JPH07211981A - Semiconductor laser and its manufacture - Google Patents
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- JPH07211981A JPH07211981A JP448894A JP448894A JPH07211981A JP H07211981 A JPH07211981 A JP H07211981A JP 448894 A JP448894 A JP 448894A JP 448894 A JP448894 A JP 448894A JP H07211981 A JPH07211981 A JP H07211981A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ、特に
高出力及び低しきい値電流で動作する横モード単一型の
半導体レーザ及びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly to a single transverse mode semiconductor laser which operates at high output and low threshold current, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザ及びその形
成方法としては、文献Ｉ（「Ｈｉｇｈｌｙ Ｒｅｌｉａ
ｂｌｅ ＣＷ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ １００ｍＷ
ＧａＡｌＡｓ Ｂｕｒｉｅｄ Ｔｗｉｎ Ｒｉｄｇｅ
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｌａｓｅｒｓ ｗｉｔｈ Ｎｏ
ｎａｂｓｏｒｂｉｎｇ Ｍｉｒｒｏｒｓ」、ＨＩＲＯＫ
Ｉ ＮＡＩＴＯ ａｔ ａｌ，ＩＥＥＥ Ｊｏｕｎａｌ
ｏｆ ＱｕａｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ，Ｖｏ
ｌ．２５，Ｎｏ．６，ｐｐ１４９４〜１４９９）に開示
されているものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor laser of this type and a method of forming the same, reference I ("Highly Relia") is used.
ble CW Operation of 100mW
GaAlAs Burried Twin Ridge
Substrate Lasers with No
"nabsorbing Mirrors", HIROK
I NAITO at al, IEEE Journal
of Quatum Electronics, Vo
l. 25, No. 6, pp1494-1499).
【０００３】この半導体レーザの構造によれば、光共振
器層部と非光共振器層部に大別されており、光共振器層
部には、ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層、ｐ型ＧａＡｌＡｓ下側クラッド層、ｐ型ＧａＡｌ
Ａｓ光ガイド層、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、アンドープ
の光閉込め層及びｎ型ＧａＡｌＡｓ保護層がそれぞれ設
けてある。一方、非光共振器層部（光共振器層の一方の
光共振器端面及び光共振器層の他方の光共振器端面の近
傍に隣接して設けられた部分をいう。）には、基板上に
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、ｐ型ＧａＡｌＡｓ下側ク
ラッド層及びｐ型ＧａＡｌＡｓ光ガイド層がそれぞれ設
けてある。更に、光共振器層部と非光共振器層部の表面
には、ｎ型ＧａＡｌＡｓの上側クラッド層及びｎ型Ｇａ
Ａｓのコンタクト層が設けてある（文献ＩのＰ．１４９
５の図１参照）。また、従来の半導体レーザの製造方法
によれば、（１００）面のｐ型ＧａＡｓ基板に島状のメ
サ形状を形成する。続いて、基板の全面に液相成長法
（ＬＰＥ法）を用いてｎ型ＧａＡｌＡｓ電流ブロック層
を形成している。The structure of this semiconductor laser is roughly divided into an optical resonator layer portion and a non-optical resonator layer portion. The optical resonator layer portion has an n-type GaAs current block on a p-type GaAs substrate. Layer, p-type GaAlAs lower clad layer, p-type GaAl
An As light guide layer, a p-type GaAlAs active layer, an undoped light confining layer, and an n-type GaAlAs protective layer are respectively provided. On the other hand, the non-optical resonator layer portion (refers to a portion provided adjacent to one optical resonator end surface of the optical resonator layer and the other optical resonator end surface of the optical resonator layer, adjacent thereto). An n-type GaAs current blocking layer, a p-type GaAlAs lower clad layer, and a p-type GaAlAs optical guide layer are provided on the top. Further, on the surfaces of the optical resonator layer portion and the non-optical resonator layer portion, an n-type GaAlAs upper cladding layer and an n-type Ga layer are formed.
A contact layer of As is provided (P.149 of Document I).
5 of FIG. 1). Further, according to the conventional method of manufacturing a semiconductor laser, an island-shaped mesa shape is formed on a (100) plane p-type GaAs substrate. Then, an n-type GaAlAs current block layer is formed on the entire surface of the substrate by a liquid phase epitaxy method (LPE method).
【０００４】次に、電流ブロック層を任意好適なエッチ
ングを行って二本のリッジストライプを形成する。続い
て、リッジストライプを形成した表面上にＬＰＥ法を用
いてｐ型ＧａＡｌＡｓ下側クラッド層、ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ光ガイド層、アンドープＧａＡｌＡｓ活性層、アンド
ープＧａＡｌＡｓ光閉込め層及びｎ型ＧａＡｌＡｓ保護
層を形成する。次に、二本の平行にリッジストライプを
形成してある端面側から２５μｍ内側にｎ型ＧａＡｌＡ
ｓ保護層からｐ型ＧａＡｌＡｓ光ガイド層までの各層
（保護層、光閉込め層、活性層及び光ガイド層）エッチ
ングしてを除去する。このとき、エッチングされずに残
存している島状の保護層、光閉め層及び活性層が光共振
器層となり、また、活性層が除去された部分が後に非光
吸収領域となる。Next, the current blocking layer is arbitrarily and appropriately etched to form two ridge stripes. Then, the p-type GaAlAs lower clad layer and the p-type GaAlA are formed on the surface on which the ridge stripe is formed by using the LPE method.
An s light guide layer, an undoped GaAlAs active layer, an undoped GaAlAs light confinement layer, and an n-type GaAlAs protective layer are formed. Next, n-type GaAlA is formed 25 μm inside from the end face side where two ridge stripes are formed in parallel.
Each layer (protection layer, light confinement layer, active layer and light guide layer) from the s protection layer to the p-type GaAlAs light guide layer is removed by etching. At this time, the island-shaped protective layer, the light blocking layer, and the active layer which remain without being etched become an optical resonator layer, and the part where the active layer is removed later becomes a non-light absorbing region.
【０００５】次に、光共振器層及び光ガイド層上にＭＯ
ＣＶＤ（有機金属気相成長法）を用いてｎ型ＧａＡｌＡ
ｓ上側クラッド層及びｎ型ＧａＡｓコンタクト層をそれ
ぞれ形成する（文献Ｉのｐ．１４９７の図５参照）。そ
の後、基板の上面側のコンタクト層上にｐ型電極を形成
し、また、基板の下面側にｎ型電極を形成する。Next, MO is formed on the optical resonator layer and the optical guide layer.
N-type GaAlA using CVD (metal organic chemical vapor deposition)
s An upper clad layer and an n-type GaAs contact layer are respectively formed (see FIG. 5 of p. 1497 of Document I). Then, a p-type electrode is formed on the contact layer on the upper surface side of the substrate, and an n-type electrode is formed on the lower surface side of the substrate.
【０００６】更に、光出射端面（二本のリッジストライ
プを形成してある方向の一方の面）には、低反射膜をコ
ーティングし、光出射端面と反対側には、高反射膜をコ
ーティングする。上述した製造方法によって従来の半導
体レーザは作製されている。この文献Ｉに開示されてい
る半導体レーザは、光出射端面及びこれと反対側の端面
付近（非光共振器層部）には活性層がなく、上側クラッ
ド層とコンタクト層を設けてある。このため、活性層が
なく上側クラッド層で埋め込まれた部分が非光吸収領域
となる。この非光吸収領域は、半導体レーザを動作させ
た場合、活性層に対して光の吸収及び電流注入による発
熱を抑制する役割をしている。この結果、一般にＧａＡ
ｓを基板に用いた半導体レーザは、光の吸収及び発熱に
よって光学損傷（ＣＯＤともいう。）を起して急激な最
高光出力の劣化を起こしやすいが、文献Ｉの半導体レー
ザではＣＯＤが見られず、かつ最高光出力が約２倍に改
善されると報告されている。Further, the light emitting end surface (one surface in the direction in which the two ridge stripes are formed) is coated with a low reflective film, and the opposite side of the light emitting end surface is coated with a high reflective film. . A conventional semiconductor laser is manufactured by the manufacturing method described above. In the semiconductor laser disclosed in Document I, there is no active layer near the light emitting end face and the end face on the opposite side (non-optical resonator layer portion), and the upper clad layer and the contact layer are provided. Therefore, the portion without the active layer and filled with the upper clad layer becomes the non-light absorbing region. This non-light absorption region plays a role of suppressing light absorption and heat generation due to current injection in the active layer when the semiconductor laser is operated. As a result, in general
A semiconductor laser using s as a substrate is prone to optical damage (also referred to as COD) due to absorption and heat generation of light to cause rapid deterioration of the maximum optical output, but the semiconductor laser of Document I has COD. And the maximum light output is reported to be improved about twice.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体レーザには、以下に述べるような問題が
あった。However, the above-mentioned conventional semiconductor laser has the following problems.
【０００８】（１）ＧａＡｓ電流ブロック層上にＡｌを
含む各層を順次積層して形成してあるため、Ａｌが酸化
して各層間の界面の整合性が悪く、かつ各層を形成する
際に格子欠陥が発生しやすくなって半導体レーザの長期
信頼性に欠ける。(1) Since each layer containing Al is sequentially laminated on the GaAs current blocking layer, Al is oxidized to cause poor interface matching between the layers, and a lattice is used when forming each layer. Defects tend to occur and the long-term reliability of the semiconductor laser is lacking.
