JPH07273101A - Single sheet heat treatment system - Google Patents
Single sheet heat treatment systemInfo
- Publication number
- JPH07273101A JPH07273101A JP8557494A JP8557494A JPH07273101A JP H07273101 A JPH07273101 A JP H07273101A JP 8557494 A JP8557494 A JP 8557494A JP 8557494 A JP8557494 A JP 8557494A JP H07273101 A JPH07273101 A JP H07273101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- wafer
- heat treatment
- processing chamber
- transfer medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、枚葉式熱処理装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-wafer heat treatment apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体デバイスがその
表面に形成される半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）の製造工程を例にとって説明すると、従来からウエ
ハ表面に薄膜を形成する際に使用されている枚葉式の処
理装置は、いわゆるコールドウォール方式のＣＶＤ装置
として構成されており、処理室内に設けられた載置手段
にウエハを載置し、載置手段下部からの加熱によって前
記ウエハを所定の温度にまで加熱した状態で、この処理
室内に処理ガスを導入させることによってウエハ表面に
所定の薄膜を形成するように構成されていた。例えば処
理室内にＯ2（酸素）を導入し、さらにウエハを例えば
１０００゜Ｃ〜１１００゜Ｃに加熱することにより、こ
のウエハ表面には酸化膜が形成されるが、このような酸
化膜形成方法は、一般的にドライ酸化方法と呼ばれてい
る。2. Description of the Related Art An example of a manufacturing process of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") having a semiconductor device such as an LSI formed on its surface will be described as an example. Conventionally, it has been used for forming a thin film on the surface of a wafer. The single-wafer processing apparatus is configured as a so-called cold wall type CVD apparatus, in which a wafer is mounted on a mounting means provided in a processing chamber, and the wafer is heated by heating from below the mounting means. In the state of being heated to a predetermined temperature, a processing gas is introduced into the processing chamber to form a predetermined thin film on the wafer surface. For example, by introducing O 2 (oxygen) into the processing chamber and then heating the wafer to, for example, 1000 ° C. to 1100 ° C., an oxide film is formed on the surface of the wafer. Is generally called a dry oxidation method.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところでウエハ表面に
酸化膜を形成する方法には、前記のドライ酸化方法の他
に、ウエット酸化方法と呼ばれる方法がある。このウエ
ット酸化方法は、処理室内に例えば高温の水蒸気を導入
し、比較的厚い酸化膜をウエハ表面に高速で形成する際
に用いられている。By the way, as a method of forming an oxide film on the surface of a wafer, there is a method called a wet oxidation method in addition to the above-mentioned dry oxidation method. This wet oxidation method is used when, for example, high-temperature steam is introduced into the processing chamber to form a relatively thick oxide film on the wafer surface at high speed.
【０００４】そして従来は前記したＣＶＤ処理を実施す
る装置と、このウエット酸化方法を実施する装置とで
は、その装置構成が全く異なっていた。換言すれば、従
来のＣＶＤ装置では、前記のウエット酸化方法を実施す
ることができなかったのである。即ち従来の枚葉式のコ
ールドウォールタイプのＣＶＤ装置においては、文字ど
おり、処理室内壁が比較的低温（例えば＋５０゜Ｃ）に
保つように構成してあり、処理中に反応性生物が処理室
内壁などに付着しないように配慮されていたのである。Conventionally, the apparatus for performing the above-mentioned CVD process and the apparatus for performing this wet oxidation method have completely different apparatus configurations. In other words, the conventional CVD apparatus could not carry out the above-mentioned wet oxidation method. That is, in the conventional single-wafer type cold wall type CVD apparatus, literally, the inner wall of the processing chamber is configured to be kept at a relatively low temperature (for example, + 50 ° C.), and the reactive organisms are treated inside the inner wall of the processing chamber during processing. It was designed so that it would not adhere to such things.
【０００５】しかしながらかかる装置構成によって既述
のウエット酸化処理を行うと、処理室内壁がそのような
低温のため、当該内壁に結露が生じてウエハに悪影響を
与えてしまうのであった。そのため従来の枚葉式のＣＶ
Ｄ装置では、ウエット酸化処理を実施することができな
かったのである。However, when the above-described wet oxidation process is performed by such an apparatus structure, the temperature of the inner wall of the processing chamber is such low that dew condensation occurs on the inner wall and adversely affects the wafer. Therefore, the conventional single-wafer CV
The apparatus D could not perform the wet oxidation treatment.
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、基本的には従来の枚葉式のＣＶＤ処理が可能な熱
処理装置の構成を採るが、そのままの装置構成でウエッ
ト酸化処理も可能な、いわばハイブリット方式の熱処理
装置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的とす
るものである。The present invention has been made in view of the above point, and basically adopts the structure of a conventional heat treatment apparatus capable of single-wafer CVD processing, but wet oxidation processing is also possible with the same apparatus structure. It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems by providing a so-called hybrid type heat treatment apparatus.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的達成のため、請
求項１によれば、処理室内の載置手段に載置された被処
理体に対して、所定の熱処理を施す如く構成された枚葉
式の熱処理装置であって、前記処理室内に処理ガス及び
水蒸気が夫々独立して供給自在となるように構成される
と共に、前記処理室を形成する処理容器自体は、その内
部に伝熱媒体が流通される如く構成され、この伝熱媒体
によって少なくとも当該処理室内壁表面が、１００゜Ｃ
以上に加熱自在となるように構成されたことを特徴とす
る、枚葉式熱処理装置が提供される。In order to achieve the above object, according to claim 1, a sheet configured to perform a predetermined heat treatment on an object to be processed placed on a mounting means in a processing chamber. A leaf type heat treatment apparatus, wherein the processing gas and steam are independently supplied into the processing chamber, and the processing container itself forming the processing chamber has a heat transfer medium inside. The heat transfer medium causes at least the surface of the inner wall of the processing chamber to reach 100 ° C.
There is provided a single-wafer heat treatment apparatus characterized by being configured to be freely heated as described above.
【０００８】また処理室内壁とは、側壁のみならず、処
理室内雰囲気と直接接して結露するおそれのある部位、
例えば底板や天板、さらには処理室内で被処理体と対向
している処理ガス流出口や処理ガス拡散板などをも含む
意味である。Further, the inner wall of the processing chamber means not only the side wall but also a portion which may come into direct contact with the atmosphere in the processing chamber to cause dew condensation.
For example, it is meant to include a bottom plate, a top plate, a processing gas outlet facing the object to be processed in the processing chamber, a processing gas diffusion plate, and the like.
【０００９】また請求項２によれば、処理室内の載置手
段に載置された被処理体に対して、所定の熱処理を施す
如く構成された枚葉式の熱処理装置であって、前記処理
室内に処理ガス及び水蒸気が夫々独立して供給自在とな
るように構成されると共に、前記処理室を形成する処理
容器には加熱装置が設けられ、この加熱装置によって少
なくとも処理室内壁表面が、１００゜Ｃ以上に加熱自在
となるように構成されたことを特徴とする、枚葉式熱処
理装置が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided a single-wafer-type heat treatment apparatus configured to perform a predetermined heat treatment on an object to be processed placed on a placing means in a processing chamber. The processing gas and the water vapor are independently supplied into the chamber, and a heating device is provided in the processing container forming the processing chamber. Provided is a single-wafer-type heat treatment apparatus, which is characterized in that it can be heated to a temperature of ° C or higher.
