JPH07223806A - Functional oxide structure and production thereof - Google Patents
Functional oxide structure and production thereofInfo
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- JPH07223806A JPH07223806A JP6016188A JP1618894A JPH07223806A JP H07223806 A JPH07223806 A JP H07223806A JP 6016188 A JP6016188 A JP 6016188A JP 1618894 A JP1618894 A JP 1618894A JP H07223806 A JPH07223806 A JP H07223806A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は圧電材料や焦電材料など
として応用できる、導電性ペロブスカイト酸化物電極と
強誘電体酸化物とによって構成される機能性酸化物構造
体およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a functional oxide structure composed of a conductive perovskite oxide electrode and a ferroelectric oxide, which can be applied as a piezoelectric material or a pyroelectric material, and a method for producing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】昨今、圧電材料や焦電材料などの強誘電
体酸化物材料の実用化が進んでいる。これらの材料を薄
膜化して利用する場合、一般に、電極として、白金や銀
などの金属電極が用いられてきた。その際、ＳｉやＭｇ
Ｏなどの基板上に金属電極、さらにその上に強誘電体酸
化物を形成し、その後、基板の一部をエッチングし、金
属電極とのコンタクトを可能にする。2. Description of the Related Art Recently, ferroelectric oxide materials such as piezoelectric materials and pyroelectric materials have been put into practical use. When these materials are used as thin films, metal electrodes such as platinum and silver have generally been used as electrodes. At that time, Si or Mg
A metal electrode is formed on a substrate such as O, and a ferroelectric oxide is further formed on the metal electrode, and then a part of the substrate is etched to enable contact with the metal electrode.
【０００３】一方、ＸＲｕＯ3（但しＸは少なくとも１
種のアルカリ土類金属）は高い導電性を持つことが知ら
れている。その抵抗率は３００μΩｃｍ以下である。こ
の物質は、化学的に安定で、合成が容易である。最近、
この物質の薄膜化が報告されている（例えば、サイエン
ス２５８（１９９２年）第１７６６頁から第１７６９
頁，Ｓｃｉｅｎｃｅ ２５８（１９９２）ｐ．１７６６
−１７６９）。On the other hand, XRuO 3 (where X is at least 1
It is known that certain kinds of alkaline earth metals) have high conductivity. Its resistivity is 300 μΩcm or less. This material is chemically stable and easy to synthesize. Recently,
Thinning of this substance has been reported (for example, Science 258 (1992), pages 1766 to 1769).
P., Science 258 (1992) p. 1766
-1769).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、金属
を電極としているので、電極と強誘電体薄膜との密着が
弱く、はがれ易い問題点があった。電極と強誘電体薄膜
の密着性が悪いと、基板をエッチングする工程が困難と
なり、問題となっていた。さらに、金属電極の形成と強
誘電体薄膜の形成は、同一プロセス化することが困難で
あり、製造コストを上げる原因となっていた。In the conventional method, since the metal is used as the electrode, there is a problem that the electrode and the ferroelectric thin film are weakly adhered to each other and easily peeled off. If the adhesion between the electrode and the ferroelectric thin film is poor, the step of etching the substrate becomes difficult, which has been a problem. Further, it is difficult to form the metal electrode and the ferroelectric thin film in the same process, which causes an increase in manufacturing cost.
【０００５】前記課題を解決するため、本発明は電極と
強誘電体薄膜との密着度が高く、電極の硬度や、耐酸
性、耐アルカリ性が改善され、また、電極形成と強誘電
体薄膜形成を同一プロセスで行うことが可能な機能性酸
化物構造体と、その製造方法を提供することを目的とす
る。In order to solve the above problems, the present invention has a high degree of adhesion between an electrode and a ferroelectric thin film, and improves the hardness, acid resistance and alkali resistance of the electrode, and the electrode formation and the ferroelectric thin film formation. It is an object of the present invention to provide a functional oxide structure capable of performing the same process and a manufacturing method thereof.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明の機能性酸化物構造体は、基板Ａと、前記基板Ａ上
に積層された導電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂと、前
記薄膜Ｂ上に積層された強誘電体薄膜Ｃからなり、かつ
前記薄膜Ｂが電極であるという構成を備えたものであ
る。To achieve the above object, the functional oxide structure of the present invention comprises a substrate A, a conductive perovskite oxide thin film B laminated on the substrate A, and the thin film B. It is composed of a ferroelectric thin film C laminated on top, and the thin film B is an electrode.