【０００９】（２）従来の半導体レーザによれば、非光
吸収領域には、活性層がないが光共振器層の全面に渡っ
て活性層が存在するため、光モードの横方向の閉じ込め
が不十分となり、発振しきい値電流が高くなる。(2) According to the conventional semiconductor laser, there is no active layer in the non-light absorption region, but the active layer exists over the entire surface of the optical resonator layer, so that the optical mode is confined in the lateral direction. It becomes insufficient and the oscillation threshold current becomes high.
【００１０】（３）また、非光吸収領域の横方向の幅が
活性層の幅と同一であり、幅広であるため、水平横モー
ドの遠視野像の制御が難しい。(3) Further, since the width in the lateral direction of the non-light absorbing region is the same as the width of the active layer and is wide, it is difficult to control the far field image in the horizontal lateral mode.
【００１１】従って、各層間の界面の整合性が良く、光
共振器層部分の発振しきい値電流を低減し、かつ遠視野
像の制御が容易な半導体レーザ及びその製造方法が望ま
れていた。Therefore, there has been a demand for a semiconductor laser which has good interface matching between the respective layers, can reduce the oscillation threshold current of the optical resonator layer portion, and can easily control the far-field pattern, and a manufacturing method thereof. .
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体レーザは、基板上にメサストライプ状の光共振器層
とこれに隣接して設け、かつ光共振器層より幅狭でメサ
ストライプ状の非光共振器層とを具えている。そして、
光共振器層及び非光共振器層の少なくとも上面の縁まで
第二導電型の下側電流ブロック層を埋め込み、更に、下
側電流ブロック層上に第一導電型の上側電流ブロック層
を埋め込んである。また、光共振器層は基板上に第一導
電型の下側クラッド層、光ガイド層、エッチングストッ
プ層、活性層、第二導電型の保護層、第二導電型の上側
クラッド層及び第二導電型のコンタクト層を順次積層し
てある。一方、非光共振器層は、基板上に、第一導電型
の下側クラッド層、光ガイド層、エッチングストップ
層、第二導電型の上側クラッド層及び絶縁膜を順次積層
してある。また、非光共振器層で保護層と活性層が存在
しない部分が非光吸収領域となる。Therefore, the semiconductor laser of the present invention is provided with a mesa stripe-shaped optical resonator layer on a substrate and adjacent thereto, and is narrower than the optical resonator layer and has a mesa stripe shape. And a non-optical resonator layer. And
The lower current block layer of the second conductivity type is embedded to at least the edges of the upper surfaces of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer, and the upper current block layer of the first conductivity type is embedded on the lower current block layer. is there. In addition, the optical resonator layer includes a lower clad layer of the first conductivity type, an optical guide layer, an etching stop layer, an active layer, a protective layer of the second conductivity type, an upper clad layer of the second conductivity type and a second conductive type on the substrate. Conductive contact layers are sequentially stacked. On the other hand, the non-optical resonator layer is formed by sequentially stacking a first conductivity type lower clad layer, an optical guide layer, an etching stop layer, a second conductivity type upper clad layer, and an insulating film on a substrate. Further, a portion of the non-optical resonator layer where the protective layer and the active layer do not exist becomes a non-optical absorption region.
【００１３】また、この発明の実施にあたり、好ましく
は、下側クラッド層をＩｎＧａＰ、光ガイド層をＩｎＧ
ａＡｓＰ、エッチングストップ層をＩｎＧａＰ、活性層
を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、保護層をＩｎＧａＰ、上
側クラッド層をＩｎＧａＰ及びコンタクト層の材料をＧ
ａＡｓとするのが良い。In implementing the present invention, preferably, the lower clad layer is InGaP and the optical guide layer is InG.
aAsP, the etching stop layer is InGaP, the active layer is InGaAs / GaAs, the protective layer is InGaP, the upper clad layer is InGaP, and the contact layer material is G.
It should be aAs.
【００１４】また、この発明の半導体レーザの製造方法
は、先ず、基板上に、第一導電型の下側クラッド層、光
ガイド層、エッチングストップ層、活性層及び第二導電
型の保護層を順次形成する。続いて、この保護層上にス
トライプ形のエッチングマスクパタンを用いて、選択エ
ッチングによりエッチングストップ層の表面が露出する
まで保護層と活性層とを除去してストライプ状の保護層
及び活性層を形成する。更に、この保護層とエッチング
ストップ層上に第二導電型の上側クラッド層と第二導電
型のコンタクト層とをそれぞれ形成する。その後、コン
タクト層上にストライプ状の保護層に対して直交させ
て、かつこの保護層上では幅広で保護層間では幅狭の第
二エッチングマスクパタンを形成する。その後、等方性
エッチングを行ってコンタクト層、上側クラッド層、保
護層、活性層、エッチングストップ層、光ガイド層及び
下側クラッド層の一部を除去してメサストライプ状の光
共振器層及び非光共振器層を形成する。次に、光共振器
層及び非光共振器層の少なくとも上面の縁まで第一導電
型の下側電流ブロック層を埋め込み、更に、この下側電
流ブロック層上に第二導電型の上側電流ブロック層を埋
め込む。次に、非光共振器層側のコンタクト層の部分を
選択的に除去する。その後、非光共振器層側のコンタク
ト層を除去した部分を含む上側電流ブロック層部分に絶
縁膜を形成する工程とを含む。According to the method of manufacturing a semiconductor laser of the present invention, first, a lower clad layer of the first conductivity type, an optical guide layer, an etching stop layer, an active layer and a protection layer of the second conductivity type are formed on a substrate. Form sequentially. Then, using a stripe-shaped etching mask pattern on this protective layer, the protective layer and the active layer are removed by selective etching until the surface of the etching stop layer is exposed to form a stripe-shaped protective layer and an active layer. To do. Further, a second conductive type upper clad layer and a second conductive type contact layer are formed on the protective layer and the etching stop layer, respectively. Then, a second etching mask pattern is formed on the contact layer so as to be orthogonal to the stripe-shaped protective layer and wide on the protective layer and narrow between the protective layers. Then, isotropic etching is performed to remove a part of the contact layer, the upper clad layer, the protective layer, the active layer, the etching stop layer, the optical guide layer and the lower clad layer, and the mesa-stripe-shaped optical resonator layer and Form a non-optical resonator layer. Next, the lower current block layer of the first conductivity type is embedded to at least the edges of the upper surfaces of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer, and the upper current block of the second conductivity type is further formed on the lower current block layer. Embed layers. Next, the portion of the contact layer on the non-optical resonator layer side is selectively removed. Then, a step of forming an insulating film on the upper current block layer portion including the portion where the contact layer on the non-optical resonator layer side is removed is included.
【００１５】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、ストライプ状のエッチングマスクパタンのストライ
プ方向を基板の〈０１−１〉方向とするのが良い。Further, in carrying out the present invention, it is preferable that the stripe direction of the stripe-shaped etching mask pattern is the <01-1> direction of the substrate.
【００１６】[0016]
【作用】上述したこの発明の半導体レーザは、基板上
に、メサストライプ状の光共振器層とこれと隣接してメ
サストライプ状の非光共振器層を設けてある。また、光
共振器層側には活性層を設け、一方、非光共振器層側に
は非光吸収領域を設けている。また、非光共振器層の幅
は、光共振器層の幅よりも狭くしてある。そして、光共
振器層及び非光共振器層の少なくとも上面の縁まで第二
導電型の下側電流ブロック層を埋め込み、更に、下側電
流ブロック層上に第一導電型の上側電流ブロック層を埋
め込んである。従って、非光共振器層の非光吸収領域の
幅は、光共振器層の活性層の幅より狭く、しかも光共振
器層と非光共振器層とが下側電流ブロック層及び上側電
流ブロック層によって電流が外部に流れないようにブロ
ックされている。このため、、活性層にレーザ光が励起
された場合、活性層側は光の横モード方向の光の閉込め
が十分に行われて発振しきい値電流を低減できる。ま
た、非光吸収領域の幅は、活性層の幅よりも狭くし、か
つ上側及び下側電流ブロック層で埋め込んであるため、
遠視野像（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ、略称
ＦＦＰともいう。）の制御が極めて容易になる。また、
基板上に形成する下側クラッド層、光ガイド層、エッチ
ングストップ層、活性層、保護層、上側クラッド層及び
コンタクト層の材料にＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、Ｉ
ｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、Ｉｎ
ＧａＰ及びＧａＡｓをそれぞれ使用している。このた
め、各層には、従来のようにＡｌの組成を含んでいない
ため、各層間の酸化などによる界面劣化が防止できる。In the above-described semiconductor laser of the present invention, the mesa-stripe-shaped optical resonator layer and the mesa-stripe-shaped non-optical resonator layer are provided on the substrate. Further, the active layer is provided on the optical resonator layer side, while the non-optical absorption region is provided on the non-optical resonator layer side. The width of the non-optical resonator layer is narrower than that of the optical resonator layer. Then, the lower current block layer of the second conductivity type is buried to at least the edges of the upper surfaces of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer, and further, the upper current block layer of the first conductivity type is formed on the lower current block layer. It is embedded. Therefore, the width of the non-optical absorption region of the non-optical resonator layer is narrower than the width of the active layer of the optical resonator layer, and the optical resonator layer and the non-optical resonator layer have a lower current blocking layer and an upper current blocking layer. The layers are blocking current from flowing out. Therefore, when laser light is excited in the active layer, the active layer side can sufficiently confine light in the transverse mode direction of the light and reduce the oscillation threshold current. Further, since the width of the non-light absorbing region is narrower than the width of the active layer and is embedded in the upper and lower current blocking layers,
The far field image (far field pattern, also abbreviated as FFP) control becomes extremely easy. Also,
As materials for the lower clad layer, the optical guide layer, the etching stop layer, the active layer, the protective layer, the upper clad layer and the contact layer formed on the substrate, InGaP, InGaAsP, I
nGaP, InGaAs / GaAs, InGaP, In
GaP and GaAs are used respectively. For this reason, each layer does not contain a composition of Al as in the conventional case, so that interface deterioration due to oxidation between layers can be prevented.
