JPH07260698A - Foreign object inspection device and method - Google Patents
Foreign object inspection device and methodInfo
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- JPH07260698A JPH07260698A JP6048130A JP4813094A JPH07260698A JP H07260698 A JPH07260698 A JP H07260698A JP 6048130 A JP6048130 A JP 6048130A JP 4813094 A JP4813094 A JP 4813094A JP H07260698 A JPH07260698 A JP H07260698A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ
や液晶用ガラス基板などの基板上に付着した異物を検出
する異物検査装置及び異物検査方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a foreign substance inspection apparatus and a foreign substance inspection method for detecting foreign substances attached to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体装置の製造処理工程で
は、欠陥の原因となる半導体ウエハ（以下、単に「ウエ
ハ」と記す）の表面に付着した異物の検査が行われてい
る。それは、露光装置やプロセス装置の搬送系などの装
置要素が稼動することにより発生する塵埃や、スパッタ
やＣＶＤなど実プロセスによって生じる塵埃などを検
出、評価するための検査である。近年、製造処理工程に
おける異物の歩留りへの影響は極めて大きくなってお
り、このような検査は半導体装置の製造処理工程の各々
のプロセスで随時行われている。2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a semiconductor device, a foreign substance adhering to a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "wafer") which causes a defect is inspected. It is an inspection for detecting and evaluating dust generated by the operation of device elements such as a transfer system of an exposure apparatus and a process apparatus, and dust generated by an actual process such as sputtering or CVD. In recent years, the influence of foreign matter on the yield in the manufacturing process has become extremely large, and such inspection is performed at any time in each process of the semiconductor device manufacturing process.
【０００３】以下、ウエハを採り上げ、従来の異物検査
装置及びそれを用いた異物検査方法を説明する。現行の
検査では、Ｎｅ−ＨｅまたはＡｒレーザービームを収束
して照射し、ウエハ上の異物からの散乱光を光電子増倍
管によって受光する方式を採っている。前記散乱光を集
光するタイプとして、積分球面を備えた反射体と楕円ミ
ラーを組み合わせて集光するタイプ（ＴＥＮＣＯＲ社
製）と、オプチカルファイバを介して集光するタイプ
（日立ＤＥＣＯ社製）があり、また、ウエハを２次元走
査する方法として、ＸＹ走査タイプ（ＴＥＮＣＯＲ社
製）と、螺旋回転タイプ（日立ＤＥＣＯ社製）とが主に
実施されている。A conventional foreign matter inspecting apparatus and a foreign matter inspecting method using the same will be described below by picking up a wafer. The current inspection employs a method in which a Ne-He or Ar laser beam is converged and irradiated, and scattered light from a foreign substance on the wafer is received by a photomultiplier tube. As a type for condensing the scattered light, a type (manufactured by TENCOR) that condenses a reflector having an integrating spherical surface and an elliptical mirror, and a type (manufactured by Hitachi DECO) that condenses through an optical fiber. In addition, as a method of two-dimensionally scanning a wafer, an XY scanning type (manufactured by TENCOR) and a spiral rotation type (manufactured by Hitachi DECO) are mainly used.
【０００４】ここではＴＥＮＣＯＲ社製の異物検査装置
を例に挙げ、図２を用いて従来の異物検査装置及び異物
検査方法を説明する。図２は従来の異物検査装置の概念
図である。Here, a foreign matter inspection apparatus and a foreign matter inspection method of the related art will be described with reference to FIG. 2 by taking a foreign matter inspection apparatus manufactured by TENCOR as an example. FIG. 2 is a conceptual diagram of a conventional foreign matter inspection apparatus.
