JPH07182249A - Memory card - Google Patents

Memory card

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JPH07182249A
JPH07182249A JP5326982A JP32698293A JPH07182249A JP H07182249 A JPH07182249 A JP H07182249A JP 5326982 A JP5326982 A JP 5326982A JP 32698293 A JP32698293 A JP 32698293A JP H07182249 A JPH07182249 A JP H07182249A
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address
block
signal
defective
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Hiroyuki Niwano
浩之 庭野
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Fujifilm Microdevices Co Ltd
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Fujifilm Microdevices Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a memory card capable of transferring continuous data to a memory at a high speed in respect to a memory card for storing continuous data. CONSTITUTION:The memory card includes a memory constituted of a reference memory area having a prescribed memory capacity and a stand-by memory area having a stand-by memory capacity and having normal memory elements capable of normally storing data and defective memory elements disabled to normally store data, an address counter for receiving an address in the reference memory area and then increasing the address in order to store required continuous data in the memory and an address table 3 for inputting an address in the reference memory area which is counted by the counter 2 and specifying a memory element corresponding to the address so as to specify the address concerned when the corresponding memory element is a normal one or specify an address for a memory element in the stand-by memory area substituted for a defective memory element.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はメモリカードに関し、特
に連続したデータを記憶するメモリカードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory card, and more particularly to a memory card for storing continuous data.

【0002】[0002]

【従来の技術】メモリカードは、現在大容量のメモリを
持つものが提供されている。半導体撮像装置を用いる電
子カメラにおいて、画像情報を記憶するためにメモリカ
ードが用いられている。このような電子カメラは、一定
の画素数(縦の画素数×横の画素数)を有する。このよ
うな画像のデータは大きさが一定であり、しかも連続で
ある。メモリカード内のメモリに画像情報を記憶させる
ときには、アドレスの自動インクリメント機能を用いて
いる。
2. Description of the Related Art Currently, memory cards having a large capacity memory are provided. In an electronic camera using a semiconductor image pickup device, a memory card is used to store image information. Such an electronic camera has a certain number of pixels (vertical pixel number × horizontal pixel number). The data of such an image has a constant size and is continuous. When the image information is stored in the memory of the memory card, the automatic address increment function is used.

【0003】アドレス自動インクリメント機能とは、メ
モリの先頭アドレスの指定を受けて、後は自動的にアド
レスをインクリメントする機能であり、連続データを順
次所定のデータ量だけ記憶させるために用いられる。
The address auto-increment function is a function of automatically incrementing the address after receiving the designation of the head address of the memory, and is used for sequentially storing a predetermined amount of continuous data.

【0004】メモリカード内のメモリは、物理アドレス
で同定される。しかし、全てのメモリ素子が正常である
とは限らず、メモリの製造時において部分的に不良のメ
モリ素子が生成される場合が多々ある。不良のメモリ素
子が存在すると、メモリの物理アドレス空間の連続性は
失われる。すなわち、不良のメモリ素子を飛ばした不連
続な物理アドレス空間を持つことになる。
The memory in the memory card is identified by a physical address. However, not all memory elements are normal, and there are many cases where partially defective memory elements are generated at the time of manufacturing a memory. The presence of a defective memory element causes the continuity of the physical address space of the memory to be lost. That is, it has a discontinuous physical address space in which defective memory elements are skipped.

【0005】アドレス自動インクリメント機能を用いて
連続データの記憶を行う場合には、物理アドレスの連続
性が前提となる。物理アドレスが不連続となる場合、新
たな物理アドレスの指定が必要である。
When continuous data is stored using the automatic address increment function, continuity of physical addresses is a prerequisite. When the physical addresses are discontinuous, it is necessary to specify a new physical address.

【0006】例えば、メモリ素子の不良情報を管理する
ためにコンピュータを用いる方法がある。不良メモリ領
域の物理アドレスを別のメモリに記憶しておき、現在ア
クセス中の物理アドレスが不良メモリの物理アドレスに
対応するか否かをコンピュータが監視する。そして、不
連続アドレスの境界で不良の部分をスキップするため
に、一度メモリへのデータ転送を中止して、不良メモリ
素子の前後においてアドレスの再設定を行いアドレスを
指定し直す。そして、そこから再びアドレスのインクリ
メントを行い、データ転送を行う。
For example, there is a method of using a computer for managing defect information of a memory device. The physical address of the defective memory area is stored in another memory, and the computer monitors whether or not the physical address currently being accessed corresponds to the physical address of the defective memory. Then, in order to skip the defective portion at the boundary of the discontinuous address, the data transfer to the memory is once stopped, the address is reset before and after the defective memory element, and the address is designated again. Then, the address is incremented again from there, and the data is transferred.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のメモリカード
は、不良メモリ素子が存在する場合に、コンピュータを
用いて不良のメモリ素子をスキップさせるため、アドレ
スの再設定を行う必要がある。そのため、連続データを
メモリに転送する速度が遅くなる。
In the conventional memory card, when a defective memory element is present, the defective memory element is skipped by using a computer, so that it is necessary to reset the address. Therefore, the speed of transferring the continuous data to the memory becomes slow.

