JPH07162236A - Piezoelectric oscillator and its manufacture - Google Patents

Piezoelectric oscillator and its manufacture

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Publication number
JPH07162236A
JPH07162236A JP30428893A JP30428893A JPH07162236A JP H07162236 A JPH07162236 A JP H07162236A JP 30428893 A JP30428893 A JP 30428893A JP 30428893 A JP30428893 A JP 30428893A JP H07162236 A JPH07162236 A JP H07162236A
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JP
Japan
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piezoelectric
piezoelectric oscillator
piezoelectric vibrator
lead frame
integrated circuit
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Application number
JP30428893A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Kikushima
正幸 菊島
Kazuhiko Shimodaira
和彦 下平
Yukari Nakajima
ゆかり 中島
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH07162236A publication Critical patent/JPH07162236A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a piezoelectric oscillator for surface mounting which is small in size and thin by mounting a piezoelectric vibrator and a semiconductor integrated circuit on a lead frame and integrally molding them. CONSTITUTION:An IC chip 2 is mounted on the island part 1 of the lead frame 13 with a conductive adhesive, etc., and respective pads of the IC chip and inner lead terminals 3, etc., are connected by Au wire bonding wires 4. Then a cylinder type crystal vibrator 6 which has a crystal vibrator piece 5a or 5b internally is positioned at the space part 14 of the lead frame 13 and connected and fixed to the lead frame 13 by resistance spot welding, etc. This mounted lead frame 13 is set in a transfer mold 31, transfer molding except outward parts such as the terminals 3, etc., is carried out, and a plastic package main body 19 is molded with resin. Further, tie bars connecting the terminals 3, etc., are cut away and the remaining outward parts such as the terminals 3, etc., are bent to obtain a package type crystal oscillator.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路及び圧
電振動子を内蔵した圧電発振器及びその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric oscillator incorporating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の圧電発振器の一例を図5の水晶発
振器を用いて説明する。CMOSタイプ等のICチップ
101はリードフレーム102の一部であるアイランド
103に導電性接着剤等により接着固定され、Auワイ
ヤーボンディング線104により入出力用のリード端子
105に電気的に接続されている。またシリンダー形の
ケースに水晶振動子片を内蔵した水晶振動子106はイ
ンナーリード107に固定されICチップ101のゲー
ト端子108及びドレイン端子109に電気的に接続さ
れている。そしてICチップ101、水晶振動子10
6、入出力用リード端子105の一部を含んでトランス
ファーモールド方法等によりエポキシ系の樹脂モールド
材110により封止されている。
2. Description of the Related Art An example of a conventional piezoelectric oscillator will be described with reference to the crystal oscillator shown in FIG. A CMOS type IC chip 101 is bonded and fixed to an island 103 which is a part of a lead frame 102 by a conductive adhesive or the like, and electrically connected to an input / output lead terminal 105 by an Au wire bonding wire 104. . Further, the crystal oscillator 106, which has a crystal oscillator piece built in a cylindrical case, is fixed to the inner lead 107 and electrically connected to the gate terminal 108 and the drain terminal 109 of the IC chip 101. Then, the IC chip 101 and the crystal unit 10
6. Part of the input / output lead terminal 105 is sealed with an epoxy resin molding material 110 by a transfer molding method or the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の圧電
発振器は、シリンダー形ケースの直径が約φ3mmの圧
電振動子を内蔵しており、圧電発振器の高さは約4.4
mm、かつその容積は全体で約0.5ccと比較的大型
であり、FDDやHDDあるいは携帯用のコンピュータ
ー等の比較的小型の電子機器への搭載が、その実装面積
や使用する部品高さの制限等により困難になっている。
The conventional piezoelectric oscillator described above has a built-in piezoelectric vibrator having a cylindrical case with a diameter of about φ3 mm, and the height of the piezoelectric oscillator is about 4.4.
mm, and its volume is about 0.5 cc as a whole, which is relatively large. It is difficult because of restrictions.