【０００５】まず、異物検査装置の構成を説明する。符
号１は異物検査装置を指す。この異物検査装置１は、例
えば一辺が４０ｃｍの立方体の筐体２を用いて構成され
ている。その上方開口部には、空気浄化装置としてＨＥ
ＰＡなどのフィルタ３が装着されており、その筐体２の
中央部には、散乱光を反射して集光するための積分球面
を持つ反射体５が、ウエハ６を載置する試料台８を覆う
ように設置されている。この反射体５にはレーザービー
ムが通過するための入射光透過窓９Ａと反射光透過窓９
Ｂとが対称的な位置に形成されており、また反射体５の
頂上中心部には散乱光を集光する光電子増倍管４が設置
されている。更にまた、レーザービームの光源であるレ
ーザーチューブ７が前記筐体２の左上端部に斜めに設置
されている。First, the structure of the foreign matter inspection device will be described. Reference numeral 1 indicates a foreign matter inspection device. The foreign matter inspection apparatus 1 is configured by using a cubic housing 2 having a side of 40 cm, for example. In the upper opening, HE is installed as an air purifying device.
A filter 3 such as a PA is mounted, and a reflector 5 having an integrating spherical surface for reflecting and condensing scattered light is mounted in the center of the housing 2 of the sample table 8 on which a wafer 6 is mounted. It is installed so as to cover. An incident light transmitting window 9A and a reflected light transmitting window 9 for allowing a laser beam to pass through are provided in the reflector 5.
B is formed at a symmetrical position, and a photomultiplier tube 4 that collects scattered light is installed at the center of the top of the reflector 5. Furthermore, a laser tube 7 which is a light source of a laser beam is obliquely installed at the upper left end of the housing 2.
【０００６】筐体２内は常温、大気圧で保たれ、フィル
タ３を通して空気が常に浄化されており、検査中に新た
な異物がウエハ６に付着することのないよう管理され
る。レーザーチューブ７からは、Ｈｅ−ＮｅまたはＡｒ
レーザービームを照射することができる。また、前記試
料台８はＸＹ方向（紙面に対して垂直方向と横方向）に
移動できるように構成されている。The inside of the housing 2 is kept at room temperature and atmospheric pressure, and the air is constantly purified through the filter 3, so that new foreign matter is prevented from adhering to the wafer 6 during the inspection. From the laser tube 7, He-Ne or Ar
It can be irradiated with a laser beam. Further, the sample table 8 is configured so as to be movable in the XY directions (vertical direction and lateral direction with respect to the paper surface).
【０００７】筐体２の外部にあるローダー部（図示して
いない）には、ウエハキャリア２０Ａに収納された被検
査基板であるウエハ６が待機しており、検査終了後のウ
エハ６を収容するウエハキャリア２０Ｂがアンローダー
部（図示していない）で待機している。これらのウエハ
６は、或る製造処理工程、例えば、ポリシングやＣＶＤ
などの工程を経たものである。A wafer 6, which is a substrate to be inspected and accommodated in a wafer carrier 20A, stands by in a loader portion (not shown) outside the housing 2, and accommodates the wafer 6 after the inspection. The wafer carrier 20B is waiting in the unloader section (not shown). These wafers 6 may be processed in certain manufacturing process steps, such as polishing or CVD.
It has gone through such steps.
【０００８】次に、この異物検査装置１を用いた異物検
査方法を説明する。まず、搬送装置（図示していない）
を用いて、ウエハキャリア２０Ａから一枚のウエハ６を
筐体２内の試料台８に移載、載置する。そして、レーザ
ーチューブ７からレーザービームをウエハ６に照射す
る。入射光Ｌｉは入射光透過窓９Ａを通過し、ウエハ６
の表面の一区画を照射する。照射した一区画中に異物が
付着してない場合、その入射光Ｌｉは正反射し、正反射
光Ｌｏは集光されずに反射光透過窓９Ｂを通過する。と
ころがその一区画に異物が存在していた場合、異物に当
たった入射光Ｌｉは乱反射して反射体５の積分球面で反
射を繰り返し、散乱光Ｌｒとなって光電子増倍管４に入
射する。異物の位置、粒径などの情報は、光電子増倍管
４を通じてメモリー（図示していない）に記憶される。
そして、ウエハをＸＹ方向に移動させ、レーザービーム
で２次元走査して、ウエハ６の表面の検査すべき各区画
を、逐次検査する。Next, a foreign matter inspection method using the foreign matter inspection apparatus 1 will be described. First, a transport device (not shown)
Using, the one wafer 6 is transferred from the wafer carrier 20A to the sample table 8 in the housing 2 and placed. Then, the wafer 6 is irradiated with a laser beam from the laser tube 7. The incident light Li passes through the incident light transmitting window 9A, and the wafer 6
Illuminate a section of the surface. When no foreign matter is attached to the irradiated one section, the incident light Li is specularly reflected, and the specularly reflected light Lo passes through the reflected light transmission window 9B without being collected. However, when a foreign substance is present in the one section, the incident light Li that hits the foreign substance is diffusely reflected and repeatedly reflected by the integrating spherical surface of the reflector 5, and becomes the scattered light Lr and enters the photomultiplier tube 4. Information such as the position and particle size of the foreign matter is stored in a memory (not shown) through the photomultiplier tube 4.
