JPH0723923A - ソレノイド型rfコイル - Google Patents

ソレノイド型rfコイル

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JPH0723923A
JPH0723923A JP5168079A JP16807993A JPH0723923A JP H0723923 A JPH0723923 A JP H0723923A JP 5168079 A JP5168079 A JP 5168079A JP 16807993 A JP16807993 A JP 16807993A JP H0723923 A JPH0723923 A JP H0723923A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
cancel
solenoid type
main
fov
Prior art date
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Pending
Application number
JP5168079A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Sato
隆洋 佐藤
Yuji Inoue
勇二 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GE Healthcare Japan Corp
Original Assignee
GE Yokogawa Medical System Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by GE Yokogawa Medical System Ltd filed Critical GE Yokogawa Medical System Ltd
Priority to JP5168079A priority Critical patent/JPH0723923A/ja
Publication of JPH0723923A publication Critical patent/JPH0723923A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 FOV外からのRFノイズやNMR信号の混
ざり込みを防げるソレノイド型RFコイルを提供する。 【構成】 メインコイル1と、そのメインコイルの両側
に設けたキャンセルコイル2,3とからなり、そのキャ
ンセルコイル2,3は、前記メインコイル1と逆相の電
流が誘起されるように前記メインコイル1に接続され且
つ前記メインコイル1のコイル長Lmより短いコイル長
Lcを持つ。 【効果】 メインコイルとキャンセルコイルのカップリ
ングによりFOV外での相対感度が急低下し、FOV外
からのノイズとNMR信号の混入を防げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ソレノイド型RFコ
イルに関し、更に詳しくは、垂直磁場方式のMRI診断
装置で使用されるソレノイド型RFコイルに関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来のソレノイド型RFコイル
の外観斜視図である。このソレノイド型RFコイル50
0は、銅またはアルミのシートを両端間に短い間隙をあ
けて筒状に丸めて筒状導体部51を形成し、前記両端間
に等間隔に複数の共振コンデンサ52,52、…を接続
した構造である。数値例を挙げると、ソレノイド型RF
コイル500の直径Dは350mm,長さLは315m
mである。
【0003】図4は、上記ソレノイド型RFコイル50
0の相対感度分布を示す特性図である。縦軸は、相対感
度をdBで表わす。横軸は、コイル中央を原点とするコ
イル軸方向(図3のZ方向)の距離をmmで表わす。1
57.5mmの位置は、コイル端である。なお、150
mmの位置は、後述するFOV端である。図4から判る
ように、ソレノイド型RFコイル500における相対感
度分布は比較的ブロードであり、FOV端外でも感度低
下は緩やかである。例えば、コイル端から50mm離れ
た位置(207.5mmの位置)でも、−6dBになら
ない(相対感度が1/2まで落ちない)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図5は、NMR信号採
取時におけるリード勾配磁場印加時の磁場強度分布の一
例である。縦軸は、コイル中心での磁場強度Boからの
差の磁場強度B’を Gauss で表わす。すなわち、B’
=静磁場+リード勾配磁場−Bo、である。横軸は、コ
イル中央を原点とするコイル軸方向(図3のZ方向)の
距離をmmで表わす。静磁場の均一性Buni(Z)は、
uni(Z)∝k・Z-n(n≒6以上)の場所依存で低
下していく。いま、n=6,Z=150mmで、30p
pmの不均一を有する0.2Tの静磁場を想定する。一
方、リード勾配磁場を0.1G/cmの強度とし、かつ理
想的なリニアリティを有しているとする。これらに基づ
き、B’をプロットしたのが図5である。
【0005】図5から判るように、差の磁場強度B’
