JPH0723964B2

JPH0723964B2 - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH0723964B2
Application number: JP22557584A
Authority: JP
Inventors: 譲福田; 茂八木; 健一唐木田; 康令奥川; 泰男盧; 徳好高橋
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1984-10-26
Filing date: 1984-10-26
Publication date: 1995-03-15
Anticipated expiration: 2010-03-15
Also published as: JPS61103164A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、電子写真用感光体に関し、特に、感光層に非
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。

従来技術電子写真法は、感光体に帯電、像露光により静電潜像を
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着して複写物を得る方法で
ある。この電子写真法に用いられる感光体は、基本構成
として導電性基板上に感光層を積層して成る。しかし
て、従来より、感光層を構成する材料としてはセレンあ
るいはセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機
感光材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニ
トロフルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピ
ラゾリン、ヒトラゾン等の有機感光材料が知られてお
り、感光層を単層あるいは積層にして用いられている。
しかしながら、従来より用いられているこれらの感光層
は、耐久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべ
き問題点を有している。

近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルフアスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH₄）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであつて、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面高
度が高く傷つきにくく、摩耗にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有している。即ち、非晶質
ケイ素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、
次いで現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程ま
で、あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかつた
部分の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電
位が得られない。この帯電変化の減衰は、環境条件の影
響によつても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電
電位が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体
は、繰返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしま
う。この様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて
複写物を作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再
現性に乏しい複写物となる。

発明の目的本発明の目的は、非晶質ケイ素を用いる感光体の上述の
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。

更に、本発明の目的は、非晶質ケイ素を用い、しかも、
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。

本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の変
化によつて影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。

また、本発明の他の目的は、繰返し使用されても画像品
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。

更に、本発明の他の目的は、機械的強度、耐久性、耐熱
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。

発明の構成本発明者は、鋭意研究を行なつた結果、導電性基板上
に、非晶質ケイ素から成る光導電層を被覆し、更に、そ
の上に表面層を積層すると共に、該表面層として、有機
ジルコニウム化合物を少なくとも１種類含有する溶液の
乾燥硬化物を用いることによつて上記目的が達成される
ことを見出した。光導電層としては、非晶質ケイ素を主
体とし、不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半導体
を用いる。

かくして、本発明に従えば、導電性基板上に光導電層お
よび表面層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体として不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半
導体から成り、更に、炭素原子、窒素原子または酸素原
子のうちの少なくとも１種類を含有しており、前記表面
層が、有機ジルコニウム化合物を少なくとも１種類含む
溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。

本発明の電子写真用感光体の表面層を形成するのに用い
られる有機ジルコニウム化合物としては、種々のものが
考えられるが、特に好ましいのは、ジルコニウム錯体お
よびジルコニウムアルコキシドである。ジルコニウム錯
体の好ましい例は、ジルコニウムアセトアセネート、ジ
ルコニウムテトラキスアセチルアセトネート、ジルコニ
ウムジブトキシビスアセチルアセトネート、ジルコニウ
ムトリブトキシアセチルアセトネート、ジルコニウムト
リフロロアセチルアセトネート、ジルコニウムテトラキ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムブトキシトリ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムジブトキシビ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムトリブトキシ
モノエチルアセトアセテート、ビスアセチルアセトネー
トビスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノアセ
チルアセトネートトリスエチルアセトアセテートジルコ
ニウム、ビスアセチルアセトネートビスエチルラクテー
トジルコニウム等のアセチルアセトンジルコニウム錯体
である。その他に、ジルコニウムテトラキスエチルラク
テート、ジルコニウムジブトキシビスエチルラクテート
等のジルコニウム錯体を用いることもできる。ジルコニ
ウムアルコキシドの好ましい例としては、ジルコニウム
テトラメトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−プロポキ
シド、ジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニ
ウム−ｎ−ブトキシド、ジルコニウムイソブトキシド、
等が挙げられる。

本発明の電子写真用感光体を得るに当つては、上記のご
とき有機ジルコニウム化合物の１種または２種以上を適
当な溶媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、こ
れらの有機ジルコニウム化合物に有機ケイ素化合物を混
合した溶液を用いてもよい。この有機ケイ素化合物とし
ては一般にシランカツプリング剤と呼ばれている化合物
が好適であり、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリエトキシシンラン、ビニルトリス（β−メトキシ
エトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、トリメチルモノメトキシシラン、ジフエニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、モノフェ
ニルトリメトキシシラン等が挙げられる。このようなシ
ランカツプリング剤を混合して用いる場合には、該シラ
ンカツプリング剤が全固形物重量に対して５〜50％とな
るようにするのがよい。