Then, the wafer is moved in the XY directions and two-dimensionally scanned with a laser beam to sequentially inspect each section on the surface of the wafer 6 to be inspected.
【０００９】一枚のウエハの検査を終えると、搬送装置
（図示していない）を用いてそのウエハ６を移載し、ウ
エハキャリア２０Ｂに収納する。付着した異物の同定に
ついては、別の工程でオージェ電子分光法（ＡＥＳ）を
用いて行われる。After the inspection of one wafer is completed, the wafer 6 is transferred by using a transfer device (not shown) and stored in the wafer carrier 20B. The identification of the adhered foreign matter is performed using Auger electron spectroscopy (AES) in another step.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術の検
査では、筐体内の温度、湿度を一定に保ち、大気圧中に
載置された被検査基板の表面上の異物の存在の有無、粒
径及び位置を検出しているが、微粒子である異物が、ウ
エハ表面に付着した状況で起こす昇華、揮発または吸湿
といった現象に対しては全く考慮されていない。However, in the inspection of the prior art, the temperature and humidity inside the housing are kept constant, and the presence or absence of foreign matter on the surface of the substrate to be inspected placed under atmospheric pressure Although the diameter and position are detected, no consideration is given to phenomena such as sublimation, volatilization, or moisture absorption that occur when foreign particles, which are fine particles, adhere to the wafer surface.
【００１１】そのため、製造処理工程直後と比較して、
異物検査装置内において時間が経過するとともに、検出
できる異物の数が増加する場合と減少する場合とがある
ことが明らかになっている。いずれにせよ暫く放置する
と異物の数が安定する傾向があるため、異物検査は通
常、一定時間経過後、例えば１０分後に行われている。Therefore, as compared with immediately after the manufacturing process,
It has been clarified that the number of detectable foreign substances may increase or decrease over time in the foreign substance inspection apparatus. In any case, if left unattended for a while, the number of foreign substances tends to stabilize, so that the foreign substance inspection is usually performed after a certain period of time, for example, 10 minutes.
【００１２】異物検査装置内において、時間とともに検
出できる異物の数量が変化してしまう原因は明らかでは
ないが、新たな異物の付着や、異物が昇華、揮発、吸湿
し、または何らかの反応によって異物が変化し、検出が
不可能になるほど微小になるものや逆に微小な異物が膨
張することがあると推考されている。The cause of the change in the number of foreign substances that can be detected with time in the foreign substance inspection device is not clear, but the foreign substances may be attached due to new foreign substances, sublimation, volatilization, moisture absorption, or some reaction. It is presumed that things that change and become so small that detection becomes impossible, or conversely, minute foreign matter may expand.
