JPH07254603A - Inspection system for bump electrode - Google Patents

Inspection system for bump electrode

Info

Publication number
JPH07254603A
JPH07254603A JP4456694A JP4456694A JPH07254603A JP H07254603 A JPH07254603 A JP H07254603A JP 4456694 A JP4456694 A JP 4456694A JP 4456694 A JP4456694 A JP 4456694A JP H07254603 A JPH07254603 A JP H07254603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bump electrode
optical fiber
fiber plate
chip
reflected light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4456694A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoji Nishiyama
陽二 西山
Hiroyuki Tsukahara
博之 塚原
Takashi Fuse
貴史 布施
Fumiyuki Takahashi
文之 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4456694A priority Critical patent/JPH07254603A/en
Publication of JPH07254603A publication Critical patent/JPH07254603A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To realize an efficient inspection of bump electrode in which the bonding properties are ensured previously in the flip chip bonding of a bump electrode. CONSTITUTION:A half mirror 13 is disposed under an optical fiber plate 11 and a light source 12 is disposed under the half mirror 13. A CCD camera 14 is disposed on the side of the half mirror 13 while focusing on the rear surface of the optical fiber plate 11. A chip 1 to be inspected is mounted, while facing downward, on the surface of the optical, fiber plate 11 and irradiated with light introduced from the rear surface side. The CCD camera 14 picks up the optical image of a bump electrode, formed on the surface of the chip 1, reflected on the rear surface of the optical fiber plate 11. The bump electrode is then checked for abnormality, e.g. insufficient height or surface oxidation, based on the displayed image.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は表面にバンプ電極が形成
された半導体チップ等のバンプ電極を検査する装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for inspecting bump electrodes such as semiconductor chips having bump electrodes formed on the surface thereof.

【0002】近年、半導体デバイスの実装方式として、
フリップチップボンディングが実用化されている。この
方式は、半導体チップの表面電極をはんだ等の微細なバ
ンプで形成し、この半導体チップをフェイスダウンで配
線基板等にボンディングするものであり、極めて高密度
の実装が可能である。但し、多数のバンプ電極に高さの
不揃い等があると接合が不完全となることがあり、しか
もボンディング後に目視チェックすることが困難である
から、ボンディング前にバンプ電極を検査してその接合
性を保証することが望まれている。
In recent years, as a mounting method for semiconductor devices,
Flip chip bonding has been put to practical use. In this method, the surface electrodes of a semiconductor chip are formed with fine bumps such as solder, and the semiconductor chip is bonded face down to a wiring board or the like, and extremely high-density mounting is possible. However, if many bump electrodes have uneven heights, the bonding may be incomplete, and it is difficult to visually check after bonding. Is guaranteed.

【0003】[0003]

【従来の技術】フリップチップボンディングにおいては
バンプ電極の高さにばらつきがあると相対的に高さが低
いバンプ電極の接合が不確実になることがあるから、ボ
ンディング前に接合の信頼性を保証するためにはバンプ
電極の高さの検査が必要である。バンプ電極の高さを検
査する装置の従来例としては、チップをXYステージに
搭載して総てのバンプ電極を一個ずつ光切断法やオート
フォーカス法等で高さを測定するもの、レーザビームを
チップに対してライン状に走査して反射光をPSD( Po
sition Sensitive Detector)で受光して高さを算出する
もの、等がある。以下、後者の例を図を参照しながら説
明する。
2. Description of the Related Art In flip chip bonding, if the bump electrodes have different heights, the bonding of bump electrodes having a relatively low height may become uncertain, so that the reliability of the bonding is guaranteed before bonding. In order to do so, it is necessary to inspect the height of the bump electrode. As a conventional example of a device for inspecting the height of bump electrodes, a chip is mounted on an XY stage and the height of each bump electrode is measured one by one by a light cutting method or an autofocus method. The chip is scanned linearly and the reflected light is reflected by PSD (Po
sition Sensitive Detector) is used to calculate the height by receiving light. Hereinafter, the latter example will be described with reference to the drawings.

