JPH0721649B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0721649B2 JPH0721649B2 JP11780986A JP11780986A JPH0721649B2 JP H0721649 B2 JPH0721649 B2 JP H0721649B2 JP 11780986 A JP11780986 A JP 11780986A JP 11780986 A JP11780986 A JP 11780986A JP H0721649 B2 JPH0721649 B2 JP H0721649B2
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- amorphous silicon
- photoconductor
- photoconductive layer
- intermediate layer
- gas
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真用感光体に関し、特に、感光層に非
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
従来の技術 電子写真法は、感光体に帯電、像露光により静電潜像を
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着して複写物を得る方法で
ある。この電子写真法に用いられる感光体は、基本構成
として導電性基板上に感光層を積層して成る。しかし
て、従来より、感光層を構成する材料としてはセレンあ
るいはセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機
感光材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニ
トロフルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシニアン、ピ
ラゾリン、ヒドラゾン等の有機感光材料が知られてお
り、感光層を単層あるいは積層にして用いられている。
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着して複写物を得る方法で
ある。この電子写真法に用いられる感光体は、基本構成
として導電性基板上に感光層を積層して成る。しかし
て、従来より、感光層を構成する材料としてはセレンあ
るいはセレン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機
感光材料、あるいは、ポリビニルカルバゾール、トリニ
トロフルオレノン、ビスアゾ顔料、フタロシニアン、ピ
ラゾリン、ヒドラゾン等の有機感光材料が知られてお
り、感光層を単層あるいは積層にして用いられている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来より用いられているこれらの感光層
は、耐久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべ
き問題点を有している。
は、耐久性、耐熱性、光感度などにおいて未だ解決すべ
き問題点を有している。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルフアスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬
度が高く傷つきにくく、摩擦にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質ケイ
素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、次い
で現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程まで、
あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影響に
よっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位
が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰
返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしまう。この
様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写物を
作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再現性に乏
しい複写物となる。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（SiH4）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の非晶
質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶質ケ
イ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈するも
のである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬
度が高く傷つきにくく、摩擦にも強く、耐熱性も高く、
機械的強度においてもすぐれている。更に、非晶質ケイ
素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く感光
特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を用い
た感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯電電
位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質ケイ
素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、次い
で現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程まで、
あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影響に
よっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電電位
