JPH07199450A - Small-size forming device for metallic thin film - Google Patents
Small-size forming device for metallic thin filmInfo
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- JPH07199450A JPH07199450A JP34970393A JP34970393A JPH07199450A JP H07199450 A JPH07199450 A JP H07199450A JP 34970393 A JP34970393 A JP 34970393A JP 34970393 A JP34970393 A JP 34970393A JP H07199450 A JPH07199450 A JP H07199450A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、基板の一面上、その
基板の大きさに比べて小さな領域に金属薄膜を部分的に
形成するための小型の金属薄膜形成技術に関し、特に、
たておよびよこの各寸法が、たとえば３０ｃｍを越える
ような大型のハードマスクのパターンの修正等に有効に
利用することができる技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a small metal thin film forming technique for partially forming a metal thin film on a surface of a substrate in a region smaller than the size of the substrate, and more particularly,
The present invention relates to a technique in which each of the vertical and horizontal dimensions can be effectively used for correction of a pattern of a large hard mask having a size exceeding 30 cm, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術およびその問題点】ＩＣ、リードフレーム
やカラーフィルタ等を製造するとき、精密なパターンを
形成するための手法として、フォトリソグラフィ技術が
利用される。フォトリソグラフィ技術では、ガラス等の
基板上にマスクパターンを備えたフォトマスクが必須で
ある。このフォトマスクの一つにハードマスクがある。
ハードマスクは、遮光のためのマスク材料として、クロ
ム、酸化クロム等の金属薄膜を用いたフォトマスクであ
る。こうしたハードマスクは、耐傷性にすぐれているほ
か、パターンの欠陥を修正することができるという利点
をもつ。パターンの欠陥としては、本来不要な部分に金
属薄膜が残る黒点欠陥と、あるべきパターン部分が欠損
する白点欠陥とがある。2. Description of the Related Art When manufacturing ICs, lead frames, color filters, etc., photolithography is used as a method for forming a precise pattern. In photolithography technology, a photomask having a mask pattern on a substrate such as glass is essential. A hard mask is one of the photomasks.
The hard mask is a photomask using a metal thin film such as chromium or chromium oxide as a mask material for light shielding. Such a hard mask has excellent scratch resistance and has an advantage that a defect in a pattern can be repaired. As pattern defects, there are black spot defects in which a metal thin film remains in an originally unnecessary portion and white spot defects in which a desired pattern portion is missing.
【０００３】ここでは、後者の白点欠陥の修正に注目す
る。白点欠陥を修正する従来技術としては、リフトオフ
法が一般的である。たとえば、特開昭６３−３１３１５
８号あるいは特開昭５７−８５０５６号の各公報は、白
点欠陥のあるマスク基板上に、白点欠陥の部分を露出
し、他の部分を被うフォトレジスト層を形成する工程、
全面に金属薄膜を蒸着あるいはスパッタリングする工
程、そして、フォトレジスト層を除去すると同時に白点
欠陥の部分以外の金属薄膜を除去（いわゆるリフトオ
フ）する工程からなる技術を示している。こうしたリフ
トオフ法によると、白点欠陥の部分をより正確に修正す
ることができるが、修正個所以外に広範囲に金属薄膜が
付着するため、リフトオフ時に残渣として残る場合があ
る。Here, attention is paid to the latter correction of the white spot defect. A lift-off method is generally used as a conventional technique for correcting white spot defects. For example, JP-A-63-31315
No. 8 or JP-A-57-85056, a step of forming a photoresist layer on a mask substrate having a white spot defect, exposing a portion of the white spot defect and covering the other portion,
A technique is shown which comprises a step of vapor-depositing or sputtering a metal thin film on the entire surface, and a step of removing the photoresist layer and at the same time removing the metal thin film other than the white spot defect portion (so-called lift-off). According to such a lift-off method, the part of the white spot defect can be corrected more accurately, but since the metal thin film adheres to a wide area other than the correction portion, it may remain as a residue at the time of lift-off.