は、FOV端(150mmの位置)で理想直線Tから3
0ppm低下し、それより離れると急激に低下する。こ
のためFOV端の周辺の磁場強度は、FOV内部と同じ
磁場強度になる。これは、FOV端の周辺からのNMR
信号の周波数がFOV内部と同じになってしまうことを
意味し、FOV端の周辺からのNMR信号をフィルタに
よって除去することが出来ず、不要な信号成分がアーテ
ィファクトとして画像に入り込んでしまうことを意味す
る。
【0006】一方、図4に示したように、従来のソレノ
イド型RFコイル500では、相対感度分布が比較的ブ
ロードであり、FOV外周辺からのNMR信号も減衰せ
ずに拾ってしまう。
【0007】以上のため、FOV外周辺からのNMR信
号が不要信号として混入することとなり、従来のソレノ
イド型RFコイル500では、画像アーティファクトが
生じる問題点があった。そこで、この発明の目的は、F
OV外周辺から不要信号が混入することを防止できるよ
うにしたソレノイド型RFコイルを提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】第1の観点では、この発
明は、メインコイルと、そのメインコイルの少なくても
片側に設けられたキャンセルコイルとからなり、そのキ
ャンセルコイルは、前記メインコイルと逆相の電流が誘
起されるように前記メインコイルに接続され、且つ、前
記メインコイルよりコイル長が短いことを特徴とするソ
レノイド型RFコイルを提供する。
【0009】第2の観点では、この発明は、メインコイ
ルと、そのメインコイルの少なくとも片側に設けられた
キャンセルコイルとからなり、そのキャンセルコイル
は、前記メインコイルと逆向きの磁界を発生することを
特徴とするソレノイド型RFコイルを提供する。
【0010】上記構成において、メインコイルのコイル
中心に対するコイル端での相対感度が−6dB程度以下
となり,キャンセルコイル付近での相対感度が−10d
B程度以下となるように、キャンセルコイルの寸法およ
び位置を設定するのが好ましい。
【0011】
【作用】上記第1の観点によるソレノイド型RFコイル
では、メインコイルのコイル端近傍の相対感度は、キャ
ンセルコイルとのカップリングで決まるが、そのキャン
セルコイルは前記メインコイルと逆相の電流が誘起され
る構成であるため、両コイルに誘起される信号が互いに
打ち消し合って、キャンセルコイルがない場合に比べ、
より急峻に低下する。一般に、メインコイルのコイル端
近傍はFOV外周辺にあたるから、これはFOV外周辺
の相対感度が従来より低下することを意味する。この結
果、FOV外から不要信号が混入することを実質的に防
止できるようになる。
【0012】上記第2の観点によるこの発明のソレノイ
ド型RFコイルでは、メインコイルのコイル端近傍の磁
界強度は、キャンセルコイルからの磁界との合成磁界と
なるが、そのキャンセルコイルは前記メインコイルと逆
向きの磁界を発生する構成であるため、両コイルから発
生する磁界が互いに打ち消し合って、キャンセルコイル
がない場合に比べ、より急峻に低下する。一般に、メイ
ンコイルのコイル端近傍はFOV外周辺にあたるから、
これはFOV外周辺の磁界強度が従来より低下すること
を意味する。この結果、FOV外を不必要に励起するこ
とを実質的に防止できるようになる。
【0013】
【実施例】以下、図に示す実施例を用いてこの発明をさ
らに詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定
されるものではない。図1は、この発明のソレノイド型
RFコイルの一実施例を示す外観斜視図である。このソ
レノイド型RFコイル100は、メインコイル1と、そ
のメインコイル1の両側に設けられたキャンセルコイル
2,3とからなる。
【0014】メインコイル1は、銅またはアルミのシー
トを両端間に短い間隙をあけて筒状に丸め、前記両端間
に等間隔に複数の共振コンデンサ4,4,…を接続した
構造である。数値例を挙げると、メインコイル1の直径
Dは350mm,長さLmは315mmである。
【0015】キャンセルコイル2,3は、銅またはアル
ミのテープを両端間に短い間隙をあけて輪状に丸め、前
記両端間に共振コンデンサ4を接続した構造である。数
値例を挙げると、キャンセルコイル2,3の直径Dは3
50mm,長さLcは10mmである。
【0016】また、メインコイル1とキャンセルコイル
2,3の間隔Sは50mmであり、両者は逆相の電流が
誘起されるように接続されている。
【0017】図2に、上記ソレノイド型RFコイル10
0の相対感度分布を実線Qで示す。また、比較のため
に、従来のソレノイド型RFコイル500の相対感度分
布を点線Pで示す。縦軸は、相対感度をdBで表わす。
横軸は、コイル中央を原点とするコイル軸方向(図1の
Z方向)の距離をmmで表わす。157.5mmの位置
は、コイル端である。150mmの位置は、FOV端で
ある。図2から判るように、ソレノイド型RFコイル1
00における相対感度分布は、従来のソレノイド型RF
コイル500よりも急激にFOV端外で感度低下してい
る。例えば、メインコイルのコイル端(157.5mm
の位置)で−6dBである(相対感度が1/2まで落ち
る)。また、キャンセルコイル2,3の付近(207.
