JPH07235095A - Magneto-optical reproducing pickup - Google Patents

Magneto-optical reproducing pickup

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JPH07235095A
JPH07235095A JP6267507A JP26750794A JPH07235095A JP H07235095 A JPH07235095 A JP H07235095A JP 6267507 A JP6267507 A JP 6267507A JP 26750794 A JP26750794 A JP 26750794A JP H07235095 A JPH07235095 A JP H07235095A
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JP
Japan
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optical
magneto
light
mode
optical waveguide
Prior art date
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Application number
JP6267507A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Nakano
聡 中野
Sadaichi Miyauchi
貞一 宮内
Takeshi Yamazaki
剛 山崎
Satoshi Sasaki
智 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To easily compensate a phase difference between two intrinsic modes (integral multiple of pi) and to reduce deterioration in quality of a reproducing signal due to the elliptical polarization of a light even when there are a variance in manufactured waveguides, fluctuations in an optical parameter due to temperature changes, fluctuations in the wavelengths of emitted lights, etc. CONSTITUTION:This device is provided with an optical waveguide 4 for guiding the TE mode component of a laser light emitted from a light emitting means 5 to the magneto-optical recording medium side and guiding a reflective light from the magneto-optical recording medium to the differential light detecting part 9 side and this optical waveguide 4 is provided with a phase compensating means for compensating a phase difference between the light components of TE and TM modes included in the reflective light. In this case, the phase compensating means is constituted of an optical waveguide constituted on a base plate made of an electrical optical crystal by forming a thin film having a light refractive index higher than that of this base plate, phase control electrodes (21a and 21b) for impressing a magnetic field to this optical waveguide in a direction along the TM mode and a feedback circuit 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディスク
等に記録されている情報信号の再生に用いられる光磁気
再生ピックアップに関し、特に光導波路を用いた光磁気
再生ピックアップに用いて好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical reproducing pickup used for reproducing information signals recorded on, for example, a magneto-optical disk, and particularly suitable for a magneto-optical reproducing pickup using an optical waveguide. Is.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の個別部品を使用した光磁気再生ピ
ックアップは、図15にその一例を示すように、例えば
レーザダイオードによるレーザ光源と偏光板とを具備す
る光源部101から出射された所定の偏光面を有する直
線偏光(以下、これをTE波と記す)を、パーシャルビ
ームスプリッタ(以下、単にパーシャルBSと記す)1
02を通じて、記録媒体、即ち光磁気記録媒体103に
照射するようになされ、この光磁気記録媒体103から
の反射光を、上記パーシャルBS102によって反射さ
せ、更にアナライザ(45度検光)によって、一対の光
検出素子105a及び105bに入射させてそれぞれ電
気信号(検出出力)として、後段の差動増幅器106に
入力させる構成を採用している。なお、上記一対の光検
出素子105a及び105b並びに差動増幅器106に
て差動検出回路107が構成される。この場合、パーシ
ャルBS102は、例えばTE波を20%反射し、これ
と直交する偏波面のTM波をほぼ100%反射する特性
とされる。
2. Description of the Related Art A conventional magneto-optical reproducing pickup using individual parts, as shown in FIG. 15, shows a predetermined light emitted from a light source section 101 having a laser light source by a laser diode and a polarizing plate. Linearly polarized light having a plane of polarization (hereinafter referred to as TE wave) is a partial beam splitter (hereinafter simply referred to as partial BS) 1
The recording medium, that is, the magneto-optical recording medium 103, is irradiated through 02, the reflected light from the magneto-optical recording medium 103 is reflected by the partial BS 102, and a pair of analyzers (45 degree detection) is used. A configuration is adopted in which the light is made incident on the photodetection elements 105a and 105b and input as electric signals (detection outputs) to the differential amplifier 106 in the subsequent stage. A differential detection circuit 107 is composed of the pair of photodetection elements 105a and 105b and the differential amplifier 106. In this case, the partial BS 102 has a characteristic of reflecting, for example, 20% of TE wave and almost 100% of TM wave of a polarization plane orthogonal to the TE wave.

【0003】このようにして、光源部101からのTE
波は、その大部分(80%)が光磁気記録媒体103に
照射される。そして、この光磁気記録媒体103の記録
信号磁化に応じて光−磁気相互作用(カー効果)によっ
て偏光面が回転した反射光が再びパーシャルBS102
に入るが、ここで上記カー効果による回転(カー回転)
によって生じたTM波成分はほとんど反射される。
In this way, the TE from the light source unit 101 is
Most of the waves (80%) are applied to the magneto-optical recording medium 103. Then, the reflected light whose polarization plane is rotated by the optical-magnetic interaction (Kerr effect) according to the recording signal magnetization of the magneto-optical recording medium 103 is again the partial BS 102.
Enter, but here the rotation due to the Kerr effect (Kerr rotation)
Almost all the TM wave components generated by are reflected.

【0004】上記パーシャルBS102で反射されたT
M波成分は、次のアナライザ104によって45度検光
分岐されて一対の光検出素子105a及び105bに入
射される。この場合、光磁気記録媒体103の記録情報
に応じて、即ち上記カー回転の大小によって、例えば一
方の光検出素子105aへの入射光量が小となることか
ら、両者の検出出力を差動検出回路107によって差動
的に検出することにより、再生信号を取り出すことがで
きる。
T reflected by the partial BS 102
The M wave component is subjected to 45-degree analysis and branching by the next analyzer 104 and is incident on the pair of photodetection elements 105a and 105b. In this case, depending on the recorded information of the magneto-optical recording medium 103, that is, depending on the magnitude of the Kerr rotation, for example, the amount of incident light on one photodetecting element 105a becomes small, and the detection outputs of both are detected by the differential detection circuit. The reproduced signal can be taken out by differentially detecting by 107.

【0005】一方、光磁気再生ピックアップとして、そ
の小型化、軽量化、量産性の向上を図ったものとして、
光導波路によるいわゆる光集積技術を用いた光磁気再生
ピックアップ、即ち光導波路からの出射光を直接光磁気
記録媒体に照射し、その透過光又は反射光の偏光面の回
転を検出する光磁気再生ピックアップが提案されている
(例えば、特開昭60−224139号公報,特開平1
−279432号公報参照)。
On the other hand, as a magneto-optical reproducing pickup, it is intended to reduce its size, weight and mass productivity.
A magneto-optical reproducing pickup using the so-called optical integrated technology by an optical waveguide, that is, a magneto-optical reproducing pickup that directly irradiates a magneto-optical recording medium with light emitted from the optical waveguide and detects rotation of a polarization plane of transmitted light or reflected light. Have been proposed (for example, JP-A-60-224139 and JP-A-1).
-279432 publication).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】一般に、図16に示す
ように、光導波路111を伝搬する光Lは、直交する偏
波方向に対応するモード間の伝搬定数が異なるため、導
波路を出射する光は、一般に楕円偏光となる。
Generally, as shown in FIG. 16, the light L propagating in the optical waveguide 111 has different propagation constants between modes corresponding to orthogonal polarization directions, and therefore exits from the waveguide. Light is generally elliptically polarized.

【0007】磁気光学材料表面に入射する光の偏光が楕
円になると、検出される偏波面の回転の情報は小さくな
る。光導波路に入射する偏光の方向を一つの固有モード
に一致させれば、往路については、偏光状態を保ったま
まで、導波路を通過させることはできる。しかし、磁気
光学材料表面での反射光を再び導波路に入射させようと
する場合、復路においては、磁気光学材料による偏波面
の回転により、もう一方の固有モード成分も生じ、これ
ら2つのモード間の位相差によって出射光は結局楕円偏
光になる。
When the polarization of the light incident on the surface of the magneto-optical material becomes elliptical, the detected information on the rotation of the plane of polarization becomes small. If the direction of the polarized light incident on the optical waveguide is matched with one eigenmode, it is possible to pass through the waveguide while maintaining the polarization state on the outward path. However, when the reflected light from the surface of the magneto-optical material is made to enter the waveguide again, the other eigenmode component is also generated in the return path due to the rotation of the plane of polarization by the magneto-optical material, and between these two modes. Due to the phase difference of, the outgoing light is eventually elliptically polarized.

【0008】以下、入射光の偏光方向に対してそれぞれ
±45゜に検光方向を傾けた検光子を使って差動検出を
行なう場合について、図17及び図18を参照しながら
説明する。ここで、図17及び図18で示す線図は、縦
軸にTEモード偏波方向をとり、横軸にTMモード偏波
方向をとって、2つの反射光、即ち上向き磁化での反射
光121と下向き磁化での反射光122の各偏光方向
(ベクトル)を描いたものである。
Hereinafter, a case where differential detection is performed by using analyzers whose analysis directions are inclined by ± 45 ° with respect to the polarization direction of incident light will be described with reference to FIGS. 17 and 18. Here, in the diagrams shown in FIGS. 17 and 18, the vertical axis represents the TE-mode polarization direction and the horizontal axis represents the TM-mode polarization direction. And each polarization direction (vector) of the reflected light 122 with downward magnetization.

【0009】これら図17及び図18において、横軸に
対して±45゜方向に延びる線m及びnは、入射光12
3の偏光方向に対して+45゜及び−45゜にそれぞれ
検光方向を傾けた2つの検光子の検光方向を示す。な
お、この例では、TMモードの光を光磁気記録媒体に入
射させた場合を想定している。
In FIGS. 17 and 18, lines m and n extending in the directions of ± 45 ° with respect to the horizontal axis are the incident light 12
The directions of analysis of two analyzers whose inclinations are + 45 ° and −45 ° respectively with respect to the polarization direction of 3 are shown. In this example, it is assumed that TM mode light is incident on the magneto-optical recording medium.

【0010】即ち、光磁気記録媒体の磁化の向きを反転
させた場合、2つの反射光121及び122の各偏光方
向は、そのカー効果によって、横軸TMに対して+θ又
は−θほど回転する。このとき、差動検出器の出力は、
ピーク・トゥー・ピークで(線分AA’−線分aa’)
−(線分BB’−線分bb’)となる。
That is, when the magnetization direction of the magneto-optical recording medium is reversed, the polarization directions of the two reflected lights 121 and 122 are rotated by + θ or −θ with respect to the horizontal axis TM due to the Kerr effect. . At this time, the output of the differential detector is
Peak to Peak (Line AA'-Line aa ')
− (Line segment BB′−Line segment bb ′).