【0008】本発明の目的は、連続したデータを高速で
メモリに転送することができるメモリカードを提供する
ことである。
An object of the present invention is to provide a memory card which can transfer continuous data to a memory at high speed.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のメモリカード
は、所定のメモリ容量を有する標準メモリ領域と予備の
メモリ容量を有する予備メモリ領域を構成し、データを
正常に記憶させることができる正常なメモリ素子とデー
タを正常に記憶させることができない不良のメモリ素子
を有するメモリと、メモリに所望の連続データを記憶さ
せるため、該標準メモリ領域中のアドレスを受けてその
後アドレスのインクリメントを行うアドレスカウンタ
と、アドレスカウンタによりカウントされる標準メモリ
領域のアドレスを入力し対応するメモリ素子を指定する
テーブルであって、対応するメモリ素子が正常なメモリ
素子の場合はそのアドレスを指定し、不良のメモリ素子
の場合はそのメモリ素子に代わる予備メモリ領域のメモ
リ素子のアドレスを指定するアドレステーブルとを有す
る。
The memory card of the present invention comprises a standard memory area having a predetermined memory capacity and a spare memory area having a spare memory capacity, and can store data normally. A memory having a memory element and a defective memory element that cannot normally store data, and an address counter that receives an address in the standard memory area and then increments the address in order to store desired continuous data in the memory And the address of the standard memory area counted by the address counter to specify the corresponding memory element. If the corresponding memory element is a normal memory element, the address is specified and the defective memory element is specified. In this case, specify the address of the memory element in the spare memory area that replaces that memory element. And an address table.

【0010】[0010]

【作用】アドレスカウンタにおいてカウントされた標準
メモリ領域のアドレスのメモリ素子が、正常であればそ
のアドレスが指定され、不良であれば予備メモリ領域の
メモリ素子のアドレスが指定される。これにより、標準
メモリ領域のメモリ素子が正常であるのかまたは不良で
あるのかの判断を行わずに、正常なメモリ素子のアドレ
スを指定することができる。
If the memory element at the address of the standard memory area counted by the address counter is normal, the address is designated, and if it is defective, the address of the memory element in the spare memory area is designated. As a result, the address of a normal memory element can be specified without determining whether the memory element in the standard memory area is normal or defective.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明の実施例によるメモリカードの
構成例を示す。データをメモリに格納する際のアドレス
指定は、アドレスレジスタ1にアドレス信号を供給する
ことにより行う。アドレスレジスタ1には、アドレス信
号が8ビットのパラレル信号として供給される。8ビッ
トより多いビット数によりアドレスを指定する場合に
は、複数回に分けて8ビット毎アドレス信号をアドレス
レジスタ1に供給する。
1 shows an example of the structure of a memory card according to an embodiment of the present invention. Addressing when storing data in the memory is performed by supplying an address signal to the address register 1. The address signal is supplied to the address register 1 as an 8-bit parallel signal. When the address is designated by the number of bits larger than 8 bits, the 8-bit address signal is supplied to the address register 1 in plural times.

【0012】8ビットのアドレス信号がアドレスレジス
タ1に供給されると、供給されたアドレス信号はアドレ
スレジスタ1に格納される。そして、次のアドレス信号
の8ビットが、アドレスレジスタ1に供給され、そのア
ドレス信号もアドレスレジスタ1に格納される。アドレ
スレジスタ1は、1バイト単位でアドレス信号を格納
し、複数バイトのアドレス信号を蓄えることができる。
When the 8-bit address signal is supplied to the address register 1, the supplied address signal is stored in the address register 1. Then, 8 bits of the next address signal is supplied to the address register 1, and the address signal is also stored in the address register 1. The address register 1 can store an address signal in units of 1 byte and store an address signal of a plurality of bytes.

【0013】アドレスレジスタ1に所定のバイト数が蓄
えられると、蓄えられたアドレス信号はアドレスカウン
タ2にロードされる。このアドレス信号により、データ
を記憶するメモリ領域内の先頭アドレスが指定される。
先頭アドレスは、24ビットのアドレス信号A0−23
で表され、アドレスカウンタ2から、バイト単位の3組
の信号線A0−7、A8−15、A16−23が出力さ
れる。アドレスカウンタ2から出力されるアドレス信号
は、A0〜A23の24ビットで表され、A0がアドレ
スの最下位ビットであり、A23が最上位ビットであ
る。
When a predetermined number of bytes are stored in the address register 1, the stored address signal is loaded into the address counter 2. This address signal designates the start address in the memory area for storing data.
The start address is a 24-bit address signal A0-23
The address counter 2 outputs three sets of signal lines A0-7, A8-15, A16-23 in byte units. The address signal output from the address counter 2 is represented by 24 bits of A0 to A23, A0 is the least significant bit of the address, and A23 is the most significant bit.

