleaned without requiring complicated work. At this time, formalin odor is not generated unlike the conventional case. As a result, the efficiency of mold cleaning can be increased. At that time, burrs adhering to the part of the mold surface adjacent to the cavity are also adhered to and removed from the cleaning sheet at the same time. The dangerous work of inserting and deburring is completely unnecessary, and deburring can be performed safely. In this way, it becomes possible to efficiently and safely manufacture a semiconductor device in which the surface of the sealing resin is well molded.

【0007】この発明は、クリーニングシートを用い
て、トランスファー成形型の型面の洗浄を行う。上記ク
リーニングシートは、例えば未加硫ゴムと除去助剤とか
らなる未加硫ゴム生地で構成されている。
According to the present invention, the mold surface of the transfer mold is cleaned using the cleaning sheet. The cleaning sheet is made of, for example, unvulcanized rubber cloth made of unvulcanized rubber and a removal aid.

【0008】上記未加硫ゴムとしては、天然ゴム(N
R),クロロプレンゴム(CR),ブタジエンゴム(B
R),ニトリルゴム(NBR),エチレンプロピレンタ
ーポリマーゴム(EPT),エチレンプロピレンゴム
(EPM),スチレンブタジエンゴム(SBR),ポリ
イソプレンゴム(IR),ブチルゴム(IIR),シリ
コーンゴム(Q),フッ素ゴム(FKM)等の単独もし
くは混合物を主成分とし、さらに加硫剤が配合され、必
要に応じて加硫促進剤,補強剤等が配合されているもの
等が用いられる。この未加硫ゴムは、金型内において加
硫され加硫ゴムとなる。上記の未加硫ゴムとして好まし
いのはEPT,SBR,NBRもしくはこれらの混合物
である。上記EPTは、エチレン,α−オレフィンおよ
び非共役二重結合を有する環状または非環状からなる共
重合物である。これについて詳述すると、EPTはエチ
レン,α−オレフィン(特にプロピレン)および以下に
列挙するポリエンモノマーからなるターポリマーであ
り、上記ポリエンモノマーとしては、ジシクロペンタジ
エン、1,5−シクロオクタジエン、1,1−シクロオ
クタジエン、1,6−シクロドデカジエン、1,7−シ
クロドデカジエン、1,5,9−シクロドデカトリエ
ン、1,4−シクロヘプタジエン、1,4−シクロヘキ
サジエン、ノルボルナジエン、メチレンノルボルネン、
2−メチルペンタジエン−1,4、1,5−ヘキサジエ
ン、1,6−ヘプタジエン、メチル−テトラヒドロイン
デン、1,4−ヘキサジエン等である。各モノマーの共
重合割合は、好ましくはエチレンが30〜80モル%,
ポリエンが0.1〜20モル%で残りがα−オレフィン
となるような割合である。より好ましいのはエチレンが
30〜60モル%のものである。そして、ムーニー粘度
ML1+4 (100℃)が20〜70のものがよい。上記
EPTの具体例としては、三井石油化学工業社製、三井
EPT4021,同4045,同4070をあげること
ができる。また、SBRとしては、スチレン含量が15
〜30モル%でムーニー粘度ML1+4 (100℃)が2
0〜80、好ましくは35〜60のものが好適である。
具体例として日本合成ゴム社製、JSR−1502,同
1507,同1778をあげることができる。NBRと
しては、アクリロニトリル含量が20〜60モル%、好
ましくは25〜45モル%でムーニー粘度ML1+4 (1
00℃)が20〜85、好ましくは30〜70のものを
用いることが好適である。具体例として日本合成ゴム社
製、N−234L,同230S,同230SHをあげる
ことができる。
As the unvulcanized rubber, natural rubber (N
R), chloroprene rubber (CR), butadiene rubber (B
R), nitrile rubber (NBR), ethylene propylene terpolymer rubber (EPT), ethylene propylene rubber (EPM), styrene butadiene rubber (SBR), polyisoprene rubber (IR), butyl rubber (IIR), silicone rubber (Q), A fluororubber (FKM) or the like as a main component, a vulcanizing agent, and optionally a vulcanization accelerator and a reinforcing agent are used. This unvulcanized rubber is vulcanized into a vulcanized rubber in the mold. The above-mentioned unvulcanized rubber is preferably EPT, SBR, NBR or a mixture thereof. The EPT is a cyclic or acyclic copolymer having ethylene, α-olefin and a non-conjugated double bond. More specifically, EPT is a terpolymer composed of ethylene, α-olefin (particularly propylene) and the polyene monomers listed below, and the polyene monomers include dicyclopentadiene, 1,5-cyclooctadiene, and 1-cyclooctadiene. , 1-cyclooctadiene, 1,6-cyclododecadiene, 1,7-cyclododecadiene, 1,5,9-cyclododecatriene, 1,4-cycloheptadiene, 1,4-cyclohexadiene, norbornadiene, Methylene norbornene,
2-Methylpentadiene-1,4,1,5-hexadiene, 1,6-heptadiene, methyl-tetrahydroindene, 1,4-hexadiene and the like. The copolymerization ratio of each monomer is preferably 30 to 80 mol% of ethylene,
The ratio is such that the polyene is 0.1 to 20 mol% and the rest is α-olefin. More preferably, ethylene is 30 to 60 mol%. The Mooney viscosity ML 1 + 4 (100 ° C.) is preferably 20 to 70. Specific examples of the EPT include Mitsui EPTs 4021, 4045, and 4070 manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd. Also, SBR has a styrene content of 15
Mooney viscosity ML 1 + 4 (100 ° C) is 2 at ~ 30 mol%
Those of 0 to 80, preferably 35 to 60 are suitable.
Specific examples thereof include JSR-1502, JSR-1507, and JSR-1778, manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. The NBR has an acrylonitrile content of 20 to 60 mol%, preferably 25 to 45 mol%, and a Mooney viscosity ML 1 + 4 (1
It is suitable to use one having a temperature of 00 ° C.) of 20 to 85, preferably 30 to 70. As a specific example, N-234L, 230S, and 230SH manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. can be mentioned.