【００１３】よって、従来の異物検査では、各々の製造
処理工程で発生した異物の実態を正確に反映しておら
ず、付着異物の検出及び評価が厳密にできないという問
題があった。また、後のオージェ電子分光法による別の
プロセスを経ないと、異物の同定をすることもできなか
った。Therefore, the conventional foreign matter inspection has a problem that the actual state of the foreign matter generated in each manufacturing process is not accurately reflected, and the adhered foreign matter cannot be detected and evaluated strictly. In addition, it was not possible to identify the foreign substance without going through another process by Auger electron spectroscopy.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の異物検査方法では、製造処理工程中の反応
環境を反映するように、被検査基板の近傍の気体の組
成、圧力、温度及び／又は湿度といった雰囲気を、製造
処理工程の雰囲気に近似させて、異物の状態を安定させ
て異物検査を行うようにした。また一方で、被検査基板
の近傍を、異物が特定の反応を起こすような雰囲気に曝
し、異物検査を行うようにした。In order to solve the above problems, in the foreign matter inspection method of the present invention, the composition and pressure of the gas in the vicinity of the substrate to be inspected so as to reflect the reaction environment during the manufacturing process. The atmosphere such as temperature and / or humidity is approximated to the atmosphere in the manufacturing process so that the state of the foreign matter is stabilized and the foreign matter inspection is performed. On the other hand, the foreign matter inspection is performed by exposing the vicinity of the substrate to be inspected to an atmosphere in which the foreign matter causes a specific reaction.
【００１５】この異物検査方法を実現するため、異物検
査装置に、被検査基板の近傍の気体の組成、圧力、温
度、湿度などの内、少なくともいずれか一つの雰囲気を
調整できる制御装置を具備せしめて前記課題を解決し
た。In order to realize this foreign matter inspection method, the foreign matter inspection apparatus is provided with a control device capable of adjusting at least one atmosphere of gas composition, pressure, temperature, humidity and the like in the vicinity of the substrate to be inspected. To solve the above problems.
【００１６】[0016]
【作用】従って、本発明の異物検査装置及び異物検査方
法によれば、各々の製造処理工程における異物の付着状
況を正確に測定、把握することができる。また、異物の
昇華、揮発、吸湿などの現象を観察することによって、
異物の性質を見極め、或る程度物質を同定することがで
きる。Therefore, according to the foreign matter inspection apparatus and the foreign matter inspection method of the present invention, it is possible to accurately measure and grasp the adhesion state of the foreign matter in each manufacturing process. Also, by observing phenomena such as sublimation, volatilization and moisture absorption of foreign matter,
It is possible to identify the substance to some extent by identifying the properties of the foreign substance.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、図１を用いて、本発明の異物検査装置
及び異物検査方法の実施例を説明する。図１は本発明の
異物検査装置の概念図であり、従来技術の構成要素と同
一の部分には同一の符号を付し、それらの構成の説明を
省略する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the foreign matter inspection apparatus and foreign matter inspection method of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a conceptual diagram of a foreign matter inspection apparatus according to the present invention. The same parts as those of the prior art are designated by the same reference numerals, and the description of those structures will be omitted.
【００１８】まず、本発明の異物検査装置について説明
する。本発明の異物検査装置１１は、従来技術の異物検
査装置１が備えている各種装置の他に、給排気装置兼圧
力調整装置として、筐体２の下部に形成した給気口１２
にパイプ１３を介してタンク１４を接続し、また、筐体
２の他の下部に形成した排気口１５にパイプ１６Ａを介
して排気ポンプ１８を、更に排気パイプ１６Ｂを接続し
た。前記パイプ１６Ａの内部には、円形で一方向の軸を
持つバタフライバルブ１７が設けられている。前記タン
ク１４は使用する気体、例えば、窒素ガス、水蒸気、エ
タノールガスをそれぞれ収容したタンク群を示してい
て、それぞれの気体を図示していないバルブを用いて切
り換え、共通の前記パイプ１３及び給気口１２を通じて
前記筐体２内に送給できるように構成している。更にま
た、筐体２の内部には、温度調整装置兼湿度調整装置と
して、フィルタ３と反射体５との中間部に複数の加熱用
の赤外線ランプ１９を設置した。First, the foreign matter inspection apparatus of the present invention will be described. The foreign matter inspection device 11 of the present invention is provided with an air supply port 12 formed in a lower portion of the housing 2 as a supply / exhaust device and a pressure adjusting device in addition to various devices included in the conventional foreign matter inspection device 1.
