JPH07270732A - Optical waveguide type wavelength selector - Google Patents

Optical waveguide type wavelength selector

Info

Publication number
JPH07270732A
JPH07270732A JP6156394A JP6156394A JPH07270732A JP H07270732 A JPH07270732 A JP H07270732A JP 6156394 A JP6156394 A JP 6156394A JP 6156394 A JP6156394 A JP 6156394A JP H07270732 A JPH07270732 A JP H07270732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
refractive index
type wavelength
section
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6156394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Ogawa
剛 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP6156394A priority Critical patent/JPH07270732A/en
Publication of JPH07270732A publication Critical patent/JPH07270732A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an optical waveguide type wavelength selector which is capable of surely executing wavelength selection by a simple constitution, in wide in central wavelength varying range of its wavelength selection in the case of varying the central wavelength, lessens optical damage and has excellent light power durability. CONSTITUTION:This optical waveguide type wavelength selector has an optical waveguide 3 having first and second end faces 21 and 22 and consisting of a first optical waveguide part 1 and a second optical waveguide part 2 and a periodic refractive index disturbing structural part 4 where this optical waveguide 3 periodically forms refractive index disturbance in the propagating direction of this optical waveguide 3. The first optical waveguide part 1 has a refractive index higher than the refractive index of the second optical waveguide part 2 and at least a part thereof is disposed in contact with the surface of the second optical waveguide part 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光の波長依存性を有す
る波長選択装置に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wavelength selection device having a wavelength dependence of light.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光通信や光計測などの分野で、光
制御用の機能素子で光集積回路構成上の重要な要素の一
つとして光導波路型波長選択装置がある。
2. Description of the Related Art In recent years, in the fields of optical communication and optical measurement, an optical waveguide type wavelength selecting device is one of the important elements in the construction of an optical integrated circuit in a functional element for optical control.

【0003】この光導波路型波長選択装置として、例え
ば基板として電気光学係数が大きく低損失の光導波路が
容易に作成できるLiNbO3 (LN)を用い、グレー
ティングを構成した光導波路型波長選択装置がある。
As this optical waveguide type wavelength selecting device, for example, there is an optical waveguide type wavelength selecting device in which a grating is formed by using LiNbO 3 (LN) as a substrate for easily producing an optical waveguide having a large electro-optic coefficient. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、光導
波路型波長選択素子として、波長選択帯域の狭い回折型
グレーティングを用いたものがあるが、例えば電気光学
効果などによる屈折率変調により中心波長を可変する場
合、その可変範囲は小さい。
As described above, there is an optical waveguide type wavelength selecting element using a diffraction type grating having a narrow wavelength selecting band. For example, a central wavelength is obtained by a refractive index modulation due to an electro-optic effect or the like. When changing, the variable range is small.

【0005】またLNを基板とする光導波路型機能デバ
イスで導波路としてTi拡散導波路が良好な伝搬特性を
有し作製上容易であることから最も用いられるが、光損
傷が顕著であるという問題がある。
Further, in an optical waveguide type functional device using LN as a substrate, a Ti diffusion waveguide is most used as a waveguide because it has good propagation characteristics and is easy to manufacture, but the problem that optical damage is remarkable There is.

【0006】本発明は、上述した実情に鑑みてなされた
発明であり、簡潔な構成によって確実に波長選択を行う
ことができ、中心波長を可変とする場合において、その
波長選択中心波長可変範囲が広域で、かつ光損傷が小さ
く光パワーの耐久性に優れた光導波路型波長選択装置を
提供する。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to reliably perform wavelength selection with a simple configuration, and when the center wavelength is variable, the wavelength selection center wavelength tunable range is (EN) Provided is an optical waveguide type wavelength selection device which has a wide area, small optical damage, and excellent durability of optical power.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】第1の本発明は、図1に
その基本的構成の概略断面図を示すように、第1および
第2の端面21および22を有し、第1の光導波部1と
第2の光導波部2とからなる光導波路3と、この光導波
路3の伝搬方向に関してこの光導波路3が周期的に屈折
率擾乱を形成する周期的屈折率擾乱構造部4とを有する
構成とする。
The first aspect of the present invention has first and second end faces 21 and 22 as shown in FIG. 1 which is a schematic sectional view of the basic structure thereof. An optical waveguide 3 including a wave portion 1 and a second optical waveguide portion 2; and a periodic refractive index disturbing structure portion 4 in which the optical waveguide 3 periodically causes refractive index disturbance in the propagation direction of the optical waveguide 3. It is configured to have.

【0008】そして、その第1の光導波部1が第2の光
導波部2の屈折率より大きな屈折率を有し、その少なく
とも一部が第2の光導波部2上に接して設けられた構成
とする。
The first optical waveguide portion 1 has a refractive index larger than that of the second optical waveguide portion 2, and at least a part of the first optical waveguide portion 1 is provided in contact with the second optical waveguide portion 2. It has a different configuration.

【0009】第2の本発明は、その周期的屈折率擾乱構
造部4が第1の光導波部1と第2の光導波部2との界面
において周期的に屈折率変化する構成とするものであ
る。
In the second aspect of the present invention, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 has a structure in which the refractive index periodically changes at the interface between the first optical waveguide portion 1 and the second optical waveguide portion 2. Is.

【0010】第3の本発明は、周期的屈折率擾乱構造部
4が第1の光導波部1の表面において周期的に屈折率が
変化する構成とする。
In the third aspect of the present invention, the periodic refractive index disturbing structure 4 has a structure in which the refractive index periodically changes on the surface of the first optical waveguide 1.

【0011】第4の本発明は、基板11上に、第1の光
導波部1と第2の光導波部2からなる光導波路3が、第
2の光導波部2を基板11側に位置するように形成す
る。そして、その第2の光導波部2は、基板11の屈折
率より大きな屈折率を有し、第1の光導波部1は、基板
11および第2の光導波部2の各屈折率より大きな屈折
率を有し構成とする。そして、その周期的屈折率擾乱構
造部4を第2の光導波部2と基板11との界面において
周期的に屈折率変化する構成とする。
According to a fourth aspect of the present invention, an optical waveguide 3 composed of a first optical waveguide section 1 and a second optical waveguide section 2 is arranged on a substrate 11, and a second optical waveguide section 2 is located on the substrate 11 side. To be formed. The second optical waveguide section 2 has a refractive index higher than that of the substrate 11, and the first optical waveguide section 1 has a refractive index higher than that of the substrate 11 and the second optical waveguide section 2. It has a refractive index and is configured. Then, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 is configured to have a periodic refractive index change at the interface between the second optical waveguide portion 2 and the substrate 11.