【０００７】次に、本発明の機能性酸化物構造体の製造
方法は、基板Ａ上に導電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂ
を薄膜積層技術によって形成し、前記薄膜Ｂ上に強誘電
体薄膜Ｃを前記薄膜積層技術によって形成するものであ
る。Next, according to the method for producing the functional oxide structure of the present invention, the conductive perovskite oxide thin film B is formed on the substrate A.
Is formed by the thin film laminating technique, and the ferroelectric thin film C is formed on the thin film B by the thin film laminating technique.
【０００８】前記構成においては、導電性ペロブスカイ
ト酸化物薄膜ＢがＸＲｕＯ3（但しＸは少なくとも１種
のアルカリ土類金属）薄膜であることが好ましい。ま
た、前記構成においては、強誘電体薄膜ＣがＰｂＺＯn
（但しＺは，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｂ
ｉ，Ｔａ，Ｗ，ＳｂおよびＳｎから選ばれる少なくとも
一つの元素）薄膜であることが好ましい。In the above structure, the conductive perovskite oxide thin film B is preferably an XRuO 3 (where X is at least one alkaline earth metal) thin film. In the above structure, the ferroelectric thin film C is made of PbZO n.
(However, Z is La, Zr, Ti, Nd, Sm, Y, B
It is preferably at least one element selected from i, Ta, W, Sb and Sn).
【０００９】また、前記製造方法の構成においては、薄
膜積層技術としてスパッタリング法を用いることが好ま
しい。Further, in the structure of the above manufacturing method, it is preferable to use a sputtering method as a thin film laminating technique.
【００１０】[0010]
【作用】前記本発明の機能性酸化物構造体によれば、基
板Ａと、前記基板Ａ上に積層された導電性ペロブスカイ
ト酸化物薄膜Ｂと、前記薄膜Ｂ上に積層された強誘電体
薄膜Ｃからなり、かつ前記薄膜Ｂが電極であることによ
り、電極と強誘電体薄膜とが強固に密着した機能性酸化
物構造体が達成できる。すなわち、導電性ペロブスカイ
ト酸化物を電極として用いると、電極と強誘電体薄膜と
の界面は共有結合またはイオン結合を形成する。従っ
て、物理的な結合しかしていない金属電極の場合より、
はるかに強固な結合となる。さらに、金属より硬度、耐
酸性、耐アルカリ性に優れた電極として使用できる。According to the functional oxide structure of the present invention, the substrate A, the conductive perovskite oxide thin film B laminated on the substrate A, and the ferroelectric thin film laminated on the thin film B are provided. Since the thin film B is made of C and the thin film B is an electrode, a functional oxide structure in which the electrode and the ferroelectric thin film are firmly adhered can be achieved. That is, when a conductive perovskite oxide is used as an electrode, the interface between the electrode and the ferroelectric thin film forms a covalent bond or an ionic bond. Therefore, compared to the case of metal electrodes that only physically bond,
It is a much tighter bond. Further, it can be used as an electrode having hardness, acid resistance and alkali resistance superior to those of metals.
【００１１】次に、本発明の製造方法によれば、基板Ａ
上に導電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂを薄膜積層技術
によって形成し、前記薄膜Ｂ上に強誘電体薄膜Ｃを前記
薄膜積層技術によって形成することにより、導電性ペロ
ブスカイト酸化物と強誘電体薄膜とを同一プロセスによ
り容易に作製できる。Next, according to the manufacturing method of the present invention, the substrate A
By forming the conductive perovskite oxide thin film B on the thin film B by the thin film laminating technique and the ferroelectric thin film C on the thin film B by the thin film laminating technique, the conductive perovskite oxide and the ferroelectric thin film are formed. It can be easily manufactured by the same process.