【００１７】また、この発明の半導体レーザの製造方法
によれば、まず、基板上に、第一導電型の下側クラッド
層、光ガイド層、エッチングストップ層、活性層及び第
二導電型の保護層を順次形成する。その後、ストライプ
形のエッチングマスクパタンを用いて選択的にエッチン
グを行い、エッチングストップ層の表面が露出するまで
保護層と活性層とを除去してストライプ状の保護層及び
活性層を形成する。Further, according to the method of manufacturing a semiconductor laser of the present invention, first, the lower clad layer of the first conductivity type, the optical guide layer, the etching stop layer, the active layer and the second conductivity type are first protected on the substrate. The layers are formed sequentially. After that, selective etching is performed using a stripe-shaped etching mask pattern to remove the protective layer and the active layer until the surface of the etching stop layer is exposed to form a stripe-shaped protective layer and an active layer.
【００１８】このように光ガイド層上にエッチングマス
ク層が形成されているので、保護層と活性層を選択的に
エッチングすることができる。Since the etching mask layer is formed on the light guide layer as described above, the protective layer and the active layer can be selectively etched.
【００１９】また、保護層とエッチングストップ層上に
第二導電型の上側クラッド層と第二導電型のコンタクト
層をそれぞれ形成する。更に、コンタクト層上にストラ
イプ状保護層に対して直交させて、かつ保護層上では幅
広で保護層間では幅狭の第二エッチングマスクパタンを
形成した後、等方性エッチングをエッチングを行って、
コンタクト層、上側クラッド層、保護層、活性層、エッ
チングストップ層、光りガイド層及び下側クラッド層の
一部を除去してメサストライプ状の光共振器層及び非光
共振器層を形成する。このとき、第二エッチングマスク
パタンを反映して光共振器層の幅は広く、非光共振器層
の上側クラッド層の幅は光共振器層の活性層の幅より狭
くなる。このとき形成された非光共振器層の上側クラッ
ド層の部分が非光吸収領域となる。A second conductivity type upper cladding layer and a second conductivity type contact layer are formed on the protective layer and the etching stop layer, respectively. Further, after forming a second etching mask pattern on the contact layer orthogonal to the stripe-shaped protective layer and wide on the protective layer and narrow between the protective layers, isotropic etching is performed to perform etching.
A part of the contact layer, the upper clad layer, the protective layer, the active layer, the etching stop layer, the light guide layer and the lower clad layer is removed to form a mesa-stripe-shaped optical resonator layer and non-optical resonator layer. At this time, the width of the optical resonator layer is wide reflecting the second etching mask pattern, and the width of the upper clad layer of the non-optical resonator layer is narrower than the width of the active layer of the optical resonator layer. The portion of the upper cladding layer of the non-optical resonator layer formed at this time becomes the non-optical absorption region.
【００２０】続いて、光共振器層及び非光共振器層の少
なくとも上面の縁まで第二導電型の下側電流ブロック層
を埋め込み、更に、下側電流ブロック層上に第一導電型
の上側電流ブロック層を埋め込む。更に、非光共振器層
側のコンタクト層を部分的に除去した後、このコンタク
ト層を除去した部分に絶縁膜を形成する。従って、レー
ザ光の発振の際、励起される定在波（横モード）を活性
層に十分閉じ込めることができるので、発振しきい値電
流を低減できる。また、非光吸収領域の幅を活性層の幅
より狭くしてあるので、遠視野像の制御が容易になる。Subsequently, the lower current blocking layer of the second conductivity type is buried to at least the edges of the upper surfaces of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer, and the upper side of the first conductivity type is further provided on the lower current blocking layer. Embed the current blocking layer. Further, after partially removing the contact layer on the non-optical resonator layer side, an insulating film is formed on the portion where the contact layer is removed. Therefore, the standing wave (transverse mode) excited during the oscillation of the laser light can be sufficiently confined in the active layer, and the oscillation threshold current can be reduced. Further, since the width of the non-light absorbing region is narrower than the width of the active layer, the far field pattern can be easily controlled.
【００２１】また、基板の上部に絶縁膜が形成されてい
るので、非光共振器層側の非光吸収領域には電流が流れ
にくくなり、従って、非光吸収領域の端面付近は光密度
及び電流密度が低下して非光吸収領域の端面からの劣化
による光学損傷（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｄａｍａｇｅ：略称ＣＯＤともいう。）を抑制
できる。Further, since the insulating film is formed on the upper portion of the substrate, it becomes difficult for current to flow in the non-optical absorption region on the non-optical resonator layer side, and therefore, the light density and Optical damage due to deterioration from the end surface of the non-light-absorbing region due to a decrease in current density (Catastrophic Opti
cal Damage: Also referred to as COD. ) Can be suppressed.
【００２２】また、ストライプ状のエッチングマスクの
ストライプ方向を基板の〈０１−１〉方向と一致させて
ある。従って、選択エッチングを行った後のエッチング
ストップ層上には、多数のストライプ状の保護層及びス
トライプ状の活性層を形成することができる。Further, the stripe direction of the stripe-shaped etching mask is made to coincide with the <01-1> direction of the substrate. Therefore, a large number of stripe-shaped protective layers and stripe-shaped active layers can be formed on the etching stop layer after the selective etching.
【００２３】[0023]
【実施例】以下、この発明の半導体レーザの構造及び製
造方法について説明する。なお、ここでは、発振波長が
０．９８μｍ（９８０ｎｍ）であって活性層にＩｎＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓを用いた歪量子井戸型の半導体レーザの
例について説明する。The structure and manufacturing method of a semiconductor laser according to the present invention will be described below. Here, the oscillation wavelength is 0.98 μm (980 nm), and InGa is formed in the active layer.
An example of a strained quantum well type semiconductor laser using As / GaAs will be described.
【００２４】図１、図２、図３の（Ａ）〜（Ｂ）、図４
の（Ａ）〜（Ｂ）及び図５の（Ａ）〜（Ｂ）は、この発
明の半導体レーザの製造方法を説明するための工程図で
ある。また、図６及び図７の（Ａ）〜（Ｂ）は、この発
明の半導体レーザの一つの素子構造を説明するための平
面図及び図６のＸ−Ｘ線及びＹ−Ｙ線に沿って切断した
ときの断面図である。しかしながら、図１〜図６の
（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明が理解できる程度に各構
成成分の形状、大きさ、及び配置を概略的に示してある
にすぎない。なお、断面を示すハッチングは省略して示
してある。1, 2 and 3 (A) to (B), FIG.
5 (A) to 5 (B) and FIGS. 5 (A) to 5 (B) are process diagrams for explaining the method for manufacturing the semiconductor laser of the present invention. 6A and 6B are plan views for explaining one element structure of the semiconductor laser of the present invention and are taken along line XX and YY of FIG. It is sectional drawing when cut. However, FIGS. 1 to 6 (A) and (B) only schematically show the shape, size, and arrangement of each component to the extent that the present invention can be understood. The hatching showing the cross section is omitted.
【００２５】［１］この発明の半導体レーザの製造方法
先ず、図１〜図５の（Ａ）及び（Ｂ）を参照してこの発
明の半導体レーザの製造方法について説明する。[1] Method of Manufacturing Semiconductor Laser of the Present Invention First, a method of manufacturing the semiconductor laser of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5 (A) and (B).
【００２６】基板１０として、ｎ型ＧａＡｓ基板を用い
る。この基板１０の表面の結晶面を（１００）面とす
る。また、基板１０の長手方向の側面及び端面の結晶面
をそれぞれ（０１−１）面及び（０１１）面とする。な
お、以下の説明で（０１−１）とか〈０１−１〉など中
の−１は、１の上にバー（−）を付したことを表してい
る。An n-type GaAs substrate is used as the substrate 10. The crystal plane on the surface of the substrate 10 is defined as a (100) plane. Further, the crystal faces of the side face and the end face in the longitudinal direction of the substrate 10 are defined as (01-1) face and (011) face, respectively. In the following description, -1 in (01-1) or <01-1> etc. means that a bar (-) is added above 1.
【００２７】次に、この基板１０上にＭＯＣＶＤ法（有
機金属気相成長法）を用いて第一導電型の下層クラッド
層１２、光ガイド層１４、エッチングストップ層１６、
活性層１８及び第二導電型の保護層２０を順次形成する
（図１）。なお、光ガイド層１４の組成及び膜厚は、半
導体レーザの発振特性に影響を与える因子であるため、
任意好適に設定する必要がある。この実施例では以下の
通りとする。Next, on the substrate 10, the lower clad layer 12 of the first conductivity type, the optical guide layer 14, the etching stop layer 16, is formed by MOCVD (metal organic chemical vapor deposition).
