JPH07169095A - Information recording medium - Google Patents

Information recording medium

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JPH07169095A
JPH07169095A JP5310775A JP31077593A JPH07169095A JP H07169095 A JPH07169095 A JP H07169095A JP 5310775 A JP5310775 A JP 5310775A JP 31077593 A JP31077593 A JP 31077593A JP H07169095 A JPH07169095 A JP H07169095A
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JP
Japan
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layer
recording
layers
oxide
information
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JP5310775A
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Yasuyo Hisamichi
康代 久道
Yoshio Shirai
良男 白井
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To improve adhesiveness of a thin film for forming a recording layer and to enhance durability of an information recording medium by providing an oxide layer on a boundary between the recording layer and a reflecting layer. CONSTITUTION:The figure shows an information recording medium for independently recording and reproducing on both surface of a disk. The medium recording layers 9a, 9b for recording recording information by condensing and casting a laser light on boards 1a, 1b and reflecting layers 6a, 6b having a high reflectively for the light on the recording layers. Thus, the light is condensed to the recording layer thereby to vary reflectivity of the recording layer by generating low-melting-point alloy. Main ingredients of the layers 9a, 9b are antimony, selenium. The layers 6a, 6b contain aluminum. The recording layer is exposed to an oxygen atmosphere to form oxide layers 5a, 5b made of antimony oxide on the boundary between the recording layer and a reflecting layer. Thus, adhesiveness between the recording layer and the reflecting layer are improved and durability of the medium is enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ビデオディスク、ディ
ジタルオーディオディスクを始めとする各種画像ファイ
ルや大容量メモリに適用して好ましい情報記録媒体に関
し、特に一旦記録した情報を長期間保存できるいわゆる
追記(DRAW)型の情報記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium suitable for application to various image files such as video discs and digital audio discs and a large-capacity memory. The present invention relates to a (DRAW) type information recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の情報記録媒体としては、基板上に
形成された低融点金属薄膜層に記録情報信号によって変
調したレーザ光を照射して、情報に応じた局部的な加熱
によって金属薄膜層を溶融または蒸発させ、ここに記録
ピットを形成するようにした、すなわち形状変化による
記録を行うようにしたものや、形状変化による記録態様
を採らずに、非晶質記録層を加熱することにより部分的
に結晶化記録部を形成し、この結晶化記録部と非晶質部
との光学的特性の差によって記録および読み出しを行う
ようにした記録媒体が知られている(例えば、特開昭5
2−138,145号公報参照)。
2. Description of the Related Art As a conventional information recording medium, a low melting point metal thin film layer formed on a substrate is irradiated with laser light modulated by a recording information signal, and the metal thin film layer is locally heated according to the information. By heating or heating the amorphous recording layer without melting or vaporizing a recording pit to form a recording pit, that is, recording by changing the shape, or recording mode by changing the shape. There is known a recording medium in which a crystallized recording portion is partially formed and recording and reading are performed by the difference in optical characteristics between the crystallized recording portion and the amorphous portion (for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. Sho. 5
No. 2-138,145).

【0003】しかしながら、前者の記録媒体では、書き
込みに大きなパワーを必要とし、また溶融によって生じ
た記録ピットの形状制御が困難であるためにノイズレベ
ルが高くなり、しかも解像度が低いので高密度記録に適
していないという問題があった。また、後者のものも、
結晶化させるためには徐熱および徐冷の条件下での記録
が必要となるが高速かつ高密度の記録を行う場合には記
録条件が急熱および急冷の条件で行われるために、目的
とする結晶化がなされないおそれがあった。逆に急熱お
よび急冷の条件で容易に結晶化される材料を用いると、
長期の保存中において非晶質部分が徐々に結晶化されて
行きS/N比が低下するという問題があった。
However, in the former recording medium, a large power is required for writing, and it is difficult to control the shape of the recording pit generated by melting, so that the noise level becomes high and the resolution is low, so that high density recording is performed. There was a problem that it was not suitable. Also, the latter one,
In order to crystallize, it is necessary to record under conditions of slow heating and slow cooling, but when performing high-speed and high-density recording, the recording conditions are rapid heating and rapid cooling. There is a risk that crystallization will not occur. On the contrary, if a material that is easily crystallized under conditions of rapid heating and rapid cooling is used,
There is a problem that the amorphous part is gradually crystallized during a long-term storage and the S / N ratio is lowered.