【００１２】また、導電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂ
がＸＲｕＯ3（但しＸは少なくとも１種のアルカリ土類
金属）薄膜であるという本発明の好ましい構成によれ
ば、Ｘの種類またはその混合比によって、薄膜Ｂの格子
定数を制御できる。従って、電極としてのみではなく、
強誘電体薄膜が成長し易いようにするバッファー層とし
ての役割も同時に果たす。結果として、強誘電体薄膜を
歪みが少なく成膜でき、有効である。Further, a conductive perovskite oxide thin film B
Is a XRuO 3 (where X is at least one alkaline earth metal) thin film, the lattice constant of the thin film B can be controlled by the type of X or the mixture ratio thereof. Therefore, not only as an electrode,
At the same time, it also serves as a buffer layer that facilitates growth of the ferroelectric thin film. As a result, a ferroelectric thin film can be formed with less distortion, which is effective.
【００１３】また、強誘電体薄膜ＣがＰｂＺＯn（但し
Ｚは，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｂｉ，Ｔ
ａ，Ｗ，ＳｂおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの
元素）薄膜であるという本発明の好ましい構成によれ
ば、特に誘電率の高い機能性酸化物構造体を達成でき
る。Further, the ferroelectric thin film C is PbZO n (where Z is La, Zr, Ti, Nd, Sm, Y, Bi, T).
According to the preferable constitution of the present invention, which is a thin film of at least one element selected from a, W, Sb and Sn), a functional oxide structure having a particularly high dielectric constant can be achieved.
【００１４】また、薄膜積層技術としてスパッタリング
法を用いるという本発明の好ましい構成によれば、電極
と強誘電体薄膜との界面に不純物が形成されにくいた
め、前記機能性酸化物構造体を効率的に製造できる。Further, according to the preferable constitution of the present invention in which the sputtering method is used as the thin film stacking technique, impurities are not easily formed at the interface between the electrode and the ferroelectric thin film, so that the functional oxide structure can be efficiently used. Can be manufactured.
【００１５】[0015]
【実施例】発明者らは、ＸＲｕＯ3 をＲＦマグネトロン
スパッタ法によって、基板上に積層させることに成功し
た。さらに、この物質は、化学的に非常に安定で、セラ
ミックス特有の高い硬度を有することを確認した。従っ
て、基板をエッチングする際、電極を傷つけることな
く、基板のみを選択的にエッチングすることが可能であ
る。また、この物質はアルカリ土類金属Ｘの種類、また
は混合比によって、容易にその格子定数を制御できるの
で、強誘電体薄膜を歪みを少なく作製することが可能と
なる。薄膜積層技術としては、スパッタリング法の他に
ＭＢＥ（分子線エピタキシー）、レーザーアブレーショ
ン、ＣＶＤ（化学的気相蒸着）などがあげられる。EXAMPLES The inventors succeeded in stacking XRuO 3 on a substrate by the RF magnetron sputtering method. Furthermore, it was confirmed that this substance is chemically very stable and has a high hardness peculiar to ceramics. Therefore, when etching the substrate, it is possible to selectively etch only the substrate without damaging the electrodes. Further, since the lattice constant of this substance can be easily controlled by the kind of the alkaline earth metal X or the mixing ratio thereof, it is possible to produce the ferroelectric thin film with less strain. Examples of the thin film stacking technique include MBE (Molecular Beam Epitaxy), laser ablation, and CVD (Chemical Vapor Deposition) in addition to the sputtering method.
【００１６】本実施例の導電性ペロブスカイト酸化物薄
膜Ｂの厚さは２〜１０００ｎｍであることが好ましい。
強誘電体薄膜Ｃの厚さは使用目的に応じて制御すればよ
い。例えば焦電性を利用した赤外線センサの場合は１０
００ｎｍ程度である。The thickness of the conductive perovskite oxide thin film B of this embodiment is preferably 2 to 1000 nm.