The active layer 18 and the second conductivity type protection layer 20 are sequentially formed (FIG. 1). Since the composition and film thickness of the light guide layer 14 are factors that affect the oscillation characteristics of the semiconductor laser,
It is necessary to set it appropriately. In this embodiment, it is as follows.
【００２８】光ガイド層の組成：アンドープＩｎＧａＡ
ｓＰ 光ガイド層の膜厚：５０ｎｍ〜１００ｎｍ 上述の組成及び膜厚を設定することによって、ＧａＡｓ
基板１０に格子整合する光ガイド（ＩｎＧａＡｓ）層で
はバンドギャップ波長が７６０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度に
なる。一方、活性層１８の組成及び膜厚は、９８０ｎｍ
程度の発振波長を得るため、この実施例では以下の通り
とする。Composition of light guide layer: undoped InGaA
Film thickness of sP light guide layer: 50 nm to 100 nm By setting the above composition and film thickness, GaAs
In the light guide (InGaAs) layer lattice-matched with the substrate 10, the band gap wavelength is about 760 nm to 830 nm. On the other hand, the composition and thickness of the active layer 18 are 980 nm.
In order to obtain a lasing wavelength of a certain degree, the following is performed in this embodiment.
【００２９】活性層の組成：ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
（但し、インジウム（Ｉｎ）の組成比率を１５重量％〜
１８重量％とする。） 活性層の膜厚：６ｎｍ〜７ｎｍ ここで、インジウム（Ｉｎ）の組成比率を１５重量％〜
１８重量％とした理由は、活性層の好適な発振波長を得
るためである。Composition of active layer: InGaAs / GaAs
(However, if the composition ratio of indium (In) is 15% by weight to
18% by weight. ) Film thickness of active layer: 6 nm to 7 nm where the composition ratio of indium (In) is 15% by weight to
The reason why it is set to 18% by weight is to obtain a suitable oscillation wavelength of the active layer.
【００３０】上述した各層以外の下側クラッド層１２、
エッチングストップ層１６及び保護層２０の組成をそれ
ぞれｎ型ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＰ及びｐ型ＩｎＧａＰと
する。The lower clad layer 12 other than the above-mentioned layers,
The compositions of the etching stop layer 16 and the protective layer 20 are n-type InGaP, InGaP, and p-type InGaP, respectively.
【００３１】次に、フォトリソグラフィ法によってスト
ライプ形のエッチングマスクパタン２２を保護層２０上
に形成した後、エッチングストップ層１６の表面が露出
するまでエッチングマスクパタンの開口部２２ｂに露出
している保護層２０側から保護層２０と活性層１８をエ
ッチングする。このとき、マスク部２２ａ（図中、斜線
を付してこの部分をしめしてある。）で露出されている
部分はエッチングされないのでストライプ状保護層２０
ａとストライプ状活性層１８ａが形成される（図２）。
なお、ここでは、エッチングマスクパタン２２の材料を
好ましくはＳｉＯ2 （二酸化シリコン）とし、エッチン
グマスクパタン２２のストライプ方向は基板１０の〈０
１−１〉方向に合わせるのが良い。このとき、保護層２
０ａと活性層１８ａを選択エッチングするエッチング条
件は以下の通りとする。Next, after a stripe-shaped etching mask pattern 22 is formed on the protective layer 20 by photolithography, the protection exposed in the opening 22b of the etching mask pattern until the surface of the etching stop layer 16 is exposed. The protective layer 20 and the active layer 18 are etched from the layer 20 side. At this time, the striped protective layer 20 is not etched since the portion exposed by the mask portion 22a (indicated by hatching in the figure) is not etched.
a and the stripe-shaped active layer 18a are formed (FIG. 2).
In this case, the material of the etching mask pattern 22 is preferably SiO 2 (silicon dioxide), and the stripe direction of the etching mask pattern 22 is <0 of the substrate 10.
It is better to align with the 1-1> direction. At this time, the protective layer 2
The etching conditions for selectively etching 0a and the active layer 18a are as follows.
【００３２】先ず、保護層（ｐ型ＩｎＧａＰ層）２０
は、塩素系のエッチャント、例えば塩酸（ＨＣｌ）と水
（Ｈ2 Ｏ）の重量比を４：１の比率で混合したエッチン
グ液を用いて除去する。このときエッチングマスクパタ
ン２２の開口部２２ｂはエッチングされるが、ＳｉＯ2
マスク部２２ａの部分はエッチングされずに残存してス
トライプ状の保護層２０ａとなる。First, the protective layer (p-type InGaP layer) 20
Is removed by using a chlorine-based etchant, for example, an etching solution in which hydrochloric acid (HCl) and water (H 2 O) are mixed at a weight ratio of 4: 1. At this time, the opening 22b of the etching mask pattern 22 is etched, but SiO 2
The portion of the mask portion 22a remains without being etched and becomes the stripe-shaped protective layer 20a.
【００３３】続いて、ＳｉＯ2 マスク部２２ａを沸酸
（ＨＦ）などのエッチング液中に浸漬して除去する。更
に、ＳｉＯ2 マスク部２２ａを除去した試料をアンモニ
ア（ＮＨ3 ）溶液と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）水の混合液
（例えば、重量比でＮＨ3 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 ＝１：４：
１５）を用いてエッチングする。このとき活性層（Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ層）１８のみが選択的にエッチング
されてエッチングストップ層（ＩｎＧａＰ層）１６や保
護層２０ａはエッチングされない。しかしながら、活性
層１８がエッチングストップ層１６の表面までエッチン
グされた後は、横方向すなわち〈０１１〉方向、にエッ
チングが進行するため、横方向の進行が始まる前にエッ
チングを完了するようにエッチング時間を制御する必要
がある。この実施例では、エッチング液の温度を約１０
℃に設定した場合、約１０秒間のエッチャント処理で活
性層１８を除去して、残存する活性層部分で〈０１−
１〉方向に延在するストライプ状活性層１８ａを形成す
ることができた。このとき形成された保護層２０ａの寸
法Ｌ（図２参照）は共振器長を決めるものであって、こ
の実施例では共振器長Ｌを５００μｍ〜７００μｍ程度
とする。一方、ストライプ状保護層２０ａ間の寸法Ｍ
（図２参照）は、非光吸収領域（Ｎｏｎ Ａｂｏｒｂｉ
ｎｇ Ｍｉｒｒｏｒｓ：略称ＮＡＭ領域という。）が形
成される部分であって、この実施例ではＮＡＭ領域の長
さを約５０μｍとする。Then, the SiO 2 mask portion 22a is removed by immersing it in an etching solution such as hydrofluoric acid (HF). Furthermore, the sample from which the SiO 2 mask portion 22a is removed is mixed with an ammonia (NH 3 ) solution and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) water (for example, NH 3 : H 2 O 2 : H 2 = 1 by weight ratio). : 4:
15) is used for etching. At this time, the active layer (In
Only the GaAs / GaAs layer 18 is selectively etched, and the etching stop layer (InGaP layer) 16 and the protective layer 20a are not etched. However, after the active layer 18 is etched to the surface of the etching stop layer 16, the etching progresses in the lateral direction, that is, the <011> direction. Therefore, the etching time is set so that the etching is completed before the lateral progress starts. Need to control. In this embodiment, the temperature of the etching solution is about 10
When the temperature is set to 0 ° C., the active layer 18 is removed by an etchant treatment for about 10 seconds, and the remaining active layer portion is <01-
It was possible to form the stripe-shaped active layer 18a extending in the 1> direction. The dimension L (see FIG. 2) of the protective layer 20a formed at this time determines the resonator length. In this embodiment, the resonator length L is about 500 μm to 700 μm. On the other hand, the dimension M between the stripe-shaped protective layers 20a
(See FIG. 2) is a non-light absorbing region (Non Aborbi).
ng Mirrors: Abbreviated as NAM region. ) Is formed, and the length of the NAM region is about 50 μm in this embodiment.
【００３４】次に、保護層２０ａとエッチングストップ
層１６上にＭＯＣＶＤ法を用いて第二導電型の上側クラ
ッド層２４と第二導電型のコンタクト層２６とを順次に
形成し、する図３の（Ａ）に示す構造体を得る。この構
造体によれば、エッチングストップ上に設けたストライ
プ状活性層１８ａ及びストライプ状保護層２０ａを埋め
込むように上側クラッド層２４が形成され、この上側ク
ラッド層２４の上面は実質的に平面となっている。ま
た、ここでは、上側クラッド層２４及びコンタクト層２
６のそれぞれの層がｐ型材料で構成されており、各層の
材料をＩｎＧａＰ、ＧａＡｓとする。Next, the second conductivity type upper clad layer 24 and the second conductivity type contact layer 26 are sequentially formed on the protective layer 20a and the etching stop layer 16 by MOCVD method, which is shown in FIG. The structure shown in (A) is obtained. According to this structure, the upper clad layer 24 is formed so as to fill the stripe-shaped active layer 18a and the stripe-shaped protective layer 20a provided on the etching stop, and the upper surface of the upper clad layer 24 is substantially flat. ing. Further, here, the upper clad layer 24 and the contact layer 2
Each of layers 6 is composed of a p-type material, and the material of each layer is InGaP or GaAs.
