JPH07249367A - Electron tube having impregnated cathode - Google Patents
Electron tube having impregnated cathodeInfo
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- JPH07249367A JPH07249367A JP3836194A JP3836194A JPH07249367A JP H07249367 A JPH07249367 A JP H07249367A JP 3836194 A JP3836194 A JP 3836194A JP 3836194 A JP3836194 A JP 3836194A JP H07249367 A JPH07249367 A JP H07249367A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、含浸形陰極を備える電
子管に係わり、特に、低い温度状態において動作し、高
密度電流を流すことが可能な含浸形陰極を備えるブラウ
ン管、撮像管それに進行波管等の電子管に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron tube equipped with an impregnated cathode, and more particularly to a cathode ray tube, an image pickup tube and a traveling wave equipped with the impregnated cathode capable of operating at a low temperature and capable of passing a high density current. Regarding electronic tubes such as tubes.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、ブラウン管、撮像管それに進行
波管等の電子管に用いられる含浸形陰極は、タングステ
ン(W)等の高融点金属からなる高耐熱多孔質基体と、
この多孔質基体の細孔部にバリウム(Ba)を含む電子
放出物質を含浸させた構成を有している。そして、かか
る構成を有する含浸形陰極は、通常、1100℃以上の
かなり高い温度状態において動作させる必要があるもの
であったため、実用化されるには程遠いものであった。2. Description of the Related Art Generally, an impregnated cathode used for electron tubes such as cathode ray tubes, image pickup tubes and traveling wave tubes has a high heat resistant porous substrate made of a high melting point metal such as tungsten (W).
This porous substrate has a structure in which pores are impregnated with an electron emitting substance containing barium (Ba). Further, the impregnated cathode having such a structure usually needs to be operated in a considerably high temperature state of 1100 ° C. or higher, so that it is far from practical use.
【0003】一方、前記含浸形陰極においては、使用可
能な動作温度を下げるための手段が既に種々提案されて
いる。この提案の第1のものは、特公昭47−2134
3号に開示のもので、含浸形陰極の表面にオスミウム−
ルテニウム(Os−Ru)合金等を被覆する手段であ
る。この手段は、一部においては既に実用化されている
けれども、含浸形陰極における使用可能な動作温度は、
約1000℃というように未だかなり高いものであるた
め、実用化するにはもう1つであって、この高い動作温
度はやはり実用化に対する大きな障害となっているもの
である。On the other hand, in the impregnated cathode, various means for lowering the usable operating temperature have already been proposed. The first of these proposals is Japanese Patent Publication No. 47-2134.
No. 3, which discloses osmium on the surface of the impregnated cathode.
It is a means for coating a ruthenium (Os-Ru) alloy or the like. Although this means has already been put to practical use in part, the usable operating temperature in the impregnated cathode is
Since it is still as high as about 1000 ° C., it is another one for practical use, and this high operating temperature is also a major obstacle to practical use.
【0004】また、前記提案の第2のものは、特開昭6
1−13526号に開示のもので、含浸形陰極の表面に
オスミウム−ルテニウム(Os−Ru)合金等を被覆す
る代わりに、含浸形陰極の表面にタングステン(W)と
酸化スカンジウム(Sc2 O3 )からなる薄膜をスパッ
タ蒸着法によって付着させるか、あるいはスパッタ蒸着
法に代えてタングステン(W)と酸化スカンジウム(S
c2 O3 )からなる原料粉末の焼付けを行い、焼結体と
しての薄膜を被着させる手段である。この手段は、含浸
形陰極の動作中に、含浸形陰極の表面に低い仕事関数を
有するバリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、酸素
(O)からなる複合金属層が形成され、その複合金属層
の形成によって、含浸形陰極の使用可能な動作温度を、
前記提案による第1のものよりも約150乃至200℃
程度下げることが可能になり、動作温度について見る限
り、一応、前記提案による第1のものの障害を取り除く
ことができるものである。The second of the above proposals is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No.
1-135226, the surface of the impregnated cathode is covered with tungsten (W) and scandium oxide (Sc 2 O 3 ) instead of coating the surface of the impregnated cathode with an osmium-ruthenium (Os-Ru) alloy or the like. ) Is deposited by a sputter deposition method, or tungsten (W) and scandium oxide (S) are used instead of the sputter deposition method.
This is a means for baking a raw material powder made of c 2 O 3 ) to deposit a thin film as a sintered body. According to this means, a composite metal layer composed of barium (Ba), scandium (Sc) and oxygen (O) having a low work function is formed on the surface of the impregnated cathode during operation of the impregnated cathode. By forming the, the usable operating temperature of the impregnated cathode is
About 150 to 200 ° C higher than the first one proposed above
It is possible to reduce the degree to some extent, and as far as the operating temperature is concerned, the obstacle of the first proposed can be removed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】一般に、電子管に用い
られる含浸形陰極は、含浸形陰極の表面に形成される低
い仕事関数を有する金属複合層がイオン衝撃を受けて一
部消失したとしても、その消失部分が迅速に修復され、
再生されることが重要なファクタであって、この金属複
合層の再生には、特に、スカンジウム(Sc)の迅速な
再生が必要とされるものである。In general, the impregnated cathode used in an electron tube has a low work function metal composite layer formed on the surface of the impregnated cathode, even if it partially disappears due to ion bombardment. The lost part is quickly repaired,
Regeneration is an important factor, and particularly regeneration of scandium (Sc) is required for regeneration of the metal composite layer.
【0006】ところで、前記提案による第1のもの及び
第2のものは、いずれも、含浸形陰極の表面に単分子層
が形成されるため、含浸形陰極に高電流密度を流すこと
が可能なものである。しかしながら、ここで形成される
単分子層は、イオン衝撃に対して極めて弱く、消失し易
いものである。By the way, in both the first and second proposals, a monomolecular layer is formed on the surface of the impregnated cathode, so that a high current density can be passed through the impregnated cathode. It is a thing. However, the monomolecular layer formed here is extremely weak against ion bombardment and easily disappears.