【００１０】この場合の前記加熱装置は、請求項３に記
載したように、例えば抵抗発熱体を用いるなどして抵抗
加熱方式の加熱装置として構成してもよく、請求項４に
記載したように、処理容器外部を覆う形態の加熱ジャケ
ットとして構成し、その内部に伝熱媒体を流通させる如
く構成して、この伝熱媒体によって少なくとも処理室内
壁表面を加熱するように構成してもよい。In this case, the heating device may be configured as a resistance heating type heating device by using, for example, a resistance heating element as described in claim 3, and as described in claim 4. The heating jacket may be configured so as to cover the outside of the processing container, the heat transfer medium may be circulated in the heating jacket, and at least the surface of the inner wall of the processing chamber may be heated by the heat transfer medium.
【００１１】請求項１、４に記載された枚葉式熱処理装
置に使用する伝熱媒体としては、請求項５に記載したエ
チレングリコールを主剤とした不揮発性の液体とした
り、あるいは請求項６に記載した油であってもよく、さ
らには請求項７に記載したように、気体であってもよ
い。The heat transfer medium used in the single-wafer heat treatment apparatus described in claims 1 and 4 is the non-volatile liquid containing ethylene glycol as a main component described in claim 5, or in claim 6. It may be the oil described, or it may be gas, as described in claim 7.
【００１２】また加熱する温度は、請求項８に記載した
ように、その上限を３００゜Ｃに設定するように構成し
てもよい。The heating temperature may be set so that the upper limit thereof is set to 300 ° C.
【００１３】そして以上のように構成される枚葉式熱処
理装置において、請求項９に記載したように、処理室内
を所定の減圧度にまで真空引き自在となるように構成し
てもよい。Further, in the single-wafer heat treatment apparatus configured as described above, as described in claim 9, the inside of the processing chamber may be evacuated to a predetermined degree of reduced pressure.
【００１４】[0014]
【作用】請求項１によれば、処理容器自体内部の伝熱媒
体によって、少なくとも当該処理室内壁表面が１００゜
Ｃ以上、即ち結露温度以上に加熱することができるの
で、処理室内に水蒸気を導入しても、当該処理室内壁表
面が結露することはない。従って既述したウエット酸化
方法や、さらにはＯ2（酸素）とＨＣｌ（塩素）との混
合ガスによって酸化処理する塩素酸化処理を実施するこ
とが可能である。しかも処理室内壁表面がそのように１
００゜Ｃ以上になっているので、被処理体の周辺部は処
理室内壁からの輻射を受け、その結果、通常この種の熱
処理で問題となることが多い被処理体中央部との温度差
を、小さくすることができる。According to the first aspect of the present invention, at least the surface of the inner wall of the processing chamber can be heated to 100 ° C. or higher, that is, the condensation temperature or higher by the heat transfer medium inside the processing chamber itself, so that the steam is introduced into the processing chamber. However, dew does not form on the surface of the inner wall of the processing chamber. Therefore, it is possible to carry out the above-described wet oxidation method and further the chlorine oxidation treatment in which the oxidation treatment is performed by the mixed gas of O 2 (oxygen) and HCl (chlorine). Moreover, the surface of the inner wall of the processing chamber is 1
Since the temperature is higher than 00 ° C, the peripheral part of the object to be processed receives radiation from the inner wall of the processing chamber, and as a result, the temperature difference from the central part of the object to be processed is often a problem in this type of heat treatment. Can be made smaller.
【００１５】また請求項２によっても、加熱装置によっ
て少なくとも処理室内壁表面が、１００゜Ｃ以上に加熱
されるので、処理室内に水蒸気を導入しても、当該処理
室内壁表面が結露することはない。Further, according to the second aspect, at least the surface of the inner wall of the processing chamber is heated to 100 ° C. or higher by the heating device, so that even if water vapor is introduced into the processing chamber, the surface of the inner wall of the processing chamber is not condensed. Absent.
【００１６】請求項３のように加熱装置を抵抗加熱方式
とした場合には、処理容器の設計、構成が容易であり、
請求項４に記載したように、処理容器外部を覆う形態の
加熱ジャケットとして構成し、その内部に伝熱媒体を流
通させる如く構成した場合には、処理室内壁を均等に加
熱させることができ、処理に悪影響を与える無用な対流
を処理室内に引き起こすおそれはない。When the heating device is of the resistance heating type as in claim 3, the design and construction of the processing container is easy,
As described in claim 4, when the heating jacket is configured to cover the outside of the processing container and the heat transfer medium is circulated in the heating jacket, the inside wall of the processing chamber can be heated uniformly. There is no possibility of causing unnecessary convection in the processing chamber, which adversely affects the processing.
【００１７】前記した処理容器自体の内部や加熱ジャケ
ット内部に流通させる伝熱媒体に、請求項５に記載した
エチレングリコールを主剤とした不揮発性の液体を用い
れば、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に加熱することが容
易である。しかもこの種の液体は例えばエンジン冷却用
の不凍液として用いられており、その入手、取扱が容易
であり、そのうえ沸点が約２００゜Ｃ前後であるので、
必要以上に加熱するおそれもない。さらに処理容器や加
熱ジャケットを伝熱製良好なアルミニウムで構成して
も、これらを腐食するおそれはない。When the non-volatile liquid containing ethylene glycol as a main component described in claim 5 is used as the heat transfer medium which is circulated in the processing container itself or the heating jacket, the inner wall of the processing chamber is 100 ° C. or more. Easy to heat to. Moreover, this type of liquid is used, for example, as an antifreeze liquid for engine cooling, and it is easy to obtain and handle, and the boiling point is about 200 ° C.
There is no danger of heating more than necessary. Further, even if the processing container and the heating jacket are made of aluminum, which is excellent in heat transfer, there is no risk of corroding them.
【００１８】請求項６に記載したように、伝熱媒体とし
て油を用いた場合にも、沸点は１００゜Ｃ以上であるの
で、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に加熱することが可能
である。またその入手、取扱も容易であり、処理容器や
加熱ジャケットを腐食させることもない。As described in claim 6, even when oil is used as the heat transfer medium, the boiling point is 100 ° C. or higher, so that the inner wall of the processing chamber can be heated to 100 ° C. or higher. . Moreover, it is easy to obtain and handle, and does not corrode the processing container or the heating jacket.