【００３５】次に、コンタクト層２６上に、ストライプ
状保護層２０ａのストライプ方向に対して直交する方向
に延在し、かつ保護層２０ａ上では幅広で保護層２０ａ
間の領域では幅狭の第二エッチングマスクパタン２８を
形成する（図３の（Ｂ））。なお、好ましくは、第二エ
ッチングマスクパタン２８の材料をＳｉＯ2 とする。Next, the protective layer 20a is formed on the contact layer 26 so as to extend in a direction orthogonal to the stripe direction of the stripe-shaped protective layer 20a, and is wide on the protective layer 20a.
A narrow second etching mask pattern 28 is formed in the region between them ((B) of FIG. 3). The material of the second etching mask pattern 28 is preferably SiO 2 .
【００３６】その後、この第二エッチングマスクパタン
２８を用いて図３の（Ｂ）の構造体に対し、等方エッチ
ングを行ってコンタクト層２６から下側クラッド層１２
の一部の深さまでを除去してメサストライプ状の光共振
器層２７とメサストライプ状の非光共振器層２９とを形
成する。これら光共振器２７及び非光共振器層２９が形
成された構造体を図４の（Ａ）に示す。このとき、形成
された光共振器層２７は、それぞれ残存したコンタクト
層２６ａ、上側クラッド層２４ａ、保護層２０ｂ、活性
層１８ｂ、エッチングストップ層１６ａ，光ガイド層１
４ａ、及び下側クラッド層１２ａを有している。一方、
非光共振器層２９は、それぞれ残存したコンタクト層２
６ｂ、上側クラッド層２４ｂ、エッチングストップ層１
６ｂ，光ガイド層１４ｂ、及び下側クラッド層１２ａを
有している。ここで、残存したコンタクト層２６ａと２
６ｂは連続しており、残存した上側クラッド層２４ａと
２４ｂは連続しており、残存したエッチングストップ層
１６ａと１６ｂは連続しており、残存した光ガイド層１
４ａと１４ｂは連続しており、残存した下側クラッド層
１２ａは光共振器層２７と非光共振器層２９とに共通と
なっている。また、残存した保護膜２０ｂ及び残存した
活性層１８ｂは光共振器層２７にのみ含まれている。な
お、このときのエッチング液は、臭化水素（ＨＢｒ）と
過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）と水（Ｈ2 Ｏ）との混合液（例
えばＨＢｒ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝５：１：１０の重量比
とする。）を用いる。光共振器層２７の活性層の幅Ｃを
例えば１．５μｍ〜２．０μｍとし、ＮＡＭ領域の幅Ｄ
を例えば１．０μｍ〜１．５μｍとする。その後、光共
振器層２７及び非光共振器層２９の少なくとも上面の縁
３３まで第二導電型の下側電流ブロック層３０を埋め込
み、更に、この下側電流ブロック層３０上に第一導電型
の上側電流ブロック層３２を埋め込み図４の（Ｂ）に示
すような構造体を得る。なお、下側電流ブロック層３０
をｐ型とし、材料としてＩｎＧａＰを用いる。また、上
側電流ブロック層３２をｎ型とし、材料としてＩｎＧａ
Ｐを用いる。After that, the structure of FIG. 3B is isotropically etched by using the second etching mask pattern 28 so that the contact layer 26 extends to the lower cladding layer 12.
Is removed to a depth of a part thereof to form a mesa stripe-shaped optical resonator layer 27 and a mesa stripe-shaped non-optical resonator layer 29. A structure in which the optical resonator 27 and the non-optical resonator layer 29 are formed is shown in FIG. At this time, the formed optical resonator layer 27 has the contact layer 26a, the upper clad layer 24a, the protective layer 20b, the active layer 18b, the etching stop layer 16a, and the optical guide layer 1 which remain.
4a and the lower clad layer 12a. on the other hand,
The non-optical resonator layer 29 is the contact layer 2 that remains.
6b, upper clad layer 24b, etching stop layer 1
6b, the optical guide layer 14b, and the lower clad layer 12a. Here, the remaining contact layers 26a and 2
6b is continuous, the remaining upper cladding layers 24a and 24b are continuous, the remaining etching stop layers 16a and 16b are continuous, and the remaining optical guide layer 1
4a and 14b are continuous, and the remaining lower clad layer 12a is common to the optical resonator layer 27 and the non-optical resonator layer 29. The remaining protective film 20b and the remaining active layer 18b are included only in the optical resonator layer 27. The etching solution at this time is a mixed solution of hydrogen bromide (HBr), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and water (H 2 O) (for example, HBr: H 2 O 2 : H 2 O = 5). 1:10 weight ratio) is used. The width C of the active layer of the optical resonator layer 27 is set to, for example, 1.5 μm to 2.0 μm, and the width D of the NAM region is set.
Is, for example, 1.0 μm to 1.5 μm. After that, the lower current blocking layer 30 of the second conductivity type is embedded up to at least the edge 33 of the upper surface of the optical resonator layer 27 and the non-optical resonator layer 29, and the first conductivity type is further formed on the lower current blocking layer 30. The upper current blocking layer 32 is embedded to obtain a structure as shown in FIG. The lower current blocking layer 30
Is a p-type and InGaP is used as a material. In addition, the upper current blocking layer 32 is an n-type and the material is InGa.
P is used.
【００３７】次に、一旦第二エッチングマスクパタン２
８を除去し、その後、光共振器層２７を被覆する、例え
ば基板の〈０１−１〉方向に延在するストライプ状の第
三エッチングマスク３４を形成する（図５の（Ａ）参
照）。Next, once the second etching mask pattern 2
Then, the third etching mask 34 having a stripe shape, for example, extending in the <01-1> direction of the substrate is formed to cover the optical resonator layer 27 (see FIG. 5A).
【００３８】次に、非光共振器層２９側のコンタクト層
２６ｂの部分を任意好適なエッチングを行って選択的に
除去する。この実施例では、光共振器２７側のコンタク
ト層の表面にＳｉＯ2 マスク３４を形成した後、非光共
振器２９側にあるコンタクト層２６ｂを除去して凹部３
５を形成し、よって図５の（Ａ）に示すような構造体を
える。Next, the portion of the contact layer 26b on the non-optical resonator layer 29 side is selectively removed by performing any suitable etching. In this embodiment, after the SiO 2 mask 34 is formed on the surface of the contact layer on the optical resonator 27 side, the contact layer 26b on the non-optical resonator 29 side is removed to form the recess 3
5 is formed, thus obtaining a structure as shown in FIG.
【００３９】次に、第三エッチングマスク３４を除去し
た後、非光共振器２９側のコンタクト層を除去した凹部
３５を埋め込むとともに上側電流ブロック層３２上に任
意好適な方法を用いて絶縁膜３６を形成する（図５の
（Ｂ）参照）。Next, after removing the third etching mask 34, the recess 35 in which the contact layer on the non-optical resonator 29 side is removed is buried, and the insulating film 36 is formed on the upper current block layer 32 by using any suitable method. Are formed (see FIG. 5B).
【００４０】然る後、基板１０の上面にはｐ型電極（図
示せず）を形成し、かつ基板１０の下面にはｎ型電極
（図示せず）を形成する。その後、メサストライプ状の
光共振器層２７及び非光共振器層２９の配列方向、すな
わち基板の〈０１１〉方向に対して直交させてコンタク
ト層２６ａ間を例えばダイシングによって切断して半導
体レーザのチップを形成する（図示せず。）。このとき
切り出された半導体チップの一方の劈開面に低反射膜を
形成し、他方の劈開面に高反射膜を形成する（図示せ
ず）。上述した製造方法を経て半導体レーザが完成す
る。After that, a p-type electrode (not shown) is formed on the upper surface of the substrate 10, and an n-type electrode (not shown) is formed on the lower surface of the substrate 10. After that, the contact layers 26a are cut orthogonally to the arrangement direction of the mesa-stripe-shaped optical resonator layer 27 and the non-optical resonator layer 29, that is, the <011> direction of the substrate, for example, by dicing to cut the semiconductor laser chip. Are formed (not shown). At this time, a low reflection film is formed on one cleavage surface of the cut semiconductor chip, and a high reflection film is formed on the other cleavage surface (not shown). A semiconductor laser is completed through the manufacturing method described above.
【００４１】上述したこの発明の半導体レーザの製造方
法から理解できるように、ストライプ状のエッチングマ
スクパタン２２が延在する方向を基板の〈０１−１〉方
向に一致させて、保護層２０と活性層１８を部分的に選
択エッチングすることによって多数のストライプ状の保
護層２０ａ及び活性層１８ａを形成できる。As can be understood from the above-described method for manufacturing a semiconductor laser of the present invention, the direction in which the stripe-shaped etching mask pattern 22 extends is made coincident with the <01-1> direction of the substrate to activate the protective layer 20. A large number of stripe-shaped protective layers 20a and active layers 18a can be formed by partially selectively etching the layer 18.
【００４２】また、光ガイド層１４上にエッチングスト
ップ層１６を形成してあるため、保護層２０と活性層１
８の選択エッチングが可能になる。Further, since the etching stop layer 16 is formed on the optical guide layer 14, the protective layer 20 and the active layer 1 are formed.