The tank 14 is connected to the exhaust pipe 15 via the pipe 13, the exhaust pump 15 is connected to the exhaust port 15 formed in the other lower portion of the housing 2 via the pipe 16A, and the exhaust pipe 16B is connected to the exhaust port 15. Inside the pipe 16A, a butterfly valve 17 having a circular unidirectional shaft is provided. The tank 14 represents a group of tanks containing a gas to be used, for example, nitrogen gas, water vapor, and ethanol gas. Each gas is switched by using a valve (not shown), and the common pipe 13 and supply air are supplied. It is configured so that it can be fed into the housing 2 through the mouth 12. Furthermore, a plurality of infrared lamps 19 for heating are installed inside the housing 2 as a temperature adjusting device and a humidity adjusting device at an intermediate portion between the filter 3 and the reflector 5.
【００１９】次に、このような構成の異物検査装置１１
を用いて本発明の異物検査方法を説明する。筐体２内の
雰囲気を、被検査基板であるウエハ６が直前の製造処理
工程で曝されていた雰囲気に、次のように近似させる。Next, the foreign matter inspection device 11 having such a configuration.
The foreign matter inspection method of the present invention will be described using. The atmosphere in the housing 2 is approximated to the atmosphere to which the wafer 6, which is the substrate to be inspected, was exposed in the immediately preceding manufacturing processing step as follows.
【００２０】前記のように、例えば、窒素ガス、水蒸
気、エタノールガスなどの気体のタンク１４をパイプ１
３に接続し、目的の雰囲気に合わせるよう、これらの気
体を単独でまたは混合して、給気口１２から送給する。
または、図示していないが、前記タンク１４に収容した
ガスは水やエタノール等の液体を通してバブリングさせ
てから、パイプ１３に送給してもよい。前記排気ポンプ
１８とバタフライバルブ１７によって排出する気体の容
量を調整することで、筐体２内の圧力を自在に調節す
る。また、赤外線ランプ１９から赤外線を照射し温度を
上昇させることで、筐体２内の温度、湿度を調整する。
また、水蒸気の注入によっても湿度を調整することがで
きる。このようにして、例えば、不活性雰囲気や減圧雰
囲気を作り出す。As described above, for example, the gas tank 14 of nitrogen gas, water vapor, ethanol gas or the like is connected to the pipe 1.
3, and these gases are fed alone or in a mixture so as to match the desired atmosphere, and are fed from the air supply port 12.
Alternatively, although not shown, the gas contained in the tank 14 may be bubbled through a liquid such as water or ethanol before being fed to the pipe 13. By adjusting the volume of gas discharged by the exhaust pump 18 and the butterfly valve 17, the pressure inside the housing 2 is freely adjusted. Further, the temperature and humidity inside the housing 2 are adjusted by irradiating infrared rays from the infrared lamp 19 to raise the temperature.
The humidity can also be adjusted by injecting water vapor. In this way, for example, an inert atmosphere or a reduced pressure atmosphere is created.
【００２１】製造処理工程の雰囲気が、例えば、高温過
ぎて異物検査をする環境に適さない場合は、筐体２内の
雰囲気を、その製造処理工程の雰囲気と全く同一にする
必要はなく、異物検査装置１１が正常に機能して正確に
検査が行える程度の近似に留めておけばよい。このよう
に筐体２内の雰囲気を調整することで、異物がウエハ６
上において、大気圧中で起こしたような反応を起こさせ
ないようにする。そして、ウエハ６を筐体２内の試料台
８に移載、載置し、レーザービームを照射して異物検査
を行う方法は従来技術の方法と同様である。If the atmosphere of the manufacturing process is too high to suit the environment for inspecting the foreign matter, for example, the atmosphere in the housing 2 need not be exactly the same as the atmosphere of the manufacturing process. It suffices to keep the approximation to such an extent that the inspection device 11 functions normally and can inspect accurately. By adjusting the atmosphere in the housing 2 in this manner, foreign matters are removed from the wafer 6
Do not allow the above reaction to occur as it did at atmospheric pressure. Then, the method of transferring and placing the wafer 6 on the sample table 8 in the housing 2 and irradiating the laser beam to perform the foreign matter inspection is the same as the method of the related art.