【００１９】請求項７に記載したように、伝熱媒体とし
て気体を用いれば、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に加熱
することは容易であり、例えば不活性ガスであるＮ
2（窒素）、Ａｒ（アルゴン）を用いれば、入手、取扱
いが容易であり、また処理容器や加熱ジャケットを腐食
させることがない。If a gas is used as the heat transfer medium as described in claim 7, it is easy to heat the inner wall of the processing chamber to 100 ° C. or higher. For example, N which is an inert gas is used.
If 2 (nitrogen) or Ar (argon) is used, it is easy to obtain and handle, and the processing container and heating jacket are not corroded.
【００２０】また加熱する温度は、請求項８に記載した
ように、その上限を３００゜Ｃに設定すれば、例えば処
理容器の材質に一般的なアルミニウムを選択しても、こ
れを変形させるおそれはない。Further, if the upper limit of the heating temperature is set to 300 ° C. as described in claim 8, even if general aluminum is selected as the material of the processing container, it can be deformed. That's not it.
【００２１】そして処理室内を所定の減圧度にまで真空
引き自在となるように構成すれば、減圧ＣＶＤ処理や減
圧酸化処理が可能な装置として構成でき、実施可能な熱
処理の種類が増加する。If the processing chamber is constructed so that it can be evacuated to a predetermined degree of reduced pressure, it can be constructed as an apparatus capable of performing reduced pressure CVD processing and reduced pressure oxidation processing, and the types of heat treatment that can be carried out increase.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明すると、図１は本実施例にかかる熱処理装置１の断
面を模式的に示しており、この熱処理装置１における処
理室を形成する処理容器２はアルミニウム製の略円筒状
の外形をなしており、その底部中央部は、上方に凸に成
形されており、当該中央部には、石英製の透過窓３が設
けられている。そして当該透過窓３の周縁部上方には、
環状の載置部４が形成されており、この載置部４には、
さらに上下動自在なプッシャーピン５が複数設けられて
いる。なお被処理体であるウエハＷは、このプッシャー
ピン５によって授受され、前記載置部４上に載置される
ようになっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 schematically shows a cross section of a heat treatment apparatus 1 according to this embodiment, and a processing chamber in the heat treatment apparatus 1 is formed. The processing container 2 is made of aluminum and has a substantially cylindrical outer shape. The central portion of the bottom portion is formed to be convex upward, and the transparent window 3 made of quartz is provided in the central portion. . And above the peripheral portion of the transmission window 3,
An annular mounting portion 4 is formed, and on this mounting portion 4,
Further, a plurality of vertically movable pusher pins 5 are provided. The wafer W, which is an object to be processed, is transferred by the pusher pin 5 and placed on the placing unit 4.
【００２３】また前記処理容器２の底部には、処理容器
２外部に設置されている、例えばターボ分子ポンプなど
の真空引き手段６に通ずる排気管７が設けられており、
この真空引き手段６によって、処理容器２内は、所定の
減圧度、例えば１０-6Ｔｏｒｒにまで真空引き可能なよ
うに構成されている。Further, at the bottom of the processing container 2, there is provided an exhaust pipe 7 communicating with a vacuuming means 6 such as a turbo molecular pump installed outside the processing container 2.
The inside of the processing container 2 can be evacuated to a predetermined decompression degree, for example, 10 −6 Torr by the evacuation means 6.
【００２４】前記透過窓３の下方における処理容器２外
部には、前記ウエハＷを所定温度、例えば６００゜Ｃ〜
１２００゜Ｃにまで加熱するための、加熱ランプ１１が
ターンテーブル１２上に複数配設されており、さらにこ
のターンテーブル１２は、モータなどの回転駆動機構１
３によって所定の速度で回転自在となるように構成され
ており、前記ウエハＷを加熱する場合には、この回転駆
動機構１３によってターンテーブル１２が回転しながら
加熱するように構成されている。従って前記ウエハＷを
ムラなく均一に加熱することが可能である。The wafer W is provided outside the processing container 2 below the transmission window 3 at a predetermined temperature, for example, 600 ° C. or above.
A plurality of heating lamps 11 for heating up to 1200 ° C. are arranged on a turntable 12, and the turntable 12 is a rotary drive mechanism 1 such as a motor.
3 is configured to be rotatable at a predetermined speed, and when heating the wafer W, the rotation drive mechanism 13 is configured to heat the turntable 12 while rotating. Therefore, the wafer W can be uniformly heated.
【００２５】前記処理容器２における、載置部４と対向
した上部には、処理容器２の一部を構成するシャワーヘ
ッド２１が設けられている。このシャワーヘッド２１
は、支持板２２とこの支持板２２の下面に設けられた拡
散板２３とによって構成された中空形状をなし、さらに
この拡散板２３の下面には、多数の拡散孔２４が穿設さ
れている。A shower head 21 forming a part of the processing container 2 is provided on the upper portion of the processing container 2 facing the mounting portion 4. This shower head 21
Has a hollow shape composed of a support plate 22 and a diffusion plate 23 provided on the lower surface of the support plate 22, and a large number of diffusion holes 24 are formed on the lower surface of the diffusion plate 23. .
【００２６】前記シャワーヘッド２１の支持板２２の中
央には、導入口２５が設けられており、この導入口２５
には、まず処理ガス導入管３１が一方で接続されてい
る。そしてこの処理ガス導入管３１は、３つに分岐さ
れ、さらに夫々管路を開閉自在なバルブ３２、流量を調
節するためのマスフローコントローラ３３を介して、各
分岐された管には、各々処理ガス供給源３４、３５、３
６が独立して接続されている。本実施例においては、処
理ガス供給源３４にはＯ2（酸素ガス）、処理ガス供給
源３５にはＨ2（水素ガス）、処理ガス供給源３６には
ＳｉＨ4（モノシラン）が用意されている。An introduction port 25 is provided in the center of the support plate 22 of the shower head 21, and the introduction port 25 is provided.
First, the processing gas introduction pipe 31 is connected to one side. The processing gas introducing pipe 31 is divided into three, and the processing gas is introduced into each of the branched pipes via a valve 32 that can open and close the pipe, and a mass flow controller 33 for adjusting the flow rate. Source 34, 35, 3
6 are independently connected. In this embodiment, O 2 (oxygen gas) is prepared as the processing gas supply source 34, H 2 (hydrogen gas) is prepared as the processing gas supply source 35, and SiH 4 (monosilane) is prepared as the processing gas supply source 36. There is.
【００２７】他方前出導入口２５には、水蒸気導入管４
１が接続されており、シャワーヘッド２１内への導入
が、前出処理ガス導入管３１からの処理ガスとこの水蒸
気導入管４１からの水蒸気とが、任意に切り換えられる
構成となっている。そして前記水蒸気導入管４１には、
Ｈ2（水素ガス）とＯ2（酸素ガス）を燃焼（反応）させ
て水蒸気を発生させる燃焼装置４２が、水蒸気供給管路
４３を介して接続されている。この燃焼装置４２は、石
英製の燃焼容器を備えており、二重構造のガス導入管４
４を通じて夫々独立して供給されるＨ2（水素ガス）と
Ｏ2（酸素ガス）とを反応させて水蒸気を発生させる構
造を有している。On the other hand, the water vapor introducing pipe 4 is provided at the above-mentioned introducing port 25.
