JPH07235508A - Treatment apparatus - Google Patents

Treatment apparatus

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JPH07235508A
JPH07235508A JP4782494A JP4782494A JPH07235508A JP H07235508 A JPH07235508 A JP H07235508A JP 4782494 A JP4782494 A JP 4782494A JP 4782494 A JP4782494 A JP 4782494A JP H07235508 A JPH07235508 A JP H07235508A
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wafer boat
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chamber
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和雄 寺田
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Tokyo Electron Tohoku Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the treatment apparatus capable of detecting the deformation of a wafer boat holding workpieces (wafers) popping, etc., of the workpieces. CONSTITUTION:Within the treatment apparatus wherein a plurality of workpieces (W) are shifted to a wafer boat 10 which is contained in a treatment chamber 12 for heat treatment, for example, an abnormality detecting sensor 68 comprising e.g. a distance sensor is arranged above the wafer boat 10. Next, the periphery of the sensor 68 is irradiated with e.g. laser beams in the long direction thereof to detect the reflected beams thereby enabling the deformation of the wafer boat 10 or the popping, etc., of the workpieces (W) to be detected.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等を熱処
理する処理装置に係り、特にウエハボートの変形や半導
体ウエハの飛び出しを検知することができる処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for heat-treating semiconductor wafers and the like, and more particularly to a processing apparatus capable of detecting deformation of a wafer boat and protrusion of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路等の製造工程に
おいては、被処理体である半導体ウエハへの酸化膜の形
成や熱CVD法による薄膜形成や熱拡散法による不純物
濃度領域の形成等を行うために各種の処理装置が使用さ
れている。
2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or the like, an oxide film is formed on a semiconductor wafer to be processed, a thin film is formed by a thermal CVD method, and an impurity concentration region is formed by a thermal diffusion method. Various processing devices are used for this purpose.

【0003】これらの各種の処理装置の形式として、処
理炉を水平方向に配置した従来の横型のものに代えて、
処理炉を起立させた縦型の処理装置が多く採用されてい
る。この種の縦型熱処理装置としては、処理効率を上げ
るために例えば石英よりなるウエハボートに多数枚、例
えば100枚程度のウエハを等間隔で積層載置し、これ
をウエハボート毎略円筒形の縦型処理室(プロセスチュ
ーブ)内に挿入し、処理室内にて所定の処理ガス下で加
熱することによりウエハに各種の処理を施すようになっ
ている。
As a type of these various processing apparatuses, instead of the conventional horizontal type in which the processing furnace is arranged in the horizontal direction,
A vertical processing device in which a processing furnace is erected is often used. In this type of vertical heat treatment apparatus, in order to improve the processing efficiency, a large number of wafers, for example, about 100 wafers are stacked at equal intervals on a wafer boat made of, for example, quartz, and each wafer boat is formed into a substantially cylindrical shape. The wafer is subjected to various kinds of processing by being inserted into a vertical processing chamber (process tube) and being heated in a processing chamber under a predetermined processing gas.

【0004】上記ウエハボートは、図7に示すように2
枚の円柱状の石英製端板2、2をその周縁部にて石英製
の例えば4本の支持ロッド4A〜4Dにより接続し、各
支持ロッド4A〜4Dにその長さ方向に沿って所定の間
隔でウエハWの周縁部を収容し得る幅を有したウエハ支
持溝6を多数形成することにより構成されている。各ウ
エハWは、同一水平レベルに形成されたウエハ支持溝6
にその周縁部を水平方向から移載アーム8により挿脱さ
せることにより支持される。
As shown in FIG. 7, the wafer boat has two
The columnar quartz end plates 2 and 2 are connected at their peripheral portions by, for example, four support rods 4A to 4D made of quartz, and each support rod 4A to 4D is provided with a predetermined length along its length direction. It is configured by forming a large number of wafer supporting grooves 6 having a width capable of accommodating the peripheral portion of the wafer W at intervals. Each wafer W has a wafer supporting groove 6 formed at the same horizontal level.
It is supported by inserting and removing the peripheral edge portion of the transfer arm 8 from the horizontal direction.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハボー
ト10はウエハに熱処理を施す毎にそれ自体の昇温と降
温が繰り返して行われ、このために、耐熱性の高い石英
により構成されているとはいえ、長期間の使用によりウ
エハボート自体に変形が生じてくる。この変形は、特
に、強度的に弱い支持ロッド4A〜4Dの屈曲変形とい
う形で表れ、また熱拡散のように熱処理温度が約110
0℃もの高温状態になる処理を行う程、顕著となる。
By the way, each time the wafer boat 10 is subjected to heat treatment, the temperature of the wafer boat 10 is raised and lowered repeatedly. Therefore, the wafer boat 10 is made of quartz having high heat resistance. However, the wafer boat itself is deformed due to long-term use. This deformation particularly appears in the form of bending deformation of the supporting rods 4A to 4D which are weak in strength, and the heat treatment temperature is about 110 as in the heat diffusion.
It becomes more prominent as the temperature is increased to as high as 0 ° C.

【0006】更には、この種のウエハボート10には、
これに付着する成膜等を除去するために定期的或いは不
定期的に例えば洗浄液によるウエット洗浄が施される
が、この種の洗浄操作を繰り返すことによってもウエハ
ボート自体が変形する場合があった。
Further, this type of wafer boat 10 has
For example, wet cleaning with a cleaning liquid is performed regularly or irregularly to remove a film or the like attached to the wafer. However, the wafer boat itself may be deformed by repeating this kind of cleaning operation. .

【0007】このようにウエハボート10が変形する
と、支持ロッド4A〜4Dに形成されているウエハ支持
溝6のピッチが部分的に異なる個所が生じたり、或いは
支持ロッドの変形によりウエハ支持溝6の位置が水平方
向にずれたりし、結果的に移載アーム8との相対位置が
ずれてしまいウエハWのウエハボート10に対する搬入
搬出が困難になったり、ウエハをウエハ支持溝6内に十
分に保持させることができなくなる場合もあった。特
に、変形が激しい場合には、ウエハ移載時にアーム8と
ウエハボート10が干渉してアーム8を破損したり、最
悪の場合にはウエハボート10自体を倒してしまってウ
エハボートやウエハを破損してしまうという問題もあっ
た。
When the wafer boat 10 is deformed in this way, the wafer support grooves 6 formed on the support rods 4A to 4D are partially different in pitch, or the support rods are deformed to cause the wafer support grooves 6 to be deformed. The position shifts in the horizontal direction, and as a result, the relative position with respect to the transfer arm 8 shifts, which makes it difficult to carry the wafer W in and out of the wafer boat 10, and holds the wafer sufficiently in the wafer support groove 6. In some cases it could not be done. In particular, when the deformation is severe, the arm 8 and the wafer boat 10 interfere with each other to damage the arm 8 during wafer transfer, or in the worst case, the wafer boat 10 itself is tilted to damage the wafer boat and the wafer. There was also the problem of doing it.

