JPH07174813A - Element testing method - Google Patents

Element testing method

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Publication number
JPH07174813A
JPH07174813A JP5344678A JP34467893A JPH07174813A JP H07174813 A JPH07174813 A JP H07174813A JP 5344678 A JP5344678 A JP 5344678A JP 34467893 A JP34467893 A JP 34467893A JP H07174813 A JPH07174813 A JP H07174813A
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JP
Japan
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terminal
voltage
test
terminals
igbt
Prior art date
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Pending
Application number
JP5344678A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhisa Kato
勝久 加藤
Toshihiko Onozawa
俊彦 小野沢
Akira Ebisawa
昭 海老沢
Koichi Usuda
孝一 薄田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tektronix Japan Ltd
Original Assignee
Sony Tektronix Corp
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Publication date
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To recognize the contact condition of terminals of an element to be tested, and surely carry out a characteristic test by applying prescribed voltage to terminals for a signal channel and testing whether the detected voltage is the prescribed voltage or not. CONSTITUTION:Each terminal of an insulated gate bipolar transistor(IGBT) 10, an element to be tested, is so put as to be brought into contact with a terminal of a testing apparatus. Electric continuity of an emitter fourth terminal (a terminal for a signal channel) 22 and a gate return terminal 26 is checked. In a processing apparatus 52, a voltage generating circuit 32 supplied prescribed voltage to the terminal 26 and at the same time, a differential amplifier 44 controls as to amplify only the voltage of an input terminal connected to the terminal 22 of a resistor 34. When the value computed from the output signal of an ADC (A/D converter) 46 corresponds to the prescribed voltage supplied to the terminal 26, the terminals 26, 22 are electrically continued. When the value does not corresponds to the voltage, they are not electrically continued and the abnormality is displayed. Successively, following the processing procedure stored in the apparatus 52, prior testing is carried out to check the contact condition of each terminal of the IGBT 10 with each corresponding terminal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体などの被試験素
子の特性を試験する際の事前試験(プリテスト)の方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pre-test method for testing the characteristics of a device under test such as a semiconductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体などの素子の特性を試験する装置
には、カーブトレーサや、パラメータ・アナライザなど
がある。これら試験装置では、被試験素子の端子を試験
装置の接続端子に接触させ、所定の電圧や電流を供給し
た際の被試験素子に流れる電流や、この被試験素子の各
端子の電圧を測定し、これら測定結果に応じて被試験素
子の特性を求めている。このような試験装置は、例え
ば、特公昭64−9595号公報、特公平1−3770
1号公報、特公平3−75072号公報などに開示され
ている。
2. Description of the Related Art An apparatus for testing the characteristics of an element such as a semiconductor includes a curve tracer and a parameter analyzer. In these test devices, the terminals of the device under test are brought into contact with the connection terminals of the test device, and the current flowing through the device under test when a predetermined voltage or current is supplied and the voltage at each terminal of the device under test are measured. The characteristics of the device under test are obtained according to these measurement results. Such a test device is disclosed, for example, in Japanese Examined Patent Publication No. 64-9595 and Japanese Examined Patent Publication No. 1-3770.
No. 1 and Japanese Patent Publication No. 3-75072.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】被試験素子の特性を確
実に試験するためには、この被試験素子の各端子が試験
装置の端子に確実に接触している必要がある。しかし、
従来の試験装置では、この接触状態が良好であるという
前提で試験を行っていたため、不良な試験結果を得た場
合、本当に被試験素子が不良なのか、接触状態に原因が
あるのかが容易に確認できなかった。
In order to surely test the characteristics of the device under test, it is necessary that each terminal of the device under test is surely in contact with the terminal of the test apparatus. But,
In the conventional test equipment, the test was performed on the assumption that the contact state is good, so if you get a bad test result, it is easy to determine whether the device under test is really defective or the contact state is the cause. I could not confirm.

