JPH07192673A - 走査型電子線照射装置 - Google Patents
走査型電子線照射装置Info
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- JPH07192673A JPH07192673A JP34592393A JP34592393A JPH07192673A JP H07192673 A JPH07192673 A JP H07192673A JP 34592393 A JP34592393 A JP 34592393A JP 34592393 A JP34592393 A JP 34592393A JP H07192673 A JPH07192673 A JP H07192673A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビ−ムの偏向トラップ時、走査方向にお
けるビーム量の均一性を保つこと。 【構成】 走査方向と直交する方向にビ−ムを偏向して
走査管内でトラップすることにより被照射物へのビーム
量を調整する。偏向コイル電流制御器２９はトラップ率
設定電流信号Ｉｃｋと走査位置補正電流信号との和に応
答し、偏向コイル１０に電流を供給する。トラップ率応
動係数器２８は電子ビ−ムの走査中央部で振幅が最大と
なる走査位置信号Ｖｘから、トラップ率ｋに応じて正負
に変化する補正電流信号Ｉｃｃを出力する。同出力信号
は偏向コイル電流をビームの走査位置に応じて補正し、
走査中央部から走査端部にかけて直線的に幅が拡がるビ
−ムパターンに対し、常に、全走査位置におけるトラッ
プ割合を一定にする。
けるビーム量の均一性を保つこと。 【構成】 走査方向と直交する方向にビ−ムを偏向して
走査管内でトラップすることにより被照射物へのビーム
量を調整する。偏向コイル電流制御器２９はトラップ率
設定電流信号Ｉｃｋと走査位置補正電流信号との和に応
答し、偏向コイル１０に電流を供給する。トラップ率応
動係数器２８は電子ビ−ムの走査中央部で振幅が最大と
なる走査位置信号Ｖｘから、トラップ率ｋに応じて正負
に変化する補正電流信号Ｉｃｃを出力する。同出力信号
は偏向コイル電流をビームの走査位置に応じて補正し、
走査中央部から走査端部にかけて直線的に幅が拡がるビ
−ムパターンに対し、常に、全走査位置におけるトラッ
プ割合を一定にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビ−ムの偏向制御
により、被照射物に照射する電子ビーム量を高速で調整
する走査型電子線照射装置に関する。
により、被照射物に照射する電子ビーム量を高速で調整
する走査型電子線照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査磁界による電子ビームの走査方向と
直交する方向に電子ビームを偏向するための磁界を形成
する偏向コイルを備え、偏向コイル電流の制御により、
走査管から取り出される電子ビーム量を制御する走査型
電子線照射装置について、本願発明の発明者は、先の出
願（特願平５−２８９７７６号）において開示した。図
６は、かかる走査型電子線照射装置の構成図であって、
同図（ａ）は走査管部の正面図、同図（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ｂ線における拡大断面図である。高圧絶縁ガスを充
填した圧力容器１の内部に電子ビーム発生源が収容され
ており、同発生源は熱電子放出用フィラメントによる電
子銃２と、その熱電子を加速する加速管３を有する。電
子銃２の加熱電力及び加速管３への加速電圧は高圧ケー
ブル４、ブッシング５を介して供給される。電子ビーム
発生源の加速管３からの電子ビームは走査管６に導入さ
れる。同走査管のビーム導入部に走査コイル７が設けら
れており、電子ビームは同コイルによって形成された走
査磁界で走査されて、照射窓８の金属窓箔９を透過し、
照射領域に取り出され、被照射物に照射される。
直交する方向に電子ビームを偏向するための磁界を形成
する偏向コイルを備え、偏向コイル電流の制御により、
走査管から取り出される電子ビーム量を制御する走査型
電子線照射装置について、本願発明の発明者は、先の出