【0009】また、上記未加硫ゴムとともに用いられる
除去助剤は、グリコールエーテル類,イミダゾール類お
よびイミダゾリン類であり、単独でもしくは併せて使用
される。
The removal aids used with the unvulcanized rubber are glycol ethers, imidazoles and imidazolines, which may be used alone or in combination.

【0010】上記グリコールエーテル類としては、つぎ
の一般式(1)で表されるものが好適である。
As the glycol ethers, those represented by the following general formula (1) are preferable.

【0011】[0011]

【化1】 [Chemical 1]

【0012】その具体例としては、エチレングリコール
ジメチルエーテル,ジエチレングリコールジメチルエー
テル,トリエチレングリコールジメチルエーテル,テト
ラエチレングリコールジメチルエーテル,ポリエチレン
グリコールジメチルエーテル,ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル,ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル,ジエチレングリコールモノプロピルエーテル,
ジエチレングリコールモノブチルエーテル,ジエチレン
グリコールジエチルエーテル,ジエチレングリコールプ
ロピルエーテル,ジエチレングリコールジブチルエーテ
ル,エチレングリコールモノメチルエーテル,エチレン
グリコールモノエチルエーテル,エチレングリコールモ
ノプロピルエーテル,エチレングリコールモノブチルエ
ーテル等をあげることができる。
Specific examples thereof include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, polyethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether,
Examples thereof include diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol propyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether.

【0013】上記一般式(1)で表されるグリコールエ
ーテル類の中でも、n=1〜2、R 1 ,R2 のいずれか
が水素の場合には他方が炭素数1〜4のアルキル基であ
り、また、R1 ,R2 がともにアルキル基の場合には、
炭素数が1〜4のアルキル基であることが好適である。
なお、上記nが3以上の値をとるときには、ゴムとの相
溶性が低下するという事態を招き、またアルキル基の炭
素数が5以上の場合には、離型剤の酸化劣化層に対する
浸透性が悪くなるという傾向がみられるようになる。
The glycol ether represented by the above general formula (1)
Among the ethers, n = 1 to 2, R 1, R2One of
When is hydrogen, the other is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
And also R1, R2When both are alkyl groups,
An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.
When n is 3 or more, the phase with rubber is
This will cause a decrease in solubility, and will also cause alkyl-based charcoal.
When the prime number is 5 or more, the release agent is added to the oxidation-deteriorated layer.
There is a tendency for poor permeability.