【0012】第5の本発明は、周期的屈折率擾乱構造部
4が電極からの電界による周期的屈折率変化による構成
とする。
In a fifth aspect of the present invention, the periodic refractive index disturbing structure 4 is constituted by a periodic refractive index change caused by an electric field from an electrode.

【0013】第6の本発明は、第1および第2の光導波
部1および2をプロトン交換導波路構成とする。
In a sixth aspect of the present invention, the first and second optical waveguide sections 1 and 2 have a proton exchange waveguide configuration.

【0014】第7の本発明は、第1の光導波部1を誘電
体膜構成とし、第2の光導波部2をプロトン交換導波路
構成とする。
According to a seventh aspect of the present invention, the first optical waveguide section 1 has a dielectric film structure and the second optical waveguide section 2 has a proton exchange waveguide structure.

【0015】第8の本発明は、第1および第2の光導波
部1および2を誘電体膜構成とする。
In the eighth aspect of the present invention, the first and second optical waveguide portions 1 and 2 have a dielectric film structure.

【0016】第9の本発明は、第1の端面21において
光導波路が第1の光導波部1のみであり、第2の端面2
2において光導波路が第2の光導波部2のみである構成
とする。
In the ninth aspect of the present invention, the optical waveguide in the first end face 21 is only the first optical waveguide portion 1, and the second end face 2
2, the optical waveguide is the second optical waveguide section 2 only.

【0017】第10の本発明は、第1および第2の端面
21および22において光導波路が、第1の光導波部1
のみである構成とする。
In the tenth aspect of the present invention, the optical waveguide is the first optical waveguide portion 1 at the first and second end faces 21 and 22.
The configuration is only.

【0018】第11の本発明は、第1および第2の端面
21および22において光導波路が第2の光導波部2の
みである構成とする。
The eleventh aspect of the present invention is configured such that the optical waveguide is only the second optical waveguide portion 2 on the first and second end faces 21 and 22.

【0019】第12の本発明は、基板11がLiTaX
Nb1-X 3 (0≦x≦1)である構成とする。
In the twelfth aspect of the present invention, the substrate 11 is LiTa x.
Nb 1-X O 3 (0 ≦ x ≦ 1).

【0020】[0020]

【作用】上述したように、本発明構成においては、屈折
率を異にする第1および第2の光導波部1および2の2
層の導波部によって0次および1次モード伝搬のマルチ
モード光導波路3を構成し、周期的屈折率擾乱構造部4
によるモード変換の波長依存性を用いて波長選択、例え
ば波長バンドパスフィルタあるいは波長バンドカットフ
ィルタを構成するこができるものである。
As described above, in the configuration of the present invention, the first and second optical waveguide portions 1 and 2 having different refractive indexes are used.
The multi-mode optical waveguide 3 for 0th-order and 1st-order mode propagation is constituted by the waveguide portions of the layers, and the periodic refractive index disturbing structure portion 4 is formed.
By using the wavelength dependence of the mode conversion by the above, wavelength selection, for example, a wavelength band pass filter or a wavelength band cut filter can be configured.

【0021】本発明装置の作用(動作)を説明する。
今、例えば図1に示すように、屈折率nS なる基板11
上に、屈折率n1 なる第1の光導波部1と屈折率n2
る第2の光導波部2の2層導波路によるB部と、第1の
光導波部1のみの導波路によるA部と、第2の光導波部
2のみの導波路によるC部で構成され、下記(数1)の
関係にある素子について考える。
The operation (operation) of the device of the present invention will be described.
Now, for example, as shown in FIG. 1, the substrate 11 having a refractive index n S
Above, by the first and the B portion by two layer waveguide of the optical waveguide portion 1 and the refractive index n 2 becomes the second optical waveguide portion 2, a first waveguide of only the light waveguide 1 consisting refractive index n 1 Consider an element which is composed of the section A and the section C formed by the waveguide of only the second optical waveguide section 2 and has the following relationship (Equation 1).

【0022】[0022]

【数1】n1 >n2 >nS ・・・・(1)[Equation 1] n 1 > n 2 > n S ··· (1)

【0023】また、Δn1 =n1 −nS 、Δn2 =n2
−nS とする。
Further, Δn 1 = n 1 −n S , Δn 2 = n 2
-N S.

【0024】このとき、このB部の2層導波路は深さ方
向に0次モードと1次モードとが導波モードとなるマル
チモード導波路とし、A部とC部の単層導波路はシング
ルモード導波路とする。
At this time, the two-layer waveguide of the B section is a multi-mode waveguide in which the 0th-order mode and the first-order mode are guided modes in the depth direction, and the single-layer waveguides of the A section and the C section are Use a single-mode waveguide.

【0025】先ず、B部について説明すると、0次モー
ドと1次モードのそれぞれのモードフィールドは図1中
曲線b0 と曲線b1 示すようになる。
[0025] First, explaining part B, each of the mode field of the zero-order and first-order modes are as shown curve b 0 and the curve b 1 in FIG.

【0026】1次モードのモードフィールドは屈折率の
異なる2層導波路のため深さ方向に非対称な分布とな
り、Δn1 がΔn2 に比べ大きくなるほど、その非対称
性は顕著になる。
The mode field of the first-order mode has an asymmetric distribution in the depth direction because it is a two-layer waveguide having different refractive indexes. The larger the Δn 1 is than the Δn 2 , the more remarkable the asymmetry.

【0027】そして、この導波路の光の進行方向に対
し、屈折率分布に周期的な擾乱が形成された周期的屈折
率擾乱構造部4、例えば図1に示すような第1の光導波
部1の深さが周期Λで周期的に変化して形成されること
によって周期的に屈折率が変化するグレーティングを形
成する。
Then, with respect to the traveling direction of light in this waveguide, a periodic refractive index disturbing structure portion 4 in which a periodic disturbance is formed in the refractive index distribution, for example, a first optical waveguide portion as shown in FIG. The depth of 1 is periodically changed with the period Λ to form a grating whose refractive index is changed periodically.

【0028】この時、この第1の光導波部1と第2の光
導波部2の界面での屈折率変調のグレーティングによ
り、0次モードと1次モードは周期Λに基ずく波長λ0
で、位相整合を介して結合し、0次−1次モード間で大
きなパワー変換が生じる。
At this time, due to the refractive index modulation grating at the interface between the first optical waveguide section 1 and the second optical waveguide section 2, the 0th-order mode and the 1st-order mode have a wavelength λ 0 based on the period Λ.
Then, coupling is performed through phase matching, and a large power conversion occurs between the 0th-order mode and the 1st-order mode.