【0008】また、ウエハボート10の変形が生じてい
ない場合でも、ウエハWを積層したウエハボート10が
ボートエレベータやボートトランスファにより移動する
際に、振動等によってウエハWがウエハボート10のウ
エハ支持溝6から飛び出してしまってその後のウエハW
の移載が円滑にできなかったり、移載ミスによりウエハ
Wを破損する場合もあった。
Even when the wafer boat 10 is not deformed, when the wafer boat 10 on which the wafers W are stacked is moved by the boat elevator or the boat transfer, the wafer W is not supported by the wafer support groove of the wafer boat 10 due to vibration or the like. Wafer W after jumping out of 6
In some cases, the wafer W cannot be transferred smoothly or the wafer W is damaged due to a transfer error.

【0009】また、関連技術として、特開平4−658
55号公報に示されるようにレーザ光によりボートの設
置姿勢を検出してこの破損等を防止する技術も開示され
てはいるが、この技術ではボート自体の変形やウエハの
飛び出し等を正確には把握することができない。
As a related technique, Japanese Patent Laid-Open No. 4-658 is known.
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 55-55, there is disclosed a technique for detecting the installation posture of a boat by laser light to prevent the damage and the like. However, in this technique, the deformation of the boat itself, the protrusion of the wafer, etc. are not accurate. I can't figure it out.

【0010】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、被処理体を保持する保持体の変形や被処理体
の飛び出し等を検知することができる処理装置を提供す
ることにある。
The present invention focuses on the above problems,
It was created to solve this effectively. An object of the present invention is to provide a processing apparatus that can detect deformation of a holding body that holds an object to be processed, protrusion of the object to be processed, and the like.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、複数の被処理体を保持体に移載し、移
載されたこの被処理体を処理室内に収容してこれに熱処
理を施す処理装置において、前記保持体の変位或いは前
記被処理体の保持状態を検知するための異常検知センサ
部を設けるように構成したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention transfers a plurality of objects to be processed to a holder and stores the transferred objects to be processed in a processing chamber. In a processing device that heat-treats this, an abnormality detection sensor section for detecting the displacement of the holding body or the holding state of the object to be processed is provided.

【0012】[0012]

【作用】本発明は、以上のように構成したので、被処理
体が収容保持されている或いは収容されていない保持体
に対してその外周部に長手方向に沿って異常検知センサ
部から例えばレーザ光を放射し、その反射光を検知する
ことにより保持体の変形や被処理体の保持状態、例えば
この飛び出しの存否を検出する。
Since the present invention is constructed as described above, the abnormality detection sensor unit, for example, a laser beam is provided along the longitudinal direction on the outer peripheral portion of the holding body with or without the object to be processed. By radiating light and detecting the reflected light, the deformation of the holder and the holding state of the object to be processed, for example, the presence or absence of this protrusion is detected.

【0013】この場合、センサ部としては例えば距離セ
ンサを用いることにより、保持体の変形部や被処理体の
飛び出しがあった場合には、その部分等にてレーザ光が
反射され、その結果、正常時における基準距離よりも短
い距離が検出されるので、変形や飛び出しを認識するこ
とができる。特に、このセンサ部を保持体に対して被処
理体を搬入搬出する搬入搬出口側に設けることにより、
被処理体の飛び出しを略確実に認識することができる。
In this case, by using, for example, a distance sensor as the sensor unit, when there is a deformed portion of the holding body or a protrusion of the object to be processed, the laser beam is reflected at that portion, and as a result, Since the distance shorter than the reference distance in the normal state is detected, it is possible to recognize the deformation or the protrusion. In particular, by providing this sensor section on the carry-in / carry-out side for carrying in and carrying out the object to be processed with respect to the holding body,
It is possible to almost certainly recognize the protrusion of the object to be processed.

【0014】また更に、このように異常検知センサ部を
保持体の周方向に沿って複数個配置することにより、保
持体がどのような方向に変形したとしてもこれを略確実
に認識することができる。
Furthermore, by arranging a plurality of abnormality detecting sensor portions along the circumferential direction of the holder in this way, it is possible to almost certainly recognize the deformation of the holder in any direction. it can.

【0015】[0015]

【実施例】以下に、本発明に係る処理装置の一実施例を
図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る処理装置
の概略断面図、図2は保持体収容室内における保持体と
異常検知センサ部との配置関係を示す配置図、図3は保
持体の部分拡大図、図4は異常検知センサ部の平面配置
状態を示す図、図5は保持体が変形した時の異常検出を
説明するための説明図、図6は被処理体が保持体から飛
び出した時の異常検出を説明するための説明図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1 is a schematic sectional view of a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a layout view showing a layout relationship between a holder and an abnormality detection sensor section in a holder housing chamber, FIG. 3 is a partially enlarged view of the holder, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing a planar arrangement state of the abnormality detection sensor unit, FIG. 5 is an explanatory view for explaining abnormality detection when the holding body is deformed, and FIG. 6 is abnormality detection when the object to be processed jumps out of the holding body. It is an explanatory view for explaining.

【0016】本発明の処理装置は、被処理体である半導
体ウエハWに所定の処理を施す処理室であるプロセスチ
ューブ12と、このプロセスチューブ12に対して多数
枚、例えば100枚のウエハWを収納した保持体として
のウエハボート10を挿脱する挿脱機構14を備えたロ
ードロック室12と、このロードロック室12に並設さ
れて、未処理のウエハ或いは処理済みのウエハを収容し
たウエハボート10を待機させる保持体収容室16と、
この保持体収容室16に並設されて待機中のウエハボー
ト10とウエハを複数枚、例えば25枚収容し得るカセ
ットCとの間でウエハの移載を行うための移載室18と
により主要部が構成されている。
The processing apparatus of the present invention includes a process tube 12 which is a processing chamber for performing a predetermined process on a semiconductor wafer W which is an object to be processed, and a large number of, for example, 100 wafers W for the process tube 12. A load lock chamber 12 having an insertion / removal mechanism 14 for inserting / removing the stored wafer boat 10 and a wafer in which unprocessed wafers or processed wafers are arranged in parallel in the load lock chamber 12. A holder housing chamber 16 for waiting the boat 10;
A wafer transfer chamber 18 for transferring wafers between the wafer boat 10 that is provided in parallel in the holder housing chamber 16 and is on standby and a cassette C that can accommodate a plurality of wafers, for example, 25 wafers Parts are made up.

【0017】上記保持体収容室16と移載室18及びロ
ードロック室12との間には、フロントオートドア20
及びリアオートドア22がそれぞれ開閉可能に設けられ
ており、これらフロント及びリアオートドア20,22
が閉塞されると、保持体収容室16内が密閉状態に維持
されるようになっている。この保持体収容室16には、
図示しない真空ポンプに接続された真空配管24が接続
されると共に、図示しないN2 ガス供給源に接続するN
2 ガス導入管26及びN2 ガス排出管28がそれぞれ接
続されている。従って、この保持体収容室16内を真空
雰囲気またはN2 ガス雰囲気下に置換することができ
る。
A front automatic door 20 is provided between the holder housing chamber 16 and the transfer chamber 18 and the load lock chamber 12.
And a rear auto door 22 are provided so as to be openable and closable, respectively, and these front and rear auto doors 20, 22 are provided.
When is closed, the inside of the holding body accommodating chamber 16 is maintained in a sealed state. In this holder housing chamber 16,
A vacuum pipe 24 connected to a vacuum pump (not shown) is connected, and N connected to an N 2 gas supply source (not shown) is connected.
The 2 gas introduction pipe 26 and the N 2 gas discharge pipe 28 are connected to each other. Therefore, the inside of the holder housing chamber 16 can be replaced with a vacuum atmosphere or an N 2 gas atmosphere.