【0014】上記イミダゾール類としては、下記の一般
式(2)で表されるイミダゾール類を用いることが好結
果をもたらす。このようなイミダゾール類の代表例とし
ては、2−メチルイミダゾール,2−エチル−4−メチ
ルイミダゾール,2−フェニルイミダゾール,1−ベン
ジル−2−メチルイミダゾール等や、2,4−ジアミノ
−6〔2’−メチルイミダゾリル(1)’〕エチル−s
−トリアジン、2,4−ジアミノ−6〔2’−エチル−
4’−メチルイミダゾリル−(1)’〕エチル−s−ト
リアジン等があげられる。
As the imidazoles, it is possible to obtain good results by using the imidazoles represented by the following general formula (2). Typical examples of such imidazoles include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, and 2,4-diamino-6 [2. '-Methylimidazolyl (1)'] ethyl-s
-Triazine, 2,4-diamino-6 [2'-ethyl-
4'-methylimidazolyl- (1) '] ethyl-s-triazine and the like.

【0015】[0015]

【化2】 [Chemical 2]

【0016】また、上記イミダゾリン類としては、下記
の一般式(3)で表されるイミダゾリン類を用いること
が好結果をもたらす。このようなイミダゾリン類の代表
例としては、2−メチルイミダゾリン、2−メチル−4
−エチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン、1
−ベンジル−2−メチルイミダゾリン、2−フェニル−
4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾリン、2,
4−ジアミノ−6〔2’メチルイミダゾリリル−
(1)’〕エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ
−6〔2’−メチル−4’−エチルイミダゾリリル−
(1)’〕エチル−s−トリアジン、1−シアノエチル
−2−メチルイミダゾリン、1−シアノエチル−2−メ
チル−4−エチルイミダゾリン等があげられる。
As the above-mentioned imidazolines, it is possible to obtain good results by using the imidazolines represented by the following general formula (3). Typical examples of such imidazolines include 2-methylimidazoline and 2-methyl-4.
-Ethylimidazoline, 2-phenylimidazoline, 1
-Benzyl-2-methylimidazoline, 2-phenyl-
4-methyl-5-hydroxymethyl imidazoline, 2,
4-diamino-6 [2'methylimidazolyl-
(1) ′] Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2′-methyl-4′-ethylimidazolyl-
(1) ′] Ethyl-s-triazine, 1-cyanoethyl-2-methylimidazoline, 1-cyanoethyl-2-methyl-4-ethylimidazoline and the like.

【0017】[0017]

【化3】 [Chemical 3]

【0018】上記のグリコールエーテル類,イミダゾー
ル類およびイミダゾリン類は、そのまま、もしくは水な
いしはメタノール,エタノール,n−プロパノールのよ
うなアルコール類、トルエン,キシレンのような有機溶
媒と混合して使用してもよい。有機溶媒と混合するとき
には、有機溶媒の量を、通常、グリコールエーテル類,
イミダゾール類およびイミダゾリン類の合計量100重
量部(以下「部」と略す)に対し50部以下にすること
が行われ、最も一般的には20部以下にすることが行わ
れる。また、従来から使用されているステアリン酸,カ
ルナバワックス,ステアリルエチレンジアミド等の離型
剤を必要に応じて適量併用しても差し支えはない。離型
剤を併用する場合には、その使用量を、未加硫ゴムと、
上記グリコールエーテル類,イミダゾール類およびイミ
ダゾリン類の少なくとも一つとの合計量100部に対し
て10部以下にすることが行われ、最も一般的には2〜
5部にすることが行われる。
The above glycol ethers, imidazoles and imidazolines may be used as they are, or in a mixture with water or an alcohol such as methanol, ethanol or n-propanol, or an organic solvent such as toluene or xylene. Good. When mixed with an organic solvent, the amount of the organic solvent is usually glycol ethers,
The total amount of imidazoles and imidazolines is 100 parts by weight (hereinafter abbreviated as "part"), and is 50 parts or less, and most commonly 20 parts or less. Further, a conventionally used release agent such as stearic acid, carnauba wax, or stearylethylenediamide may be used in an appropriate amount, if necessary. When a release agent is used in combination, the amount used is unvulcanized rubber,
The total amount of 100 parts with at least one of the glycol ethers, imidazoles and imidazolines is 10 parts or less, and most commonly 2 to
There will be 5 copies.