8 selective etching becomes possible.
【００４３】また、コンタクト層２６上にストライプ状
保護層２０ａに対して直交させ、かつ保護層２０ａ上で
は幅広にし、保護層２０ａ間では幅狭の第二エッチング
マスクパタン２８を用いて等方性エッチングを行ってい
るので、このエッチングによって形成されたメサストラ
イプ状の光共振器層２７及び非光共振器層２９も第二エ
ッチングマスクパタンの形状を反映して幅広の光共振器
層２７と光共振器層２７より幅狭の非光共振器層２９が
形成される。従って、光共振器層２７の活性層の幅は、
第二エッチングマスクパタンの幅に応じて任意に制御す
ることができる。一方、非光共振器層２９の非光吸収領
域の幅Ｄは光共振器層の幅Ｃに比べて狭くできる。更
に、非光共振器層２９側のコンタクト層２６ｂを除去部
分には、絶縁膜３６を形成してあるので、半導体レーザ
を動作させた場合、非光吸収領域２４ｂには電流が流れ
にくくなって、劈開面に光学損傷（ＣＯＤ）が改善され
る。Further, a second etching mask pattern 28 is formed on the contact layer 26 so as to be orthogonal to the stripe-shaped protective layer 20a, wide on the protective layer 20a, and narrow between the protective layers 20a. Since the etching is performed, the mesa-stripe-shaped optical resonator layer 27 and the non-optical resonator layer 29 formed by this etching also reflect the shape of the second etching mask pattern and the wide optical resonator layer 27 and the optical resonator layer 29. A non-optical resonator layer 29 narrower than the resonator layer 27 is formed. Therefore, the width of the active layer of the optical resonator layer 27 is
It can be arbitrarily controlled according to the width of the second etching mask pattern. On the other hand, the width D of the non-optical absorption region of the non-optical resonator layer 29 can be made narrower than the width C of the optical resonator layer. Further, since the insulating film 36 is formed in the portion where the contact layer 26b on the non-optical resonator layer 29 side is removed, when the semiconductor laser is operated, it becomes difficult for current to flow in the non-optical absorption region 24b. , Optical damage (COD) on the cleaved surface is improved.
【００４４】［２］この発明の半導体レーザの構造 次に、図６及び図７の（Ａ）〜（Ｂ）を参照してこの発
明の半導体レーザの構造について説明する。なお、図６
は、この半導体レーザの概略的平面図であり、図７の
（Ａ）〜（Ｂ）は図６のＸ−Ｘ線及びＹ−Ｙ線に沿って
切断したときの概略的断面図である。なお、これらの図
では、上側及び下側の各電極とか各反射面を省略して
る。[2] Structure of Semiconductor Laser of the Present Invention Next, the structure of the semiconductor laser of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7A to 7B. Note that FIG.
FIG. 7 is a schematic plan view of this semiconductor laser, and FIGS. 7A to 7B are schematic cross-sectional views taken along the line XX and the line YY in FIG. In these figures, the upper and lower electrodes and the reflecting surfaces are omitted.
【００４５】この発明の半導体レーザは、基板１０上に
メサストライプ状の光共振器層２７とこれに隣接して設
けられたメサストライプ状の非光共振器層２９とを具え
ている。そして、非光共振器層２９の幅Ｄは、光共振器
層の幅Ｃより狭く形成してある。また、光共振器層２７
及び非光共振器層２９の少なくとも上面の縁３３まで第
二導電型の下側電流ブロック層３０を埋め込んであっ
て、更に下側電流ブロック層３０上に第一導電型の上側
電流ブロック層３２を埋め込んである。The semiconductor laser of the present invention comprises a mesa stripe-shaped optical resonator layer 27 on the substrate 10 and a mesa stripe-shaped non-optical resonator layer 29 provided adjacent thereto. The width D of the non-optical resonator layer 29 is formed narrower than the width C of the optical resonator layer. In addition, the optical resonator layer 27
And the lower current block layer 30 of the second conductivity type is embedded up to at least the edge 33 of the upper surface of the non-optical resonator layer 29, and the upper current block layer 32 of the first conductivity type is further provided on the lower current block layer 30. Is embedded.
【００４６】次に、図６及び図７の（Ａ）〜（Ｂ）を参
照して光共振器層２７と非光共振器層２９のメサストラ
イプ構造について説明する。Next, the mesa stripe structure of the optical resonator layer 27 and the non-optical resonator layer 29 will be described with reference to FIGS. 6 and 7A to 7B.
【００４７】光共振器層２７は、基板１０上に第一導電
型の下側クラッド層１２ａ、光ガイド層１４ａ，エッチ
ングストップ層１６ａ、活性層１８ｂ保護層２０ｂ、第
二導電型の上側クラッド層２４ａ及び第二導電型のコン
タクト層２６ａを順次積層して構成してある（図７の
（Ａ））。また、第一導電型の下側クラッド層１２ａ、
光ガイド層１４ａ，エッチングストップ層１６ａ、活性
層１８ｂ、保護層２０ｂ、第二導電型の上側クラッド層
２４ａ及び第二導電型のコンタクト層２６ａに使用され
る各層の材料は、製造方法で説明したものと同一である
ため、ここでは説明を省略する。The optical resonator layer 27 includes the lower clad layer 12a of the first conductivity type, the optical guide layer 14a, the etching stop layer 16a, the protective layer 20b of the active layer 18b, and the upper clad layer of the second conductivity type on the substrate 10. 24a and a contact layer 26a of the second conductivity type are sequentially laminated (FIG. 7A). Further, the lower clad layer 12a of the first conductivity type,
The material of each layer used for the light guide layer 14a, the etching stop layer 16a, the active layer 18b, the protective layer 20b, the second conductivity type upper cladding layer 24a, and the second conductivity type contact layer 26a is described in the manufacturing method. Since it is the same as the one described above, the description is omitted here.
【００４８】また、非光共振器層２９は、基板１０上に
第一導電型の下側クラッド層１２ａ、光ガイド層１４
ｂ、エッチングストップ層１６ｂ、第二導電型の上側ク
ラッド層２４ｂ及び絶縁膜３６を順次積層して構成して
ある（図７の（Ｂ））。また、各層に使用されている材
料についても製造方法を説明したものと同一であるた
め、ここでは説明を省略する。The non-optical resonator layer 29 includes the lower clad layer 12a of the first conductivity type and the optical guide layer 14 on the substrate 10.
b, the etching stop layer 16b, the second conductivity type upper clad layer 24b, and the insulating film 36 are sequentially stacked (FIG. 7B). Further, the materials used for the respective layers are the same as those described in the manufacturing method, and therefore the description thereof is omitted here.
【００４９】上述した半導体レーザの構造からも理解で
きるように、光共振器層２７には、活性層１８ｂと保護
層２０ｂが設けられているのに対して非光共振器層２９
側には活性層１８ｂと保護層２０ｂがない。しかしなが
ら、非光共振器層２９側には、活性層１８ｂや保護層２
０ｂの代わりに上側クラッド層の部分２４ｂが光共振器
層２７の上側クラッド層の部分２４ａから連続して設け
てあり、この非光共振器層２９における部分２４ｂが非
光吸収領域になる。更に、上側クラッド層２４ａ及び上
側クラッド層２４ｂ上に絶縁膜３６が設けてある。As can be understood from the structure of the semiconductor laser described above, the optical resonator layer 27 is provided with the active layer 18b and the protective layer 20b, whereas the non-optical resonator layer 29 is provided.
There is no active layer 18b and protective layer 20b on the side. However, the active layer 18b and the protective layer 2 are provided on the non-optical resonator layer 29 side.
0b, an upper clad layer portion 24b is provided continuously from the upper clad layer portion 24a of the optical resonator layer 27, and a portion 24b of the non-optical resonator layer 29 serves as a non-optical absorption region. Further, an insulating film 36 is provided on the upper clad layer 24a and the upper clad layer 24b.
【００５０】また、光共振器層２７の幅を広く取り、非
光共振器層２９の幅は光共振器層の幅よりも狭くしてあ
る。したがって、非光共振器層２９側に形成される非光
吸収領域２４ｂの幅Ｄは、光共振器層側に形成されてい
る活性層の幅Ｃより狭くなる。また、この半導体レーザ
を動作させた場合、レーザ出力光は、９８０ｎｍの発振
波長で光ガイド層１４から出てくる。また、この非光吸
収領域２４ｂの上部には絶縁膜３６があるため、非光吸
収領域２４ｂには電流が流れにくくなる。このため、非
光吸収領域近傍の劈開面は、光密度及び電流密度が低減
されて、劈開面からの光学損傷は起こらない。また、非
光吸収領域の幅は、活性層１８ｂの幅より狭くしてある
ため、光出力の遠視野像（ＦＦＰ）が容易に制御できる
ので、光ファイバーへの結合効率が著しく向上する。更
に、活性層の幅を広くとることによって、従来の半導体
レーザと同様、熱飽和による光出力の低減を抑制できる
という利点もある。Further, the width of the optical resonator layer 27 is wide, and the width of the non-optical resonator layer 29 is narrower than the width of the optical resonator layer. Therefore, the width D of the non-light absorbing region 24b formed on the non-optical resonator layer 29 side is narrower than the width C of the active layer formed on the optical resonator layer side. When this semiconductor laser is operated, laser output light emerges from the light guide layer 14 at an oscillation wavelength of 980 nm. Further, since the insulating film 36 is provided on the non-light absorbing region 24b, it becomes difficult for current to flow in the non-light absorbing region 24b. Therefore, the cleaved surface in the vicinity of the non-light absorbing region has a reduced light density and current density, and optical damage does not occur from the cleaved surface. Further, since the width of the non-light absorption region is narrower than the width of the active layer 18b, the far field pattern (FFP) of the light output can be easily controlled, and the coupling efficiency with the optical fiber is significantly improved. Further, by making the width of the active layer wide, there is an advantage that the reduction of the optical output due to thermal saturation can be suppressed as in the conventional semiconductor laser.