【0018】上記処理室を構成するプロセスチューブ1
2は、断面逆U字状の縦型略円筒状の石英製容器にて形
成されており、このプロセスチューブ12の外周にはヒ
ータ30がこれを囲むようにして設けられ、更にその外
周には冷却パイプや断熱材等を組み込んだ保護カバー3
2が被覆されている。また、プロセスチューブ12の開
口下端には例えばステンレス製のマニホールド34が接
続して設けられている。このマニホールド34は上下フ
ランジ付き円筒状のものであり、図1にも示すようにこ
のマニホールド34の周壁部には、このプロセスチュー
ブ12内に所定の処理ガスを導入するガス導入管36と
処理後のガスを排気する排気管38がそれぞれ接続され
ている。この場合、ガス導入管36は図示しないガス切
換弁を介して所定のガス供給源とN2 ガス供給源に接続
されており、必要に応じて処理ガスとN2 ガスをプロセ
スチューブ12内へ導入できるようになっている。
Process tube 1 constituting the above processing chamber
Reference numeral 2 denotes a vertical substantially cylindrical quartz container having an inverted U-shaped cross section. A heater 30 is provided on the outer periphery of the process tube 12 so as to surround it, and a cooling pipe is further provided on the outer periphery thereof. Protective cover 3 with built-in insulation
2 is coated. A manifold 34 made of, for example, stainless is connected to the lower end of the opening of the process tube 12. The manifold 34 has a cylindrical shape with upper and lower flanges, and as shown in FIG. 1, a peripheral wall portion of the manifold 34 is provided with a gas introducing pipe 36 for introducing a predetermined processing gas into the process tube 12 and a post-processing. The exhaust pipes 38 for exhausting the gas are connected respectively. In this case, the gas introduction pipe 36 is connected to a predetermined gas supply source and a N 2 gas supply source via a gas switching valve (not shown), and introduces the processing gas and the N 2 gas into the process tube 12 as necessary. You can do it.

【0019】上記ロードロック室12は、例えばステン
レス製パネルを全周溶接するか、或いはOリングシール
にてシールした密閉構造となっており、その上部及び下
部の適宜位置には図示しない例えばN2 ガス供給源に接
続するN2 ガス導入管40及びN2 ガス排出管42がそ
れぞれ接続されて、ロードロック室12内に常時所定量
のN2 ガスが供給されコントロールされた雰囲気になっ
ている。このロードロック室12内に配置される挿脱機
構14は、ウエハボート10を載置保持するボートエレ
ベータ10Aと、このボートエレベータ10Aを昇降移
動するボールネジ10Bとにより構成されている。この
場合、ロードロック室12内は真空状態にする必要がな
いため、ロードロック室12を構成するパネルに高い剛
性をもたせる必要がない。従って、挿脱機構14のボー
ルネジ10Bを自立式とせずにロードロック室12の壁
に固定する構造であってもよい。
[0019] The load lock chamber 12, for example either a stainless steel panel for circumferential welding, or O-ring seal has a sealed closed structure at its upper and lower suitably not shown in position, for example N 2 The N 2 gas introduction pipe 40 and the N 2 gas discharge pipe 42 connected to the gas supply source are connected to each other, so that a predetermined amount of N 2 gas is constantly supplied into the load lock chamber 12 to create a controlled atmosphere. The loading / unloading mechanism 14 arranged in the load lock chamber 12 is composed of a boat elevator 10A for mounting and holding the wafer boat 10 and a ball screw 10B for moving the boat elevator 10A up and down. In this case, since the load lock chamber 12 does not need to be in a vacuum state, it is not necessary to give the panel forming the load lock chamber 12 high rigidity. Therefore, the ball screw 10B of the insertion / removal mechanism 14 may be fixed to the wall of the load lock chamber 12 instead of being self-supporting.

【0020】また、この挿脱機構14の側方には、上記
挿脱機構14と前記保持体収容室16との間でウエハボ
ート10を搬送するための搬送機構44が配置されてい
る。この搬送機構44は、ロードロック室12の外部に
設置される水平回転(施回)及び昇降用の駆動部44A
とこの駆動部44Aの回転軸に連結されてロードロック
室12内に位置する多関節アーム44Bとにより構成さ
れ、このアーム44Bによりウエハボート10を保持し
て移載するようになっている。尚、ロードロック室12
の上部に設けられた炉口部には、ロードロック室12と
プロセスチューブ12との開口部を開閉するオートシャ
ッタ46が設けられている。
A transfer mechanism 44 for transferring the wafer boat 10 between the insertion / removal mechanism 14 and the holding body accommodating chamber 16 is disposed on the side of the insertion / removal mechanism 14. The transport mechanism 44 is provided outside the load lock chamber 12 for horizontal rotation (turning) and ascending / descending drive unit 44A.
And a multi-joint arm 44B connected to the rotary shaft of the drive unit 44A and located inside the load lock chamber 12, and the arm 44B holds and transfers the wafer boat 10. The load lock chamber 12
An auto shutter 46 that opens and closes the openings of the load lock chamber 12 and the process tube 12 is provided at the furnace opening provided in the upper part of the.

【0021】一方、上記移載室18内には、この外部よ
り搬入されるカセットを載置する載置台48と、この載
置台48と上記保持体収容室16との間に位置されて、
載置台48上のカセットCと保持体収容室16内のウエ
ハボート10との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ
トランスファ50とが配置されている。この載置台48
は、複数例えば4個のカセットCを上下方向或いは水平
方向に配置できるようになっている。このウエハトラン
スファ50は、旋回・伸縮自在になされた移載アーム8
と、これを上下方向へ移動させるウエハエレベータ52
とにより構成されており、移載室18と保持体収容室1
6との間を仕切るフロントドア20を開いて移載アーム
8により保持したウエハを移載するようになっている。
この移載室18を区画する区画壁54には、外部との間
でカセットCを搬出入させるための搬出入ドア56が開
閉可能に気密に設けられると共に、この区画壁54に
は、図示しないN2 供給源を接続するN2 ガス供給管5
8及び内部雰囲気を排出するために図示しない排気ポン
プに接続された排気管60がそれぞれ連結されている。
On the other hand, in the transfer chamber 18, a mounting table 48 for mounting a cassette to be carried in from the outside, is located between the mounting table 48 and the holding body accommodating chamber 16,
A wafer transfer 50 that transfers the wafer W between the cassette C on the mounting table 48 and the wafer boat 10 in the holder housing chamber 16 is arranged. This table 48
The plurality of, for example, four cassettes C can be arranged vertically or horizontally. The wafer transfer 50 is composed of a transfer arm 8 which is rotatable and expandable.
And a wafer elevator 52 for moving it vertically.
The transfer chamber 18 and the holder housing chamber 1
The wafer is held by the transfer arm 8 and the front door 20 for partitioning the wafer 6 is opened.
A loading / unloading door 56 for loading / unloading the cassette C to / from the outside is airtightly provided on the partition wall 54 partitioning the transfer chamber 18 so as to be opened / closed. The partition wall 54 is not shown. N 2 gas supply tube 5 for connecting the N 2 supply source
8 and an exhaust pipe 60 connected to an exhaust pump (not shown) for exhausting the internal atmosphere.