【0004】そこで、レーザ光に対して高い透過率を有
する第1の金属層を基板上に形成し、さらにこの第1の
金属層上に、レーザ光に対して高吸収率を有し第1の金
属層と容易に合金をつくる低融点金属を主成分とする第
2の金属層を形成した記録媒体が提案されている(例え
ば、本出願人の出願に係る特開昭60−28,045号
公報参照)。この場合、第1の金属層は例えばアンチモ
ンセレンSb2 Se3から構成し、第2の金属層は例え
ばビスマステルルBi2 Te3 から構成することができ
る。また、これら第1および第2の金属層上には、さら
に断熱層と反射層を形成し、断熱層は熱伝導率が低くレ
ーザ光の透過率が高い材料、例えばアンチモンセレンS
2 Se3 から構成すると共に、反射層は断熱層との界
面においてレーザ光に対する反射率が大きくなるように
断熱層と屈折率、吸収率が大きく異なる材料、例えばア
ルミニウムAlなどから構成することができる。
Therefore, a first metal layer having a high transmittance for the laser light is formed on the substrate, and the first metal layer having a high absorptivity for the laser light is formed on the first metal layer. A recording medium having a second metal layer containing a low melting point metal as a main component, which easily forms an alloy with the above metal layer, has been proposed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-28,045 filed by the present applicant). (See the official gazette). In this case, the first metal layer can be composed of, for example, antimony selenium Sb 2 Se 3 , and the second metal layer can be composed of, for example, bismuth tellurium Bi 2 Te 3 . Further, a heat insulating layer and a reflecting layer are further formed on the first and second metal layers, and the heat insulating layer has a low thermal conductivity and a high laser beam transmittance, for example, antimony selenium S.
In addition to being composed of b 2 Se 3 , the reflective layer may be composed of a material having a large difference in refractive index and absorptivity from the heat insulating layer such as aluminum Al so that the reflectance with respect to the laser beam at the interface with the heat insulating layer becomes large. it can.

【0005】このような記録媒体では、第1の金属層の
厚さが多重繰り返し反射による干渉効果を利用して基板
側から入射させるレーザ光に対してその反射率が低くな
るように選定されており、その結果、レーザ光を集光照
射させると第1の金属層と第2の金属層および反射層の
一部が4元素が混在した合金となり、上述した多重繰り
返し反射の条件を変えると基板側から見た記録層の実質
的反射率が変化するので情報の記録および読み出しを行
うことができる。しかも、従来の磁気記録などのように
周辺環境の磁界等によって記録された内容が消去されな
いので、一旦記録した情報を長期間保存できる媒体とし
て注目されている。
In such a recording medium, the thickness of the first metal layer is selected so that the reflectance thereof is low with respect to the laser light incident from the substrate side by utilizing the interference effect due to the multiple repeated reflection. As a result, when the laser light is focused and irradiated, the first metal layer, the second metal layer, and a part of the reflective layer become an alloy in which four elements are mixed, and when the conditions of the multiple repeated reflection are changed, the substrate is changed. Since the substantial reflectance of the recording layer viewed from the side changes, information can be recorded and read. Moreover, since the recorded contents are not erased by the magnetic field of the surrounding environment unlike the conventional magnetic recording, it is attracting attention as a medium capable of storing the recorded information for a long time.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、基板上にア
ンチモンセレンSb2 Se3 からなる第1の金属層、ビ
スマステルルBi2 Te3 からなる第2の金属層、アン
チモンセレンSb2 Se 3 からなる断熱層、アルミニウ
ムAlからなる反射層、および紫外線硬化樹脂からなる
保護層をそれぞれ形成し、同様にして形成された2つの
基板を保護層を接合面として接着剤を介して接合し、両
面から記録/読み出しを行えるように記録媒体を構成し
た場合、アンチモンセレンSb2 Se3 からなる断熱層
とアルミニウムAlからなる反射層との界面における付
着性に問題があった。
However, on the substrate,
Nchimon Selenium Sb2Se3A first metal layer consisting of
Sumasteru Bi2Te3A second metal layer consisting of
Chimon Selenium Sb2Se 3Insulation layer made of aluminum
A reflective layer made of aluminum and an ultraviolet curable resin
Two protective layers formed in the same way
Bond the board with the protective layer as the bonding surface via an adhesive,
The recording medium is configured so that recording / reading can be performed from the surface.
In case of antimony selenium Sb2Se3Insulation layer consisting of
At the interface with the reflection layer made of aluminum Al
There was a problem with the fit.

【0007】すなわち、2つの基板の接合は、接着剤と
して両面接着テープをそれぞれの基板の保護層に貼り付
け、当該両面接着テープの台紙を剥がしたのち、それぞ
れの両面接着テープを重ね合わすことにより行われる
が、両面接着テープの台紙を剥がす際に台紙が両面接着
テープから離れずに断熱層と反射層との界面に剥離が生
じてしまうという問題があった。このような付着性の不
具合は、両面接着テープを用いなくとも経時的な劣化に
よっても生じると推測される。本発明は、このような従
来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、記録層を
形成する薄膜の付着性を向上させることを目的とする。
That is, the two substrates are joined by attaching a double-sided adhesive tape as an adhesive to the protective layer of each substrate, peeling off the mount of the double-sided adhesive tape, and then laminating the respective double-sided adhesive tapes. However, there is a problem that when the backing of the double-sided adhesive tape is peeled off, the backing does not separate from the double-sided adhesive tape and peeling occurs at the interface between the heat insulating layer and the reflective layer. It is presumed that such a problem of adhesiveness is caused by deterioration over time without using the double-sided adhesive tape. The present invention has been made in view of such problems of the conventional art, and an object of the present invention is to improve the adhesion of a thin film forming a recording layer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の情報記録媒体は、記録情報信号に応じて変
調されたレーザー光が透過する基板上に前記レーザー光
を集光照射して前記記録情報を記録する記録層を形成
し、前記記録層上に前記レーザー光に対する反射率が高
い反射層を形成し、前記記録層に対して前記レーザー光
の集光照射を行うことにより低融点合金を生成して前記
基板側から見た当該記録層の反射率を変化させる情報記
録媒体において、前記記録層と前記反射層との界面に酸
化物からなる酸化物層を形成したことを特徴としてい
る。
In order to achieve the above object, the information recording medium of the present invention condenses and irradiates the laser light onto a substrate through which the laser light modulated according to the recording information signal is transmitted. By forming a recording layer for recording the recording information on the recording layer, forming a reflective layer having a high reflectance with respect to the laser light on the recording layer, and converging and irradiating the recording light with the laser light. In an information recording medium for generating a melting point alloy to change the reflectance of the recording layer viewed from the substrate side, an oxide layer made of an oxide is formed at an interface between the recording layer and the reflecting layer. I am trying.