【０００４】また、リフトオフとは異なる技術として、
別の特開昭５６−１００４１４号の公報は、白点欠陥の
ある基板の一面全体を真空チャンバで被い、そのチャン
バ内にシャッタ機構と金属蒸着あるいはスパッタリング
手段を配置し、シャッタのアパーチャを通して白点欠陥
の部分に金属薄膜を付けるようにした技術を示してい
る。このシャッタ法によれば、面倒なフォトレジスト処
理が不要である反面、金属薄膜が白点欠陥の部分よりも
多少大きめに付着するので、それをレーザ光で焼き飛ば
すという追加の修正が必要である。As a technique different from lift-off,
In another Japanese Patent Laid-Open No. 56-100414, a whole surface of a substrate having a white spot defect is covered with a vacuum chamber, and a shutter mechanism and a metal vapor deposition or sputtering means are arranged in the chamber, and a white is passed through an aperture of the shutter. This shows a technique in which a metal thin film is attached to a point defect portion. According to this shutter method, a troublesome photoresist process is not necessary, but since the metal thin film adheres slightly larger than the white spot defect portion, an additional correction of burning it off with a laser beam is necessary. .
【０００５】以上に述べた従来の白点欠陥の修正技術に
は、共通した問題がある。金属薄膜を蒸着あるいはスパ
ッタリングする際、基板を真空下におくために長時間
（たとえば、１〜１．５時間）かかるという問題であ
る。この問題は、基板の大きさが大きくなるにつれてよ
り深刻となっている。特に、カラーフィルタの分野のよ
うに、たておよびよこの各寸法が、たとえば３０ｃｍを
越えるような大型のハードマスクのパターンの修正にお
いては、大きな問題である。また、このような大型のハ
ードマスクを収容するため、装置が大型化し、約７ｍ2
程の広い設置面積を専有する。The conventional white spot defect correcting techniques described above have common problems. The problem is that it takes a long time (for example, 1 to 1.5 hours) to keep the substrate under vacuum when the metal thin film is deposited or sputtered. This problem becomes more serious as the size of the substrate increases. In particular, as in the field of color filters, in the correction of a pattern of a large hard mask whose vertical and horizontal dimensions exceed, for example, 30 cm, it is a big problem. In addition, since such a large hard mask is housed, the size of the device becomes large, and about 7 m 2
It has a large installation area.
【０００６】[0006]
【発明の起点あるいは着想点】この問題を解決するた
め、本発明者等は、白点欠陥の分析をした。その結果、
白点欠陥は一枚の基板当たりせいぜい１〜２ヶ所である
ことに気付いた。そこで、基板の全体を真空中に入れる
ことに代えて、白点欠陥のある基板の一部分だけを真空
にすることを考えた。Starting Point or Idea of the Invention In order to solve this problem, the present inventors analyzed white spot defects. as a result,
It was found that the number of white spot defects was one or two at most on one substrate. Therefore, instead of putting the whole substrate in a vacuum, it was considered to make only a part of the substrate having the white spot defect a vacuum.
【０００７】[0007]
【発明の目的】この発明は、以上の発想に基づいてなさ
れたものであり、基板の一面を部分的に真空にする上で
有効な技術を提供することを目的とする。また、この発
明は、リフトオフ時に金属薄膜が残渣として残ることを
有効に防止することができる技術を提供することをも目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above idea, and it is an object of the present invention to provide an effective technique for partially vacuuming one surface of a substrate. Another object of the present invention is to provide a technique capable of effectively preventing the metal thin film from remaining as a residue during lift-off.
【０００８】[0008]
【解決手段】この発明による金属薄膜形成装置１００，
２００は、各実施例に対応する添付図を参照して示すよ
うに、基板１０の一面上、その基板１０の大きさに比べ
て小さな領域に金属薄膜を部分的に形成するための小型
のものである。この装置１００，２００は、小さな領域
に対応する大きさの開口２２，１２２をもつ容器２０，
１２０と、この容器２０，１２０の開口２２，１２２を
取り囲むように設置したシール部材３０，１３０と、容
器２０，１２０の内部を真空にする手段４０，１４０
と、容器２０，１２０の内部に配置した蒸着手段５０，
１５０とを備える。A metal thin film forming apparatus according to the present invention,
Reference numeral 200 denotes a small-sized one for partially forming a metal thin film on one surface of the substrate 10 in a region smaller than the size of the substrate 10, as shown with reference to the accompanying drawings corresponding to each embodiment. Is. The device 100, 200 comprises a container 20, having openings 22, 122 of a size corresponding to a small area,
120, sealing members 30, 130 installed so as to surround the openings 22, 122 of the containers 20, 120, and means 40, 140 for evacuating the inside of the containers 20, 120.