The thickness of the ferroelectric thin film C may be controlled according to the purpose of use. For example, in the case of an infrared sensor utilizing pyroelectricity, 10
It is about 00 nm.
【００１７】以下に本実施例の機能性酸化物構造体とそ
の製造方法を図面を参照しながら説明する。 （実施例１）本実施例では、導電性ペロブスカイト酸化
物として、(Ｓｒ,Ｃａ)ＲｕＯ3 を用いた例について説
明する。The functional oxide structure of this example and the method for producing the same will be described below with reference to the drawings. (Example 1) In this example, an example using (Sr, Ca) RuO 3 as a conductive perovskite oxide will be described.
【００１８】図１は本実施例の機能性酸化物構造体５の
断面図である。エッチングによって基板１に作製された
溝４によって、導電性ペロブスカイト酸化物２と外部と
の接続が可能となっている。FIG. 1 is a sectional view of a functional oxide structure 5 of this embodiment. The groove 4 formed in the substrate 1 by etching enables connection between the conductive perovskite oxide 2 and the outside.
【００１９】基板１にＳｉ単結晶を用い、以下の条件下
で多元ターゲットＲＦマグネトロンスパッタ法を実施
し、厚さ３００ｎｍの導電性ペロブスカイト酸化物
（(Ｓｒ,Ｃａ)ＲｕＯ3 ）層２及び厚さ１０００ｎｍの
強誘電体薄膜（Ｐｂ(Ｔｉ,Ｚｒ)Ｏ3）層３を積層した。 （１）ガス：Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１， １．０Ｐａ （２）ＲＦパワー：１００〜１２０Ｗ （３）基板温度：薄膜Ｂ層(Ｓｒ,Ｃａ)ＲｕＯ3 ６６０
℃ 薄膜Ｃ層Ｐｂ(Ｔｉ,Ｚｒ)Ｏ3 ４００℃ （４）ターゲット組成：(Ｓｒ0.6Ｃａ0.4)ＲｕＯ3 Ｐｂ（Ｔｉ0.5Ｚｒ0.5）Ｏ3 （５）積層速さ：薄膜Ｂ層 ７ｎｍ／分、薄膜Ｃ層 １
０ｎｍ／分 （６）真空装置：油拡散ポンプ なお、通常ガス組成はＡｒ／Ｏ2 ＝１０／０〜１／９、
ガス圧は０．０１〜１０Ｐａ、ＲＦパワーは６０〜１５
０Ｗであることが好ましい。Using a Si single crystal as the substrate 1, a multi-target RF magnetron sputtering method was carried out under the following conditions to obtain a conductive perovskite oxide ((Sr, Ca) RuO 3 ) layer 2 having a thickness of 300 nm and a thickness thereof. A 1000 nm ferroelectric thin film (Pb (Ti, Zr) O 3 ) layer 3 was laminated. (1) Gas: Ar / O 2 = 9/1, 1.0 Pa (2) RF power: 100 to 120 W (3) Substrate temperature: Thin film B layer (Sr, Ca) RuO 3 660
℃ Thin film C layer Pb (Ti, Zr) O 3 400 ° C (4) Target composition: (Sr 0.6 Ca 0.4 ) RuO 3 Pb (Ti 0.5 Zr 0.5 ) O 3 (5) Stacking speed: Thin film B layer 7 nm / min , Thin film C layer 1
0 nm / min (6) Vacuum device: oil diffusion pump Note that the normal gas composition is Ar / O 2 = 10/0 to 1/9,
Gas pressure is 0.01-10Pa, RF power is 60-15
It is preferably 0 W.