【0029】位相整合するλ0 は、0次モードと1次モ
ードのそれぞれの実効屈折率をN0とN1 とすると、下
記(数2)となる。
The phase-matching λ 0 is given by the following (Equation 2) when the effective refractive indices of the 0th-order mode and the 1st-order mode are N 0 and N 1 , respectively.

【0030】[0030]

【数2】 λ0 =(N0 −N1 )Λ ・・・・(2)(2) λ 0 = (N 0 −N 1 ) Λ (2)

【0031】また、モード間のパワー変換効率は、グレ
ーティングの深さ、0次モードと1次モードのグレーテ
ィング部分での電界の重なり程度に依存する。
The power conversion efficiency between the modes depends on the depth of the grating and the degree of electric field overlap in the grating portion of the 0th-order mode and the 1st-order mode.

【0032】そこで、A部導波路端面21より光を入射
させると、A−B部結合において、曲線aで示すモード
フィールド分布の関係上、B部の0次モードと光は結合
する。
Therefore, when light is made incident from the end face 21 of the A section waveguide, in the AB section coupling, the 0th order mode of the B section is coupled due to the mode field distribution shown by the curve a.

【0033】ここでB部において、励起された0次モー
ドが、B部のグレーティングにより上記(数2)に基づ
く波長λ0 において、伝搬していく上で1次モードに変
換され、他の波長では変換されず0次モードのまま伝搬
する。
Here, in the B part, the excited 0th-order mode is converted into the 1st-order mode in propagating at the wavelength λ 0 based on the above (Formula 2) by the grating of the B part, and other wavelengths. Does not convert and propagates as it is in the 0th mode.

【0034】ここで、グレーティングすなわち周期的屈
折率擾乱構造部4の深さは、A−B結合部からB−C結
合部まで伝搬していく上で波長λ0 において最も変換効
率が大きくなるように設定する。すなわち、完全結合長
になる深さに選定する。
Here, the depth of the grating, that is, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 is such that the maximum conversion efficiency is obtained at the wavelength λ 0 when propagating from the AB coupling portion to the BC coupling portion. Set to. That is, the depth is selected so that the complete bond length is obtained.

【0035】B−C結合部においてC部への結合は、図
1中曲線cに示すモードフィールド分布の関係上、B部
で0次モードから変換された1次モードが結合し、0次
モードはほぼカットされる。また、1次モードとの結合
を向上するためには、1次モードのモードフィールド分
布の非対称性を大きくする事が必要であり、このためΔ
1 はΔn2 より大きくとることが必要である。
In the B-C coupling section, the coupling to the C section is due to the mode field distribution shown by the curve c in FIG. Is almost cut. Further, in order to improve the coupling with the first-order mode, it is necessary to increase the asymmetry of the mode field distribution of the first-order mode.
It is necessary that n 1 be larger than Δn 2 .

【0036】このようにして、A部端面より入射された
光は、波長λ0 の光のみC部端面22より出力される波
長フィルタすなわち波長選択を行うことできる。
In this way, for the light incident from the end face of the A part, only the light of the wavelength λ 0 is output from the end face 22 of the C part, that is, wavelength selection can be performed.

【0037】また、本発明構成によれば、波長選択帯域
の中心波長を可変構成とするときにおいて、その可変範
囲が広帯域な光導波路型波長選択装置が作製できる。
Further, according to the configuration of the present invention, when the central wavelength of the wavelength selection band is made variable, an optical waveguide type wavelength selection device having a wide variable range can be manufactured.

【0038】また、例えばLNやLiTaO3 (LT)
などを基板とした場合、光導波路をプロトン交換導波路
や、薄膜導波路とすることができるため、光導波路型波
長選択装置において光損傷が少なく光パワー耐久性の優
れた光導波路型波長選択装置が構成できる。
Further, for example, LN or LiTaO 3 (LT)
When a substrate such as is used as the substrate, the optical waveguide can be a proton exchange waveguide or a thin film waveguide, so that the optical waveguide type wavelength selection device with less optical damage and excellent optical power durability in the optical waveguide type wavelength selection device. Can be configured.

【0039】[0039]

【実施例】本発明の実施例を、その一例の模式的斜視図
を示す図2を参照にして説明する。本発明は、第1およ
び第2の端面21および22を有し、第1の光導波部1
と第2の光導波部2とからなる光導波路3と、この光導
波路3の伝搬方向に関してこの光導波路3が周期的に屈
折率擾乱を形成する周期的屈折率擾乱構造部4とを有す
る構成とする。
EXAMPLE An example of the present invention will be described with reference to FIG. 2 showing a schematic perspective view of the example. The present invention has the first and second end faces 21 and 22, and includes the first optical waveguide section 1
And a second optical waveguide portion 2 and an optical waveguide 3 and a periodic refractive index disturbance structure portion 4 in which the optical waveguide 3 periodically forms a refractive index disturbance in the propagation direction of the optical waveguide 3. And

【0040】そして、その第1の光導波部1が第2の光
導波部2の屈折率より大きな屈折率を有し、その少なく
とも一部が第2の光導波部2上に接して設けられた構成
とする。
The first optical waveguide section 1 has a refractive index higher than that of the second optical waveguide section 2, and at least a part of the first optical waveguide section 1 is provided in contact with the second optical waveguide section 2. It has a different configuration.

【0041】基板11は、LiTax Nb1-x 3 (0
≦x≦1)においてx=0とした、すなわちLNによる
例えば厚さ方向をz軸とするいわゆるLNのz基板によ
って構成し、第1および第2の光導波部1および2は、
それぞれLN基板11内のLiイオンとHイオンを交換
して屈折率を大きくして導波路とするプロトン交換導波
路構成とすることができ、この場合第2の光導波部2は
プロトン交換の後高温アニールが施されたアニールプロ
トン交換導波路として、高温アニールによってその屈折
率が第1の光導波部に比して小さくされた構成とする。
また、第1の光導波部1はその深さを周期的に変化させ
て、グレーティングすなわち周期的屈折率擾乱構造部4
を構成している。
The substrate 11 is made of LiTa x Nb 1-x O 3 (0
≦ x ≦ 1), x = 0, that is, a LN z substrate having a z-axis, for example, in the thickness direction of LN, is used, and the first and second optical waveguide sections 1 and 2 are
A proton exchange waveguide structure can be formed in which the Li ions and the H ions in the LN substrate 11 are exchanged to increase the refractive index to form a waveguide. In this case, the second optical waveguide unit 2 is formed after the proton exchange. The annealed proton-exchanged waveguide that has been subjected to high-temperature annealing has a structure in which its refractive index is made smaller than that of the first optical waveguide portion by high-temperature annealing.
The depth of the first optical waveguide portion 1 is periodically changed, and the grating, that is, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 is formed.
Are configured.