【0004】図6は従来例の装置構成図である。同図に
おいて、1は被検体であるチップ、2は検査対象となる
バンプ電極、41はレーザ光源、42はコリメータレン
ズ、43,46は光路変更用のミラー、44はレーザ光
走査用のポリゴンミラー、45はスキャンレンズ、47
は結像レンズ、48はPSDである。
FIG. 6 is a block diagram of a conventional device. In the figure, 1 is a chip as an object, 2 is a bump electrode to be inspected, 41 is a laser light source, 42 is a collimator lens, 43 and 46 are optical path changing mirrors, and 44 is a polygon mirror for scanning laser light. , 45 is a scan lens, 47
Is an imaging lens, and 48 is a PSD.

【0005】チップ1は例えばLSIチップであり、表
面には多数の微細なバンプ電極2がマトリックス状に形
成されている。チップ1をステージ(図示は省略)上に
載置し、ステージを移動しながら、レーザ光源41から
出射して回転するポリゴンミラー44により振られたレ
ーザビームをチップ1に対してライン状に走査し、反射
光をPSD48で受光して正反射光位置を検知し、その
出力信号から各バンプ電極2の高さを算出し、良否を判
定する。
The chip 1 is, for example, an LSI chip, and a large number of fine bump electrodes 2 are formed in a matrix on the surface. The chip 1 is placed on a stage (not shown), and while moving the stage, the laser beam emitted from the laser light source 41 and oscillated by the rotating polygon mirror 44 is linearly scanned with respect to the chip 1. , The reflected light is received by the PSD 48, the position of the regular reflected light is detected, the height of each bump electrode 2 is calculated from the output signal, and the quality is determined.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来装置では、前者の場合には検査に極めて長時間を要
する、という問題があり、後者の場合にはバンプ電極の
表面状態によっては高さ測定の精度が著しく低下するた
めに検査結果が必ずしもバンプ電極の接合性を保証する
とは限らない、という問題があった。
However, such a conventional device has a problem that the inspection requires an extremely long time in the former case, and in the latter case, the height of the bump electrode depends on the surface condition. There is a problem that the inspection result does not always guarantee the bondability of the bump electrode because the measurement accuracy is significantly reduced.

【0007】本発明はこのような問題を解決して、表面
にバンプ電極が形成されたチップのフリップチップボン
ディングにおける接合の確実性をボンディング前に保証
することが可能な検査を効率的に行うことが出来るバン
プ電極検査装置を提供することを目的とする。
The present invention solves such a problem and efficiently conducts an inspection capable of guaranteeing the certainty of bonding in a flip chip bonding of a chip having bump electrodes formed on the surface before bonding. It is an object of the present invention to provide a bump electrode inspection device capable of performing the above.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、照明手段と、光ファイバプレートと、反射光観測手
段とを有し、該照明手段が該光ファイバプレートの上面
側にフェイスダウンで載置したチップのバンプ電極を該
光ファイバプレートの下面側から照明光で照射し、該反
射光観測手段が該バンプ電極からの反射光を受光するこ
とを特徴とするバンプ電極検査装置とすることで、達成
される。
According to the present invention, there is provided an illuminating means, an optical fiber plate and a reflected light observing means, the illuminating means being face down on the upper surface side of the optical fiber plate. A bump electrode inspecting device, characterized in that the bump electrode of the chip mounted on the substrate is irradiated with illumination light from the lower surface side of the optical fiber plate, and the reflected light observation means receives the reflected light from the bump electrode. It will be achieved.

【0009】[0009]

【作用】本発明の作用を図1を参照しながら説明する。
同図において、1は被検体であるチップ、2は検査対象
となるバンプ電極、11は光ファイバプレートである。
光ファイバプレート11は細い光ファイバを稠密に且つ
配列を変えずに束ねて固着し、これを短く切断して板状
にしたものであり、一端面に投影した像が他端面に伝送
再現される。
The operation of the present invention will be described with reference to FIG.
In the figure, 1 is a chip as an object, 2 is a bump electrode to be inspected, and 11 is an optical fiber plate.
The optical fiber plate 11 is a plate in which thin optical fibers are densely bundled and fixed without changing the arrangement, and cut into a plate shape, and an image projected on one end surface is transmitted and reproduced on the other end surface. .