【0009】前記記録層はアンチモンセレン(Sb2
3 )を主成分とし、前記反射層はアルミニウム(A
l)を主成分とすることが好ましい。また、前記酸化物
層の膜厚は10nm以上であることが好ましい。
The recording layer is made of antimony selenium (Sb 2 S
e 3 ) as a main component, and the reflective layer is made of aluminum (A
It is preferable to use l) as a main component. The thickness of the oxide layer is preferably 10 nm or more.

【0010】[0010]

【作用】記録層の主成分をアンチモンセレン(Sb2
3 )とし、反射層を主にアルミニウム(Al)とし
て、この記録層を酸素雰囲気中に暴露することにより当
該記録層と反射層との界面に酸化アンチモン(Sb2
3 )からなる酸化物層を形成すると、記録層と反射層と
の間の付着性が向上する。ただし、この酸化物層の膜厚
が10nmより薄いと付着性の向上が観察されないので
膜厚は10nm以上とすることが好ましい。
[Operation] The main component of the recording layer is antimony selenium (Sb 2 S
e 3 ), the reflective layer is mainly aluminum (Al), and the recording layer is exposed to an oxygen atmosphere to expose antimony oxide (Sb 2 O) at the interface between the recording layer and the reflective layer.
When the oxide layer composed of 3 ) is formed, the adhesion between the recording layer and the reflective layer is improved. However, if the thickness of this oxide layer is less than 10 nm, no improvement in adhesion is observed, so the thickness is preferably 10 nm or more.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1(A)は本発明の一実施例に係る光ディス
クを示す全体断面図、図1(B)は図1(A)のB部を
示す拡大断面図である。本実施例は、ディスクの両主面
に対してそれぞれ独立に情報の記録及び、情報を記録し
た側と同じ側からそれぞれ記録の読み出しを行うことが
できる素体a,bを設けるようにして、1枚の情報記録
媒体の記録容量を倍増させたものである。ただし、本発
明では本実施例にのみ限定されず片面にのみ素体を形成
してもよい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 (A) is an overall sectional view showing an optical disc according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (B) is an enlarged sectional view showing part B of FIG. 1 (A). In this embodiment, element bodies a and b capable of independently recording information on both main surfaces of the disc and reading the recording from the same side on which the information is recorded are provided, The recording capacity of one information recording medium is doubled. However, the present invention is not limited to this embodiment, and the element body may be formed only on one surface.

【0012】両素体a,bの基板1a,1bは、記録及
び読み出しを行うレーザ光に対して高い透過率を有する
ポリカーボネート樹脂またはアクリル樹脂からなり、こ
の基板を成形する際にレーザ光の案内溝10a,10b
が形成される。また、この案内溝が形成された側の面に
記録層9a,9bが形成されている。
The substrates 1a and 1b of the two elements a and b are made of polycarbonate resin or acrylic resin having a high transmittance for laser light for recording and reading, and guide the laser light when molding these substrates. Grooves 10a, 10b
Is formed. Recording layers 9a and 9b are formed on the surface on which the guide groove is formed.

【0013】本実施例の記録層9a,9bは、基板1
a,1bに直接形成された第1の金属層2a,2bと、
この第1の金属層上に形成された第2の金属層3a,3
bと、この第2の金属層上に形成された断熱層4a,4
bから構成されており、何れの層2a,2b,3a,3
b,4a,4bもスパッタリング、真空蒸着、または電
子ビーム蒸着等により形成することができる。
The recording layers 9a and 9b of this embodiment are the substrate 1
first metal layers 2a and 2b directly formed on a and 1b,
The second metal layers 3a, 3 formed on the first metal layer
b and the heat insulation layers 4a, 4a formed on the second metal layer.
any of the layers 2a, 2b, 3a, 3
b, 4a, 4b can also be formed by sputtering, vacuum evaporation, electron beam evaporation, or the like.