【0011】これら反射光121及び122が光導波路
を伝搬することにより、図18に示すように、それぞれ
楕円偏光124及び125になった場合、各楕円から線
m,nに投影した線分AA’と線分aa’の差(=線分
AA’−線分aa’)並びに線分BB’と線分bb’の
差(=線分BB’−線分bb’)は、それぞれ図17に
おける線分AA’と線分aa’の差(=線分AA’−線
分aa’)並びに線分BB’と線分bb’の差(=線分
BB’−線分bb’)に比べて小さくなってしまい、そ
れに応じて検出信号は低下する。
When the reflected lights 121 and 122 propagate through the optical waveguide to be elliptically polarized lights 124 and 125, respectively, as shown in FIG. 18, line segments AA 'projected from the ellipses to the lines m and n. And the line segment aa ′ (= line segment AA′−line segment aa ′) and the difference between the line segment BB ′ and the line segment bb ′ (= line segment BB′−line segment bb ′) are respectively the line in FIG. Smaller than the difference between the line segment AA 'and the line segment aa' (= line segment AA'-line segment aa ') and the difference between the line segment BB' and the line segment bb '(= line segment BB'-line segment bb') And the detection signal drops accordingly.

【0012】磁気光学材料での偏波面の回転角をθ、光
導波路に光を片道導波したときに生じる2つの固有モー
ド間の位相差をψとし、入射偏波方向からそれぞれ±4
5゜傾いた方向の偏波面について差動検出すると、検出
信号は、cosψsin2θに比例する。
The rotation angle of the plane of polarization in the magneto-optical material is θ, and the phase difference between two eigenmodes generated when light is one-way guided in the optical waveguide is ψ, and ± 4 from the incident polarization direction.
When differential detection is performed on the plane of polarization inclined by 5 °, the detection signal is proportional to cos ψsin2θ.

【0013】これにより、位相差ψをπの整数倍にすれ
ば、信号の劣化はないことになる。この場合、位相差ψ
は導波路長に比例するので、導波路の長さによりこれを
調整するという方法もあるが、波長オーダーの作製精度
を要求されるため、現実的ではない。更に、温度変化に
よる導波路の光学パラメータの変化や光源の波長変動に
起因する出射光の偏光状態の変化に対応できないという
問題もある。
As a result, if the phase difference ψ is set to an integral multiple of π, there will be no signal deterioration. In this case, the phase difference ψ
Since it is proportional to the waveguide length, there is a method of adjusting it by the length of the waveguide, but it is not realistic because it requires a manufacturing accuracy of a wavelength order. Further, there is a problem that it is not possible to cope with the change of the optical parameter of the waveguide due to the temperature change and the change of the polarization state of the emitted light due to the wavelength change of the light source.

【0014】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、導波路の製造ばらつき
や温度変化による光学パラメータの変動又は出射光の波
長変動等があっても、2つの固有モード間の位相差を容
易に補償(πの整数倍)することができ、楕円偏光によ
る再生信号の劣化を防止することができる光磁気再生ピ
ックアップを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems. An object of the present invention is, even if there are fluctuations in optical parameters due to manufacturing variations of a waveguide or temperature changes, wavelength fluctuations of emitted light, etc. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical reproducing pickup capable of easily compensating for a phase difference between two eigenmodes (an integral multiple of π) and preventing deterioration of a reproduced signal due to elliptically polarized light.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気再生
ピックアップは、図1に示すように、発光手段5から出
射された光の第1のモードの光成分を記録媒体側に案内
し、該記録媒体にて反射した光を光検出器9側に案内す
る光導波路4を具備させ、この光導波路4に、反射光に
含まれる第1と第2のモードの各光成分の位相差を補償
する位相補償手段を設けて構成する。
As shown in FIG. 1, the magneto-optical reproducing pickup according to the present invention guides the light component of the first mode of the light emitted from the light emitting means 5 to the recording medium side, The optical waveguide 4 for guiding the light reflected by the recording medium to the photodetector 9 side is provided, and the optical waveguide 4 is provided with the phase difference between the light components of the first and second modes included in the reflected light. A phase compensating means for compensation is provided and configured.

【0016】この場合、上記第1のモードを垂直偏波モ
ード又は水平偏波モードとすることができ、上記第2の
モードは上記第1のモードが垂直偏波モードのとき、水
平偏波モードとし、上記第1のモードが水平偏波モード
のとき、垂直偏波モードとすることができる。
In this case, the first mode can be a vertical polarization mode or a horizontal polarization mode, and the second mode is a horizontal polarization mode when the first mode is a vertical polarization mode. Then, when the first mode is a horizontal polarization mode, it can be a vertical polarization mode.

【0017】そして、上記位相補償手段を、図2に示す
ように、電気光学結晶からなる基板1上に、該基板1よ
りも光屈折率の高い薄膜2を形成して構成された上記光
導波路4と、この光導波路4に対し、電界を印加する電
界印加手段(位相制御電極21及びフィードバック回路
11)とで構成することができる。
Then, as shown in FIG. 2, the phase compensating means is constructed by forming a thin film 2 having a higher optical refractive index than the substrate 1 on a substrate 1 made of an electro-optic crystal. 4 and electric field applying means (phase control electrode 21 and feedback circuit 11) for applying an electric field to the optical waveguide 4.

【0018】また、上記位相補償手段を、図6に示すよ
うに、基板41上に、電気光学結晶からなり、かつ基板
41よりも光屈折率の高い薄膜43を形成して構成され
た上記光導波路4と、この光導波路4に対し、電界を印
加する電界印加手段(位相制御電極21及びフィードバ
ック回路11)とで構成することができる。
Further, as shown in FIG. 6, the phase compensating means is formed by forming a thin film 43 made of an electro-optic crystal and having a higher optical refractive index than the substrate 41 on the substrate 41, as shown in FIG. The waveguide 4 and electric field applying means (phase control electrode 21 and feedback circuit 11) for applying an electric field to the optical waveguide 4 can be used.

【0019】なお、上記上記電界印加手段によって印加
する電界の方向は、上記第1又は第2のモードに沿う方
向としてもよく、上記光導波路4の膜厚方向としてもよ
い。
The direction of the electric field applied by the electric field applying means may be along the first or second mode, or may be the film thickness direction of the optical waveguide 4.

【0020】また、位相補償手段としては、図7に示す
ように、上記光導波路4上に形成された温度制御素子5
4を設けて構成してもよいし、図11に示すように、発
光手段64から出射される光の波長を可変にする波長制
御手段(波長可変半導体レーザ64,駆動電流源66及
びフィードバック回路65)を設けて構成するようにし
てもよい。
As the phase compensation means, as shown in FIG. 7, the temperature control element 5 formed on the optical waveguide 4 is used.
4 may be provided, or as shown in FIG. 11, wavelength control means (wavelength tunable semiconductor laser 64, drive current source 66, and feedback circuit 65) for varying the wavelength of the light emitted from the light emitting means 64. ) May be provided and configured.

【0021】[0021]

【作用】本発明に係る光磁気再生ピックアップにおいて
は、発光手段5から出射された光の第1のモードの光成
分が光導波路4によって記録媒体側に案内され、該記録
媒体にて反射した光(反射光)が同じく光導波路4によ
って光検出器9側に案内されて、この光検出器9から再
生信号が取り出されることになる。
In the magneto-optical reproducing pickup according to the present invention, the light component of the light emitted from the light emitting means 5 in the first mode is guided to the recording medium side by the optical waveguide 4 and reflected by the recording medium. Similarly, the (reflected light) is guided to the side of the photodetector 9 by the optical waveguide 4, and the reproduction signal is extracted from this photodetector 9.

【0022】このとき、上記反射光は、第1のモード
(例えばTEモード)の光成分と第2のモード(例えば
TMモード)の光成分が混在し、各モード間の位相差に
よって楕円偏光となる。その結果、通常はこの楕円偏光
によって再生信号の劣化を引き起こすことになる。
At this time, the reflected light is a mixture of a light component of the first mode (for example, TE mode) and a light component of the second mode (for example, TM mode), and becomes elliptically polarized light due to the phase difference between the modes. Become. As a result, this elliptically polarized light normally causes deterioration of the reproduction signal.

【0023】しかし、上記2つのモード間の位相差をπ
の整数倍とすることにより、再生信号の劣化は回避でき
る。
However, the phase difference between the above two modes is π
It is possible to avoid the deterioration of the reproduction signal by setting the integer multiple of.

【0024】本発明に係る光磁気再生ピックアップにお
いては、上記2つのモード間の位相差を補償する位相補
償手段を具備しているため、この位相補償手段によっ
て、例えば上記2つのモード間の位相差をπの整数倍に
補償することが可能となり、その結果、上記楕円偏光に
よる再生信号の劣化を防止することができる。
Since the magneto-optical reproducing pickup according to the present invention is provided with the phase compensating means for compensating for the phase difference between the two modes, the phase compensating means allows, for example, the phase difference between the two modes. Can be compensated to an integral multiple of π, and as a result, the reproduction signal can be prevented from deteriorating due to the elliptically polarized light.

【0025】特に、上記位相補償手段を、電気光学結晶
からなる基板1上に、該基板1よりも光屈折率の高い薄
膜2を形成して構成された上記光導波路4と、この光導
波路4に対し、電界を印加する電界印加手段とで構成し
た場合においては、この電界印加手段によって電界を印
加すると、いわゆるポッケルス効果により、電気光学結
晶からなる基板1の光屈折率の屈折率成分が変化する。
In particular, the phase compensating means, the optical waveguide 4 formed by forming a thin film 2 having a higher optical refractive index than the substrate 1 on a substrate 1 made of an electro-optic crystal, and the optical waveguide 4. On the other hand, in the case of the electric field applying means for applying the electric field, when the electric field is applied by the electric field applying means, the refractive index component of the optical refractive index of the substrate 1 made of the electro-optic crystal changes due to the so-called Pockels effect. To do.

【0026】具体的には、上記電界印加手段によって、
例えば第2のモードに沿う方向に電界を印加すると、上
記ポッケルス効果により、電気光学結晶からなる基板1
の光屈折率中、第2のモードに沿う方向の屈折率成分が
変化する。また、上記電界印加手段によって、例えば光
導波路の膜厚方向に電界を印加すると、ポッケルス効果
により、電気光学結晶からなる基板1の光屈折率中、膜
厚方向の屈折率成分が変化する。
Specifically, by the electric field applying means,
For example, when an electric field is applied in a direction along the second mode, the substrate 1 made of an electro-optic crystal is produced due to the Pockels effect.
In the optical refractive index of, the refractive index component in the direction along the second mode changes. When an electric field is applied by the electric field applying means in the film thickness direction of the optical waveguide, the refractive index component in the film thickness direction of the optical refractive index of the substrate 1 made of an electro-optic crystal changes due to the Pockels effect.