1 is connected, and the introduction into the shower head 21 is configured so that the processing gas from the preceding processing gas introduction pipe 31 and the steam from the steam introduction pipe 41 can be arbitrarily switched. And, in the steam introducing pipe 41,
A combustion device 42 that combusts (reacts) H 2 (hydrogen gas) and O 2 (oxygen gas) to generate water vapor is connected via a water vapor supply conduit 43. The combustion device 42 includes a combustion container made of quartz, and has a double-structured gas introduction pipe 4
4 has a structure for reacting H 2 (hydrogen gas) and O 2 (oxygen gas), which are independently supplied, to generate water vapor.
【００２８】本実施例においては、Ｈ2（水素ガス）
は、切替バルブ４５、マスフローコントローラ４６を介
して接続されているガス供給源４７からガス導入管４４
の内管部分に供給され、これに対しＯ2（酸素ガス）の
方は、マスフローコントローラ４８を介して接続されて
いるガス供給源４９からガス導入管４４の外管部分に供
給されるように構成されている。また本実施例では、前
記切替バルブ４５から分岐した管路に、マスフローコン
トローラ５０を介して、パージガスであるＮ2（窒素ガ
ス）を供給するガス供給源５１が接続されている。In this embodiment, H 2 (hydrogen gas)
From the gas supply source 47 connected through the switching valve 45 and the mass flow controller 46 to the gas introduction pipe 44.
O 2 (oxygen gas), on the other hand, is supplied to the outer pipe portion of the gas introduction pipe 44 from the gas supply source 49 connected via the mass flow controller 48. It is configured. Further, in the present embodiment, a gas supply source 51 for supplying N 2 (nitrogen gas) as a purge gas is connected to the pipe branching from the switching valve 45 via the mass flow controller 50.
【００２９】そして前記ガス導入管４４の周囲には、Ｈ
2（水素ガス）とＯ2（酸素ガス）とを自然着火温度以上
に加熱するためのガス加熱ヒータ５２が設けられてお
り、そのようにして自然着火温度以上に加熱されたこれ
らＨ2（水素ガス）とＯ2（酸素ガス）とが、燃焼容器内
で混合されて燃焼し、それによって水蒸気が発生するよ
うになっている。Around the gas introducing pipe 44, H
A gas heater 52 for heating 2 (hydrogen gas) and O 2 (oxygen gas) to a temperature above the spontaneous ignition temperature is provided, and thus H 2 (hydrogen) heated above the spontaneous ignition temperature is provided. (Gas) and O 2 (oxygen gas) are mixed and burned in the combustion container, whereby steam is generated.
【００３０】他方燃焼装置４２の周囲には、前記発生し
た高温の水蒸気を、例えば５００゜Ｃ程度にまで冷却す
るための冷却機構５３が設けられている。さらに前記水
蒸気供給管路４３の途中には、絞り部５４が設けられて
水蒸気の圧力調整がなされ、この絞り部５４を通過する
際の断熱膨張によって降温した水蒸気を結露させないた
めに、前記絞り部５４の下流側には、絞り部５４通過直
後の水蒸気を、例えば２００゜Ｃにまで加熱するための
水蒸気加熱ヒータ５５が設けられている。On the other hand, a cooling mechanism 53 for cooling the generated high temperature steam to, for example, about 500 ° C. is provided around the combustion device 42. Further, a throttle portion 54 is provided in the middle of the water vapor supply pipeline 43 to adjust the pressure of the water vapor, and in order to prevent the vapor which has been cooled by adiabatic expansion when passing through the throttle portion 54 from being condensed, the throttle portion is On the downstream side of 54, a steam heater 55 is provided for heating the steam immediately after passing through the throttle 54 to, for example, 200 ° C.
【００３１】そして本発明の特徴である処理容器内壁を
結露温度以上にするための構成は次のようになってい
る。まず処理容器３の内部には、伝熱媒体が流通するた
めの流路６１が形成されている。この流路６１は、例え
ば入口６２が処理容器２の上部に形成され、出口６３が
処理容器２の下部に形成された構造を有しており、例え
ば入口６２から流入した伝熱媒体は、処理容器２の上部
を巡り、側壁部分に移ってから順次螺旋状に下降して、
前出載置部４の下部を巡ってから出口６３から排出され
るようにしたり、あるいは環状の流路を上下平行に形成
し、これら各環状の流路を垂直流路で連通させるように
構成してもよい。要は流路６１内に淀みが生じないよう
に、処理容器２内に形成すればよい。The structure for raising the inner wall of the processing container to a temperature above the condensation temperature, which is a feature of the present invention, is as follows. First, a flow path 61 is formed inside the processing container 3 for the heat transfer medium to flow therethrough. The flow path 61 has a structure in which, for example, an inlet 62 is formed in the upper portion of the processing container 2 and an outlet 63 is formed in the lower portion of the processing container 2. For example, the heat transfer medium flowing from the inlet 62 is After going around the upper part of the container 2 and moving to the side wall part, it descends in a spiral shape in sequence,
It is configured such that it goes around the lower part of the loading / unloading section 4 and then is discharged from the outlet 63, or that the annular flow paths are formed in parallel with each other and these annular flow paths are connected by vertical flow paths. You may. In short, it may be formed in the processing container 2 so that stagnation does not occur in the flow path 61.
【００３２】そして出口６３から処理容器２外部に出た
伝熱媒体は、熱交換器６４を経て、ポンプ６５によって
再び入口６２へと供給される構成を有している。この熱
交換器６４において、前記伝熱媒体は加熱ヒータ６６を
介して、所定の温度に加熱されるようになっている。ま
た前記加熱ヒータ６６は、入口６２付近に設置された温
度センサ６７と、出口６３付近に設置された温度センサ
６８の各検出信号に基づいて制御を行うコントローラ６
９によって制御され、さらに前出ポンプ６５もこのコン
トローラ６９によって制御されるように構成されてい
る。かかる構成により、前記流路６１内での熱損失等が
勘案されて、前記加熱ヒータ６６による加熱程度、ポン
プ６５による流速が夫々調整されて、流路６１を流通す
る伝熱媒体による処理容器２の内壁温度が、所定温度に
制御されるようになっている。The heat transfer medium that has flowed out of the processing container 2 from the outlet 63 is supplied to the inlet 62 again by the pump 65 via the heat exchanger 64. In the heat exchanger 64, the heat transfer medium is heated to a predetermined temperature via the heater 66. The heater 66 controls the temperature sensor 67 installed near the inlet 62 and the temperature sensor 68 installed near the outlet 63 based on the detection signals.
9 and the pump 65 is also controlled by the controller 69. With such a configuration, the heat loss in the flow path 61 and the like are taken into consideration, the heating degree by the heater 66 and the flow rate by the pump 65 are adjusted, and the processing container 2 using the heat transfer medium flowing through the flow path 61 is adjusted. The inner wall temperature of is controlled to a predetermined temperature.