【0014】第1の金属層2a,2bは、使用されるレ
ーザ光に対して十分に透明であり、かつ第2の金属層3
a,3bと容易に合金化する材料から構成されており、
例えばアンチモンセレンSb2 Se3 を例示できる。こ
れに対して、第2の金属層3a,3bは、使用されるレ
ーザ光を十分に吸収する低融点金属であって、第1の金
属層2a,2bと合金化して当該第1の金属層の光学的
性質(例えば反射率)を変え得る材料、例えばテルルT
e、ビスマスBi、アンチモンSb、インジウムIn等
の低融点金属もしくはこれらの元素を含む低融点化合物
からなる。そして680〜800nmの波長帯の半導体
レーザを使用する場合には、例えばビスマスBiやビス
マステルルBi2 Te3 等を第2の金属層3a,3bと
して用いることができる。
The first metal layers 2a and 2b are sufficiently transparent to the laser light used and the second metal layer 3 is used.
It is composed of a material that easily alloys with a and 3b,
For example, antimony selenium Sb 2 Se 3 can be exemplified. On the other hand, the second metal layers 3a and 3b are low melting point metals that sufficiently absorb the laser light used, and are alloyed with the first metal layers 2a and 2b to form the first metal layers. Materials that can change the optical properties (eg, reflectance) of, eg, tellurium T
e, a low melting point metal such as bismuth Bi, antimony Sb, or indium In, or a low melting point compound containing these elements. When using a semiconductor laser having a wavelength band of 680 to 800 nm, for example, bismuth Bi, bismuth tellurium Bi 2 Te 3 or the like can be used as the second metal layers 3a and 3b.

【0015】なお、この第2の金属層3a,3bは10
nm〜50nmの膜厚で形成することが好ましい。これ
に対して第1の金属層2a,2bの膜厚は、この第1の
金属層と基板1a,1bとの界面、及びこの第1の金属
層と第2の金属層3a,3bとの界面の間で生じる繰り
返し多重反射の干渉の結果として、基板側からレーザ光
を照射した場合に実質的反射率が小さく、しかも第2の
金属層においてレーザ光が効率良く吸収されるように選
定される。ただし、記録レーザ光の吸収効率を高めるた
めには反射率は小さいほうが有利ではあるが、記録再生
装置におけるレーザ光のオートフォーカスまたはオート
トラッキング機構の安定動作のためには、その検出光と
してある程度の反射率が必要となるので、その意味から
未記録状態における反射率は10〜20%程度が望まし
いと言える。
The second metal layers 3a and 3b are formed of 10
It is preferably formed with a film thickness of nm to 50 nm. On the other hand, the film thicknesses of the first metal layers 2a and 2b are the same as those of the interface between the first metal layer and the substrates 1a and 1b and between the first metal layer and the second metal layers 3a and 3b. As a result of the interference of repeated multiple reflections that occur between the interfaces, the reflectivity is small when the laser light is irradiated from the substrate side, and the laser light is efficiently absorbed in the second metal layer. It However, it is advantageous that the reflectance is small in order to increase the absorption efficiency of the recording laser light, but in order to stabilize the operation of the laser light autofocus or the autotracking mechanism in the recording / reproducing apparatus, the detection light has a certain level. Since the reflectance is required, it can be said that the reflectance in the unrecorded state is preferably about 10 to 20%.

【0016】上述した第2の金属層3a,3b上に形成
される断熱層4a,4bは、熱伝導率が低い材料から構
成され、例えば第1の金属層2a,2bと同様のアンチ
モンセレンSb2 Se3 から構成することができる。そ
して、本実施例における記録層9a,9bは、第1の金
属層2a,2bと第2の金属層3a,3b及びこの断熱
層4a,4bの一部(第2の金属層に隣接した部分)か
らなり、基板側からレーザ光を照射して当該記録層に集
光させることにより、このレーザ光は第2の金属層3
a,3bに効率よく吸収されて熱に変換され、これによ
って第1の金属層と第2の金属層及びこの断熱層の一部
を溶融してアンチモン、セレン、ビスマス、テルルの4
元素金属からなる合金を生成する。このレーザ光の照射
によって生成される合金(すなわち記録部)は、レーザ
光が照射されていない金属層(すなわち未記録部)に比
べて反射率などの光学的特性が相違するため、この反射
率の相違を利用して記録及びその読み出しを行うことが
できる。
The heat insulating layers 4a and 4b formed on the above-mentioned second metal layers 3a and 3b are made of a material having a low thermal conductivity, for example, antimony selenium Sb similar to the first metal layers 2a and 2b. It can be composed of 2 Se 3 . The recording layers 9a and 9b in the present embodiment are the first metal layers 2a and 2b, the second metal layers 3a and 3b, and a part of the heat insulating layers 4a and 4b (portions adjacent to the second metal layer. ), The laser light is emitted from the substrate side and focused on the recording layer, so that the laser light is emitted from the second metal layer 3
a and 3b are efficiently absorbed and converted into heat, which melts the first metal layer, the second metal layer, and a part of this heat insulating layer, and thereby the antimony, selenium, bismuth, and tellurium
Produces alloys of elemental metals. The alloy generated by the irradiation of the laser light (that is, the recording portion) has different optical characteristics such as the reflectance as compared with the metal layer that is not irradiated with the laser light (that is, the unrecorded portion). Recording and reading can be performed by utilizing the difference of.