願（特願平５−２８９７７６号）において開示した。図
６は、かかる走査型電子線照射装置の構成図であって、
同図（ａ）は走査管部の正面図、同図（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ｂ線における拡大断面図である。高圧絶縁ガスを充
填した圧力容器１の内部に電子ビーム発生源が収容され
ており、同発生源は熱電子放出用フィラメントによる電
子銃２と、その熱電子を加速する加速管３を有する。電
子銃２の加熱電力及び加速管３への加速電圧は高圧ケー
ブル４、ブッシング５を介して供給される。電子ビーム
発生源の加速管３からの電子ビームは走査管６に導入さ
れる。同走査管のビーム導入部に走査コイル７が設けら
れており、電子ビームは同コイルによって形成された走
査磁界で走査されて、照射窓８の金属窓箔９を透過し、
照射領域に取り出され、被照射物に照射される。
【０００３】走査管６へのビーム導入路部分に、電子ビ
ームの走査方向と直交する方向にビームを偏向するため
の磁界、即ち走査コイル７による走査磁界と直交関係の
偏向磁界を形成する偏向コイル１０を設ける。走査管６
の壁面部、電子ビームの走査方向と平行し、電子ビーム
が偏向コイル１０の偏向磁界によって偏向される側の壁
面部６1は傾斜して形成されており、同壁面部の照射窓
８に近い部分に段部、電子ビームのトラップ部６2が形
成されている。電子ビームが偏向されるとき、同トラッ
プ部は、走査管６に導入された電子ビームのうち被照射
部に到達させるべき電子ビーム以外のビームを走査管内
で確実にトラップする。トラップ部６2は、電子ビーム
のトラップに伴い、電子が持っているエネルギーを吸収
し、かなり発熱するから、トラップ部の下面に冷却水パ
イプ１１を取付け、同パイプに冷却水を流し、発熱を除
去する。
ームの走査方向と直交する方向にビームを偏向するため
の磁界、即ち走査コイル７による走査磁界と直交関係の
偏向磁界を形成する偏向コイル１０を設ける。走査管６
の壁面部、電子ビームの走査方向と平行し、電子ビーム
が偏向コイル１０の偏向磁界によって偏向される側の壁
面部６1は傾斜して形成されており、同壁面部の照射窓
８に近い部分に段部、電子ビームのトラップ部６2が形
成されている。電子ビームが偏向されるとき、同トラッ
プ部は、走査管６に導入された電子ビームのうち被照射
部に到達させるべき電子ビーム以外のビームを走査管内
で確実にトラップする。トラップ部６2は、電子ビーム
のトラップに伴い、電子が持っているエネルギーを吸収
し、かなり発熱するから、トラップ部の下面に冷却水パ
イプ１１を取付け、同パイプに冷却水を流し、発熱を除
去する。
【０００４】走査管６に導入される電子ビームは偏向コ
イル１０による偏向磁界で、電子ビームの走査方向と直
交する方向、走査管の壁面部６1側に偏向される。この
電子ビームの偏向度は、偏向コイル１０のコイル電流の
大きさに依存し、同電流を調節することにより、壁面部
６1に形成された走査管のトラップ部６2にトラップされ
る電子ビームの量を制御し、したがって、トラップされ
ずに照射窓８の金属窓箔９を透過して照射領域に取り出
される電子ビームの量を制御することができる。偏向コ
イル１０におけるコイル電流の値と、加速管３からの電
子ビーム量と照射窓８を透過して被照射物に到達する電
子ビーム量の割合とは一対一の関係があり、図７は加速
管３からの電子ビーム量を一定値ａとした場合における
偏向コイル１０のコイル電流Ｉｃと被照射物への到達電
子ビーム（電流）Ｉｂの関係の一例を示す特性図であ
る。
イル１０による偏向磁界で、電子ビームの走査方向と直
交する方向、走査管の壁面部６1側に偏向される。この
電子ビームの偏向度は、偏向コイル１０のコイル電流の
大きさに依存し、同電流を調節することにより、壁面部
６1に形成された走査管のトラップ部６2にトラップされ
る電子ビームの量を制御し、したがって、トラップされ
ずに照射窓８の金属窓箔９を透過して照射領域に取り出
される電子ビームの量を制御することができる。偏向コ
イル１０におけるコイル電流の値と、加速管３からの電
子ビーム量と照射窓８を透過して被照射物に到達する電
子ビーム量の割合とは一対一の関係があり、図７は加速
