JPH07161695A - Plasma process method - Google Patents
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- JPH07161695A JPH07161695A JP5338764A JP33876493A JPH07161695A JP H07161695 A JPH07161695 A JP H07161695A JP 5338764 A JP5338764 A JP 5338764A JP 33876493 A JP33876493 A JP 33876493A JP H07161695 A JPH07161695 A JP H07161695A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理方法に関
する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a plasma processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から半導体ウエハ等の被処理体を処
理室内でプラズマ処理するプラズマ処理装置として、例
えば高周波を用いた平行平板型のプラズマ処理装置が広
く採用されている。この平行平板型プラズマ処理装置に
ついて例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を例に
挙げて説明すると、この装置は上下一対の電極のいずれ
か一方の電極あるいは双方に高周波電力を印加し、両電
極間でプラズマを発生させ、このプラズマの電位と被処
理体の自己バイアス電位との電位差により、被処理体の
表面にプラズマ中の反応性イオンを照射し、この反応性
イオンと被エッチング材とラジカルとの化学反応により
エッチング処理を施すよう構成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a parallel plate type plasma processing apparatus using high frequency has been widely adopted as a plasma processing apparatus for plasma processing an object to be processed such as a semiconductor wafer in a processing chamber. This parallel plate type plasma processing apparatus will be described by taking, for example, reactive ion etching (RIE) as an example, this apparatus applies high frequency power to either one or both of a pair of upper and lower electrodes, and applies a high frequency power between both electrodes. Plasma is generated, and by the potential difference between the potential of the plasma and the self-bias potential of the object to be processed, the surface of the object to be processed is irradiated with reactive ions in the plasma, and the reactive ions, the material to be etched and the radicals The etching process is performed by a chemical reaction.
【０００３】しかしながら、従来の平行平板型プラズマ
処理装置の場合には、電極構造の関係から例えば１００
mTorr〜１Torrという比較的高いガス圧でエッチングを
施すようにしているため、イオンの平均自由行程が短
く、最近の半導体素子の超高密度化に伴ってハーフミク
ロンからクォータミクロンレベルの超微細加工になると
被エッチング材にイオンを集中させることが難しく、被
エッチング材を選択的にエッチングすることが困難であ
る。また、最近は被処理体が大口径化しつつあり、被処
理体の全領域に亘って均一なプラズマを作る必要がある
が、平均自由行程が短いため、均一なプラズマを作るこ
とが難しい。更にプラズマ中のイオンが電極などに衝突
してこれらをスパッタし、電極などから不純物が発生
し、この不純物により被処理体などを汚染し、上述のよ
うな超微細加工が益々難しくなっている。However, in the case of the conventional parallel plate type plasma processing apparatus, for example, 100 in view of the electrode structure.
Since the etching is performed with a relatively high gas pressure of mTorr to 1 Torr, the mean free path of the ions is short, and with the recent increase in the density of semiconductor devices, half-micron to quarter-micron level ultra-fine processing is possible. In that case, it is difficult to concentrate ions in the material to be etched, and it is difficult to selectively etch the material to be etched. In addition, recently, the diameter of the object to be processed is increasing, and it is necessary to make uniform plasma over the entire region of the object to be processed, but it is difficult to make uniform plasma because the mean free path is short. Further, the ions in the plasma collide with the electrode and the like to sputter them, and impurities are generated from the electrode and the like, which contaminates the object to be processed, and the above-mentioned ultrafine processing is becoming more and more difficult.
【０００４】そこで、最近では、高真空下で高密度のプ
ラズマを発生させる種々のプラズマ処理装置、例えばマ
イクロ波と磁場の相乗作用を利用してプラズマを発生さ
せる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ処理装
置や、高周波の電磁エネルギーを利用した高周波誘導結
合型プラズマ処理装置などが開発されている。これらの
装置では０.１mTorr台の低圧下でも高密度のプラズマを
得ることができ、しかも低圧であるが故に平均自由行程
が長く、イオンが他の粒子と殆ど衝突することがなく、
イオンを有効に利用できるため、これらの装置は最近の
超微細加工の要求に応えるものとして注目されている。Therefore, recently, various plasma processing apparatuses for generating high density plasma under high vacuum, for example, electron cyclotron resonance (ECR) plasma processing apparatus for generating plasma by utilizing synergistic effect of microwave and magnetic field. In addition, a high frequency inductively coupled plasma processing apparatus utilizing high frequency electromagnetic energy has been developed. With these devices, high-density plasma can be obtained even under a low pressure of 0.1 mTorr level, and since the pressure is low, the mean free path is long, and the ions hardly collide with other particles.