【００２２】また、ウエハ６の近傍の雰囲気を特定の反
応を起こす雰囲気にして、検査中の異物の物理的、化学
的振る舞いについて観察することにより、異物の性質を
或る程度予測する。例えば、塩化物の異物が存在した場
合は、前記筐体２内の湿度を故意に高くすることによっ
てその異物が吸湿して膨張するので、その反応を観察す
ることにより、異物のうち塩化物であるものを特定する
ことができる。Further, by observing the physical and chemical behavior of the foreign substance under inspection while setting the atmosphere in the vicinity of the wafer 6 as an atmosphere that causes a specific reaction, the nature of the foreign substance can be predicted to some extent. For example, when a foreign substance of chloride is present, the foreign substance absorbs moisture and expands by intentionally increasing the humidity in the housing 2. You can identify something.
【００２３】本発明の実施例では半導体装置のウエハを
例に採り説明したが、他の基板、例えばフォトマスク、
レチクル、液晶用ガラス基板などの被検査基板を検査す
る場合にも、応用することができる。In the embodiments of the present invention, the wafer of the semiconductor device has been described as an example, but other substrates such as a photomask,
It can also be applied when inspecting a substrate to be inspected such as a reticle and a glass substrate for liquid crystal.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明の異物検査装置及び異物検査方法
では、被検査基板の各々の製造プロセスにおける異物の
付着状況を正確に測定、把握することができ、また、異
物に対する昇華性、吸湿性などの簡易的確認が行えるこ
とから付着した異物の同定についてある程度予測でき、
異物の検出、評価、管理において、より有効なデータを
得ることができるようになった。According to the foreign matter inspection apparatus and the foreign matter inspection method of the present invention, it is possible to accurately measure and grasp the adhesion state of the foreign matter in each manufacturing process of the substrate to be inspected, and the sublimation property and hygroscopicity with respect to the foreign matter. Since simple confirmation such as can be done, it is possible to predict to some extent the identification of adhered foreign matter,
It has become possible to obtain more effective data in detecting, evaluating, and managing foreign substances.
【図１】 本発明の異物検査装置の実施例の概念図であ
る。FIG. 1 is a conceptual diagram of an embodiment of a foreign matter inspection device of the present invention.
【図２】 従来の異物検査装置の実施例の概念図であ
る。FIG. 2 is a conceptual diagram of an example of a conventional foreign matter inspection apparatus.
１ 異物検査装置 ２ 筐体 ３ フィルタ ４ 光電子増倍管 ５ 反射体 ６ ウエハ ７ レーザーチューブ ８ 試料台 ９Ａ 入射光透過窓 ９Ｂ 反射光透過窓 １１ 異物検査装置 １２ 給気口 １３ パイプ １４ タンク １５ 排気口 １６Ａ パイプ １６Ｂ 排気パイプ １７ バタフライバルブ １８ 排気ポンプ １９ 赤外線ランプ ２０Ａ、２０Ｂ ウエハキャリア 1 Foreign Material Inspection Device 2 Housing 3 Filter 4 Photomultiplier Tube 5 Reflector 6 Wafer 7 Laser Tube 8 Sample Stage 9A Incident Light Transmission Window 9B Reflected Light Transmission Window 11 Foreign Material Inspection Device 12 Air Supply Port 13 Pipe 14 Tank 15 Exhaust Port 16A pipe 16B exhaust pipe 17 butterfly valve 18 exhaust pump 19 infrared lamp 20A, 20B wafer carrier
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成６年５月１６日[Submission date] May 16, 1994
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００３[Name of item to be corrected] 0003
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００３】以下、ウエハを採り上げ、従来の異物検査
装置及びそれを用いた異物検査方法を説明する。現行の
検査では、Ｎｅ−ＨｅまたはＡｒレーザービームを収束
して照射し、ウエハ上の異物からの散乱光を光電子増倍
管によって受光する方式を採っている。前記散乱光を集
光するタイプとして、積分球面を備えた反射体と楕円ミ
ラーを組み合わせて集光するタイプ（ＴＥＮＣＯＲ社
製）と、オプチカルファイバを介して集光するタイプ
（日立ＤＥＣＯ社製）があり、また、ウエハを２次元走
査する方法として、直線走査タイプ（ＴＥＮＣＯＲ社
製）と、螺旋回転タイプ（日立ＤＥＣＯ社製）とが主に