【0022】一方、ウエハWを多数枚収容するウエハボ
ート10は、図2乃至図6にも示すように所定の距離だ
け離間させた円板状の2枚の石英製端板2、2を例えば
4本の石英製支持ロッド4A〜4Dにより連結すること
により構成され、全体を石英により形成することにより
耐熱性を持たせている。各支持ロッド4A〜4Dの端部
は、上記端板2の周縁部に接続されると共にウエハWを
搬入・搬出する側すなわち搬入搬出口62側に位置する
2本の支持ロッド4A、4Dは、収容すべきウエハの直
径よりも僅かに小さい距離だけ離間され、且つ他の支持
ロッド4B、4Cが設けられる方向とは反対方向に、ウ
エハ載置時の中心Gよりも僅かに離間させたところに位
置されている。そして、各支持ロッド4A〜4Dには、
同一水平レベルになされたウエハ支持溝6がその長さ方
向に沿ってウエハ載置枚数だけ等ピッチで形成されてい
る(図3参照)。従って、ウエハのオリフラ(オリエン
テーションフラット)64を支持ロッド4B、4C側に
向けて正常にウエハが載置された場合にはウエハがウエ
ハ支持溝6から脱落しないようになっている。各ウエハ
支持溝6の溝幅は、ウエハ厚よりも僅かに広く形成さ
れ、移載アーム8による移載時の垂直方向の誤差をある
程度吸収できるようになっている。そして、このように
形成されたウエハボート10は、保持体収容室16内に
おいてはその搬入搬出口62を移載室18のウエハトラ
ンスファ50側に向けてボート載置台16上に載置され
る。
On the other hand, the wafer boat 10 for accommodating a large number of wafers W has, for example, two disk-shaped quartz end plates 2 and 2 separated by a predetermined distance as shown in FIGS. It is constituted by connecting four support rods 4A to 4D made of quartz, and is made of quartz in its entirety to have heat resistance. The end portions of the support rods 4A to 4D are connected to the peripheral portion of the end plate 2 and the two support rods 4A and 4D located on the side for loading / unloading the wafer W, that is, the loading / unloading port 62 side, It is separated by a distance slightly smaller than the diameter of the wafer to be housed, and in a direction opposite to the direction in which the other support rods 4B, 4C are provided, and slightly separated from the center G when the wafer is placed. It is located. And in each support rod 4A-4D,
Wafer supporting grooves 6 formed at the same horizontal level are formed at equal pitches along the length direction as many as the number of wafers to be mounted (see FIG. 3). Therefore, when the wafer is properly placed with the orientation flat 64 of the wafer facing the support rods 4B, 4C, the wafer is prevented from falling out of the wafer support groove 6. The groove width of each wafer support groove 6 is formed to be slightly wider than the wafer thickness so that a vertical error at the time of transfer by the transfer arm 8 can be absorbed to some extent. The wafer boat 10 thus formed is mounted on the boat mounting table 16 with the loading / unloading port 62 facing the wafer transfer 50 side of the transfer chamber 18 in the holder housing chamber 16.

【0023】さて、このようなウエハボート10は、ウ
エハの熱処理を行う毎に繰り返し加熱・冷却されて大き
な熱ストレスを受け、長期間の使用によりボート自体が
変形して前述した如き不都合を生ずる場合がある。その
ため、この保持体収容室16にはボートの変形やウエハ
の保持状態を検知するための異常検知センサ部68が設
けられている。
When the wafer boat 10 is heated and cooled repeatedly every time the wafer is heat-treated and is subjected to a large thermal stress, the boat itself is deformed due to long-term use and the above-mentioned inconvenience occurs. There is. Therefore, the holder housing chamber 16 is provided with an abnormality detection sensor section 68 for detecting the deformation of the boat and the wafer holding state.

【0024】具体的には、この異常検知センサ部68
は、図2及び図4にも示すようにボート載置台66上に
設置されたウエハボート10の上方であって、端板2の
周縁部よりも僅かに外側に位置するところに、その周方
向に沿って所定の間隔で複数個配置されている。各セン
サ部68は、収容室側壁よりボート上方に水平に延在さ
せて設けたセンサ取り付け部材70に固定されている。
図示例にあっては各支持ロッド4A〜4Dの変形等を検
知するために各支持ロッド4A〜4Dに対応する部分に
4個の検知センサ部68A〜68Dを配置し、且つウエ
ハの搬入搬出口側に主としてウエハの飛び出しを検知す
るための飛び出し検知用センサ部68Eを配置して全体
で5個のセンサ部を設けている。このセンサ部68の数
はこれに限定されるものではなく、これよりも多く或い
は少なくしてもよい。この場合、少なくともウエハの飛
び出しを検知するための飛び出し検知用センサ部68E
を含めて2或いは3個以上設けるのが好ましいし、ま
た、支持ロッドの位置に対応させて設けることが、ロッ
ドの変位を早期に検知する上からも好ましい。この検知
センサ部68としてはレーザ光を反射してその反射光を
検出することにより反射物体までの距離を精度良く検出
することができるレーザ距離センサを用いることが好ま
しく、このセンサにより例えば波長670nmのレーザ
光を放射することにより約2μm程度の精度で反射物体
までの距離を測定することができる。このため、各セン
サ部68は、レーザ光を反射するためのレーザ発光部7
2Aと反射レーザ光を受けるレーザ受光部72Bをペア
で有すと共にボート載置台66の下方であって、上記各
検知センサ部68A〜68Eと対向する垂直方向下方に
はレーザ光を効率良く反射するための反射板74A〜7
4Eとが設けられている。従って、検知センサ部68と
反射板との間の距離が基準の距離となり、例えば支持ロ
ッドの変形やウエハの飛び出しによりこれらがレーザ光
路を遮断してレーザ光に対する障害物となってこの部分
にてレーザ光を反射すると検知距離が短くなり、これに
よりロッドの変形やウエハの飛び出しの存否を判断する
ことができる。この場合、支持ロッドの変位量やウエハ
の飛び出し量の許容値を超えてロッドが変位した時やウ
エハが飛び出した時に初めてこれを検知するようにする
ために、各センサ部68は、そのレーザ光路が変位のな
いウエハボートがボート載置台66上に設置された位置
を基準として上記許容値だけ外側に位置するところを通
過するように位置決めして設けられることになる。通
常、移載アーム8がウエハを取り損なうことなく円滑に
移載でき、しかもアームがウエハボートと干渉も生ずる
ことなく移動できる誤差範囲は、例えば2mm程度であ
ることから、2mmのウエハの飛び出し或いは2mmの
支持ロッドの変位が生じた時にそれを検知し得るような
位置に各センサ部68と対応する支持ロッド4A〜4D
或いは基準ウエハ端部との間の距離が決定される。尚、
この実施例では、レーザ光に対する反射板74A〜74
Eを設けが、これを設けないで正常時にはレーザ光を反
射させないようにしてもよい。これによれば、距離無限
遠のところが基準となる。
Specifically, this abnormality detection sensor unit 68
2 and 4, as shown in FIGS. 2 and 4, above the wafer boat 10 installed on the boat mounting table 66 and at a position slightly outside the peripheral portion of the end plate 2, the circumferential direction thereof is A plurality of them are arranged at a predetermined interval along. Each sensor unit 68 is fixed to a sensor mounting member 70 that is provided horizontally extending above the boat from the side wall of the storage chamber.
In the illustrated example, four detection sensor units 68A to 68D are arranged at the portions corresponding to the support rods 4A to 4D in order to detect the deformation of the support rods 4A to 4D, and the wafer loading / unloading port. A pop-out detection sensor portion 68E for mainly detecting the pop-up of the wafer is disposed on the side, and five sensor portions are provided as a whole. The number of the sensor units 68 is not limited to this, and may be larger or smaller than this. In this case, at least the pop-out detection sensor unit 68E for detecting the pop-up of the wafer
It is preferable to provide two or three or more including the above, and it is also preferable to provide them corresponding to the position of the support rod in order to detect the displacement of the rod early. As the detection sensor unit 68, it is preferable to use a laser distance sensor capable of accurately detecting the distance to a reflecting object by reflecting the laser light and detecting the reflected light. With this sensor, for example, a wavelength of 670 nm is used. By radiating the laser beam, the distance to the reflecting object can be measured with an accuracy of about 2 μm. Therefore, each sensor unit 68 has a laser emitting unit 7 for reflecting the laser light.
2A and a laser light receiving portion 72B for receiving the reflected laser light are paired, and the laser light is efficiently reflected below the boat mounting table 66 and vertically below the detection sensor portions 68A to 68E. For reflectors 74A-7
4E are provided. Therefore, the distance between the detection sensor unit 68 and the reflection plate becomes a reference distance, and for example, due to the deformation of the support rod or the protrusion of the wafer, these interrupt the laser optical path and become an obstacle to the laser light. When the laser light is reflected, the detection distance is shortened, so that it is possible to judge whether the rod is deformed or the wafer pops out. In this case, in order to detect this only when the rod is displaced beyond the allowable value of the displacement amount of the support rod or the protrusion amount of the wafer or when the wafer protrudes, each sensor unit 68 has its laser optical path. The wafer boat, which has no displacement, is positioned and provided so as to pass a position located outside by the above-mentioned permissible value with respect to the position set on the boat mounting table 66 as a reference. Normally, the error range in which the transfer arm 8 can be transferred smoothly without failing to remove the wafer, and the arm can be moved without interfering with the wafer boat is, for example, about 2 mm. The supporting rods 4A to 4D corresponding to the respective sensor units 68 are located at positions where the displacement of the supporting rod of 2 mm can be detected.
Alternatively, the distance to the edge of the reference wafer is determined. still,
In this embodiment, the reflectors 74A to 74A for the laser light are used.
Although E is provided, the laser light may not be reflected under normal conditions without providing E. According to this, the reference is at the infinite distance.