【００２０】本実施例の(Ｓｒ,Ｃａ)ＲｕＯ3 層２は、
酸を用いた基板エッチング工程で同時にエッチングされ
ることがなかった。また、アルカリや、機械的な方法に
よっても同様にエッチングされなかった。また(Ｓｒ,Ｃ
ａ)ＲｕＯ3 層２は、表面処理用のダイアモンドシート
によって、表面変質層を除去した際、傷がつきにくく、
セラミックス特有の高い硬度を有していた。The (Sr, Ca) RuO 3 layer 2 of this embodiment is
The substrate was not etched at the same time in the acid etching process. Similarly, it was not etched by alkali or a mechanical method. Also (Sr, C
a) The RuO 3 layer 2 is hardly scratched when the surface-altered layer is removed by the diamond sheet for surface treatment,
It had a high hardness peculiar to ceramics.
【００２１】（実施例２）次に、導電性酸化物ＳｒＲｕ
Ｏ3 を用い、多元ターゲットＲＦマグネトロンスパッタ
法を用いた場合の製造方法について述べる。ＲＦマグネ
トロンスパッタ法の実施条件は導電性酸化物成膜のため
のターゲット組成を除いて実施例１と同様とした。Example 2 Next, the conductive oxide SrRu
A manufacturing method in the case of using O 3 and a multi-target RF magnetron sputtering method will be described. The RF magnetron sputtering method was performed under the same conditions as in Example 1 except for the target composition for forming the conductive oxide film.
【００２２】図２は本実施例の機能性酸化物構造体製造
装置の概略図である。この装置は２つのターゲットを持
つＲＦマグネトロンスパッタ成膜装置である。２１は、
導電性酸化物ＳｒＲｕＯ3 組成のターゲットである。２
２は、強誘電体薄膜成膜のためのＰｂ(Ｔｉ,Ｚｒ)Ｏ3
ターゲットである。FIG. 2 is a schematic view of the functional oxide structure manufacturing apparatus of this embodiment. This apparatus is an RF magnetron sputter film forming apparatus having two targets. 21 is
It is a target having a conductive oxide SrRuO 3 composition. Two
2 is Pb (Ti, Zr) O 3 for forming a ferroelectric thin film
It is a target.
【００２３】まずＳｉ単結晶基板２３を、ヒータ２４に
よって６６０℃に加熱し、シャッタ２５によって、Ｓｒ
ＲｕＯ3 用ターゲット２１を選択した。高周波によって
プラズマを生成し、薄膜Ｂ層を３００ｎｍ積層した。そ
の後、シャッタ２５を閉じた。ヒータ２４によって、基
板温度を４００℃に再設定したのち、シャッタ２５によ
って、強誘電体酸化物Ｐｂ(Ｔｉ,Ｚｒ)Ｏ3 用ターゲッ
ト２２を選択し、薄膜Ｃ層を１０００ｎｍ成膜した。基
板２３を装置の外に取り出し、フッ化水素酸と硝酸の混
合酸でエッチングした。本実施例のＳｒＲｕＯ3 層も、
基板エッチング工程で同時にエッチングされることがな
かった。また、アルカリや、機械的な方法によっても同
様にエッチングされなかった。またＳｒＲｕＯ3 層も、
実施例１と同様に傷がつきにくく、セラミックス特有の
高い硬度を有していた。First, the Si single crystal substrate 23 is heated to 660 ° C. by the heater 24, and the Sr is turned on by the shutter 25.
The target 21 for RuO 3 was selected. Plasma was generated by high frequency, and a thin film B layer was laminated to 300 nm. Then, the shutter 25 was closed. After the substrate temperature was reset to 400 ° C. by the heater 24, the target 22 for the ferroelectric oxide Pb (Ti, Zr) O 3 was selected by the shutter 25, and the thin film C layer was formed to 1000 nm. The substrate 23 was taken out of the apparatus and etched with a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid. The SrRuO 3 layer of this example also
There was no simultaneous etching in the substrate etching process. Similarly, it was not etched by alkali or a mechanical method. The SrRuO 3 layer is also
Like Example 1, it was hard to be scratched and had high hardness peculiar to ceramics.