【0004】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の信頼性の高い表面実装用樹脂パッ
ケージタイプの圧電発振器を安価に提供することであ
る。
The object of the present invention is to solve the above problems of the prior art. The object of the present invention is to provide a small, thin and highly reliable surface mount resin package type piezoelectric oscillator. Is to provide at low cost.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の圧電発振器は、
半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した圧電発振器にお
いて、半導体集積回路はリードフレームのアイランド上
に搭載されワイヤーボンディングにより電気的に配線さ
れており、圧電振動子は半導体集積回路と平行にリード
フレームの空間部14に位置決めされて固定されてお
り、圧電振動子のリードとリードフレームの一部を電気
的に接続し、かつ半導体集積回路と圧電振動子とリード
フレームを樹脂で一体にモールドしたことを特徴とす
る。
The piezoelectric oscillator of the present invention comprises:
In a piezoelectric oscillator incorporating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, the semiconductor integrated circuit is mounted on an island of a lead frame and electrically wired by wire bonding. It is positioned and fixed in the space portion 14, electrically connects the lead of the piezoelectric vibrator and a part of the lead frame, and molds the semiconductor integrated circuit, the piezoelectric vibrator, and the lead frame integrally with resin. Characterize.

【0006】また半導体集積回路と圧電振動子を内蔵し
た圧電発振器において、圧電振動子の先端部をリードフ
レームの一部で保持位置決めしていることを特徴とす
る。
Further, in a piezoelectric oscillator incorporating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, the tip of the piezoelectric vibrator is held and positioned by a part of the lead frame.

【0007】また半導体集積回路と圧電振動子を内蔵し
た圧電発振器において、圧電振動子の先端部に対応する
樹脂パッケージ上面に圧電振動子の先端部に達する貫通
穴を少なくとも一つ以上設けたことを特徴とする。
In a piezoelectric oscillator having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built-in, at least one through hole reaching the tip of the piezoelectric vibrator is provided on the upper surface of the resin package corresponding to the tip of the piezoelectric vibrator. Characterize.

【0008】また半導体集積回路と圧電振動子を内蔵し
た圧電発振器において、圧電振動子の先端部を保持位置
決めしているリードフレームが圧電発振器のグランド
(Vss)電位のリード端子であることを特徴とする。
In a piezoelectric oscillator incorporating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, the lead frame holding and positioning the tip of the piezoelectric vibrator is a lead terminal of the ground (Vss) potential of the piezoelectric oscillator. To do.

【0009】また半導体集積回路と圧電振動子を内蔵し
た圧電発振器を製造するトランスファーモールド型にお
いて、樹脂パッケージ上面に設ける貫通穴を形成するト
ランスファーモールド型のピンの先端が圧電振動子のシ
リンダー形ケースの半径に等しい半径を有する形状に形
成されたトランスファーモールド型により製造されるこ
とを特徴とする。
Further, in a transfer mold type for manufacturing a piezoelectric oscillator having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built-in, the tip of the transfer mold type pin forming a through hole provided on the upper surface of a resin package has a cylindrical case of the piezoelectric vibrator. It is characterized by being manufactured by a transfer mold which is formed in a shape having a radius equal to the radius.

【0010】また半導体集積回路と圧電振動子を内蔵し
た圧電発振器において、圧電振動子が直径φ2mm以下
のシリンダー形ケースに封入された水晶振動子であるこ
とを特徴とする。
Further, in a piezoelectric oscillator having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built-in, the piezoelectric vibrator is a crystal vibrator enclosed in a cylindrical case having a diameter of 2 mm or less.

【0011】更に半導体集積回路と圧電振動子を内蔵し
た圧電発振器において、圧電発振器をモールドする樹脂
材料の線膨張係数に近い線膨張係数を有する金属材料に
て圧電振動子のシリンダー形ケースを形成したことを特
徴とする。
Further, in a piezoelectric oscillator incorporating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, a cylindrical case of the piezoelectric vibrator is formed of a metal material having a linear expansion coefficient close to that of a resin material for molding the piezoelectric oscillator. It is characterized by

【0012】[0012]

【実施例】本発明の圧電発振器の一実施例を、圧電振動
子に水晶振動子を用いたSOJ(Small Outl
ine JーLead Packages)形状のプラ
スティックパッケージの水晶発振器を例として、図1
[a]の平面図及び図1[b]の断面図により説明す
る。
EXAMPLE An example of a piezoelectric oscillator of the present invention is an SOJ (Small Outl) in which a crystal oscillator is used as a piezoelectric oscillator.
As an example, a crystal oscillator in a plastic package in the form of in J-Lead Packages) is shown in FIG.
This will be described with reference to the plan view of [a] and the sectional view of FIG. 1 [b].