And the vapor deposition means 50 disposed inside the containers 20, 120,
And 150.
【０００９】容器２０，１２０は、開口２２，１２２の
ある側を上に向け、その開口２２，１２２を取り囲む容
器部分にシール部材３０，１３０を設置し、そのシール
部材３０，１３０の上に基板１０を載せるようにするの
が望ましい。そうすれば、基板１０の取扱いを容易に行
うことができるし、また、金属薄膜を形成すべき基板１
０の一面に蒸着手段５０に起因するごみ等の異物が落下
することを防ぐことができる。The containers 20, 120 face the sides having the openings 22, 122 upward, the sealing members 30, 130 are installed in the container portion surrounding the openings 22, 122, and the substrate is placed on the sealing members 30, 130. It is desirable to mount 10. By doing so, the substrate 10 can be easily handled, and the substrate 1 on which the metal thin film is to be formed.
It is possible to prevent foreign matter such as dust caused by the vapor deposition means 50 from dropping on one surface of the 0.
【００１０】また、基板１０の一面に付着する金属薄膜
（クロム、酸化クロム等）の接着強度を高めるため、基
板１０を１００〜１２０℃程度に加熱するようにするの
が好ましい。接着強度を高めるためには、少なくとも１
００℃以上に加熱することが必要であるが、その反面、
１２０℃を越えるような加熱温度にすると、リフトオフ
のためのフォトレジストが基板１０にこびりつき、その
剥離に支障を来すからである。その加熱手段として、基
板１０の一面とは反対の一面側にホットプレート６０を
設けたり、あるいは、加熱用のランプ等を設けたりする
ことができる。ホットプレート６０を用いる場合、ホッ
トプレート６０に基板１０を保持させるようにするのが
良い。Further, in order to enhance the adhesive strength of the metal thin film (chromium, chromium oxide, etc.) attached to one surface of the substrate 10, it is preferable to heat the substrate 10 to about 100 to 120 ° C. To increase the adhesive strength, at least 1
It is necessary to heat it to 00 ° C or higher, but on the other hand,
This is because if the heating temperature exceeds 120 ° C., the photoresist for lift-off sticks to the substrate 10 and hinders its peeling. As the heating means, a hot plate 60 may be provided on one surface side opposite to the one surface of the substrate 10, or a heating lamp or the like may be provided. When the hot plate 60 is used, it is preferable that the hot plate 60 holds the substrate 10.
【００１１】さらに、開口２２，１２２の回りを取り囲
むシール部材３０，１３０は、通常は一つで充分である
が、シールをより確実にするため、あるいは、基板１０
の一面のマスクパターンに傷が付くのをより確実に防ぐ
ために、２重あるいは３重にすることもできる。Further, one sealing member 30, 130 surrounding the openings 22, 122 is usually sufficient, but for more reliable sealing, or for the substrate 10.
In order to more surely prevent the mask pattern on one surface from being scratched, the mask pattern may be doubled or tripled.
【００１２】さらにまた、開口２２，１２２の大きさ
は、基板１０のたてあるいはよこの寸法に対し、１／３
程度の大きさ、たとえば内径２０ｃｍを越えない範囲で
適宜設定することができるが、内径５〜２０ｍｍ程度が
望ましい。開口の大きさが内径５ｍｍ以下では、白点欠
陥に位置を合わせるのが難しくなり、内径５〜２０ｍｍ
までの大きさで、実用上充分に修正が可能である。な
お、蒸着手段５０，１５０としては、抵抗加熱あるいは
電子ビーム蒸着等、また、真空にする手段４０，１４０
としては、真空ポンプ等の公知のものをそれぞれ利用す
ることができる。Furthermore, the size of the openings 22 and 122 is one-third the size of the vertical or horizontal dimension of the substrate 10.