【0017】なお、断熱層4a,4bの膜厚は、基板側
から照射され第2の金属層3a,3bを透過した一部の
光が後述する反射層6a,6bで反射されて再び第2の
金属層へ戻るように機能するように選定されているが、
この断熱層4a,4bの膜厚如何では、基板側からのレ
ーザ光の反射率は多重反射の干渉効果によって相違する
ことになる。したがって、記録層全体の反射率が前述し
たオートフォーカス、オートトラッキングのサーボ信号
を得る上で必要な反射率10〜20%以上を示し、しか
も記録部と未記録部との反射率の差が大きく、さらに第
2の金属層3a,3bにおける吸収率が高くなるような
断熱層の膜厚を選定する必要がある。例えば、第1の金
属層(アンチモンセレン)を30nm、第2の金属層
(ビスマステルル)を15nmの膜厚とし、断熱層をア
ンチモンセレンから構成すると共に反射層をアルミニウ
ムから構成した場合には、断熱層4a,4bの膜厚は上
述した条件を考慮して、120〜150nm程度に選定
することが望ましい。
The thickness of the heat insulating layers 4a and 4b is the same as that of the second layer after a part of the light that has been irradiated from the substrate side and transmitted through the second metal layers 3a and 3b is reflected by the reflecting layers 6a and 6b which will be described later. Selected to function to return to the metal layer of
Depending on the thickness of the heat insulating layers 4a and 4b, the reflectance of the laser light from the substrate side will differ due to the interference effect of multiple reflection. Therefore, the reflectance of the entire recording layer is 10 to 20% or more, which is necessary to obtain the servo signals for the above-described autofocus and autotracking, and the difference in reflectance between the recorded portion and the unrecorded portion is large. Further, it is necessary to select the film thickness of the heat insulating layer such that the absorptance of the second metal layers 3a and 3b is high. For example, when the first metal layer (antimony selenium) has a thickness of 30 nm, the second metal layer (bismuth tellurium) has a thickness of 15 nm, and the heat insulating layer is made of antimony selenium and the reflecting layer is made of aluminum, The thickness of the heat insulating layers 4a and 4b is preferably selected to be about 120 to 150 nm in consideration of the above-mentioned conditions.

【0018】一方、本実施例に係る反射層6a,6b
は、断熱層4a,4bとの界面におけるレーザ光の反射
率が高くなるように断熱層と屈折率や吸収係数が大きく
相違する材料から構成され、例えばアルミニウム、錫、
銀、金等を例示できる。なお、この反射層6a,6bの
膜厚は当該反射層を通過して外部に漏れるレーザ光量が
十分に小さく無視できる範囲に選定される。この反射層
6a,6bもスパッタリング、真空蒸着、または電子ビ
ーム蒸着等により形成することができる。
On the other hand, the reflective layers 6a and 6b according to this embodiment.
Is made of a material whose refractive index and absorption coefficient are largely different from those of the heat insulating layer so that the reflectance of the laser beam at the interfaces with the heat insulating layers 4a and 4b is high.
Examples are silver and gold. The thicknesses of the reflective layers 6a and 6b are selected within a range in which the amount of laser light passing through the reflective layers and leaking to the outside is sufficiently small and can be ignored. The reflective layers 6a and 6b can also be formed by sputtering, vacuum evaporation, electron beam evaporation, or the like.

【0019】「7a,7b」は製造過程において光ディ
スク、特に反射層6a,6bを保護するための保護層で
あって、例えば樹脂等から構成されている。ただし、樹
脂を加熱によって硬化させると記録層9a,9bや基板
1a,1bに熱歪み等が生じて好ましくないので、本実
施例では紫外線硬化樹脂などの光硬化性樹脂が用いられ
る。なお、本発明では必ずしも保護層を設ける必要はな
く、両素体の反射層を互いに直接接合することも可能で
ある。
"7a, 7b" is a protective layer for protecting the optical disc, especially the reflective layers 6a, 6b in the manufacturing process, and is made of, for example, resin or the like. However, when the resin is cured by heating, thermal distortion or the like is generated in the recording layers 9a and 9b and the substrates 1a and 1b, which is not preferable. Therefore, in this embodiment, a photocurable resin such as an ultraviolet curable resin is used. In the present invention, it is not always necessary to provide the protective layer, and the reflective layers of both the element bodies can be directly bonded to each other.