【0027】これによって、電界の印加方向に電界成分
を持つモード(光成分のモード)の伝搬定数が変化し、
2つのモード間の位相差が変化することなる。具体的に
は、例えば電界印加手段にて膜厚方向に電界を印加した
場合は、膜厚方向に電界成分を持つTMモードの伝搬定
数が変化し、2つのモード間の位相差が変化することな
る。従って、上記電界印加手段から発生する電界の強度
を適宜選定することにより、上記2つのモードの位相差
を制御できることになり、該位相差をπの整数倍に調整
することが可能となる。
As a result, the propagation constant of the mode having the electric field component (the mode of the optical component) changes in the direction in which the electric field is applied,
The phase difference between the two modes will change. Specifically, for example, when an electric field is applied in the film thickness direction by the electric field applying means, the propagation constant of the TM mode having an electric field component in the film thickness direction changes and the phase difference between the two modes changes. Become. Therefore, the phase difference between the two modes can be controlled by appropriately selecting the strength of the electric field generated from the electric field applying means, and the phase difference can be adjusted to an integral multiple of π.

【0028】また、上記位相補償手段を、基板41上
に、電気光学結晶からなり、かつ上記基板41よりも光
屈折率の高い薄膜43を形成して構成された上記光導波
路4と、この光導波路4に対し、電界を印加する電界印
加手段とで構成した場合においても、上記電界印加手段
から発生する電界の強度を適宜選定することにより、上
記2つのモードの位相差を制御できることになり、該位
相差をπの整数倍に調整することが可能となる。
Further, the phase compensating means is formed by forming a thin film 43 made of an electro-optic crystal on the substrate 41 and having a higher photorefractive index than the substrate 41, and the optical waveguide 4. Even when the waveguide 4 is constituted by an electric field applying means for applying an electric field, the phase difference between the two modes can be controlled by appropriately selecting the strength of the electric field generated by the electric field applying means. The phase difference can be adjusted to an integral multiple of π.

【0029】また、位相補償手段を、上記光導波路4上
に形成された温度制御素子54を設けて構成した場合に
おいては、温度制御素子54によって光導波路4の一部
の温度を制御できることとなる。従って、この温度制御
素子54による上記一部の温度を適宜変化させることに
より、上記2つのモードの位相差を制御できることにな
り、該位相差をπの整数倍に調整することが可能とな
る。
Further, when the phase compensating means is constructed by providing the temperature control element 54 formed on the optical waveguide 4, the temperature control element 54 can control the temperature of a part of the optical waveguide 4. . Therefore, the phase difference between the two modes can be controlled by appropriately changing the part of the temperature by the temperature control element 54, and the phase difference can be adjusted to an integral multiple of π.

【0030】また、発光手段64から出射される光の波
長を可変にする波長制御手段を設けて構成した場合にお
いては、波長制御手段によって発光手段64の波長を制
御できることとなる。従って、この波長制御手段によっ
て発光手段64の波長を適宜変化させることにより、上
記2つのモードの位相差を制御できることになり、該位
相差をπの整数倍に調整することが可能となる。
When the wavelength control means for varying the wavelength of the light emitted from the light emitting means 64 is provided, the wavelength of the light emitting means 64 can be controlled by the wavelength control means. Therefore, by appropriately changing the wavelength of the light emitting means 64 by the wavelength control means, the phase difference between the two modes can be controlled, and the phase difference can be adjusted to an integral multiple of π.

【0031】[0031]

【実施例】以下、本発明に係る光磁気再生ピックアップ
のいくつかの実施例を図1〜図14を参照しながら説明
する。
EXAMPLES Some examples of a magneto-optical reproducing pickup according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0032】まず、第1実施例に係る光磁気再生ピック
アップは、図1及び図2に示すように、電気光学結晶、
例えばKTP(zカット板)からなる高さ約0.5mm
の基板1上に、高光屈折率の誘電体膜である例えばTi
2 薄膜を成膜して膜厚約170nmの導波層2とし、
更にこの導波層2に対してイオンミリングにより選択的
に20nmほどエッチングを行なうことにより、所定の
導波路に沿って延び、かつ導波路部分が断面凸状となさ
れた凸状ライン(厚み約170nm)3を有するいわゆ
るリブ型3次元光導波路の形状に形成された光導波路4
を有して構成されている。
First, the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment, as shown in FIGS.
For example, a height of about 0.5 mm made of KTP (z-cut plate)
On the substrate 1 of, for example, a high-refractive-index dielectric film such as Ti.
An O 2 thin film is formed to form a waveguide layer 2 having a thickness of about 170 nm,
Furthermore, by selectively etching the waveguide layer 2 by ion milling to a depth of about 20 nm, a convex line (thickness of about 170 nm) extending along a predetermined waveguide and having a convex waveguide section is formed. ) Optical waveguide 4 formed in the shape of a so-called rib type three-dimensional optical waveguide having 3)
Is configured.

【0033】この光導波路4における光磁気記録媒体と
対向する面(以下、単に対向面と記す)aの反対側の端
面bには、光源、例えば半導体レーザ(レーザダイオー
ド)5が設置されている。この半導体レーザ5は、その
活性層が光導波路4の往路6と接続されて、該光導波路
4と光学的に結合されている。また、光導波路4の往路
6の途上には、所定の偏光面を有する直線偏光(TE
波)を得るための偏光子としてのモードフィルタ7が配
置されている。
A light source, for example, a semiconductor laser (laser diode) 5 is installed on an end surface b of the optical waveguide 4 opposite to a surface (hereinafter, simply referred to as a facing surface) a facing the magneto-optical recording medium. . The active layer of the semiconductor laser 5 is connected to the outward path 6 of the optical waveguide 4 and is optically coupled to the optical waveguide 4. Further, on the way of the outward path 6 of the optical waveguide 4, linearly polarized light (TE
A mode filter 7 as a polarizer for obtaining a wave) is arranged.

【0034】ここで、光導波路4を構成する凸状ライン
3は、半導体レーザ5から出射されたレーザ光及び光磁
気記録媒体で反射した光(総称して、導波光と記す)を
効果的に閉じ込めて、光導波路4に沿って効率よく伝達
させるためのものである。そして、本実施例において
は、上記導波光の膜厚方向のビーム幅が最小になり、か
つシングルモード条件を満たすように、導波層2の膜
厚,凸状ライン3の幅及び高さが選ばれる。例えば、半
導体レーザ5から出射されるレーザ光の波長λが63
2.8nmである場合、TM0次モードについて、凸状
ライン3の高さ及び幅をそれぞれ170nm及び2μm
にすることにより、膜厚方向のビーム幅として210n
mが実現できる。
Here, the convex line 3 forming the optical waveguide 4 effectively uses the laser light emitted from the semiconductor laser 5 and the light reflected by the magneto-optical recording medium (collectively referred to as guided light). It is for confining and efficiently transmitting along the optical waveguide 4. In this embodiment, the film thickness of the waveguide layer 2 and the width and height of the convex line 3 are set so that the beam width of the guided light in the film thickness direction is minimized and the single mode condition is satisfied. To be elected. For example, the wavelength λ of the laser light emitted from the semiconductor laser 5 is 63
In the case of 2.8 nm, the height and width of the convex line 3 are 170 nm and 2 μm for the TM0 mode.
By setting the beam width in the film thickness direction to 210 n
m can be realized.

【0035】また、この光導波路4は往路6の途中でほ
ぼY状に分岐されている。この往路6から分岐した部分
は、光磁気記録媒体で反射した光が通過する部分であっ
て、この光導波路4の復路8を構成している。従って、
以下の説明では、この分岐した部分を復路8と記す。
The optical waveguide 4 is branched into a substantially Y shape in the middle of the outward path 6. The part branched from this outward path 6 is a part through which the light reflected by the magneto-optical recording medium passes, and constitutes the return path 8 of this optical waveguide 4. Therefore,
In the following description, this branched portion will be referred to as the return path 8.

【0036】この復路8の途中からその終端にかけて差
動光検出部9が配されている。この差動光検出部9は、
図3に示すように、復路8から分岐する2本の分岐路8
a及び8bと、これら分岐路8a及び8bの先端にそれ
ぞれ光学的に結合され、上記分岐路8a及び8bからの
反射光を光電変換する例えばフォトダイオードからなる
第1及び第2の光検出素子9a及び9bとを有して構成
されている。これら光検出素子9a及び9bの出力端子
は、外部に設置された差動増幅器10に接続されてい
る。この差動増幅器10は、上記第1及び第2の光検出
素子9a及び9bからの各検出信号を差動増幅する回路
であり、この差動増幅器10の出力端子から光磁気記録
媒体に記録されている情報信号が取り出されることにな
る。この実施例においては、後述するフィードバック回
路11を通してその出力端子から再生出力Sを得るよう
にしている。なお、上記第1及び第2の光検出素子9a
及び9b並びに上記差動増幅器10にて差動増幅回路1
2が構成されることになる。
A differential photodetection section 9 is arranged from the middle of the return path 8 to the end thereof. This differential light detection unit 9
As shown in FIG. 3, two branch paths 8 branching from the return path 8
a and 8b and first and second photodetector elements 9a, which are optically coupled to the tips of the branch paths 8a and 8b and photoelectrically convert the reflected light from the branch paths 8a and 8b, which are, for example, photodiodes. And 9b. The output terminals of these photodetectors 9a and 9b are connected to a differential amplifier 10 installed outside. The differential amplifier 10 is a circuit that differentially amplifies each detection signal from the first and second photodetection elements 9a and 9b, and is recorded on a magneto-optical recording medium from an output terminal of the differential amplifier 10. The information signal that is present is taken out. In this embodiment, a reproduction output S is obtained from its output terminal through a feedback circuit 11 described later. The first and second photodetector elements 9a
And 9b and the differential amplifier 10 in the differential amplifier circuit 1
2 will be configured.

【0037】また、上記差動光検出部9における各分岐
路8a及び8bには、第1及び第2の信号検出用モード
フィルタ13a及び13bが設けられる。これら第1及
び第2の信号検出用モードフィルタ13a及び13b
は、理想的には例えばTEモードに対して+45゜及び
−45゜をなす偏光面を透過するように設けられる。
Further, first and second signal detecting mode filters 13a and 13b are provided in the respective branch paths 8a and 8b in the differential light detecting section 9. These first and second signal detecting mode filters 13a and 13b
Is ideally provided so as to transmit a plane of polarization that forms + 45 ° and −45 ° with respect to the TE mode, for example.