かくして、有機ジルコニウム化合物、場合によつては更
に有機ケイ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、
スプレー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布
などの方法で塗布した後、乾燥硬化させることによつて
本発明の電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は
100〜400℃の間の任意の温度に設定することができる。
最終的に得られる表面層の膜厚も任意に設定され得る
が、0.1〜10μｍ、特に１μｍ以下が好適である。

非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、SiH₄、Si₂H₆、S
i₃H₈、Si₄H₁₀、等の水素ケイ素ガスの１種またはそれら
の混合物を原料として、グロー放電法、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法、真空蒸着法などの方法に
よつて基板上に形成する。中でも、プラズマCVD（Chemi
cal Vapor Deposition）法によりシラン（SiH₄）ガス等
をグロー放電分解する方法（グロー放電法）が、膜中へ
の水素の含有量の制御の点から好ましい。また、この場
合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマCV
D装置内にシランガス等の同時に、別途に水素（H₂）ガ
スを導入してもよい。

本発明の電子写真用感光体の光導電層として用いるの
は、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とし不純物
としてホウ素原子を含有するｐ型半導体である。このホ
ウ素原子の添加には、通常、ジボラン（B₂H₆）ガスが原
料として用いられ、0.011原子％の程度添加されること
によってｐ型半導体の非晶質ケイ素が得られる。

また、本発明の電子写真用感光体においては、上記光導
電層が、更に、炭素原子、窒素原子または酸素原子のう
ちの少なくとも１種類を含有している。このような原子
の含有は、特に感光層膜の暗抵抗の増加、光感度の増
加、更には、帯電能（単位膜厚あたりの帯電電位）の増
加の点から好ましい。

更に、感光体の長波長域の感度を増加させることを目的
として、光導電層膜にゲルマニウム（Ge）などの元素を
添加することも可能である。またハロゲン電子を添加す
ることによって、暗抵抗の増加等を図ることもできる。

かくして、本発明の電子写真用感光体の光導電層を調製
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃である。しかして、非晶質ケ
イ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、特
に10〜50μｍとするのが好適である。

導電性基板としては、アルミニウム、ニツケル、クロ
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチツクシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。

実施例次に、比較例と本発明の実施例とを挙げて、本発明の電
子写真用感光体を更に説明する。

比較例1: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH₄）ガスを毎
分120cc、水素希釈の100ppmジボラン（B₂H₆）ガスを毎
分20cc、さらに100％水素（H₂）ガスを毎分90ccの範囲
で流入させ、反応槽内を0.5Torrの内厚に維持した後、1
3.57MHzの高周波電源を投入して、グロー放電を生じせ
しめ、高周波電源の出力を85Wに維持した。このように
して、円筒状のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を
主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体を得た。このようにし
て得られた感光体は、表面硬度が硬く、耐摩耗性、耐熱
性に優れ、高暗抵抗かつ高光感度を有し、電子写真用感
光体特性の優れたものであつた。また正帯電、負帯電い
ずれの帯電も可能であり両極性帯電性を有していた。

この感光体を再帯電させ初期電位を550Vにした。これを
650nmの波長の光で露光する操作を毎分40回の速度で繰
返した。この時の残留電位は0Vで安定していたが、帯電
電位は繰返し数の増加とともに減少する傾向が見られ、
1000回の繰返し操作の後においてその帯電電位は初期帯
電電位の75％の値まで減少していた。

またこの感光体を負帯電させ、同様の操作を行なつたと
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。

参考例1: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、ジルコニウム
テトラ−ｎ−ブトキシド１重量部、エチルアルコール10
0重量部からなる溶液を塗布し、200℃の炉中で２時間乾
燥硬化し、0.5μ厚の表面層を有する感光体を得た。こ
のようにして得られた表面層はセラミツクスに似た性質
を持ち、非晶質珪素の優れた特性である、表面硬度、耐
摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかつた。

この感光体を正帯電させ初期電位を550Vにし、比較例１
と同じ方法にて繰り返し試験を行なつたところ、この時
の残留電位は約5Vで安定していた。また帯電電位は1000
回の繰り返し操作後においても初期帯電電位と変わらず
550Vの電位であつた。