【0010】この光ファイバプレート11の上面にチッ
プ1を載置してバンプ電極2を接触させ(若しくは微小
間隔で保持し)、照明光を下面側から導入すると上面側
のバンプ電極2で反射して下面側に戻る。一般に光ファ
イバ内を進行した光がその端面から出射されると拡散す
るから、バンプ電極2が光ファイバプレート11の上面
から離れていると反射光は弱くなる。しかもその間隔が
増すと反射光量は急激に減少する。従ってバンプ電極2
の高さがばらついている場合、反射光量に差が生じる。
一方、バンプ電極2の表面が酸化していると反射率が低
いから、この場合も反射光は弱くなる。
When the chip 1 is placed on the upper surface of the optical fiber plate 11 and the bump electrodes 2 are brought into contact with each other (or held at a minute interval), and illumination light is introduced from the lower surface side, it is reflected by the upper bump electrode 2. And return to the bottom side. In general, the light traveling in the optical fiber is diffused when it is emitted from the end face thereof, so that the reflected light becomes weak if the bump electrode 2 is away from the upper surface of the optical fiber plate 11. Moreover, as the distance increases, the amount of reflected light sharply decreases. Therefore, the bump electrode 2
When the heights of the light sources vary, the amount of reflected light varies.
On the other hand, since the reflectance is low when the surface of the bump electrode 2 is oxidized, the reflected light becomes weak in this case as well.

【0011】その結果、バンプ電極2の光ファイバプレ
ート11の下面における像を観測することにより、高さ
が相対的に小さいバンプ電極2と表面が酸化しているバ
ンプ電極2とを同時にチェックすることが出来る。バン
プ電極2の高さが相対的に小さい場合でも、又、表面が
酸化している場合でも接合の確実性が劣化するから、本
発明に係る検査装置によるバンプ電極の検査で、ボンデ
ィング前の接合の確実性の保証を効率的に行うことが出
来る。
As a result, by observing the image of the bump electrode 2 on the lower surface of the optical fiber plate 11, it is possible to simultaneously check the bump electrode 2 having a relatively small height and the bump electrode 2 whose surface is oxidized. Can be done. Even if the height of the bump electrode 2 is relatively small, or the surface is oxidized, the reliability of bonding deteriorates. Therefore, in the inspection of the bump electrode by the inspection apparatus according to the present invention, bonding before bonding is performed. The certainty of can be efficiently guaranteed.

【0012】[0012]

【実施例】本発明に係るバンプ電極検査装置の実施例を
図2乃至5を参照しながら説明する。
EXAMPLE An example of a bump electrode inspection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0013】図2は本発明の第一の実施例の装置構成図
である。同図において、図1と同じものには同一の符号
を付与した。1はチップ、2はバンプ電極、11は光フ
ァイバプレート、12は光源、13はハーフミラー、1
4はCCDカメラである。
FIG. 2 is a block diagram of the apparatus of the first embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. 1 is a chip, 2 is a bump electrode, 11 is an optical fiber plate, 12 is a light source, 13 is a half mirror, 1
4 is a CCD camera.

【0014】チップ1は例えばLSIチップであり、表
面には多数の微細なバンプ電極2がマトリックス状に形
成されている。このバンプ電極2ははんだ等からなり、
チップ1表面に形成された後、全数を一平面で押圧する
ことにより高さの均一化が図られており、従って正常な
バンプ電極2の先端は平面となっている。
The chip 1 is, for example, an LSI chip, and a large number of fine bump electrodes 2 are formed in a matrix on the surface. This bump electrode 2 is made of solder or the like,
After the chips are formed on the surface of the chip 1, the height is made uniform by pressing all of them on one plane, so that the normal tips of the bump electrodes 2 are flat.

【0015】光ファイバプレート11の下方にはハーフ
ミラー13が、更にその下方には光源12が配置され、
ハーフミラー13の側方には光ファイバプレート11下
面に焦点を合わせたCCDカメラ14が配置されてい
る。
A half mirror 13 is arranged below the optical fiber plate 11, and a light source 12 is arranged below it.
A CCD camera 14 focused on the lower surface of the optical fiber plate 11 is arranged beside the half mirror 13.