【0007】即ち、前記提案による第2のものは、比較
的低い使用可能な動作温度を得ることができるという大
きな利点はあるものの、含浸形陰極の表面に形成される
低い仕事関数を有するバリウム(Ba)、スカンジウム
(Sc)、酸素(O)を主成分とする複合金属層がイオ
ン衝撃によって一部が消失してしまった場合に、前記動
作温度においてはその消失部の再生速度、即ち、スカン
ジウム(Sc)の再生速度が非常に遅く、迅速な回復を
望むことはできない。そして、複合金属層がイオン衝撃
によって消失してしまった場合、その消失部分において
は低い動作温度で十分な電子放出能力が得られなくな
り、結果的に比較的低い使用可能な動作温度特性を利用
できないという問題を有している。That is, the second one proposed above has the great advantage that a relatively low operating temperature can be obtained, but barium () having a low work function formed on the surface of the impregnated cathode. When a part of the composite metal layer containing Ba), scandium (Sc), and oxygen (O) as main components is lost by ion bombardment, at the operating temperature, the regeneration speed of the disappeared portion, that is, scandium. The reproduction speed of (Sc) is very slow, and quick recovery cannot be expected. When the composite metal layer disappears due to ion bombardment, sufficient electron emission ability cannot be obtained at a low operating temperature in the disappeared portion, and as a result, a relatively low usable operating temperature characteristic cannot be utilized. I have a problem.
【0008】本発明は、前記問題点を除去するものであ
って、その目的は、使用可能な低い温度の動作及び高密
度電流の通流を可能にし、イオン衝撃による複合金属層
の消失を迅速に回復できる含浸形陰極を備える電子管を
提供することにある。The present invention eliminates the above-mentioned problems, and an object thereof is to enable operation at a low temperature which can be used and to conduct high-density current, and to promptly eliminate a composite metal layer due to ion bombardment. Another object of the present invention is to provide an electron tube having an impregnated cathode that can be recovered.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】前記目的の達成のため
に、本発明は、高融点金属からなる多孔質基体及びこの
多孔質基体の細孔部にバリウム(Ba)を含む電子放出
物質を含浸させて構成した含浸形陰極を備える電子管に
おいて、前記多孔質基体の電子放出面に、タングステン
(W)もしくはモリブデン(Mo)及びスカンジウム
(Sc)を主成分とする第1の混合薄膜層と、タングス
テン(W)もしくはモリブデン(Mo)、スカンジウム
(Sc)及び酸素(O)を主成分とする第2の混合薄膜
層とを積層配置した手段を備える。To achieve the above object, the present invention is to impregnate a porous substrate made of a refractory metal and an electron emitting substance containing barium (Ba) in the pores of the porous substrate. In an electron tube including an impregnated cathode configured as described above, a first mixed thin film layer containing tungsten (W) or molybdenum (Mo) and scandium (Sc) as a main component, and tungsten on the electron emission surface of the porous substrate. (W) or molybdenum (Mo), scandium (Sc), and a second mixed thin film layer containing oxygen (O) as a main component are provided in a laminated arrangement.
【0010】この場合、第1の混合薄膜層は、好ましく
は0.1乃至50μmの厚さになるように形成され、第
2の混合薄膜層は、好ましくは60乃至900nmの厚
さになるように形成される。In this case, the first mixed thin film layer is preferably formed to have a thickness of 0.1 to 50 μm, and the second mixed thin film layer is preferably formed to have a thickness of 60 to 900 nm. Is formed.
【0011】[0011]
【作用】前記手段によれば、含浸形陰極における多孔質
基体の電子放出面に、タングステン(W)もしくはモリ
ブデン(Mo)及びスカンジウム(Sc)を主成分とす
る第1の混合薄膜層を配置し、その上に、タングステン
(W)もしくはモリブデン(Mo)、スカンジウム(S
c)及び酸素(O)を主成分とする第2の混合薄膜層を
配置するようにしている。According to the above means, the first mixed thin film layer containing tungsten (W) or molybdenum (Mo) and scandium (Sc) as main components is arranged on the electron emission surface of the porous substrate in the impregnated cathode. , On top of that, tungsten (W) or molybdenum (Mo), scandium (S
The second mixed thin film layer containing c) and oxygen (O) as main components is arranged.
【0012】このように、前記第1の混合薄膜層を形成
配置したことにより、前記第2の混合薄膜層の表面に低
い仕事関数を有するバリウム(Ba)、スカンジウム
(Sc)、酸素(O)を主成分とする複合金属層が形成
されるようになり、この複合金属層は、イオン衝撃によ
って一旦消失しても、迅速に再生されることを確認する
ことができた。By thus forming and arranging the first mixed thin film layer, barium (Ba), scandium (Sc), oxygen (O) having a low work function is formed on the surface of the second mixed thin film layer. It has been confirmed that a composite metal layer containing as a main component is formed, and that the composite metal layer is rapidly regenerated even if it disappears due to ion bombardment.
【0013】即ち、第1の混合薄膜層は、前記第1の混
合薄膜層は、高融点金属とスカンジウム(Sc)とを主
成分とする混合金属薄膜層からなるもので、含浸形陰極
における多孔質基体の電子放出面に、スカンジウム(S
c)を迅速に拡散供給するように働くものである。そし
て、前記高融点金属としては、タングステン(W)また
はモリブデン(Mo)のいずれか、もしくはタングステ
ン(W)及びモリブデン(Mo)を含むものを主成分と
した場合に、前記スカンジウム(Sc)の拡散供給作用
は顕著になる。That is, the first mixed thin film layer is composed of a mixed metal thin film layer containing a refractory metal and scandium (Sc) as main components. On the electron emission surface of the porous substrate, scandium (S
It works so as to rapidly diffuse and supply c). When the refractory metal is mainly composed of either tungsten (W) or molybdenum (Mo), or one containing tungsten (W) and molybdenum (Mo), the scandium (Sc) is diffused. The supply effect becomes remarkable.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【0015】図1は、本発明に係わる含浸形陰極を備え
る電子管の一実施例の構成の概要を示す断面構成図であ
って、電子管としてカラー受像管である場合の例を示す
ものである。FIG. 1 is a sectional structural view showing the outline of the constitution of an embodiment of an electron tube provided with an impregnated cathode according to the present invention, and showing an example in the case of a color picture tube as the electron tube.
【0016】図1において、1はパネル部、2はファン
ネル部、3はネック部、4は螢光面、5はシャドウマス
ク、6は磁気シールド、7は偏向ヨーク、8はピュリテ
イ調整マグネット、9はセンタービームスタティックコ
ンバーゼンス調整用マグネット、10はサイドビームス
タティックコンバーゼンス調整用マグネット、11は電
子銃、12は電子ビームである。In FIG. 1, 1 is a panel section, 2 is a funnel section, 3 is a neck section, 4 is a fluorescent surface, 5 is a shadow mask, 6 is a magnetic shield, 7 is a deflection yoke, 8 is a purity adjusting magnet, and 9 is a magnet. Is a center beam static convergence adjustment magnet, 10 is a side beam static convergence adjustment magnet, 11 is an electron gun, and 12 is an electron beam.