が大巾に低下する。更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰
返し使用すると徐々に帯電電位が低下してしまう。この
様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写物を
作成すると、画像濃度が低くまた、中間調の再現性に乏
しい複写物となる。
本発明の目的は、非晶質ケイ素を用いる感光体の上述の
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにあ
る。
更に、本発明の目的は、非晶質ケイ素を用い、しかも、
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の変
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は、繰返し使用されても画像品
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、機械的強度、耐久性、耐熱
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明者は、鋭意研究を行なった結果、導電性基板上
に、中間層を積層し、その上に、非晶質ケイ素から成る
光導電層を被覆し、該中間層として、有機チタニウム化
合物を少なくとも１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用
いることによって上記目的が達成されることを見出し
た。光導電層としては、水素原子を含有する非晶質ケイ
素を主体とし、不純物としてリン原子を含有し、更に、
炭素原子、窒素原子または酸素原子のうちの少なくとも
１種類を含有するｎ型半導体を用いる。
に、中間層を積層し、その上に、非晶質ケイ素から成る
光導電層を被覆し、該中間層として、有機チタニウム化
合物を少なくとも１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用
いることによって上記目的が達成されることを見出し
た。光導電層としては、水素原子を含有する非晶質ケイ
素を主体とし、不純物としてリン原子を含有し、更に、
炭素原子、窒素原子または酸素原子のうちの少なくとも
１種類を含有するｎ型半導体を用いる。
かくして、本発明に従えば、導電性基板上に中間層およ
び光導電層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体として不純物としてリン原子を含有し、更に、炭
素原子、窒素原子または酸素原子のうちの少なくとも１
種類を含有するｎ型半導体から成り、前記中間層が、有
機チタニウム化合物を少なくとも１種類含む溶液の乾燥
硬化物から成ることを特徴とする電子写真用感光体が提
供される。
び光導電層を順次積層して成る電子写真用感光体におい
て、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素
を主体として不純物としてリン原子を含有し、更に、炭
素原子、窒素原子または酸素原子のうちの少なくとも１
種類を含有するｎ型半導体から成り、前記中間層が、有
機チタニウム化合物を少なくとも１種類含む溶液の乾燥
硬化物から成ることを特徴とする電子写真用感光体が提
供される。
本発明の電子写真用感光体の中間層を形成するのに用い
られる有機チタニウム化合物としては、種々のものが考
えられるが、特に好ましいのは、チタニウム錯体および
チタニウムアルコキシドである。これらの好ましい例と
しては、 ジイソプロポキシ・チタンビス（アセチルアセトネー
ト）、 チタニウムを中心金属とするアセチルアセトナート多核
錯体、 ビス（アセチルアセトネート）チタンオキシド、 チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラエト
キサイド、チタニウムテトラ−ｎ−プロポキサイド、チ
タニウムテトラ−イソ−プロポキサイド、チタニウムテ
トラブトキサイド、 チタニウムテトラ−イソ−ブトキサイド、 等が挙げられる。
られる有機チタニウム化合物としては、種々のものが考
えられるが、特に好ましいのは、チタニウム錯体および
チタニウムアルコキシドである。これらの好ましい例と
しては、 ジイソプロポキシ・チタンビス（アセチルアセトネー
ト）、 チタニウムを中心金属とするアセチルアセトナート多核
錯体、 ビス（アセチルアセトネート）チタンオキシド、 チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラエト
キサイド、チタニウムテトラ−ｎ−プロポキサイド、チ
タニウムテトラ−イソ−プロポキサイド、チタニウムテ
トラブトキサイド、 チタニウムテトラ−イソ−ブトキサイド、 等が挙げられる。
本発明の電子写真用感光体を得るに当っては、上記のご
とき有機チタニウム化合物の１種または２種以上を適当
な溶媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これ
らの有機チタニウム化合物に有機ケイ素化合物を混合し
た溶液を用いてもよい。この有機ケイ素化合物としては
一般にシランカップリング剤と呼ばれている化合物が好
適であり、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキ
シ）シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリ
メトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ト
リメチルモノメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシ
ラン、ジフェニルジエトキシシラン、モノフェニルトリ
メトキシシラン等が挙げられる。このようなシランカッ
プリング剤を混合して用いる場合には、該シランカップ
リング剤が全固形物重量に対して５〜50％となるように
するのがよい。
とき有機チタニウム化合物の１種または２種以上を適当
な溶媒に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これ
らの有機チタニウム化合物に有機ケイ素化合物を混合し
た溶液を用いてもよい。この有機ケイ素化合物としては
一般にシランカップリング剤と呼ばれている化合物が好
適であり、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキ
シ）シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリ
メトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ト
リメチルモノメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシ
ラン、ジフェニルジエトキシシラン、モノフェニルトリ
メトキシシラン等が挙げられる。このようなシランカッ
プリング剤を混合して用いる場合には、該シランカップ
リング剤が全固形物重量に対して５〜50％となるように
するのがよい。
かくして、有機チタニウム化合物、場合によっては更に
有機ケイ素化合物を含有する溶液を、導電性基板上に、
スプレー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布
などの方法で塗布した後、乾燥硬化させ、その上に光導
電層を積層することによって本発明の電子写真用感光体
が得られる。乾燥硬化温度は100〜400℃の間の任意の温
度に設定することができる。最終的に得られる中間層の
膜厚も任意に設定され得るが、0.1〜10μｍが好適であ
る。
有機ケイ素化合物を含有する溶液を、導電性基板上に、
スプレー塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布
などの方法で塗布した後、乾燥硬化させ、その上に光導
電層を積層することによって本発明の電子写真用感光体
が得られる。乾燥硬化温度は100〜400℃の間の任意の温
度に設定することができる。最終的に得られる中間層の
膜厚も任意に設定され得るが、0.1〜10μｍが好適であ
る。
非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、SiH4、Si2H6、Si3
H8、Si4H10、等の水素ケイ素ガスの１種またはそれらの
混合物を原料として、グロー放電法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方法に
よって中間層上に形成する。中でも、プラズマCVD（Che
mical Vapor Deposition）法によりシラン（SiH4）ガス
等をグロー放電分解する方法（グロー放電法）が、膜中
への水素の含有量の制御の点から好ましい。また、この
場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマ
CVD装置内にシランガス等と同時に、別途に水素（H2）
ガスを導入してもよい。また、膜成長速度の点からは、
SiH4、Si2H6を用いるのが好ましい。
H8、Si4H10、等の水素ケイ素ガスの１種またはそれらの
混合物を原料として、グロー放電法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方法に
よって中間層上に形成する。中でも、プラズマCVD（Che
mical Vapor Deposition）法によりシラン（SiH4）ガス
等をグロー放電分解する方法（グロー放電法）が、膜中
への水素の含有量の制御の点から好ましい。また、この
場合水素の含有を一層効率良く行なうために、プラズマ
CVD装置内にシランガス等と同時に、別途に水素（H2）
ガスを導入してもよい。また、膜成長速度の点からは、
SiH4、Si2H6を用いるのが好ましい。
本発明の電子写真用感光体の光導電層として用いるの
は、水素原子が含有する非晶質ケイ素を主体として不純
物としてリン原子を含有するｎ型半導体からなり、更
に、炭素原子、窒素原子または酸素原子のうちの少なく
とも１種類を含有している。このような原子の含有は、
特に感光層膜の暗抵抗の増加、光感度の増加、更には、
帯電能（単位膜厚あたりの帯電電位）の増加の点から好
ましい。
は、水素原子が含有する非晶質ケイ素を主体として不純
物としてリン原子を含有するｎ型半導体からなり、更
に、炭素原子、窒素原子または酸素原子のうちの少なく
とも１種類を含有している。このような原子の含有は、
特に感光層膜の暗抵抗の増加、光感度の増加、更には、
帯電能（単位膜厚あたりの帯電電位）の増加の点から好
ましい。
この非晶質ケイ素感光層へのリン（Ｐ）原子の添加には
通常ホスフィン（PH3）ガスが原料として用いられる。
この場合Ｐ原子の添加量は0.01〜1000ppmの程度であ
る。
通常ホスフィン（PH3）ガスが原料として用いられる。
この場合Ｐ原子の添加量は0.01〜1000ppmの程度であ
る。
更に、感光体の長波長域の感度を増加させることを目的
として、光導電層膜にゲルマニウム（Ge）などの元素を
添加することも可能である。またハロゲン原子を添加す
ることによって、暗抵抗の増加等を図ることもできる。
として、光導電層膜にゲルマニウム（Ge）などの元素を
添加することも可能である。またハロゲン原子を添加す
ることによって、暗抵抗の増加等を図ることもできる。
かくして、本発明の電子写真用感光体の光導電層を調製
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃であるい。しかして、非晶質
ケイ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、
特に10〜50μｍとするのが好適である。
するには、プラズマCVD装置内に、主原料である水素化
ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それら
のガスと共に、必要な元素を含むガス状化合物を導入し
てグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラズ
マCVD法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形成す
るのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合、周
波数は通常0.1〜30MHz、放電時の真空度は0.1〜5Torr、
基板加熱温度は100〜400℃であるい。しかして、非晶質
ケイ素を主体とする光導電層の膜厚は、１〜100μｍ、
特に10〜50μｍとするのが好適である。
導電性基板としては、アルミニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチックシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。
ム、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を
