JPH07212656A - 赤外線撮像素子 - Google Patents
赤外線撮像素子Info
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- JPH07212656A JPH07212656A JP6007390A JP739094A JPH07212656A JP H07212656 A JPH07212656 A JP H07212656A JP 6007390 A JP6007390 A JP 6007390A JP 739094 A JP739094 A JP 739094A JP H07212656 A JPH07212656 A JP H07212656A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 隣接画素間の差分信号のみを蓄積することに
より、容量を飽和させずにセンサの感度を上げ、ダイナ
ミックレンジを拡大する。 【構成】 赤外線の検出器１で発生した電荷の隣接画素
間の差分を引き算回路２で求めて蓄積容量３へ注入し積
分する。背景放射と検出器１のバイアス分の成分のほと
んどを引き算処理で相殺することができるので、十分な
バイアスをかけて感度と上げ、かつダイナミックレンジ
を拡大できる。
より、容量を飽和させずにセンサの感度を上げ、ダイナ
ミックレンジを拡大する。 【構成】 赤外線の検出器１で発生した電荷の隣接画素
間の差分を引き算回路２で求めて蓄積容量３へ注入し積
分する。背景放射と検出器１のバイアス分の成分のほと
んどを引き算処理で相殺することができるので、十分な
バイアスをかけて感度と上げ、かつダイナミックレンジ
を拡大できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線撮像素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】図４はテレビジョン学会編『固体撮像デ
バイス』のＰ８３に示されている従来の赤外線撮像素子
の摸式的構成図である。この赤外線撮像素子では、赤外
線の強度を電流の大小に変換する検出器１と、この電流
を蓄積する蓄積容量３とで構成された変換・蓄積部６が
一画素となり、この画素が行（図の横方向）及び列（図
の縦方向）方向の二次元にマトリクス状に配列されてい
る。各蓄積容量３の一端は画素毎にＭＯＳ型トランジス
タによる垂直スイッチ４に接続されている。垂直スイッ
チ４の他端は列方向に共通接続され、列毎に設けられた
ＭＯＳ型トランジスタによる水平スイッチ５に接続さて
いる。水平スイッチ５の他端は出力端子１００に共通接
続さている。水平シフトレジスタクは、水平スイッチ５
を順次に導通にし、各列方向の信号を出力端子１００へ
導く。垂直シフトレジスタク８は、垂直スイッチ４を順
次に導通にし、各行単位で各画素の信号を列方向の共通
の水平スイッチ５へ導く。水平および垂直のシフトレジ
スタク７，８およびスイッチ５，４は水平及び垂直の読
み出し回路をなしている。
バイス』のＰ８３に示されている従来の赤外線撮像素子
の摸式的構成図である。この赤外線撮像素子では、赤外
線の強度を電流の大小に変換する検出器１と、この電流
を蓄積する蓄積容量３とで構成された変換・蓄積部６が
一画素となり、この画素が行（図の横方向）及び列（図
の縦方向）方向の二次元にマトリクス状に配列されてい
る。各蓄積容量３の一端は画素毎にＭＯＳ型トランジス
タによる垂直スイッチ４に接続されている。垂直スイッ
チ４の他端は列方向に共通接続され、列毎に設けられた
ＭＯＳ型トランジスタによる水平スイッチ５に接続さて
いる。水平スイッチ５の他端は出力端子１００に共通接
続さている。水平シフトレジスタクは、水平スイッチ５
を順次に導通にし、各列方向の信号を出力端子１００へ
導く。垂直シフトレジスタク８は、垂直スイッチ４を順
次に導通にし、各行単位で各画素の信号を列方向の共通
の水平スイッチ５へ導く。水平および垂直のシフトレジ
スタク７，８およびスイッチ５，４は水平及び垂直の読
み出し回路をなしている。
【０００３】赤外線を電気信号に変換する光電変換素子
としてフォトダイオードを使った場合の変換・蓄積部６
の一例の回路図を図５に示す。フォトダイオード９に
は、赤外域の波長に感度を有するＨｄＣｇＴｅやＩｎＰ