【0013】42alloyあるいはCu合金系等の高
導電性金属材料からなるアイランド部1にCMOSタイ
プ等のICチップ2が導電性接着剤等によりマウントさ
れており、ICチップ2のパッドとアイランド部1の周
囲を取り囲むインナーリード端子3とがAuボンディン
グワイヤー線4により電気的に接続されている。矩形状
のAT水晶振動子片5a、あるいは32.768KHz
を代表とする低周波水晶振動子片5bを内蔵するシリン
ダー形タイプの水晶振動子6は、そのリード7をICチ
ップ2の水晶振動子6を発振させるためのゲート端子8
及びドレイン端子9にAuワイヤーボンディング線4に
より電気的に接続されたインナーリード端子10a、1
0bの途中のマウントエリア11a、11bに抵抗スポ
ット溶接等で固定され、同時に電気的に接続されてい
る。ここでリード7はOE(Output Enabl
e)用インナーリード端子12及びインナーリード端子
10aを横断してマウントエリア11a、11bに接続
するため、図1[b]に示すように折り曲げ加工されて
おり、更にリード7はマウントエリア11a、11bを
オーバーハングするように切断加工されている。このよ
うに加工された水晶振動子6はICチップ2と平行にリ
ードフレーム13の空間部14に位置決めされている。
An IC chip 2 of CMOS type or the like is mounted on the island portion 1 made of a highly conductive metal material such as 42 alloy or Cu alloy by a conductive adhesive or the like. Inner lead terminals 3 surrounding the periphery are electrically connected by Au bonding wire wires 4. Rectangular AT crystal unit 5a or 32.768 KHz
A cylinder-type crystal unit 6 having a low-frequency crystal unit 5b as a typical example is a gate terminal 8 for causing the lead 7 to oscillate the crystal unit 6 of the IC chip 2.
And inner lead terminals 10a, 1 electrically connected to the drain terminal 9 by the Au wire bonding wire 4.
It is fixed to the mount areas 11a and 11b in the middle of 0b by resistance spot welding or the like, and is electrically connected at the same time. Here, the lead 7 is OE (Output Enable).
The inner lead terminal 12 for e) and the inner lead terminal 10a are crossed and connected to the mount areas 11a and 11b, so that they are bent as shown in FIG. 1 [b], and the lead 7 is further mounted on the mount areas 11a and 11b. Is cut so that it overhangs. The crystal unit 6 thus processed is positioned in the space 14 of the lead frame 13 in parallel with the IC chip 2.

【0014】またICチップ2のグランド(Vss)端
子15とAuワイヤーボンディング線4により接続され
たインナーリード端子16は、その途中に水晶振動子6
の先端部を二箇所で支持する支持部17a、17bを有
している。そしてその支持部17a、17bはインナー
リード端子16のボンディング部にダメージを与えない
ように、支持部17a、17bの根元をくびらせてバネ
効果を有する形状に形成されている。
The inner lead terminal 16 connected to the ground (Vss) terminal 15 of the IC chip 2 by the Au wire bonding wire 4 has a crystal oscillator 6 in the middle thereof.
It has support parts 17a and 17b that support the tip of the device at two points. The supporting portions 17a and 17b are formed in a shape having a spring effect by constricting the roots of the supporting portions 17a and 17b so as not to damage the bonding portion of the inner lead terminal 16.