【0042】上述したプロトン交換路による第1および
第2の光導波部1および2と、これらの界面に周期的屈
折率擾乱構造部4とを形成する方法の一例を図3を参照
して説明する。
An example of a method of forming the first and second optical waveguide portions 1 and 2 by the above-mentioned proton exchange path and the periodic refractive index disturbing structure portion 4 at the interface between them will be described with reference to FIG. To do.

【0043】この場合、図3Aに示すように、LNのz
基板11を用意し、その一主面の、最終的に第2の光導
波部2を形成する部分に開口41Wを形成した例えばT
aよりなるマスク層41を形成する。そして、基板11
を例えば200℃のホット燐酸に浸漬し、マスク層41
の開口41Wを通じて選択的にプロトン交換がなされた
第2のプロトン交換部32を形成し、その後例えば35
0℃の高温アニールを大気中で行って、第2の光導波部
2を形成する。
In this case, as shown in FIG. 3A, z of LN
A substrate 11 is prepared, and an opening 41W is formed in a portion of one main surface thereof where the second optical waveguide portion 2 is finally formed.
A mask layer 41 made of a is formed. And the substrate 11
The mask layer 41 by immersing the mask layer in hot phosphoric acid at 200 ° C.
To form the second proton exchange part 32 selectively proton-exchanged through the opening 41W of the
High temperature annealing at 0 ° C. is performed in the atmosphere to form the second optical waveguide section 2.

【0044】このアニール後またはアニール前にマスク
層41を除去し、改めて基板11上に最終的に周期的屈
折率擾乱構造部4を形成する部分において所定のピッチ
および幅をもって最終的に光伝搬方向となる方向を横切
って延長するスリット状の開口42Wが平行に配列形成
された例えばTaよりなるマスク層42を被着形成す
る。
After this annealing or before the annealing, the mask layer 41 is removed, and in the portion where the periodic refractive index disturbing structure 4 is finally formed on the substrate 11 again, the light propagation direction is finally made with a predetermined pitch and width. Then, a mask layer 42 made of, for example, Ta, in which slit-shaped openings 42W extending in the following direction are arranged in parallel, is formed.

【0045】そして、再び基板11を例えば200℃の
ホット燐酸に浸漬し、マスク層42の開口42Wを通じ
て選択的にプロトン交換がなされた平行配列されたスト
ライプ状のプロトン交換部33を形成する。
Then, the substrate 11 is again immersed in hot phosphoric acid at 200 ° C., for example, to form parallel-arranged stripe-shaped proton exchange portions 33 in which protons are selectively exchanged through the openings 42W of the mask layer 42.

【0046】その後、図3Cに示すように、マスク層4
2を除去して基板11の表面を例えば200℃のホット
燐酸に浸漬して全面的に第1のプロトン交換部31を形
成する。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, the mask layer 4
2 is removed, and the surface of the substrate 11 is immersed in hot phosphoric acid at 200 ° C., for example, to form the first proton exchange part 31 on the entire surface.

【0047】その後、図3Dに示すように、第1のプロ
トン交換部31の第2のプロトン交換部32上の端部を
エッチング除去する。このようにすると、基板11に、
第2のプロトン交換32によって形成された第2の光導
波部2と、これの上に、第1のプロトン交換部31とス
トライプ状のプロトン交換部33によって形成された第
1の光導波部1とが形成される。そして、このようにし
て形成された第1の光導波部1は、第2の光導波部2と
の界面においてその一部が、この第2の光導波部2に入
り込んだ深いストライプが平行に所定のピッチをもって
形成され、これによって周期的屈折率擾乱構造部4が構
成される。
Thereafter, as shown in FIG. 3D, the end of the first proton exchange section 31 on the second proton exchange section 32 is removed by etching. In this way, on the substrate 11,
The second optical waveguide section 2 formed by the second proton exchange section 32, and the first optical waveguide section 1 formed by the first proton exchange section 31 and the stripe-shaped proton exchange section 33 thereon. And are formed. The first optical waveguide portion 1 formed in this manner has a part of the first optical waveguide portion 1 at the interface with the second optical waveguide portion 2, and the deep stripes entering the second optical waveguide portion 2 are parallel to each other. The periodic refractive index disturbing structures 4 are formed with a predetermined pitch.

【0048】このように、プロトン交換によって形成さ
れた導波路は、z軸方向にのみ屈折率が変化して光の閉
じ込め効果がある。図2で示す例では、基板11上に光
導波(光伝搬)を行わせる方向に沿って周期的屈折率擾
乱構造部4上を横切ってストライプ状の例えばSiO2
よりなる誘電体膜5を装荷し、装荷型3次元導波路を構
成するようにした場合である。このストライプ状の誘電
体膜5の形成は、例えば全面的にSiO2 をスパッタリ
ングして後、これをフォトリソグラフィによるパターン
エッチングすることによって形成できる。
As described above, the waveguide formed by the proton exchange has the effect of confining light by changing the refractive index only in the z-axis direction. In the example shown in FIG. 2, stripes of, for example, SiO 2 are traversed on the periodic refractive index disturbing structure 4 along the direction in which optical waveguide (light propagation) is performed on the substrate 11.
This is a case where the dielectric film 5 made of is loaded to form a loading type three-dimensional waveguide. The stripe-shaped dielectric film 5 can be formed, for example, by sputtering SiO 2 over the entire surface and then pattern-etching it by photolithography.

【0049】この構成による場合、前記(数1)の関係
が成り立っている。そして、この構成による光導波路3
の第1の光導波部1のみよりなる側の第1の端面21を
光の入射端面とし、これとは反対側の第2の光導波部2
のみよりなる側の第2の端面22を光の出射端面とす
る。
In the case of this configuration, the relationship of the above (Equation 1) is established. Then, the optical waveguide 3 having this configuration
Of the first optical waveguide portion 1 is used as a light incident end surface, and the second optical waveguide portion 2 on the opposite side is formed.
The second end face 22 on the side composed of only the light is used as the light emission end face.

【0050】この構成による本発明装置は、第1の端面
21の第1の光導波部1のみを有する端面から光を入射
した場合、前記(数2)を満足する波長λ0 の光のみ
が、前述したように、第1および第2の光導波部が積層
部において、周期的屈折率擾乱構造部4によるモード間
位相整合により、モード変換して、第2の光導波部2の
みを有する第2の端面22より出射される。すなわち、
波長バンドパスフィルター動作がなされる。
In the device of the present invention having this structure, when light is incident from the end face of the first end face 21 having only the first optical waveguide section 1, only the light having the wavelength λ 0 satisfying the above (Formula 2) As described above, the first and second optical waveguide portions have only the second optical waveguide portion 2 in the laminated portion by performing mode conversion by the phase matching between modes by the periodic refractive index disturbing structure portion 4. The light is emitted from the second end face 22. That is,
A wavelength band pass filter operation is performed.