有するプラスチックシートもしくはガラス、または、導
電化処理をした紙などを用いることができる。また、導
電性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト
状等の任意の形状を採ることができる。
実施例 次に、比較例と本発明の実施例とを挙げて、本発明の電
子写真用感光体を更に説明する。
子写真用感光体を更に説明する。
比較例1; 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、およびエチレン（C2H4）ガスを毎分15cc、さら
に100％水素（H2）ガスを毎分75ccの範囲で流入させ、
反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.57MHzの高
周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波
電源の出力を85Wに維持した。このようにして、円筒状
のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を主体とし不純
物としてリン原子を含有し、更に、水素と炭素を含むｎ
型半導体から成る光導体層を有する感光体を得た。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、およびエチレン（C2H4）ガスを毎分15cc、さら
に100％水素（H2）ガスを毎分75ccの範囲で流入させ、
反応槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.57MHzの高
周波電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波
電源の出力を85Wに維持した。このようにして、円筒状
のAl基板上に厚さ25μｍの非晶質ケイ素を主体とし不純
物としてリン原子を含有し、更に、水素と炭素を含むｎ
型半導体から成る光導体層を有する感光体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかった。
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかった。
実施例1: 比較例１と同じ形状の円筒状Al基板上に、ジイソプロポ
キシチタンビス（アセチルアセトネート）１重量部、ｎ
−ブタノール20重量部からなる溶液を浸漬塗布し、250
℃の炉中で２時間乾燥して0.4μｍ厚の中間層を設け
た。次に、この中間層上に、比較例１と同じ方法によ
り、比較例１と同じ内容の非晶質ケイ素を主とする光導
電層を、比較例１とほぼ同じ膜厚で設けた。このように
して得られた光導電層はセラミックに似た性質を持ち、
非晶質珪素の優れた特性である、表面硬度、耐摩耗性、
耐熱性をそのまゝ有していた。
キシチタンビス（アセチルアセトネート）１重量部、ｎ
−ブタノール20重量部からなる溶液を浸漬塗布し、250
℃の炉中で２時間乾燥して0.4μｍ厚の中間層を設け
た。次に、この中間層上に、比較例１と同じ方法によ
り、比較例１と同じ内容の非晶質ケイ素を主とする光導
電層を、比較例１とほぼ同じ膜厚で設けた。このように
して得られた光導電層はセラミックに似た性質を持ち、
非晶質珪素の優れた特性である、表面硬度、耐摩耗性、
耐熱性をそのまゝ有していた。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
比較例2: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、および100％の窒素（N2）ガスを毎分90cc、さ
らに100％水素（H2）ガスを毎分10ccで流入させ、反応
槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHzの高周波
電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源
の出力を85Wに維持した。このようにして円筒状のAl基
板上に、厚さ25μｍの非晶質ケイ素を主体とし不純物と
してリン、更に、水素と窒素を含有するｎ型半導体から
成る光導電層を有する感光体を得た。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、および100％の窒素（N2）ガスを毎分90cc、さ
らに100％水素（H2）ガスを毎分10ccで流入させ、反応
槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHzの高周波
電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源
の出力を85Wに維持した。このようにして円筒状のAl基
板上に、厚さ25μｍの非晶質ケイ素を主体とし不純物と
してリン、更に、水素と窒素を含有するｎ型半導体から
成る光導電層を有する感光体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかった。
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかった。
実施例2: 比較例２と同じ形状の円筒状Al基板上に、チタニウムテ
トラエトキサイド１重量部、イソプロピルアルコール30
重量部からなる溶液を浸漬塗布し、250℃の炉中で２時
間乾燥して0.3μｍ厚の中間層を設けた。次に、この中
間層上に、比較例２と同じ方法により、比較例２と同じ
内容の非晶質ケイ素を主体とする光導電層を、比較例２
とほぼ同じ膜厚で設けた。
トラエトキサイド１重量部、イソプロピルアルコール30
重量部からなる溶液を浸漬塗布し、250℃の炉中で２時
間乾燥して0.3μｍ厚の中間層を設けた。次に、この中
間層上に、比較例２と同じ方法により、比較例２と同じ
内容の非晶質ケイ素を主体とする光導電層を、比較例２
とほぼ同じ膜厚で設けた。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
比較例3: 容量結合型プラズマCVD装置の反応室内の所定の位置に
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、および100％の酸素（O2）ガスを毎分1.0cc、さ
らに100％水素（H2）ガスを毎分89ccで流入させ、反応
槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHzの高周波
電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源