【0015】更に本実施例では、シリンダー形タイプの
水晶振動子6の最大外形は約φ2mmである。また水晶
振動子6のシリンダー形ケース18は、安価な銅ーニッ
ケルー亜鉛合金の金属で形成されている。
Further, in this embodiment, the maximum outer shape of the cylinder type crystal unit 6 is about φ2 mm. The cylinder-shaped case 18 of the crystal unit 6 is made of an inexpensive metal of copper-nickel-zinc alloy.

【0016】以上を図2に示すトランスファーモールド
型31にセットし、インナーリード端子3等の外方を残
してトランスファーモールドによりプラスティックパッ
ケージ本体19に樹脂モールドする。その後インナーリ
ード端子3等をつなぐタイバー等を切断除去し、インナ
ーリード端子3等の外方部をリード曲げ加工する。以上
によりSOJパッケージ形状の水晶発振器が得られる。
The above is set in a transfer mold 31 shown in FIG. 2 and resin molding is performed on the plastic package body 19 by transfer molding while leaving the outer side of the inner lead terminals 3 and the like. After that, a tie bar or the like connecting the inner lead terminals 3 or the like is cut and removed, and leads of the outer portions of the inner lead terminals 3 or the like are bent. As described above, the SOJ package-shaped crystal oscillator is obtained.

【0017】図2は本発明の圧電発振器をトランスファ
ーモールド型31でモールド加工する時の製造方法を示
す構造図である。水晶振動子6のシリンダー形ケース1
8が、支持部17a、17bに支持された状態でトラン
スファーモールド型31にセットされる。そしてトラン
スファーモールド型31の上型あるいは下型どちらか一
方に形成されたピン32により水晶振動子6の先端部が
固定される。即ち支持部17a、17bとピン32によ
り、水晶振動子6は上下から挟み込まれた状態でモール
ドされ、プラスティックパッケージ本体19が形成され
る。
FIG. 2 is a structural diagram showing a manufacturing method when the piezoelectric oscillator of the present invention is molded by the transfer mold 31. Cylinder case 1 for crystal unit 6
8 is set on the transfer mold 31 while being supported by the supporting portions 17a and 17b. Then, the tip portion of the crystal resonator 6 is fixed by the pin 32 formed on either the upper mold or the lower mold of the transfer mold 31. That is, the crystal unit 6 is molded in a state of being sandwiched from above and below by the supporting portions 17a and 17b and the pins 32, and the plastic package body 19 is formed.

【0018】このようにして、水晶振動子6のシリンダ
ー形ケース18はプラスティックパッケージ本体19の
外面と平行に位置決めされ、プラスティックパッケージ
本体19の外面と一定の厚み約0.2mmを保った状態
でモールドされる。
In this way, the cylindrical case 18 of the crystal unit 6 is positioned in parallel with the outer surface of the plastic package body 19 and is molded with the outer surface of the plastic package body 19 kept at a constant thickness of about 0.2 mm. To be done.

【0019】更にピン32の形状は図2に示すように水
晶振動子6の半径と等しい半径で形成されており、水晶
振動子6の位置固定の役目を果たしている。また支持部
17a、17bはバネ効果を有した形状をしており、ピ
ン32で水晶振動子6を押さえ込んだ時にも、水晶振動
子6に負荷のかからない構造となっている。
Further, as shown in FIG. 2, the pin 32 is formed with a radius equal to the radius of the crystal unit 6, and serves to fix the position of the crystal unit 6. Further, the support portions 17a and 17b have a shape having a spring effect, and have a structure in which the crystal oscillator 6 is not loaded when the crystal oscillator 6 is pressed by the pin 32.

【0020】このようにしてモールドされた水晶発振器
には、貫通穴20がプラスティックパッケージ本体19
の上面に形成される。この貫通穴20は約直径φ1mm
で形成されており、この貫通穴20を形成するピン32
は水晶振動子6のシリンダー形ケース18の円弧部分を
固定している。更にモールド後は水晶振動子6のシリン
ダー形ケース18は、この貫通穴20の部分がプラステ
ィックパッケージ本体19の外面に露出した状態とな
る。
In the crystal oscillator thus molded, the through hole 20 has a plastic package body 19
Is formed on the upper surface of. This through hole 20 has a diameter of about 1 mm
And a pin 32 that forms the through hole 20.
Fixes the arc portion of the cylindrical case 18 of the crystal unit 6. Further, after the molding, the cylindrical case 18 of the crystal unit 6 is in a state where the through hole 20 is exposed to the outer surface of the plastic package body 19.