【0017】そして、カラー受像管を構成する管体は、
前側に配置されたパネル部1と、電子銃11を収納して
いるネック部3と、パネル部1及びネック部3の中間に
配置されたファンネル部2とからなっている。パネル部
1は、その内面に螢光面4が配置形成され、この螢光面
4に対向してシャドウマスク5が配置される。パネル部
1とファンネル部2の結合部分の内側に磁気シールド6
が配置され、ファンネル部2とネック部3の結合部分の
外側に偏向ヨーク7が設けられる。ネック部3の外側
に、ピュリテイ調整マグネット8、センタービームスタ
ティックコンバーゼンス調整用マグネット9、サイドビ
ームスタティックコンバーゼンス調整用マグネット10
が並設配置され、電子銃11から投射された3本の電子
ビーム12は、偏向ヨーク7で所定方向に偏向された
後、シャドウマスク5を通して螢光面4における対応す
る色の絵素に到達するように構成されている。The tubular body that constitutes the color picture tube is
It comprises a panel section 1 arranged on the front side, a neck section 3 accommodating the electron gun 11, and a funnel section 2 arranged between the panel section 1 and the neck section 3. A fluorescent surface 4 is arranged and formed on the inner surface of the panel portion 1, and a shadow mask 5 is arranged so as to face the fluorescent surface 4. A magnetic shield 6 is provided inside the connecting portion of the panel portion 1 and the funnel portion 2.
Is provided, and the deflection yoke 7 is provided outside the connection portion of the funnel portion 2 and the neck portion 3. On the outside of the neck portion 3, a magnet 8 for adjusting the purity, a magnet 9 for adjusting the center beam static convergence, and a magnet 10 for adjusting the side beam static convergence.
Are arranged side by side, and the three electron beams 12 projected from the electron gun 11 are deflected in a predetermined direction by the deflection yoke 7, and then reach the picture element of the corresponding color on the fluorescent surface 4 through the shadow mask 5. Is configured to.
【0018】この場合、前記構成によるカラー受像管に
おける画像表示動作は、既知のカラー受像管における画
像表示動作と全く同じであるので、このカラー受像管に
おける画像表示動作についての説明は、省略する。In this case, the image display operation in the color picture tube having the above-mentioned structure is exactly the same as the image display operation in the known color picture tube, and therefore the description of the image display operation in this color picture tube is omitted.
【0019】続いて、図2は、図1に図示のカラー受像
管の電子銃11に用いられる含浸形陰極を拡大して示し
た断面構成図である。Next, FIG. 2 is an enlarged sectional view showing the impregnated cathode used in the electron gun 11 of the color picture tube shown in FIG.
【0020】図2において、13は陰極ペレット、14
は高融点金属の多孔質基体、15は電子放出物質、16
は障壁層、17はスリーブ、18はヒータ、19は第1
の混合薄膜層、20は第2の混合薄膜層、21は複合金
属層である。In FIG. 2, 13 is a cathode pellet, and 14
Is a porous substrate of refractory metal, 15 is an electron emitting material, 16
Is a barrier layer, 17 is a sleeve, 18 is a heater, and 19 is a first
2 is a mixed thin film layer, 20 is a second mixed thin film layer, and 21 is a composite metal layer.
【0021】そして、陰極ペレット13は、タングステ
ン(W)またはモリブデン(Mo)からなる高融点金属
の多孔質基体14と、少なくともバリウム(Ba)や酸
素(O)を含み、前記多孔質基体14内の細孔部に含浸
される電子放出物質15とからなっている。スリーブ1
7の内部上側には障壁層16を介して陰極ペレット13
が配置保持され、同じくスリーブ17の内部下側にはヒ
ータ18が配置される。陰極ペレット13の上側には、
タングステン(W)もしくはモリブデン(Mo)とスカ
ンジウム(Sc)を主成分とする第1の混合薄膜層19
が配置形成され、この第1の混合薄膜層19の上側に
は、タングステン(W)もしくはモリブデン(Mo)、
スカンジウム(Sc)及び酸素(O)を主成分とする第
2の混合薄膜層20が形成される。この場合、第1の混
合薄膜層19及び第2の混合薄膜層20は、スパッタ蒸
着法、イオンプレ−テング法、真空蒸着法、CVD(化
学気相成長法)等によって形成される。また、複合金属
層21は、バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、
酸素(O)を主成分とする単分子層乃至数分子層程度の
極めて厚みの薄い層であって、ヒータ18への通電によ
り含浸形陰極の加熱を行った際に、第2の混合薄膜層2
0の表面に形成されるものである。The cathode pellet 13 contains a porous substrate 14 of a refractory metal made of tungsten (W) or molybdenum (Mo) and at least barium (Ba) or oxygen (O). The electron emission material 15 is impregnated into the pores of the. Sleeve 1
The cathode pellet 13 is formed on the upper side of the inside of 7 through the barrier layer 16.
Is also held, and a heater 18 is similarly arranged below the inside of the sleeve 17. Above the cathode pellet 13,
First mixed thin-film layer 19 containing tungsten (W) or molybdenum (Mo) and scandium (Sc) as main components
Are formed on the first mixed thin film layer 19, and tungsten (W) or molybdenum (Mo),
A second mixed thin film layer 20 containing scandium (Sc) and oxygen (O) as main components is formed. In this case, the first mixed thin film layer 19 and the second mixed thin film layer 20 are formed by a sputter deposition method, an ion plating method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition method) or the like. The composite metal layer 21 includes barium (Ba), scandium (Sc),
A second mixed thin film layer which is an extremely thin layer having a thickness of about one to several molecular layers containing oxygen (O) as a main component and which is heated when the impregnated cathode is heated by energizing the heater 18. Two
It is formed on the surface of 0.