【0038】上記第1及び第2の信号検出用モードフィ
ルタ13a及び13bは、例えば互いに所要の角度をな
す両側面を有する溝14を設け、これら側面14a及び
14bにそれぞれ分岐路8a及び8bが通ずるように
し、更にこれら各分岐路8a及び8bが通ずる部分に、
例えばクラッド型モードフィルタを形成することによっ
て構成することができる。このような所要角度の側面を
有する溝14の形成は、基板1の結晶面の選定と、基板
1に対する結晶学的異方性エッチングによって形成で
き、エッチング後の基板1上にリブ型光導波路を構成す
るTiO2 膜2を形成することにより、上記溝14の形
成に伴う該溝14の側面14a及び14b上に凸状ライ
ン3、即ち分岐路8a及び8bが通ずるように構成する
ことが可能となる。
The first and second signal detecting mode filters 13a and 13b are provided with, for example, grooves 14 having both side surfaces forming a required angle with each other, and the branch paths 8a and 8b pass through the side surfaces 14a and 14b, respectively. In addition, at the portion where these respective branch paths 8a and 8b communicate,
For example, it can be configured by forming a clad type mode filter. The formation of the groove 14 having the side surface of such a required angle can be performed by selecting the crystal plane of the substrate 1 and by crystallographically anisotropic etching with respect to the substrate 1, and the rib type optical waveguide is formed on the substrate 1 after the etching. By forming the TiO 2 film 2 to be formed, it is possible to form the convex line 3 on the side surfaces 14a and 14b of the groove 14 along with the formation of the groove 14, that is, the branch lines 8a and 8b. Become.

【0039】そして、上記半導体レーザ5から出射され
たレーザ光は、光導波路4の往路6における凸状ライン
3に導入され、この凸状ライン3によって対向面a側に
導かれる。このとき、レーザ光は、途中に形成されたモ
ードフィルタ7によって所定の偏光面の直線偏光(TE
波)とされて対向面a側に導かれる。対向面a側に導か
れたレーザ光は、直接図示しない光磁気記録媒体に照射
され、その光磁気記録媒体に記録されている磁化情報に
応じて光−磁気相互作用によってその偏光面が回転さ
れ、反射光として再び光導波路4の凸状ライン3に導入
される。
The laser light emitted from the semiconductor laser 5 is introduced to the convex line 3 in the outward path 6 of the optical waveguide 4, and is guided to the facing surface a side by the convex line 3. At this time, the laser light is linearly polarized (TE) having a predetermined polarization plane by the mode filter 7 formed on the way.
And is guided to the facing surface a side. The laser light guided to the facing surface a side is directly applied to a magneto-optical recording medium (not shown), and its polarization plane is rotated by the optical-magnetic interaction according to the magnetization information recorded in the magneto-optical recording medium. , Is again introduced to the convex line 3 of the optical waveguide 4 as reflected light.

【0040】この反射光は、上記光磁気記録媒体の磁化
に応じた光−磁気相互作用によってその偏光面が回転さ
れていることから、TEモードの光成分とTMモードの
光成分とが混在した光となる。
Since the plane of polarization of the reflected light is rotated by the optical-magnetic interaction depending on the magnetization of the magneto-optical recording medium, the TE-mode optical component and the TM-mode optical component are mixed. Become light.

【0041】反射光は、復路8に設けられた差動光検出
部9の各信号検出用モードフィルタ13a及び13bに
て、それぞれ+45゜の偏光成分と−45゜の偏光成分
が透過されて、対応する光検出素子9a及び9bに入射
される。
The reflected light is transmitted through the signal detecting mode filters 13a and 13b of the differential light detecting section 9 provided on the return path 8 with a polarization component of + 45 ° and a polarization component of −45 °, respectively. The light is incident on the corresponding photodetector elements 9a and 9b.

【0042】ここで、光磁気記録媒体に記録されている
磁化情報が例えば上向き磁化であって、反射光の偏光面
がTEモードに対して+θほど回転したものである場
合、第1の信号検出用モードフィルタ13aを透過した
光成分が、第2の信号検出用モードフィルタ13bを透
過した光成分よりも光量的に多くなり、それに応じて、
第1の光検出素子9aから出力される検出信号の信号レ
ベルが第2の検出素子9bから出力される検出信号の信
号レベルよりも高くなり、差動増幅器10からは例えば
正の振幅を有する出力信号が出力されることになる。
Here, when the magnetization information recorded in the magneto-optical recording medium is, for example, upward magnetization, and the polarization plane of the reflected light is rotated by + θ with respect to the TE mode, the first signal detection The light component transmitted through the use mode filter 13a has a larger amount of light than the light component transmitted through the second signal detection mode filter 13b, and accordingly,
The signal level of the detection signal output from the first photodetection element 9a becomes higher than the signal level of the detection signal output from the second detection element 9b, and the differential amplifier 10 outputs, for example, a positive amplitude. A signal will be output.

【0043】一方、光磁気記録媒体に記録されている磁
化情報が下向き磁化であって、反射光の偏光面がTEモ
ードに対して−θほど回転したものである場合、第1の
信号検出用モードフィルタ13aを透過した光成分が、
第2の信号検出用モードフィルタ13bを透過した光成
分よりも光量的に少なくなり、それに応じて、第1の光
検出素子9aから出力される検出信号の信号レベルが第
2の検出素子9bから出力される検出信号の信号レベル
よりも低くなり、差動増幅器10からは例えば負の振幅
を有する出力信号が出力されることになる。
On the other hand, when the magnetization information recorded on the magneto-optical recording medium is downward magnetization, and the polarization plane of the reflected light is rotated by -θ with respect to the TE mode, the first signal detection The light component transmitted through the mode filter 13a is
The amount of light is smaller than that of the light component that has passed through the second signal detection mode filter 13b, and accordingly, the signal level of the detection signal output from the first photodetection element 9a changes from the second detection element 9b. The signal level becomes lower than the signal level of the output detection signal, and the differential amplifier 10 outputs an output signal having a negative amplitude, for example.

【0044】上記差動増幅器10から出力される出力信
号の極性に対応させて、正のとき論理的に「0」、負の
とき論理的に「1」というように、光磁気記録媒体に記
録されている磁化情報を論理情報に変換することができ
る。
In accordance with the polarity of the output signal output from the differential amplifier 10, recording is performed on the magneto-optical recording medium in such a manner that it is logically "0" when positive and logically "1" when negative. It is possible to convert the existing magnetization information into logical information.

【0045】そして、この第1実施例に係る光磁気再生
ピックアップは、図1及び図2に示すように、リブ型光
導波路4を構成する凸状ライン3を含む導波層2上に例
えばSiO2 からなる平坦化膜15を形成し、この平坦
化膜15上にプラス電極21aを構成する1枚の例えば
Al電極膜(以下、プラス電極膜と記す)と、マイナス
電極21bを構成する2枚のAl電極膜(以下、それぞ
れマイナス電極膜と記す)を形成して構成されている。
In the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, SiO, for example, is formed on the waveguide layer 2 including the convex line 3 forming the rib type optical waveguide 4. A flattening film 15 made of 2 is formed, and one sheet, for example, an Al electrode film (hereinafter, referred to as a plus electrode film) that constitutes the plus electrode 21a and two sheets that construct the minus electrode 21b are formed on the flattening film 15. Al electrode films (hereinafter referred to as negative electrode films) are formed.

【0046】プラス電極21aは、光導波路4の往路6
中、Y分岐点と対向面aの間における凸状ライン3の直
上部分に形成され、2つのマイナス電極21bは、上記
プラス電極21aの両脇部分に該プラス電極21aから
所定距離ほど離間させて形成されている。本実施例にお
いては、プラス電極21aの側端からマイナス電極21
bの側端までの距離を数μmに設定してある。これらプ
ラス電極21a及びマイナス電極21bにて位相制御用
電極21が構成される。
The plus electrode 21a serves as the forward path 6 of the optical waveguide 4.
The two minus electrodes 21b are formed on the portion immediately above the convex line 3 between the Y branch point and the facing surface a, and are separated from the plus electrode 21a by a predetermined distance on both sides of the plus electrode 21a. Has been formed. In this embodiment, from the side end of the plus electrode 21a to the minus electrode 21
The distance to the side edge of b is set to several μm. The positive electrode 21a and the negative electrode 21b constitute the phase control electrode 21.

【0047】そして、この第1実施例においては、上記
位相制御用電極21と上記差動増幅器10間にフィード
バック回路11を挿入接続することにより、光導波路4
の凸状ライン3に対して膜厚方向(z方向)の電界が印
加されるように構成されている。このフィードバック回
路11の構成は後述する。なお、このz方向は、反射光
に含まれるTMモードと同じ方向である。
In the first embodiment, the feedback circuit 11 is inserted and connected between the phase control electrode 21 and the differential amplifier 10 to make the optical waveguide 4
The electric field is applied to the convex line 3 in the film thickness direction (z direction). The configuration of this feedback circuit 11 will be described later. The z direction is the same direction as the TM mode included in the reflected light.

【0048】上記のように、z方向に電界を印加する
と、ポッケルス効果によって、電気光学結晶(KTP)
にて形成された基板1における光屈折率のz方向成分が
変化し、それに応じて、TMモードの伝搬定数が変化す
るため、上記フィードバック回路11からの制御信号S
cに基づいて反射光に含まれるTEモードの光成分及び
TMモードの光成分の位相差を制御することが可能とな
る。
As described above, when an electric field is applied in the z direction, the electro-optic crystal (KTP) is produced by the Pockels effect.
The z-direction component of the photorefractive index in the substrate 1 formed in step 1 changes, and the propagation constant of the TM mode changes accordingly. Therefore, the control signal S from the feedback circuit 11 is changed.
It is possible to control the phase difference between the TE-mode optical component and the TM-mode optical component included in the reflected light based on c.

【0049】ここで、具体的に数値を示して、この第1
実施例に係る光磁気再生ピックアップの構成について説
明する。
Here, the numerical values are concretely shown and the first
The configuration of the magneto-optical reproducing pickup according to the example will be described.

【0050】この第1実施例に係る光磁気再生ピックア
ップは、基板1として、ポッケルス定数γ33が36.
3pm/VのKTPからなり、かつ水平方向、即ちx方
向の光屈折率(n4TE)が1.7627、z方向の光
屈折率(n4TM)が1.8656の基板を用い、この
基板1上に光屈折率n1=2.5のTiO2 薄膜2を形
成した後、選択的にイオンミリングを行なって、高さ1
70nmの凸状ライン3を形成して光導波路4とし、こ
のTiO2 薄膜2上に光屈折率n2=1.45のSiO
2 膜15を形成し、更にSiO2 膜15の所要位置にA
l電極膜からなるプラス電極21a及びマイナス電極2
1bを形成することにより、この第1実施例に係る光磁
気再生ピックアップを形成した。このとき、プラス電極
21a及びマイナス電極21bの長手方向の長さは、共
に10mmとしてある。
In the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment, as the substrate 1, the Pockels constant γ33 is 36.
A substrate made of KTP of 3 pm / V and having a horizontal direction, that is, a photorefractive index (n4TE) of 1.7627 and a photorefractive index of z direction (n4TM) of 1.8656 is used on the substrate 1. After forming a TiO 2 thin film 2 having a photorefractive index n1 = 2.5, ion milling is selectively performed to obtain a height of 1
An optical waveguide 4 is formed by forming a convex line 3 of 70 nm, and SiO having an optical refractive index n2 = 1.45 is formed on the TiO 2 thin film 2.
2 film 15 is formed, and A is formed at the required position on the SiO 2 film 15.
The positive electrode 21a and the negative electrode 2 made of the 1 electrode film
By forming 1b, the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment was formed. At this time, the lengths of the plus electrode 21a and the minus electrode 21b in the longitudinal direction are both 10 mm.