【0021】また水晶振動子6のシリンダー形ケース1
8は、線膨張係数が16.7X10-6/℃の銅ーニッケ
ルー亜鉛合金を使用しており、本発明で用いているエポ
キシ系の樹脂モールド材の線膨張係数(α1:ガラス転
移温度以下の線膨張係数)16.0X10-6/℃に非常
にマッチした値を有している。
A cylinder-shaped case 1 for the crystal unit 6
No. 8 uses a copper-nickel-zinc alloy having a linear expansion coefficient of 16.7 × 10 −6 / ° C., and the linear expansion coefficient of the epoxy resin molding material used in the present invention (α1: a line having a glass transition temperature or lower). (Expansion coefficient) 16.0 × 10 -6 / ° C.

【0022】このようにして構成された本発明の圧電発
振器は、図1[a]に示すように樹脂モールド肉厚が最
小0.2mmを実現しており、非常に薄型でコンパクト
な設計が可能となっている。
The piezoelectric oscillator of the present invention thus constructed has a minimum resin mold wall thickness of 0.2 mm as shown in FIG. 1A, and can be designed to be extremely thin and compact. Has become.

【0023】また図3は本発明の圧電発振器の外形図で
ある。
FIG. 3 is an external view of the piezoelectric oscillator of the present invention.

【0024】以上に示す構成により、圧電発振器の高さ
は約2.5mmかつその容積は約0.13ccとなり、
従来の圧電発振器の高さで約57%に、また容積で約2
6%に薄型化、小型化されている。
With the structure described above, the height of the piezoelectric oscillator is about 2.5 mm and the volume thereof is about 0.13 cc.
The height of the conventional piezoelectric oscillator is about 57%, and the volume is about 2%.
It is 6% thinner and smaller.

【0025】また図4は、本発明の圧電発振器をトラン
スファーモールド型にセットした時の配置図である。本
発明の圧電発振器の製造プロセスは、まずICチップ2
をリードフレーム13のアイランド部1に導電性接着剤
によりマウントし、次にICチップ2の各パッドとイン
ナーリード端子3等とを、Auワイヤーボンディング線
4により接続する。次に水晶振動子6をリードフレーム
13に抵抗スポット溶接により接続固定する。以上の実
装したリードフレーム13を、トランスファーモールド
型31にセットし、成形用のゲート41からエポキシ系
のモールド材を注入して高温で硬化する。このようにし
てプラスティックパッケージの水晶発振器がモールドさ
れる。更にインナーリード端子3等をつなぐタイバー4
2を切断除去し、残ったインナーリード3等の外方部を
リード曲げ加工する。以上により本発明の圧電発振器が
完成する。
FIG. 4 is a layout diagram when the piezoelectric oscillator of the present invention is set in a transfer mold. In the manufacturing process of the piezoelectric oscillator of the present invention, first, the IC chip 2
Are mounted on the island portion 1 of the lead frame 13 with a conductive adhesive, and then the pads of the IC chip 2 and the inner lead terminals 3 and the like are connected by Au wire bonding wires 4. Next, the crystal unit 6 is connected and fixed to the lead frame 13 by resistance spot welding. The lead frame 13 mounted as described above is set in the transfer mold 31, and an epoxy type molding material is injected from the molding gate 41 and cured at a high temperature. In this way, the crystal oscillator of the plastic package is molded. Further, a tie bar 4 for connecting the inner lead terminals 3 etc.
2 is cut and removed, and the outer portion of the remaining inner lead 3 and the like is lead-bent. With the above, the piezoelectric oscillator of the present invention is completed.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上に示す本発明の圧電発振器によれ
ば、圧電振動子を半導体集積回路と平行に実装すること
により圧電発振器の薄型が可能となる。
According to the piezoelectric oscillator of the present invention described above, the piezoelectric oscillator can be thinned by mounting the piezoelectric vibrator in parallel with the semiconductor integrated circuit.