【0004】したがって、本発明の目的は、被試験素子
の特性試験前に、この被試験素子の端子が試験装置の端
子に確実に接触しているかを試験する素子試験方法の提
供にある。
Therefore, an object of the present invention is to provide an element test method for testing whether the terminals of the device under test are surely in contact with the terminals of the test apparatus before the characteristic test of the device under test.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の素子試験方法
は、被試験素子の端子に対して信号路用端子及び電圧検
出用端子を個別に有する試験装置において実施する。被
試験素子の特性を試験するに際し、信号路用端子に所定
電圧を印加し、電圧検出用端子の電圧が所定電圧か否か
を試験する。そして、電圧検出用端子の電圧が所定電圧
でない場合に異常状態であると判断する。
The element test method of the present invention is carried out in a test apparatus having a signal path terminal and a voltage detection terminal separately from the terminal of the element under test. When testing the characteristics of the device under test, a predetermined voltage is applied to the signal path terminal to test whether the voltage at the voltage detection terminal is the predetermined voltage. Then, when the voltage of the voltage detection terminal is not the predetermined voltage, it is determined that the abnormal state.

【0006】[0006]

【実施例】図3は、本発明の試験方法を実施する素子試
験装置のブロック図である。この実施例では、被試験素
子として、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(I
GBT)を対象としているが、本発明は、IGBTに限
定されるものではない。被試験素子であるIGBT10
には、ゲート端子12、エミッタ端子14及びコレクタ
端子16がある。一方、試験装置の接触端子には、ゲー
ト端子12用のゲート・フォース端子(信号路用端子)
18及びゲート・センス端子(電圧検出用端子)20
と、ソース端子14用のエミッタ・フォース端子(信号
路用端子)22、エミッタ・センス端子(電圧検出用端
子)24及びゲート・リータン端子26と、コレクタ端
子16用のコレクタ・フォース端子(信号路用端子)2
8及びコレクタ・センス端子(電圧検出用端子)30と
がある。これら端子は、被試験素子10が試験装置の端
子に正しく接触した場合にのみ、端子18及び20が端
子12を介して導通し、端子22、24及び26が端子
14を介して導通し、端子28及び30が端子16を介
して導通する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 3 is a block diagram of an element testing apparatus for carrying out the testing method of the present invention. In this embodiment, an insulated gate bipolar transistor (I
The present invention is not limited to the IGBT. IGBT 10 which is the device under test
Has a gate terminal 12, an emitter terminal 14 and a collector terminal 16. On the other hand, the contact terminal of the test device is a gate force terminal (signal path terminal) for the gate terminal 12.
18 and gate sense terminal (voltage detection terminal) 20
An emitter force terminal (signal path terminal) 22 for the source terminal 14, an emitter sense terminal (voltage detection terminal) 24 and a gate return terminal 26, and a collector force terminal (signal path) for the collector terminal 16. Terminal) 2
8 and a collector / sense terminal (voltage detection terminal) 30. These terminals are such that the terminals 18 and 20 conduct through the terminal 12 and the terminals 22, 24 and 26 conduct through the terminal 14 only when the device under test 10 correctly contacts the terminals of the test apparatus. 28 and 30 conduct through the terminal 16.