【0020】このようにして形成される両素体a,b
は、接着層8a,8bによって接合されるが、本実施例
ではそれぞれの素体の保護層7a,7bにそれぞれ両面
接着テープを貼り付け、この両面接着テープを互いに接
着させることにより両素体a,bを接合する。ただし、
かかる手法に限定されることはなく、各種接着剤を用い
て両素体を接合してもよい。
Both element bodies a and b thus formed
Are bonded by the adhesive layers 8a and 8b. In this embodiment, the double-sided adhesive tapes are attached to the protective layers 7a and 7b of the respective element bodies, and the double-sided adhesive tapes are adhered to each other to form the two element bodies a. , B are joined. However,
The method is not limited to this method, and the two elements may be joined using various adhesives.

【0021】特に本実施例では、上述した断熱層4a,
4bと反射層6a,6bとの間に酸化物層5a,5bを
形成して、当該断熱層と反射層との間の付着性の向上を
図っている。上述した断熱層4a,4bをアンチモンセ
レンから構成し、反射層6a,6bをアルミニウムから
構成した場合には、アンチモンSbの酸化物(例えばS
2 3 )からなる層5a,5bを形成することが好ま
しい。このようなアンチモンの酸化物は、アンチモンセ
レンからなる断熱層4a,4bをスパッタリングにより
形成した後に、これを一度酸素雰囲気中に暴露するか、
または真空中に酸素を導入することにより行うことがで
きる。酸化物としてはセレンの酸化物(例えばSe
2 )等も考えられたが、後述する実験結果からは付着
性に対してはアンチモンの酸化物(例えばSb2 3
が効果的であることが確認された。
Particularly, in this embodiment, the above-mentioned heat insulating layer 4a,
Oxide layers 5a and 5b are formed between the insulating layer 4b and the reflection layers 6a and 6b to improve the adhesion between the heat insulation layer and the reflection layer. When the heat insulating layers 4a and 4b are made of antimony selenium and the reflective layers 6a and 6b are made of aluminum, the oxide of antimony Sb (for example, S
It is preferable to form the layers 5a and 5b made of b 2 O 3 ). Such an antimony oxide is formed by forming the heat insulating layers 4a and 4b made of antimony selenium by sputtering, and then exposing the heat insulating layers 4a and 4b once in an oxygen atmosphere.
Alternatively, it can be performed by introducing oxygen into a vacuum. As the oxide, an oxide of selenium (for example, Se
O 2 ), etc. were also considered, but from the experimental results described later, antimony oxides (eg Sb 2 O 3 ) were found to be used for adhesion.
Was confirmed to be effective.

【0022】また、断熱層4a,4bと反射層6a,6
bとの間に酸化物層5a,5bを形成する場合、後述す
る実験結果からも明らかなように10nmより薄いと付
着性の向上が観察されないので、酸化物層の膜厚は10
nm以上とすることが望ましい。
Further, the heat insulating layers 4a and 4b and the reflecting layers 6a and 6
When the oxide layers 5a and 5b are formed between the oxide layers 5b and 5b, the adhesion is not improved if the thickness is less than 10 nm, as will be apparent from the experimental results described later.
It is desirable to set it to nm or more.

【0023】以下に本発明をさらに具体化した実施例を
説明するが、以下の実施例における具体的数値は本発明
を何ら限定するものではない。実施例 ポリカーボネートから成形した基板上に、スパッタリン
グによって、約30nmのアンチモンセレン層(第1の
金属層)、約15nmオングストロームのビスマステル
ル層(第2の金属層)、及び140〜148nmのアン
チモンセレン層(断熱層)をそれぞれ積層したのち、酸
素O2 分圧が7×10-3Paの酸素雰囲気中にこれを暴
露して断熱層上に酸化物層を10nm以上形成した。さ
らに、この酸化物層上にスパッタリングによって約10
0nmのアルミニウム層(反射層)を形成し、続いて紫
外線硬化樹脂により保護層を形成し、図1に示す光ディ
スクのうちの一つの素体を得た。比較例 上述した実施例に対して酸化物層を除く条件は全て同じ
条件で一つの素体を作製した。すなわち、実施例と同様
の条件で断熱層まで形成し、酸素雰囲気中に暴露するこ
となく続けて反射層を形成した素体である。
Examples will be described below in which the present invention is further embodied, but the specific numerical values in the following examples do not limit the present invention in any way. EXAMPLE About 30 nm antimony selenium layer (first metal layer), about 15 nm angstrom bismuth tellurium layer (second metal layer), and 140-148 nm antimony selenium layer by sputtering on a substrate molded from polycarbonate. After each (heat insulating layer) was laminated, it was exposed to an oxygen atmosphere having an oxygen O 2 partial pressure of 7 × 10 −3 Pa to form an oxide layer of 10 nm or more on the heat insulating layer. Further, about 10 is deposited on the oxide layer by sputtering.
An aluminum layer (reflection layer) having a thickness of 0 nm was formed, and then a protective layer was formed using an ultraviolet curable resin to obtain an element body of one of the optical discs shown in FIG. Comparative Example One element was manufactured under the same conditions as the above-mentioned example except for the oxide layer. That is, it is an element body in which a heat insulating layer is formed under the same conditions as in the embodiment, and a reflective layer is continuously formed without being exposed to an oxygen atmosphere.