実施されている。A conventional foreign matter inspecting apparatus and a foreign matter inspecting method using the same will be described below by picking up a wafer. The current inspection employs a method in which a Ne-He or Ar laser beam is converged and irradiated, and scattered light from a foreign substance on the wafer is received by a photomultiplier tube. As a type for condensing the scattered light, a type (manufactured by TENCOR) that condenses a reflector having an integrating spherical surface and an elliptical mirror, and a type (manufactured by Hitachi DECO) that condenses through an optical fiber. In addition, as a method for two-dimensionally scanning a wafer, a linear scanning type (manufactured by TENCOR) and a spiral rotation type (manufactured by Hitachi DECO) are mainly used.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００６】筐体２内は常温、大気圧で保たれ、フィル
タ３を通して空気が常に浄化されており、検査中に新た
な異物がウエハ６に付着することのないよう管理され
る。レーザーチューブ７からは、Ｈｅ−ＮｅまたはＡｒ
レーザービームを照射することができる。また、前記試
料台８は一方向（紙面に対して垂直方向）に移動できる
ように構成されている。The inside of the housing 2 is kept at room temperature and atmospheric pressure, and the air is constantly purified through the filter 3, so that new foreign matter is prevented from adhering to the wafer 6 during the inspection. From the laser tube 7, He-Ne or Ar
It can be irradiated with a laser beam. Further, the sample table 8 is configured so as to be movable in one direction (direction perpendicular to the paper surface) .
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００９】一枚のウエハの検査を終えると、搬送装置
（図示していない）を用いてそのウエハ６を移載し、ウ
エハキャリア２０Ｂに収納する。付着した異物の同定に
ついては、別の工程でエネルギー分散型Ｘ線分校（ＥＤ
Ｘ）を用いて行われる。After the inspection of one wafer is completed, the wafer 6 is transferred by using a transfer device (not shown) and stored in the wafer carrier 20B. For identification of adhered foreign matter, energy dispersive X-ray branching (ED
X) .
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１３[Correction target item name] 0013
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１３】よって、従来の異物検査では、各々の製造
処理工程で発生した異物の実態を正確に反映しておら
ず、付着異物の検出及び評価が厳密にできないという問
題があった。また、後のＥＤＸ法による別のプロセスを
経ないと、異物の同定をすることもできなかった。Therefore, the conventional foreign matter inspection has a problem that the actual state of the foreign matter generated in each manufacturing process is not accurately reflected, and the adhered foreign matter cannot be detected and evaluated strictly. In addition, it was not possible to identify the foreign matter without going through another process by the EDX method later.
【手続補正５】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２２[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２２】また、ウエハ６の近傍の雰囲気を特定の反
応を起こす雰囲気にして、検査中の異物の物理的、化学
的振る舞いについて観察することにより、異物の性質を
或る程度予測する。例えば、塩化物の異物が存在した場
合は、前記筐体２内の湿度を故意に高くすることによっ
てその異物が吸湿して膨張するので、その反応を観察す
ることにより、異物のうち塩化物など、吸湿性の高い物
質であるものを特定することができる。Further, by observing the physical and chemical behavior of the foreign substance under inspection while setting the atmosphere in the vicinity of the wafer 6 as an atmosphere that causes a specific reaction, the nature of the foreign substance can be predicted to some extent. For example, when a foreign substance of chloride is present, the foreign substance absorbs moisture and expands by intentionally increasing the humidity in the housing 2. Therefore, by observing the reaction, chloride or the like of the foreign substance is detected. , Highly hygroscopic
You can identify what is quality .