【0016】チップ1をフェイスダウンで光ファイバプ
レート11の上面に直接載置するか、若しくは正常な高
さのバンプ電極2と光ファイバプレート11との間に微
小な間隔を生じるようにチップホルダ(図示は省略)に
より保持し、光源12からの照明光を光ファイバプレー
ト11の下面側から導入してチップ1の総てのバンプ電
極2を照射する。その反射光の光ファイバプレート11
下面における像をCCDカメラ14が撮像し、CRT等
の表示装置(図示は省略)に表示する。その画像により
バンプ電極2の高さ不足、表面酸化等の異常をチェック
する。
The chip 1 is placed face down directly on the upper surface of the optical fiber plate 11, or a chip holder (so that a minute gap is formed between the bump electrode 2 having a normal height and the optical fiber plate 11). (Not shown), the illumination light from the light source 12 is introduced from the lower surface side of the optical fiber plate 11 to irradiate all the bump electrodes 2 of the chip 1. Optical fiber plate 11 for the reflected light
The CCD camera 14 takes an image of the lower surface and displays it on a display device (not shown) such as a CRT. The image is used to check for abnormalities such as insufficient height of bump electrodes 2 and surface oxidation.

【0017】図3は本発明の第二の実施例の装置構成図
である。同図において、図1と同じものには同一の符号
を付与した。1はチップ、2はバンプ電極、11は光フ
ァイバプレート、21はレーザ光源、22はハーフミラ
ー、23は光路変更用のミラー、24はレーザ光走査用
のポリゴンミラー、25はスキャンレンズ、26は光検
出器(例えば光電子増倍管)である。
FIG. 3 is a block diagram of the apparatus of the second embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. 1 is a chip, 2 is a bump electrode, 11 is an optical fiber plate, 21 is a laser light source, 22 is a half mirror, 23 is an optical path changing mirror, 24 is a polygon mirror for laser light scanning, 25 is a scan lens, and 26 is A photodetector (eg, photomultiplier tube).

【0018】この装置でもチップ1をフェイスダウンで
光ファイバプレート11の上面に直接載置するか、若し
くは正常な高さのバンプ電極2と光ファイバプレート1
1との間に微小な間隔を生じるようにチップホルダ(図
示は省略)により保持する。光ファイバプレート11は
移動機構(図示は省略)により水平面内の直線方向に移
動する。
Also in this apparatus, the chip 1 is directly placed face down on the upper surface of the optical fiber plate 11, or the bump electrode 2 and the optical fiber plate 1 having a normal height are mounted.
It is held by a chip holder (not shown) so that a minute gap is created between the tip holder and the holder 1. The optical fiber plate 11 is moved in a linear direction within a horizontal plane by a moving mechanism (not shown).

【0019】レーザ光源21から出射されたレーザビー
ムは回転するポリゴンミラー24により振られ、スキャ
ンレンズ25を介して光ファイバプレート11の下面側
から入射し、チップ1に対してライン状に走査する。光
ファイバプレート11をこの走査方向に対して直角方向
に移動しながらこの走査を繰り返す。反射光を光検出器
26で受光し、その出力信号を画像処理装置(図示は省
略)で処理して表示装置(図示は省略)に表示するか、
或いは良否を自動的に判定する。
The laser beam emitted from the laser light source 21 is swung by the rotating polygon mirror 24, enters from the lower surface side of the optical fiber plate 11 via the scan lens 25, and linearly scans the chip 1. This scanning is repeated while moving the optical fiber plate 11 in the direction perpendicular to the scanning direction. The reflected light is received by the photodetector 26, the output signal thereof is processed by an image processing device (not shown) and displayed on a display device (not shown), or
Alternatively, the quality is automatically determined.

【0020】図5に上記の画像処理後の画像例を示す。
同図において、(A) は正常なバンプ電極を、(B) はバン
プ電極欠落、(C) はバンプ電極過小、(D) はバンプ電極
位置ずれ、(E) はバンプ電極の高さ不足又は表面酸化、
をそれぞれ示している。
FIG. 5 shows an example of an image after the above image processing.
In the figure, (A) shows a normal bump electrode, (B) a bump electrode is missing, (C) is an under bump electrode, (D) is a bump electrode displacement, and (E) is an insufficient bump electrode height or Surface oxidation,
Are shown respectively.