【0027】また圧電振動子の先端部を圧電発振器を構
成するインナーリードの一部で保持すること、更にはト
ランスファーモールド型に設けられたピンにより圧電振
動子の反対側を押さえ固定することにより、圧電振動子
の位置が固定され圧電振動子の位置のバラツキが抑えら
れる。これにより、圧電発振器のモールド肉厚を0.2
mmと薄くすることが可能となり、圧電発振器の高さを
薄型化するという効果を有する。
Further, by holding the tip end of the piezoelectric vibrator by a part of the inner lead which constitutes the piezoelectric oscillator, and further by pressing and fixing the opposite side of the piezoelectric vibrator by the pin provided in the transfer mold, The position of the piezoelectric vibrator is fixed, and variation in the position of the piezoelectric vibrator is suppressed. As a result, the mold thickness of the piezoelectric oscillator is 0.2
It is possible to reduce the thickness to mm, which has an effect of reducing the height of the piezoelectric oscillator.

【0028】またトランスファーモールド型のピン形状
を圧電振動子のシリンダー形ケースのR形状に合わせる
ことにより、圧電振動子の平面内のバラツキも抑えるこ
とができ、インナーリードとのショート防止等、より品
質の高い圧電発振器を提供できるという効果を有する。
Further, by matching the transfer mold type pin shape with the R shape of the cylindrical case of the piezoelectric vibrator, it is possible to suppress variations in the plane of the piezoelectric vibrator, and to prevent short-circuiting with the inner leads, etc. This has the effect of providing a high piezoelectric oscillator.

【0029】また圧電振動子の先端部を保持するインナ
ーリードは圧電発振器のグランド(Vss)端子と共通
であることにより、半導体集積回路の自己発熱により熱
伝導された圧電振動子への熱を、外部に放熱させるとい
う効果を有する。
Since the inner lead for holding the tip of the piezoelectric vibrator is also common to the ground (Vss) terminal of the piezoelectric oscillator, the heat to the piezoelectric vibrator, which is thermally conducted by the self-heating of the semiconductor integrated circuit, It has the effect of radiating heat to the outside.

【0030】またこの圧電振動子を保持するインナーリ
ードは、圧電発振器を構成するリードフレームの一部で
構成されており、別個に保持構造を構成する必要がな
く、非常に安価な圧電発振器が提供できる。
Further, the inner lead for holding the piezoelectric vibrator is formed by a part of the lead frame forming the piezoelectric oscillator, and it is not necessary to separately form a holding structure, and a very inexpensive piezoelectric oscillator is provided. it can.

【0031】しかしここで、以上のように肉厚を薄くす
ることにより、圧電発振器を半田リフロー等で基板実装
する時の熱応力が問題となる。
However, here, by reducing the thickness as described above, there is a problem of thermal stress when the piezoelectric oscillator is mounted on the substrate by solder reflow or the like.

【0032】一般に樹脂パッケージを放置すると、保存
環境等によりパッケージ内部に水分が吸湿される。この
状態で半田リフロー等で基板実装した場合、シリンダー
形ケース周囲に溜まった水分が気化膨張して、この部分
の水蒸気圧が上昇してモールド厚の一番薄い部分に熱応
力が集中する。そしてひどい場合には、この一番薄い肉
厚の部分にクラックが発生する。
Generally, when a resin package is left as it is, moisture is absorbed inside the package due to a storage environment or the like. When the substrate is mounted by solder reflow or the like in this state, the water accumulated around the cylinder-shaped case is vaporized and expanded, and the water vapor pressure of this portion rises, and the thermal stress concentrates on the thinnest portion of the mold. In the worst case, cracks occur in this thinnest part.