【0024】まず、実施例と比較例のそれぞれの断熱層
及び反射層の界面における化学結合状態をESCA(光
電子分光分析法)によって分析し、当該界面に生じてい
る物質を明らかにした。ESCA分析にあたっては、分
析装置としてULVAC−PUI ESCA5400M
Cを用い、真空度が10-8Paオーダ、X線としてMg
Kα(15kV,400W)、光電子脱出角度が45
°、分析径が1.1mmφとして計測を行った。実施例
及び比較例のアンチモン3dスペクトルを図2に示し、
実施例及び比較例のセレン3dスペクトルを図3に示
す。
First, the chemical bonding state at the interface between the heat insulating layer and the reflective layer of each of the examples and the comparative examples was analyzed by ESCA (photoelectron spectroscopy) to clarify the substance occurring at the interface. For ESCA analysis, ULVAC-PUI ESCA5400M is used as an analyzer.
C is used, the degree of vacuum is on the order of 10 -8 Pa, and X-ray is Mg
Kα (15kV, 400W), photoelectron escape angle is 45
The measurement was carried out at an analysis diameter of 1.1 mmφ. The antimony 3d spectra of Examples and Comparative Examples are shown in FIG.
The selenium 3d spectra of Examples and Comparative Examples are shown in FIG.

【0025】この結果から、図3に示すようにセレン元
素に係る結合エネルギーは実施例でも比較例でも55e
V近傍にピークが現れているので、図4(B)の図から
何れもセレンは金属単体で存在していると理解される。
しかしながら、図2に示されたようにアンチモン元素に
関しては、比較例が528eV近傍にピークがあるのに
対して、実施例では530eV近傍にピークが現れてい
る。これは、図4(A)から明らかなように、比較例で
は界面に存在するアンチモンは金属単体であるのに対
し、実施例の界面ではアンチモンは酸化アンチモンSb
2 3 として存在することを示唆している。そして、下
記剥離実験の結果によれば実施例の方が付着性に関して
極めて優れていることから、断熱層と反射層との間に形
成する酸化物層はアンチモンの酸化物であることが好ま
しいといえる。
From these results, as shown in FIG. 3, the binding energies associated with the selenium element are 55e in both Examples and Comparative Examples.
Since a peak appears in the vicinity of V, it is understood from the diagram of FIG. 4B that selenium exists as a simple metal.
However, as shown in FIG. 2, regarding the antimony element, the comparative example has a peak near 528 eV, whereas the example shows a peak near 530 eV. This is because, as is clear from FIG. 4A, in the comparative example, antimony existing at the interface is a simple metal, whereas in the interface of the example, antimony is antimony oxide Sb.
It suggests that it exists as 2 O 3 . Further, according to the results of the following peeling experiment, since the example is extremely excellent in terms of adhesion, it is preferable that the oxide layer formed between the heat insulating layer and the reflective layer is an oxide of antimony. I can say.

【0026】次に、このようにして作製された素体を1
0,000枚用意して、それぞれの保護層に両面接着テ
ープを貼り付け、当該両面接着テープの台紙を剥がした
ときに、台紙と両面接着テープとの界面ではなく断熱層
と反射層との間で剥離したサンプルの割合を検証したと
ころ、表1のような結果となった。この結果からも明ら
かなように、断熱層と反射層との間に酸化物層を形成し
たほうが5倍程度付着性能が向上することが理解され
る。
Next, the element body thus prepared is
When 20,000 sheets were prepared and a double-sided adhesive tape was attached to each protective layer and the backing of the double-sided adhesive tape was peeled off, it was not between the backing and the double-sided adhesive tape but between the heat insulating layer and the reflective layer. When the ratio of the sample peeled off was verified, the results shown in Table 1 were obtained. As is clear from this result, it is understood that the adhesion performance is improved about 5 times when the oxide layer is formed between the heat insulating layer and the reflective layer.

【0027】[0027]

【表1】 断熱層と反射層との界面で剥離した枚数 不良率 実施例 12枚 0.12% 比較例 60枚 0.60%[Table 1] Number of sheets peeled off at the interface between the heat insulating layer and the reflective layer Defect rate Example 12 sheets 0.12% Comparative example 60 sheets 0.60%

【0028】さらに、上述した実施例のうち剥離が生じ
なかったサンプルと比較例のうち剥離したサンプルを用
いて、断熱層と反射層との界面に存在する酸化物量を検
証するために、アルゴンAr+ ガスを用いたイオンエッ
チングで深さ方向に徐々にエッチングして、ESCA
(光電子分光分析法)分析した。その結果を図5に示す
が、(A)が実施例の分析結果を示し、(B)が比較例
の分析結果を示す。実施例では約25nmの酸化物層が
形成されているのに対し、比較例ではスパッタリング雰
囲気等によって僅かながら酸化された酸化物が約10n
m程度の膜厚で存在するが、このサンプルは断熱層と反
射層との間で剥離を生じるほど付着性に問題があり、し
たがって酸化物層は少なくとも10nm以上の膜厚を必
要とすることが理解される。
Further, in order to verify the amount of oxides present at the interface between the heat insulating layer and the reflective layer using the samples in which peeling did not occur in the above-mentioned examples and the samples in which peeling occurred in the comparative examples, argon Ar was used. ESCA is performed by gradually etching in the depth direction with ion etching using + gas.
(Photoelectron spectroscopy analysis) It analyzed. The results are shown in FIG. 5, where (A) shows the analysis result of the example and (B) shows the analysis result of the comparative example. In the example, an oxide layer having a thickness of about 25 nm is formed, whereas in the comparative example, an oxide slightly oxidized by the sputtering atmosphere or the like is about 10 n.
Although it has a thickness of about m, this sample has a problem of adhesion so that peeling occurs between the heat insulating layer and the reflective layer, and thus the oxide layer needs to have a thickness of at least 10 nm or more. To be understood.