Because of the effective use of ions, these devices have been attracting attention as meeting recent demands for ultrafine processing.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＥＣＲプラズマ処理装置や高周波誘導結合型プラズマ処
理装置の場合には０.１mTorr台の低圧下でも高密度のプ
ラズマを得ることができる反面、このような低圧下では
余りにも圧力が低いため、例えば被処理体にエッチング
処理を施す場合にはエッチング速度が小さく、処理効率
に劣るという課題があった。これを解決するために投入
電力を増やしたり、活性種の共鳴を促進させたり、ある
いはガス圧をより高くしたりして行くと、ガス圧が高く
なるに連れて平均自由行程が徐々に短くなり、イオンシ
ース内でイオンと分子が衝突してイオンが喪失されたり
してラジカルリッチになり、等方性エッチングが起こり
易くなるという課題があった。However, in the case of the conventional ECR plasma processing apparatus and the high frequency inductively coupled plasma processing apparatus, it is possible to obtain high density plasma even under a low pressure of 0.1 mTorr level. Since the pressure is too low under such a low pressure, there is a problem that, for example, when an object to be processed is subjected to etching, the etching rate is low and the processing efficiency is poor. To solve this problem, if the input power is increased, the resonance of active species is promoted, or the gas pressure is made higher, the mean free path gradually becomes shorter as the gas pressure becomes higher. However, there is a problem in that ions and molecules collide in the ion sheath and the ions are lost, resulting in radical richness, and isotropic etching easily occurs.
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、高周波誘導結合方式としては比較的高いガ
ス圧でもイオンに富み、ラジカル解離を抑制した高密度
プラズマを安定的に得ることができ、しかもエッチング
速度及び選択比を高めることができるプラズマ処理方法
を提供することを目的としている。The present invention has been made to solve the above problems, and as a high frequency inductive coupling system, it is possible to stably obtain a high density plasma rich in ions even with a relatively high gas pressure and suppressing radical dissociation. It is an object of the present invention to provide a plasma processing method which is capable of increasing the etching rate and the selection ratio.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者らは特に高周波
誘導結合型プラズマ処理装置を用いてプラズマ処理の最
適条件について種々検討した結果、ある特定の低圧下で
はラジカルの発生を抑制しイオンリッチなプラズマを得
ることができ、エッチング等のプラズマ処理を効果的に
施すことができることを知見した。しかも、このような
圧力下では従来に比べてプロセスウインドウが広く、ガ
ス圧制御が容易であったり、圧力の経時的または同期的
な変動に対して安定したプラズマ処理を継続的に施すこ
とができることを知見した。As a result of various studies on the optimum conditions for plasma processing, particularly by using a high-frequency inductively coupled plasma processing apparatus, the present inventors have suppressed radical generation under a specific low pressure and are ion-rich. It was found that various plasmas can be obtained and plasma treatment such as etching can be effectively performed. Moreover, under such a pressure, the process window is wider than in the conventional case, the gas pressure can be easily controlled, and stable plasma processing can be continuously performed against a temporal or synchronous fluctuation of the pressure. I found out.
【０００８】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
であり、本発明の請求項１に記載のプラズマ処理方法
は、処理室外部に絶縁材を介して配設された高周波電極
に高周波電力を印加し、上記処理室内で処理ガスに誘導
性結合プラズマを発生させ、上記処理室内に配置された
被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法
において、上記被処理体を１０〜１００mTorrのガス圧
で処理するように構成されている。The present invention has been made based on the above findings, and the plasma processing method according to claim 1 of the present invention applies high-frequency power to a high-frequency electrode arranged outside the processing chamber via an insulating material. In the plasma processing method of applying an inductively coupled plasma to the processing gas in the processing chamber, and subjecting the processing object disposed in the processing chamber to a predetermined plasma processing, the processing object is a gas of 10 to 100 mTorr. It is configured for pressure treatment.
【０００９】また、本発明の請求項２に記載のプラズマ
処理方法は、処理室外部に絶縁材を介して配設された高
周波電極に高周波電力を印加し、上記処理室内で処理ガ
スに誘導性結合プラズマを発生させ、上記処理室内に配
置された被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ
処理方法において、上記被処理体を２〜５ｅＶの電子温
度で処理するように構成されている。In the plasma processing method according to the second aspect of the present invention, high-frequency power is applied to a high-frequency electrode disposed outside the processing chamber via an insulating material, and the process gas is inductive in the processing chamber. In the plasma processing method of generating combined plasma and subjecting the object to be processed arranged in the processing chamber to predetermined plasma processing, the object to be processed is processed at an electron temperature of 2 to 5 eV.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、処理
室内の処理ガスを１０〜１００mTorrのガス圧に調整し
た状態で、高周波アンテナ等の電極に高周波電力を印加
して処理室外部から絶縁材を介して電磁波を与えて処理
室内で誘導性結合プラズマを発生させると、ラジカル解
離を抑制しイオン性エッチャントに富む高密度プラズマ
を発生し、有効なエッチャントに富む高密度プラズマに
より処理室内の被処理体に所定のプラズマ処理を施すこ
とができる。According to the first aspect of the present invention, while the processing gas in the processing chamber is adjusted to a gas pressure of 10 to 100 mTorr, high frequency power is applied to the electrodes of the high frequency antenna or the like to outside the processing chamber. When an inductively coupled plasma is generated in the processing chamber by applying electromagnetic waves from the inside through the insulating material, high-density plasma rich in ionic etchant is generated by suppressing radical dissociation. The object to be processed can be subjected to a predetermined plasma processing.