【0025】上記各検知センサ部68A〜68Eの出力
は、例えばマイクロコンピュータよりなる距離決定部7
6に入力されてここでレーザ発射から反射光が入力する
までの時間に基づいて反射物体までの距離が求められ、
この結果は処理部78へ入力される。尚、反射光を検知
しない場合は、距離無限大となる。処理部76において
は、上記検出結果に基づいてウエハが飛び出しているの
か、支持ロッドが変形しているのかを求め、またウエハ
が飛び出しているならば上から或いは下から何枚目のウ
エハが飛び出しているのかを求め、この結果を、警報表
示部80に警報し、且つ表示すると共に、ウエハ移載の
駆動系、例えばウエハトランスファ50の駆動系82を
直ちに停止させるようになっている。処理部78には、
上記ウエハの飛び出し位置や支持ロッドの変位を求める
ために、正常時の各ウエハの高さレベルや支持ロッドの
高さ方向における位置情報等の必要な情報が予め記憶さ
れている。
The outputs of the detection sensor units 68A to 68E are output from the distance determining unit 7 including, for example, a microcomputer.
6, the distance to the reflecting object is obtained based on the time from the laser emission to the reflected light input.
This result is input to the processing unit 78. When the reflected light is not detected, the distance is infinite. In the processing unit 76, it is determined whether the wafer is popping out or the support rod is deformed based on the above detection result. If the wafer is popping out, the number of the wafer popping out from the top or the bottom. The warning system 80 warns and displays this result on the warning display unit 80, and immediately stops the wafer transfer drive system, for example, the drive system 82 of the wafer transfer 50. The processing unit 78 includes
In order to obtain the protruding position of the wafer and the displacement of the support rod, necessary information such as the height level of each wafer under normal conditions and position information in the height direction of the support rod is stored in advance.

【0026】次に、以上のように構成された本実施例の
動作態様について説明する。まず、被処理体の全体の流
れについて説明する。移載室18の搬出入ドア56を開
いて、未処理のウエハWが収容されたカセットCは、載
置台48上に載置される。この載置台48は例えば4個
のカセットCを上下方向或いは水平方向に配列できる構
造となっており、1台のウエハボートに収容し得るだけ
の枚数のウエハを載置できる。また、この移載室18内
はN2 ガス雰囲気になされており、ウエハ表面への自然
酸化膜の形成を防止している。
Next, the operation mode of the present embodiment configured as described above will be described. First, the overall flow of the object to be processed will be described. The loading / unloading door 56 of the transfer chamber 18 is opened, and the cassette C containing the unprocessed wafer W is placed on the placing table 48. The mounting table 48 has a structure in which, for example, four cassettes C can be arranged in the vertical direction or in the horizontal direction, and the number of wafers that can be accommodated in one wafer boat can be mounted. Further, the transfer chamber 18 is filled with an N 2 gas atmosphere to prevent the formation of a natural oxide film on the wafer surface.

【0027】次に、保持体収容室16にウエハボート1
0を収容した状態で、保持体収容室16の搬出入側のフ
ロントオートドア20を開いて保持体収容室16と移載
室18とを連通する。この状態で、ウエハトランスファ
50によって載置台48上のウエハキャリアC内のウエ
ハWを保持体収容室16内のウエハボート10に移載し
て、所定枚数例えば100枚のウエハWがウエハボート
10に収納された後、フロントオートドア20を閉じて
保持体収容室16内を密閉状態にする。そして、保持体
収容室16内を真空引きによって所定の真空圧状態にし
たり、または、常圧でのN2 フロー,減圧でのN2 フロ
ー等によりウエハボート10及びウエハWを大気から完
全に遮断してウエハWへの自然酸化膜の形成を防止す
る。
Next, the wafer boat 1 is placed in the holding chamber 16.
In the state where 0 is accommodated, the front automatic door 20 on the carry-in / out side of the holder housing chamber 16 is opened to communicate the holder housing chamber 16 and the transfer chamber 18. In this state, the wafers 50 in the wafer carrier C on the mounting table 48 are transferred to the wafer boat 10 in the holding chamber 16 by the wafer transfer 50, and a predetermined number of wafers W, for example, 100 wafers W are transferred to the wafer boat 10. After being housed, the front automatic door 20 is closed to make the inside of the holding body housing chamber 16 airtight. Then, the inside of the holding body accommodating chamber 16 is evacuated to a predetermined vacuum pressure state, or the wafer boat 10 and the wafer W are completely shielded from the atmosphere by N 2 flow at normal pressure, N 2 flow at reduced pressure, or the like. Thus, formation of a natural oxide film on the wafer W is prevented.