【0014】アドレスカウンタ2から出力されるアドレ
ス信号A8−15と信号A16−23は、代替テーブル
3に供給される。代替テーブル3は、入力されたアドレ
ス信号A8−23が正常なメモリ領域を指すものであれ
ば、アドレス信号A8−23と同一のアドレス信号D0
−15を出力する。一方、入力されたアドレス信号A8
−23が不良のメモリ領域を指すものであれば、この不
良メモリ領域に代替に用いる正常のメモリ領域のアドレ
ス信号D0−15を出力する。代替テーブル3は、例え
ばEEPROMを用いて代替の対応関係を記憶させる。
The address signals A8-15 and A16-23 output from the address counter 2 are supplied to the substitution table 3. If the input address signal A8-23 indicates a normal memory area, the substitution table 3 has the same address signal D0 as the address signal A8-23.
Output -15. On the other hand, the input address signal A8
If -23 indicates a defective memory area, the address signal D0-15 of the normal memory area used as a substitute is output to this defective memory area. The substitution table 3 stores the substitution correspondence by using, for example, an EEPROM.

【0015】代替テーブル3は、入力されるO/E(O
DD/EVEN)信号に応じて、アドレス信号D0−1
5を1バイト毎出力する。O/E信号をハイレベルにす
れば、下位のアドレス信号D0−7が出力され、O/E
信号をローレベルにすれば、上位のアドレス信号D8−
15が出力される。
The substitution table 3 is input to O / E (O
Address signal D0-1 according to the DD / EVEN) signal.
5 is output byte by byte. When the O / E signal is set to the high level, the lower address signal D0-7 is output, and the O / E signal is output.
If the signal is set to low level, the upper address signal D8-
15 is output.

【0016】以上により、下位から順番にA0−7、D
0−7、D8−15の3バイトのアドレスが出力され、
記憶させるメモリのアドレスが指定される。アドレス信
号A0−7、D0−7、D8−15が出力された後に、
そのアドレスのメモリに書き込み信号が供給され、デー
タバスに供給されるデータをバイト単位で書き込む。
From the above, A0-7 and D are sequentially arranged from the lower order.
3 byte address of 0-7 and D8-15 is output,
The address of the memory to be stored is specified. After the address signals A0-7, D0-7, D8-15 are output,
A write signal is supplied to the memory at that address, and the data supplied to the data bus is written in byte units.

【0017】データの書き込みが行われた後、アドレス
カウンタ2は前回のアドレスをインクリメントして、新
たなアドレス信号A0−23を出力する。代替テーブル
3は、必要に応じてアドレス信号の代替を行い、メモリ
にデータの書き込みを行う。以後、同様な処理を繰り返
し、所定のデータ数がメモリに転送されるまで、データ
バスに次のデータを供給し、書き込み信号の供給を行
う。
After the data is written, the address counter 2 increments the previous address and outputs a new address signal A0-23. The substitution table 3 substitutes an address signal as necessary and writes data in the memory. Thereafter, similar processing is repeated, and the next data is supplied to the data bus and the write signal is supplied until a predetermined number of data is transferred to the memory.

【0018】以上のように、アドレスカウンタ2は、最
初にアドレスレジスタ1から先頭アドレスが指定された
後は、アドレスのインクリメントを行って次のデータを
記憶させるアドレスの指定を行う。そして、アドレスカ
ウンタ2から出力されたアドレス信号A0−23は、そ
のメモリ領域が不良であれば、代替テーブル3において
アドレス信号の代替を行い、不良でなければアドレス信
号の代替を行わずに出力する。
As described above, after the first address is first designated from the address register 1, the address counter 2 increments the address and designates the address for storing the next data. Then, the address signal A0-23 output from the address counter 2 substitutes the address signal in the substitution table 3 if the memory area is defective, and outputs it without substituting the address signal if it is defective. .

【0019】図2は、代替テーブルから出力されるアド
レス信号D0−15のタイミングチャートを示す。代替
テーブルは、O/E信号に同期して、1バイトのアドレ
ス信号D0−7/D8−15を出力する。O/E信号に
は、ハイレベルとローレベルが交互に現れる。アドレス
信号D0−15は、下位の信号D0−7と上位の信号D
8−15に分けて、1バイトづつ出力される。アドレス
信号の1バイト目にはO/E信号のハイレベルと同期し
て下位のアドレス信号D0−7が出力し、2バイト目に
はO/E信号のローレベルと同期して上位のアドレス信
号D8−15が出力する。
FIG. 2 is a timing chart of the address signals D0-15 output from the substitution table. The substitution table outputs a 1-byte address signal D0-7 / D8-15 in synchronization with the O / E signal. High level and low level appear alternately in the O / E signal. The address signals D0-15 are the lower signal D0-7 and the upper signal D.
It is divided into 8-15 and is output one byte at a time. The low-order address signal D0-7 is output in synchronization with the high level of the O / E signal at the first byte of the address signal, and the high-order address signal is synchronized with the low level of the O / E signal in the second byte. D8-15 outputs.

【0020】アドレス信号は、2クロックにより出力さ
れる。もし必要であれば、アドレスレジスタを別に設け
て、アドレスレジスタ1のようにアドレス信号を蓄える
ようにしてもよい。
The address signal is output in 2 clocks. If necessary, an address register may be separately provided to store the address signal like the address register 1.