【００３３】また本実施例で使用した伝熱媒体は、例え
ば自動車のエンジン冷却用に用いられている不凍液（沸
点が約２００゜Ｃ）を使用した。The heat transfer medium used in this embodiment was, for example, an antifreeze liquid (boiling point: about 200 ° C.) used for cooling an engine of an automobile.
【００３４】一方この処理容器２の一部を構成する前出
シャワーヘッド２１の拡散板２３を結露温度以上にする
ための構成は次のようになっている。即ち拡散板２３の
上面に、絶縁性を有する図２に示したような加熱板７１
が設置されている。この加熱板７１は、拡散板２３の内
側に合わせた大きさ、形態を有する円板形状をなし、さ
らに拡散板２３の拡散孔２４と適合した数、大きさ、位
置関係を有する透孔７２が穿設されており、前記拡散孔
２４の拡散を妨げない構造となっている。On the other hand, the structure for making the diffusion plate 23 of the shower head 21 constituting a part of the processing container 2 above the dew condensation temperature is as follows. That is, on the upper surface of the diffusion plate 23, a heating plate 71 having an insulating property as shown in FIG.
Is installed. The heating plate 71 has a disk shape having a size and shape adapted to the inside of the diffusion plate 23, and further has through holes 72 having a number, size, and positional relationship suitable for the diffusion holes 24 of the diffusion plate 23. The holes are provided so that the diffusion of the diffusion holes 24 is not hindered.
【００３５】そしてこれら透孔７２を覆うことがないよ
うに、発熱体７３が加熱板７１の上部に巡らされてお
り、交流電源７４からの交流電流が通電されることによ
って、発熱するようになっており、加熱板７１を所定の
温度、例えば２００゜Ｃにまで加熱することが可能であ
る。また本実施例では、シャワーヘッド２１の支持板２
２内部にも前記発熱体７３が同時に配設されている。な
おこの発熱体７３に、例えば架橋した結晶性の熱可塑性
樹脂にカーボンブラックを配合した材質を使用すれば、
ある温度にまで上昇すれば極端に導電率が低下するの
で、発熱量が自己制御され、過度の加熱を自動的に防止
することが可能である。A heating element 73 is provided above the heating plate 71 so as not to cover the through holes 72, and heat is generated when an AC current from an AC power supply 74 is applied. Therefore, the heating plate 71 can be heated to a predetermined temperature, for example, 200 ° C. Further, in this embodiment, the support plate 2 for the shower head 21 is used.
The heating element 73 is also disposed in the inside of the unit 2 at the same time. If the heating element 73 is made of, for example, a material in which carbon black is mixed with a crosslinked crystalline thermoplastic resin,
When the temperature rises to a certain temperature, the electric conductivity is extremely lowered, so that the calorific value is self-controlled, and it is possible to automatically prevent excessive heating.
【００３６】本実施例にかかる熱処理装置１は以上のよ
うに構成されており、次にその動作について説明する
と、例えば処理容器２の側壁部分に設けられたゲートバ
ルブ（図示せず）を介して、処理容器２内の載置部４に
載置されたウエハＷに対してウエット酸化を実施する場
合には、加熱ヒータ６６、交流電源７４を作動させず、
処理容器２内壁を常温にし、かつ処理容器２内を常圧に
したまま、加熱ランプ１１を作動させてこのウエハＷを
例えば１０００゜Ｃにまで加熱し、その状態で処理ガス
供給源３４からのＯ2（酸素ガス）をシャワーヘッド２
１を通じて処理容器２に流出させれば、ウエハＷ表面
に、０．１μ以下の比較的薄い酸化膜を形成させること
ができる。かかる場合、シャワーヘッド２１、処理容器
２内壁は常温にされているから、処理中に反応生成物が
これらに付着することはない。The heat treatment apparatus 1 according to this embodiment is configured as described above. Next, the operation thereof will be described. For example, a gate valve (not shown) provided on the side wall of the processing container 2 is used. When performing wet oxidation on the wafer W mounted on the mounting portion 4 in the processing container 2, the heater 66 and the AC power supply 74 are not operated,
With the inner wall of the processing container 2 kept at room temperature and the inside of the processing container 2 kept at normal pressure, the heating lamp 11 is operated to heat the wafer W up to, for example, 1000 ° C. Shower head 2 with O 2 (oxygen gas)
If it flows out into the processing container 2 through 1, it is possible to form a relatively thin oxide film of 0.1 μ or less on the surface of the wafer W. In this case, since the shower head 21 and the inner wall of the processing container 2 are kept at room temperature, reaction products do not adhere to them during the processing.
【００３７】また載置部４に載置されたウエハＷ表面
に、例えば多結晶シリコン膜を成膜する場合には、加熱
ヒータ６６、交流電源７４を作動させず、処理容器２内
壁を常温にし、かつ真空引き手段６を作動させて処理容
器２内を、例えば０．３Ｔｏｒｒ程度にまで減圧した状
態で、加熱ランプ１１を作動させてこのウエハＷを例え
ば６００゜Ｃにまで加熱しておく。その状態で処理ガス
供給源３６からＳｉＨ4（モノシラン）を処理容器２内
に流出させれば、ＳｉＨ4の熱分解によって、ウエハＷ
表面に多結晶シリコン膜を形成することができる。かか
る場合、前記ドライ酸化の場合と同様、シャワーヘッド
２１、処理容器２内壁は常温にされているから、処理中
に反応生成物がこれらに付着することはない。なお本実
施例においては、処理ガス供給源３５からＨ2（水素ガ
ス）を同時に導入してＳｉＨ4（モノシラン）に混合さ
せることも可能である。When depositing, for example, a polycrystalline silicon film on the surface of the wafer W mounted on the mounting portion 4, the heater 66 and the AC power supply 74 are not operated and the inner wall of the processing container 2 is kept at room temperature. The wafer W is heated to, for example, 600 ° C. by operating the heating lamp 11 in a state where the inside of the processing container 2 is depressurized to, for example, about 0.3 Torr by operating the evacuation means 6. In this state, if SiH 4 (monosilane) is allowed to flow into the processing container 2 from the processing gas supply source 36, the wafer W will be decomposed by thermal decomposition of SiH 4.
A polycrystalline silicon film can be formed on the surface. In this case, as in the case of the dry oxidation, the shower head 21 and the inner wall of the processing container 2 are kept at room temperature, so that the reaction products do not adhere to them during the processing. In the present embodiment, it is also possible to introduce H 2 (hydrogen gas) simultaneously from the processing gas supply source 35 and mix it with SiH 4 (monosilane).