【0028】上記のようにして保持体収容室16内を所
定時間真空状態にした場合には、保持体収容室16内に
2 ガスを導入して、常時N2 ガスが導入されているロ
ードロック室12と同雰囲気にした状態で、リアオート
ドア22を開く。そして、搬送機構44を駆動して保持
体収容室16内のウエハWを収納したウエハボート10
をボートエレベータ10A上に移載保持させる。
When the inside of the holding body accommodating chamber 16 is evacuated for a predetermined time as described above, N 2 gas is introduced into the holding body accommodating chamber 16 so that the N 2 gas is always introduced. The rear auto door 22 is opened in the same atmosphere as the lock chamber 12. Then, the transfer mechanism 44 is driven to drive the wafer boat 10 in which the wafers W in the holder storage chamber 16 are stored.
Are transferred and held on the boat elevator 10A.

【0029】次に、ボートエレベータ10Aが上昇し
て、ウエハボート10はプロセスチューブ12内に挿入
され、ボートエレベータ10Aの蓋体84がマニホール
ド34の下端フランジに当接してプロセスチューブ12
内が密閉される。そして、排気管38を用いてプロセス
チューブ12内のN2 ガスを排出し、プロセスチューブ
12内が所定の真空度に達した時点で、ガス導入管36
により処理ガスを導入して所望の処理を行う。
Next, the boat elevator 10A rises, the wafer boat 10 is inserted into the process tube 12, and the lid 84 of the boat elevator 10A abuts on the lower end flange of the manifold 34 to cause the process tube 12 to come into contact.
The inside is sealed. Then, the N 2 gas in the process tube 12 is discharged using the exhaust pipe 38, and when the inside of the process tube 12 reaches a predetermined vacuum degree, the gas introduction pipe 36
Then, the processing gas is introduced to perform the desired processing.

【0030】処理が終了した後に排気管38を用いてプ
ロセスチューブ12内の処理ガスを排出し、プロセスチ
ューブ12内が所定の真空度に達した時点で、ガス導入
管36によりN2 ガスを導入する。その後、N2 ガスの
圧力がロードロック室12のN2 ガスの圧力と同じにな
ると、ウエハボート10を下降させ、上記搬入手順と逆
の手順にて処理済みのウエハWを取り出す。
After the processing is completed, the processing gas in the process tube 12 is discharged using the exhaust pipe 38, and when the inside of the process tube 12 reaches a predetermined vacuum degree, N 2 gas is introduced by the gas introduction pipe 36. To do. Thereafter, when the pressure of the N 2 gas is the same as the pressure of N 2 gas of the load lock chamber 12, the wafer boat 10 is lowered to take out the processed wafers W in the loading procedure in reverse.

【0031】従って、移載室18とロードロック室12
との間に保持体収容室16を配置して、移載室18から
プロセスチューブ12に搬入される未処理のウエハWを
常時大気と遮断された不活性ガス雰囲気に晒すようにし
たので、ウエハ表面への自然酸化膜の形成は防止され
る。
Therefore, the transfer chamber 18 and the load lock chamber 12
Since the holding body accommodating chamber 16 is disposed between the transfer chamber 18 and the process tube 12, the unprocessed wafer W loaded into the process tube 12 is constantly exposed to an inert gas atmosphere that is shielded from the atmosphere. Formation of a native oxide film on the surface is prevented.

【0032】ところで、上述のような熱処理が繰り返し
行われると、石英製のウエハボート10には加熱冷却の
繰り返しによる熱ストレスが加わりこれが変形したりす
る。また、このようなウエハボートの変形は、ボートの
洗浄、特にウエット洗浄の繰り返しによっても生ずる。
更には、挿脱機構14や搬送機構44によりウエハボー
ト10を移動する場合にこの可動部の振動等に起因して
ウエハWがウエハボート10から僅かな距離ではあるが
飛び出す虞れがあり、移載ミス等を誘発する。
By the way, when the heat treatment as described above is repeatedly performed, the wafer boat 10 made of quartz is deformed due to thermal stress due to repeated heating and cooling. Further, such deformation of the wafer boat also occurs due to repeated boat cleaning, particularly wet cleaning.
Furthermore, when the wafer boat 10 is moved by the insertion / removal mechanism 14 or the transfer mechanism 44, the wafer W may be ejected from the wafer boat 10 by a slight distance due to the vibration of the movable part, etc. Induces misprints.

【0033】このような状態を事前に検出するために、
保持体収容室16には複数の異常検知センサ部68が配
置されている。保持体収容室16内においては、ボート
載置台66上の所定の位置に載置されたウエハボート1
0の外周に対してその上方に設けた各異常検出センサ部
68A〜68Eの各レーザ発光部72Aからレーザ光L
Aを発射し、その反射光をレーザ受光部72Bにて受け
る。
In order to detect such a state in advance,
A plurality of abnormality detection sensor units 68 are arranged in the holder housing chamber 16. In the holding body accommodation chamber 16, the wafer boat 1 mounted at a predetermined position on the boat mounting table 66.
Laser light L from each laser emission section 72A of each abnormality detection sensor section 68A to 68E provided above the outer periphery of 0.
A is emitted, and the reflected light is received by the laser light receiving portion 72B.

【0034】ここで、全てのウエハWがウエハボート1
0から飛び出ることなく正常に保持され、且つウエハボ
ート10自体にも許容量以上の変位・変形がない場合に
は、図5(A)に示すように各異常検出センサ部68A
〜68E(図5においては一部のセンサ部のみ代表とし
て記す)からのレーザ光LAは途中障害物の反射を受け
ることなくボート下方に設置した対応する反射板74A
〜74Eにて反射される。レーザ光の放射から反射光の
受光までの時間によって距離決定部76ではその距離を
求め、処理部78では、この求めた距離が予め記憶され
ているセンサ部−反射板間の距離と実質的に同じ場合に
は正常であると判断する。
Here, all the wafers W are wafer boats 1.
When the wafer boat 10 itself is normally held without jumping out from 0, and the wafer boat 10 itself is not displaced or deformed more than the permissible amount, as shown in FIG.
.. 68E (only some of the sensor parts are shown as representatives in FIG. 5) laser light LA corresponding to a reflecting plate 74A installed below the boat without being reflected by obstacles on the way.
Reflected at ~ 74E. The distance determination unit 76 calculates the distance according to the time from the emission of the laser light to the reception of the reflected light, and the processing unit 78 substantially determines the calculated distance from the previously stored distance between the sensor unit and the reflector. If they are the same, it is determined to be normal.