管３からの電子ビーム量を一定値ａとした場合における
偏向コイル１０のコイル電流Ｉｃと被照射物への到達電
子ビーム（電流）Ｉｂの関係の一例を示す特性図であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、走査コイル
７の電流Ｉｓは図８（ａ）に示す三角波電流であり、こ
の電流によって生ずる走査磁界によって、電子ビ−ムは
先の図６（ａ）の細い点線で示すように走査される。三
角波電流の頂点で電子ビ−ムは走査端部に位置し、三角
波電流が零のときビ−ムは走査中央部にある。電子ビ−
ムの走査に伴い、照射窓の窓箔を透過する電子ビ−ムパ
ターン２１は、図９に示すように、通常、走査中央部に
比べ走査端部側が大きくなる。かかるビ−ムパターンは
正確には感光紙を照射窓８に貼り付け、電子ビ−ムで感
光させることによって測定することができる。
７の電流Ｉｓは図８（ａ）に示す三角波電流であり、こ
の電流によって生ずる走査磁界によって、電子ビ−ムは
先の図６（ａ）の細い点線で示すように走査される。三
角波電流の頂点で電子ビ−ムは走査端部に位置し、三角
波電流が零のときビ−ムは走査中央部にある。電子ビ−
ムの走査に伴い、照射窓の窓箔を透過する電子ビ−ムパ
ターン２１は、図９に示すように、通常、走査中央部に
比べ走査端部側が大きくなる。かかるビ−ムパターンは
正確には感光紙を照射窓８に貼り付け、電子ビ−ムで感
光させることによって測定することができる。
【０００６】ビ−ムトラップ量に応じて調整される偏向
コイル１０の電流Ｉｃは、図８（ｂ）に示すように、時
間的に変化しない一定値ａの直流電流であり、走査され
ている電子ビ−ムに対し、走査端部及び走査中央部と
も、ほぼ等しい偏向距離を与える。したがって、走査電
子ビ−ムが偏向されると、偏向コイル電流Ｉｃの大きさ
に応じて、図９に示すように、ハッチで示す走査管６の
トラップ部６2によるビ−ムのトラップ位置が一点鎖線
ｚ1，ｚ2，ｚ3の位置に変化し、加速管３から導入され
る発生ビームの５０％がトラップされるｚ2の場合を除
いて、走査中央部と他の走査部ではトラップされるビ−
ム量の割合に差が生じ、走査（走査幅）方向したがって
被照射物の照射幅方向におけるビーム量の均一性が崩れ
てしまう。
コイル１０の電流Ｉｃは、図８（ｂ）に示すように、時
間的に変化しない一定値ａの直流電流であり、走査され
ている電子ビ−ムに対し、走査端部及び走査中央部と
も、ほぼ等しい偏向距離を与える。したがって、走査電
子ビ−ムが偏向されると、偏向コイル電流Ｉｃの大きさ
に応じて、図９に示すように、ハッチで示す走査管６の
トラップ部６2によるビ−ムのトラップ位置が一点鎖線
ｚ1，ｚ2，ｚ3の位置に変化し、加速管３から導入され
る発生ビームの５０％がトラップされるｚ2の場合を除
いて、走査中央部と他の走査部ではトラップされるビ−
ム量の割合に差が生じ、走査（走査幅）方向したがって
被照射物の照射幅方向におけるビーム量の均一性が崩れ
てしまう。
【０００７】本発明は、常に、走査方向における電子ビ
ーム量の均一性を保って、被照射物に照射される電子ビ
−ム量を調節することができる走査型電子線照射装置の
提供を目的とするものである。
ーム量の均一性を保って、被照射物に照射される電子ビ
−ム量を調節することができる走査型電子線照射装置の
提供を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、走査磁界によ
る電子ビームの走査方向と直交する方向に電子ビームを
偏向するための磁界を形成する偏向コイルを備え、偏向
コイル電流の制御により、走査管から取り出される電子
ビーム量を制御する走査型電子線照射装置において、偏
向コイル電流を電子ビ−ムの走査位置に応じて補正する
ことを特徴とするものである。
る電子ビームの走査方向と直交する方向に電子ビームを
偏向するための磁界を形成する偏向コイルを備え、偏向
コイル電流の制御により、走査管から取り出される電子
ビーム量を制御する走査型電子線照射装置において、偏
向コイル電流を電子ビ−ムの走査位置に応じて補正する
ことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】電子ビ−ムの走査位置に応じて偏向コイル電流