【0021】図3は、メモリカードのメモリマップを示
す。メモリ内のアドレスは、アドレス信号A0−7、D
0−7、D8−15の3バイトにより特定される。した
がって、アドレス空間は最大000000h〜FFFF
FFhを有する。ここで、hは16進表示を示す。この
アドレス空間は、ブロック単位に分割され、有効ブロッ
クのメモリ領域とリザーブブロックのメモリ領域を有す
る。例えば、有効ブロックメモリのアドレス空間は、下
位のメモリ領域000000h〜FFF0FFhに割り
当て、リザーブブロックメモリのアドレス空間は、上位
のメモリ領域FFF100h〜FFFFFFhに割り当
てる。
FIG. 3 shows a memory map of the memory card. The addresses in the memory are the address signals A0-7, D
It is specified by 3 bytes of 0-7 and D8-15. Therefore, the maximum address space is 000000h to FFFF.
It has FFh. Here, h indicates hexadecimal display. This address space is divided into blocks and has a memory area of a valid block and a memory area of a reserve block. For example, the address space of the effective block memory is allocated to the lower memory areas 000000h to FFF0FFh, and the address space of the reserved block memory is allocated to the upper memory areas FFF100h to FFFFFFh.

【0022】図1に示すアドレスカウンタ2から出力さ
れるアドレス信号A0−23は、000000h〜FF
F0FFhの有効ブロックメモリのアドレスを表す。も
し、メモリカードに不良のメモリ素子がない場合には、
アドレス信号A0−23は代替されないので、有効ブロ
ック内のメモリのみが使用される。
The address signal A0-23 output from the address counter 2 shown in FIG.
It represents the address of the effective block memory of F0FFh. If there is no defective memory element in the memory card,
Since the address signals A0-23 are not replaced, only the memory in the valid block is used.

【0023】もし、有効ブロックメモリの一部に不良が
ある場合には、アドレス信号A0−23のうち上位2バ
イトのアドレス信号A8−23のみ代替を行う。したが
って、アドレスA0−7が1つのブロックを構成し、ブ
ロック単位でアドレス信号の代替を行う。本実施例で
は、バイト書き込み型のメモリを用いているので、1つ
のブロックは256バイトのメモリ容量を有する。
If a part of the effective block memory is defective, only the address signal A8-23 of the upper 2 bytes of the address signal A0-23 is replaced. Therefore, the addresses A0-7 form one block, and the address signal is replaced in block units. In this embodiment, since a byte write type memory is used, one block has a memory capacity of 256 bytes.

【0024】したがって、アドレス信号A8−23はブ
ロックの番号を指定する信号であり、アドレス信号A0
−7は1ブロック内に存在する256バイトの中の1バ
イトを指定する信号である。
Therefore, the address signal A8-23 is a signal for designating the block number, and the address signal A0-23.
-7 is a signal designating 1 byte out of 256 bytes existing in 1 block.

【0025】一方、有効ブロック内のメモリ素子に不良
がある場合には、その不良素子を含むブロックの代わり
にリザーブブロックのメモリを用いる。代替テーブル
は、不良の有効ブロックを示す信号(A8−23)を正
常なリザーブブロックを示す信号(D0−15)に変換
をする機能を有する。
On the other hand, when the memory element in the effective block is defective, the memory of the reserve block is used instead of the block including the defective element. The substitution table has a function of converting a signal (A8-23) indicating a defective effective block into a signal (D0-15) indicating a normal reserve block.

【0026】メモリカードのメモリ容量は、有効ブロッ
クのメモリ容量に相当する。リザーブブロックのメモリ
は、有効ブロックに不良があった際の予備のメモリ領域
である。
The memory capacity of the memory card corresponds to the memory capacity of the effective block. The memory of the reserved block is a spare memory area when a valid block has a defect.

【0027】図4は、代替テーブルの概念を示す図表で
ある。代替テーブルは、信号A8−23の入力に対して
信号D0−15を出力する。図には、バイト単位で信号
を表すために、入力信号A8−23を信号A8−15と
信号A16−23に分けて表示し、出力信号D0−15
を信号D0−7と信号D8−15に分けて表示する。
FIG. 4 is a chart showing the concept of the substitution table. The substitution table outputs signals D0-15 in response to the input of signal A8-23. In the figure, the input signal A8-23 is divided into the signal A8-15 and the signal A16-23 for displaying the signal in byte units, and the output signal D0-15 is shown.
Are divided into signals D0-7 and D8-15 and displayed.

【0028】入力信号A8−23と出力信号D0−15
は共に256バイト単位のブロックを特定する信号であ
り、代替テーブルの入力信号A15−23は、図3の有
効ブロックを示すブロック番号0000h〜FFF0h
の範囲内に限定される。
Input signal A8-23 and output signal D0-15
Is a signal for specifying a block of 256-byte units, and the input signal A15-23 of the substitution table is block numbers 0000h to FFF0h indicating the valid block in FIG.
It is limited to the range of.

【0029】図4(A)は、初期化時の代替テーブルを
示す。代替テーブルの初期化時は、入力信号A8−23
に対して全く同じ値が出力されるように出力信号D0−
15が設定される。入力信号A8−23として、000
0hからFFF0hが設けられ、それに対応した出力信
号D0−15として入力と同じ0000hからFFF0
hが設定される。代替テーブルに0000hが入力され
れば0000hが出力され、0001hが入力されれば
0001hが出力される。
FIG. 4A shows an alternative table at the time of initialization. When the alternative table is initialized, the input signal A8-23
Output signal D0-
15 is set. 000 as the input signal A8-23
0h to FFF0h are provided, and output signals D0-15 corresponding thereto are the same as 0000h to FFF0 as the input.
h is set. If 0000h is input to the substitution table, 0000h is output, and if 0001h is input, 0001h is output.