【００１１】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、高周波アンテナ等の高周波電極に高周波電力を印
加して処理室外部から絶縁材を介して電磁波を与えて処
理室内で誘導性結合プラズマを発生させ、このプラズマ
の電子温度を２〜５ｅＶに設定すると、過剰なラジカル
解離を抑制しイオン性エッチャントに富む高密度プラズ
マを発生し、有効なエッチャントに富む高密度プラズマ
により処理室内の被処理体に所定のプラズマ処理を施す
ことができる。According to the second aspect of the present invention, high-frequency power is applied to a high-frequency electrode such as a high-frequency antenna and electromagnetic waves are applied from the outside of the processing chamber through an insulating material so as to be inductive in the processing chamber. When a coupled plasma is generated and the electron temperature of this plasma is set to 2 to 5 eV, excessive radical dissociation is suppressed to generate a high-density plasma rich in ionic etchant, and the effective high-density plasma rich in etchant causes the inside of the processing chamber to be discharged. The object to be processed can be subjected to a predetermined plasma processing.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図１〜図５に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本発明のプラズマ処理方法を説明する
前に、まず本発明のプラズマ処理方法に好適に用いられ
るプラズマエッチング装置について図１、図２を参照し
ながら説明する。本発明のプラズマ処理方法に用いられ
るプラズマエッチング装置は、図１に示すように、アル
ミニウム等の導電性材料からなる円筒状あるいは矩形状
の処理室１を備えている。この処理室１内の底部には被
処理体例えば半導体ウエハＷを載置する円柱状の載置台
２が昇降機構３を介して昇降可能に配設されている。こ
の昇降機構３は、処理室１の底面中央部の開口部を貫通
し、例えば石英ガラス、セラミックス等からなる絶縁材
４により処理室１から電気的に絶縁されている。また、
この載置台２の周囲の処理室１の底部には図示しない真
空ポンプに接続された排気管１Ａ、１Ａが取り付けら
れ、この真空ポンプにより処理室１内のガス圧を所定の
真空度に保持するようにしている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. Before describing the plasma processing method of the present invention, first, a plasma etching apparatus preferably used in the plasma processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. As shown in FIG. 1, the plasma etching apparatus used in the plasma processing method of the present invention includes a cylindrical or rectangular processing chamber 1 made of a conductive material such as aluminum. At the bottom of the processing chamber 1, a column-shaped mounting table 2 on which an object to be processed, for example, a semiconductor wafer W is mounted, is arranged via a lifting mechanism 3 so as to be lifted and lowered. The elevating mechanism 3 penetrates through the opening at the center of the bottom surface of the processing chamber 1 and is electrically insulated from the processing chamber 1 by an insulating material 4 made of, for example, quartz glass, ceramics or the like. Also,
Exhaust pipes 1A, 1A connected to a vacuum pump (not shown) are attached to the bottom of the processing chamber 1 around the mounting table 2, and the gas pressure in the processing chamber 1 is maintained at a predetermined degree of vacuum by this vacuum pump. I am trying.
【００１３】そして、上記載置台２は、アルミニウム等
により円盤状に形成されたサセプタ支持台２Ａと、この
サセプタ支持台２Ａ上にボルト２Ｂにより着脱自在に積
層され且つアルミニウム等により形成されたサセプタ２
Ｃとを備え、サセプタ２Ｃの着脱によりメンテナンス容
易に構成されている。The mounting table 2 includes a susceptor support 2A formed of aluminum or the like in a disk shape, and a susceptor 2 removably stacked on the susceptor support 2A with bolts 2B and formed of aluminum or the like.
C, and is configured for easy maintenance by attaching and detaching the susceptor 2C.
【００１４】上記サセプタ支持台２Ａ内には冷却ジャケ
ット５が配設され、この冷却ジャケット５には液化窒素
等の冷媒を供給する冷媒供給源（図示せず）が冷媒導入
管６を介して接続され、冷媒供給源から冷媒導入管６を
介して冷却ジャケット５へ冷媒を供給するようになされ
ている。また、冷却ジャケット５内の冷媒はサセプタ５
を冷却して気化した後、冷媒導出管７を介して外部へ排
出されるようになっている。冷媒として例えば−１９６
℃の液化窒素を用いた場合には、その冷熱が冷却ジャケ
ット５からサセプタ２Ｃを介して半導体ウエハＷまで伝
達され、その処理面を例えば−１９６℃〜常温程度に冷
却制御することができる。A cooling jacket 5 is arranged in the susceptor support 2A, and a cooling medium supply source (not shown) for supplying a cooling medium such as liquefied nitrogen is connected to the cooling jacket 5 through a cooling medium introducing pipe 6. The coolant is supplied from the coolant supply source to the cooling jacket 5 through the coolant introduction pipe 6. In addition, the coolant in the cooling jacket 5 is the susceptor 5.