【0051】上述の実施例では第1および第2の光導波
部1および2を、ともにプロトン交換導波路とした場合
であるが、図4にその模式的斜視図を示すように、第2
の光導波部2および周期的屈折率擾乱構造部4は図3A
およびBで説明したと同様の方法によるプロトン交換を
行ってLN基板11内に形成するものの、第1の光導波
部1は、基板11上に被着形成した例えばTa25
よる第1の誘電体膜6による構成とすることもできる。
図4において、図2と対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。
In the above-described embodiment, the first and second optical waveguides 1 and 2 are both proton exchange waveguides. As shown in the schematic perspective view of FIG.
The optical waveguide 2 and the periodic refractive index disturbing structure 4 of FIG.
Although the proton exchange is performed by the same method as described in B and B to form in the LN substrate 11, the first optical waveguide portion 1 is formed by depositing the first optical waveguide portion 1 on the substrate 11, for example, Ta 2 O 5 . Alternatively, the dielectric film 6 may be used.
4, parts corresponding to those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

【0052】また、本発明装置は、図5にその模式的斜
視図を示すように、第1および第2の光導波部1および
2をともに基板11上に形成した第1および第2の誘電
体膜6および7によって構成することができる。
The device of the present invention, as shown in the schematic perspective view of FIG. 5, has first and second dielectric waveguides 1 and 2 formed on a substrate 11 together. It can be constituted by the body membranes 6 and 7.

【0053】この場合、基板11の1主面の、第2の光
導波部の形成部分をエッチングして凹部8を形成し、こ
の凹部内に基板11の上記1主面とほぼ同一平面を形成
するように例えばTa25 よりなる第2の誘電体膜7
を形成し、この第2の誘電体膜7の表面を選択的にエッ
チングして最終的に周期的屈折率擾乱構造部4を構成す
る部分に、最終的に光の伝搬方向を横切る方向に延びる
ストライプ状の凹凸を平行に配列形成する。そして、こ
の凹凸部9を埋め込むように例えばNb25による第
1の誘電体膜6を、基板11の第2の誘電体膜7上とそ
れ以外の凹部8が形成されない部分に差し渡って形成す
る。
In this case, the portion where the second optical waveguide portion is formed on one main surface of the substrate 11 is etched to form the recessed portion 8, and the recess 8 is formed in substantially the same plane as the one main surface of the substrate 11. The second dielectric film 7 made of, for example, Ta 2 O 5.
Is formed, and the surface of the second dielectric film 7 is selectively etched to finally extend to a portion that constitutes the periodic refractive index disturbing structure portion 4 in a direction transverse to the light propagation direction. Striped irregularities are arranged in parallel. Then, the first dielectric film 6 made of, for example, Nb 2 O 5 is spread over the second dielectric film 7 of the substrate 11 and the other portions where the concave portions 8 are not formed so as to fill the concave and convex portions 9. Form.

【0054】この構成では、第1の光導波部1を構成す
る第1の誘電体膜6が凹凸部9が形成された部分におい
て、その深さが変化することからここに屈折率が周期的
に変化する周期的屈折率擾乱構造部4が構成される。こ
の場合においても、図5において、図2と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。
In this structure, since the depth of the first dielectric film 6 forming the first optical waveguide portion 1 is changed in the portion where the concave-convex portion 9 is formed, the refractive index is periodic here. The periodic refractive index perturbation structure portion 4 that changes to Also in this case, in FIG. 5, parts corresponding to those in FIG.

【0055】上述した各例においては、第1および第2
の光導波部1および2の界面に周期的屈折率擾乱構造部
4を構成した場合であるが、この周期的屈折率擾乱構造
部4は、上述したように第1の光導波部1を伝搬させる
0次モードの界分布と、第2の光導波部2を伝搬させる
1次モードの界分布が重なり合う深さ位置で形成されれ
ば良いことから、この周期的屈折率擾乱構造部4の形成
位置は第1および第2の光導波部1および2の界面に限
られるものではなく、例えば上層の第1の光導波部1上
に形成することもできる。
In each of the above examples, the first and second
In the case where the periodic refractive index disturbing structure 4 is formed at the interface between the optical waveguides 1 and 2, the periodic refractive index disturbing structure 4 propagates through the first optical waveguide 1 as described above. Since it suffices to form the field distribution of the 0th-order mode and the field distribution of the 1st-order mode propagating in the second optical waveguide portion 2 at a depth position where they overlap, the formation of this periodic refractive index disturbance structure portion 4 The position is not limited to the interface between the first and second optical waveguides 1 and 2, and the position may be formed, for example, on the upper first optical waveguide 1.

【0056】例えば図6に示すように、第1の光導波部
1上の第2の光導波部との積層部上に例えばアルミニウ
ムAlなどによる対の櫛歯状の金属電極10Aおよび1
0Bを配置し両者間に所定の例えば可変直流電圧Eを印
加する。
For example, as shown in FIG. 6, a pair of comb-teeth-shaped metal electrodes 10A and 1 made of, for example, aluminum Al is provided on the laminated portion of the first optical waveguide portion 1 and the second optical waveguide portion.
0B is arranged and a predetermined, for example, variable DC voltage E is applied between them.

【0057】この構成によれば、電極10Aおよび10
Bによって横方向に電界を発生させモード伝搬方向に周
期的に屈折率を変調させグレーティングを発生させるこ
とができ、電圧Eの選定によってグレーティングの深さ
を調整選定することができて0次モードと1次モードの
結合を良好に設定することができる。この図6において
も、図2と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。
According to this configuration, the electrodes 10A and 10A
By B, an electric field can be generated in the lateral direction to periodically modulate the refractive index in the mode propagation direction to generate a grating, and by selecting the voltage E, the depth of the grating can be adjusted and selected. The coupling of the first-order mode can be set well. In FIG. 6 as well, parts corresponding to those in FIG.

【0058】また、図7に示す例では、周期的屈折率擾
乱構造部4を第1の光導波部1の表面に形成した凹凸に
よって形成した場合であり、この場合においても同様に
モード間の位相整合を起こすことができる。この図7に
おいても、図2と対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略する。
Further, in the example shown in FIG. 7, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 is formed by the unevenness formed on the surface of the first optical waveguide portion 1, and in this case as well, there is a difference between the modes. Phase matching can occur. In FIG. 7 as well, parts corresponding to those in FIG.