【0022】前記構成において、ヒータ18への通電を
行った際に、複合金属層21が形成される過程について
説明する。ただし、この場合に、高融点金属の多孔質基
体14はタングステン(W)であり、バリウム(Ba)
や酸素(O)を含む電子放出物質15は、バリウムアル
ミネート(アルミン酸バリウム)(Ba3Al2O6 )で
あり、第1の混合薄膜層19はタングステン(W)とス
カンジウム(Sc)との混合金属であり、第2の混合薄
膜層20は、タングステン(W)、酸化タングステン
(WO3 )、酸化スカンジウム(Sc2O3)からなる混
合金属であるとして説明する。A process in which the composite metal layer 21 is formed when the heater 18 is energized in the above structure will be described. However, in this case, the refractory metal porous substrate 14 is tungsten (W), and barium (Ba) is used.
The electron emission material 15 containing oxygen and oxygen (O) is barium aluminate (barium aluminate) (Ba 3 Al 2 O 6 ), and the first mixed thin film layer 19 includes tungsten (W) and scandium (Sc). The second mixed thin film layer 20 will be described as a mixed metal composed of tungsten (W), tungsten oxide (WO 3 ), and scandium oxide (Sc 2 O 3 ).
【0023】始めに、ヒータ18への通電を行い、含浸
形陰極を加熱すると、第1の混合薄膜層19から金属ス
カンジウム(Sc)が遊離し、この遊離した金属スカン
ジウム(Sc)が第1及び第2の混合薄膜層19、20
内を拡散し、第2の混合薄膜層20の表面に供給され
る。このとき、第2の混合薄膜層20内においては、酸
化タングステン(WO3 )と酸化スカンジウム(Sc2
O3)とが以下の式(1)に示すように反応する。First, when the heater 18 is energized to heat the impregnated cathode, metal scandium (Sc) is liberated from the first mixed thin film layer 19, and the liberated metal scandium (Sc) is first and second. Second mixed thin film layer 19, 20
It is diffused inside and supplied to the surface of the second mixed thin film layer 20. At this time, in the second mixed thin film layer 20, tungsten oxide (WO 3 ) and scandium oxide (Sc 2
O 3 ) reacts as shown in the following formula (1).
【0024】 3WO3 +Sc2O3→Sc2W3O12 (1) 一方、陰極ペレット13の内部においては、高融点金属
のタングステン(W)と電子放出物質15のバリウムア
ルミネート(Ba3Al2O6 )とが以下の式(2)に示
すように反応する。3WO 3 + Sc 2 O 3 → Sc 2 W 3 O 12 (1) On the other hand, inside the cathode pellet 13, tungsten (W) which is a refractory metal and barium aluminate (Ba 3 Al 2 O 6 ) reacts as shown in the following formula (2).
【0025】 (2/3)Ba3Al2O6 +(1/3)W→(1/3)BaWO4 +(2/3 )BaAl2O4+Ba (2) この生成されたバリウム(Ba)は、一部が第1及び第
2の混合薄膜層19、20内を拡散すると同時に、他の
一部がスカンジウムタングステート(タングステン酸ス
カンジウム)(Sc2W3O12)と以下の式(3)に示す
ように反応する。(2/3) Ba 3 Al 2 O 6 + (1/3) W → (1/3) BaWO 4 + (2/3) BaAl 2 O 4 + Ba (2) The generated barium (Ba ) Partially diffuses in the first and second mixed thin film layers 19 and 20, while the other partially scandium tungstate (scandium tungstate) (Sc 2 W 3 O 12 ) and the following formula ( React as shown in 3).
【0026】 Sc2W3O12+3Ba→3BaWO4+2Sc (3) ここにおいて、第2の混合薄膜層20の表面にまで拡散
したバリウム(Ba)及びスカンジウム(Sc)は、電
子放出物質15の熱分解によって発生する酸素(O)や
雰囲気中の酸素(O)と結合し、第2の混合薄膜層20
の表面に単分子層乃至数分子層程度の極めて厚さが薄い
バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、酸素(O)
を主成分とする複合金属層21を短時間の間に形成す
る。このバリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、酸
素(O)を主成分とする複合金属層21は、電子放出仕
事関数が1.2eVと小さいので、高い電子放出能力が
得られ、これによって含浸形陰極の使用可能な動作温度
を大幅に低下させることが可能になる。Sc 2 W 3 O 12 + 3Ba → 3BaWO 4 + 2Sc (3) Here, barium (Ba) and scandium (Sc) diffused to the surface of the second mixed thin film layer 20 are heat of the electron emitting substance 15. The second mixed thin film layer 20 is combined with oxygen (O) generated by decomposition and oxygen (O) in the atmosphere.
Very thin barium (Ba), scandium (Sc), oxygen (O) with a thickness of about one to several molecular layers on the surface of
The composite metal layer 21 containing as a main component is formed in a short time. The composite metal layer 21 containing barium (Ba), scandium (Sc), and oxygen (O) as the main components has a small electron emission work function of 1.2 eV, so that a high electron emission capability is obtained, whereby an impregnated type is obtained. It is possible to significantly reduce the usable operating temperature of the cathode.
【0027】また、第1の混合薄膜層19を有しない前
記特開昭61−13526号に開示の含浸形陰極におい
ては、イオン衝撃を受けて、バリウム(Ba)、スカン
ジウム(Sc)、酸素(O)を主成分とする複合金属層
が一部消失したとき、この複合金属層を再生するには、
動作温度が低い場合に、バリウム(Ba)や酸素(O)
は比較的迅速に再生されるものの、スカンジウム(S
c)は長時間を経ないと再生することができなかった。In the impregnated cathode disclosed in JP-A-61-132626, which does not have the first mixed thin film layer 19, barium (Ba), scandium (Sc), oxygen ( When a part of the composite metal layer containing O) as a main component disappears, to reproduce the composite metal layer,
When operating temperature is low, barium (Ba) or oxygen (O)
Regenerates relatively quickly, but scandium (S
c) could not be regenerated until a long time had passed.
【0028】これに対して、第2の混合薄膜層20の下
側に第1の混合薄膜層19を設けている本実施例による
含浸形陰極においては、動作温度が低い場合においても
スカンジウム(Sc)が第1の混合薄膜層19から遊
離、拡散によって第2の混合薄膜層20の表面に充分に
供給されるので、イオン衝撃によってバリウム(B
a)、スカンジウム(Sc)、酸素(O)を主成分とす
る複合金属層21が一部消失しても、その消失と同時
に、スカンジウム(Sc)を始めとしてバリウム(B
a)や酸素(O)が迅速に供給され、素早い再生が行わ
れる。On the other hand, in the impregnated cathode according to the present embodiment in which the first mixed thin film layer 19 is provided below the second mixed thin film layer 20, scandium (Sc) is used even when the operating temperature is low. ) Is liberated from the first mixed thin film layer 19 and sufficiently supplied to the surface of the second mixed thin film layer 20 by diffusion, so that barium (B
a), scandium (Sc), even if a part of the composite metal layer 21 containing oxygen (O) as a main component disappears, at the same time as the disappearance, scandium (Sc) and other barium (B).