After being cooled and vaporized, it is discharged to the outside through the refrigerant outlet pipe 7. As a refrigerant, for example, -196
When liquefied nitrogen of ℃ is used, the cold heat is transferred from the cooling jacket 5 to the semiconductor wafer W via the susceptor 2C, and the processing surface can be cooled and controlled to, for example, about −196 ° C. to room temperature.
【００１５】上記サセプタ支持台２Ａ及びサセプタ２Ｃ
にはこれらを貫通するガス通路８を介してガス源９が接
続され、このガス源９からガス通路８を介してＨｅ等の
熱伝達性ガス（バッククーリングガス）を供給し、各構
成部材の接合面の熱伝達性を高めて冷却ジャケット５に
よる冷却効率を高めるようにしている。また、サセプタ
２Ｃ上面の周縁部にはフォーカスリング１０が取り付け
られている。このフォーカスリング１０は、例えば石英
ガラス、セラミック、シリコン（単結晶、多結晶、アモ
ルファス）等の高抵抗体またはアルミニウムのアルマイ
トコーティング材、アモルファスカーボン等の良導体に
より形成され、反応性イオンをその内側の半導体ウエハ
Ｗに効果的に入射させる役割を有している。The susceptor support base 2A and the susceptor 2C
Is connected to a gas source 9 via a gas passage 8 penetrating them, and a heat transfer gas (back cooling gas) such as He is supplied from this gas source 9 via the gas passage 8 to The heat transfer property of the joint surface is enhanced to enhance the cooling efficiency of the cooling jacket 5. A focus ring 10 is attached to the peripheral portion of the upper surface of the susceptor 2C. The focus ring 10 is formed of, for example, a high resistance material such as quartz glass, ceramics, silicon (single crystal, polycrystal, or amorphous) or an aluminum alumite coating material, or a good conductor such as amorphous carbon, and has reactive ions inside thereof. It has a role of effectively entering the semiconductor wafer W.
【００１６】また、上記サセプタ２Ｃ上面のウエハ載置
部には半導体ウエハＷと略同一径に形成された静電チャ
ック１１が取り付けられている。この静電チャック１１
は、例えば２枚のポリイミド樹脂フィルムやセラミック
等の絶縁性部材と、これら両者に挟まれて一体化した導
電膜１２によって構成されている。そして、この導電膜
１２にはリード線１３を介して可変直流電源１４に接続
され、この可変直流電源１４から導電膜１２に電圧を印
加することにより発生する静電力により半導体ウエハＷ
を上記静電チャック１１上面に吸引保持するように構成
されている。また、上記サセプタ２Ｃには高周波電源１
５がマッチング用コンデンサ１６を介して接続され、こ
の高周波電源１５からマッチング用コンデンサ１６を介
して例えば２０〜４００ＫＨzの高周波電力を印加し、
半導体ウエハＷに自己バイアスするように構成されてい
る。An electrostatic chuck 11 having a diameter substantially the same as that of the semiconductor wafer W is attached to the wafer mounting portion on the upper surface of the susceptor 2C. This electrostatic chuck 11
Is composed of, for example, two insulating members such as a polyimide resin film and a ceramic, and a conductive film 12 sandwiched between the two and integrated. The conductive film 12 is connected to a variable DC power source 14 via a lead wire 13, and the semiconductor wafer W is electrostatically generated by applying a voltage from the variable DC power source 14 to the conductive film 12.
Is held by suction on the upper surface of the electrostatic chuck 11. Further, the susceptor 2C has a high frequency power source 1
5 is connected via a matching capacitor 16, and high frequency power of, for example, 20 to 400 KHz is applied from this high frequency power source 15 via the matching capacitor 16.
The semiconductor wafer W is configured to be self-biased.
【００１７】また、上記冷却ジャケット５と静電チャッ
ク１１との間のサセプタ２Ｃの下面には電源１７に接続
された温度調整用ヒータ１８が配設され、この電源１７
の供給電力を調整することにより温度調整用ヒータ１８
を介して冷却ジャケット５からの冷却作用を調整するよ
うになされている。この温度調整用ヒータ１８により半
導体ウエハＷを０℃以上の温度に調整できるようになさ
れている。On the lower surface of the susceptor 2C between the cooling jacket 5 and the electrostatic chuck 11, a temperature adjusting heater 18 connected to a power source 17 is arranged.
By adjusting the power supplied to the heater 18 for temperature adjustment
The cooling action from the cooling jacket 5 is adjusted via the. The temperature adjusting heater 18 can adjust the semiconductor wafer W to a temperature of 0 ° C. or higher.