【0059】更に、周期的屈折率擾乱構造部4は、図8
に示すように、第2の光導波部2の基板11側の面に形
成することもできる。この場合、例えば基板11の表面
に凹凸をエッチング等によって形成し、これの上に第2
の光導波部2を形成してその深さを変化させることによ
って周期的屈折率擾乱構造部4を構成することができる
ものである。そして、この図8においても、図2と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
Further, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 is shown in FIG.
Alternatively, it can be formed on the surface of the second optical waveguide 2 on the substrate 11 side as shown in FIG. In this case, for example, unevenness is formed on the surface of the substrate 11 by etching or the like, and the second
The periodic refractive index disturbing structure portion 4 can be formed by forming the optical waveguide portion 2 and changing the depth thereof. In FIG. 8 as well, parts corresponding to those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0060】そして、図4〜図8のいづれの構成におい
ても、図1および図2で説明したと同様に波長バンドパ
スフィルタ動作を行わしめることができる。
In any of the configurations shown in FIGS. 4 to 8, the wavelength bandpass filter operation can be performed in the same manner as described with reference to FIGS.

【0061】上述の図1,図2,図4〜図8で説明した
構成では、波長バンドパスフィルタ動作を行う光導波型
波長選択装置であるが、波長バンドカットフィルタ動作
を行う光導波型波長選択装置を構成することもできる。
Although the optical waveguide type wavelength selecting device that performs the wavelength band pass filter operation is configured in the configurations described in FIGS. 1, 2 and 4 to 8, the optical waveguide type wavelength selecting device that performs the wavelength band cut filter operation is used. A selection device can also be configured.

【0062】この場合においては、図9あるいは図10
に示すように、光導波路3を構成する第1の光導波部1
もしくは第2の光導波部2のいづれか一方を光導波路の
全長に渡って形成し、その光導波の途上の一部に他方の
第2の光導波部2もしくは第1の光導波部1と周期的屈
折率擾乱構造部4とを配置形成する。
In this case, FIG. 9 or FIG.
As shown in FIG. 1, the first optical waveguide portion 1 constituting the optical waveguide 3 is
Alternatively, one of the second optical waveguide portions 2 is formed over the entire length of the optical waveguide, and a part of the second optical waveguide portion 2 and the other second optical waveguide portion 2 or the first optical waveguide portion 1 have a cycle. The refractive index disturbing structure portion 4 is arranged and formed.

【0063】この構成によれば、図9または図10にお
いて、第1の端面21から波長λ0を含む光を、第1ま
たは第2の光導波部1または2に入射させると、周期的
屈折率擾乱構造部4と位相整合する波長λ0 に関して
は、第2または第1の光導波部2または1に結合するこ
とによって損失を生じることから、この波長λ0 をカッ
トした出力光を第2の端面22から出射させることがで
きる。
According to this configuration, in FIG. 9 or FIG. 10, when the light including the wavelength λ 0 from the first end face 21 is made incident on the first or second optical waveguide section 1 or 2, the periodic refraction is performed. With respect to the wavelength λ 0 that is phase-matched with the disturbing structure portion 4, a loss occurs due to coupling to the second or first optical waveguide portion 2 or 1, so that the output light with this wavelength λ 0 cut is Can be emitted from the end face 22 of the.

【0064】尚、この図9および図10においても、そ
の周期的屈折率擾乱構造部4は、第1および第2の光導
波部1および2の界面に形成することもできるし、第1
の光導波部1の上面側あるいは第2の基板11側に形成
することもできる。また、この周期的屈折率擾乱構造部
4は、前述したように電極の形成、凹凸部もしくはプロ
トン交換による第1または第2の光導波部1または2の
深さの周期的変化、あるいは屈折率の周期的変化によっ
て構成することができる。
9 and 10, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 can be formed at the interface between the first and second optical waveguide portions 1 and 2, and the first and second optical waveguide portions 1 and 2 can also be formed.
It can also be formed on the upper surface side of the optical waveguide section 1 or on the second substrate 11 side. As described above, the periodic refractive index disturbing structure portion 4 has periodical changes in the depth of the first or second optical waveguide portion 1 or 2 due to the formation of electrodes, the uneven portion or the proton exchange, or the refractive index. It can be configured by the periodic change of.

【0065】また上述した各例において、図11に光の
伝搬方向を横切る面での断面図を示すように、第1およ
び第2光導波部1および2が積層された結合部上におい
て、例えば第1の光導波部1上に装荷された誘電体膜5
上とこれを挟んでその両側に対の電極20Aおよび20
Bを被着形成し、これら電極20Aおよび20B間に可
変直流電圧EB を印加する。このようにするときは、図
11中実線曲線をもってその電気力線を模式的に示すよ
うに、深さ方向に電界を与えことができることから、印
加電圧EB の制御によって導波モードの実効屈折率を変
化させることができる。
In each of the above-mentioned examples, as shown in FIG. 11 which is a cross-sectional view taken along a plane crossing the light propagation direction, on the coupling portion where the first and second optical waveguide portions 1 and 2 are laminated, for example, Dielectric film 5 loaded on first optical waveguide 1
A pair of electrodes 20A and 20 is provided on both sides of the upper side and the upper side.
B is deposited and a variable DC voltage E B is applied between these electrodes 20A and 20B. In this case, an electric field can be applied in the depth direction as schematically shown by the solid lines in FIG. 11 as the lines of electric force. Therefore, the effective refraction of the guided mode can be controlled by controlling the applied voltage E B. You can change the rate.

【0066】したがって、この場合電圧EB の制御によ
って0次モードと1次モードとの位相整合条件を実質的
に変化させることができることになり、これにより、周
期的屈折率擾乱構造部4による第1および第2の光導波
部1および2間で変換される波長λ0 をシフトすること
ができることになる。したがってこの構成を上述した波
長バンドパスフィルタ、波長バンドカットフィルタに適
用することによってその透過もしくはカットする中心波
長を可変できる周波数可変フィルタを構成することがで
きる。
Therefore, in this case, the phase matching condition between the 0th-order mode and the 1st-order mode can be substantially changed by controlling the voltage E B , which allows the periodic refractive index disturbing structure portion 4 to change the phase matching condition. The wavelength λ 0 converted between the first and second optical waveguide sections 1 and 2 can be shifted. Therefore, by applying this configuration to the above-mentioned wavelength band pass filter and wavelength band cut filter, it is possible to configure a frequency variable filter capable of varying the central wavelength to be transmitted or cut.

【0067】そして、この場合その深さ方向の僅かな屈
折率変化でも大きく波長λ0 のシフトを行うことができ
ることから、波長選択中心波長可変範囲は広域となる。
In this case, since the wavelength λ 0 can be largely shifted even with a slight change in the refractive index in the depth direction, the wavelength selection central wavelength variable range becomes wide.