【0033】しかし、本発明によれば樹脂パッケージの
上面に設けられた貫通穴により、樹脂パッケージの吸湿
による水分が、半田リフロー時の樹脂パッケージの加熱
により外部に放出され、半田リフロー時の熱ストレスに
よる熱応力の集中、及びそれによるパッケージクラック
の発生を防止することができ、信頼性の高い薄型の圧電
発振器が得られる。
However, according to the present invention, the through hole provided on the upper surface of the resin package allows the moisture due to the moisture absorption of the resin package to be released to the outside by the heating of the resin package during the solder reflow, and the thermal stress during the solder reflow. It is possible to prevent the concentration of thermal stress due to the above and the generation of the package crack due to it, and to obtain a highly reliable thin piezoelectric oscillator.

【0034】更には、圧電振動子のシリンダー形ケース
の材料を、銅ーニッケルー亜鉛合金等の樹脂モールド材
の線膨張係数に近い線膨張係数を有する金属材料を採用
することにより、圧電発振器の製造工程中に加えられる
熱ストレスや半田リフロー時の熱ストレスによる、シリ
ンダー形ケースの熱膨張及び熱収縮が樹脂モールド材と
同等となり、シリンダー形ケースと樹脂モールド材との
界面での剥離等の発生を防止することができ、信頼性の
高い薄型の圧電発振器を提供できるという効果を有す
る。
Further, by adopting a metal material having a linear expansion coefficient close to that of a resin molding material such as a copper-nickel-zinc alloy as the material of the cylindrical case of the piezoelectric vibrator, the manufacturing process of the piezoelectric oscillator is performed. The thermal expansion and contraction of the cylinder-shaped case due to the heat stress applied inside and the heat stress during solder reflow are the same as those of the resin molding material, preventing peeling at the interface between the cylinder case and the resin molding material. Therefore, there is an effect that a thin piezoelectric oscillator with high reliability can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の圧電発振器の一実施例を示す構造
図。
FIG. 1 is a structural diagram showing an embodiment of a piezoelectric oscillator of the present invention.

【図2】 本発明の圧電発振器を製造するトランスファ
ーモールド型にリードフレーム及び圧電振動子をセット
しモールドした時の構造図。
FIG. 2 is a structural diagram when a lead frame and a piezoelectric vibrator are set and molded in a transfer mold for manufacturing the piezoelectric oscillator of the present invention.

【図3】 本発明の圧電発振器の外形図。FIG. 3 is an external view of a piezoelectric oscillator of the present invention.

【図4】 本発明の圧電発振器をトランスファーモール
ド型にセットした配置図。
FIG. 4 is a layout diagram in which the piezoelectric oscillator of the present invention is set in a transfer mold type.

【図5】 従来の圧電発振器を示す構造図。FIG. 5 is a structural diagram showing a conventional piezoelectric oscillator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アイランド部 2 ICチップ 3 インナーリード端子 4 Auワイヤーボンディング線 5a AT水晶振動子片 5b 低周波水晶振動子片 6 水晶振動子 7 リード 8 ゲート端子 9 ドレイン端子 10a、10b インナーリード端子 11a、11b マウントエリア 12 OE用インナーリード端子 13 リードフレーム 14 空間部 15 グランド端子 16 インナーリード端子 17a、17b 支持部 18 シリンダー形ケース 19 プラスティックパッケージ本体 20 貫通穴 31 トランスファーモールド型 32 ピン 41 成形用のゲート 42 タイバー 101 ICチップ 102 リードフレーム 103 アイランド 104 Auワイヤーボンディング線 105 リード端子 106 水晶振動子 107 インナーリード 108 ゲート端子 109 ドレイン端子 110 樹脂モールド材 1 Island Part 2 IC Chip 3 Inner Lead Terminal 4 Au Wire Bonding Wire 5a AT Crystal Resonator Piece 5b Low Frequency Crystal Resonator Piece 6 Crystal Resonator 7 Lead 8 Gate Terminal 9 Drain Terminal 10a, 10b Inner Lead Terminal 11a, 11b Mount Area 12 Inner lead terminal for OE 13 Lead frame 14 Space portion 15 Ground terminal 16 Inner lead terminal 17a, 17b Supporting portion 18 Cylinder type case 19 Plastic package body 20 Through hole 31 Transfer mold type 32 pin 41 Molding gate 42 Tie bar 101 IC chip 102 Lead frame 103 Island 104 Au wire bonding wire 105 Lead terminal 106 Crystal oscillator 107 Inner lead 108 Gate terminal 10 The drain terminal 110 resin mold