【００２４】上記実施例の特徴は、電極となる導電性酸
化物膜と、強誘電体薄膜を、多元ターゲットスパッタリ
ング法で、その場で作製できる点である。電極と強誘電
体薄膜との界面に不純物が形成されにくいため、強誘電
体薄膜の機能を十分に利用することが可能となる。The feature of the above embodiment is that the conductive oxide film to be the electrode and the ferroelectric thin film can be formed in situ by the multi-target sputtering method. Impurities are unlikely to be formed at the interface between the electrode and the ferroelectric thin film, so that the function of the ferroelectric thin film can be fully utilized.
【００２５】尚、上記実施例では、基板にＳｉ単結晶を
用いたが、ＭｇＯ単結晶など他の基板でもよい。In the above embodiment, the substrate is made of Si single crystal, but other substrate such as MgO single crystal may be used.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上のように、本発明の機能性酸化物構
造体によれば、基板Ａと、前記基板Ａ上に積層された導
電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂと、前記薄膜Ｂ上に積
層された強誘電体薄膜Ｃからなり、かつ前記薄膜Ｂが電
極であることにより、電極が強誘電体薄膜に強固に密着
した機能性酸化物構造体が達成できる。すなわち、電極
と強誘電体薄膜の界面は、共有結合またはイオン結合を
形成するので、物理的な結合しかしていない金属電極の
場合より、はるかに強固な結合となる。さらに、金属よ
り硬度、耐酸性、耐アルカリ性に優れた電極として使用
できる。As described above, according to the functional oxide structure of the present invention, the substrate A, the conductive perovskite oxide thin film B laminated on the substrate A, and the conductive perovskite oxide thin film B laminated on the thin film B are laminated. By forming the ferroelectric thin film C and the thin film B being an electrode, a functional oxide structure in which the electrode is firmly adhered to the ferroelectric thin film can be achieved. That is, since the interface between the electrode and the ferroelectric thin film forms a covalent bond or an ionic bond, the bond is much stronger than in the case of a metal electrode that only has a physical bond. Further, it can be used as an electrode having hardness, acid resistance and alkali resistance superior to those of metals.
【００２７】次に、本発明の製造方法によれば、基板Ａ
上に導電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂを薄膜積層技術
によって形成し、前記薄膜Ｂ上に強誘電体薄膜Ｃを前記
薄膜積層技術によって形成することにより、導電性ペロ
ブスカイト酸化物と強誘電体薄膜とを同一プロセスによ
り容易に作製できる。Next, according to the manufacturing method of the present invention, the substrate A
By forming the conductive perovskite oxide thin film B on the thin film B by the thin film laminating technique and the ferroelectric thin film C on the thin film B by the thin film laminating technique, the conductive perovskite oxide and the ferroelectric thin film are formed. It can be easily manufactured by the same process.
【００２８】また、導電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂ
がＸＲｕＯ3（但しＸは少なくとも１種のアルカリ土類
金属）薄膜であると、電極としてのみではなく、強誘電
体薄膜が成長し易いようにするバッファー層としての役
割も同時に果たす。結果として、強誘電体薄膜を歪みが
少なく成膜できる。Further, a conductive perovskite oxide thin film B
Is an XRuO 3 (where X is at least one alkaline earth metal) thin film, not only as an electrode but also as a buffer layer for facilitating growth of the ferroelectric thin film. As a result, the ferroelectric thin film can be formed with less distortion.
【００２９】また、強誘電体薄膜がＰｂＺＯn（但しＺ
は，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｂｉ，Ｔａ，
Ｗ，ＳｂおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元
素）薄膜であると、特に誘電率の高い機能性酸化物構造
体を達成できる。Further, the ferroelectric thin film is PbZO n (however, Z
Is La, Zr, Ti, Nd, Sm, Y, Bi, Ta,
A thin film of at least one element selected from W, Sb and Sn) can achieve a functional oxide structure having a particularly high dielectric constant.
【００３０】また、薄膜積層技術としてスパッタリング
法を用いると、電極と強誘電体薄膜との界面に不純物が
形成されにくいため、前記機能性酸化物構造体を効率的
に製造できる。Further, when the sputtering method is used as the thin film laminating technique, impurities are not easily formed at the interface between the electrode and the ferroelectric thin film, so that the functional oxide structure can be efficiently manufactured.