【0007】ゲート・フォース端子18及びゲート・リ
ータン端子26間には、ゲート・バイアス電圧発生回路
32を挿入する。また、エミッタ・フォース端子22及
びコレクタ・フォース端子28間に、コレクタ電流検出
用抵抗器34、コレクタ電圧源36及びコレクタ負荷3
8を直列接続する。差動増幅器40は、エミッタ・セン
ス端子24及びコレクタ・センス端子30間の電圧を検
出する。この検出電圧であるコレクタ電圧をアナログ・
デジタル変換器(ADC)42によりデジタル信号に変
換する。差動増幅器44は、抵抗器34の電圧降下、即
ち、IGBT10のコレクタ電流に対応する電圧を検出
し、ADC46がこの検出電圧をデジタル信号に変換す
る。また、差動増幅器48は、ゲート・センス端子20
及びエミッタ・センス端子24間の電圧、即ちエミッタ
・ゲート間電圧を検出し、ADC50がこの検出電圧を
デジタル信号に変換する。
A gate bias voltage generating circuit 32 is inserted between the gate force terminal 18 and the gate return terminal 26. Further, between the emitter force terminal 22 and the collector force terminal 28, a collector current detecting resistor 34, a collector voltage source 36 and a collector load 3 are provided.
8 are connected in series. The differential amplifier 40 detects the voltage between the emitter / sense terminal 24 and the collector / sense terminal 30. The collector voltage that is this detection voltage is
A digital signal is converted by a digital converter (ADC) 42. The differential amplifier 44 detects the voltage drop of the resistor 34, that is, the voltage corresponding to the collector current of the IGBT 10, and the ADC 46 converts the detected voltage into a digital signal. The differential amplifier 48 also includes a gate / sense terminal 20.
The voltage between the emitter and the sense terminal 24, that is, the voltage between the emitter and the gate is detected, and the ADC 50 converts the detected voltage into a digital signal.

【0008】パーソナル・コンピュータなどの処理装置
52は、ADC42、46及び50からのデジタル信号
を受けると共に、ゲート・バイアス電圧発生回路32及
びコレクタ電圧源36を制御する。入出力装置54は、
キーボード及び表示器などであり、処理装置52に種々
の命令を入力すると共に、処理結果を表示する。また、
差動増幅器40、44及び48は、通常は、2つの入力
端子の電圧の差を求めるが、処理装置52に制御に応じ
て、一方の入力端子からの電圧のみを増幅することもで
きる。
A processing unit 52 such as a personal computer receives the digital signals from the ADCs 42, 46 and 50 and controls the gate bias voltage generating circuit 32 and the collector voltage source 36. The input / output device 54 is
A keyboard, a display, etc. are used to input various commands to the processing device 52 and display the processing results. Also,
The differential amplifiers 40, 44 and 48 normally find the difference between the voltages at the two input terminals, but can also amplify only the voltage from one of the input terminals under the control of the processor 52.

【0009】図1は、本発明の素子試験方法の全体的な
流れ図であり、処理装置52に記憶された処理手順(プ
ログラム)に応じて、マイクロプロセッサが各回路を制
御すると共に、各ADCからのデジタル信号を処理す
る。先ず、操作者が試験装置の電源を入れた後に、被試
験素子であるIGBT10の各端子を試験装置の端子に
接触するように配置する。(自動試験装置の場合は、自
動的に被試験素子が配置される。)ステップ56におい
て、IGBT10の各端子が試験装置の対応端子に確実
に接触されているかを調べる事前試験を行う。このステ
ップ56は、詳細に後述する。ステップ56の事前試験
において、端子の接触が確実であることが確認される
と、ステップ58に進み、IGBT10の特性を試験す
る。このステップ58においては、処理装置52に記憶
された試験手順に応じて、差動増幅器40、44及び4
8を差動増幅器として動作させ、ゲート・バイアス電圧
発生回路32が発生する電圧振幅や波形を制御すると共
に、コレクタ電圧源36の値を制御する。また、ADC
42、46及び50の出力信号に応じてIGBT10の
特性を求め、その結果を入出力装置54の表示器に表示
する。
FIG. 1 is an overall flow chart of the device testing method of the present invention. The microprocessor controls each circuit according to the processing procedure (program) stored in the processing device 52, and the respective ADCs control the circuits. Process digital signals. First, after the operator turns on the power of the test apparatus, the terminals of the IGBT 10 as the device under test are arranged so as to be in contact with the terminals of the test apparatus. (In the case of an automatic test apparatus, the device under test is automatically arranged.) In step 56, a preliminary test is performed to check whether each terminal of the IGBT 10 is surely contacted with the corresponding terminal of the test apparatus. This step 56 will be described in detail later. When it is confirmed in the pre-test of step 56 that the contact of the terminals is reliable, the process proceeds to step 58, and the characteristics of the IGBT 10 are tested. In this step 58, the differential amplifiers 40, 44 and 4 are responsive to the test procedure stored in the processor 52.
8 is operated as a differential amplifier to control the voltage amplitude and waveform generated by the gate / bias voltage generation circuit 32 and the value of the collector voltage source 36. In addition, ADC
The characteristics of the IGBT 10 are obtained according to the output signals of 42, 46 and 50, and the result is displayed on the display of the input / output device 54.