【0030】図4(B)は、メモリカードに不良メモリ
が存在した場合の代替テーブルを示す。入力信号A8−
23は、0000hからFFF0hである。メモリを検
査して、図4(A)に示す初期化時の代替テーブルの出
力信号を必要に応じて書き換える。
FIG. 4B shows an alternative table when a defective memory exists in the memory card. Input signal A8-
23 is from 0000h to FFF0h. The memory is inspected, and the output signal of the substitution table at the time of initialization shown in FIG. 4A is rewritten if necessary.

【0031】まず、対象となるメモリカードのメモリの
各メモリ素子が不良でないか否かを調べる。もし、不良
メモリ素子が発見されれば、不良メモリ素子を含むブロ
ックを不良ブロックと判断して、そのブロックは以後使
用しないことにする。
First, it is checked whether or not each memory element of the memory of the target memory card is defective. If a defective memory element is found, the block including the defective memory element is determined to be a defective block and the block is not used thereafter.

【0032】例えば、ブロック番号0001hと番号0
003hの2つが不良ブロックであると判断された場合
には、この2つの入力信号に対する出力信号をリザーブ
ブロックのブロック番号に書き換える。リザーブブロッ
クは、ブロック番号FFF1hから番号FFFFhまで
あるので、例えば若いブロック番号から順番に割り当て
る。入力ブロック番号0001hに対応する出力ブロッ
ク番号にFFF1hを設定し、入力ブロック番号000
3hに対応する出力ブロック番号にFFF2hを設定す
る。
For example, block number 0001h and number 0
If it is determined that two 003h are defective blocks, the output signals corresponding to these two input signals are rewritten to the block numbers of the reserve blocks. Since the reserved blocks are from block number FFF1h to number FFFFh, they are allocated in order from the smallest block number, for example. Set FFF1h to the output block number corresponding to the input block number 0001h, and input block number 000
Set FFF2h to the output block number corresponding to 3h.

【0033】以上のように、代替テーブルは、入力され
たブロック番号のブロックが正常であれば、そのまま指
定された有効ブロックの信号を出力し、入力されたブロ
ック番号のブロックが不良であれば、正常なリザーブブ
ロックの信号に変換して出力する。したがって、出力信
号D0−15は、有効ブロックおよびリザーブブロック
のブロック番号0000h〜FFFFhの範囲内で表さ
れる。
As described above, if the block having the input block number is normal, the substitution table outputs the signal of the designated effective block as it is, and if the block having the input block number is defective, Converts to a normal reserve block signal and outputs it. Therefore, the output signal D0-15 is represented within the range of block numbers 0000h to FFFFh of the effective block and the reserve block.

【0034】図5は、代替テーブルを実際にメモリに格
納する例を示す。メモリカードは、前述のように有効ブ
ロックとリザーブブロックを有する。有効ブロックは、
ブロック番号0からXXXXまでを有し、残りをリザー
ブブロックとする。
FIG. 5 shows an example of actually storing the substitution table in the memory. The memory card has an effective block and a reserve block as described above. The effective block is
It has block numbers 0 to XXX, and the rest are reserved blocks.

【0035】代替テーブルは、0000hからZZZZ
+1hまでのアドレスに設定されている。アドレス00
00hからYYYY+1hに入力と出力のブロックの対
応関係が設定され、アドレスYYYY+2hからZZZ
Z+1にリザーブブロックの使用状況が設定される。
The substitute table is from 0000h to ZZZZ.
The address is set up to + 1h. Address 00
Correspondence between input and output blocks is set from 00h to YYYY + 1h, and addresses YYYY + 2h to ZZZ
The usage status of the reserve block is set to Z + 1.

【0036】ブロック番号0の代替先ブロック番号は、
アドレス0000h〜0001hに格納される。もし、
ブロック番号0のブロックが正常であれば、ブロック番
号0を示す0000hが格納される。
The substitute block number of block number 0 is
It is stored at addresses 0000h to 0001h. if,
If the block with the block number 0 is normal, 0000h indicating the block number 0 is stored.

【0037】ここで、メモリはバイト書き込み型である
ので、アドレス0000hにデータ00hが書き込ま
れ、アドレス0001hにデータ00hが書き込まれ
る。1つのブロックの設定に、2バイトのアドレスを使
用することになる。
Since the memory is a byte write type, the data 00h is written at the address 0000h and the data 00h is written at the address 0001h. A 2-byte address is used for setting one block.

【0038】同様にして、ブロック番号1の代替先ブロ
ック番号は、アドレス0002h〜0003hに格納さ
れ、ブロック番号2の代替先ブロック番号は、アドレス
0004h〜0005hに格納され、最終の有効ブロッ
ク番号XXXXの代替先ブロック番号は、アドレスYY
YYh〜YYYY+1hに格納される。
Similarly, the substitution destination block number of the block number 1 is stored in the addresses 0002h to 0003h, the substitution destination block number of the block number 2 is stored in the addresses 0004h to 0005h, and the final effective block number XXXX is stored. The alternative block number is the address YY
It is stored in YYh to YYYY + 1h.