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器において、前記半導体集積回路はリードフレ
ームのアイランド上に搭載されワイヤーボンディングに
より電気的に配線されており、前記圧電振動子は前記半
導体集積回路と平行に前記リードフレームの空間部14
に位置決めされて固定されており、前記圧電振動子のリ
ードと前記リードフレームの一部を電気的に接続し、か
つ前記半導体集積回路と前記圧電振動子と前記リードフ
レームを樹脂で一体にモールドしたことを特徴とする圧
電発振器。
1. A piezoelectric oscillator including a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, wherein the semiconductor integrated circuit is mounted on an island of a lead frame and electrically wired by wire bonding, and the piezoelectric vibrator is the semiconductor. The space portion 14 of the lead frame parallel to the integrated circuit
Is positioned and fixed to, the lead of the piezoelectric vibrator and a part of the lead frame are electrically connected, and the semiconductor integrated circuit, the piezoelectric vibrator, and the lead frame are integrally molded with resin. A piezoelectric oscillator characterized in that.
【請求項2】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器において、前記圧電振動子の先端部をリード
フレームの一部で保持位置決めしていることを特徴とす
る請求項1記載の圧電発振器。
2. A piezoelectric oscillator having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built-in, wherein a tip portion of the piezoelectric vibrator is held and positioned by a part of a lead frame. .
【請求項3】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器において、前記圧電振動子の先端部に対応す
る樹脂パッケージ上面に前記圧電振動子の先端部に達す
る貫通穴を少なくとも一つ以上設けたことを特徴とする
請求項2記載の圧電発振器。
3. A piezoelectric oscillator including a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, wherein at least one through hole reaching the tip of the piezoelectric vibrator is provided on the upper surface of a resin package corresponding to the tip of the piezoelectric vibrator. The piezoelectric oscillator according to claim 2, wherein
【請求項4】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器において、前記圧電振動子の先端部を保持位
置決めしているリードフレームが前記圧電発振器のグラ
ンド(Vss)電位のリード端子であることを特徴とす
る請求項2記載の圧電発振器。
4. In a piezoelectric oscillator including a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, a lead frame holding and positioning the tip of the piezoelectric vibrator is a lead terminal of the ground (Vss) potential of the piezoelectric oscillator. The piezoelectric oscillator according to claim 2.
【請求項5】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器を製造するトランスファーモールド型におい
て、樹脂パッケージ上面に設ける貫通穴を成形する前記
トランスファーモールド型のピンの先端が前記圧電振動
子のシリンダー形ケースの半径に等しい半径を有する形
状に形成されたことを特徴とする請求項3記載の圧電発
振器の製造方法。
5. A transfer mold for manufacturing a piezoelectric oscillator having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built therein, wherein a tip of a pin of the transfer mold for forming a through hole provided on a top surface of a resin package is a cylinder of the piezoelectric vibrator. The method of manufacturing a piezoelectric oscillator according to claim 3, wherein the piezoelectric oscillator is formed in a shape having a radius equal to the radius of the shaped case.
【請求項6】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器において、前記圧電振動子が直径φ2mm以
下のシリンダー形ケースに封入された水晶振動子である
ことを特徴とする請求項1記載の圧電発振器。
6. A piezoelectric oscillator incorporating a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, wherein the piezoelectric vibrator is a crystal vibrator enclosed in a cylindrical case having a diameter of 2 mm or less. Piezoelectric oscillator.
【請求項7】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
圧電発振器において、前記圧電発振器をモールドする樹
脂材料の線膨張係数に近い線膨張係数を有する金属材料
にて前記圧電振動子のシリンダー形ケースを形成したこ
とを特徴とする請求項1記載の圧電発振器。
7. A piezoelectric oscillator including a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator, wherein a cylindrical case of the piezoelectric vibrator is made of a metal material having a linear expansion coefficient close to that of a resin material for molding the piezoelectric oscillator. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the piezoelectric oscillator is formed.
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