The size can be appropriately set within a range of, for example, an inner diameter of 20 cm or less, but an inner diameter of 5 to 20 mm is preferable. When the size of the opening is 5 mm or less, it becomes difficult to align with the white spot defect, and the inner diameter is 5 to 20 mm.
The size is up to and can be corrected practically enough. As the vapor deposition means 50, 150, resistance heating, electron beam vapor deposition, etc., or a means 40, 140 for applying a vacuum.
As each, a known one such as a vacuum pump can be used.
【００１３】[0013]
【作用など】このような金属薄膜形成装置１００，２０
０は、基板１０の一部に金属薄膜を付着するために広く
適用することができるが、前記したハードマスクにおけ
る白点欠陥の修正用として最も好適に用いることができ
る。そうした場合、真空に引く容器２０，１２０自体が
ハードマスクからなる基板１０の一部を被うことになる
ので、容器２０，１２０の内部の体積は大きくても１５
リットル程度である。この点、基板１０の全体が入るチ
ャンバの体積に比べると、１／１０〜１／２０程度のき
わめて小さいものであり、真空にする時間が大幅に短縮
（たとえば、１０分程度に）する。さらに、蒸着装置全
体の設置面積も約２ｍ2と大幅に低減することができ
る。なお、白点欠陥の修正を行うとき、レーザ光による
追加的な修正をなくす意味から、前記したリフトオフ法
と組み合わせて用いることが好ましい。また、装置１０
０，２００を、ハードマスクに限らず、基板上に形成し
た蒸着膜の修正、たとえばカラーフィルタ基板上にクロ
ムを蒸着させて形成した遮光層の白点欠陥の修正等にも
適用することができる。[Operation, etc.] Such metal thin film forming apparatus 100, 20
Although 0 can be widely applied to deposit a metal thin film on a part of the substrate 10, it can be most preferably used for correcting the white spot defect in the hard mask described above. In such a case, since the containers 20 and 120 which are evacuated to vacuum cover a part of the substrate 10 made of a hard mask, the internal volumes of the containers 20 and 120 are 15 even if they are large.
It is about a liter. In this respect, the volume of the chamber, which accommodates the entire substrate 10, is about 1/10 to 1/20, which is extremely small, and the time for vacuuming is greatly shortened (for example, to about 10 minutes). Further, the installation area of the entire vapor deposition apparatus can be greatly reduced to about 2 m 2 . When the white spot defect is corrected, it is preferable to use it in combination with the above-mentioned lift-off method in order to eliminate additional correction by laser light. Also, the device 10
0,200 can be applied not only to the hard mask but also to the correction of the vapor deposition film formed on the substrate, for example, the correction of the white spot defect of the light shielding layer formed by depositing chromium on the color filter substrate. .
【００１４】[0014]
【第１の実施例】図１が、第１の実施例である金属薄膜
形成装置１００の断面構造を示している。装置１００
は、真空チャンバとして容器２０を備える。容器２０は
断面形状がＵ型であり、一方に開口２２がある。この容
器２０の体積は約３リットルであり、開口２２の内径は
１０ｃｍ弱である。この開口２２の大きさは、白点欠陥
を修正すべきハードマスク（基板）１０の一辺の長さが
３０〜４５ｃｍ程度であることを考えれば、小さなもの
ということができる。容器２０には、開口２２のある側
に外向きフランジ部分２３があり、そのフランジ部分２
３に、Ｏリングからなるシール部材３０がある。[First Embodiment] FIG. 1 shows a sectional structure of a metal thin film forming apparatus 100 according to a first embodiment. Device 100
Comprises a container 20 as a vacuum chamber. The container 20 has a U-shaped cross section and has an opening 22 on one side. The volume of this container 20 is about 3 liters, and the inner diameter of the opening 22 is slightly less than 10 cm. It can be said that the size of the opening 22 is small considering that the length of one side of the hard mask (substrate) 10 in which the white spot defect is to be corrected is about 30 to 45 cm. The container 20 has an outward flange portion 23 on the side having the opening 22.