【0051】そして、プラス電極21a及びマイナス電
極21bからなる位相制御用電極21への印加電圧を変
えて、基板1のz方向の光屈折率を変化させたときの各
光検出素子9a及び9bにて出力される検出信号の相対
値の変化をみると、図4に示すように、相対値が最大と
なるz方向の光屈折率の周期Dは、約10-4程度とな
る。図示の例では、z方向の光屈折率の変化分ΔNsZ
が約−0.00003付近と約+0.00008におい
て、上記相対値が最大となっている。なお、図4におい
て、n3は空気の光屈折率を示し、波長λはレーザ光源
から出射されるレーザ光の波長を示す。
Then, the voltage applied to the phase control electrode 21 composed of the plus electrode 21a and the minus electrode 21b is changed to change the photorefractive index in the z direction of the substrate 1 to the respective photodetection elements 9a and 9b. As shown in FIG. 4, the change in the relative value of the output detection signal is about 10 −4 as the period D of the photorefractive index in the z direction where the relative value is maximum. In the illustrated example, the variation ΔNsZ of the optical refractive index in the z direction.
Is about -0.00003 and about +0.00008, the relative value is maximum. In FIG. 4, n3 indicates the optical refractive index of air, and the wavelength λ indicates the wavelength of the laser light emitted from the laser light source.

【0052】この第1実施例においては、フィードバッ
ク回路11から制御信号Scを供給して光導波路4に対
し、z方向に最大0.85V/μmの電界を与えること
によって、z方向の光屈折率の変化分ΔNsZを10-4
の範囲で変化させ、最大の相対値を得るようにしてい
る。
In this first embodiment, the control signal Sc is supplied from the feedback circuit 11 to give the optical waveguide 4 an electric field of 0.85 V / μm at maximum in the z direction, whereby the optical refractive index in the z direction is increased. Change amount ΔNsZ of 10 −4
The maximum relative value is obtained by changing the range.

【0053】ここで、フィードバック回路11の構成に
ついて図5を参照しながら説明する。このフィードバッ
ク回路11は、上記相対値が極大となるような位相制御
用電極21への印加電圧からのずれを示す誤差信号Se
を用いて位相補償が行なわれる。
Here, the configuration of the feedback circuit 11 will be described with reference to FIG. The feedback circuit 11 has an error signal Se indicating a deviation from the voltage applied to the phase control electrode 21 so that the relative value becomes maximum.
Is used for phase compensation.

【0054】即ち、このフィードバック回路11は、差
動増幅器10からの出力を、光磁気記録媒体から読み取
る搬送波信号の周波数fcより十分に高い周波数fmで
同期検波して、誤差信号Seを取り出し、この誤差信号
Seを位相制御用電極21にフィードバックするもので
ある。
That is, the feedback circuit 11 synchronously detects the output from the differential amplifier 10 at a frequency fm which is sufficiently higher than the frequency fc of the carrier signal read from the magneto-optical recording medium, and extracts the error signal Se. The error signal Se is fed back to the phase control electrode 21.

【0055】具体的には、図5に示すように、周波数f
mの変調信号を出力する発振器31と、差動増幅器10
の出力から周波数fmの変調信号成分を除去して再生信
号として出力する第1のローパスフィルタ(以下、第1
のLPFと記す)32と、差動増幅器10の出力から周
波数fmの高調波成分を除去する中心周波数fmのバン
ドパスフィルタ(以下、BPFと記す)33と、上記発
振器31からの変調信号とBPF33からの出力信号と
を乗算する乗算器34と、この乗算器34からの乗算信
号から誤差信号Seを取り出す第2のローパスフィルタ
(以下、第2のLPFと記す)35と、この第2のLP
F35からの誤差信号Seと発振器31からの変調信号
とを加算して制御信号Scを生成する加算器36とを有
して構成されている。
Specifically, as shown in FIG. 5, the frequency f
The oscillator 31 that outputs a modulation signal of m and the differential amplifier 10
Of the first low-pass filter (hereinafter referred to as the first low-pass filter) that removes the modulated signal component of the frequency fm from the output of
32), a bandpass filter (hereinafter referred to as BPF) 33 having a center frequency fm for removing harmonic components of the frequency fm from the output of the differential amplifier 10, a modulation signal from the oscillator 31, and the BPF 33. , A second low-pass filter (hereinafter, referred to as a second LPF) 35 for extracting an error signal Se from the multiplication signal from the multiplier 34, and a second LP.
It is configured to have an adder 36 that adds the error signal Se from the F35 and the modulation signal from the oscillator 31 to generate the control signal Sc.

【0056】次に、このフィードバック回路11の信号
処理について説明すると、まず、発振器31より位相制
御用電極21に周波数fmの変調信号を与え、差動増幅
器10の出力が周波数fmで変調されるようにする。そ
して、差動増幅器10の出力をBPF33に通して周波
数fmの高調波成分を除去した後、乗算器34で発振器
31からの変調信号と乗算し、更に第2のLPF35を
通して誤差信号Seを得る。
Next, the signal processing of the feedback circuit 11 will be described. First, the oscillator 31 applies a modulation signal of the frequency fm to the phase control electrode 21 so that the output of the differential amplifier 10 is modulated at the frequency fm. To Then, the output of the differential amplifier 10 is passed through the BPF 33 to remove the harmonic component of the frequency fm, and then the multiplier 34 multiplies the modulated signal from the oscillator 31, and the error signal Se is obtained through the second LPF 35.

【0057】この誤差信号Seは、後段の加算器36で
発振器31からの変調信号と加算されて制御信号Scと
して位相制御用電極21に供給される。一方、差動増幅
器10からの出力は、第1のLPF32により周波数f
mの変調信号成分が除去されて再生信号として取り出さ
れる。
This error signal Se is added to the modulation signal from the oscillator 31 by the adder 36 in the subsequent stage and supplied to the phase control electrode 21 as the control signal Sc. On the other hand, the output from the differential amplifier 10 is output by the first LPF 32 at the frequency f.
The modulation signal component of m is removed and is extracted as a reproduction signal.

【0058】このように、上記第1実施例に係る光磁気
再生ピックアップにおいては、電気光学結晶KTPから
なる基板1上に、該基板1よりも光屈折率の高いTiO
2 薄膜2を形成して構成された光導波路4上に、SiO
2 からなる平坦化膜15を介してプラス電極21a及び
マイナス電極21bからなる位相制御用電極21を形成
し、更に位相制御用電極21に制御信号Scを供給し
て、光導波路4に対し、上記TMモードに沿う方向(z
方向)に電界を与えるようにしたので、この電界の印加
によって、いわゆるポッケルス効果により、基板1のz
方向の光屈折率が変化する。
As described above, in the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment, the TiO having a higher optical refractive index than the substrate 1 is formed on the substrate 1 made of the electro-optic crystal KTP.
2 On the optical waveguide 4 formed by forming the thin film 2, SiO
The phase control electrode 21 composed of the plus electrode 21a and the minus electrode 21b is formed through the flattening film 15 composed of 2, and the control signal Sc is further supplied to the phase control electrode 21 so that Direction along the TM mode (z
Direction), an electric field is applied in the z direction of the substrate 1 due to the so-called Pockels effect.
The optical refractive index in the direction changes.

【0059】これによって、TMモードの伝搬定数が変
化し、TEモード及びTMモード間の位相差が変化する
ことなる。従って、フィードバック回路11から供給さ
れる制御信号Scに基づいて、上記TEモード及びTM
モードの位相差を制御できることになり、該位相差をπ
の整数倍に調整することが可能となる。その結果、各光
検出素子9a及び9bから出力される検出信号の相対値
を最大にすることができ、楕円偏光による再生信号の劣
化を防止することができる。
As a result, the propagation constant of the TM mode changes and the phase difference between the TE mode and the TM mode changes. Therefore, based on the control signal Sc supplied from the feedback circuit 11, the TE mode and TM
The phase difference between the modes can be controlled, and the phase difference can be
It becomes possible to adjust to an integral multiple of. As a result, it is possible to maximize the relative value of the detection signal output from each of the photodetection elements 9a and 9b, and prevent deterioration of the reproduction signal due to elliptically polarized light.

【0060】次に、上記第1実施例の変形例を図6に基
づいて説明する。この変形例に係る光磁気再生ピックア
ップは、基本的には、上記第1実施例に係る光磁気再生
ピックアップとほぼ同じ構成を有するが、図示するよう
に、基板として、上記電気光学結晶による基板ではな
く、例えばシリコン基板41を用い、このシリコン基板
41上に酸化膜42を介して、電気光学結晶例えばLN
膜(LiNbO3 )43をライン状(正確には、Y分岐
を有するライン状)に例えばスパッタ法にて形成して光
導波路4を構成している点で異なる。なお、上記酸化膜
42は、シリコン基板41を熱酸化することにより形成
することができる。
Next, a modification of the first embodiment will be described with reference to FIG. The magneto-optical reproducing pickup according to this modified example basically has substantially the same configuration as the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment, but as shown in the figure, the substrate using the electro-optic crystal is not used. Instead, for example, a silicon substrate 41 is used, and an electro-optic crystal such as LN is formed on the silicon substrate 41 via an oxide film 42.
The difference is that the optical waveguide 4 is formed by forming the film (LiNbO 3 ) 43 in a line shape (to be exact, a line shape having a Y branch) by, for example, a sputtering method. The oxide film 42 can be formed by thermally oxidizing the silicon substrate 41.