ｂなどの半導体を使う。赤外線の入射によりフォトダイ
オード９はその強度に応じた光成生電流を発生する。そ
の電流は、蓄積容量３に所定の時間にわてって積分さ
れ、蓄積される。続いて、垂直スイッチ４及び水平スイ
ッチ５を使った読出し回路により外部へ読出される。各
画素をなす変換・蓄積部６から読出し回路で各画素のデ
ータを読み出した後に蓄積容量３のリセットを行う。蓄
積容量３のリセットについては前掲の文献『固定撮像デ
バイス』に詳しく説明されている。
としてフォトダイオードを使った場合の変換・蓄積部６
の一例の回路図を図５に示す。フォトダイオード９に
は、赤外域の波長に感度を有するＨｄＣｇＴｅやＩｎＰ
ｂなどの半導体を使う。赤外線の入射によりフォトダイ
オード９はその強度に応じた光成生電流を発生する。そ
の電流は、蓄積容量３に所定の時間にわてって積分さ
れ、蓄積される。続いて、垂直スイッチ４及び水平スイ
ッチ５を使った読出し回路により外部へ読出される。各
画素をなす変換・蓄積部６から読出し回路で各画素のデ
ータを読み出した後に蓄積容量３のリセットを行う。蓄
積容量３のリセットについては前掲の文献『固定撮像デ
バイス』に詳しく説明されている。
【０００４】次に、光電変換素子としてボロメータを使
った場合について述べる。ボロメータは半導体や金属を
使った抵抗体で、温度による電気抵抗の変化が比較的大
きな材料でなっている。赤外線の吸収による温度上昇を
電気抵抗の変化として検出する素子である。図６は、検
出器１としてボロメータを使った場合の変換・蓄積部６
の一例の回路図である。ボロメータ１０には定電流源１
２からバイアス電流が供給れており、ボロメータ１０に
おける抵抗の変化を電圧へ変換している。そして、その
電圧をＭＯＳ型トランジスタ１６で電流に変換し蓄積容
量３へ注入し、積分を行う。読出しは、図５に示したフ
ォトダイオードの場合と同様に、垂直スイッチ４と水平
スイッチ５とを順次に切り換えて行われる。
った場合について述べる。ボロメータは半導体や金属を
使った抵抗体で、温度による電気抵抗の変化が比較的大
きな材料でなっている。赤外線の吸収による温度上昇を
電気抵抗の変化として検出する素子である。図６は、検
出器１としてボロメータを使った場合の変換・蓄積部６
の一例の回路図である。ボロメータ１０には定電流源１
２からバイアス電流が供給れており、ボロメータ１０に
おける抵抗の変化を電圧へ変換している。そして、その
電圧をＭＯＳ型トランジスタ１６で電流に変換し蓄積容
量３へ注入し、積分を行う。読出しは、図５に示したフ
ォトダイオードの場合と同様に、垂直スイッチ４と水平
スイッチ５とを順次に切り換えて行われる。
【０００５】以上、蓄積部には専用の蓄積容量３を用意
し、読出しにはＭＯＳ型トランジスタスイッチ４，５を
使った回路方式の赤外線撮像素子を例に説明したが、公
知の様に読出しにＣＣＤを使うことも可能であり、電荷
の蓄積に垂直ＣＣＤを使用することもできることを付け
加えておく。
し、読出しにはＭＯＳ型トランジスタスイッチ４，５を
使った回路方式の赤外線撮像素子を例に説明したが、公
知の様に読出しにＣＣＤを使うことも可能であり、電荷
の蓄積に垂直ＣＣＤを使用することもできることを付け
加えておく。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】常温付近の背景や室内
を赤外線撮像装置で撮像した場合、赤外線撮像素子に入
射する赤外線エネルギの大部分は背景放射によるもので
あり、注目している物体から放射される赤外線、即ち信
号成分はエネルギ比率で全入射赤外線の１％程度しかな
いと言われている。したがって、図５に示すフォトダイ
オード９についても、その出力の大部分は背景放射成分
である。
を赤外線撮像装置で撮像した場合、赤外線撮像素子に入
射する赤外線エネルギの大部分は背景放射によるもので
あり、注目している物体から放射される赤外線、即ち信
号成分はエネルギ比率で全入射赤外線の１％程度しかな
いと言われている。したがって、図５に示すフォトダイ
オード９についても、その出力の大部分は背景放射成分
である。
【０００７】一方、各画素における蓄積容量３には寸法
上の制約から上限があり、その限界は数ＰＦである。よ
って１／３０秒といったフルフレーム期間にわたって蓄