【図１】本発明の一実施例における機能性酸化物構造体
の断面の概略図。FIG. 1 is a schematic view of a cross section of a functional oxide structure according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例における機能性酸化物構造体
製造装置の概略図。FIG. 2 is a schematic diagram of a functional oxide structure manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
１ 基板 ２ 導電性ペロブスカイト酸化物層 ３ 強誘電体薄膜層 ４ コンタクトのための溝 ５ 機能性酸化物構造体 ２１ 導電性ペロブスカイト酸化物のターゲット ２２ 強誘電体酸化物のターゲット ２３ 基板 ２４ ヒータ ２５ シャッタ 1 Substrate 2 Conductive Perovskite Oxide Layer 3 Ferroelectric Thin Film Layer 4 Contact Groove 5 Functional Oxide Structure 21 Conductive Perovskite Oxide Target 22 Ferroelectric Oxide Target 23 Substrate 24 Heater 25 Shutter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０１Ｇ 55/00 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｋ 8414−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/314 Ａ 7352−4Ｍ 41/08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location C01G 55/00 C23C 14/08 K 8414-4K H01L 21/314 A 7352-4M 41/08
Claims (5)
電性ペロブスカイト酸化物薄膜Ｂと、前記薄膜Ｂ上に積
層された強誘電体薄膜Ｃからなり、かつ前記薄膜Ｂが電
極である機能性酸化物構造体。1. A substrate A, a conductive perovskite oxide thin film B laminated on the substrate A, and a ferroelectric thin film C laminated on the thin film B, and the thin film B is an electrode. Functional oxide structure.
薄膜Ｂを薄膜積層技術によって形成し、前記薄膜Ｂ上に
強誘電体薄膜Ｃを前記薄膜積層技術によって形成する機
能性酸化物構造体の製造方法。2. Production of a functional oxide structure in which a conductive perovskite oxide thin film B is formed on a substrate A by a thin film laminating technique and a ferroelectric thin film C is formed on the thin film B by the thin film laminating technique. Method.
ＲｕＯ3（但しＸは少なくとも１種のアルカリ土類金
属）薄膜である請求項１または２に記載の機能性酸化物
構造体または機能性酸化物構造体の製造方法。3. The conductive perovskite oxide thin film B is X.
The functional oxide structure or the method for producing a functional oxide structure according to claim 1 or 2, which is a RuO 3 (where X is at least one alkaline earth metal) thin film.
は，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｂｉ，Ｔａ，
Ｗ，ＳｂおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元
素）薄膜である請求項１または２に記載の機能性酸化物
構造体または機能性酸化物構造体の製造方法。4. The ferroelectric thin film C is PbZO n (provided that Z
Is La, Zr, Ti, Nd, Sm, Y, Bi, Ta,
A functional oxide structure or a method for producing a functional oxide structure according to claim 1 or 2, which is a thin film of at least one element selected from W, Sb and Sn.
用いる請求項２に記載の機能性酸化物構造体の製造方
法。5. The method for producing a functional oxide structure according to claim 2, wherein a sputtering method is used as the thin film laminating technique.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6016188A JPH07223806A (en) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | Functional oxide structure and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6016188A JPH07223806A (en) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | Functional oxide structure and production thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07223806A true JPH07223806A (en) | 1995-08-22 |
Family
ID=11909549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6016188A Pending JPH07223806A (en) | 1994-02-10 | 1994-02-10 | Functional oxide structure and production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07223806A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013094171A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | Method for forming srruo3 film |
-
1994
- 1994-02-10 JP JP6016188A patent/JPH07223806A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013094171A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | Method for forming srruo3 film |
| CN104024467A (en) * | 2011-12-22 | 2014-09-03 | 佳能安内华股份有限公司 | Method for forming srruo3 film |
| JPWO2013094171A1 (en) * | 2011-12-22 | 2015-04-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | Method for forming SrRuO3 film |
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