A) and oxygen (O) are rapidly supplied, and quick regeneration is performed.
【0029】なお、イオン衝撃による複合金属層21の
消失を回復させる場合に、第1の混合薄膜層19の厚さ
は、0.1乃至50μmの範囲に選び、また、第2の混
合薄膜層20の厚さは、60乃至900nmの範囲に選
べば、その回復機能を充分に発揮させることができる。When recovering the disappearance of the composite metal layer 21 due to ion bombardment, the thickness of the first mixed thin film layer 19 is selected in the range of 0.1 to 50 μm, and the second mixed thin film layer is selected. If the thickness of 20 is selected in the range of 60 to 900 nm, its recovery function can be sufficiently exerted.
【0030】続いて、図2に示される含浸形陰極を製造
する際の工程の一例について説明する。Next, an example of steps for manufacturing the impregnated cathode shown in FIG. 2 will be described.
【0031】始めに、平均粒径5μmのタングステン
(W)粉末を、1.25%のポリメチルメタアクリルを
バインダとして添加したアセトン液中で撹拌しながら徐
々にアセトンを揮発させるようにし、タングステン
(W)の粉末を顆粒化させる。次いで、ここで得られた
タングステン(W)の顆粒を200メッシュ程度のふる
いで分粒し、プレス成形した後、水素中において仮焼結
を行い、続いて真空中において本焼結を行なって、空孔
率28%程度の多孔質基体14を作成する。次に、この
多孔質基体14の細孔部内に、水素雰囲気中において4
BaO・CaO・Al2O3の組成からなる電子放出物質
15を加熱溶融を伴う含浸を行い、次いで、余剰の電子
放出物質15を除去して、含浸形陰極ペレット13を作
成する。続いて、この含浸形陰極ペレット13をモリブ
デン(Mo)製のカップ状障壁層16内に挿入し、さら
にヒ−タ18を内包したスリ−ブ17と組み合わせ、含
浸形陰極の本体部分を作成する。First, tungsten (W) powder having an average particle size of 5 μm was gradually stirred to evaporate acetone in an acetone solution containing 1.25% of polymethylmethacryl as a binder. Granulate the powder of W). Next, the tungsten (W) granules obtained here are sized by a sieve of about 200 mesh, press-molded, pre-sintered in hydrogen, and subsequently main-sintered in vacuum, A porous substrate 14 having a porosity of about 28% is prepared. Next, in the pores of this porous substrate 14, 4
An electron emitting substance 15 having a composition of BaO.CaO.Al 2 O 3 is impregnated with heating and melting, and then the excess electron emitting substance 15 is removed to prepare an impregnated cathode pellet 13. Subsequently, the impregnated cathode pellet 13 is inserted into the cup-shaped barrier layer 16 made of molybdenum (Mo) and further combined with the sleeve 17 containing the heater 18 to form the main body of the impregnated cathode. .
【0032】次に、多元同時に、しかも、異種膜を連続
的に多層形成が可能なスパッタリング装置を用意し、こ
のスパッタリング装置にスパッタタ−ゲットとして、ス
カンジウム(Sc)、タングステン(W)、酸化タング
ステン(WO3 )、酸化スカンジウム(Sc2O3)を装
着させる。そして、始めに、含浸形陰極の本体部分の陰
極ペレット13の表面にスカンジウム(Sc)とタング
ステン(W)の各タ−ゲットを用いて2元同時のスパッ
タリングを行ない、タングステン(W)とスカンジウム
(Sc)を主成分とする第1の混合薄膜層19を形成す
る。その形成に連続して、第1の混合薄膜層19上にタ
ングステン(W)、酸化タングステン(WO3 )、酸化
スカンジウム(Sc2O3)の各タ−ゲットを用いて3元
同時のスパッタリングを行い、タングステン(W)、酸
化タングステン(WO3 )、酸化スカンジウム(Sc2
O3)からなる第2の混合薄膜層20を形成する。これ
らの膜形成においては、いずれもアルゴン(Ar)を放
電ガスとして用い、第1の混合薄膜層19は直流(D
C)スパッタリングにより、第2の混合薄膜層20は高
周波(RF)スパッタリングによって行われた。Next, a sputtering apparatus is prepared which is capable of forming multiple layers of different films continuously at the same time as multiple elements, and scandium (Sc), tungsten (W), tungsten oxide ( WO 3 ) and scandium oxide (Sc 2 O 3 ) are attached. Then, first, two targets are simultaneously sputtered on the surface of the cathode pellet 13 of the main body of the impregnated cathode by using each target of scandium (Sc) and tungsten (W) to obtain tungsten (W) and scandium (W). A first mixed thin film layer 19 containing Sc) as a main component is formed. Subsequent to the formation, ternary simultaneous sputtering is performed on the first mixed thin film layer 19 using each target of tungsten (W), tungsten oxide (WO 3 ) and scandium oxide (Sc 2 O 3 ). done, tungsten (W), tungsten oxide (WO 3), scandium oxide (Sc 2
A second mixed thin film layer 20 of O 3 ) is formed. In forming these films, argon (Ar) was used as the discharge gas in all cases, and the first mixed thin film layer 19 was set to direct current (D).
C) By sputtering, the second mixed thin film layer 20 was formed by radio frequency (RF) sputtering.