【0035】また、熱ストレスによりウエハボート10
自体が変形している場合、例えば図5(A)に示すよう
に支持ロッド4A〜4Dが一方向に僅かではあるが屈曲
変形して例えばウエハボート10の上側の端板2が水平
方向にズレた場合には、変位方向に位置する異常検出セ
ンサ部、例えばセンサ部68Dからのレーザ光LAが上
側の端板2で反射されたり、或いは屈曲して外側へ変形
した支持ロッド4Aに例えばセンサ部68Aからのレー
ザ光LAが反射されたりし、その結果、これらの反射レ
ーザにより得られる距離は、基準距離よりも小さくなっ
ているので処理部78は、異常状態であることを認識
し、警報表示部80に対してその旨を知らせ、異常を表
示したりオペレータに対して警報を発すると共に、ウエ
ハトランスファ50の駆動系82に停止指令を出力して
ウエハトランスファ50の駆動を停止する。これによ
り、ウエハトランスファ50の移載アーム8とウエハボ
ート10が干渉してウエハボート10が転倒すること、
或いはウエハボート10の変形に伴ってウエハの移載ミ
スが生じることを防止することができる。
Further, due to the heat stress, the wafer boat 10
If the support itself is deformed, for example, as shown in FIG. 5A, the support rods 4A to 4D are bent and deformed slightly in one direction, but the upper end plate 2 of the wafer boat 10 is horizontally displaced. In this case, the abnormality detection sensor portion located in the displacement direction, for example, the laser light LA from the sensor portion 68D is reflected by the upper end plate 2, or is bent and deformed outward to the support rod 4A. The laser light LA from 68A is reflected, and as a result, the distance obtained by these reflected lasers is smaller than the reference distance, so the processing unit 78 recognizes that it is in an abnormal state and displays an alarm. The unit 80 is notified of that fact, an error is displayed, an alarm is issued to the operator, and a stop command is output to the drive system 82 of the wafer transfer 50 to transfer the wafer. 0 to stop the drive of. As a result, the transfer arm 8 of the wafer transfer 50 interferes with the wafer boat 10 and the wafer boat 10 falls over.
Alternatively, it is possible to prevent the wafer transfer error from occurring due to the deformation of the wafer boat 10.

【0036】また、移載アーム8による移載時の移載ミ
スやウエハボート搬送時における振動等により、ウエハ
Wの周縁部が支持ロッド4Aのウエハ支持溝6に十分に
嵌り込んでおらず、これが搬入搬出口側へ僅かに飛び出
している場合には、図6に示すようにボートの搬入搬出
口62側に設けた飛び出し検知用センサ部68Eから放
射したレーザ光LAが飛び出したウエハWAの周縁部に
当たって反射することになる。そして、この反射光に基
づいて検知用センサ部68Eと飛び出したウエハWAと
の間の距離L1が求められるので、処理部78は、上か
ら或いは下から何枚目のウエハが飛び出しているかを認
識して求め、その結果、警報表示部80に対して警報を
発するように指示すると共に飛び出したウエハWAに関
する情報を表示させ、これと同時に前述と同様にウエハ
トランスファ50の駆動系82に対してこの駆動を停止
する指示を出す。これにより、オペレータがマニュアル
により適正な回復動作を行う。尚、検知用センサ部68
Eによりウエハボートの変形も検知できることは勿論で
ある。
Further, the peripheral edge of the wafer W is not sufficiently fitted into the wafer support groove 6 of the support rod 4A due to a transfer error during transfer by the transfer arm 8 or vibration during transfer of the wafer boat. When this slightly protrudes to the carry-in / carry-out port side, the peripheral edge of the wafer WA from which the laser beam LA emitted from the projecting detection sensor portion 68E provided on the carry-in / carry-out port 62 side of the boat projects as shown in FIG. It will hit the part and be reflected. Since the distance L1 between the detection sensor unit 68E and the protruding wafer WA is obtained based on the reflected light, the processing unit 78 recognizes how many wafers are protruding from above or below. As a result, the alarm display section 80 is instructed to issue an alarm and the information about the popped-out wafer WA is displayed, and at the same time, the drive system 82 of the wafer transfer 50 receives the information. Give an instruction to stop driving. As a result, the operator manually performs an appropriate recovery operation. The detection sensor unit 68
It goes without saying that the deformation of the wafer boat can also be detected by E.

【0037】このような検知用センサ部68による検査
は、ウエハボートにウエハが収容されている場合、或い
は収容されていない場合、いつでも必要に応じて行うこ
とができ、例えば空のウエハボートにウエハを移載する
直前、ボートへのウエハの移載が完了した時、処理済み
のウエハをボートから移載する直前などに検査を行う。
The inspection by the detection sensor unit 68 as described above can be performed whenever necessary when the wafer is accommodated in the wafer boat or not accommodated therein. Immediately before transferring the wafer, when the transfer of the wafer to the boat is completed, the inspection is performed immediately before transferring the processed wafer from the boat.

【0038】このように、加熱冷却に伴う熱ストレスや
洗浄によってウエハボート自体が変形したり或いはウエ
ハボートの振動等によってウエハがウエハボートから飛
び出しているような場合にはこれを適正に検知すること
ができる。従って、例えばウエハボート自体の変形によ
ってウエハ移載時に移載アーム8とウエハボート10が
干渉したりすることがないので、ウエハボート10が転
倒して非常に高価なボートや載置されていたウエハ等を
破損したり或いはアルミナ、SiC等よりなる移載アー
ム8を破損したりすることを防止することができる。更
には、ウエハの飛び出しも検出することができるので、
ウエハ移載時の挟み損ね等の移載ミスを防止してウエハ
等の破損を防止することが可能となる。
As described above, when the wafer boat itself is deformed by the heat stress and the cleaning caused by heating and cooling, or when the wafer is jumping out of the wafer boat due to the vibration of the wafer boat, this should be properly detected. You can Therefore, the transfer arm 8 and the wafer boat 10 do not interfere with each other when the wafers are transferred due to the deformation of the wafer boat itself, so that the wafer boat 10 falls and a very expensive boat or a wafer that has been mounted. Etc. or the transfer arm 8 made of alumina, SiC or the like can be prevented from being damaged. Furthermore, since the jumping out of the wafer can be detected,
It is possible to prevent a transfer error such as a pinch failure at the time of transferring a wafer and prevent damage to the wafer and the like.

【0039】ウエハWが飛び出したり、ウエハボート1
0が変形した時に許容できる飛び出し量或いは変形量
は、移載アーム8が適正にウエハを受け渡しできる許容
誤差範囲によって決定され、本実施例においては前述の
ように例えば2mmの飛び出し量或いは変形量が生じた
らこれを検出し得るように各検出センサ部68の取り付
け位置が決定されている。また、複数個の検出センサ部
68を設けることにより、ウエハボート自体が変形した
場合には、それがどの方向に変形したのか容易に認識す
ることができ、メンテナンスも容易に行うことが可能と
なる。
The wafer W pops out or the wafer boat 1
The amount of protrusion or the amount of deformation that can be tolerated when 0 is deformed is determined by the allowable error range in which the transfer arm 8 can properly transfer the wafer. In the present embodiment, as described above, the amount of protrusion or the amount of deformation is 2 mm. The mounting position of each detection sensor unit 68 is determined so that it can be detected if it occurs. Further, by providing the plurality of detection sensor units 68, when the wafer boat itself is deformed, it is possible to easily recognize in which direction the wafer boat is deformed, and maintenance can be easily performed. .