【００３８】一方載置部４に載置されたウエハＷ表面
に、ウエット酸化によって酸化膜を形成する場合には、
まずポンプ６５、加熱ヒータ６６を作動させて、伝熱媒
体である不凍液を処理容器２内の流路６１内を循環さ
せ、処理容器２内壁の温度を結露温度以上、例えば２０
０゜Ｃに加熱する。また同時に交流電源７４を作動させ
て、加熱板７１によってシャワーヘッド２１の支持板２
２と拡散板２３も２００゜Ｃに加熱しておく。また処理
容器２内は常圧にしておく。On the other hand, when an oxide film is formed on the surface of the wafer W mounted on the mounting portion 4 by wet oxidation,
First, the pump 65 and the heater 66 are operated to circulate the antifreeze liquid, which is a heat transfer medium, in the flow path 61 in the processing container 2 so that the temperature of the inner wall of the processing container 2 is equal to or higher than the dew condensation temperature, for example, 20.
Heat to 0 ° C. At the same time, the AC power supply 74 is operated so that the heating plate 71 causes the supporting plate 2 of the shower head 21 to move.
2 and the diffusion plate 23 are also heated to 200 ° C. The inside of the processing container 2 is kept at normal pressure.
【００３９】そして加熱ランプ１１を作動させてこのウ
エハＷを例えば１１００゜Ｃにまで加熱し、この状態で
燃焼装置４２で発生した水蒸気を、シャワーヘッド２１
を通じて処理容器２内に流出させると、ウエハＷ表面
に、５０００オングストローム〜１００００オングスト
ロームの比較的厚い酸化膜を形成させることができる。Then, the heating lamp 11 is operated to heat the wafer W to, for example, 1100 ° C., and in this state, the steam generated in the combustion device 42 is changed to the shower head 21.
When it is made to flow into the processing container 2 through the wafer W, a relatively thick oxide film having a thickness of 5000 Å to 10000 Å can be formed on the surface of the wafer W.
【００４０】かかる場合、処理容器２内壁、並びにシャ
ワーヘッド２１の支持板２２と拡散板２３は、夫々２０
０゜Ｃにまで加熱されているから、処理容器２内に導入
された水蒸気が、これら処理容器２内壁、並びにシャワ
ーヘッド２１の支持板２２表面で結露するおそれはな
い。従って、前記したウエット酸化による酸化膜の形成
に支障をきたすことはないものである。しかもこれら処
理容器２内壁、並びにシャワーヘッド２１の温度は２０
０゜Ｃに設定されているから、たとえこれらの材質がア
ルミニウムであっても、熱変形するおそれはないもので
ある。In this case, the inner wall of the processing container 2, the support plate 22 and the diffusion plate 23 of the shower head 21 are respectively 20
Since it is heated to 0 ° C., there is no possibility that water vapor introduced into the processing container 2 will condense on the inner wall of the processing container 2 and the surface of the support plate 22 of the shower head 21. Therefore, it does not hinder the formation of the oxide film by the above-mentioned wet oxidation. Moreover, the temperature of the inner wall of the processing container 2 and the shower head 21 is 20
Since it is set to 0 ° C, even if these materials are aluminum, there is no risk of thermal deformation.
【００４１】このように本実施例にかかる熱処理装置１
は、１つの装置構成でドライ酸化、減圧ＣＶＤ処理、さ
らにはウエット酸化の３つの種類の成膜処理を行うこと
が可能であり、極めて汎用性のある装置となっている。
従って、例えば１つの処理装置において連続した異なっ
た処理を施すことも可能である。Thus, the heat treatment apparatus 1 according to this embodiment
Is capable of performing three types of film forming processes, that is, dry oxidation, low pressure CVD process, and wet oxidation with one device configuration, and is an extremely versatile device.
Therefore, for example, it is possible to perform continuous different treatments in one treatment apparatus.
【００４２】なお前記した実施例では、処理容器２内の
流路を流通させる伝熱媒体として不凍液を用いたが、も
ちろんこれに限らず、沸点が１００゜Ｃ以上の例えば各
種の油剤を使用することもでき、もちろんこれら液体に
限らず、窒素ガスやアルゴンガスなどの気体を伝熱媒体
として用いることができる。要するに、取扱が容易でコ
ンタミネーションのおそれがない沸点が１００゜Ｃ以上
の液体や気体を伝熱媒体として使用することが可能であ
る。In the above-mentioned embodiment, the antifreezing liquid is used as the heat transfer medium which circulates through the flow path in the processing container 2. However, the antifreezing liquid is not limited to this, and various oil agents having a boiling point of 100 ° C. or more are used. Of course, not only these liquids but also gases such as nitrogen gas and argon gas can be used as the heat transfer medium. In short, it is possible to use a liquid or gas having a boiling point of 100 ° C. or higher that is easy to handle and has no risk of contamination as a heat transfer medium.
【００４３】また前記実施例においては、処理容器２内
壁を加熱するためにそのようないわば伝熱媒体流通方式
を用い、シャワーヘッド２１を加熱するため、発熱体７
３を用いたいわゆる抵抗加熱方式を用いたが、本発明は
このように部位によって加熱方式を適切なものに使い分
けてもよい。もちろんシャワーヘッド２１の支持板２２
や拡散板２３自体の内部に流路を設けて、全て伝熱媒体
流通方式を用いたり、逆に処理容器２に発熱体７３を適
宜張り巡らせて、全て抵抗加熱方式としてもよい。Further, in the above-described embodiment, the heat transfer medium circulation method is used to heat the inner wall of the processing container 2, and the shower head 21 is heated.
Although the so-called resistance heating method using No. 3 is used, the present invention may appropriately use the heating method depending on the region as described above. Of course, the support plate 22 of the shower head 21
Alternatively, a flow path may be provided inside the diffusion plate 23 itself to use the heat transfer medium circulation method for all, or conversely, the heating element 73 may be appropriately spread around the processing container 2 to perform all the resistance heating method.
【００４４】また伝熱媒体流通方式を採用する場合、前
記実施例のように処理容器２自体の内部に伝熱媒体の流
路を設けずとも、例えば処理容器２の外側に加熱ジャケ
ットを密着して設け、この加熱ジャケットの内部に伝熱
媒体の流路を設けるようにしてもよい。この場合には、
メンテナンス、装置の設計・製作が容易で、処理容器自
体が複雑化しない。またかかる加熱ジャケットに前記実
施例のような発熱体７３を設けてもよい。In the case where the heat transfer medium circulation system is adopted, a heating jacket is adhered to the outside of the processing container 2 for example, without providing a flow path for the heat transfer medium inside the processing container 2 itself as in the above embodiment. The heating jacket may be provided with a flow path for the heat transfer medium. In this case,
Maintenance and device design / manufacturing are easy, and the processing container itself does not become complicated. In addition, the heating element 73 as in the above embodiment may be provided on the heating jacket.
【００４５】なお前記実施例では、処理容器２内壁及び
シャワーヘッド２１を加熱するようにしたが、もちろん
装置の構造によっては、他の部位、即ち水蒸気の導入に
よって結露が生ずるおそれがある部分、例えば吹出しノ
ズルなどを結露温度以上に加熱するようにすれば、本発
明の趣旨を実現できる。In the above embodiment, the inner wall of the processing container 2 and the shower head 21 are heated. Of course, depending on the structure of the apparatus, other portions, that is, portions where dew condensation may occur due to the introduction of water vapor, for example, The gist of the present invention can be realized by heating the blowout nozzle or the like above the condensation temperature.