【0033】前記膜形成においては、第1の混合薄膜層
19を約7μmの厚さに被着させた後、連続して第2の
混合薄膜層20を約200nmの厚さに被着させる。こ
の場合、スパッタ時の各薄膜層19、20の厚さは、ス
パッタリングパワ−及びスパッタリング時間をそれぞれ
調節することによって行なわれる。また、各混合薄膜層
19、20の組成は、それぞれのタ−ゲットに対する投
入電力比の調整によって行われる。この場合、第2の混
合薄膜層20については、溶液発光分光分析(ICP)
法によりその組成を調べた結果、スカンジウム/タング
ステン(Sc/W)の重量比が0.029乃至0.03
6の範囲にある場合、優れた電子放出特性を有すること
が判明した。また、第1の混合薄膜層19の厚さは、
0.1乃至50μmの範囲のとき、第2の混合薄膜層2
0の厚さは、60乃至900nmの範囲のとき、それぞ
れ僅かな差は見られるものの、ほぼ同じような複合金属
層21の消失に対する回復特性を呈することが判明し
た。そして、第1の混合薄膜層19及び第2の混合薄膜
層20の各厚さが、前記範囲より薄くてもまたは厚くて
も、前記回復特性は劣化の傾向を示すようになる。In the film formation, after the first mixed thin film layer 19 is deposited to a thickness of about 7 μm, the second mixed thin film layer 20 is continuously deposited to a thickness of about 200 nm. In this case, the thicknesses of the thin film layers 19 and 20 during sputtering are adjusted by adjusting the sputtering power and the sputtering time, respectively. Further, the composition of each of the mixed thin film layers 19 and 20 is performed by adjusting the input power ratio for each target. In this case, for the second mixed thin film layer 20, solution emission spectroscopy (ICP)
As a result of examining the composition by the method, the weight ratio of scandium / tungsten (Sc / W) is 0.029 to 0.03.
In the range of 6, it was found to have excellent electron emission characteristics. The thickness of the first mixed thin film layer 19 is
In the range of 0.1 to 50 μm, the second mixed thin film layer 2
It was found that when the thickness of 0 is in the range of 60 to 900 nm, almost the same recovery characteristics for disappearance of the composite metal layer 21 are exhibited, although slight differences are observed. Then, even if the respective thicknesses of the first mixed thin film layer 19 and the second mixed thin film layer 20 are thinner or thicker than the above range, the recovery characteristic tends to deteriorate.
【0034】図3は、本実施例、前記特開昭61−13
526号に開示のもの、前記特公昭47−21343号
に開示のものの各含浸形陰極における活性化時間と放出
電流密度との関係を示す特性図である。FIG. 3 shows this embodiment, the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 61-13.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the activation time and the emission current density in each impregnated cathode disclosed in Japanese Patent Publication No. 526 and Japanese Patent Publication No. 47-21343.
【0035】図3において、縦軸はA(アンペア)/c
m2 で表わした放出電流密度、横軸はh(アワー)で表
わした活性化時間であって、曲線は本実施例の含浸形
陰極の特性、曲線は前記特開昭61−13526号に
開示の含浸形陰極の特性、曲線は前記特公昭47−2
1343号に開示の含浸形陰極の特性である。In FIG. 3, the vertical axis is A (ampere) / c.
The emission current density represented by m 2 , the horizontal axis is the activation time represented by h (hour), the curve is the characteristic of the impregnated cathode of this example, and the curve is disclosed in the above-mentioned JP-A-61-132626. The characteristics and curve of the impregnated type cathode are
These are characteristics of the impregnated cathode disclosed in 1343.
【0036】そして、図3に示された各特性は、真空度
10マイナス7乗Paクラスの高真空容器内に、陽極と
陰極からなる平行平板形の2つの電極を配置し、含浸形
陰極の動作温度を1150℃まで加熱して含浸形陰極を
活性化させた後、含浸形陰極の動作温度を850℃(曲
線及び曲線の場合)もしくは1000℃(曲線の
場合)まで低下させ、陽極に正のパルス電圧を印加した
ときに、陰極からの放出電流を測定したものである。The characteristics shown in FIG. 3 are obtained by arranging two parallel plate type electrodes consisting of an anode and a cathode in a high vacuum container having a vacuum degree of 10 −7 Pa class, and After activating the impregnated cathode by heating the operating temperature to 1150 ° C, the operating temperature of the impregnated cathode is lowered to 850 ° C (for curves and curves) or 1000 ° C (for curves), and the anode is positively charged. The emission current from the cathode was measured when the pulse voltage was applied.
【0037】この場合、曲線に示すように、前記特開
昭61−13526号に開示の含浸形陰極は、活性化を
繰り返し行ったとしても、放出電流密度が飽和すまでに
多くの時間を要するものであるが、曲線に示すよう
に、本実施例の含浸形陰極は、最大の放出電流密度に達
するまでの活性化時間が短く、曲線に示すように、既
に一部で実用化されている前記特公昭47−21343
号に開示の含浸形陰極の活性化時間に匹敵した短いもの
であることがわかる。また、曲線に示される本実施例
の含浸形陰極の放出電流特性は、曲線や曲線に示さ
れる既知の含浸形陰極の放出電流特性よりも優れてお
り、しかも、安定性や再現性の良好なものである。In this case, as shown by the curve, the impregnated cathode disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-13526 requires a long time until the emission current density is saturated even if the activation is repeated. However, as shown by the curve, the impregnated cathode of this example has a short activation time until the maximum emission current density is reached, and as shown by the curve, it has already been partially used. Said Japanese Patent Publication No. 47-21343
It can be seen that it is as short as the activation time of the impregnated cathode disclosed in the publication. Further, the emission current characteristics of the impregnated cathode of this example shown by the curve are superior to the emission current characteristics of the known impregnated cathode shown by the curve and the curve, and moreover, stability and reproducibility are good. It is a thing.
【0038】続く、図4は、本実施例及び前記特開昭6
1−13526号に開示のもの、前記特公昭47−21
343号に開示のものの各含浸形陰極におけるイオン衝
撃後の加熱時間と放出電流密度との関係を示す特性図で
ある。Next, FIG. 4 shows this embodiment and the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No.
Japanese Patent Publication No. 47-21, which is disclosed in Japanese Patent No.
FIG. 34 is a characteristic diagram showing the relationship between the heating time after ion bombardment and the emission current density in each impregnated cathode disclosed in No. 343.
【0039】図4において、縦軸はA(アンペア)/c
m2 で表わした放出電流密度、横軸はs(セコンド)で
表わしたイオン衝撃後の加熱時間であって、曲線は本
実施例の含浸形陰極の特性、曲線は前記特開昭61−
13526号に開示の含浸形陰極の特性、曲線は前記
特公昭47−21343号に開示の含浸形陰極の特性で
ある。In FIG. 4, the vertical axis is A (ampere) / c.