【0021】図4は本発明の第三の実施例の装置構成図
である。同図において、図3と同じものには同一の符号
を付与した。1はチップ、2はバンプ電極、11は光フ
ァイバプレート、21はレーザ光源、22はハーフミラ
ー、25はスキャンレンズ、26は光検出器(例えば光
電子増倍管)、31,32はガルバノミラーである。こ
の装置では、走査手段として二枚のガルバノミラー3
1,32が使用されており、これらによりレーザビーム
をX・Y両方向に走査する。従って、光ファイバプレー
ト11を移動する移動機構はない。その他については第
二の実施例と同様である。
FIG. 4 is a block diagram of an apparatus according to the third embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. 1 is a chip, 2 is a bump electrode, 11 is an optical fiber plate, 21 is a laser light source, 22 is a half mirror, 25 is a scan lens, 26 is a photodetector (for example, a photomultiplier tube), and 31 and 32 are galvanomirrors. is there. In this device, two galvanometer mirrors 3 are used as scanning means.
1 and 32 are used to scan the laser beam in both X and Y directions. Therefore, there is no moving mechanism for moving the optical fiber plate 11. Others are the same as those in the second embodiment.

【0022】以上の第一乃至第三の実施例における光フ
ァイバプレート11は、通常は太さに変化のない光ファ
イバからなるもの、即ち上面と下面の面積が同じものを
使用するが、テーパ付き光ファイバからなるもの、即ち
上面と下面の面積が異なるものを使用することが出来
る。上面より下面が大きい光ファイバプレートを使用す
ると反射光の像は拡大され、上面より下面が小さい光フ
ァイバプレートを使用すると反射光の像は縮小されるか
ら、検査するチップ1のサイズや必要な像分解能に応じ
てこれらを使い分ける。
The optical fiber plate 11 in the above-mentioned first to third embodiments is usually made of an optical fiber whose thickness does not change, that is, one having the same upper surface area and lower surface area. It is possible to use an optical fiber, that is, an optical fiber having different top and bottom areas. The image of the reflected light is enlarged when an optical fiber plate whose lower surface is larger than the upper surface is used, and the image of the reflected light is reduced when an optical fiber plate whose lower surface is smaller than the upper surface is used. These are used properly according to the resolution.

【0023】又、端面の開口角が異なる複数の光ファイ
バプレートを用意し、必要な像分解能に応じてこれらを
使い分けることも出来る。本発明は以上の実施例に限定
されることなく、更に種々変形して実施することが出来
る。例えば、チップ1がダイシング前のもの、即ちウェ
ーハの状態のものであっても、或いは半導体チップ以外
のものであっても、本発明は有効である。
It is also possible to prepare a plurality of optical fiber plates having different opening angles on the end faces, and use these properly according to the required image resolution. The present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented with various modifications. For example, the present invention is effective regardless of whether the chip 1 is before dicing, that is, in a wafer state, or other than a semiconductor chip.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面にバンプ電極が形成されたチップのフリップチップ
ボンディングにおける接合の確実性をボンディング前に
保証する検査を効率的に行うことが可能なバンプ電極検
査装置を提供することが出来、実装工程での歩留り向上
等に寄与する。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a bump electrode inspection device capable of efficiently performing an inspection to ensure the reliability of bonding in a flip chip bonding of a chip having a bump electrode formed on the surface, and a yield in a mounting process. Contribute to improvement, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】 本発明の第一の実施例の装置構成図である。FIG. 2 is a device configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第二の実施例の装置構成図である。FIG. 3 is a device configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第三の実施例の装置構成図である。FIG. 4 is a device configuration diagram of a third embodiment of the present invention.

【図5】 良否判定のための画像例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of an image for quality judgment.

【図6】 従来例の装置構成図である。FIG. 6 is a device configuration diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LSIチップ(チップ) 2 バンプ電極 11 光ファイバプレート 12 光源(照明手段) 13 ハーフミラー 14 CCDカメラ(反射光観測手段) 21 レーザ光源(照明手段) 22 ハーフミラー 23 ミラー 24 ポリゴンミラー(走査手段) 25 スキャンレンズ 26 光検出器(反射光観測手段) 31,32 ガルバノミラー(走査手段) 41 レーザ光源 42 コリメータレンズ 43,46 ミラー 44 ポリゴンミラー 45 スキャンレンズ 47 結像レンズ 48 PSD 1 LSI Chip (Chip) 2 Bump Electrode 11 Optical Fiber Plate 12 Light Source (Illumination Means) 13 Half Mirror 14 CCD Camera (Reflected Light Observation Means) 21 Laser Light Source (Illumination Means) 22 Half Mirror 23 Mirror 24 Polygon Mirror (Scanning Means) 25 Scan Lens 26 Photo Detector (Reflected Light Observing Means) 31, 32 Galvano Mirror (Scanning Means) 41 Laser Light Source 42 Collimator Lens 43, 46 Mirror 44 Polygon Mirror 45 Scan Lens 47 Imaging Lens 48 PSD