【0010】図2は、ステップ56の詳細な流れ図であ
る。ステップ60において、各回路を初期状態にするな
どの事前試験を行うのに必要な設定を行う。ステップ
(試験1)62において、エミッタ・フォース端子22
及びゲート・リターン端子26が導通しているかを調べ
る。このために、処理装置52は、電圧発生回路32
が、端子26に所定電圧を供給するように制御すると共
に、差動増幅器44が抵抗器34の左側からの入力端
子、即ち、エミッタ・フォース端子22に接続された入
力端子の電圧のみを増幅するように制御する。ADC4
6の出力信号から求めた値が、端子26に供給した所定
電圧に対応するならば、端子26及び22が導通してい
ることとなり、この試験62をパス(P)し、ステップ
66に進む。しかし、ADC46の出力信号から求めた
値が、端子26に供給した所定電圧に対応しないと、端
子26が22に導通していないことになる。これは、I
GBT10のエミッタ端子14が確実に端子22及び2
6に接触していないか、IGBT10自体が故障してい
ることなどが考えられる。この場合、試験62は失敗
(F)であり、ステップ64に進み、異常を表示器に表
示するなどのエラー処理を行う。
FIG. 2 is a detailed flow chart of step 56. In step 60, settings necessary for performing a preliminary test such as initializing each circuit are performed. In step (Test 1) 62, the emitter force terminal 22
Also, it is checked whether the gate / return terminal 26 is conductive. For this reason, the processing device 52 uses the voltage generating circuit 32.
Controls the terminal 26 to supply a predetermined voltage, and the differential amplifier 44 amplifies only the voltage of the input terminal from the left side of the resistor 34, that is, the input terminal connected to the emitter force terminal 22. To control. ADC4
If the value obtained from the output signal of No. 6 corresponds to the predetermined voltage supplied to the terminal 26, it means that the terminals 26 and 22 are conducting, the test 62 is passed (P), and the routine proceeds to step 66. However, if the value obtained from the output signal of the ADC 46 does not correspond to the predetermined voltage supplied to the terminal 26, it means that the terminal 26 is not conducting to 22. This is I
Ensure that the emitter terminal 14 of the GBT 10 has terminals 22 and 2
6 may not be in contact, or the IGBT 10 itself may be out of order. In this case, the test 62 has failed (F), and the process proceeds to step 64 to perform error processing such as displaying an abnormality on the display.

【0011】ステップ(試験2)66において、エミッ
タ・センス端子24及びゲート・リターン端子26が導
通しているかを調べる。このために、処理装置52は、
電圧発生回路32が、端子26に所定電圧を供給するよ
うに制御すると共に、差動増幅器48が、エミッタ・セ
ンス端子24に接続された入力端子の電圧のみを増幅す
るように制御する。ADC50の出力信号から求めた値
が、端子26に供給した所定電圧に対応するならば、端
子26及び24が導通していることとなり、この試験6
6をパス(P)し、ステップ70に進む。この場合、既
にステップ62をパスしているので、IGBT10のエ
ミッタ端子14は、端子22、24及び26の総てに確
実に接触していることとなる。しかし、ADC50の出
力信号から求めた値が、端子26に供給した所定電圧に
対応しないと、端子26が24に導通していないことに
なる。これは、IGBT10のエミッタ端子14が確実
に端子24及び26に接触していないか、IGBT10
自体が故障していることなどが考えられる。この場合、
試験66は失敗(F)であり、ステップ68に進み、異
常を表示器に表示するなどのエラー処理を行う。
In step (test 2) 66, it is checked whether the emitter sense terminal 24 and the gate return terminal 26 are conducting. To this end, the processor 52
The voltage generation circuit 32 controls the terminal 26 to supply a predetermined voltage, and the differential amplifier 48 controls to amplify only the voltage of the input terminal connected to the emitter / sense terminal 24. If the value obtained from the output signal of the ADC 50 corresponds to the predetermined voltage supplied to the terminal 26, it means that the terminals 26 and 24 are conducting, and this test 6
Pass (P) 6 and proceed to step 70. In this case, since the step 62 has already been passed, the emitter terminal 14 of the IGBT 10 is surely in contact with all the terminals 22, 24 and 26. However, if the value obtained from the output signal of the ADC 50 does not correspond to the predetermined voltage supplied to the terminal 26, it means that the terminal 26 is not electrically connected to the terminal 24. This is because the emitter terminal 14 of the IGBT 10 is surely not in contact with the terminals 24 and 26.
It is possible that the device itself is out of order. in this case,
The test 66 is a failure (F), and the process proceeds to step 68 to perform error processing such as displaying an abnormality on the display.