を補正するから、全走査範囲に亘ってトラップされるビ
ーム量の割合を同じにすることができる。
を補正するから、全走査範囲に亘ってトラップされるビ
ーム量の割合を同じにすることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。なお、以下の説明において、図６ないし図９にお
ける符号と同一符号は同一もしくは同等部分を示す。図
１はビ−ムトラップについての説明図である。照射窓の
窓箔９を透過する電子ビ−ムのパターンは、走査コイル
７の磁界によって走査されることにより、走査中央部が
最も幅が狭く、中央部から走査端部に向かうにつれてほ
ぼ直線的に幅が拡がるビ−ムパターン２１となる。図の
パターンは走査幅方向の大きさに対し、この方向と直交
する方向の大きさを大きく誇張して示している。偏向コ
イル１０の偏向磁界により、走査管のトラップ部６2で
電子ビ−ムをトラップした場合、電子ビ−ムの全走査位
置において、トラップされる割合が同じになるようにし
なければならない。ビ−ムパターン２１におけるトラッ
プ領域をハッチで示すと、各部の大きさａ，ｂ，ｃ，ｄ
について、ａ／ｂ＝ｃ／ｄとなるように、偏向コイル電
流Ｉｃを供給しなければならない。
する。なお、以下の説明において、図６ないし図９にお
ける符号と同一符号は同一もしくは同等部分を示す。図
１はビ−ムトラップについての説明図である。照射窓の
窓箔９を透過する電子ビ−ムのパターンは、走査コイル
７の磁界によって走査されることにより、走査中央部が
最も幅が狭く、中央部から走査端部に向かうにつれてほ
ぼ直線的に幅が拡がるビ−ムパターン２１となる。図の
パターンは走査幅方向の大きさに対し、この方向と直交
する方向の大きさを大きく誇張して示している。偏向コ
イル１０の偏向磁界により、走査管のトラップ部６2で
電子ビ−ムをトラップした場合、電子ビ−ムの全走査位
置において、トラップされる割合が同じになるようにし
なければならない。ビ−ムパターン２１におけるトラッ
プ領域をハッチで示すと、各部の大きさａ，ｂ，ｃ，ｄ
について、ａ／ｂ＝ｃ／ｄとなるように、偏向コイル電
流Ｉｃを供給しなければならない。
【００１１】図２は、かかる偏向コイル電流Ｉｃとビ−
ムパターンとの関係についての説明図であり、トラップ
部６2の全面部におけるビ−ムパターン２１について、
便宜上、パターンを一層誇張して示す。電子ビ−ムが走
査管６のトラップ部６2でトラップされる率、トラップ
率ｋが零（０％）のとき、ビ−ムパターンにおける走査
端部の下端は、ハッチで示すトラップ部６2の前縁に接
する位置にあり、このとき、全ビ−ムはトラップ部６2
でトラップされることなく窓箔を透過し、照射領域に取
りだされる。このとき偏向コイル電流Ｉｃは零である
が、ビ−ムパターンの前記下端がトラップ部６2の前縁
から離れているときには、偏向コイルにバイアス電流を
与えることにより、位置ｙ1をトラップ部の前縁に一致
するようにビ−ムパターンを移動させることができる。
ムパターンとの関係についての説明図であり、トラップ
部６2の全面部におけるビ−ムパターン２１について、
便宜上、パターンを一層誇張して示す。電子ビ−ムが走
査管６のトラップ部６2でトラップされる率、トラップ
率ｋが零（０％）のとき、ビ−ムパターンにおける走査
端部の下端は、ハッチで示すトラップ部６2の前縁に接
する位置にあり、このとき、全ビ−ムはトラップ部６2
でトラップされることなく窓箔を透過し、照射領域に取
りだされる。このとき偏向コイル電流Ｉｃは零である
が、ビ−ムパターンの前記下端がトラップ部６2の前縁
から離れているときには、偏向コイルにバイアス電流を
与えることにより、位置ｙ1をトラップ部の前縁に一致
するようにビ−ムパターンを移動させることができる。
【００１２】電子ビ−ムのトラップ率ｋは、０≦ｋ≦１
の範囲で設定されるが、図２に、ｋ＝０（＝０％），
０．２５（＝２５％），０．５（＝５０％），０．７５
（＝７５％），１（＝１００％）の各場合について、上
述の関係式ａ／ｂ＝ｃ／ｄを満足させることができるビ
−ムパターンのトラップ部６2側の端部をｙ0，ｙ1，
ｙ2，ｙ3，ｙ4で例示する。偏向コイル１０に偏向コイ
ル電流Ｉｃ与えて、ビ−ムを各トラップ率でトラップす