【0061】そして、プラス電極21a及びマイナス電
極21bは、LN膜43上に形成されたSiO2 等から
なる平坦化膜15を介して、上記第1実施例において形
成した位置関係のところに形成される。
The plus electrode 21a and the minus electrode 21b are formed at the positional relationship formed in the first embodiment, with the flattening film 15 made of SiO 2 or the like formed on the LN film 43 interposed therebetween. It

【0062】この変形例に係る光磁気再生ピックアップ
においても、上記第1実施例と同様に、プラス電極21
a及びマイナス電極21bからなる位相制御用電極21
にフィードバック回路11からの制御信号Scを供給し
て、光導波路4に対し、上記TMモードに沿う方向(z
方向)に電界を印加するすることにより、いわゆるポッ
ケルス効果により、光導波路のz方向の光屈折率が変化
することになる。
Also in the magneto-optical reproducing pickup according to this modification, as in the first embodiment, the plus electrode 21 is used.
a and a negative electrode 21b for phase control electrode 21
To the optical waveguide 4 in the direction (z) along the TM mode.
By applying an electric field in the (direction), the optical refractive index in the z direction of the optical waveguide changes due to the so-called Pockels effect.

【0063】これによって、TMモードの伝搬定数が変
化し、TEモード及びTMモード間の位相差が変化する
ことなる。従って、フィードバック回路11からの制御
信号Scに基づいて、上記TEモード及びTMモードの
位相差を制御できることになり、該位相差をπの整数倍
に調整することが可能となる。その結果、各光検出素子
9a及び9bから出力される検出信号の相対値を最大に
することができ、楕円偏光による再生信号の劣化を防止
することができる。
As a result, the propagation constant of the TM mode changes and the phase difference between the TE mode and the TM mode changes. Therefore, the phase difference between the TE mode and the TM mode can be controlled based on the control signal Sc from the feedback circuit 11, and the phase difference can be adjusted to an integral multiple of π. As a result, it is possible to maximize the relative value of the detection signal output from each of the photodetection elements 9a and 9b, and prevent deterioration of the reproduction signal due to elliptically polarized light.

【0064】次に、第2実施例に係る光磁気再生ピック
アップについて図7〜図10を参照しながら説明する。
なお、図1及び図2と対応するものについては同符号を
記し、その重複説明を省略する。
Next, a magneto-optical reproducing pickup according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
Note that the same reference numerals are given to those corresponding to those in FIGS. 1 and 2, and the duplicate description thereof will be omitted.

【0065】この第2実施例に係る光磁気再生ピックア
ップは、図7〜図9に示すように、上記第1実施例に係
る光磁気再生ピックアップとほぼ同じ構成を有するが、
以下の点でその構成が異なる。
The magneto-optical reproducing pickup according to the second embodiment has substantially the same structure as the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment, as shown in FIGS.
The configuration is different in the following points.

【0066】即ち、基板が高さ0.5mmで光屈折率=
1.45のガラス基板51、導波層及び凸状ライン3を
構成する薄膜が光屈折率=2.05のTa2 5 薄膜5
2、平坦化膜が光屈折率=1.46のSiO2 膜53で
あることと、光導波路4の往路6中、Y分岐点と対向面
の間における凸状ライン3の直上部分に温度制御素子と
してのペルチェ素子54が形成されている点である。
That is, when the height of the substrate is 0.5 mm, the optical refractive index =
The thin film forming the 1.45 glass substrate 51, the waveguiding layer and the convex line 3 is a Ta 2 O 5 thin film 5 having an optical refractive index of 2.05.
2. The flattening film is the SiO 2 film 53 having an optical refractive index of 1.46, and the temperature control is performed in the forward path 6 of the optical waveguide 4 just above the convex line 3 between the Y branch point and the facing surface. The point is that a Peltier element 54 as an element is formed.

【0067】このペルチェ素子54の形成によって、該
ペルチェ素子54下の光導波路4の温度が制御されるこ
とになる。実験の結果、ペルチェ素子54の長手方向の
長さを10mmとした場合に、10℃から30℃までの
変化により、TEモードとTMモードの位相差をπ変化
させることができた。
By forming the Peltier element 54, the temperature of the optical waveguide 4 below the Peltier element 54 is controlled. As a result of the experiment, when the length of the Peltier element 54 in the longitudinal direction was 10 mm, the phase difference between the TE mode and the TM mode could be changed by π by the change from 10 ° C to 30 ° C.

【0068】そして、この第2実施例に係るペルチェ素
子54には、図7及び図9に示すように、配線を通じて
電流源55が接続され、この電流源55と差動増幅器1
0との間には、この電流源55からペルチェ素子54に
注入される電流Iの値を一定の値、即ち第1及び第2の
光検出素子9a及び9bからの各検出信号の相対値が極
大となるようにフィードバック制御するフィードバック
回路56が挿入接続されている。
As shown in FIGS. 7 and 9, a current source 55 is connected to the Peltier element 54 according to the second embodiment through wiring, and the current source 55 and the differential amplifier 1 are connected.
Between 0 and 0, the value of the current I injected from the current source 55 to the Peltier element 54 is a constant value, that is, the relative value of each detection signal from the first and second photodetection elements 9a and 9b. A feedback circuit 56 that performs feedback control so as to maximize the value is inserted and connected.

【0069】このフィードバック回路56は、電流源5
5からの上記相対値が極大となるような電流値Iからの
ずれを示す誤差信号Seを用いて位相補償する回路で、
その基本構成は、図10に示すように、差動増幅器10
からの出力を光磁気記録媒体から読み取る搬送波信号の
周波数fcより十分に低い周波数fmで同期検波して、
誤差信号Seを取り出し、この誤差信号Seを電流源に
フィードバックするものである。
This feedback circuit 56 is provided with the current source 5
A circuit that performs phase compensation using an error signal Se indicating a deviation from the current value I such that the relative value from 5 becomes maximum,
The basic configuration is as shown in FIG.
Synchronously detects the output from the carrier at a frequency fm sufficiently lower than the frequency fc of the carrier signal read from the magneto-optical recording medium,
The error signal Se is taken out and the error signal Se is fed back to the current source.

【0070】即ち、発振器31より電流源55に周波数
fmの変調信号を与え、差動増幅器10の出力が周波数
fmで変調されるようにする。そして、差動増幅器10
の出力を第2のBPF72に通して周波数fmの高調波
成分を除去した後、乗算器34で発振器31からの変調
信号と乗算し、更にLPF73を通して誤差信号Seを
得る。
That is, the oscillator 31 applies a modulation signal of the frequency fm to the current source 55 so that the output of the differential amplifier 10 is modulated at the frequency fm. Then, the differential amplifier 10
Is passed through the second BPF 72 to remove the harmonic component of the frequency fm, the multiplier 34 multiplies the modulated signal from the oscillator 31, and the error signal Se is obtained through the LPF 73.

【0071】この誤差信号Seは、後段の加算器36で
発振器31からの変調信号と加算されて制御信号Scと
して電流源55に供給される。一方、差動増幅器10か
らの出力は、第1のBPF71により周波数fmの変調
信号成分が除去されて再生信号として取り出される。
This error signal Se is added to the modulation signal from the oscillator 31 by the adder 36 in the subsequent stage and supplied to the current source 55 as the control signal Sc. On the other hand, the output from the differential amplifier 10 is taken out as a reproduction signal after the modulation signal component of the frequency fm is removed by the first BPF 71.

【0072】このように、上記第2実施例に係る光磁気
再生ピックアップにおいては、ガラス基板51上に、該
基板51よりも光屈折率の高いTa2 5 薄膜52を形
成して構成された光導波路4上に、SiO2 からなる平
坦化膜53を介してペルチェ素子54を形成し、更にこ
のペルチェ素子54に電流Iを供給するための電流源5
5に制御信号Scを供給して、光導波路4の一部の温度
を制御するようにしたので、TEモード及びTMモード
間の位相差が変化することなる。
As described above, in the magneto-optical reproducing pickup according to the second embodiment, the Ta 2 O 5 thin film 52 having a higher optical refractive index than the substrate 51 is formed on the glass substrate 51. A Peltier element 54 is formed on the optical waveguide 4 via a flattening film 53 made of SiO 2, and a current source 5 for supplying a current I to the Peltier element 54.
Since the control signal Sc is supplied to 5 to control the temperature of a part of the optical waveguide 4, the phase difference between the TE mode and the TM mode changes.

【0073】従って、フィードバック回路56から供給
される制御信号Scに基づいて、上記TEモード及びT
Mモードの位相差を制御できることになり、該位相差を
πの整数倍に調整することが可能となる。その結果、各
光検出素子9a及び9bから出力される検出信号の相対
値を最大にすることができ、楕円偏光による再生信号の
劣化を防止することができる。
Therefore, based on the control signal Sc supplied from the feedback circuit 56, the TE mode and T
Since the phase difference of the M mode can be controlled, the phase difference can be adjusted to an integral multiple of π. As a result, it is possible to maximize the relative value of the detection signal output from each of the photodetection elements 9a and 9b, and prevent deterioration of the reproduction signal due to elliptically polarized light.

【0074】上記ペルチェ素子54による温度の変化幅
は、この光導波路4の導波路長及びペルチェ素子54の
長手方向の長さを適宜選定することにより変えることが
できる。この場合、光導波路4の導波路長を変えること
によって粗調整が行なわれ、ペルチェ素子54の長手方
向の長さを変えることによって微調整が行なわれる。こ
のことから、光導波路4の導波路長を変える場合、光導
波路4を波長オーダーの精度で作製する必要がなくなり
実用的である。
The width of temperature change by the Peltier element 54 can be changed by appropriately selecting the waveguide length of the optical waveguide 4 and the length of the Peltier element 54 in the longitudinal direction. In this case, coarse adjustment is performed by changing the waveguide length of the optical waveguide 4, and fine adjustment is performed by changing the length of the Peltier element 54 in the longitudinal direction. From this, when the waveguide length of the optical waveguide 4 is changed, it is not necessary to fabricate the optical waveguide 4 with wavelength order accuracy, which is practical.

【0075】次に、第3実施例に係る光磁気再生ピック
アップについて図11〜図14を参照しながら説明す
る。なお、図1と対応するものについては同符号を記
し、その重複説明を省略する。
Next, a magneto-optical reproducing pickup according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 11 to 14. In addition, the same code | symbol is described about the thing corresponding to FIG. 1, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

【0076】この第3実施例に係る光磁気再生ピックア
ップは、図11及び図12に示すように、上記第1実施
例に係る光磁気再生ピックアップとほぼ同じ構成を有す
るが、以下の点でその構成が異なる。
As shown in FIGS. 11 and 12, the magneto-optical reproducing pickup according to the third embodiment has substantially the same structure as that of the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment. The configuration is different.