【0019】上記グリコールエーテル類,イミダゾール
類,イミダゾリン類の単独もしくは併用物は、上記未加
硫ゴムと混合することによって未加硫ゴム生地となりク
リーニングシートとなる。この場合、グリコールエーテ
ル類,イミダゾール類,イミダゾリン類の単独もしくは
併用物は、未加硫ゴム100部に対して、通常5〜60
部配合される。好ましいのは15〜25部である。な
お、上記グリコールエーテル類はその沸点が130〜2
50℃程度であるのが好ましい。すなわち、金型成形
は、通常150〜185℃で行われるのであり、上記グ
リコールエーテル類の沸点が130℃未満であれば、洗
浄時の蒸発が著しく、したがって、洗浄作業環境の悪化
現象を生じる恐れがあり、逆に250℃を超えると、蒸
発が困難となって加硫ゴム中に残存し、加硫ゴムの、金
型からの取り出しの際の強度が弱くなって崩形等するた
め、金型表面から離型剤の酸化劣化層を充分剥離するこ
とができにくくなり、洗浄作業性を低下させる傾向がみ
られるからである。
The above glycol ethers, imidazoles and imidazolines, alone or in combination, are mixed with the above unvulcanized rubber to form unvulcanized rubber material and a cleaning sheet. In this case, the glycol ethers, imidazoles, and imidazolines alone or in combination are usually 5 to 60 parts with respect to 100 parts of the unvulcanized rubber.
Partly compounded. Preferred is 15 to 25 parts. The glycol ethers have a boiling point of 130 to 2
It is preferably about 50 ° C. That is, the mold molding is usually performed at 150 to 185 ° C., and if the boiling point of the glycol ether is less than 130 ° C., the evaporation during cleaning is remarkable, and therefore the cleaning work environment may deteriorate. On the contrary, when the temperature exceeds 250 ° C., it becomes difficult to evaporate and remains in the vulcanized rubber, and the strength of the vulcanized rubber when it is taken out from the mold is weakened and the metal is deformed. This is because it becomes difficult to sufficiently peel off the oxidation-deteriorated layer of the release agent from the mold surface, and the workability for cleaning tends to decrease.

【0020】また、上記未加硫ゴム生地からなるクリー
ニングシートには、補強剤としてシリカ,アルミナ,炭
酸カルシウム,水酸化アルミニウム,酸化チタン等の無
機質補強剤(充填剤)を配合することも可能である。こ
の場合、補強剤の使用量は、未加硫ゴム100部に対し
10〜50部に設定することが好適である。
Further, the cleaning sheet made of the unvulcanized rubber material may be blended with an inorganic reinforcing agent (filler) such as silica, alumina, calcium carbonate, aluminum hydroxide, titanium oxide as a reinforcing agent. is there. In this case, the amount of the reinforcing agent used is preferably set to 10 to 50 parts per 100 parts of unvulcanized rubber.

【0021】なお、未加硫ゴム生地からなるクリーニン
グシートは、塩素イオンとナトリウムイオンの合計含有
量が2000ppm以下であることが好適である。すな
わち、上記クリーニングシートによってトランスファー
モールド成形金型の金型面を洗浄する際に、クリーニン
グシート中に含有される塩素イオンやナトリウムイオン
が金型表面に残存し、半導体装置中にこれらイオン性不
純物が入り込む恐れがあるからであり、これらの半導体
装置中に上記イオン性不純物が入り込むと、耐湿信頼性
等信頼性の面で大きな問題を生じるようになるからであ
る。したがって、上記未加硫ゴム生地からなるクリーニ
ングシートの製造に際しては、使用原料を充分に吟味し
て、上記のようなイオン性不純分が含まれていないもの
を使用することが望まれる。
The cleaning sheet made of unvulcanized rubber material preferably has a total content of chlorine ions and sodium ions of 2000 ppm or less. That is, when cleaning the die surface of the transfer mold with the above cleaning sheet, chlorine ions and sodium ions contained in the cleaning sheet remain on the die surface, and these ionic impurities are contained in the semiconductor device. This is because there is a risk that they will enter, and if the above-mentioned ionic impurities enter these semiconductor devices, a serious problem will occur in terms of reliability such as moisture resistance reliability. Therefore, when manufacturing the cleaning sheet made of the unvulcanized rubber fabric, it is desirable to thoroughly examine the raw materials used and to use the one that does not contain the above ionic impurities.