るとき、各トラップ部６2側の端部はトラップ部６2の前
縁に位置しなければならない。したがって、偏向コイル
１０には、ビ−ムパターンのトラップ部側の端部ｙ0な
いしｙ4における両端、走査端部をトラップ部の前縁に
位置させるに必要なトラップ率設定電流Ｉｃｋ、即ち上
記各トラップ率に係るＩｃｋ0（＝０）ないしＩｃｋ4を
与えると共に、これに、全走査位置に亘るビ−ムパター
ンのトラップ部側の端部ｙ0ないしｙ4をトラップ部の前
縁に位置させる走査位置補正電流Ｉｃｃ、即ち各トラッ
プ率に係るＩｃｃ0ないしＩｃｃ4を重畳して与えればよ
く、偏向コイル電流Ｉｃはビ−ムの走査位置に応じて補
正される。なお、ｋ＝０．５のとき、走査位置補正電流
は零である。
の範囲で設定されるが、図２に、ｋ＝０（＝０％），
０．２５（＝２５％），０．５（＝５０％），０．７５
（＝７５％），１（＝１００％）の各場合について、上
述の関係式ａ／ｂ＝ｃ／ｄを満足させることができるビ
−ムパターンのトラップ部６2側の端部をｙ0，ｙ1，
ｙ2，ｙ3，ｙ4で例示する。偏向コイル１０に偏向コイ
ル電流Ｉｃ与えて、ビ−ムを各トラップ率でトラップす
るとき、各トラップ部６2側の端部はトラップ部６2の前
縁に位置しなければならない。したがって、偏向コイル
１０には、ビ−ムパターンのトラップ部側の端部ｙ0な
いしｙ4における両端、走査端部をトラップ部の前縁に
位置させるに必要なトラップ率設定電流Ｉｃｋ、即ち上
記各トラップ率に係るＩｃｋ0（＝０）ないしＩｃｋ4を
与えると共に、これに、全走査位置に亘るビ−ムパター
ンのトラップ部側の端部ｙ0ないしｙ4をトラップ部の前
縁に位置させる走査位置補正電流Ｉｃｃ、即ち各トラッ
プ率に係るＩｃｃ0ないしＩｃｃ4を重畳して与えればよ
く、偏向コイル電流Ｉｃはビ−ムの走査位置に応じて補
正される。なお、ｋ＝０．５のとき、走査位置補正電流
は零である。
【００１３】図３に、全走査位置に対する走査位置補正
電流Ｉｃｃの波形を示す。同電流の波形はビ−ムパター
ンの拡がり形状に依存し、トラップ率ｋ＝０．５（＝５
０％）を境にして正負に変化する三角波電流となる。か
かる走査位置補正電流は走査コイル７の三角波電流Ｉｓ
を利用して形成することができる。
電流Ｉｃｃの波形を示す。同電流の波形はビ−ムパター
ンの拡がり形状に依存し、トラップ率ｋ＝０．５（＝５
０％）を境にして正負に変化する三角波電流となる。か
かる走査位置補正電流は走査コイル７の三角波電流Ｉｓ
を利用して形成することができる。
【００１４】図４は、実施例の構成図である。トラップ
率設定器２２によって電子ビ−ムのトラップ率ｋを設定
する。トラップ率ｋの値は、０≦ｋ≦１である。トラッ
プ率設定電流信号発生器２３はトラップ率ｋに応動し、
トラップ率設定電流信号Ｉｃｋを発生する。信号Ｉｃｋ
は、基本的にトラップ率ｋに対し比例関係にあるように
形成される。走査位置補正電流信号発生部２４もまたト
ラップ率ｋに依存して走査位置補正電流信号Ｉｃｃを発
生するように構成されている。
率設定器２２によって電子ビ−ムのトラップ率ｋを設定
する。トラップ率ｋの値は、０≦ｋ≦１である。トラッ
プ率設定電流信号発生器２３はトラップ率ｋに応動し、
トラップ率設定電流信号Ｉｃｋを発生する。信号Ｉｃｋ
は、基本的にトラップ率ｋに対し比例関係にあるように
形成される。走査位置補正電流信号発生部２４もまたト
ラップ率ｋに依存して走査位置補正電流信号Ｉｃｃを発
生するように構成されている。
【００１５】走査位置補正電流信号発生部２４は走査コ
イル７の電流に応答して走査位置補正電流信号Ｉｃｃを
形成する。三角波の走査コイル電流Ｉｓは電流検出器２
５で検出される。図５（ａ）に示す同検出器の正負に変
化する三角波出力信号Ｖｓは絶対値回路（全波整流回
路）２６及びピーク値検出回路２７に導入され、同図
（ｂ）及び（ｃ）に示す絶対値信号Ｖａ及びピーク値信
号Ｖｐが形成される。ピーク値信号Ｖｐから絶対値信号
Ｖａを減算することにより、同図（ｄ）に示す、電子ビ
−ムの走査中央部で振幅が最大となる走査位置信号Ｖｘ
が得られる。
イル７の電流に応答して走査位置補正電流信号Ｉｃｃを
形成する。三角波の走査コイル電流Ｉｓは電流検出器２
５で検出される。図５（ａ）に示す同検出器の正負に変