【0039】代替先ブロック番号は、元のブロック番号
の2倍の値のアドレスに格納される。例えば、ブロック
番号1の代替先ブロック番号はアドレス0002hに格
納され、ブロック番号2の代替先ブロック番号はアドレ
ス0004hに格納される。対象とするブロック番号を
2倍すれば、代替先ブロック番号を引き出すことができ
る。
The alternative block number is stored in an address having a value twice the original block number. For example, the replacement destination block number of block number 1 is stored at address 0002h, and the replacement destination block number of block number 2 is stored at address 0004h. If the target block number is doubled, the alternative block number can be retrieved.

【0040】代替先ブロック番号には、対象ブロック番
号のブロックが正常であれば同じブロック番号が格納さ
れ、不良であればリザーブブロックのブロック番号が格
納される。この際に格納されるブロック番号は、リザー
ブブロックのうちの若いブロック番号から順番に指定さ
れる。その使用状況がアドレスYYYY+2hから始ま
るアドレスに格納される。リザーブブロックが未使用で
あれば、そのリザーブブロックのブロック番号を示すア
ドレスに未使用データ“FFFFh”が記録され、ブロ
ックの代替が行われれば、代替先のブロック番号には代
替済データ“CCCCh”が記録される。
As the alternative block number, the same block number is stored if the block of the target block number is normal, and the block number of the reserved block is stored if it is defective. The block numbers stored at this time are designated in order from the smallest block number of the reserved blocks. The usage status is stored in an address starting from the address YYYY + 2h. If the reserved block is unused, unused data “FFFFh” is recorded in the address indicating the block number of the reserved block, and if the block is replaced, the replaced data “CCCCh” is stored in the replacement destination block number. Is recorded.

【0041】代替テーブルのメモリにおいて、入力信号
を表すアドレス0000h〜YYYY+1hは有効ブロ
ックのブロック番号に対応しており、代替先ブロックの
ブロック番号が出力信号として設定される。アドレスY
YYY+2h〜ZZZZ+1hはリザーブブロックのブ
ロック番号に対応しており、各リザーブブロックの使用
状況が記録される。
In the memory of the substitution table, the addresses 0000h to YYYY + 1h representing the input signal correspond to the block number of the effective block, and the block number of the substitution destination block is set as the output signal. Address Y
YYY + 2h to ZZZZ + 1h correspond to the block numbers of the reserve blocks, and the usage status of each reserve block is recorded.

【0042】図6は、メモリに代替テーブルを設定する
例を示す。代替テーブルのメモリにおいて、アドレス0
00h〜7DFhには代替テーブルの入力と出力のブロ
ック番号の対応関係が設定され、アドレス7E0h〜7
FFhにはリザーブブロックの使用状況が記録される。
FIG. 6 shows an example of setting an alternative table in the memory. Address 0 in alternate table memory
Correspondence between input and output block numbers of the alternative table is set in 00h to 7DFh, and addresses 7E0h to 7
The usage status of the reserve block is recorded in FFh.

【0043】図6(A)は、初期化時の代替テーブルの
メモリ内容を示す。初期化時のテーブルの作成方法を説
明する。代替テーブルは、入力されるブロック番号に対
して、同じブロック番号が出力されるように設定を行
う。例えば、ブロック番号0を示すアドレス000hに
代替ブロック番号データ“0000h”を書き込み、ブ
ロック番号1を示すアドレス002hに代替ブロック番
号データ“0001h”を書き込む。そして、最終の有
効ブロック番号1007(3EFh)を示すアドレス7
DEhに代替ブロック番号データ“03EFh”を書き
込む。
FIG. 6A shows the memory contents of the substitution table at the time of initialization. A method of creating a table at initialization will be described. The substitution table is set so that the same block number is output with respect to the input block number. For example, the alternative block number data “0000h” is written to the address 000h indicating the block number 0, and the alternative block number data “0001h” is written to the address 002h indicating the block number 1. The address 7 indicating the last valid block number 1007 (3EFh)
The alternative block number data “03EFh” is written in DEh.

【0044】アドレス7E0h〜7FFhは、リザーブ
ブロックのブロック番号に対応しており、各ブロックの
使用状況が記録される。リザーブブロックのブロック番
号は3F0h(1008)から始まる。例えば、ブロッ
ク番号1008(3F0h)の使用状況は、アドレス7
E0hに格納され、ブロック番号1009(3F1h)
の使用状況は、アドレス7E2hに格納される。同様に
して、以後のブロック番号の使用状況は、アドレス7E
4h〜7FEhにそれぞれ格納される。
Addresses 7E0h to 7FFh correspond to the block numbers of the reserved blocks, and the usage status of each block is recorded. The block number of the reserved block starts from 3F0h (1008). For example, the usage status of block number 1008 (3F0h) is
Stored in E0h, block number 1009 (3F1h)
The use status of is stored in the address 7E2h. Similarly, the subsequent block number usage status is
It is stored in each of 4h to 7FEh.

【0045】初期化時には、リザーブブロックの全ての
ブロックが、未使用であることを示す未使用データ“F
FFFh”が記録される。したがって、アドレス7E0
h〜7FEhには、全て未使用データ“FFFFh”が
書き込まれる。
At the time of initialization, all the reserved blocks are unused data "F" indicating that they are unused.
FFFh "is recorded. Therefore, the address 7E0 is recorded.
Unused data “FFFFh” is written in all of h to 7FEh.