【００１８】また、載置台２の上面に対向する処理室１
の頂面は石英ガラス、セラミック等からなる絶縁材１９
よって形成されている。この絶縁材１９の内面（チャン
バー内側）が高純度シリコン等によってコーティングさ
れたものであっても良い。この絶縁材１９外面には高周
波電極として銅、アルミニウム、ステンレス等の導体に
よって形成された高周波アンテナ２０が配設されてい
る。この高周波アンテナ２０は、図２を参照すれば明ら
かなように、渦巻き状の第１アンテナ部２０１と、この
第１アンテナ部２０１の内部に配置されたリング状の第
２アンテナ部２０２から構成されている。そして、第１
アンテナ部２０１の内側端子２０１Ａと外側端子２０１
Ｂ間にはプラズマ発生用の第１高周波電源２１Ａがマッ
チングボックス２２Ａを介して接続され、この第１高周
波電源２１Ａからマッチングボックス２２Ａを介して１
３.５６ＭＨzの高周波の電磁波を印加するように構成さ
れている。また、第２アンテナ部２０２の内側端子２０
２Ａと外側端子２０２Ｂ間にはプラズマ発生用の第１高
周波電源２１Ｂがマッチングボックス２２Ｂを介して接
続され、この第２周波電源２１Ｂからマッチングボック
ス２２Ｂを介して１３.５６ＭＨzの高周波の電磁波を印
加するように構成されている。そして、高周波アンテナ
２０には例えば５００〜１５００Ｗの高周波電力を印加
することが好ましい。また、高周波アンテナ２０に印加
する高周波電力は１３.５６ＭＨzに限らず、この他３８
０ＫＨz、６.３５ＭＨz、２７.１２ＭＨz、４０.６８Ｍ
Ｈzの高周波電力であっても良い。Further, the processing chamber 1 facing the upper surface of the mounting table 2
The top surface of the insulating material 19 is made of quartz glass, ceramics, etc.
Therefore, it is formed. The inner surface (inside the chamber) of the insulating material 19 may be coated with high-purity silicon or the like. A high-frequency antenna 20 formed of a conductor such as copper, aluminum, or stainless is provided on the outer surface of the insulating material 19 as a high-frequency electrode. As is apparent from FIG. 2, the high-frequency antenna 20 includes a spiral first antenna portion 201 and a ring-shaped second antenna portion 202 arranged inside the first antenna portion 201. ing. And the first
Inside terminal 201A and outside terminal 201 of antenna section 201
A first high-frequency power source 21A for plasma generation is connected between B via a matching box 22A, and the first high-frequency power source 21A connects 1A via the matching box 22A.
It is configured to apply a high frequency electromagnetic wave of 3.56 MHz. In addition, the inner terminal 20 of the second antenna unit 202
A first high frequency power supply 21B for plasma generation is connected between 2A and the outer terminal 202B via a matching box 22B, and a high frequency electromagnetic wave of 13.56 MHz is applied from this second frequency power supply 21B via the matching box 22B. Is configured. Then, it is preferable to apply high frequency power of, for example, 500 to 1500 W to the high frequency antenna 20. Further, the high frequency power applied to the high frequency antenna 20 is not limited to 13.56 MHz, and other 38
0KHz, 6.35MHz, 27.12MHz, 40.68M
It may be high frequency power of Hz.
【００１９】また、上記絶縁材１９からなる頂面の内面
には石英ガラス、セラミック等によって形成されたガス
供給部２３が取り付けられている。このガス供給部２３
は、サセプタ２Ｃと略同一径の中空円盤状に形成され、
下面には多数の孔が分散形成されている。また、頂面の
中央にはガス供給管２４が取り付けられ、このガス供給
管２４には処理ガス供給源２５Ａ、２５Ｂがマスフロー
コントローラ２６を介して接続されている。更に、ガス
供給部２３内にはバッファ円板２７が設けられている。
このバッファ円板２７の中央にはガス供給管２４に向か
って突出する突起部２８が形成さている。更に、ガス供
給部２３の下面の外周縁部には環状突起２９が取り付け
られている。従って、処理ガスが供給源２５Ａ、２５Ｂ
からマスフローコントローラ２６を介してガス供給管２
４へ供給されると、この処理ガスは、バッファ円板２７
の突起部２８によりガス供給部２３全体へ分散されてそ
の下面へ回り込み、多数の孔から処理室１内へ噴出し、
環状突起２９により半導体ウエハＷに向けて均等に供給
されるようになっている。A gas supply section 23 made of quartz glass, ceramics or the like is attached to the inner surface of the top surface made of the insulating material 19. This gas supply unit 23
Is formed in a hollow disk shape having substantially the same diameter as the susceptor 2C,
A large number of holes are dispersedly formed on the lower surface. A gas supply pipe 24 is attached to the center of the top surface, and processing gas supply sources 25A and 25B are connected to the gas supply pipe 24 via a mass flow controller 26. Further, a buffer disk 27 is provided in the gas supply unit 23.