At 3, there is a seal member 30 made of an O-ring.
【００１５】シール部材３０は、修正すべき基板１０の
一面（図示しないマスクパターンおよびリフトオフ用の
フォトレジストがある面）に接し、容器２０の内部を密
閉する。こうした容器２０の内部を見ると、蒸着手段５
０として、抵抗加熱による加熱部５２および加熱部５２
に通電するための供給線５４等がある。また、容器２０
の外には、容器２０の内部を真空にするための真空手段
４０として、真空ポンプがある。この装置１００の真空
ポンプも含めた設置面積は、約２．５ｍ2である。The sealing member 30 is in contact with one surface of the substrate 10 to be repaired (the surface on which the mask pattern and the lift-off photoresist are not shown) and seals the inside of the container 20. Looking inside the container 20, the vapor deposition means 5
0 as a heating unit 52 and a heating unit 52 by resistance heating
There is a supply line 54 for energizing the device. Also, the container 20
Outside the above, there is a vacuum pump as the vacuum means 40 for making the inside of the container 20 a vacuum. The installation area of this apparatus 100 including the vacuum pump is about 2.5 m 2 .
【００１６】この第１の実施例では、修正すべき基板１
０をホットプレート６０に吸着し保持させつつ、基板１
０を加熱しながら金属薄膜を形成するようになってい
る。In this first embodiment, the substrate 1 to be modified
0 is adsorbed and held on the hot plate 60 while the substrate 1
The metal thin film is formed while heating 0.
【００１７】[0017]
【第２の実施例】図２が、第２の実施例の金属薄膜形成
装置２００の断面構造を示している。真空チャンバとし
ての容器１２０は、円筒型であり、直径が２０ｃｍ、高
さが３０ｃｍ程度である。容器１２０の上部の中央部分
に直径１ｃｍ程度の開口１２２がある。この開口１２２
は、修正すべき基板１０に対する窓あるいはアパーチャ
となるものである。開口１２２を形成する容器１２０の
上部の断面形状は、外にいくにつれて開口１２２の径を
小さくするテーパ状となっている。開口１２２を取り囲
む容器上部１２３には、同心的に配置した２つのＯリン
グからなるシール部材１３０がある。[Second Embodiment] FIG. 2 shows a sectional structure of a metal thin film forming apparatus 200 according to a second embodiment. The container 120 as a vacuum chamber has a cylindrical shape and has a diameter of 20 cm and a height of about 30 cm. An opening 122 having a diameter of about 1 cm is provided at the center of the upper portion of the container 120. This opening 122
Is the window or aperture for the substrate 10 to be modified. The cross-sectional shape of the upper portion of the container 120 forming the opening 122 is tapered so that the diameter of the opening 122 becomes smaller toward the outside. At the upper part 123 of the container surrounding the opening 122, there is a sealing member 130 composed of two concentrically arranged O-rings.
【００１８】ここでも、こうしたシール部材１３０が、
修正すべき基板１０の一面に接し、容器１２０の内部を
密閉する。容器１２０の内部には、蒸着手段１５０とし
て、容器１２０の底部に電子ビームガン１５２、ロッド
１５３に支持されたシャッタ板１５４等がある。シャッ
タ板１５４は、ロッド１５３を回すことにより開閉する
ことができる。蒸着をストップさせたいとき、シャッタ
板１５４によって電子ビームガン１５２を遮蔽するよう
にする。また、容器１２０には、下部に真空ポンプ１４
０に連絡する真空引き口１４１、側部に大気圧に戻すた
めのリーク口１４３がそれぞれある。Again, such a seal member 130 is
It contacts one surface of the substrate 10 to be repaired and seals the inside of the container 120. Inside the container 120, as the vapor deposition means 150, there are an electron beam gun 152 at the bottom of the container 120, a shutter plate 154 supported by a rod 153, and the like. The shutter plate 154 can be opened and closed by turning the rod 153. When it is desired to stop the vapor deposition, the shutter plate 154 shields the electron beam gun 152. Further, the container 120 has a vacuum pump 14 at the bottom.
There is a vacuum suction port 141 communicating with 0, and a leak port 143 for returning to the atmospheric pressure on the side.