積容量３を飽和させることなく、フォトダイオート゛９
の出力電流を蓄積し、積分することは不可能であった。
この信号蓄積期間の制限から、従来の赤外線撮像素子の
感度とダイナミッククレンジの上限が定まっていた。
上の制約から上限があり、その限界は数ＰＦである。よ
って１／３０秒といったフルフレーム期間にわたって蓄
積容量３を飽和させることなく、フォトダイオート゛９
の出力電流を蓄積し、積分することは不可能であった。
この信号蓄積期間の制限から、従来の赤外線撮像素子の
感度とダイナミッククレンジの上限が定まっていた。
【０００８】図６に示す回路では、定電流源１２からボ
ロメータ１０へ流すバイアス電流を大きくする程、感度
とＳ／Ｎを向上させることができるが、蓄積容量３の限
界からやはり制限が加わっていた。さらに、電圧、電流
変換用のＭＯＳ型トランジスタ１６で発生するノイズの
影響を抑えるためには、トランジスタ１６のドレイン電
流を大きくしなければならないのだが、同じく蓄積容量
３の限界から制限が加わるとととなり、感度及びＳ／Ｎ
の劣化が避けられない。このように従来の赤外線撮像素
子には感度、Ｓ／Ｎおよびダイナミックレンジに関し解
決すべき課題があった。
ロメータ１０へ流すバイアス電流を大きくする程、感度
とＳ／Ｎを向上させることができるが、蓄積容量３の限
界からやはり制限が加わっていた。さらに、電圧、電流
変換用のＭＯＳ型トランジスタ１６で発生するノイズの
影響を抑えるためには、トランジスタ１６のドレイン電
流を大きくしなければならないのだが、同じく蓄積容量
３の限界から制限が加わるとととなり、感度及びＳ／Ｎ
の劣化が避けられない。このように従来の赤外線撮像素
子には感度、Ｓ／Ｎおよびダイナミックレンジに関し解
決すべき課題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、赤外線を光電変換し該赤外線の強さに対
応した電気信号を生成する検出器と、該電気信号に対応
する電荷を蓄積する蓄積容量と、この蓄積容量に蓄積さ
れた電荷を読出す読出し回路とを備え、前記検出器およ
び蓄積容量は１対で１つの変換・蓄積部をなし、該変換
・蓄積部がそれぞれ画素をなして、２次元に複数個配列
されている赤外線撮像素子において、ある画素の前記検
出器の出力の前記電気信号と、該画素に隣接する画素の
前記検出器の出力の前記電気信号との差分を求め、前記
蓄積容量へ該差分を蓄積させる引き算回路を各画素に有
することを特徴とする赤外線撮像素子を提供する。
めに本発明は、赤外線を光電変換し該赤外線の強さに対
応した電気信号を生成する検出器と、該電気信号に対応
する電荷を蓄積する蓄積容量と、この蓄積容量に蓄積さ
れた電荷を読出す読出し回路とを備え、前記検出器およ
び蓄積容量は１対で１つの変換・蓄積部をなし、該変換
・蓄積部がそれぞれ画素をなして、２次元に複数個配列
されている赤外線撮像素子において、ある画素の前記検
出器の出力の前記電気信号と、該画素に隣接する画素の
前記検出器の出力の前記電気信号との差分を求め、前記
蓄積容量へ該差分を蓄積させる引き算回路を各画素に有
することを特徴とする赤外線撮像素子を提供する。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の赤外線撮像素子の一実施例を示す模
式的構成図である。この実施例は、赤外線を電流に変換
し、その電流を容量に蓄積して赤外線強度に比例した電
圧を出力する変換・蓄積部６を２次元にマトリクス状に
配列してなる。さらに、この赤外線撮像素子は、垂直ス
イッチ４、水平スイッチ５、垂直シフトレジスタ８及び
水平シフトレジスタ７でなる読み出し回路を備え、この
読出し回路を使って、変換・蓄積部６の蓄積容量３に蓄
積された電荷量に対応する電圧Ｖnを出力端子１００か
ら外部へ出力する。変換・蓄積部６は、隣接画素と信号
の授受を行うために隣接画素の変換・蓄積部６に電気的
に接続されており、画素間の信号の差分を求める引き算
回路２を内蔵している。この引き算回路２における引き
算処理で、背景放射と検出器１のバイアス分の成分のほ
とんどを相殺できる。符号１１は基準信号源を示す。図
２は、光電変換素子である検出器１としてフォトダイオ
ードを使った場合の１画素分の変換・蓄積部６の一具体
例を示す回路図である。電界効果トランジスタＱ1,Ｑ2