【0046】以上のような代替テーブルの初期化を行っ
た後に、メモリカード内のメモリ素子に不良がないか否
かの検査を行う。検査により、1つ目のメモリ素子の不
良が発見されたときの代替テーブルの設定方法を図6
(B)に示し、その後に2つ目のメモリ素子の不良が発
見されたときの代替テーブルの設定方法を図6(C)に
示す。
After initializing the alternative table as described above, it is inspected whether or not there is a defect in the memory element in the memory card. FIG. 6 shows a method of setting an alternative table when a defect of the first memory element is found by inspection.
FIG. 6C shows a method of setting the substitution table shown in FIG. 6B and then when a defect in the second memory element is found.

【0047】図6(B)は、1つ目の不良メモリ素子の
発見によるブロック代替の設定方法を示す。検査の結
果、ブロック番号3のブロック内のメモリ素子に不良が
発見された場合を例に説明する。不良メモリ素子を含む
ブロックを、リザーブブロック内の未使用のリザーブブ
ロックの中で最も若いブロック番号に代替する。
FIG. 6B shows a block replacement setting method by finding the first defective memory element. An example will be described in which a defect is found in the memory element in the block of block number 3 as a result of the inspection. The block including the defective memory element is replaced with the smallest block number of the unused reserved blocks in the reserved block.

【0048】つまり、不良が発見されたブロック番号3
を示すアドレス006hに、最も若いブロック番号03
F0h(1008)を書き込む。この設定により、ブロ
ック番号0003hはブロック番号03F0hに代替さ
れたことになる。
That is, the block number 3 in which the defect is found
At the address 006h indicating
Write F0h (1008). By this setting, the block number 0003h is replaced with the block number 03F0h.

【0049】続いて代替されたブロック(03F0h)
の使用状況の変更を行う。ブロック番号03F0hを示
すアドレス7E0hに、代替済データ“CCCCh”を
書き込む。
Subsequent block replaced (03F0h)
Change the usage status of. The substitute data “CCCCh” is written in the address 7E0h indicating the block number 03F0h.

【0050】図6(C)は、2つ目の不良メモリ素子の
発見によるブロック代替の設定方法を示す。図6(B)
に示すように代替テーブルが設定された後の検査の結
果、さらにブロック番号1006(3EEh)のブロッ
ク内の不良メモリ素子が発見された場合を例に説明す
る。不良メモリ素子を含むブロックを、未使用のリザー
ブブロックの中で最も若いブロック番号に代替する。
FIG. 6C shows a block replacement setting method by finding the second defective memory element. FIG. 6 (B)
As an example, a case will be described in which a defective memory element in the block of block number 1006 (3EEh) is found as a result of the inspection after the replacement table is set as shown in FIG. The block containing the defective memory element is replaced with the smallest block number of the unused reserved blocks.

【0051】リザーブブロックの中で若いブロック番号
から順番に使用状況を調べる。ブロック番号3F0hを
示すアドレス7E0hには、代替済データ“CCCC
h”が格納されているので、次に若いブロック番号を調
べる。ブロック番号3F1hには、未使用データ“FF
FFh”が格納されているので、このブロックとの代替
を行う。
The usage status is checked in order from the smallest block number in the reserved block. At the address 7E0h indicating the block number 3F0h, the replaced data “CCCC
Since h ”is stored, the next lowest block number is checked. Unused data“ FF ”is stored in block number 3F1h.
Since FFh ″ is stored, this block is replaced.

【0052】つまり、不良が発見されたブロック番号3
EEhを示すアドレス7DChに、ブロック番号“03
F1h”を書き込む。ブロック番号“03EEh”から
ブロック番号“03F1h”への代替が行われたことに
なる。
That is, the block number 3 in which the defect is found
The block number “03” is assigned to the address 7DCh indicating EEh.
Write F1h, which means that the block number "03EEh" was replaced with the block number "03F1h".

【0053】次に、代替されたブロック(3F1h)の
使用状況の変更を行う。ブロック番号3F1hを示すア
ドレス7E2hに、代替済データ“CCCCh”を書き
込む。
Next, the usage status of the replaced block (3F1h) is changed. The substitute data “CCCCh” is written in the address 7E2h indicating the block number 3F1h.

【0054】さらに他に不良メモリ素子がないか否か検
査を行い、全ての不良メモリ素子に対しての代替を行
う。ただし、全てのリザーブブロックの使用状況が代替
済となったとき、そのメモリカードは使用不能とする。
Further, it is inspected whether or not there are any defective memory elements, and all defective memory elements are replaced. However, when the usage statuses of all the reserve blocks have been replaced, the memory card is disabled.