At the center of the buffer disk 27, a protrusion 28 protruding toward the gas supply pipe 24 is formed. Further, an annular protrusion 29 is attached to the outer peripheral edge of the lower surface of the gas supply unit 23. Therefore, the processing gas is supplied from the supply sources 25A and 25B.
From the gas supply pipe 2 via the mass flow controller 26
4 is supplied to the buffer disc 27.
Of the gas is supplied to the whole of the gas supply section 23 by the projections 28 and goes around to the lower surface of the gas supply section 23, and jets into the processing chamber 1 through a large number of holes
The annular projection 29 uniformly supplies the semiconductor wafer W.
【００２０】また、上記処理室１の側壁には透明石英ガ
ラス等の透明な材料により形成された透過窓３０が取り
付けられ、処理室１内の光を光学系３１を介して光学セ
ンサ３２に送り、処理室１内で発生する発光スペクトル
に関する信号を制御器３３へ送信するように構成されて
いる。また、処理室１には図示しないラングミュアプロ
ーブが取り付けられ、このラングミュアプローブにより
プラズマの電子温度を測定できるようになされている。
更に、処理室１の側壁には処理室１内の圧力などを測定
するセンサ３４が取り付けられ、このセンサ３４から圧
力などに関する信号を制御器３３へ送信するように構成
されている。制御器３３は、これらのセンサからのフィ
ードバック信号あるいは予め設定された設定値に基づい
て制御信号をプラズマ発生用高周波電源２１Ａ、２１
Ｂ、バイアス用高周波電源１５、冷媒源９、温度調整用
電源１７、バッククーリング用ガス源９、処理ガス用マ
スフローコントローラ２６などに送信し、プラズマ処理
装置の動作環境を最適にコントロールするように構成さ
れている。A transparent window 30 made of a transparent material such as transparent quartz glass is attached to the side wall of the processing chamber 1, and the light inside the processing chamber 1 is sent to an optical sensor 32 via an optical system 31. It is configured to transmit a signal regarding the emission spectrum generated in the processing chamber 1 to the controller 33. A Langmuir probe (not shown) is attached to the processing chamber 1, and the Langmuir probe can measure the electron temperature of plasma.
Further, a sensor 34 for measuring the pressure in the processing chamber 1 is attached to the side wall of the processing chamber 1, and the sensor 34 is configured to transmit a signal regarding the pressure or the like to the controller 33. The controller 33 sends a control signal to the high-frequency power sources 21A and 21A for plasma generation based on the feedback signals from these sensors or preset set values.
B, high frequency power source 15 for bias, refrigerant source 9, power source 17 for temperature adjustment, gas source 9 for back cooling, mass flow controller 26 for processing gas, etc., and is configured to optimally control the operating environment of the plasma processing apparatus. Has been done.
【００２１】上記プラズマ処理装置を用いて半導体ウエ
ハＷに形成されたシリコン酸化膜、ＰＳＧ膜等の酸化膜
をエッチングするする場合には、処理ガスとしては、例
えばＣＨＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等のフッ素系ガス
が好ましく用いられる。そして、これらのガスは単独で
あるいは適宜の組み合わせて混合し、更にはこれらに一
酸化炭素、酸素等の添加ガスを添加することにより下地
材との選択比を高めることができる。下地材としては、
例えばポリシリコン、アモルファスシリコン、窒化シリ
コン、窒化チタン等を挙げることができる。また、シリ
コン膜をエッチングする場合にはＣＦ4等のフッ素系ガ
ス、ＣＣｌＦ3等のフッ素−塩素系ガスが好ましく用い
られる。勿論、処理ガスはこれらのガスに制限されるも
のではない。When etching the silicon oxide film, the PSG film or the like oxide film formed on the semiconductor wafer W using the above plasma processing apparatus, the processing gas is, for example, CHF 3 , CF 4 , C 2 F A fluorine-based gas such as 6 , C 3 F 8 or the like is preferably used. Then, these gases can be mixed alone or in an appropriate combination, and further, by adding an additive gas such as carbon monoxide or oxygen, the selection ratio with respect to the base material can be increased. As the base material,
For example, polysilicon, amorphous silicon, silicon nitride, titanium nitride, etc. can be mentioned. When etching a silicon film, a fluorine-based gas such as CF 4 or a fluorine-chlorine-based gas such as CClF 3 is preferably used. Of course, the processing gas is not limited to these gases.