【0077】即ち、基板が高さ0.5mmで光屈折率n
2=1.45のガラス基板61、導波層及び凸状ライン
3を構成する薄膜が光屈折率n1=2.5のTiO2
膜62、平坦化膜が光屈折率n4=1.46のSiO2
膜63であることと、光導波路4上に第1実施例で示す
位相制御用電極21は形成されていないこと、そして、
レーザ光源として波長可変半導体レーザ64を用いてい
る点である。
That is, the substrate has a height of 0.5 mm and the optical refractive index n
2 = 1.45 glass substrate 61, the thin film forming the waveguide layer and the convex line 3 is a TiO 2 thin film 62 having a photorefractive index n1 = 2.5, and the flattening film is a photorefractive index n4 = 1.46. SiO 2
That it is the film 63, that the phase control electrode 21 shown in the first embodiment is not formed on the optical waveguide 4, and
The tunable semiconductor laser 64 is used as the laser light source.

【0078】この波長可変半導体レーザ64の波長を可
変にする方法としては、現在、温度、駆動電流による制
御のほか、外部に設置されたグレーティングTE−TM
モード変換器などを用いたものが提案されている。この
実施例においては、後述するフィードバック回路65に
て駆動電流源66からの駆動電流Iを制御することによ
り、波長を可変にするようにしている。
As a method of making the wavelength of the wavelength tunable semiconductor laser 64 tunable, at present, in addition to control by temperature and drive current, an externally installed grating TE-TM is used.
A device using a mode converter or the like has been proposed. In this embodiment, the wavelength is made variable by controlling the drive current I from the drive current source 66 by the feedback circuit 65 described later.

【0079】ここで、導波路長を2mmとした場合にお
いて、波長可変半導体レーザ64の波長λを変えたとき
の各光検出素子9a及び9bにて出力される検出信号の
相対値の変化をみると、図13に示すように、位相差を
π変化させるのに5nmの波長変化が必要で、更に上記
相対値を最大値の90%以上に維持するために1nm以
下の精度の制御が必要となる。
Here, when the waveguide length is set to 2 mm, the change in the relative value of the detection signal output from each of the photodetection elements 9a and 9b when the wavelength λ of the wavelength tunable semiconductor laser 64 is changed will be examined. Then, as shown in FIG. 13, a wavelength change of 5 nm is required to change the phase difference by π, and further, an accuracy control of 1 nm or less is required to maintain the relative value above 90% of the maximum value. Become.

【0080】これらの条件は、後述するフィードバック
回路65による波長可変技術により実現可能であり、ま
た、導波路長により上記条件をずらすことも可能であ
る。
These conditions can be realized by the wavelength tunable technique by the feedback circuit 65 described later, and the above conditions can be changed depending on the waveguide length.

【0081】ここで、上記フィードバック回路65の構
成について図14に基づいて説明する。なお、図5と対
応するものについては同符号を記す。このフィードバッ
ク回路65は、差動増幅器10と波長可変半導体レーザ
64に駆動電流Iを供給するための駆動電流源66間に
挿入接続され、この駆動電流源66からの上記相対値が
極大となるような電流値Iからのずれを示す誤差信号S
eを用いて位相補償する回路で、その基本構成は、上記
第1実施例に係るフィードバック回路とほぼ同じ構成を
有する。
Here, the structure of the feedback circuit 65 will be described with reference to FIG. The same reference numerals are given to those corresponding to FIG. The feedback circuit 65 is inserted and connected between the differential amplifier 10 and the drive current source 66 for supplying the drive current I to the variable wavelength semiconductor laser 64, and the relative value from the drive current source 66 is maximized. Error signal S indicating a deviation from a large current value I
This is a circuit for phase compensation using e, and its basic configuration is almost the same as that of the feedback circuit according to the first embodiment.

【0082】即ち、差動増幅器10からの出力を、光磁
気記録媒体から読み取る搬送波信号の周波数fcより十
分に高い周波数fmで同期検波して、誤差信号Seを取
り出し、この誤差信号Seを駆動電流源66にフィード
バックするものである。
That is, the output from the differential amplifier 10 is synchronously detected at a frequency fm which is sufficiently higher than the frequency fc of the carrier signal read from the magneto-optical recording medium, an error signal Se is taken out, and this error signal Se is outputted as a drive current. Feedback to the source 66.

【0083】つまり、発振器31より駆動電流源66に
周波数fmの変調信号を与え、差動増幅器10の出力が
周波数fmで変調されるようにする。そして、差動増幅
器10の出力をBPF33に通して周波数fmの高調波
成分を除去した後、乗算器34で発振器31からの変調
信号と乗算し、更に第2のLPF35を通して誤差信号
Seを得る。
That is, the oscillator 31 supplies the drive current source 66 with the modulation signal of the frequency fm so that the output of the differential amplifier 10 is modulated with the frequency fm. Then, the output of the differential amplifier 10 is passed through the BPF 33 to remove the harmonic component of the frequency fm, and then the multiplier 34 multiplies the modulated signal from the oscillator 31, and the error signal Se is obtained through the second LPF 35.

【0084】この誤差信号Seは、後段の加算器36で
発振器31からの変調信号と加算されて制御信号Scと
して駆動電流源66に供給される。一方、差動増幅器1
0からの出力は、第1のLPF32により周波数fmの
変調信号成分が除去されて再生信号として取り出され
る。
This error signal Se is added to the modulation signal from the oscillator 31 by the adder 36 in the subsequent stage and supplied to the drive current source 66 as the control signal Sc. On the other hand, the differential amplifier 1
The first LPF 32 removes the modulated signal component of the frequency fm from the output from 0, and outputs it as a reproduction signal.

【0085】このように、上記第3実施例に係る光磁気
再生ピックアップにおいては、ガラス基板61上に、該
基板61よりも光屈折率の高いTiO2 薄膜62を形成
して構成された光導波路4のレーザ光源として波長可変
半導体レーザ64を用い、この波長可変半導体レーザ6
4に駆動電流Iを供給するための駆動電流源66に制御
信号Scを供給して、波長可変半導体レーザ64から出
射されるレーザ光の波長を可変制御するようにしたの
で、TEモード及びTMモード間の位相差が変化するこ
となる。
As described above, in the magneto-optical reproducing pickup according to the third embodiment, the optical waveguide formed by forming the TiO 2 thin film 62 having a higher optical refractive index than the glass substrate 61 on the glass substrate 61. A wavelength tunable semiconductor laser 64 is used as a laser light source for
Since the control signal Sc is supplied to the drive current source 66 for supplying the drive current I to 4 to variably control the wavelength of the laser light emitted from the wavelength tunable semiconductor laser 64, the TE mode and the TM mode are provided. The phase difference between them will change.

【0086】従って、フィードバック回路65から供給
される制御信号Scに基づいて、上記TEモード及びT
Mモードの位相差を制御できることになり、該位相差を
πの整数倍に調整することが可能となる。その結果、各
光検出素子9a及び9bから出力される検出信号の相対
値を最大にすることができ、楕円偏光による再生信号の
劣化を防止することができる。
Therefore, based on the control signal Sc supplied from the feedback circuit 65, the TE mode and T
Since the phase difference of the M mode can be controlled, the phase difference can be adjusted to an integral multiple of π. As a result, it is possible to maximize the relative value of the detection signal output from each of the photodetection elements 9a and 9b, and prevent deterioration of the reproduction signal due to elliptically polarized light.

【0087】[0087]

【発明の効果】上述のように、本発明に係る光磁気再生
ピックアップによれば、発光手段から出射された光の第
1のモードの光成分を記録媒体側に案内し、該記録媒体
にて反射した光を光検出器側に案内する光導波路を具備
し、上記光導波路に、上記反射光に含まれる上記第1と
第2のモードの各光成分の位相差を補償する位相補償手
段を設けるようにしたので、導波路の製造ばらつきや温
度変化による光学パラメータの変動又は出射光の波長変
動等があっても、2つの固有モード間の位相差を容易に
補償(πの整数倍)することができ、楕円偏光による再
生信号の劣化を防止することができる。
As described above, according to the magneto-optical reproducing pickup of the present invention, the light component of the first mode of the light emitted from the light emitting means is guided to the recording medium side, and the recording medium is used. An optical waveguide for guiding the reflected light to the photodetector side is provided, and the optical waveguide is provided with phase compensating means for compensating for the phase difference between the light components of the first and second modes contained in the reflected light. Since it is provided, the phase difference between the two eigenmodes can be easily compensated (an integral multiple of π) even if there are variations in optical parameters due to manufacturing variations of the waveguide, temperature changes, or wavelength variations of the emitted light. Therefore, it is possible to prevent the reproduction signal from deteriorating due to the elliptically polarized light.

【0088】また、本発明は、上記構成において、上記
位相補償手段を、電気光学結晶からなる基板上に、該基
板よりも光屈折率の高い薄膜を形成して構成された上記
光導波路と、上記光導波路に対し、電界を印加する電界
印加手段とで構成するようにしたので、電界印加手段か
ら発生する電界の強度を適宜選定することにより、上記
2つのモードの位相差を制御できることになり、該位相
差をπの整数倍に調整することが可能となる。その結
果、上記楕円偏光による再生信号の劣化を防止すること
ができる。
Further, in the invention, in the above structure, the phase compensating means is formed by forming a thin film having a higher optical refractive index than the substrate on a substrate made of an electro-optic crystal, Since the optical waveguide is constituted by the electric field applying means for applying an electric field, the phase difference between the two modes can be controlled by appropriately selecting the strength of the electric field generated by the electric field applying means. The phase difference can be adjusted to an integral multiple of π. As a result, it is possible to prevent the reproduction signal from deteriorating due to the elliptically polarized light.

【0089】また、本発明は、上記構成において、上記
位相補償手段を、電気光学結晶からなる基板上に、該基
板よりも光屈折率の高い薄膜を形成して構成された上記
光導波路と、上記光導波路に対し、電界を印加する電界
印加手段とで構成するようにしたので、電界印加手段か
ら発生する電界の強度を適宜選定することにより、上記
2つのモードの位相差を制御できることになり、該位相
差をπの整数倍に調整することが可能となる。その結
果、上記楕円偏光による再生信号の劣化を防止すること
ができる。
Further, in the invention, in the above structure, the phase compensating means is formed by forming a thin film having a higher photorefractive index than the substrate on a substrate made of an electro-optic crystal, Since the optical waveguide is constituted by the electric field applying means for applying an electric field, the phase difference between the two modes can be controlled by appropriately selecting the strength of the electric field generated by the electric field applying means. The phase difference can be adjusted to an integral multiple of π. As a result, it is possible to prevent the reproduction signal from deteriorating due to the elliptically polarized light.

【0090】また、本発明は、上記構成において、上記
位相補償手段を、上記光導波路上に形成された温度制御
素子を設けて構成するようにしたので、温度制御素子に
よって導波路の一部の温度を制御できることとなり、上
記2つのモードの位相差を制御できることとなる。その
結果、上記位相差をπの整数倍に調整することが可能と
なり、上記楕円偏光による再生信号の劣化を防止するこ
とができる。
Further, according to the present invention, in the above structure, the phase compensating means is constituted by providing the temperature control element formed on the optical waveguide, so that a part of the waveguide is formed by the temperature control element. Since the temperature can be controlled, the phase difference between the above two modes can be controlled. As a result, the phase difference can be adjusted to be an integral multiple of π, and the reproduction signal can be prevented from deteriorating due to the elliptically polarized light.