化する三角波出力信号Ｖｓは絶対値回路（全波整流回
路）２６及びピーク値検出回路２７に導入され、同図
（ｂ）及び（ｃ）に示す絶対値信号Ｖａ及びピーク値信
号Ｖｐが形成される。ピーク値信号Ｖｐから絶対値信号
Ｖａを減算することにより、同図（ｄ）に示す、電子ビ
−ムの走査中央部で振幅が最大となる走査位置信号Ｖｘ
が得られる。
【００１６】同走査位置信号Ｖｘはトラップ率応動係数
器２８に入力される。同係数器は、走査位置信号Ｖｘ
を、ａ（０．５−ｋ）倍する。ここで、ａはビ−ムパタ
ーンの拡がり形状で決まる比例定数であり、走査位置信
号Ｖｘに更に（０．５−ｋ）を乗ずることにより、トラ
ップ率ｋ＝０．５のとき出力零、０．５未満のとき正極
性、０．５を超えるとき負極性となる、図５（ｅ）に示
す走査位置補正電流信号Ｉｃｃが得られる。
器２８に入力される。同係数器は、走査位置信号Ｖｘ
を、ａ（０．５−ｋ）倍する。ここで、ａはビ−ムパタ
ーンの拡がり形状で決まる比例定数であり、走査位置信
号Ｖｘに更に（０．５−ｋ）を乗ずることにより、トラ
ップ率ｋ＝０．５のとき出力零、０．５未満のとき正極
性、０．５を超えるとき負極性となる、図５（ｅ）に示
す走査位置補正電流信号Ｉｃｃが得られる。
【００１７】かかる走査位置補正電流信号Ｉｃｃとトラ
ップ率設定電流信号発生器２３からの設定電流信号Ｉｃ
ｋとを加算し、指令信号として、所要のバイアス電流信
号Ｉｂｉと共に偏向コイル電流制御器２９に入力する。
同制御器は、実際の偏向コイル電流の帰還系を有して構
成されており、電流ＩｃｋとＩｃｃの和の指令信号にに
応答し、偏向コイル１０に、ビ−ムトラップ率ｋの大き
さにかかわらず、走査方向のビ−ム量の均一性を保つこ
とができる、図５（ｆ）に示す偏向コイル電流Ｉｃを供
給する。
ップ率設定電流信号発生器２３からの設定電流信号Ｉｃ
ｋとを加算し、指令信号として、所要のバイアス電流信
号Ｉｂｉと共に偏向コイル電流制御器２９に入力する。
同制御器は、実際の偏向コイル電流の帰還系を有して構
成されており、電流ＩｃｋとＩｃｃの和の指令信号にに
応答し、偏向コイル１０に、ビ−ムトラップ率ｋの大き
さにかかわらず、走査方向のビ−ム量の均一性を保つこ
とができる、図５（ｆ）に示す偏向コイル電流Ｉｃを供
給する。
【００１８】偏向コイル電流に対する電子ビ−ムの偏向
度は、ビ−ムのエネルギーに応じて変わるから、トラッ
プ率設定電流信号Ｉｃｋ及び走査位置補正電流信号Ｉｃ
ｃは電子ビ−ムの加速電圧に依存させて形成される。設
定電流信号Ｉｃｋは加速電圧に比例するようにし、補正
電流信号Ｉｃｃは、ｋ＜０．５のとき、振幅を増加さ
せ、ｋ＞０．５のとき、振幅を減少させればよい。
度は、ビ−ムのエネルギーに応じて変わるから、トラッ
プ率設定電流信号Ｉｃｋ及び走査位置補正電流信号Ｉｃ
ｃは電子ビ−ムの加速電圧に依存させて形成される。設
定電流信号Ｉｃｋは加速電圧に比例するようにし、補正
電流信号Ｉｃｃは、ｋ＜０．５のとき、振幅を増加さ
せ、ｋ＞０．５のとき、振幅を減少させればよい。
【００１９】なお、偏向コイル電流制御器２９に与える
指令信号は、電子線照射装置の制御用コンピュータを用
いて形成させることができる。トラップ率設定電流信号
Ｉｃｋはトラップ率、加速電圧のメモリデータに基づい
て導出できるし、走査位置信号Ｖｘはメモリ内の走査コ
イル電流Ｉｓについての走査幅データに基づいて導出す
ることができ、これを演算処理すれば、走査位置補正電
流信号Ｉｃｃを得ることができる。
指令信号は、電子線照射装置の制御用コンピュータを用
いて形成させることができる。トラップ率設定電流信号
Ｉｃｋはトラップ率、加速電圧のメモリデータに基づい
て導出できるし、走査位置信号Ｖｘはメモリ内の走査コ
イル電流Ｉｓについての走査幅データに基づいて導出す
ることができ、これを演算処理すれば、走査位置補正電
流信号Ｉｃｃを得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、偏向コ
イル電流が電子ビ−ムの走査位置に応じて補正されてい
るから、常に、全走査位置、走査方向におけるビ−ムの
トラップ割合を一定にすることができ、走査方向におけ
るビーム量の均一性を保つことができる。
イル電流が電子ビ−ムの走査位置に応じて補正されてい