【００５１】また、この発明の半導体レーザの各層の材
料には、Ａｌが含まれていないので、酸化などによって
各層間の界面の整合性が損なわれることはない。このた
め、高い信頼性を有する優れた半導体レーザを作製でき
る。Further, since the material of each layer of the semiconductor laser of the present invention does not contain Al, the matching of the interfaces between the layers is not impaired by oxidation or the like. Therefore, an excellent semiconductor laser having high reliability can be manufactured.
【００５２】また、活性層の幅は、上述した従来の半導
体レーザのように端面まで伸ばさず下側電流ブロック層
と上側電流ブロック層とで埋め込んであるので、発振し
きい値電流の低減化が可能になる。Further, the width of the active layer is not extended to the end face like the conventional semiconductor laser described above, but is embedded in the lower current block layer and the upper current block layer, so that the oscillation threshold current can be reduced. It will be possible.
【００５３】[0053]
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の半導体レーザは、基板上に、メサストライプ状
の光共振器層とこれに隣接して設けられた光共振器層よ
り幅狭でメサストライプ状の非光共振器層とを具えてい
る。そして、光共振器層及び非光共振器層の少なくとも
上面の縁まで第二導電型の下側電流ブロック層を埋め込
み、更に、下側電流ブロック層上に第一導電型の上側電
流ブロック層を埋め込んである。また、光共振器層側に
は、活性層が設けてあるが、非光共振器層側には活性層
はなく、その代わり非光吸収領域が設けてある。更に、
光共振器層側の活性層の幅は広く、かつ非光共振器層側
の非光吸収領域（ＮＡＭ領域）の幅は活性層の幅より狭
くしてある。従って、活性層の幅は光共振器層の幅に応
じて任意好適に制御することができる。また、活性層の
幅方向も下側及び上側電流ブロック層で埋め込んである
ので、活性層にレーザ光を励起させた場合、発振しきい
値電流を抑制できる。このため、発振しきい値電流を高
くしなくても最高光出力特性を得ることができる。しか
も、活性層の幅を広くとることによって、熱飽和による
光出力の低下も合わせて抑制できるという利点もある。
また、非光吸収領域の幅を活性層の幅より狭くし、かつ
下側及び上側電流ブロック層で埋め込んであるので、遠
視野像（ＦＦＰ）の制御が容易になり、半導体レーザを
例えば光ファイバーに結合して用いる場合、光ファイバ
ーへの入力光の結合ロスを低減できる。更に、この発明
の半導体レーザを構成している各層には、Ａｌ組成が含
まれていないため、酸化による各層間の界面の劣化はな
くなり、信頼性の高い半導体レーザを作製できる。As is apparent from the above description, the semiconductor laser of the present invention has a width narrower than that of the mesa-stripe-shaped optical resonator layer and the optical resonator layer provided adjacent thereto on the substrate. And a non-optical resonator layer having a mesa stripe shape. Then, the lower current block layer of the second conductivity type is buried to at least the edges of the upper surfaces of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer, and further, the upper current block layer of the first conductivity type is formed on the lower current block layer. It is embedded. Further, although the active layer is provided on the optical resonator layer side, the active layer is not provided on the non-optical resonator layer side, and instead, the non-optical absorption region is provided. Furthermore,
The width of the active layer on the optical resonator layer side is wide, and the width of the non-optical absorption region (NAM region) on the non-optical resonator layer side is narrower than the width of the active layer. Therefore, the width of the active layer can be arbitrarily and appropriately controlled according to the width of the optical resonator layer. Further, the width direction of the active layer is also filled with the lower and upper current blocking layers, so that the oscillation threshold current can be suppressed when the active layer is excited with laser light. Therefore, the maximum light output characteristic can be obtained without increasing the oscillation threshold current. Moreover, by widening the width of the active layer, there is also an advantage that a decrease in light output due to thermal saturation can be suppressed together.
Further, since the width of the non-light absorbing region is narrower than the width of the active layer and the lower and upper current blocking layers are embedded, the far field pattern (FFP) can be easily controlled, and the semiconductor laser can be used as an optical fiber, for example. When used in combination, the coupling loss of the input light to the optical fiber can be reduced. Further, since each layer constituting the semiconductor laser of the present invention does not contain Al composition, deterioration of the interface between the layers due to oxidation is eliminated, and a highly reliable semiconductor laser can be manufactured.
【００５４】また、この発明の半導体レーザの製造方法
によれば、エッチングマスクパタンのストライプ方向を
基板の〈０１−１〉方向に合わせてある。また、光ガイ
ド層上にエッチングストップ層を形成している。このた
め、エッチングストップ層上に形成される活性層と第二
導電型の保護層をエッチングマスクパタンを用いて選択
的にエッチングを行うことによってストライプ状の活性
層と保護層を形成できる。また、エッチングマスクパタ
ンのストライプ方向を基板の〈０１−１〉方向に合わせ
ることによってウエットエッチングが容易になり、スト
ライプ状活性層及びストライプ状保護層を多数形成でき
る。According to the method of manufacturing a semiconductor laser of the present invention, the stripe direction of the etching mask pattern is aligned with the <01-1> direction of the substrate. Further, an etching stop layer is formed on the light guide layer. Therefore, a stripe-shaped active layer and a protective layer can be formed by selectively etching the active layer and the second-conductivity-type protective layer formed on the etching stop layer using an etching mask pattern. Further, by aligning the stripe direction of the etching mask pattern with the <01-1> direction of the substrate, wet etching is facilitated, and a large number of stripe-shaped active layers and stripe-shaped protective layers can be formed.
【００５５】また、コンタクト層上にストライプ状の保
護膜に対して直交させて、保護膜上では幅広で保護層間
では幅狭の第二エッチングマスクパタンを形成する。そ
の後、第二エッチングマスクパタンをマスクとして用い
て等方性エッチングを行うことによって、メサストライ
プ状の光共振器層とメサストライプ状の非光共振器層を
同時に形成することができる。このようにして形成され
た光共振器層の活性層幅は広くなり、非光共振器層の非
光吸収領域の幅は、活性層の幅より狭くなる。Further, a second etching mask pattern having a wide width on the protective film and a narrow width between the protective layers is formed on the contact layer so as to be orthogonal to the stripe-shaped protective film. Then, isotropic etching is performed using the second etching mask pattern as a mask, whereby the mesa-stripe-shaped optical resonator layer and the mesa-stripe-shaped non-optical resonator layer can be simultaneously formed. The width of the active layer of the optical resonator layer thus formed is widened, and the width of the non-optical absorption region of the non-optical resonator layer is narrower than the width of the active layer.
【００５６】また、光共振器層及び非光共振器層の上面
の縁まで第二導電型の下側電流ブロック層を埋め込み、
更に、下側電流ブロック層上に第一導電型の上側電流ブ
ロック層を埋め込んである。このため、レーザ光を活性
層に励起させる場合、活性層の発振しきい値電流の低下
を抑制できる。また、非光吸収領域は、活性層の幅より
狭くして、下層及び上側電流ブロック層で埋め込んであ
るので、遠視野像（ＦＦＰ）の制御が容易になる。ま
た、非光吸収領域の上部に絶縁層を形成しているので、
レーザ光を励起した際に非光吸収領域には電流が流れに
くくなり、従来の半導体レーザに比べ非光共振器側の劈
開面付近に発生する光学損傷が更に減少する。Further, the lower current blocking layer of the second conductivity type is buried up to the edges of the upper surfaces of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer,
Furthermore, an upper current blocking layer of the first conductivity type is embedded on the lower current blocking layer. Therefore, when laser light is excited in the active layer, it is possible to suppress a decrease in the oscillation threshold current of the active layer. Further, since the non-light absorption region is narrower than the width of the active layer and embedded in the lower layer and the upper current blocking layer, the far field pattern (FFP) can be easily controlled. Moreover, since the insulating layer is formed on the non-light absorbing region,
When the laser light is excited, a current hardly flows in the non-light absorbing region, and the optical damage generated near the cleavage plane on the non-optical resonator side is further reduced as compared with the conventional semiconductor laser.
【図１】この発明の半導体レーザの製造方法の一実施例
を説明するために供する工程図である。FIG. 1 is a process chart provided for explaining an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor laser of the present invention.
【図２】図１の後工程を説明するために供する工程図で
ある。FIG. 2 is a process chart provided for explaining a post process of FIG.
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、図２の後工程を説明するた
めに供する工程図である。3 (A) to 3 (B) are process drawings provided for explaining the post-process of FIG. 2.