【0022】なお、以上の説明は、上記未加硫ゴム生地
からなるクリーニングシートについて行っているが、ク
リーニングシートは、これに限るものではなく、上記離
型剤酸化劣化層等の除去効果を有していればどのような
ものを用いてもよい。
Although the above description has been made with respect to the cleaning sheet made of the unvulcanized rubber cloth, the cleaning sheet is not limited to this, and has the effect of removing the release agent oxidative deterioration layer and the like. Anything can be used as long as it is.

【0023】この発明は、半導体素子をトランスファー
成形により連続的に樹脂封止して半導体装置を連続的に
製造する際、上記のようなクリーニングシートを用いて
成形金型の金型面を洗浄したのち、さらにトランスファ
ー成形を連続適に行い半導体装置を製造する。この際、
使用する封止用の成形材料は特に限定するものではな
く、エポキシ樹脂成形材料等の従来公知の成形材料が用
いられ、また成形条件等も従来法に準じて設定される。
According to the present invention, when the semiconductor element is continuously resin-sealed by transfer molding to continuously manufacture the semiconductor device, the mold surface of the molding die is washed with the above cleaning sheet. After that, transfer molding is further appropriately performed to manufacture a semiconductor device. On this occasion,
The molding material used for sealing is not particularly limited, and a conventionally known molding material such as an epoxy resin molding material is used, and molding conditions and the like are set according to the conventional method.

【0024】このようにして製造された半導体装置は、
良好な洗浄状態になっている成形金型で成形されている
ため、封止樹脂の表面状態が極めて良好である。
The semiconductor device manufactured in this manner is
Since the molding die is molded in a good cleaning state, the surface condition of the sealing resin is extremely good.

【0025】[0025]

【発明の効果】この発明は、トランスファー成形に先立
ちクリーニングシートを用いて金型表面に形成された離
型剤の酸化劣化層を除去するとともに、パリ取りを行う
ため、金型洗浄を極めて容易に行うことができ、その
際、臭気等を生じない。また、バリ取りも安全に行うこ
とができる。その結果、封止樹脂の表面状態の極めて良
好な半導体装置を、高効率で連続的に、かつ安全に製造
することができる。
According to the present invention, prior to transfer molding, a cleaning sheet is used to remove the oxidation-deteriorated layer of the release agent formed on the surface of the mold, and deburring is performed. Therefore, cleaning of the mold is extremely easy. It can be carried out without causing odor or the like. Also, deburring can be performed safely. As a result, a semiconductor device in which the surface state of the sealing resin is extremely good can be manufactured with high efficiency, continuously, and safely.

【0026】つぎに、実施例について比較例と併せて詳
しく説明する。
Next, examples will be described in detail together with comparative examples.

【0027】[0027]

【実施例1】エチレンプロピレンターポリマーゴム(E
PT,三井石油化学工業社製,三井EPT4045)1
00部,シリカパウダー20部,酸化チタン5部,有機
過酸化物4部,ステアリン酸1部,ジエチレングリコー
ルジブチルエーテル20部を混練ロールで混練したの
ち、圧延ロールを用いて厚み7mmのシートに形成し金
型洗浄剤組成物を得た。
Example 1 Ethylene propylene terpolymer rubber (E
PT, Mitsui Petrochemical Industry Co., Ltd., Mitsui EPT4045) 1
After kneading 00 parts, 20 parts of silica powder, 5 parts of titanium oxide, 4 parts of organic peroxide, 1 part of stearic acid and 20 parts of diethylene glycol dibutyl ether with a kneading roll, a rolling roll is used to form a sheet having a thickness of 7 mm. A mold cleaning composition was obtained.

【0028】[0028]

【実施例2】ジエチレングリコールジブチルエーテルに
代えて、エチレングリコールモノエチルエーテルを用い
た。それ以外は実施例1と同様にしてシート状の金型洗
浄剤組成物を得た。
Example 2 In place of diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether was used. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0029】[0029]

【実施例3】スチレンブタジエンゴム(SBR,日本合
成ゴム社製,JSR−1502)100部,シリカパウ
ダー20部,水酸化アルミニウム15部,有機過酸化物
4部,ステアリン酸亜鉛1部,ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル15部を用い、実施例1と同様にして
シート状の金型洗浄剤組成物を得た。
Example 3 100 parts of styrene butadiene rubber (SBR, JSR-1502 manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), 20 parts of silica powder, 15 parts of aluminum hydroxide, 4 parts of organic peroxide, 1 part of zinc stearate, 1 part of diethylene glycol monomethyl. A sheet-shaped mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 using 15 parts of ether.