【0012】ステップ(試験3)70において、ゲート
・フォース端子18及びゲート・センス端子20が導通
しているかを調べる。このために、処理装置52は、電
圧発生回路32が、端子18に所定電圧を供給するよう
に制御すると共に、差動増幅器48が、ゲート・センス
端子20に接続された入力端子の電圧のみを増幅するよ
うに制御する。ADC50の出力信号から求めた値が、
端子18に供給した所定電圧に対応するならば、端子1
8及び20が導通していることとなり、この試験70を
パス(P)し、ステップ74に進む。しかし、ADC5
0の出力信号から求めた値が、端子18に供給した所定
電圧に対応しないと、端子18が20に導通していない
ことになる。これは、IGBT10のゲート端子12が
確実に端子18及び20に接触していないか、IGBT
10自体が故障していることなどが考えられる。この場
合、試験70は失敗(F)であり、ステップ72に進
み、異常を表示器に表示するなどのエラー処理を行う。
In step (test 3) 70, it is checked whether the gate force terminal 18 and the gate sense terminal 20 are conducting. To this end, the processing device 52 controls the voltage generation circuit 32 to supply a predetermined voltage to the terminal 18, and the differential amplifier 48 controls only the voltage of the input terminal connected to the gate sense terminal 20. Control to amplify. The value obtained from the output signal of the ADC 50 is
If it corresponds to the predetermined voltage supplied to the terminal 18, the terminal 1
Since 8 and 20 are conductive, the test 70 is passed (P) and the process proceeds to step 74. However, ADC5
If the value obtained from the output signal of 0 does not correspond to the predetermined voltage supplied to the terminal 18, the terminal 18 is not conducting to 20. This is because the gate terminal 12 of the IGBT 10 is surely not in contact with the terminals 18 and 20.
It is possible that 10 itself is out of order. In this case, the test 70 has failed (F), and the process proceeds to step 72 to perform error processing such as displaying an abnormality on the display.