【００１９】この第２の実施例では、修正すべき基板１
０は、シール部材１３０の上に載り、しかも、支持枠１
７０に支えられつつ保持される。そこで、蒸着時、基板
１０を加熱する場合には、基板１０の上方を赤外線ヒー
タ、ランプ等によって加熱する方法をとることができ
る。この装置２００の真空ポンプも含めた設置面積は、
第１の実施例の装置１００と同様、約２．５ｍ2であっ
た。In this second embodiment, the substrate 1 to be modified
0 is mounted on the seal member 130, and the support frame 1
It is held while being supported by 70. Therefore, when heating the substrate 10 during vapor deposition, a method of heating the upper portion of the substrate 10 with an infrared heater, a lamp, or the like can be used. The installation area of this device 200 including the vacuum pump is
Similar to the device 100 of the first embodiment, it was about 2.5 m 2 .
【００２０】[0020]
【修正の一例】金属薄膜形成装置２００を用いて、カラ
ーフィルタ用のクロムマスクに生じた直径１５μｍのピ
ンホール（白点欠陥）を修正した。まず、白点欠陥のあ
るクロムマスクに、ヘキスト社製ＡＺ１３００（商品
名）のポジレジストを１．０μｍの厚さでスピンコート
した。このクロムマスクをスポット照射顕微鏡を使用
し、ピンホールより大きめの修正露光を行った。露光サ
イズは、約２０μｍ角である。次に、アルカリ性現像液
で現像を行い、水洗後乾燥した。[Example of Correction] Using the metal thin film forming apparatus 200, a pinhole (white spot defect) having a diameter of 15 μm generated in a chrome mask for a color filter was corrected. First, a chrome mask having white spot defects was spin-coated with a positive resist of AZ1300 (trade name) manufactured by Hoechst Co., Ltd. to a thickness of 1.0 μm. Using a spot irradiation microscope, this chrome mask was subjected to correction exposure larger than a pinhole. The exposure size is about 20 μm square. Next, it was developed with an alkaline developer, washed with water and dried.
【００２１】その後、装置２００を用いて、白点欠陥の
部分にクロムの薄膜を次の要領で部分蒸着した。ａ．修
正すべき部分を装置２００の開口１２２に合わせるよう
にして、現像済みのクロムマスクをシール部材１３０の
上に置いた。ｂ．真空ポンプを駆動させて、５×１０
- 5 Torrまで排気した。この間の時間は、約１０分であ
った。また、赤外線ヒータによって、マスクの裏面から
約１１０℃で加熱した。ｃ．真空度が所定値に到達して
から、電子ビーム蒸着によりクロムを蒸着した。蒸着速
度は１０オングストローム／秒で、膜厚は約０．１μｍ
であった。ｄ．蒸着完了後、容器１２０の内部をリーク
して、クロムマスクを装置２００から取り外した。以上
のような蒸着作業後、溶剤を用いてリフトオフを行っ
た。蒸着部分が一部に限られるため、剥離したクロムの
細片がマスク面に再付着するようなこともなかった。Thereafter, using the apparatus 200, a thin film of chromium was partially vapor-deposited on the white spot defect portion in the following manner. a. The developed chrome mask was placed on the seal member 130 so that the portion to be corrected was aligned with the opening 122 of the apparatus 200. b. 5 × 10 by driving the vacuum pump
-Vented to 5 Torr. The time during this period was about 10 minutes. Further, the back surface of the mask was heated at about 110 ° C. by an infrared heater. c. After the degree of vacuum reached a predetermined value, chromium was deposited by electron beam evaporation. Deposition rate is 10 Å / sec and film thickness is about 0.1 μm
Met. d. After vapor deposition was completed, the inside of the container 120 was leaked and the chrome mask was removed from the apparatus 200. After the above vapor deposition work, lift-off was performed using a solvent. Since the vapor-deposited part was limited to a part, the stripped chromium pieces did not redeposit on the mask surface.