【0030】[0030]

【実施例4】ニトリルゴム(NBR,日本合成ゴム社
製,N−230SH)100部,シリカパウダー20
部,酸化チタン5部,有機過酸化物4部,ステアリン酸
1部,エチレングリコールモノエチルエーテル15部を
用い、実施例1と同様にしてシート状の金型洗浄剤組成
物を得た。
Example 4 100 parts of nitrile rubber (NBR, N-230SH manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), silica powder 20
Part, titanium oxide 5 parts, organic peroxide 4 parts, stearic acid 1 part, and ethylene glycol monoethyl ether 15 parts to obtain a sheet-shaped mold cleaning composition in the same manner as in Example 1.

【0031】[0031]

【実施例5】エチレングリコールモノエチルエーテルの
使用割合を12部に減少した。それ以外は実施例4と同
様にしてシート状の金型洗浄剤組成物を得た。
Example 5 The usage rate of ethylene glycol monoethyl ether was reduced to 12 parts. Otherwise in the same manner as in Example 4, a sheet-like mold cleaning composition was obtained.

【0032】[0032]

【実施例6】エチレングリコールモノエチルエーテルの
使用量を55部に増加した。それ以外は実施例4と同様
にしてシート状の金型洗浄剤組成物を得た。
Example 6 The amount of ethylene glycol monoethyl ether used was increased to 55 parts. Otherwise in the same manner as in Example 4, a sheet-like mold cleaning composition was obtained.

【0033】[0033]

【実施例7】EPTを単独で用いるのではなく、実施例
3で用いたSBRと併用(50:50)した。それ以外
は実施例1と同様にしてシート状の金型洗浄剤組成物を
得た。
Example 7 EPT was not used alone, but was used in combination with the SBR used in Example 3 (50:50). A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0034】[0034]

【実施例8】エチレンプロピレンターポリマーゴム(E
PT,三井石油化学工業社製,三井EPT4045)1
00部,シリカパウダー20部,酸化チタン5部,有機
過酸化物4部,ステアリン酸1部,2−エチル−4−メ
チルイミダゾール3部を混練ロールで混練したのち、圧
延ロールを用いて厚み7mmのシートに形成し、目的と
する金型洗浄剤組成物を得た。
Example 8 Ethylene propylene terpolymer rubber (E
PT, Mitsui Petrochemical Industry Co., Ltd., Mitsui EPT4045) 1
After kneading 00 parts, silica powder 20 parts, titanium oxide 5 parts, organic peroxide 4 parts, stearic acid 1 part, and 2-ethyl-4-methylimidazole 3 parts with a kneading roll, a rolling roll is used to obtain a thickness of 7 mm. The sheet was formed into a sheet to obtain the intended mold cleaning composition.

【0035】[0035]

【実施例9,10】2−エチル−4−メチルイミダゾー
ルの量をそれぞれ20部および50部に代えた。それ以
外は実施例1と同様にして目的とする金型洗浄剤組成物
を得た。
Examples 9, 10 The amount of 2-ethyl-4-methylimidazole was changed to 20 parts and 50 parts, respectively. Other than that was carried out similarly to Example 1, and obtained the target mold-cleaning composition.

【0036】[0036]

【実施例11,12】2−エチル−4−メチルイミダゾ
ールに代えて、2,4−ジアミノ−6〔2’−メチルイ
ミダゾリル−(1)’〕エチル−s−トリアジン(以下
「2MZ−AZINE」と略す)をそれぞれ3部および
20部用いた。それ以外は実施例1と同様にしてシート
状の金型洗浄剤組成物を得た。
Examples 11, 12 Instead of 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-diamino-6 [2'-methylimidazolyl- (1) '] ethyl-s-triazine (hereinafter "2MZ-AZINE") was used. Abbreviated) was used in 3 parts and 20 parts, respectively. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0037】[0037]

【実施例13】2−エチル−4−メチルイミダゾールに
代えて、2MZ−AZINE10部と1−シアノエチル
−2−メチルイミダゾール10部を併用した。それ以外
は実施例1と同様にしてシート状の金型洗浄剤組成物を
得た。
Example 13 In place of 2-ethyl-4-methylimidazole, 10 parts of 2MZ-AZINE and 10 parts of 1-cyanoethyl-2-methylimidazole were used in combination. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0038】[0038]