【0013】ステップ(試験4)74において、コレク
タ・フォース端子28及びコレクタ・センス端子30が
導通しているかを調べる。このために、処理装置52の
制御により、電圧発生回路32は、IGBT10を逆バ
イアスしてコレクタ電流を流さない。よって、負荷38
の影響がなくなる。また、処理装置52は、コレクタ電
圧源36が、端子28に所定電圧を供給するように制御
すると共に、差動増幅器40が、コレクタ・センス端子
30に接続された入力端子の電圧のみを増幅するように
制御する。ADC42の出力信号から求めた値が、端子
28に供給した所定電圧に対応するならば、端子28及
び30が導通していることとなり、この試験74をパス
(P)し、事前試験のステップ56を終了する。しか
し、ADC42の出力信号から求めた値が、端子28に
供給した所定電圧に対応しないと、端子28が30に導
通していないことになる。これは、IGBT10のゲー
ト端子12が確実に端子28及び30に接触していない
か、IGBT10自体が故障していることなどが考えら
れる。この場合、試験74は失敗(F)であり、ステッ
プ76に進み、異常を表示器に表示するなどのエラー処
理を行う。
In step (test 4) 74, it is checked whether the collector force terminal 28 and the collector sense terminal 30 are conducting. Therefore, under the control of the processing device 52, the voltage generating circuit 32 reversely biases the IGBT 10 so that no collector current flows. Therefore, the load 38
The effect of will disappear. Further, the processing device 52 controls the collector voltage source 36 to supply a predetermined voltage to the terminal 28, and the differential amplifier 40 amplifies only the voltage of the input terminal connected to the collector / sense terminal 30. To control. If the value obtained from the output signal of the ADC 42 corresponds to the predetermined voltage supplied to the terminal 28, it means that the terminals 28 and 30 are conducting, the test 74 is passed (P), and the pre-test step 56 is performed. To finish. However, if the value obtained from the output signal of the ADC 42 does not correspond to the predetermined voltage supplied to the terminal 28, it means that the terminal 28 is not conducting to 30. This may be because the gate terminal 12 of the IGBT 10 is not surely in contact with the terminals 28 and 30, or the IGBT 10 itself is out of order. In this case, the test 74 is unsuccessful (F), and the process proceeds to step 76 to perform error processing such as displaying an abnormality on the display.

【0014】上述は、本発明の好適な実施例について説
明したが、本発明の要旨を逸脱することなく種々の変形
変更が可能である。例えば、被試験素子は、IGBT以
外の半導体素子でもよい。端子の数に合わせて、上述の
事前試験と同様な試験を行えばよい。また、差動増幅器
の動作モードを変更する代わりに、その入力端子を選択
的に接地できるスイッチを設けてもよい。
Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, various modifications and changes can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the device under test may be a semiconductor device other than the IGBT. A test similar to the above-described preliminary test may be performed according to the number of terminals. Further, instead of changing the operation mode of the differential amplifier, a switch capable of selectively grounding its input terminal may be provided.

【0015】[0015]

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、試験装置
により被試験素子の特性を試験する前に、端子の接触状
態を試験するので、特性試験を確実に行える。
As described above, according to the present invention, the contact state of the terminals is tested before the characteristics of the device under test are tested by the testing apparatus, so that the characteristics test can be reliably performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の全体的な流れ図である。FIG. 1 is an overall flow chart of the present invention.

【図2】図1のステップ58の詳細な流れ図である。2 is a detailed flow chart of step 58 of FIG.

【図3】本発明が適用される試験装置のブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram of a test apparatus to which the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 被試験素子 18、22、28 信号路用端子 20、24、30 電圧検出用端子 10 device under test 18, 22, 28 signal path terminal 20, 24, 30 voltage detection terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 薄田 孝一 東京都品川区北品川5丁目9番31号 ソニ ー・テクトロニクス株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koichi Usuda 5-9-31 Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Tektronix Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被試験素子の端子に対して信号路用端子
及び電圧検出用端子を個別に有する試験装置により上記
被試験素子の特性を試験する方法であって、 上記被試験素子の特性を試験するに際し、 上記信号路用端子に所定電圧を印加し、上記電圧検出用
端子の電圧が上記所定電圧か否かを試験し、上記電圧検
出用端子の電圧が上記所定電圧でない場合に異常状態で
あると判断することを特徴とする素子試験方法。
1. A method for testing the characteristics of the device under test by a test apparatus having a signal path terminal and a voltage detection terminal for the terminals of the device under test, the method comprising: When testing, apply a predetermined voltage to the signal path terminal, test whether the voltage of the voltage detection terminal is the predetermined voltage, and if the voltage of the voltage detection terminal is not the predetermined voltage, an abnormal state A device test method characterized by determining that
JP5344678A 1993-12-21 1993-12-21 Element testing method Pending JPH07174813A (en)

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JP5344678A JPH07174813A (en) 1993-12-21 1993-12-21 Element testing method

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