【００２２】次に、上記プラズマ処理装置を用いてシリ
コン酸化膜をエッチングする場合を例に挙げて図３〜図
５を参照しながら本発明のプラズマ処理方法の実施例と
共に説明する。それには、処理室１外部に絶縁材１９を
介して配設された高周波アンテナ２０にその高周波電源
２１Ａ、２１Ｂからマッチングボックス２２Ａ、２２Ｂ
を介して５００〜１５００Ｗの高周波電力を印加すると
共にバイアス用高周波電源１６を介して１００〜３００
Ｗの高周波電力を印加し、処理室１内で例えばＣＨＦ3
の誘導プラズマを発生させ、１０〜１００mTorrのガス
圧で半導体ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜にエ
ッチング処理を施す。Next, the case of etching a silicon oxide film using the above plasma processing apparatus will be described as an example together with an embodiment of the plasma processing method of the present invention with reference to FIGS. To this end, the high-frequency antenna 20 disposed outside the processing chamber 1 via the insulating material 19 is connected to the high-frequency power sources 21A and 21B to the matching boxes 22A and 22B.
RF power of 500 to 1500 W is applied via the RF power supply for bias 100 to 300
Applying high frequency power of W, for example, CHF 3 in the processing chamber 1
Is generated and the silicon oxide film formed on the semiconductor wafer W is etched at a gas pressure of 10 to 100 mTorr.
【００２３】それにはまず、処理室１内で昇降機構３を
駆動させて載置台２を適宜の位置に設定した後、半導体
ウエハＷを静電チャック１１上に載置すると、その静電
力により半導体ウエハＷを載置台２のサセプタ２Ｃ上に
固定する。そして、図示しない真空ポンプにより処理室
１内を真空雰囲気にする。その後、半導体ウエハＷの裏
面及び載置台２の各接合部に伝熱用のバッククーリング
用ガスを供給しながら冷却ジャケット５により半導体ウ
エハＷを所望の温度、例えば１５℃まで冷却する。引き
続き例えば処理ガス供給源２５Ａから例えば純粋なＣＨ
Ｆ3ガスをガス供給部２３から処理室１内へ供給する。First, the elevating mechanism 3 is driven in the processing chamber 1 to set the mounting table 2 at an appropriate position, and then the semiconductor wafer W is mounted on the electrostatic chuck 11, and the semiconductor force is applied to the semiconductor wafer W. The wafer W is fixed on the susceptor 2C of the mounting table 2. Then, the inside of the processing chamber 1 is made into a vacuum atmosphere by a vacuum pump (not shown). After that, the semiconductor wafer W is cooled to a desired temperature, for example, 15 ° C., by the cooling jacket 5 while supplying a back-cooling gas for heat transfer to the back surface of the semiconductor wafer W and each bonding portion of the mounting table 2. Then, for example, pure CH from the processing gas supply source 25A
F 3 gas is supplied from the gas supply unit 23 into the processing chamber 1.
【００２４】次いで、高周波アンテナ２０、即ち第１ア
ンテナ部２０１及び第２アンテナ部２０２に第１、第２
高周波電源２１Ａ、２１Ｂからマッチングボックス２２
Ａ、２２Ｂを介してそれぞれ１３.５６ＭＨzで５００〜
３５００Ｗの高周波電力を同位相で印加して処理室１内
に電磁波を与えると共に、サセプタ２Ｃに１３.５６Ｍ
Ｈzで１０〜３００Ｗの高周波電源１５から直流成分カ
ット用コンデンサ１６を介して高周波電力を印加する。
この際、第１アンテナ部２０１の電力を第２アンテナ部
２０２の電力よりも相対的に高くすると、第１アンテナ
部２０１に相対的に高い電流が流れ、処理室１の内壁近
傍でその内側よりも強い電磁波をＣＨＦ3ガスに照射
し、内壁近傍がその内側よりも高密度のプラズマが発生
する。その結果、周囲の高密度プラズマが径方向内側へ
拡散して処理室１内全体のプラズマを均一化するとがで
きると共に、半導体ウエハＷの処理面に均一な状態で拡
散して半導体ウエハＷ全面に均一なエッチングを施すこ
とができる。Next, the high-frequency antenna 20, that is, the first and second antenna portions 201 and 202 are provided with the first and second antenna portions.
Matching box 22 from high frequency power supplies 21A and 21B
500 at 13.56 MHz via A and 22B respectively
High-frequency power of 3500 W is applied in the same phase to give electromagnetic waves to the processing chamber 1, and 13.56 M is applied to the susceptor 2C.
High frequency power is applied from the high frequency power supply 15 of 10 to 300 W at Hz through the DC component cutting capacitor 16.
At this time, if the electric power of the first antenna unit 201 is made relatively higher than the electric power of the second antenna unit 202, a relatively high current flows through the first antenna unit 201, and the inner wall of the processing chamber 1 is closer to the inner side than the inner side thereof. By irradiating CHF 3 gas with a strong electromagnetic wave, plasma with a higher density is generated in the vicinity of the inner wall than in the inside. As a result, the surrounding high-density plasma can be diffused inward in the radial direction to uniformize the plasma in the entire processing chamber 1, and at the same time, can be diffused in a uniform state on the processing surface of the semiconductor wafer W to cover the entire surface of the semiconductor wafer W. Uniform etching can be performed.