【００４６】なお前述の実施例は、被処理体として半導
体ウエハを取りあげて構成した熱処理装置であった、本
発明はもちろんこれに限られるものではなく、ＬＣＤ基
板を始めとする各種の被処理体に対して適用できるもの
である。The above-described embodiment was a heat treatment apparatus constituted by picking up a semiconductor wafer as an object to be processed, but the present invention is not limited to this, and various objects to be processed including an LCD substrate. Is applicable to.
【００４７】[0047]
【発明の効果】請求項１〜９にかかる枚葉式熱処理装置
によれば、処理室内に水蒸気を導入しても、少なくとも
処理室内壁が結露することはないので、既述したウエッ
ト酸化方法や、さらにはＯ2（酸素）とＨＣｌ（塩素）
との混合ガスによって酸化処理する塩素酸化処理を実施
することが可能である。他方、処理ガスが独立して処理
室内に供給することも可能であるので、被処理体に対し
てドライ酸化によって酸化膜を形成したりすることもで
き、通常の熱ＣＶＤ処理装置としてもそのまま使用でき
る。従って、１つの装置でドライ酸化、ウエット酸化、
塩素酸化、さらにはＣＶＤ処理を行うことが可能であ
る。また従来のコールドウォールタイプの処理装置と比
べて、被処理体の中央部と周辺部との温度差を小さくし
て、被処理体に対してより均一な処理を行うことも可能
である。According to the single-wafer heat treatment apparatus of the first to ninth aspects, even if steam is introduced into the processing chamber, at least the inner wall of the processing chamber does not condense. , And also O 2 (oxygen) and HCl (chlorine)
It is possible to carry out the chlorine oxidation treatment in which the oxidation treatment is carried out by a mixed gas of On the other hand, since the processing gas can be independently supplied into the processing chamber, it is possible to form an oxide film by dry oxidation on the object to be processed, and it can be used as it is as a normal thermal CVD processing apparatus. it can. Therefore, dry oxidation, wet oxidation,
It is possible to perform chlorine oxidation and further CVD treatment. Further, it is possible to reduce the temperature difference between the central part and the peripheral part of the object to be processed, and to perform more uniform processing on the object to be processed, as compared with the conventional cold wall type processing apparatus.
【００４８】また請求項２では、処理容器に別途加熱装
置を設ける構成であるから、装置の設計、製造が容易で
あり、この場合請求項３では、抵抗加熱方式を採ってい
るので、処理容器の設計、構成が極めて容易となってい
る。請求項４によれば、処理室内壁を均等に加熱させる
ことが容易であり、必要最小限の熱エネルギーでムラな
く処理室内壁を結露温度以上に加熱することが可能であ
る。Further, in claim 2, since the heating container is separately provided in the processing container, the device can be easily designed and manufactured. In this case, since the resistance heating method is adopted in claim 3, the processing container is processed. The design and configuration of is extremely easy. According to the fourth aspect, it is easy to uniformly heat the inner wall of the processing chamber, and it is possible to uniformly heat the inner wall of the processing chamber to the condensation temperature or higher with the minimum necessary thermal energy.
【００４９】請求項５に記載したように、伝熱媒体とし
てエチレングリコールを主剤とした不揮発性の液体を用
いれば、その入手、取扱が容易であり、しかも沸点が約
２００゜Ｃ前後であるので、必要以上に加熱するおそれ
もなく、また被処理体や処理容器、加熱ジャケットを劣
化させるおそれはない。As described in claim 5, if a non-volatile liquid containing ethylene glycol as a main component is used as the heat transfer medium, it is easy to obtain and handle, and the boiling point is about 200 ° C. There is no risk of heating more than necessary, and there is no risk of degrading the object to be processed, the processing container, or the heating jacket.
【００５０】請求項６に記載したように、伝熱媒体とし
て油を用いた場合にも、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に
加熱することが容易であり、またその入手、取扱が容易
であって、処理容器や加熱ジャケットを劣化させること
はない。請求項７に記載したように、伝熱媒体として気
体を用いても、例えば不活性ガスであるＮ2（窒素）、
Ａｒ（アルゴン）を用いることにより、取扱いが容易な
装置構成とすることができる。As described in claim 6, even when oil is used as the heat transfer medium, it is easy to heat the inner wall of the processing chamber to 100 ° C. or more, and it is easy to obtain and handle it. Therefore, the processing container and the heating jacket are not deteriorated. As described in claim 7, even when a gas is used as the heat transfer medium, for example, N 2 (nitrogen) which is an inert gas,
By using Ar (argon), the device configuration can be easily handled.
【００５１】また請求項８に記載したように、加熱上限
を３００゜Ｃに設定すれば、例えば処理容器の材質に一
般的なアルミニウムを選択しても、これを変形させるお
それはない。If the heating upper limit is set to 300 ° C. as described in claim 8, even if general aluminum is selected as the material of the processing container, there is no fear of deforming it.
【００５２】そして請求項９によれば、減圧ＣＶＤ処理
や減圧酸化処理が可能な装置として構成でき、実施可能
な熱処理の範囲が広がって、極めて汎用性のある枚葉式
熱処理装置を提供することができる。According to claim 9, a single-wafer heat treatment apparatus which can be constructed as an apparatus capable of performing a low pressure CVD process or a low pressure oxidation process, expands the range of feasible heat treatments, and is extremely versatile. You can
【図１】本発明の実施例にかかる熱処理装置の縦断面を
模式的に示した説明図である。FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a vertical cross section of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の熱処理装置に使用した加熱板の平面図で
ある。FIG. 2 is a plan view of a heating plate used in the heat treatment apparatus of FIG.
１ 熱処理装置 ２ 処理容器 ３ 透過窓 ４ 載置部 ６ 真空引き手段 ７ 排気管 １１ 加熱ランプ ２１ シャワーヘッド ２２ 支持板 ２３ 拡散板 ３１ 処理ガス導入管 ４１ 水蒸気導入管 ４２ 燃焼装置 ６１ 流路 ６５ ポンプ ６６ 加熱ヒータ ６７ 熱交換器 ７１ 加熱板 ７３ 発熱体 Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat treatment apparatus 2 Processing container 3 Transmission window 4 Mounting part 6 Vacuuming means 7 Exhaust pipe 11 Heating lamp 21 Shower head 22 Support plate 23 Diffusion plate 31 Processing gas introduction pipe 41 Steam introduction pipe 42 Combustion device 61 Flow path 65 Pump 66 Heater 67 Heat exchanger 71 Heating plate 73 Heating element W Wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/26 21/324 Ｄ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/26 21/324 D
Claims (9)
体に対して、所定の熱処理を施す如く構成された枚葉式
の熱処理装置であって、前記処理室内に処理ガス及び水
蒸気が夫々独立して供給自在となるように構成されると
共に、前記処理を形成する処理容器自体は、その内部に
伝熱媒体が流通される如く構成され、この伝熱媒体によ
って少なくとも処理室内壁表面が、１００゜Ｃ以上に加
熱自在となるように構成されたことを特徴とする、枚葉
式熱処理装置。1. A single-wafer type heat treatment apparatus configured to perform a predetermined heat treatment on an object to be processed placed on a placing means in the processing chamber, wherein a processing gas and steam are provided in the processing chamber. Are configured so that they can be supplied independently of each other, and the processing container itself that forms the processing is configured such that a heat transfer medium is circulated therein, and at least the surface of the inner wall of the processing chamber is formed by the heat transfer medium. The single-wafer heat treatment apparatus is characterized in that it can be heated to 100 ° C or higher.