又、この感光体は負帯電させたところ残留電位は−3Vで
安定しておりまた帯電電位も正帯電の場合と同様に1000
回の繰り返し後でも１回目とほとんど変わらず安定して
いた。

参考例2: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、ジルコニウム
テトラ−ｎ−ブトキシド２重量部、メチルトリメトキシ
シラン１重量部、エチルアルコール150重量部からなる
溶液を浸漬法にて塗布し、250℃で１時間乾燥硬化し、
0.5μ厚の表面層をもつ感光体を得た。

このようにして得られた感光体の表面層はセラミツクス
に似た性質を持ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、
表面硬度、耐摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなか
つた。

この感光体に正帯電、露光の操作を繰り返したところ、
残留電位は5Vで安定していた。負帯電の場合には残留電
位は5Vで安定していた。帯電電位ば、負帯電共に1000回
まで安定であつた。

参考例3: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体の上に、ジルコニウム
トテラ−ｎ−プロポキシド４重量部、γ−メタアクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン１重量部、エチルアル
コール150重量部、イソプロピルアルコール100重量部か
らなる溶液を浸漬法にて塗布し、300℃で１時間乾燥硬
化し１μ厚の表面層を持つ感光体を得た。この表面層を
有する感光体の表面硬度、耐摩耗性、耐熱性は非晶質ケ
イ素と変わることはなかつた。

この感光体に正帯電、露光及び負帯電露光をそれぞれ10
00回繰り返したところ、残留電位は正、負帯電共に10V
であり安定で、また帯電電位も安定していた。

参考例4: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半
導体から成る光導電層を有する感光体を得た。さらにそ
の上にジルコニウムトリフロロアセチルアセトネート１
重量部、メチルアルコール30重量部、ｎ−ブタノール10
重量部からなる溶液を塗布し、200℃の炉中で１時間乾
燥硬化し、0.3μ厚の表面層をもつ感光体を得た。この
ようにして得られた表面層はセラミツクスに似た性質を
持ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、表面硬度、耐
摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなかつた。

この感光体を正帯電させ初期電位を550Vにし、比較例１
と同じ方法にて繰り返し試験を行なつたところ、この時
の残留電位は約0Vで安定していた。また帯電電位は1000
回の繰り返し操作後においても初期帯電電位と変わらず
550Vの電位であった。

また、この感光体を負帯電させたところ残留電位は−3V
で安定しておりまた帯電電位も正帯電の場合と同様に10
00回の繰り返し後でも１回目とほとんど変わらず安定し
ていた。

参考例5: 比較例１と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体とし不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半
導体から成る光導電層を有する感光体の上に、ジルコニ
ウムトリフロロアセチルアセトネート２重量部、メチル
トリメトキシシラン１重量部、ｎ−ブタノール20重量
部、メチルアルコール50重量部からなる溶液を浸漬法に
て塗布し、250℃で２時間乾燥硬化させ0.5μｍ厚の表面
層を持つ感光体を得た。

このようにして得られた感光体の表面層はセラミツクス
に似て性質を持ち、非晶質ケイ素の優れた特性である、
表面硬度、耐摩耗性、耐熱性をほとんど損うことがなか
つた。

この感光体に性帯電、露光の操作を繰り返したところ、
残留電位は2Vで安定していた。負帯電の場合には残留電
位は−5Vで安定していた。帯電電位は性、負帯電共に10
00回まで安定であつた。

参考例6: 比較例１の感光体と参考例１〜５の感光体を低温低湿、
高温高湿の２つの環境で帯電、露光を繰り返した。いづ
れの場合にも帯電電位は一定とし、100回繰り返し後の
帯電電位の最も高いものを100とし、他の帯電電位を相
対値で示した。

このように、表面層を有しない非晶質ケイ素感光体で
は、帯電電位が繰返し数の増加とともにかつ高温高湿の
雰囲気下においても著しく低下するのに比べ、本発明に
よる表面層を設けた非晶質ケイ素感光体では、帯電電位
は繰返し数の増加及び高温高湿の条件下においてもほぼ
一定であつた。

比較例2: 容量結合型プロズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH₄）ガスを毎
分120cc、水素希釈の10000rpmジボラン（B₂H₆）ガスを
毎分30cc、および100％のエチレン（C₂H₄）ガスを毎分1
5cc、さらに100％水素（H₂）ガスを毎分75ccで流入さ
せ、反応層内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHz
の交周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高
周波電源の出力を85Wに維持した。このようにして円筒
状のAl基板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体とし
不純物としてホウ素、更に、炭素を含有するｐ型半導体
から成る光導電層を有する感光体を得た。

このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質評価を行なつたところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかつた。また、この感光体を30
℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、画像の流れ
が観察された。

実施例1: 比較例２と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体としホウ素および炭素を含有するｐ型半導体か
ら成る光導電層を有する感光体の上に、ジルコニウムア
セチルアセトネート１重量部、メチルアルコール50重量
部およびｎ−ブチルアルコールからなる溶液を浸漬塗布
し、250℃で２時間乾燥硬化して、0.2μｍ厚の表面層を
有する感光体を得た。

このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式により画質評価しところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５
万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかつた。こ
の感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なつた
が画像の流れはみられず高解像度を示した。

比較例3: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH₄）ガスを毎
分120cc、水素希釈の1000rpmのジボラン（B₂H₆）ガスを
毎分30cc、および100％の窒素（N₂）ガスを毎分90cc、
さらに100％水素（H₂）ガスを毎分10ccで流入させ、反
応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHzの交周
波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電
源の出力を85Wに維持した。このようにして円筒状のAl
基板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイを主体とし不純物と
してホウ素、更に、窒素を含有するｐ型半導体から成る
光導電層を有する感光体を得た。

このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式により画質評価を行なつたところ、実用に
耐え得る画像濃度は得られなかつた。また、この感光体
を30℃、85％RHの環境下で画質評価したところ、画像の
流れが観察された。

実施例2: 比較例３と同一方法、同一条件にて作成した非晶質ケイ
素を主体としホウ素および窒素を含有するｐ型半導体か
ら成る光導電層を有する感光体の上に、ジルコニウムテ
トラブトキシド１重量部、エチルアルコール100重量部
からなる溶液を浸漬塗布し、250℃で２時間乾燥硬化し
て、0.2μｍ厚の表面層を有する感光体を得た。

このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロア帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかつた。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なつ
たが画像の流れはみられず高解像度を示した。

比較例4: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH₄）ガスを毎
分120cc、水素希釈の1000rpmジボラン（B₂H₆）ガスを毎
分30cc、および、100％の酸素ガスを毎分1.0cc、さらに
100％水素（H₂）ガスを毎分89ccで流入させ、反応層内
を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHzの交周波電力
を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出
力を85Wに維持した。このようにして円筒状のAl基板上
に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物として
ホウ素、更に、酸素を含有するｐ型半導体から成る光導
電層を有する感光体を得た。

実施例3: 比較例４と同一方法、同一条件で作成した非晶質ケイ素
を主体とし不純物としてホウ素および酸素を含有するｐ
型半導体から成る光導電層を有する感光体の上に、ジル
コニウムテロラブトキシド１重量部、メチルトリメトキ
シシラン１重量部、エチルアルコール100重量部および
イソプロピルアルコール100重量部から成る溶液を浸漬
塗布し、250℃で２時間乾燥硬化して、0.1μｍ厚の表面
層を有する感光体を得た。

このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式により画質評価したところ、初期時では実
用上問題のない画像濃度が得られら。また、複写操作を
５万回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかつた。
この感光体を30℃、85％RHの環境下で画質評価を行なつ
たが画像の流れはみられる高解像度を示した。

発明の効果本発明の電子写真用感光体は、非晶質ケイ素からの成る
感光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高
耐熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数
の影響を受けずに高い電化保持力を有して、優れた品質
の画像を供することができる。

フロントページの続き (72)発明者奥川康令神奈川県南足柄市竹松1600番地富士ゼロツクス株式会社竹松工場内 (72)発明者盧泰男神奈川県南足柄市竹松1600番地富士ゼロツクス株式会社竹松工場内 (72)発明者高橋徳好神奈川県南足柄市竹松1600番地富士ゼロツクス株式会社竹松工場内 (56)参考文献特開昭59−102247（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−102240（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−121045（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−121043（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上に光導電層および表面層を順
次積層して成る電子写真用感光体において、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主
体とし不純物としてホウ素原子を含有するｐ型半導体か
ら成り、更に、炭素原子、窒素原子または酸素原子のう
ちの少なくとも１種類を含有しており、前記表面層が、有機ジルコニウム化合物を少なくとも１
種類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とする電
子写真用感光体。
【請求項２】前記有機ジルコニウム化合物が、ジルコニ
ウム錯体またはジルコニウムアルコキシドである特許請
求の範囲第（１）項記載の電子写真用感光体。