Claims (3)
異物検査方法において、前記被検査基板の近傍の気体の
組成、圧力、温度、湿度の内、少なくともいずれか一つ
の雰囲気を、製造処理工程時の雰囲気に近似させて検査
することを特徴とする異物検査方法。1. A foreign matter inspection method for detecting foreign matter adhered to a substrate to be inspected, wherein at least one atmosphere of composition, pressure, temperature and humidity of gas in the vicinity of the substrate to be inspected is subjected to a manufacturing process. A foreign matter inspection method characterized by inspecting in a manner similar to an atmosphere during a process.
異物検査方法において、前記被検査基板の近傍の気体の
組成、圧力、温度、湿度の内、少なくともいずれか一つ
の雰囲気を、異物が特定の反応を起こすような雰囲気に
して検査することを特徴とする異物検査方法。2. A foreign matter inspection method for detecting foreign matter adhered to a substrate to be inspected, wherein the foreign substance is in the vicinity of the substrate to be inspected in at least one of the composition, pressure, temperature and humidity of the atmosphere. A foreign matter inspection method characterized by performing an inspection in an atmosphere that causes a specific reaction.
異物検査装置において、前記被検査基板を所定の雰囲気
に曝すため、被検査基板の近傍の気体の組成、圧力、温
度、湿度の内、少なくともいずれか一つの雰囲気を調整
できる制御装置を備えたことを特徴とする異物検査装
置。3. A foreign matter inspection apparatus for detecting a foreign matter adhered on a substrate to be inspected, in order to expose the substrate to be inspected to a predetermined atmosphere, the composition, pressure, temperature and humidity of gas in the vicinity of the substrate to be inspected are controlled. A foreign matter inspection device, comprising a control device capable of adjusting at least one of the atmospheres.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6048130A JPH07260698A (en) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | Foreign object inspection device and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6048130A JPH07260698A (en) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | Foreign object inspection device and method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07260698A true JPH07260698A (en) | 1995-10-13 |
Family
ID=12794754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6048130A Pending JPH07260698A (en) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | Foreign object inspection device and method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07260698A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284558A (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2006030597A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Japan Science And Technology Agency | Object digitizing device using integrating sphere wave source |
| JP2009198432A (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | Particle detection assisting method, particle detection method, particle detection assisting device, and particle detection system |
| CN109085707A (en) * | 2018-08-31 | 2018-12-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | LCD tester |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850737A (en) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture apparatus for semiconductor element |
| JPH053238A (en) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for detection of foreign substances on wafer |
| JPH05322781A (en) * | 1992-05-19 | 1993-12-07 | Sony Corp | Surface foreign matter inspecting device |
| JPH05340885A (en) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Particle inspecting method |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP6048130A patent/JPH07260698A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850737A (en) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture apparatus for semiconductor element |
| JPH053238A (en) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for detection of foreign substances on wafer |
| JPH05322781A (en) * | 1992-05-19 | 1993-12-07 | Sony Corp | Surface foreign matter inspecting device |
| JPH05340885A (en) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Particle inspecting method |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284558A (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2006030597A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Japan Science And Technology Agency | Object digitizing device using integrating sphere wave source |
| JPWO2006030597A1 (en) * | 2004-09-17 | 2008-07-31 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Object digitizer using integrating sphere wave source |
| US7535559B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-05-19 | Japan Science And Technology Agency | Object digitizing device using integrating sphere wave source |
| JP4574621B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-11-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Target digitizing device using integrating sphere wave source |
| JP2009198432A (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | Particle detection assisting method, particle detection method, particle detection assisting device, and particle detection system |
| WO2009107423A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Method of helping particle detection, method of particle detection, apparatus for helping particle detection, and system for particle detection |
| CN109085707A (en) * | 2018-08-31 | 2018-12-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | LCD tester |
| WO2020042602A1 (en) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | Liquid crystal display test apparatus |
| CN109085707B (en) * | 2018-08-31 | 2020-06-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Liquid crystal display testing equipment |
| US10816833B2 (en) | 2018-08-31 | 2020-10-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Test apparatus of liquid crystal display |
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