体に対して、所定の熱処理を施す如く構成された枚葉式
の熱処理装置であって、前記処理室内に処理ガス及び水
蒸気が夫々独立して供給自在となるように構成されると
共に、前記処理室を形成する処理容器には加熱装置が設
けられ、この加熱装置によって少なくとも処理室内壁表
面が、１００゜Ｃ以上に加熱自在となるように構成され
たことを特徴とする、枚葉式熱処理装置。2. A single-wafer type heat treatment apparatus configured to perform a predetermined heat treatment on an object to be treated placed on a placing means in the treatment chamber, wherein the treatment gas and steam are contained in the treatment chamber. Are independently supplied, and a heating device is provided in the processing container forming the processing chamber, and at least the surface of the inner wall of the processing chamber can be heated to 100 ° C. or more by this heating device. A single-wafer heat treatment apparatus characterized by being configured as follows.
置として構成されたことを特徴とする、請求項２に記載
の枚葉式熱処理装置。3. The single-wafer heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the heating device is configured as a resistance heating type heating device.
態の加熱ジャケットとして構成され、この加熱ジャケッ
トは、その内部に伝熱媒体が流通する如く構成され、当
該伝熱媒体によって少なくとも処理室内壁表面が加熱さ
れる如く構成されたことを特徴とする、請求項２に記載
の枚葉式熱処理装置。4. The heating device is configured as a heating jacket that covers the outside of the processing container, and the heating jacket is configured such that a heat transfer medium is circulated therein, and at least the inner wall of the processing chamber is formed by the heat transfer medium. The single-wafer processing apparatus according to claim 2, wherein the surface is configured to be heated.
剤とした不揮発性の液体であることを特徴とする、請求
項１又は４に記載の枚葉式熱処理装置。5. The single-wafer heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat transfer medium is a non-volatile liquid containing ethylene glycol as a main component.
る、請求項１又は４に記載の枚葉式熱処理装置。6. The single-wafer heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat transfer medium is oil.
する、請求項１又は４に記載の枚葉式熱処理装置。7. The single-wafer heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat transfer medium is a gas.
Ｃ〜３００゜Ｃに加熱自在に構成されたことを特徴とす
る、請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の枚葉
式熱処理装置。8. The method according to claim 1, wherein at least the surface of the inner wall of the processing chamber is configured to be heated to 100 ° C. to 300 ° C. Single wafer heat treatment equipment.
自在となるように構成されたことを特徴とする、請求項
１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の枚葉式熱処
理装置。9. The processing chamber according to claim 1, wherein the processing chamber is configured to be evacuated to a predetermined degree of pressure reduction. Single wafer heat treatment equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557494A JPH07273101A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Single sheet heat treatment system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557494A JPH07273101A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Single sheet heat treatment system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273101A true JPH07273101A (en) | 1995-10-20 |
Family
ID=13862591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8557494A Pending JPH07273101A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Single sheet heat treatment system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273101A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958140A (en) * | 1995-07-27 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | One-by-one type heat-processing apparatus |
| EP1156135A2 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-21 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus |
| US6460482B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
| US6855642B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-02-15 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7037560B1 (en) * | 1996-07-12 | 2006-05-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, and film modifying method |
| WO2012069451A3 (en) * | 2010-11-25 | 2012-08-16 | Aixtron Se | Thermal gradient chemical vapour deposition apparatus and method |
| KR20140135744A (en) * | 2012-02-13 | 2014-11-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8557494A patent/JPH07273101A/en active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958140A (en) * | 1995-07-27 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | One-by-one type heat-processing apparatus |
| US7037560B1 (en) * | 1996-07-12 | 2006-05-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, and film modifying method |
| US6855642B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-02-15 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7053007B2 (en) | 1997-03-05 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7799690B2 (en) | 1997-03-05 | 2010-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6962880B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-11-08 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6962881B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-11-08 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7008880B2 (en) | 1997-03-05 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7250376B2 (en) | 1997-03-05 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6460482B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-10-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gas shower unit for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
| EP1156135A3 (en) * | 2000-05-18 | 2003-12-17 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus |
| EP1156135A2 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-21 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus |
| KR100797428B1 (en) * | 2000-05-18 | 2008-01-23 | 가부시키가이샤 알박 | Vacuum processing apparatus and multi-chamber vacuum processing apparatus |
| WO2012069451A3 (en) * | 2010-11-25 | 2012-08-16 | Aixtron Se | Thermal gradient chemical vapour deposition apparatus and method |
| KR20140135744A (en) * | 2012-02-13 | 2014-11-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate |
| JP2015511403A (en) * | 2012-02-13 | 2015-04-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Method and apparatus for selective oxidation of substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20050098107A1 (en) | Thermal processing system with cross-flow liner | |
| US20050121145A1 (en) | Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors | |
| KR880000472B1 (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| KR100241293B1 (en) | Temperature controlling method and apparatus for rapid thermal process | |
| US4640223A (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
| US20070137794A1 (en) | Thermal processing system with across-flow liner | |
| EP1522090A2 (en) | Thermal processing system and configurable vertical chamber | |
| CN100494821C (en) | Heating medium circulating device and thermal treatment equipment usint the device | |
| JPH08250441A (en) | Low-pressure chemical vapor deposition device | |
| JPH10294285A (en) | Heat treatment device | |
| US5370371A (en) | Heat treatment apparatus | |
| KR19990072527A (en) | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system | |
| EP1443543B1 (en) | Thermal treating apparatus | |
| JP3910151B2 (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus | |
| US6031205A (en) | Thermal treatment apparatus with thermal protection members intercepting thermal radiation at or above a predetermined angle | |
| JPH07273101A (en) | Single sheet heat treatment system | |
| JPH0729841A (en) | Heat treatment furnace | |
| JP4003206B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JPH0930893A (en) | Vapor growth device | |
| JP4718054B2 (en) | Vertical heat treatment equipment | |
| US6427470B1 (en) | Cooling system for reducing particles pollution | |
| JP2004055880A (en) | Substrate processing device | |
| JPH1092754A (en) | Method and device for single wafer heat treatment | |
| KR20050058842A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductors | |
| JPH10321612A (en) | Film formation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020709 |