るから、常に、全走査位置、走査方向におけるビ−ムの
トラップ割合を一定にすることができ、走査方向におけ
るビーム量の均一性を保つことができる。
【図１】本発明におけるビ−ムトラップについての説明
図である。
図である。
【図２】ビ−ムパターンと偏向コイル電流との関係につ
いての説明図である。
いての説明図である。
【図３】走査位置補正電流の波形図である。
【図４】実施例の構成図である。
【図５】実施例における各部の波形図である。
【図６】電子ビ−ムを偏向してビーム量を調整する走査
型電子線照射装置の構成図である。
型電子線照射装置の構成図である。
【図７】偏向コイル電流とビーム量の関係を示す特性図
である。
である。
【図８】走査コイル電流と偏向コイル電流の波形図であ
る。
る。
【図９】ビ−ム偏向によるビ−ムパターンのトラップ領
域についての説明図である。
域についての説明図である。
６ 走査管 ６2 走査管の電子ビームトラップ部 ７ 走査コイル ８ 照射窓 ９ 金属窓箔 １０ 偏向コイル ２１ ビームパターン ２２ トラップ率設定器 ２３ トラップ率設定電流信号発生器 ２４ 走査位置補正電流信号発生部 ２５ 走査コイル電流検出器 ２６ 絶対値（全波整流）回路 ２７ ピーク値検出回路 ２８ トラップ率応動係数器 ２９ 偏向コイル電流制御器
Claims (1)
- 【請求項１】 走査磁界による電子ビームの走査方向と
直交する方向に電子ビームを偏向するための磁界を形成
する偏向コイルを備え、偏向コイル電流の制御により、
走査管から取り出される電子ビーム量を制御する走査型
電子線照射装置において、偏向コイル電流が電子ビ−ム
の走査位置に応じて補正されることを特徴とする走査型
電子線照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34592393A JPH07192673A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 走査型電子線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34592393A JPH07192673A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 走査型電子線照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192673A true JPH07192673A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18379915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34592393A Pending JPH07192673A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 走査型電子線照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192673A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329769B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-12-11 | Ebara Corporation | Electron beam irradiation device |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34592393A patent/JPH07192673A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329769B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-12-11 | Ebara Corporation | Electron beam irradiation device |
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