【0055】代替テーブルの設定が終わった後に、その
設定済みの代替テーブルを用いて図1に示すメモリカー
ドを構成する。代替テーブルには、不良ブロックに対す
る代替ブロックが設定されているので、メモリカードに
不良メモリ素子が存在する場合でも、画像情報等の連続
データをメモリカードに転送できる。また、代替テーブ
ルは、アドレス信号が入力されてから2クロックで出力
信号D0−15を出力することができるので、連続デー
タを高速でメモリカードに転送することができる。
After setting the alternative table, the memory card shown in FIG. 1 is constructed by using the already set alternative table. Since the alternative block for the defective block is set in the alternative table, continuous data such as image information can be transferred to the memory card even if the memory card has a defective memory element. Further, since the alternative table can output the output signals D0-15 in 2 clocks after the address signal is input, continuous data can be transferred to the memory card at high speed.

【0056】なお、本実施例では、メモリカード製造時
に代替テーブルの設定を行い、その後は変更しない構成
のメモリカードについて説明したが、代替テーブルを書
き換える装置を設けることにより、ユーザーの指定によ
りいつでも不良メモリ素子の検査を行い代替テーブルを
書き換えるようにすることもできる。
In the present embodiment, the memory card having the configuration in which the alternative table is set at the time of manufacturing the memory card and is not changed thereafter has been described. However, by providing a device for rewriting the alternative table, a defect is always caused by user's designation. It is also possible to inspect the memory element and rewrite the alternative table.

【0057】また、代替を行う1つのブロックは、アド
レス信号A0−7で示す256バイトの単位としたが、
それ以下またはそれ以上のメモリ容量を1つのブロック
単位としてもよい。
Further, one block for substitution is a unit of 256 bytes shown by the address signal A0-7,
A memory capacity of less than or more than that may be set as one block unit.

【0058】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組合わせ等が可能なことは当業者に自
明であろう。
The present invention has been described above with reference to the embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various changes, improvements, combinations, and the like can be made.

【0059】[0059]

【発明の効果】アドレスカウンタにおいてカウントされ
た標準メモリ領域のアドレスのメモリ素子が正常である
のかまたは不良であるのかの判断を行わずに、不良のメ
モリ素子については予備メモリ領域のメモリ素子に代え
てアドレスを指定することができるので、連続データを
高速にメモリカードに転送することができる。
The defective memory element is replaced with the memory element in the spare memory area without judging whether the memory element at the address of the standard memory area counted by the address counter is normal or defective. Since the address can be specified by using the address, continuous data can be transferred to the memory card at high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例によるメモリカードの構成例を
示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a memory card according to an embodiment of the present invention.

【図2】代替テーブルから出力されるアドレス信号のタ
イミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart of address signals output from a substitution table.

【図3】メモリカードのメモリマップである。FIG. 3 is a memory map of a memory card.

【図4】代替テーブルの概念を示す図表である。図4
(A)は初期化時の代替テーブルの図表であり、 図4
(B)はメモリカードに不良メモリが存在した場合の代
替テーブルの図表である。
FIG. 4 is a chart showing a concept of an alternative table. Figure 4
(A) is a diagram of an alternative table at the time of initialization, and FIG.
(B) is a diagram of a substitute table when a defective memory exists in the memory card.

【図5】代替テーブルを格納するメモリのメモリマップ
である。
FIG. 5 is a memory map of a memory that stores an alternative table.

【図6】メモリに代替テーブルを設定する例を示す。図
6(A)は初期化時の代替テーブルのメモリ内容を示す
図表であり、図6(B)は1つ目の不良メモリ素子の発
見によるブロック代替の設定方法を示す図表であり、図
6(C)は2つ目の不良メモリ素子の発見によるブロッ
ク代替の設定方法を示す図表である。
FIG. 6 shows an example of setting an alternative table in a memory. 6A is a chart showing the memory contents of the substitution table at the time of initialization, and FIG. 6B is a chart showing a block substitution setting method by finding the first defective memory element. (C) is a chart showing a block replacement setting method by finding a second defective memory element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アドレスレジスタ 2 アドレスカウンタ 3 代替テーブル 1 Address register 2 Address counter 3 Alternative table

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定のメモリ容量を有する標準メモリ領
域と予備のメモリ容量を有する予備メモリ領域を構成
し、データを正常に記憶させることができる正常なメモ
リ素子とデータを正常に記憶させることができない不良
のメモリ素子を有するメモリと、 前記メモリに所望の連続データを記憶させるため、該標
準メモリ領域中のアドレスを受けてその後アドレスのイ
ンクリメントを行うアドレスカウンタ(2)と、 前記アドレスカウンタによりカウントされる前記標準メ
モリ領域のアドレスを入力し対応するメモリ素子を指定
するテーブルであって、対応するメモリ素子が正常なメ
モリ素子の場合はそのアドレスを指定し、不良のメモリ
素子の場合はそのメモリ素子に代わる予備メモリ領域の
メモリ素子のアドレスを指定するアドレステーブル
(3)とを有するメモリカード。
1. A standard memory area having a predetermined memory capacity and a spare memory area having a spare memory capacity are configured, and a normal memory element capable of storing data normally and a data storing area can be stored normally. A memory having a defective memory element that cannot be stored; an address counter (2) that receives an address in the standard memory area and then increments the address in order to store desired continuous data in the memory; A table for inputting an address of the standard memory area and designating a corresponding memory element, wherein the address is designated when the corresponding memory element is a normal memory element, and the memory is designated when the memory element is a defective memory element. Address table that specifies the address of the memory device in the spare memory area that replaces the device (3) and a memory card with.
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