【0068】また、上述の実施例では、誘電体膜5を装
荷する装荷型3次元導波路構成とした場合であるが、図
12に示すように、第1の光導波部1や第2の光導波部
2を3次元化した埋め込み型3次元導波路としても上述
したと同様の作用を行わしめることができる。
In the above-described embodiment, the loading type three-dimensional waveguide structure for loading the dielectric film 5 is used. However, as shown in FIG. 12, the first optical waveguide section 1 and the second optical waveguide section 1 are provided. Even if the optical waveguide section 2 is a three-dimensional embedded type three-dimensional waveguide, the same operation as described above can be performed.

【0069】尚、図8〜図12において、図1、図2、
図4〜図7と対応する部分には同一符号を付して重複説
明を省略する。
Incidentally, in FIGS. 8 to 12, FIGS.
Portions corresponding to those in FIGS. 4 to 7 are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

【0070】また、上述の図4以下の実施例において
も、第1および第2の各光導波部1および2は、これを
プロトン交換導波路とすることもできるし、誘電体膜構
成とすることもできる。
Also in the above-mentioned embodiment shown in FIG. 4 and subsequent figures, the first and second optical waveguide sections 1 and 2 can be proton exchange waveguides or have a dielectric film structure. You can also

【0071】また、上述した例では、LNによる基板1
1を用いた場合であるが、LNに限られるものではな
く、LiTaO3 (LT:すなわち上述のLiTax
1-x3 においてx=1)基板によって同様に構成す
ることができる。
In the above-mentioned example, the substrate 1 made of LN is used.
However, it is not limited to LN, but LiTaO 3 (LT: that is, LiTa x N described above is used.
b 1-x O 3 in x = 1) can be similarly constructed by the substrate.

【0072】[0072]

【発明の効果】上述したように、本発明構成において
は、屈折率を異にする第1および第2の光導波部1およ
び2の2層の導波部によって0次および1次モード伝搬
のマルチモード光導波路3を構成し、周期的屈折率擾乱
構造部4によるモード変換の波長依存性を用いて波長選
択を行うので、簡潔な構成で確実に波長選択を行う例え
ばバンドパスフィルタ、バンドカットフィルタを構成で
きる。
As described above, in the configuration of the present invention, the two-layered waveguide sections of the first and second optical waveguide sections 1 and 2 having different refractive indexes are used to propagate the 0th-order and 1st-order modes. Since the multimode optical waveguide 3 is configured and the wavelength is selected by using the wavelength dependence of the mode conversion by the periodic refractive index perturbation structure 4, the wavelength can be reliably selected with a simple structure such as a bandpass filter or a band cut filter. You can configure filters.

【0073】また、上述したように波長選択帯域を可変
にする構成とするときは、その中心波長の可変範囲が広
帯域な光導波路型波長選択装置が作製できる。
Further, when the wavelength selection band is made variable as described above, an optical waveguide type wavelength selection device having a wide variable range of the center wavelength can be manufactured.

【0074】更に、例えばLNやLiTaO3 (LT)
などを基板とした光導波路型波長選択装置において光損
傷が少なく光パワー耐久性の優れた光導波路型波長選択
装置が構成できる。
Furthermore, for example, LN or LiTaO 3 (LT)
In an optical waveguide type wavelength selecting device using such as a substrate, an optical waveguide type wavelength selecting device with little optical damage and excellent optical power durability can be constructed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明装置の基本的構成図である。FIG. 1 is a basic configuration diagram of a device of the present invention.

【図2】本発明装置の一例の概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view of an example of the device of the present invention.

【図3】本発明装置の一例の製造工程図である。Aは一
工程における断面図である。Bは一工程における断面図
である。Cは一工程における断面図である。Dは一工程
における断面図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of an example of the device of the present invention. A is a sectional view in one step. B is a sectional view in one step. C is a cross-sectional view in one step. D is a sectional view in one step.

【図4】本発明装置の一例の概略斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view of an example of the device of the present invention.

【図5】本発明装置の一例の概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view of an example of the device of the present invention.

【図6】本発明装置の一例の概略斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view of an example of the device of the present invention.

【図7】本発明装置の一例の概略斜視図である。FIG. 7 is a schematic perspective view of an example of the device of the present invention.

【図8】本発明装置の一例の概略斜視図である。FIG. 8 is a schematic perspective view of an example of the device of the present invention.

【図9】本発明装置の一例の概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view of an example of the device of the present invention.

【図10】本発明装置の一例の概略断面図である。FIG. 10 is a schematic sectional view of an example of the device of the present invention.

【図11】本発明装置の一例の概略断面図である。FIG. 11 is a schematic sectional view of an example of the device of the present invention.

【図12】本発明装置の一例の概略断面図である。FIG. 12 is a schematic sectional view of an example of the device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基板 1 第1の光導波部 2 第2の光導波部 3 光導波路 4 周期的屈折率擾乱構造部 11 substrate 1 first optical waveguide 2 second optical waveguide 3 optical waveguide 4 periodic refractive index perturbation structure