【実施例14,15】エチレンプロピレンターポリマー
ゴムに代えてスチレンブタジエンゴム(SBR,日本合
成ゴム社製,JSR−1502)100部を用い、2−
エチル−4−メチルイミダゾールに代えて2−メチルイ
ミダゾリンをそれぞれ5部および20部用いた。それ以
外は実施例1と同様にしてシート状の金型洗浄剤組成物
を得た。
Examples 14 and 15 100 parts of styrene-butadiene rubber (SBR, JSR-1502 manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) was used instead of the ethylene propylene terpolymer rubber, and
5 parts and 20 parts of 2-methylimidazoline were used instead of ethyl-4-methylimidazole, respectively. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0039】[0039]

【実施例16,17】エチレンプロピレンターポリマー
ゴムの半量を上記スチレンブタジエンゴムに代え、かつ
2−エチル−4−メチルイミダゾールに代えて2−フェ
ニルイミダゾリンをそれぞれ5部および20部用いた。
それ以外は実施例1と同様にしてシート状の金型洗浄剤
組成物を得た。
[Examples 16 and 17] Half of the ethylene propylene terpolymer rubber was replaced with the styrene-butadiene rubber, and 2-phenyl-4-methylimidazole was replaced with 2-phenylimidazoline in an amount of 5 parts and 20 parts, respectively.
A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0040】[0040]

【実施例18】エチレンプロピレンターポリマーに代え
て上記スチレンブタジエンゴム50部とニトリルゴム
(NBR,日本合成ゴム社製,N−230SH)50部
とを用い、かつ2−エチル−4−メチルイミダゾールに
代えて1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール10
部と1−シアノエチル−2−メチル−4−エチルイミダ
ゾリン10部を用いた。それ以外は実施例1と同様にし
てシート状の金型洗浄剤組成物を得た。
Example 18 In place of the ethylene propylene terpolymer, 50 parts of the above styrene-butadiene rubber and 50 parts of nitrile rubber (NBR, N-230SH manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) were used and 2-ethyl-4-methylimidazole was prepared. Instead 1-cyanoethyl-2-methylimidazole 10
Parts and 10 parts of 1-cyanoethyl-2-methyl-4-ethylimidazoline. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0041】[0041]

【比較例1】ジエチレングリコールジブチルエーテルに
代えて、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノールを
用いた。それ以外は実施例1と同様にしてシート状の金
型洗浄剤組成物を得た。
Comparative Example 1 2-Amino-2-methyl-1-propanol was used in place of diethylene glycol dibutyl ether. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0042】[0042]

【比較例2】エチレングリコールモノエチルエーテルに
代えて、トルエンを用いた。それ以外は実施例2と同様
にしてシート状の金型洗浄剤組成物を得た。
Comparative Example 2 Toluene was used instead of ethylene glycol monoethyl ether. A sheet-like mold cleaning composition was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above.

【0043】[0043]

【比較例3】ジエチレングリコールモノメチルエーテル
に代えて、ジイソプロピルケトンを用いた。それ以外は
実施例3と同様にしてシート状の金型洗浄剤組成物を得
た。
Comparative Example 3 Diisopropyl ketone was used in place of diethylene glycol monomethyl ether. Otherwise in the same manner as in Example 3, a sheet-shaped mold cleaning composition was obtained.

【0044】[0044]

【比較例4】エチレングリコールモノエチルエーテルに
代えて、エタノールを用いた。それ以外は実施例4と同
様にしてシート状の金型洗浄剤組成物を得た。
Comparative Example 4 Ethanol was used in place of ethylene glycol monoethyl ether. Otherwise in the same manner as in Example 4, a sheet-like mold cleaning composition was obtained.

【0045】以上の実施例および比較例で得られた金型
洗浄剤組成物を、離型剤の酸化劣化層が形成された熱硬
化性樹脂成形用金型に挟み、175℃で4分間加硫し、
加硫後ただちに金型を開いて成形された加硫ゴムを取り
出した。この場合における金型表面の洗浄性および臭気
に起因する作業環境の悪化等を調べた。また、洗浄後の
金型を用い、半導体素子を通常の条件でトランスファー
モールド成形して半導体装置化し、得られた装置の封止
樹脂の表面状態を目視観察し、その結果を、上記の試験
結果とともに、下記の表1〜表5にまとめて示した。
The mold cleaning composition obtained in each of the above Examples and Comparative Examples was sandwiched between thermosetting resin molding molds in which an oxidation-deteriorated layer of a release agent was formed, and heated at 175 ° C. for 4 minutes. Sulphate,
Immediately after vulcanization, the mold was opened and the molded vulcanized rubber was taken out. In this case, the mold surface cleanability and the deterioration of the work environment due to the odor were investigated. In addition, using a mold after cleaning, a semiconductor element is transfer-molded under normal conditions into a semiconductor device, and the surface state of the sealing resin of the obtained device is visually observed, and the result is the above test results. In addition, the results are collectively shown in Tables 1 to 5 below.