【0029】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施例に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨で
ある。
It should be noted that the embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention and not for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above-described embodiments is intended to include all design changes and equivalents within the technical scope of the present invention.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、記録
層と反射層との界面に酸化物層を形成したので、当該界
面における付着性能が著しく向上し、情報記録媒体とし
ての耐久性が高まることになる。
As described above, according to the present invention, since the oxide layer is formed at the interface between the recording layer and the reflective layer, the adhesion performance at the interface is remarkably improved and the durability as an information recording medium is improved. Will increase.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)は本発明の一実施例に係る光ディスクを
示す全体断面図、(B)は(A)のB部を示す拡大断面
図である。
FIG. 1A is an overall sectional view showing an optical disc according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an enlarged sectional view showing a B portion of FIG.

【図2】実施例と比較例の剥離面におけるESCA分析
結果(アンチモン)を示すスペクトル図である。
FIG. 2 is a spectrum diagram showing ESCA analysis results (antimony) on the peeled surfaces of the example and the comparative example.

【図3】実施例と比較例の剥離面におけるESCA分析
結果(セレン)を示すスペクトル図である。
FIG. 3 is a spectrum diagram showing an ESCA analysis result (selenium) on a peeled surface of an example and a comparative example.

【図4】(A)はアンチモン及びその化合物の結合エネ
ルギーを示す図、(B)はセレン及びその化合物の結合
エネルギーを示す図である。
4A is a diagram showing binding energies of antimony and its compounds, and FIG. 4B is a diagram showing binding energies of selenium and its compounds.

【図5】(A)は実施例に係る酸化物層の厚みと酸化物
量との関係を示すグラフ、(B)は比較例における酸化
物層の厚みと酸化物量との関係を示すグラフである。
5A is a graph showing the relationship between the oxide layer thickness and the oxide amount according to the example, and FIG. 5B is a graph showing the relationship between the oxide layer thickness and the oxide amount according to the comparative example. .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

a,b…素体 1a,1b…基板 2a,2b…第1の金属層 3a,3b…第2の金属層 4a,4b…断熱層 5a,5b…酸化物層 6a,6b…反射層 7a,7b…保護層 8a,8b…接着層 9a,9b…記録層 a, b ... Element body 1a, 1b ... Substrate 2a, 2b ... First metal layer 3a, 3b ... Second metal layer 4a, 4b ... Thermal insulation layer 5a, 5b ... Oxide layer 6a, 6b ... Reflection layer 7a, 7b ... Protective layer 8a, 8b ... Adhesive layer 9a, 9b ... Recording layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B41M 5/26 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location B41M 5/26

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】記録情報信号に応じて変調されたレーザー
光が透過する基板上に前記レーザー光を集光照射して前
記記録情報を記録する記録層を形成し、前記記録層上に
前記レーザー光に対する反射率が高い反射層を形成し、
前記記録層に対して前記レーザー光の集光照射を行うこ
とにより低融点合金を生成して前記基板側から見た当該
記録層の反射率を変化させる情報記録媒体において、 前記記録層と前記反射層との界面に酸化物からなる酸化
物層を形成したことを特徴とする情報記録媒体。
1. A recording layer for recording the recording information is formed by converging and irradiating the laser light on a substrate through which the laser light modulated according to the recording information signal is transmitted, and the laser is formed on the recording layer. Form a reflective layer with high reflectance for light,
In the information recording medium, which generates a low melting point alloy by performing focused irradiation of the laser beam on the recording layer to change the reflectance of the recording layer viewed from the substrate side, the recording layer and the reflection An information recording medium, wherein an oxide layer made of an oxide is formed at the interface with the layer.
【請求項2】前記記録層はアンチモンセレン(Sb2
3 )を主成分とし、前記反射層はアルミニウム(A
l)を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の
情報記録媒体。
2. The recording layer comprises antimony selenium (Sb 2 S).
e 3 ) as a main component, and the reflective layer is made of aluminum (A
The information recording medium according to claim 1, characterized in that l) is a main component.
【請求項3】前記酸化物層の膜厚は10nm以上である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の情報記録媒
体。
3. The information recording medium according to claim 1, wherein the oxide layer has a film thickness of 10 nm or more.
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