が第１のカレントミラー１３ａをなし、電界効果トラン
ジスタＱ1，Ｑ4が第２のカレントミラー１３ｂをなし、
電界効果トランジスタＱ5，Ｑ6が第３のカレントミラー
１４をなしている。フォトダイオード９は、赤外線を受
けて光成生電流Ｉnを発生する（n＝１，２，．．．，
Ｎ）。Ｉnは前画素との差分を取るためと、次画素へ送
るためにカレントミラー１３a，１３bで二系統作られ
る。一系統のＩnはカレントミラー１４で電流の方向を
逆転して次画素へ送られる。もう一系統のＩnは前画素
の光成生電流Ｉn-1との差が取られ，差電流Ｉn−Ｉn-1
が蓄積容量３へ注入され、積分される。
る。図１は本発明の赤外線撮像素子の一実施例を示す模
式的構成図である。この実施例は、赤外線を電流に変換
し、その電流を容量に蓄積して赤外線強度に比例した電
圧を出力する変換・蓄積部６を２次元にマトリクス状に
配列してなる。さらに、この赤外線撮像素子は、垂直ス
イッチ４、水平スイッチ５、垂直シフトレジスタ８及び
水平シフトレジスタ７でなる読み出し回路を備え、この
読出し回路を使って、変換・蓄積部６の蓄積容量３に蓄
積された電荷量に対応する電圧Ｖnを出力端子１００か
ら外部へ出力する。変換・蓄積部６は、隣接画素と信号
の授受を行うために隣接画素の変換・蓄積部６に電気的
に接続されており、画素間の信号の差分を求める引き算
回路２を内蔵している。この引き算回路２における引き
算処理で、背景放射と検出器１のバイアス分の成分のほ
とんどを相殺できる。符号１１は基準信号源を示す。図
２は、光電変換素子である検出器１としてフォトダイオ
ードを使った場合の１画素分の変換・蓄積部６の一具体
例を示す回路図である。電界効果トランジスタＱ1,Ｑ2
が第１のカレントミラー１３ａをなし、電界効果トラン
ジスタＱ1，Ｑ4が第２のカレントミラー１３ｂをなし、
電界効果トランジスタＱ5，Ｑ6が第３のカレントミラー
１４をなしている。フォトダイオード９は、赤外線を受
けて光成生電流Ｉnを発生する（n＝１，２，．．．，
Ｎ）。Ｉnは前画素との差分を取るためと、次画素へ送
るためにカレントミラー１３a，１３bで二系統作られ
る。一系統のＩnはカレントミラー１４で電流の方向を
逆転して次画素へ送られる。もう一系統のＩnは前画素
の光成生電流Ｉn-1との差が取られ，差電流Ｉn−Ｉn-1
が蓄積容量３へ注入され、積分される。
【００１１】図３は、光電変換素子である検出器１とし
てボロメータを使った場合の１画素分の変換・蓄積部６
の一具体例を示す回路図である。電界効果トランジスタ
Ｑ7，Ｑ8，Ｑ9，Ｑ10 および定電流源２２はトランスコ
ンダクタンスアンプ１５をなしている。定電流駆動され
たボロメータ１０は、赤外線を受けて電気抵抗を変化さ
せ、その電気抵抗の変化に比例してボロメータ１０の両
端の電圧Ｖnが変化する。Ｖnは差動のトランスコンダク
タンスアンプ１５の一方のゲートに接続されており、同
時に隣接画素（図３の左側に隣接していて、図示されて
いない画素）のもう一方のゲートにも接続されている。
トランスコンダクタンスアンプ１５は、ゲート電圧
Ｖn、Ｖn-1を対応した電流Ｉn、Ｉn-1に変換し、両者の
差の電流（Ｉn−Ｉn-1）を蓄積容量３へ注入し、積分さ
せる。
てボロメータを使った場合の１画素分の変換・蓄積部６
の一具体例を示す回路図である。電界効果トランジスタ
Ｑ7，Ｑ8，Ｑ9，Ｑ10 および定電流源２２はトランスコ
ンダクタンスアンプ１５をなしている。定電流駆動され
たボロメータ１０は、赤外線を受けて電気抵抗を変化さ
せ、その電気抵抗の変化に比例してボロメータ１０の両
端の電圧Ｖnが変化する。Ｖnは差動のトランスコンダク
タンスアンプ１５の一方のゲートに接続されており、同
時に隣接画素（図３の左側に隣接していて、図示されて
いない画素）のもう一方のゲートにも接続されている。
トランスコンダクタンスアンプ１５は、ゲート電圧
Ｖn、Ｖn-1を対応した電流Ｉn、Ｉn-1に変換し、両者の
差の電流（Ｉn−Ｉn-1）を蓄積容量３へ注入し、積分さ
せる。
【００１２】以上、検出器１として二種類の光電変換素
子を用いた変換・蓄積部６で１つの画素を構成する回路
を挙げ、画素間の差分・蓄積動作を説明した。これらい
ずれの回路においても、行方向の右端（図２、図３にお
いて）の画素（n＝１の画素であり、最端画素と称す