【0046】[0046]

【表1】 [Table 1]

【0047】[0047]

【表2】 [Table 2]

【0048】[0048]

【表3】 [Table 3]

【0049】[0049]

【表4】 [Table 4]

【0050】[0050]

【表5】 [Table 5]

【0051】上記の表1〜5から明らかなように、実施
例によれば、熱硬化性樹脂成形用金型から取り出した加
硫ゴムの表面に、金型表面の離型剤酸化劣化層が転写さ
れ付着しており、それによって金型のキャビティ面が充
分に洗浄されていた。また、この洗浄作業の際に、臭気
の発生もなく、したがって、洗浄作業性は全く問題はな
かった。これに対して、比較例は、金型洗浄性もしくは
臭気のいずれかに問題があり、良好な結果が得られなか
った。その結果、上記金型を用いて得られた半導体装置
の封止樹脂は、その表面の状態において、実施例のもの
が平滑で光沢もあったのに対し、比較例、特に比較例2
〜4のものは微妙に凹凸になっており光沢がなかった。
As is clear from Tables 1 to 5 above, according to the examples, the surface of the vulcanized rubber taken out from the thermosetting resin molding die has a release agent oxidation deterioration layer on the surface of the die. Transferred and adhered, whereby the cavity surface of the mold was sufficiently cleaned. In addition, no odor was generated during the cleaning work, and therefore the cleaning workability was not a problem at all. On the other hand, in the comparative example, there were problems in mold cleaning property or odor, and good results were not obtained. As a result, regarding the sealing resin of the semiconductor device obtained by using the above-mentioned mold, the surface of the resin had smoothness and gloss, while the comparative example, especially the comparative example 2
Nos. 4 to 4 were slightly uneven and were not glossy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a conventional example.

フロントページの続き (72)発明者 高島 浩一 佐賀県神埼郡三田川町大字吉田2307番地の 2 九州日東電工株式会社内Front Page Continuation (72) Koichi Takashima, 2307, Yoshida, Ota, Mitagawa-cho, Kanzaki-gun, Saga Prefecture 2 Kyushu Nitto Denko Corporation

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランスファーモールド成形によって半
導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する半導体装
置の製法であって、上記トランスファーモールド成形に
先立って、一対のトランスファー成形金型の間にクリー
ニングシートを挟み加熱加圧することにより上記一対の
トランスファー成形金型の型面を上記クリーニングシー
トで洗浄することを特徴とする半導体装置の製法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is resin-sealed by transfer molding to manufacture a semiconductor device, wherein a cleaning sheet is provided between a pair of transfer molding dies prior to the transfer molding. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising cleaning the mold surfaces of the pair of transfer molding dies with the cleaning sheet by sandwiching, heating and pressing.
【請求項2】 クリーニングシートが、未加硫ゴム生地
で構成されている請求項1記載の半導体装置の製法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the cleaning sheet is made of unvulcanized rubber material.
【請求項3】 未加硫ゴム生地が未加硫ゴムと除去助剤
とからなる請求項2記載の半導体装置の製法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the unvulcanized rubber material comprises unvulcanized rubber and a removal aid.
【請求項4】 除去助剤が、グリコールエーテル類,イ
ミダゾール類およびイミダゾリン類からなる群から選択
された少なくとも一つの化合物である請求項3記載の半
導体装置の製法。
4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the removal aid is at least one compound selected from the group consisting of glycol ethers, imidazoles, and imidazolines.
【請求項5】 未加硫ゴム生地が、塩素イオンとナトリ
ウムイオンの合計含有量が2000ppm 以下に抑制され
ているものである請求項2〜4のいずれかに記載の半導
体装置の製法。
5. The method for producing a semiconductor device according to claim 2, wherein the unvulcanized rubber material has a total content of chlorine ions and sodium ions suppressed to 2000 ppm or less.
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