The emission current density represented by m 2 , the horizontal axis is the heating time after ion bombardment represented by s (seconds), the curve is the characteristic of the impregnated cathode of the present example, and the curve is the one described in JP-A-61-
The characteristics and curves of the impregnated cathode disclosed in No. 13526 are the characteristics of the impregnated cathode disclosed in Japanese Patent Publication No. 47-21343.
【0040】そして、図4に示された各特性は、前述の
高真空容器内にアルゴン(Ar)ガスを導入し、イオン
銃を用いて活性化された含浸形陰極の電子放出面にアル
ゴン(Ar)イオンを照射した後、電子放出状態の回復
特性を測定したものであって、この電子放出状態の回復
特性は、オ−ジエ分析を用い、電子放出面の表面のスカ
ンジウム(Sc)元素の再生状況を調べたものである。The characteristics shown in FIG. 4 are as follows. Argon (Ar) gas is introduced into the above-mentioned high vacuum container, and argon (Ar) is introduced on the electron emission surface of the impregnated cathode activated by using an ion gun. Ar) ion irradiation, the recovery characteristics of the electron emission state are measured, and the recovery characteristics of the electron emission state are measured by Odier analysis, and the recovery characteristics of the scandium (Sc) element on the surface of the electron emission surface are measured. This is a study of the playback status.
【0041】この場合においても、曲線に示すよう
に、前記特開昭61−13526号に開示の含浸形陰極
は、イオン衝撃後に最大の放出電流密度に達するまでの
活性化時間が相当に長くなっているのに対して、曲線
に示すように、本実施例の含浸形陰極は、イオン衝撃後
に最大の放出電流密度に達するまでの活性化時間が短
く、曲線に示すように、前記特公昭47−21343
号に開示の含浸形陰極の活性化時間に匹敵して短かくな
っている。また、曲線に示される本実施例の含浸形陰
極の放出電流特性は、曲線や曲線に示される既知の
含浸形陰極の放出電流特性よりも優れており、実用的な
含浸形陰極であるということができる。さらに、前記オ
−ジエ分析によれば、本実施例の含浸形陰極は、第2の
混合薄膜層20の表面に形成される単分子層程度の極め
て厚さの薄い低い仕事関数を持つ複合金属層21が、そ
の電子放出特性の短時間内の回復と同様に、短時間内に
再生されることが確認された。Also in this case, as shown by the curve, the impregnated cathode disclosed in JP-A-61-132625 has a considerably long activation time until the maximum emission current density is reached after ion bombardment. On the other hand, as shown by the curve, the impregnated cathode of this example has a short activation time after the ion bombardment until the maximum emission current density is reached. -21343
It is shorter than the activation time of the impregnated cathode disclosed in No. Further, the emission current characteristic of the impregnated cathode of this example shown by the curve is superior to the emission current characteristic of the known impregnated cathode shown by the curve or the curve, and it is a practical impregnated cathode. You can Further, according to the above-mentioned Ogier analysis, the impregnated cathode of this example shows that the composite metal having a low work function, which is as thin as a monolayer formed on the surface of the second mixed thin film layer 20 and has a low work function. It was confirmed that the layer 21 was regenerated within a short period of time, as was the recovery of its electron emission properties within a short period of time.
【0042】このように、本実施例による含浸形陰極
は、使用可能な低い動作温度特性を有するものであっ
て、しかも、低い仕事関数を持つ複合金属層21の再生
が迅速に行われるので、電子管用の含浸形陰極として充
分に使用に耐え得るものであり、実用化可能なものであ
る。As described above, the impregnated cathode according to this embodiment has a low operating temperature characteristic that can be used, and the composite metal layer 21 having a low work function can be rapidly regenerated. It can withstand practical use as an impregnated cathode for an electron tube and can be put to practical use.
【0043】なお、前述の実施例においては、高融点金
属の多孔質基体14はタングステン(W)であり、バリ
ウム(Ba)や酸素(O)を含む電子放出物質15は、
バリウムアルミネート(Ba3Al2O6 )であり、第2
の混合薄膜層20は、タングステン(W)、酸化タング
ステン(WO3 )、酸化スカンジウム(Sc2O3)から
なる混合金属を用いている場合について説明したが、本
発明で用いられる高融点金属の多孔質基体14、電子放
出物質15、第2の混合薄膜層20は、それぞれ前記組
成のものに限られず、他の組成、例えば、高融点金属の
多孔質基体14には、モリブデン(Mo)を用いるよう
にしてもよく、電子電子放出物質15も、バリウム(B
a)や酸素(O)を主成分としたものであれば、他の組
成のものを用いるようにしてもよく、第2の混合薄膜層
20についても、タングステン(W)もしくはモリブデ
ン(Mo)、スカンジウム(Sc)及び酸素(O)を主
成分としたものであれば、他の組成のものを用いるよう
にしてもよいことは勿論である。In the above-mentioned embodiment, the refractory metal porous substrate 14 is tungsten (W), and the electron emitting material 15 containing barium (Ba) and oxygen (O) is
Barium aluminate (Ba 3 Al 2 O 6 ) and second
The mixed thin film layer 20 of No. 2 described above uses a mixed metal composed of tungsten (W), tungsten oxide (WO 3 ) and scandium oxide (Sc 2 O 3 ). The porous substrate 14, the electron emission material 15, and the second mixed thin film layer 20 are not limited to those having the above-described compositions, and molybdenum (Mo) is used for other compositions, for example, for the porous substrate 14 of a refractory metal. The electron-electron emission material 15 may also be used as barium (B
Other compositions may be used as long as they are mainly composed of a) and oxygen (O), and tungsten (W) or molybdenum (Mo) is also used for the second mixed thin film layer 20. Needless to say, other compositions may be used as long as they contain scandium (Sc) and oxygen (O) as main components.
【0044】また、前述の実施例においては、第1の混
合薄膜層19及び第2の混合薄膜層20の各厚さについ
て、好適な範囲を示しているが、本発明における前記各
混合薄膜層19、20の厚さは前述の好適な範囲に限ら
れるものではなく、複合金属層21の再生機能を多少犠
牲にすれば、前記好適な範囲に近い領域の厚さに設定し
てもよいことは勿論である。In the above-mentioned embodiment, the preferable ranges are shown for the thicknesses of the first mixed thin film layer 19 and the second mixed thin film layer 20, respectively. The thicknesses of 19 and 20 are not limited to the above-mentioned preferable range, and may be set to a thickness close to the preferable range if the reproducing function of the composite metal layer 21 is somewhat sacrificed. Of course.