る。）には何らかの基準信号（図２の回路ではＩ0，図
３の回路ではＶ0）を与える必要がある。本発明では、
この基準信号源１１として、固定電流源若しくは固定電
圧源または遮光した光電変換素子であるオプティカルブ
ラック素子を設ける。従って、図１において各行の右端
の画素、即ちn＝１の画素（第１画素）は、基準信号源
１１の出力の基準信号と差分をとっている。出力端子１
００から読出された画素信号Ｖnをそのまま表示装置に
提供しても画像として表示することはできず、差分をと
る前の画素信号に復元してから表示装置に供給しなけれ
ばならない。図７はその画素信号を復元する為の復元回
路を示すブロック図である。この復元回路は、信号に一
画素分の時間遅延を与える遅延回路１７と、加算器１８
と、基準信号発生器１９と、スイッチ２０とから構成さ
れている。図７の回路は、変換・蓄積部６を図２又は図
３の回路で構成した赤外線撮像素子に適用される。第ｎ
画素の信号Ｖnは、遅延回路１７を通った第n-1画素の信
号Ｖn-1と加算回路１８で加算されることによって復元
される。基準信号発生器１９は、赤外線撮像素子に内蔵
されている基準信号源１１の出力信号に対応する信号Ｖ
0を発生させるものである。第１画素信号Ｖ1に対しては
スイッチ２０をＶ0側に切り換えＶ0とＶ1とを加算する
ことになり、ＤＣレベルも正しく復元することができ
る。
子を用いた変換・蓄積部６で１つの画素を構成する回路
を挙げ、画素間の差分・蓄積動作を説明した。これらい
ずれの回路においても、行方向の右端（図２、図３にお
いて）の画素（n＝１の画素であり、最端画素と称す
る。）には何らかの基準信号（図２の回路ではＩ0，図
３の回路ではＶ0）を与える必要がある。本発明では、
この基準信号源１１として、固定電流源若しくは固定電
圧源または遮光した光電変換素子であるオプティカルブ
ラック素子を設ける。従って、図１において各行の右端
の画素、即ちn＝１の画素（第１画素）は、基準信号源
１１の出力の基準信号と差分をとっている。出力端子１
００から読出された画素信号Ｖnをそのまま表示装置に
提供しても画像として表示することはできず、差分をと
る前の画素信号に復元してから表示装置に供給しなけれ
ばならない。図７はその画素信号を復元する為の復元回
路を示すブロック図である。この復元回路は、信号に一
画素分の時間遅延を与える遅延回路１７と、加算器１８
と、基準信号発生器１９と、スイッチ２０とから構成さ
れている。図７の回路は、変換・蓄積部６を図２又は図
３の回路で構成した赤外線撮像素子に適用される。第ｎ
画素の信号Ｖnは、遅延回路１７を通った第n-1画素の信
号Ｖn-1と加算回路１８で加算されることによって復元
される。基準信号発生器１９は、赤外線撮像素子に内蔵
されている基準信号源１１の出力信号に対応する信号Ｖ
0を発生させるものである。第１画素信号Ｖ1に対しては
スイッチ２０をＶ0側に切り換えＶ0とＶ1とを加算する
ことになり、ＤＣレベルも正しく復元することができ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の赤外線
撮像素子は、各画素の蓄積容量に隣接画素間の差分信号
のみを蓄積するので、光電変換素子に十分なバイアスを
かけ、かつフルフレーム期間の蓄積を行っても蓄積容量
が飽和することがない。よって、本発明によれば、感
度、Ｓ／Ｎ、ダイナミックレンジを大幅に向上させた赤
外線撮像素子を実現できる。
撮像素子は、各画素の蓄積容量に隣接画素間の差分信号
のみを蓄積するので、光電変換素子に十分なバイアスを
かけ、かつフルフレーム期間の蓄積を行っても蓄積容量
が飽和することがない。よって、本発明によれば、感
度、Ｓ／Ｎ、ダイナミックレンジを大幅に向上させた赤
外線撮像素子を実現できる。
【図１】本発明の一実施例の摸式的構成図。
【図２】図１の実施例における変換・蓄積部の一具体例
を示す回路図。
を示す回路図。
【図３】図１の実施例における変換・蓄積部の別の具体
例を示す回路図。
例を示す回路図。
【図４】従来の赤外線撮像素子の摸式的構成図。
【図５】図４の赤外線撮像素子における変換・蓄積部の
一例を示す回路図。
一例を示す回路図。
【図６】図４の赤外線撮像素子における変換・蓄積部の
別の例を示す回路図。
別の例を示す回路図。