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1および第2の端面を有し、第1の光
導波部と第2の光導波部とからなる光導波路と、 該光導波路の伝搬方向に対し該光導波路が周期的に屈折
率擾乱を形成する周期的屈折率擾乱構造部とを有し、 前記第1の光導波部は、前記第2の光導波部の屈折率よ
り大きな屈折率を有し、少なくとも一部が前記第2の光
導波部に接する構成としたことを特徴とする光導波路型
波長選択装置。
1. An optical waveguide having first and second end faces, the optical waveguide including a first optical waveguide section and a second optical waveguide section, and the optical waveguide being periodic with respect to a propagation direction of the optical waveguide. And a periodic refractive index disturbing structure portion that forms a refractive index disturbance, wherein the first optical waveguide portion has a refractive index higher than that of the second optical waveguide portion, and at least a part of An optical waveguide type wavelength selecting device, characterized in that it is in contact with the second optical waveguide portion.
【請求項2】 前記周期的屈折率擾乱構造部が第1の光
導波部と第2の光導波部との界面において周期的に屈折
率変化する構成としたことを特徴とする請求項1に記載
の光導波路型波長選択装置。
2. A structure in which the periodic refractive index disturbing structure portion has a structure in which the refractive index periodically changes at the interface between the first optical waveguide portion and the second optical waveguide portion. The optical waveguide type wavelength selecting device described.
【請求項3】 前記周期的屈折率擾乱構造部が前記第1
の光導波部の表面において周期的に屈折率が変化する構
成としたことを特徴とする請求項1に記載の光導波路型
波長選択装置。
3. The periodic refractive index disturbing structure portion is the first
The optical waveguide type wavelength selection device according to claim 1, wherein the refractive index is periodically changed on the surface of the optical waveguide section.
【請求項4】 基板上に、前記第1の光導波部と第2の
光導波部とからなる光導波路が、前記第2の光導波部を
前記基板側に位置するように形成され、 前記第2の光導波部は、前記基板の屈折率より大きな屈
折率を有し、 前記第1の光導波部は、前記基板および前記第2の光導
波部の各屈折率より大きな屈折率を有し、 前記周期的屈折率擾乱構造部が前記第2の光導波部と基
板との界面において周期的に屈折率変化する構成とした
ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路型波長選択
装置。
4. An optical waveguide comprising a first optical waveguide section and a second optical waveguide section is formed on a substrate so that the second optical waveguide section is located on the substrate side, The second optical waveguide section has a refractive index higher than that of the substrate, and the first optical waveguide section has a refractive index greater than that of the substrate and the second optical waveguide section. The optical waveguide type wavelength selection device according to claim 1, wherein the periodic refractive index disturbing structure portion has a configuration in which the refractive index periodically changes at an interface between the second optical waveguide portion and the substrate. apparatus.
【請求項5】 前記周期的屈折率擾乱構造部が電極から
の電界によって周期的に屈折率変化する構成としたこと
を特徴とする請求項1に記載の光導波路型波長選択装
置。
5. The optical waveguide type wavelength selection device according to claim 1, wherein the periodic refractive index disturbing structure portion has a configuration in which the refractive index is periodically changed by an electric field from an electrode.
【請求項6】 前記第1および第2の光導波部がプロト
ン交換導波路であることを特徴とする請求項1、2、
3、4または5に記載の光導波路型波長選択装置。
6. The first and second optical waveguide sections are proton exchange waveguides, and claim 1,
The optical waveguide type wavelength selecting device according to 3, 4, or 5.
【請求項7】 前記第1の光導波部が誘電体膜であり、
前記第2の光導波部がプロトン交換導波路であることを
特徴とする請求項1、2、3、4または5に記載の光導
波路型波長選択装置。
7. The first optical waveguide portion is a dielectric film,
The optical waveguide type wavelength selection device according to claim 1, 2, 3, 4, or 5, wherein the second optical waveguide portion is a proton exchange waveguide.
【請求項8】 前記第1および第2の光導波部が誘電体
膜であることを特徴とする請求項1、2、3、4または
5に記載の光導波路型波長選択装置。
8. The optical waveguide type wavelength selection device according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, wherein the first and second optical waveguide portions are dielectric films.
【請求項9】 前記第1の端面において前記光導波路が
前記第1の光導波部のみであり、前記第2の端面におい
て前記光導波路が第2の光導波部のみであることを特徴
とする請求項1、2、3、4、5、6、7または8に記
載の光導波路型波長選択装置。
9. The optical waveguide is only the first optical waveguide portion on the first end face, and the optical waveguide is only the second optical waveguide portion on the second end face. The optical waveguide type wavelength selection device according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8.
【請求項10】 前記第1および第2の端面において光
導波路が、前記第1の光導波部のみであることを特徴と
する請求項1、2、3、4、5、6、7または8に記載
の光導波路型波長選択装置。
10. The optical waveguide on each of the first and second end faces is only the first optical waveguide portion, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8. An optical waveguide type wavelength selecting device according to.
【請求項11】 前記第1および第2の端面において光
導波路が第2の光導波部のみであることを特徴とする請
求項1、2、3、4、5、6、7または8に記載の光導
波路型波長選択装置。
11. The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical waveguide is only a second optical waveguide portion on the first and second end faces. Optical waveguide type wavelength selector.
【請求項12】 前記基板がLiTaX Nb1-x
3 (0≦x≦1)であることを特徴とする請求項4、
6、7、8、9、10または11に記載の光導波路型波
長選択装置。
12. The substrate is LiTa X Nb 1-x O
3 (0 ≦ x ≦ 1), wherein
The optical waveguide type wavelength selection device according to 6, 7, 8, 9, 10 or 11.
JP6156394A 1994-03-30 1994-03-30 Optical waveguide type wavelength selector Pending JPH07270732A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6156394A JPH07270732A (en) 1994-03-30 1994-03-30 Optical waveguide type wavelength selector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6156394A JPH07270732A (en) 1994-03-30 1994-03-30 Optical waveguide type wavelength selector

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07270732A true JPH07270732A (en) 1995-10-20

Family

ID=13174717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6156394A Pending JPH07270732A (en) 1994-03-30 1994-03-30 Optical waveguide type wavelength selector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07270732A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943561B1 (en) * 2003-06-03 2010-02-22 엘지전자 주식회사 A method of making a wavelength filter
JP2012151327A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Fujitsu Ltd Optical semiconductor device and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943561B1 (en) * 2003-06-03 2010-02-22 엘지전자 주식회사 A method of making a wavelength filter
JP2012151327A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Fujitsu Ltd Optical semiconductor device and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7529455B2 (en) Optical integrated device and optical control device
CA2174070C (en) Acoustooptical waveguide device for wavelength selection
JP2783047B2 (en) Optical wavelength conversion element and laser light source using the same
JPH0452922B2 (en)
JP3165106B2 (en) Optical tunable wavelength filter
CN117631146A (en) Polarization converter based on film lithium niobate waveguide supermode evolution
JP2007328257A (en) Optical waveguide, optical device, and method of manufacturing optical waveguide
Kokubun Vertically coupled microring resonator filter for integrated add/drop node
JPH07270732A (en) Optical waveguide type wavelength selector
CN115236799A (en) Grating type lithium niobate optical filter with apodized transverse amplitude
JP3005996B2 (en) Waveguide optical demultiplexer and method of manufacturing the same
JP2005316019A (en) Wavelength filter
JP6260631B2 (en) Optical waveguide device
RU2781367C1 (en) Hybrid integrated optical device
WO2024100865A1 (en) Optical waveguide element and method for manufacturing same
JPH05264809A (en) Diffraction grating and its production
JP2765112B2 (en) Optical waveguide device, optical wavelength conversion element, and short wavelength laser light source
JP5499380B2 (en) Light modulator
CN117215132A (en) FP cavity electro-optic modulator array for multi-wavelength channel transmitter
JPS63254404A (en) Optical multiplexer/demultiplexer
JPH07281227A (en) Laser beam generator
JPH05264834A (en) Waveguide type optical parts
JPH06222403A (en) Directional coupling type optical waveguide
JP2008040220A (en) Manufacturing method of optical modulator
JPH07270634A (en) Manufacture of optical waveguide and optical waveguide substrate