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 文之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Fumiyuki Takahashi 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面にバンプ電極が形成されたチップの
該バンプ電極を検査する装置であって、 照明手段と、光ファイバプレートと、反射光観測手段と
を有し、 該照明手段が該光ファイバプレートの上面側にフェイス
ダウンで載置したチップのバンプ電極を該光ファイバプ
レートの下面側から照明光で照射し、該反射光観測手段
が該バンプ電極からの反射光を受光することを特徴とす
るバンプ電極検査装置。
1. An apparatus for inspecting a bump electrode of a chip having a bump electrode formed on a surface thereof, comprising: illuminating means, an optical fiber plate, and reflected light observing means, the illuminating means The bump electrode of the chip mounted face down on the upper surface side of the fiber plate is illuminated with illumination light from the lower surface side of the optical fiber plate, and the reflected light observation means receives the reflected light from the bump electrode. Bump electrode inspection device.
JP4456694A 1994-03-16 1994-03-16 Inspection system for bump electrode Withdrawn JPH07254603A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4456694A JPH07254603A (en) 1994-03-16 1994-03-16 Inspection system for bump electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4456694A JPH07254603A (en) 1994-03-16 1994-03-16 Inspection system for bump electrode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07254603A true JPH07254603A (en) 1995-10-03

Family

ID=12695054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4456694A Withdrawn JPH07254603A (en) 1994-03-16 1994-03-16 Inspection system for bump electrode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07254603A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009069074A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Nxp B.V. Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate
WO2009069075A2 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Nxp B.V. Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009069074A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Nxp B.V. Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate
WO2009069075A2 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Nxp B.V. Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate
WO2009069075A3 (en) * 2007-11-29 2009-08-13 Nxp Bv Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate
US8669123B2 (en) 2007-11-29 2014-03-11 Nxp B.V. Method of and device for determining and controlling the distance between an integrated circuit and a substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8289507B2 (en) Method of apparatus for detecting particles on a specimen
US4441124A (en) Technique for inspecting semiconductor wafers for particulate contamination
EP0500293B1 (en) Particle detection method and apparatus
EP0162683B1 (en) A method for observing an object in a small gap and an apparatus for the same
KR20010050444A (en) Focal point control mechanism and method and apparatus and method for inspecting semiconductor wafer
JP2014137229A (en) Inspection system and defect inspection method
JPH0666370B2 (en) Visual inspection equipment for semiconductor devices
JP2003017536A (en) Pattern inspection method and inspection apparatus
JPH07254603A (en) Inspection system for bump electrode
JP2577805B2 (en) Inspection method and apparatus for soldered part and method for inspecting electronic component mounting state
JP2003014611A (en) Scanning type probe microscope
JP2624481B2 (en) Inspection system for semiconductor device by photo-induced current
Schick et al. Inspection and process evaluation for flip chip bumping and CSP by scanning 3D confocal microscopy
JP2003232624A (en) Defect inspection device
JP2001074423A (en) Method and apparatus for detecting height of micro protrusion and defect detector
JP2005069810A (en) Bump dimension measuring method and measuring device
JP2005017168A (en) External appearance inspection apparatus, external appearance inspection method, and method for manufacturing semiconductor chip
JPH05142157A (en) Appearance inspecting device for soldered state
JPH0139041B2 (en)
JP3232811B2 (en) Inspection method of mounted printed circuit board
JP2001311608A (en) Fine protrusion inspection apparatus
KR910006368B1 (en) Retention vessel method and apparatus for inspecting semiconductor device of their bonding status
SU1504504A1 (en) Optronic device for checking flaws on outer surfaces of parts
JPH05172755A (en) Method and apparatus for visual inspection of semiconductor device
JPH05152401A (en) Inspection apparatus of bump shape

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010605