【００２２】[0022]
【発明の効果】この発明では、基板１０の一面を部分的
に真空にするという発想に基づき、基板１０に比べて小
さな開口２２，１２２をもつ容器２０，１２０によって
真空チャンバを構成するようにしている。そのため、真
空チャンバの内部の体積が小さくなり、それに応じて真
空に要する時間が大幅に短縮するし、真空ポンプも簡易
なもので済むようになり、しかも、金属薄膜形成装置１
００，２００自体が小型化するという、いろいろな利点
を生むことになる。According to the present invention, based on the idea that one surface of the substrate 10 is partially evacuated, the vacuum chamber is constituted by the containers 20 and 120 having the openings 22 and 122 smaller than the substrate 10. There is. Therefore, the internal volume of the vacuum chamber is reduced, the time required for vacuum is greatly reduced accordingly, and the vacuum pump can be simplified, and the metal thin film forming apparatus 1
00, 200 itself has various advantages that it is miniaturized.
【図１】この発明による第１の実施例を示す断面構造図
である。FIG. 1 is a sectional structural view showing a first embodiment according to the present invention.
【図２】この発明による第２の実施例を示す断面構造図
である。FIG. 2 is a sectional structural view showing a second embodiment according to the present invention.
１０ 基板 ２０，１２０ 容器 ３０，１３０ シール部材 ４０，１４０ 真空にする手段 ５０，１５０ 蒸着手段 ６０ ホットプレート １００，２００ 金属薄膜形成装置 10 Substrate 20,120 Container 30,130 Sealing member 40,140 Vacuuming means 50,150 Vapor deposition means 60 Hot plate 100,200 Metal thin film forming apparatus
Claims (6)
て小さな領域に金属薄膜を部分的に形成するための小型
の金属薄膜形成装置であって、前記小さな領域に対応す
る大きさの開口をもつ容器と、この容器の開口を取り囲
むように設置したシール部材と、前記容器の内部を真空
にする手段と、前記容器の内部に配置した蒸着手段とを
備える、小型の金属薄膜形成装置。1. A small metal thin film forming apparatus for partially forming a metal thin film on one surface of a substrate in a region smaller than the size of the substrate, the device having a size corresponding to the small region. Small metal thin film forming apparatus including a container having an opening, a seal member installed so as to surround the opening of the container, a means for evacuating the inside of the container, and a vapor deposition means arranged inside the container. .
ており、その開口を取り囲む容器部分に前記シール部材
があり、そのシール部材の上に前記基板が載る、請求項
１の金属薄膜形成装置。2. The metal thin film formation according to claim 1, wherein the container has an opening side facing upward, the container member surrounding the opening has the sealing member, and the substrate is placed on the sealing member. apparatus.
反対の一面側に加熱手段がある、請求項２の金属薄膜形
成装置。3. The metal thin film forming apparatus according to claim 2, wherein the heating means is provided on one surface side of the substrate which is in contact with the sealing member and which is opposite to the one surface of the substrate.
請求項３の金属薄膜形成装置。4. The heating means is a hot plate,
The metal thin film forming apparatus according to claim 3.
数が同心上に位置する、請求項１の金属薄膜形成装置。5. The metal thin film forming apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the sealing members are concentrically located around the opening.
程度である、請求項１の金属薄膜形成装置。6. The size of the opening has an inner diameter of 5 to 20 mm.
The apparatus for forming a metal thin film according to claim 1, which is of a degree.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34970393A JPH07199450A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Small-size forming device for metallic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34970393A JPH07199450A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Small-size forming device for metallic thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199450A true JPH07199450A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18405539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34970393A Pending JPH07199450A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Small-size forming device for metallic thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07199450A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011089203A (en) * | 2010-10-25 | 2011-05-06 | Ulvac Kyushu Corp | Vacuum film deposition device and film deposition method |
| US10385455B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-08-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus and film forming method |
| US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
| US11315767B2 (en) | 2017-09-25 | 2022-04-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP34970393A patent/JPH07199450A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011089203A (en) * | 2010-10-25 | 2011-05-06 | Ulvac Kyushu Corp | Vacuum film deposition device and film deposition method |
| US10385455B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-08-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus and film forming method |
| US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
| US11315767B2 (en) | 2017-09-25 | 2022-04-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
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