【0045】さらに、前述の実施例においては、含浸形
陰極がカラー受像管の陰極である場合について説明した
が、本発明の含浸形陰極は、カラー受像管に用いる場合
に限られるものではなく、他の電子管、例えば、モノク
ロ表示の受像管(ブラウン管)や撮像管それに進行波管
等にも同様に用いることができるものである。Further, in the above-mentioned embodiments, the case where the impregnated cathode is the cathode of the color picture tube has been described, but the impregnated cathode of the present invention is not limited to the case of being used for the color picture tube. The present invention can be similarly used for other electron tubes, for example, a monochrome display tube (Braun tube), an imaging tube, a traveling wave tube, and the like.
【0046】[0046]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、含
浸形陰極における多孔質基体の電子放出面に、タングス
テン(W)もしくはモリブデン(Mo)及びスカンジウ
ム(Sc)を主成分とする第1の混合薄膜層を配置し、
その上に、タングステン(W)もしくはモリブデン(M
o)、スカンジウム(Sc)及び酸素(O)を主成分と
する第2の混合薄膜層を配置し、第2の混合薄膜層の表
面に低い仕事関数を有するバリウム(Ba)、スカンジ
ウム(Sc)、酸素(O)を主成分とする複合金属層を
形成させている。そして、この低い仕事関数を有する複
合金属層は、使用可能な低い動作温度特性を有するとと
もに、高い電流密度の電流を流すことができるものであ
り、しかも、イオン衝撃によって一旦消失しても、その
再生が迅速に行われるので、充分に使用に耐え得て、実
用化が可能な電子管用の含浸形陰極が得られるという効
果がある。As described above, according to the present invention, the electron emitting surface of the porous substrate in the impregnated cathode contains tungsten (W) or molybdenum (Mo) and scandium (Sc) as the main components. 1 mixed thin film layer is arranged,
On top of that, tungsten (W) or molybdenum (M
o), scandium (Sc) and a second mixed thin film layer containing oxygen (O) as main components are arranged, and barium (Ba) and scandium (Sc) having a low work function are provided on the surface of the second mixed thin film layer. , A composite metal layer containing oxygen (O) as a main component is formed. The composite metal layer having a low work function has a low operating temperature characteristic that can be used, can pass a current having a high current density, and even if it disappears due to ion bombardment, Since regeneration is carried out quickly, there is an effect that an impregnated cathode for an electron tube can be obtained which can be sufficiently used and can be put into practical use.
【図1】本発明に係わる含浸形陰極を備える電子管の一
実施例の構成の概要を示す断面構成図である。FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram showing the outline of the configuration of an embodiment of an electron tube including an impregnated cathode according to the present invention.
【図2】図1に図示の電子管に用いられる含浸形陰極を
拡大して示した断面構成図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional configuration diagram showing an impregnated cathode used in the electron tube shown in FIG.
【図3】図1に図示の実施例の含浸形陰極における活性
化時間と放出電流密度との関係を示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between activation time and emission current density in the impregnated cathode of the embodiment shown in FIG.
【図4】図1に図示の実施例の含浸形陰極におけるイオ
ン衝撃後の加熱時間と放出電流密度との関係を示す特性
図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the heating time after ion bombardment and the emission current density in the impregnated cathode of the embodiment shown in FIG.
1 パネル部 2 ファンネル部 3 ネック部 4 螢光面 5 シャドウマスク 6 磁気シールド 7 偏向ヨーク 8 ピュリテイ調整マグネット 9 センタービームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 10 サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 11 電子銃 12 電子ビーム 13 陰極ペレット 14 高融点金属の多孔質基体 15 電子放出物質 16 障壁層 17 スリーブ 18 ヒータ 19 第1の混合薄膜層 20 第2の混合薄膜層 21 複合金属層1 Panel Part 2 Funnel Part 3 Neck Part 4 Fluorescent Surface 5 Shadow Mask 6 Magnetic Shield 7 Deflection Yoke 8 Purity Adjusting Magnet 9 Center Beam Static Convergence Adjusting Magnet 10 Side Beam Static Convergence Adjusting Magnet 11 Electron Gun 12 Electron Beam 13 Cathode Pellet 14 Porous substrate of refractory metal 15 Electron emission material 16 Barrier layer 17 Sleeve 18 Heater 19 First mixed thin film layer 20 Second mixed thin film layer 21 Composite metal layer
Claims (3)
多孔質基体の細孔部にバリウム(Ba)を含む電子放出
物質を含浸させて構成した含浸形陰極を備える電子管に
おいて、前記多孔質基体の電子放出面に、タングステン
(W)もしくはモリブデン(Mo)及びスカンジウム
(Sc)を主成分とした第1の混合薄膜層と、タングス
テン(W)もしくはモリブデン(Mo)、スカンジウム
(Sc)及び酸素(O)を主成分とした第2の混合薄膜
層とを積層配置したことを特徴とする含浸形陰極を備え
る電子管。1. An electron tube provided with a porous substrate made of a refractory metal and an impregnated cathode formed by impregnating pores of the porous substrate with an electron-emitting substance containing barium (Ba). A first mixed thin film layer containing tungsten (W) or molybdenum (Mo) and scandium (Sc) as main components, and tungsten (W) or molybdenum (Mo), scandium (Sc), and oxygen ( An electron tube comprising an impregnated cathode, wherein a second mixed thin film layer containing O) as a main component is laminated and arranged.
0μmの厚さに形成されることを特徴とする請求項1に
記載の含浸形陰極を備える電子管。2. The first mixed thin film layer comprises 0.1 to 5
The electron tube having the impregnated cathode according to claim 1, wherein the electron tube is formed to a thickness of 0 μm.
0nmの厚さに形成されることを特徴とする請求項1乃
至2のいずれかに記載の含浸形陰極を備える電子管。3. The second mixed thin film layer comprises 60 to 90.
An electron tube comprising the impregnated cathode according to claim 1, wherein the electron tube is formed to have a thickness of 0 nm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3836194A JPH07249367A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Electron tube having impregnated cathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3836194A JPH07249367A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Electron tube having impregnated cathode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07249367A true JPH07249367A (en) | 1995-09-26 |
Family
ID=12523151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3836194A Pending JPH07249367A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Electron tube having impregnated cathode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07249367A (en) |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP3836194A patent/JPH07249367A/en active Pending
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