【0040】上記実施例では移載室18、保持体収容室
16及びロードロック室12を備えた処理装置を例にと
って説明したが、ウエハを多数枚ウエハボートに収容し
て熱処理を行うような装置ならば、全て適用することが
できる。また、この実施例ではウエハボートを複数個設
けて、プロセスチューブ12の直下以外の部分、例えば
保持体収容室16にてウエハの移載を行う形式の処理装
置であるが、プロセスチューブ12の直下のロードロッ
ク室にてウエハの移載を行うようにした形式の処理装置
の場合には、このロードロック室に前記した異常検出セ
ンサ部68を配置する。この場合、ウエハボートの上方
に異常検知センサ部68を配置することになるので、ウ
エハボートをプロセスチューブに対してロード・アンロ
ードする場合にはセンサ部とウエハボートが干渉してし
まうので、これを避けるために検出センサ部68を保持
するセンサ取り付け部材70(図2参照)を例えば水平
方向へ可動状態とし、退避可能となるように構成すれば
よい。
In the above embodiment, the processing apparatus provided with the transfer chamber 18, the holder housing chamber 16 and the load lock chamber 12 has been described as an example, but an apparatus for housing a large number of wafers in a wafer boat to perform heat treatment. Then, all can be applied. Further, in this embodiment, a plurality of wafer boats are provided and the wafer is transferred in a portion other than directly below the process tube 12, for example, in the holding chamber 16, but directly below the process tube 12. In the case of a processing apparatus of the type in which wafers are transferred in the load lock chamber, the abnormality detection sensor unit 68 described above is arranged in this load lock chamber. In this case, since the abnormality detection sensor unit 68 is arranged above the wafer boat, the sensor unit interferes with the wafer boat when the wafer boat is loaded / unloaded from / to the process tube. To avoid this, the sensor mounting member 70 (see FIG. 2) that holds the detection sensor unit 68 may be configured to be movable, for example, in the horizontal direction so that it can be retracted.

【0041】更に、本実施例ではプロセスチューブを起
立させた縦型処理装置を例にとって説明したが、これに
限定されずプロセスチューブを水平方向に配置した横型
処理装置の場合にも同様に適用することができる。また
更に、異常検知センサ部としてはレーザ光を反射する距
離センサを用いたが、指向性良く障害物の存否を検出で
きるならば、どのようなセンサを用いてもよく、例えば
超音波を用いたセンサも使用することができる。
Further, in the present embodiment, the vertical type processing device in which the process tube is erected has been described as an example, but the present invention is not limited to this and is similarly applied to a horizontal type processing device in which the process tube is arranged in the horizontal direction. be able to. Furthermore, although a distance sensor that reflects laser light is used as the abnormality detection sensor unit, any sensor may be used as long as it can detect the presence or absence of an obstacle with good directivity, for example, ultrasonic waves are used. Sensors can also be used.

【0042】また、本発明は、被処理体として半導体ウ
エハを例にとって説明したが、これ以外の被処理体、例
えばガラス基板、LCD基板等の処理装置にも適用する
ことができる。
Further, although the present invention has been described by taking a semiconductor wafer as an example of the object to be processed, it can be applied to other objects to be processed, for example, a processing apparatus such as a glass substrate or an LCD substrate.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。例えば距離センサよりなる異常検知センサ部を
設けて被処理体を保持する保持体の変位や被処理体の飛
び出しを検出することができるので、移載ミスがなくな
り、保持体の転倒に伴う高価な保持体の破損、被処理体
の破損を大幅に抑制することができる。この異常検知セ
ンサ部を保持体の周方向に沿って複数個設けることによ
り保持体がどの方向に変形しても、これを確実に把える
ことができる。また、異常検知センサ部を被処理体の搬
入搬出が行われる搬入搬出口側に設けることにより、被
処理体の保持体からの飛び出しを確実に把えることがで
きる。
As described above, according to the processing apparatus of the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. For example, since an abnormality detection sensor unit including a distance sensor can be provided to detect the displacement of the holding body that holds the object to be processed and the protrusion of the object to be processed, a transfer error is eliminated, and the cost of the holding body to fall is high. The damage to the holder and the damage to the object to be processed can be significantly suppressed. By providing a plurality of the abnormality detection sensor portions along the circumferential direction of the holding body, it is possible to reliably grasp the deformation of the holding body in any direction. Further, by providing the abnormality detection sensor unit on the carry-in / carry-out port side where the object to be processed is carried in and out, it is possible to reliably grasp the protruding of the object to be processed from the holder.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る処理装置を示す概略断面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a processing apparatus according to the present invention.

【図2】保持体収容室内における保持体と異常検知セン
サ部との配置関係を示す配置図である。
FIG. 2 is a layout diagram showing a layout relationship between a holder and an abnormality detection sensor section in a holder accommodating chamber.

【図3】保持体の部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of a holder.

【図4】異常検知センサ部の平面配置状態を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a planar arrangement state of an abnormality detection sensor unit.

【図5】保持体が変形した時の異常検出を説明するため
の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining abnormality detection when the holder is deformed.

【図6】被処理体が保持体から飛び出した時の異常検出
を説明するための説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining abnormality detection when the object to be processed jumps out of the holder.

【図7】ウエハボートに半導体ウエハを移載する時の一
般的な状態を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a general state when a semiconductor wafer is transferred onto a wafer boat.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 端板 4A〜4D 支持ロッド 6 ウエハ支持溝 8 移載アーム 10 ウエハボート(保持体) 12 プロセスチューブ(処理室) 14 挿脱機構 16 保持体収容室 18 移載室 50 ウエハトランスファ 52 ウエハエレベータ 62 搬入搬出口 68 異常検知センサ部(距離センサ) 72A レーザ発光部 72B レーザ受光部 74A〜74E 反射板 76 距離決定部 78 処理部 80 警報表示部 82 駆動系 C カセット LA レーザ光 W 半導体ウエハ(被処理体) 2 End Plates 4A to 4D Support Rods 6 Wafer Support Grooves 8 Transfer Arms 10 Wafer Boats (Holders) 12 Process Tubes (Process Chambers) 14 Insertion / Removal Mechanisms 16 Holder Hold Chambers 18 Transfer Chambers 50 Wafer Transfers 52 Wafer Elevators 62 Carry-in / carry-out port 68 Abnormality detection sensor unit (distance sensor) 72A Laser light emitting unit 72B Laser light receiving unit 74A to 74E Reflector plate 76 Distance determining unit 78 Processing unit 80 Warning display unit 82 Drive system C cassette LA Laser light W Semiconductor wafer (processing target) body)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の被処理体を保持体に移載し、移載
されたこの被処理体を処理室内に収容してこれに熱処理
を施す処理装置において、前記保持体の変位或いは前記
被処理体の保持状態を検知するための異常検知センサ部
を設けたことを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus in which a plurality of objects to be processed are transferred to a holder, and the transferred objects to be processed are accommodated in a processing chamber and subjected to heat treatment. A processing apparatus comprising an abnormality detection sensor unit for detecting a holding state of a processing body.
【請求項2】 前記異常検知センサ部は、前記保持体の
長さ方向にレーザ光を放射して反射光を検出することに
より異常を検知する距離センサよりなることを特徴とす
る請求項1記載の処理装置。
2. The abnormality detection sensor unit comprises a distance sensor that detects an abnormality by emitting a laser beam in the length direction of the holder and detecting a reflected light. Processing equipment.
【請求項3】 前記異常検知センサ部は、前記保持体の
周方向に沿って所定間隔で複数個配置されることを特徴
とする請求項1記載の処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the abnormality detection sensor units are arranged at predetermined intervals along the circumferential direction of the holder.
【請求項4】 前記異常検知センサ部は、前記保持体に
対する前記被処理体の搬入搬出口側に配置されることを
特徴とする請求項1乃至3記載の処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 1, wherein the abnormality detection sensor unit is arranged on a loading / unloading side of the object to be processed with respect to the holder.
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