5mmの位置)では−10dBになっている。この結
果、FOV端の周辺からノイズが混入することを実質的
に防止できるようになる。
【0018】なお、上記実施例では、メインコイル1や
キャンセルコイル2,3を1ターンコイルとしたが、数
ターンコイルであってもよい。また、上記実施例では、
メインコイル1の両側にキャンセルコイル2,3を設け
たが、必要なければキャンセルコイル2,3の一方を省
略してもよい。また、上記実施例では、メインコイル1
とキャンセルコイル2,3を円形としたが、人体形状に
合わせて楕円形としてもよい。さらに、上記実施例で
は、メインコイル1とキャンセルコイル2,3の直径D
を同じとしたが、異なる直径としてもよい。また、上記
実施例では、受信コイルを想定したが、送信コイルの場
合でも同様にこの発明を適用可能である。
【0019】
【発明の効果】この発明のソレノイド型RFコイルによ
れば、FOV外に対する感度を低下させ,また、FOV
外の不必要な励起を低減させているため、FOV外から
のRFノイズやNMR信号の混入を防ぐことが出来る。
従って、SNRを改善できると共に、画像上でアーティ
ファクトが重なる現象を防ぐことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のソレノイド型RFコイルの一実施例
の外観斜視図である。
【図2】図1のソレノイド型RFコイルにおける相対感
度分布を示す説明図である。
【図3】従来のソレノイド型RFコイルの外観斜視図で
ある。
【図4】図3のソレノイド型RFコイルにおける相対感
度分布を示す説明図である。
【図5】磁場強度分布の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
100 ソレノイド型RFコイル 1 メインコイル 2、3 キャンセルコイル 4、52 共振コンデンサ D コイル直径 Lm メインコイル長 Lc キャンセルコイル長 S メインコイルとキャンセルコイルの間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 8105−2J G01N 24/04 510 F 8105−2J 530 Z

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メインコイルと、そのメインコイルの少
    なくとも片側に設けられたキャンセルコイルとからな
    り、そのキャンセルコイルは、前記メインコイルと逆相
    の電流が誘起される構成であることを特徴とするソレノ
    イド型RFコイル。
  2. 【請求項2】 メインコイルと、そのメインコイルの少
    なくとも片側に設けられたキャンセルコイルとからな
    り、そのキャンセルコイルは、前記メインコイルと逆向
    きの磁界を発生する構成であることを特徴とするソレノ
    イド型RFコイル。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のソレノ
    イド型RFコイルにおいて、メインコイルのコイル中心
    に対するコイル端での相対感度が−6dB程度以下とな
    り,キャンセルコイル付近での相対感度が−10dB程
    度以下となるように、キャンセルコイルの寸法および位
    置を設定することを特徴とするソレノイド型RFコイ
    ル。
JP5168079A 1993-07-07 1993-07-07 ソレノイド型rfコイル Pending JPH0723923A (ja)

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