の出力を85Wに維持した。このようにして円筒状のAl基
板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物と
してリン、更に、水素と酸素を含有するｎ型半導体から
成る光導電層を有する感光体を得た。
円筒状Al基板を設置し、基板温度を所定の温度である25
0℃に維持し、反応室内に100％シラン（SiH4）ガスを毎
分120cc、水素希釈の300ppmホスフィン（PH3）ガスを毎
分30cc、および100％の酸素（O2）ガスを毎分1.0cc、さ
らに100％水素（H2）ガスを毎分89ccで流入させ、反応
槽内を0.5Torrの内圧に維持した後、13.56MHzの高周波
電力を投入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源
の出力を85Wに維持した。このようにして円筒状のAl基
板上に、厚さ25μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物と
してリン、更に、水素と酸素を含有するｎ型半導体から
成る光導電層を有する感光体を得た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかった。
ロナ帯電方式で画質評価を行なったところ、実用に耐え
得る画像濃度は得られなかった。
実施例3: 比較例３と同じ形状の円筒状Al基板上に、チタニウムテ
トラブトキサイド１重量部、γ−アクリロキシプロピル
トリメトキシシラン１重量部、メチルアルコール10重量
部、イソプロピルアルコール20重量部からなる溶液を浸
漬塗布し、250℃の炉中にて２時間乾燥して0.3μｍ厚の
中間層を設けた。次に、この中間層上に、比較例３と同
じ方法により比較例３と同じ内容の非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を比較例３とほぼ同じ膜厚で設けた。
トラブトキサイド１重量部、γ−アクリロキシプロピル
トリメトキシシラン１重量部、メチルアルコール10重量
部、イソプロピルアルコール20重量部からなる溶液を浸
漬塗布し、250℃の炉中にて２時間乾燥して0.3μｍ厚の
中間層を設けた。次に、この中間層上に、比較例３と同
じ方法により比較例３と同じ内容の非晶質ケイ素を主体
とする光導電層を比較例３とほぼ同じ膜厚で設けた。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、負のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
発明の効果 本発明の電子写真用感光体は、非晶質ケイ素から成る感
光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高耐
熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数の
影響を受けずに高い電荷保持力を有して、優れた品質の
画像を供することができる。
光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高耐
熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数の
影響を受けずに高い電荷保持力を有して、優れた品質の
画像を供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥川 康令 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (72)発明者 盧 泰男 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (72)発明者 高橋 徳好 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松工場内 (56)参考文献 特開 昭59−223439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−223441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−93062（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上に中間層および光導電層を順
次積層して成る電子写真用感光体において、 前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主
体とし不純物としてリン原子を含有するｎ型半導体から
成り、更に、炭素原子、窒素原子または酸素原子のうち
の少なくとも１種類を含有しており、 前記中間層が、有機チタニウム化合物を少なくとも１種
類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とする電子
写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11780986A JPH0721649B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11780986A JPH0721649B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273554A JPS62273554A (ja) | 1987-11-27 |
| JPH0721649B2 true JPH0721649B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=14720802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11780986A Expired - Lifetime JPH0721649B2 (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721649B2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11780986A patent/JPH0721649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62273554A (ja) | 1987-11-27 |
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