【図７】図１の実施例における出力端子１００から出力
される画素間差分信号から画素信号を復元する回路を示
す図。
される画素間差分信号から画素信号を復元する回路を示
す図。
１ 検出器 ２ 引き算回路 ３ 蓄積容量 ４ 垂直スイッチ ５ 水平スイッチ ６ 変換・蓄積部 ７ 水平シフトレジスタ ８ 垂直シフトレジスタ ９ フォトダイオード １０ ボロメータ １１ 基準電源 １２ バイアス電流源 １００ 出力端子 １３ａ，１３b，１４ カレントミラー １５ トランスコンダクタンスアンプ １６ ＭＯＳトランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 赤外線を光電変換し該赤外線の強さに対
応した電気信号を生成する検出器と、該電気信号に対応
する電荷を蓄積する蓄積容量と、この蓄積容量に蓄積さ
れた電荷を読出す読出し回路とを備え、前記検出器およ
び蓄積容量は１対で１つの変換・蓄積部をなし、該変換
・蓄積部がそれぞれ画素をなして、２次元に複数個配列
されている赤外線撮像素子において、ある画素の前記検
出器の出力の前記電気信号と、該画素に隣接する画素の
前記検出器の出力の前記電気信号との差分を求め、前記
蓄積容量へ該差分を蓄積させる引き算回路を各画素に有
することを特徴とする赤外線撮像素子。 - 【請求項２】 前記２次元に配列された前記画素は行方
向および列方向において直線上に配列されてマトリクス
をなしおり、２次元に配列された前記画素のうちで行方
向の片端に位置する第１画素の検出器の出力の前記電気
信号との差分を前記引き算回路でとるための、基準とな
る電源又はオプティカルブラック画素を有することを特
徴とする請求項１に記載の赤外線撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007390A JP2755150B2 (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 赤外線撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007390A JP2755150B2 (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 赤外線撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212656A true JPH07212656A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2755150B2 JP2755150B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=11664604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6007390A Expired - Fee Related JP2755150B2 (ja) | 1994-01-27 | 1994-01-27 | 赤外線撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755150B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11295151A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線検出装置 |
| JP2002286552A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Toshiba Corp | 赤外線センサ装置およびその駆動方法 |
| JP2009055479A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Panasonic Corp | イメージセンサ及び電磁波イメージング装置 |
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| JP2755150B2 (ja) | 1998-05-20 |
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