【0091】また、本発明は、上記構成において、上記
位相補償手段を、上記発光手段から出射される光の波長
を可変にする波長制御手段を設けて構成するようにした
ので、波長制御手段によって発光手段の波長を制御でき
ることとなり、上記2つのモードの位相差を制御できる
こととなる。その結果、上記位相差をπの整数倍に調整
することが可能となり、上記楕円偏光による再生信号の
劣化を防止することができる。
Further, according to the present invention, in the above structure, the phase compensating means is provided with the wavelength control means for varying the wavelength of the light emitted from the light emitting means. The wavelength of the light emitting means can be controlled, and the phase difference between the two modes can be controlled. As a result, the phase difference can be adjusted to be an integral multiple of π, and the reproduction signal can be prevented from deteriorating due to the elliptically polarized light.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施例に係る光磁気再生ピックアップを示
す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a magneto-optical reproducing pickup according to a first embodiment.

【図2】第1実施例に係る光磁気再生ピックアップの要
部の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of an essential part of the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment.

【図3】差動光検出部を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a differential light detection unit.

【図4】2つの光検出素子からの光検出信号の相対値に
おける基板(z方向)の屈折率変化依存性を示す特性図
である。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a dependency of a relative value of a photo detection signal from two photo detection elements on a change in a refractive index of a substrate (z direction).

【図5】第1実施例に係る光磁気再生ピックアップに接
続されるフィードバック回路の構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a feedback circuit connected to the magneto-optical reproducing pickup according to the first embodiment.

【図6】第1実施例の変形例に係る光磁気再生ピックア
ップの要部の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of an essential part of a magneto-optical reproducing pickup according to a modification of the first embodiment.

【図7】第2実施例に係る光磁気再生ピックアップを示
す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram showing a magneto-optical reproducing pickup according to a second embodiment.

【図8】第2実施例に係る光磁気再生ピックアップの要
部の断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of an essential part of a magneto-optical reproducing pickup according to a second embodiment.

【図9】第2実施例に係る光磁気再生ピックアップの要
部の斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view of essential parts of a magneto-optical reproducing pickup according to a second embodiment.

【図10】第2実施例に係る光磁気再生ピックアップに
接続されるフィードバック回路の構成を示すブロック図
である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a feedback circuit connected to the magneto-optical reproducing pickup according to the second embodiment.

【図11】第3実施例に係る光磁気再生ピックアップを
示す構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram showing a magneto-optical reproducing pickup according to a third embodiment.

【図12】第3実施例に係る光磁気再生ピックアップの
要部の断面図である。
FIG. 12 is a sectional view of an essential part of a magneto-optical reproducing pickup according to a third embodiment.

【図13】2つの光検出素子からの光検出信号の相対値
におけるレーザ光波長依存性を示す特性図である。
FIG. 13 is a characteristic diagram showing laser light wavelength dependence in relative values of photodetection signals from two photodetection elements.

【図14】第3実施例に係る光磁気再生ピックアップに
接続されるフィードバック回路の構成を示すブロック図
である。
FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a feedback circuit connected to the magneto-optical reproducing pickup according to the third embodiment.

【図15】従来例に係る光磁気再生ピックアップを示す
構成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram showing a magneto-optical reproducing pickup according to a conventional example.

【図16】光導波路から出射される光の楕円偏光を示す
説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing elliptically polarized light emitted from an optical waveguide.

【図17】光磁気記録媒体からの上向き磁化での反射光
と下向き磁化での反射光の各偏光方向を示すベクトル線
図である。
FIG. 17 is a vector diagram showing respective polarization directions of reflected light with upward magnetization and reflected light with downward magnetization from the magneto-optical recording medium.

【図18】2つの反射光の楕円偏光による信号劣化を示
すベクトル線図である。
FIG. 18 is a vector diagram showing signal deterioration due to elliptically polarized light of two reflected lights.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板(KTP) 2 導波層(TiO2 ) 3 凸状ライン 4 光導波路 5 半導体レーザ 6 往路 7 モードフィルタ 8 復路 8a及び8b 分岐路 9 差動光検出部 9a及び9b 第1及び第2の光検出素子 10 差動増幅器 11 フィードバック回路 12 差動検出回路 13a及び13b 信号検出用モードフィルタ 14 溝 14a及び14b 側面 15 平坦化膜(SiO2 ) 21 位相制御用電極 21a プラス電極 21b マイナス電極 31 発振器 32 第1のLPF 33 BPF 34 乗算器 35 第2のLPF 36 加算器 41 シリコン基板 42 酸化膜(熱酸化膜:SiO2 ) 43 LN膜(LiNbO3 ) 51 ガラス基板 52 導波層(Ta2 5 ) 53 平坦化膜(SiO2 ) 54 ペルチェ素子 55 電流源 56 フィードバック回路 61 ガラス基板 62 導波層(TiO2 ) 63 平坦化膜(SiO2 ) 64 波長可変半導体レーザ 65 フィードバック回路 66 駆動電流源 71及び72 第1及び第2のBPF 73 LPFDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate (KTP) 2 Waveguide layer (TiO 2 ) 3 Convex line 4 Optical waveguide 5 Semiconductor laser 6 Outgoing path 7 Mode filter 8 Return path 8a and 8b Branching path 9 Differential light detector 9a and 9b First and second Photodetector 10 Differential amplifier 11 Feedback circuit 12 Differential detection circuit 13a and 13b Signal detection mode filter 14 Grooves 14a and 14b Side surface 15 Flattening film (SiO 2 ) 21 Phase control electrode 21a Positive electrode 21b Negative electrode 31 Oscillator 32 First LPF 33 BPF 34 Multiplier 35 Second LPF 36 Adder 41 Silicon Substrate 42 Oxide Film (Thermal Oxide Film: SiO 2 ) 43 LN Film (LiNbO 3 ) 51 Glass Substrate 52 Waveguide Layer (Ta 2 O) 5) 53 planarization film (SiO 2) 54 Peltier element 55 current source 56 feedback circuit 1 glass substrate 62 waveguide layer (TiO 2) 63 planarization film (SiO 2) 64 variable wavelength semiconductor laser 65 feedback circuit 66 drive current source 71 and 72 first and second BPF 73 LPF

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 智 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Sasaki 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光手段から出射された光の第1のモー
ドの光成分を記録媒体側に案内し、該記録媒体にて反射
した光を光検出器側に案内する光導波路を具備し、 上記光導波路に、上記反射光に含まれる上記第1のモー
ドと第2のモードの各光成分の位相差を補償する位相補
償手段を有することを特徴とする光磁気再生ピックアッ
プ。
1. An optical waveguide is provided, which guides the light component of the first mode of the light emitted from the light emitting means to the recording medium side, and guides the light reflected by the recording medium to the photodetector side, A magneto-optical reproducing pickup characterized in that the optical waveguide has a phase compensating means for compensating for the phase difference between the respective light components of the first mode and the second mode contained in the reflected light.
【請求項2】 上記第1のモードは、垂直偏波モード又
は水平偏波モードであり、上記第2のモードは上記第1
のモードが垂直偏波モードのとき、水平偏波モードであ
り、上記第1のモードが水平偏波モードのとき、垂直偏
波モードであることを特徴とする請求項1記載の光磁気
再生ピックアップ。
2. The first mode is a vertical polarization mode or a horizontal polarization mode, and the second mode is the first polarization mode.
2. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 1, wherein the vertical polarization mode is a horizontal polarization mode, and the first mode is a horizontal polarization mode, the vertical polarization mode. .
【請求項3】 上記位相補償手段は、電気光学結晶から
なる基板上に、該基板よりも光屈折率の高い薄膜を形成
して構成された上記光導波路と、 上記光導波路に対し、電界を印加する電界印加手段とで
構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の
光磁気再生ピックアップ。
3. The phase compensating means comprises an optical waveguide formed by forming a thin film having a higher optical refractive index than the substrate on a substrate made of an electro-optic crystal, and an electric field is applied to the optical waveguide. 3. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 1 or 2, which is comprised of an electric field applying means for applying.
【請求項4】 上記位相補償手段は、基板上に、電気光
学結晶からなり、かつ上記基板よりも光屈折率の高い薄
膜を形成して構成された上記光導波路と、 上記光導波路に対し、電界を印加する電界印加手段とで
構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の
光磁気再生ピックアップ。
4. The phase compensating means, wherein the optical waveguide is formed by forming a thin film made of an electro-optic crystal on the substrate and having a higher optical refractive index than the substrate; 3. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 1 or 2, comprising an electric field applying means for applying an electric field.
【請求項5】 上記電界印加手段によって印加する電界
の方向が、上記第1又は第2のモードに沿う方向である
ことを特徴とする請求項3又は4記載の光磁気再生ピッ
クアップ。
5. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 3, wherein the direction of the electric field applied by the electric field applying means is a direction along the first or second mode.
【請求項6】 上記電界印加手段によって印加する電界
の方向が、上記光導波路の膜厚方向であることを特徴と
する請求項3又は4記載の光磁気再生ピックアップ。
6. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 3, wherein the direction of the electric field applied by the electric field applying means is the film thickness direction of the optical waveguide.
【請求項7】上記位相補償手段は、上記光導波路上に形
成された温度制御素子を有することを特徴とする請求項
1記載の光磁気再生ピックアップ。
7. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 1, wherein the phase compensating means has a temperature control element formed on the optical waveguide.
【請求項8】上記位相補償手段は、上記発光手段から出
射される光の波長を可変にする波長制御手段を有するこ
とを特徴とする請求項1記載の光磁気再生ピックアッ
プ。
8. The magneto-optical reproducing pickup according to claim 1, wherein the phase compensating means has a wavelength control means for varying the wavelength of the light emitted from the light emitting means.
JP6267507A 1993-12-28 1994-10-31 Magneto-optical reproducing pickup Pending JPH07235095A (en)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998009286A1 (en) * 1996-08-27 1998-03-05 Quinta Corporation Optical system and method using optical fibers for storage and retrieval of information
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JP2001160246A (en) * 1999-12-01 2001-06-12 Asahi Glass Co Ltd Method for controlling optical head device
WO2004082207A1 (en) 2003-03-11 2004-09-23 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Content recording/reproduction system, distribution device, reproduction device, and recording device
JP2021173792A (en) * 2020-04-21 2021-11-01 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 Waveguide device

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Effective date: 20040323