【図４】（Ａ）〜（Ｂ）は、図３の後工程を説明するた
めに供する工程図である。4 (A) to (B) are process drawings provided for explaining a post-process of FIG. 3.
【図５】（Ａ）〜（Ｂ）は、図４の後工程を説明するた
めに供する工程図である。5 (A) to 5 (B) are process charts provided for explaining the post-process of FIG. 4.
【図６】この発明の半導体レーザの構造を説明するため
に供する概略的平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view provided for explaining the structure of the semiconductor laser of the present invention.
【図７】（Ａ）〜（Ｂ）は、図６のＸ−Ｘ線及びＹ−Ｙ
線に沿って切断した概略的断面図である。7 (A) and (B) are X-X line and Y-Y of FIG.
It is a schematic sectional drawing cut | disconnected along a line.
１０：基板（ｎ−ＧａＡｓ基板） １２、１２ａ：下側クラッド層 １４、１４ａ、１４ｂ：光ガイド層 １６、１６ａ：エッチングストップ層 １８、１８ａ，１８ｂ：活性層 ２０、２０ａ、２０ｂ：保護層 ２２：エッチングマスクパタン ２４、２４ａ：上側クラッド層 ２４ｂ：非光吸収領域 ２６、２６ａ、２６ｂ：コンタクト層 ２７：光共振器層 ２８：第二エッチングマスクパタン ２９：非光共振器層 ３０：下側電流ブロック層（ｐ−ＩｎＧａＰ） ３２：上側電流ブロック層（ｎ−ＩｎＧＡＰ） ３３：上面の縁 ３４：第三ＳｉＯ2 エッチングマスク ３５：凹部 ３６：絶縁膜10: Substrate (n-GaAs substrate) 12, 12a: Lower cladding layer 14, 14a, 14b: Optical guide layer 16, 16a: Etching stop layer 18, 18a, 18b: Active layer 20, 20a, 20b: Protective layer 22 : Etching mask pattern 24, 24a: Upper cladding layer 24b: Non-optical absorption region 26, 26a, 26b: Contact layer 27: Optical resonator layer 28: Second etching mask pattern 29: Non-optical resonator layer 30: Lower current Block layer (p-InGaP) 32: Upper current block layer (n-InGAP) 33: Edge of upper surface 34: Third SiO 2 etching mask 35: Recess 36: Insulating film
Claims (6)
層とこれに隣接して設けられ、かつ該光共振器層より幅
狭でメサストライプ状の非光共振器層とを具え、 前記光共振器層及び前記非光共振器層の少なくとも上面
の縁まで第二導電型の下側電流ブロック層を埋め込み、
更に、該下側電流ブロック層上に第一導電型の上側電流
ブロック層を埋め込んでなることを特徴とする半導体レ
ーザ。1. A mesa-stripe-shaped optical resonator layer and a mesa-stripe-shaped non-optical resonator layer which is provided adjacent to the mesa-stripe-shaped optical resonator layer and is narrower than the optical resonator layer, Embedding a lower current blocking layer of the second conductivity type to at least the edge of the upper surface of the optical resonator layer and the non-optical resonator layer,
Furthermore, a semiconductor laser in which an upper current blocking layer of a first conductivity type is embedded on the lower current blocking layer.
て、 前記光共振器層は、前記基板上に、第一導電型の下側ク
ラッド層、光ガイド層、エッチングストップ層、活性
層、第二導電型の保護層、第二導電型の上側クラッド層
及び第二導電型のコンタクト層を順次積層して構成して
なることを特徴とする半導体レーザ。2. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the optical resonator layer has a lower cladding layer of a first conductivity type, an optical guide layer, an etching stop layer, an active layer, and a second layer on the substrate. A semiconductor laser comprising a conductive type protective layer, a second conductive type upper clad layer, and a second conductive type contact layer, which are sequentially stacked.
て、 前記非光共振器層は、前記基板上に、第一導電型の下側
クラッド層、光ガイド層、エッチングストップ層、第二
導電型の上側クラッド層及び第二導電型のコンタクト層
を順次積層して構成し、かつ前記上側クラッド層を非光
吸収領域として構成してなることを特徴とする半導体レ
ーザ。3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the non-optical resonator layer has a lower clad layer of a first conductivity type, an optical guide layer, an etching stop layer, and a second conductivity type on the substrate. 2. A semiconductor laser, wherein the upper clad layer and the contact layer of the second conductivity type are sequentially laminated and configured, and the upper clad layer is configured as a non-light absorbing region.
ーザにおいて、 前記下側クラッド層をＩｎＧａＰ、光ガイド層をＩｎＧ
ａＡｓＰ、エッチングストップ層をＩｎＧａＰ、活性層
をＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、保護層をＩｎＧａＰ、上側
クラッド層をＩｎＧａＰ及びコンタクト層の材料をＧａ
Ａｓとすることを特徴とする半導体レーザ。4. The semiconductor laser according to claim 2, wherein the lower clad layer is InGaP and the optical guide layer is InG.
aAsP, the etching stop layer is InGaP, the active layer is InGaAs / GaAs, the protective layer is InGaP, the upper cladding layer is InGaP, and the contact layer material is Ga.
A semiconductor laser characterized by being As.
るに当たり、（ａ）基板上に、第一導電型の下側クラッ
ド層、光ガイド層、エッチングストップ層、活性層及び
第二導電型の保護層を順次形成する工程と、（ｂ）前記
保護層上にストライプ形のエッチングマスクパタンを用
いて、選択エッチングにより前記エッチングストップ層
の表面が露出するまで前記保護層と前記活性層とを除去
してストライプ状の前記保護層及び活性層を形成する工
程と、（ｃ）前記保護層と前記エッチングストップ層上
に第二導電型の上側クラッド層と第二導電型のコンタク
ト層とをそれぞれ形成する工程と、（ｄ）前記コンタク
ト層上にストライプ状の保護層に対して直交させて、か
つ該保護層上では幅広で前記保護層間では幅狭の第二エ
ッチングマスクパタンを形成する工程と、（ｅ）その
後、等方性エッチングを行って前記コンタクト層、前記
上側クラッド層、前記保護層、前記活性層、前記エッチ
ングストップ層、前記光ガイド層及び前記下側クラッド
層の一部を除去してメサストライプ状の光共振器層及び
非光共振器層を形成する工程と、（ｆ）前記光共振器層
及び非光共振器層の少なくとも上面の縁まで第二導電型
の下側電流ブロック層を埋め込み、更に、該下側電流ブ
ロック層上に第一導電型の上側電流ブロック層を埋め込
む工程と、（ｇ）前記非光共振器層側の前記コンタクト
層の部分を選択的に除去する工程と、（ｈ）前記非光共
振器層側の前記コンタクト層を除去した部分に絶縁膜を
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの
製造方法。5. In forming the semiconductor laser according to claim 1, (a) a lower clad layer of the first conductivity type, an optical guide layer, an etching stop layer, an active layer and a second conductivity type are formed on the substrate. Sequentially forming the protective layer, and (b) using the stripe-shaped etching mask pattern on the protective layer, selectively forming the protective layer and the active layer until the surface of the etching stop layer is exposed. Removing the stripe-shaped protective layer and the active layer, and (c) forming a second conductive type upper clad layer and a second conductive type contact layer on the protective layer and the etching stop layer, respectively. And (d) a second etching mask pattern that is orthogonal to the stripe-shaped protective layer on the contact layer and has a wide width on the protective layer and a narrow width between the protective layers. And (e) isotropically etching to form the contact layer, the upper clad layer, the protective layer, the active layer, the etching stop layer, the light guide layer, and the lower clad. A step of removing a part of the layer to form a mesa-stripe-shaped optical resonator layer and a non-optical resonator layer; Embedding a conductive type lower current block layer, and further embedding a first conductive type upper current block layer on the lower current block layer, and (g) forming the contact layer on the non-optical resonator layer side. A method of manufacturing a semiconductor laser, comprising: a step of selectively removing a portion; and (h) a step of forming an insulating film on a portion of the non-optical resonator layer side where the contact layer is removed.
法において、 前記（ｂ）工程に記載のストライプ状のエッチングマス
クパタンのストライプ方向を前記基板の〈０１−１〉
（但し、−１の記号はバー（−１）であることを示す。
方向とすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。6. The method for manufacturing a semiconductor laser according to claim 5, wherein the stripe direction of the stripe-shaped etching mask pattern according to the step (b) is set to <01-1> of the substrate.
(However, the symbol -1 indicates a bar (-1).
1. A method for manufacturing a semiconductor laser, characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP6004488A JP3043561B2 (en) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004488A JP3043561B2 (en) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211981A true JPH07211981A (en) | 1995-08-11 |
| JP3043561B2 JP3043561B2 (en) | 2000-05-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6004488A Expired - Fee Related JP3043561B2 (en) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | Manufacturing method of semiconductor laser |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072526A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Nec Corp | Mmi type semiconductor laser and its manufacturing method |
| JP2005191364A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nec Corp | Semiconductor laser |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11192384A (en) | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Bandai Co Ltd | Raising simulation device using network |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005072526A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Nec Corp | Mmi type semiconductor laser and its manufacturing method |
| JP2005191364A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| JP4582289B2 (en) * | 2003-12-26 | 2010-11-17 | 日本電気株式会社 | Semiconductor laser |
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|---|---|
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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