【００２５】この時更に、マスコントローラ２６を制御
器３３で制御することにより流量調整すると共に自動圧
力調整装置（図示せず）を用いてガス圧を種々変化さ
せ、その都度、処理室１内の電子温度をラングミュアプ
ローブで測定し、電子温度のガス依存性を観察した。そ
の結果、図３で示す結果が得られた。同図によれば、１
０mTorr未満のガス圧ではガス圧が低下すれば電子温度
が４.３ｅＶから急激に上昇し、１０〜１００mTorr（同
図では５０mTorrまで示した）の範囲ではガス圧が上昇
しても電子温度が４ｅＶから２ｅＶまで緩やかに低下
し、この範囲では電子温度が安定していることが判っ
た。尚、分子の結合エネルギーは通常１〜数ｅＶである
ため、電子温度が２〜４ｅＶあれば、電子のエネルギー
としてはＣＨＦ3分子の結合エネルギーを切断してプラ
ズマを生成するには十分である。At this time, further, the mass controller 26 is controlled by the controller 33 to adjust the flow rate, and the gas pressure is changed variously by using an automatic pressure adjusting device (not shown). The electron temperature was measured with a Langmuir probe, and the gas dependence of the electron temperature was observed. As a result, the results shown in FIG. 3 were obtained. According to the figure, 1
When the gas pressure is less than 0 mTorr, the electron temperature rises sharply from 4.3 eV when the gas pressure decreases, and in the range of 10 to 100 mTorr (shown up to 50 mTorr in the figure), the electron temperature remains 4 eV even if the gas pressure rises. To 2 eV, it was found that the electron temperature was stable in this range. Since the binding energy of molecules is usually 1 to several eV, if the electron temperature is 2 to 4 eV, the energy of electrons is sufficient to cut the binding energy of CHF 3 molecules to generate plasma.
【００２６】この結果からも明らかなようにガス圧が１
０mTorr未満の低圧になれば僅かの圧力変動で電子温度
が大きく変動しプラズマに多大な影響を与えるため、エ
ッチング時のガス圧制御が難しく安定したエッチングを
施すことができなくなる虞がある。一方、ガス圧が１０
〜１００mTorrの範囲にあれば電子温度が４.３ｅＶから
２ｅＶの範囲で緩やかに変動し安定したプラズマを得る
ことができるため、エッチング時のガス圧制御が容易に
なり、安定したエッチングを継続的に施すことができ
る。また、ガス圧が１００mTorrを超えると高周波誘導
結合方式の特性を活かせなくなり好ましくない。また、
１００mTorrを超えるガス圧では従来の平行平板型プラ
ズマ処理装置の方がコスト的、特徴的に優れている。As is clear from this result, the gas pressure is 1
If the pressure is lower than 0 mTorr, the electron temperature fluctuates greatly even with a slight pressure fluctuation and has a great influence on the plasma. Therefore, it is difficult to control the gas pressure during etching, and stable etching cannot be performed. On the other hand, the gas pressure is 10
If it is in the range of up to 100 mTorr, the electron temperature will fluctuate gently in the range of 4.3 eV to 2 eV, and stable plasma can be obtained, so that the gas pressure control during etching becomes easy and stable etching can be continuously performed. Can be given. Further, if the gas pressure exceeds 100 mTorr, the characteristics of the high frequency inductive coupling system cannot be utilized, which is not preferable. Also,
When the gas pressure exceeds 100 mTorr, the conventional parallel plate type plasma processing apparatus is superior in cost and characteristics.
【００２７】また、発光強度のガス圧依存性を観察した
結果、図４に示す結果が得られた。同図によれば、ＣＦ
2ラジカルの発光強度は圧力が低くなるに連れて一様に
弱くなる一方、ＣＦの発光強度は圧力が低くなるに連れ
て強くなる。しかし、１０mTorr近傍に最大値を有す
る。また、Ｆ、Ｃ、Ｈラジカルの発光強度は圧力の低下
と共に急激に強くなる。このことはＣＨＦ3がＦ、Ｃ、
Ｈに分解することを示している。即ち、１０mTorr未満
まで圧力を低下させるとエッチングに必要なイオンが得
難くなり、１０〜１００mTorrの範囲ではＦ、Ｃ、Ｈラ
ジカルの発生が抑制されることを示している。また、１
０〜１００mTorrの範囲では圧力が高くなるに連れてＣ
Ｆ2ラジカルが徐々に増え、ラジカル重合が起こり易く
なることを示している。このことは下地に対する高選択
性エッチングを得る上で極めて重要である。As a result of observing the gas pressure dependence of the emission intensity, the results shown in FIG. 4 were obtained. According to the figure, CF
2 The emission intensity of the radicals becomes uniformly weaker as the pressure becomes lower, while the emission intensity of CF becomes stronger as the pressure becomes lower. However, it has a maximum value near 10 mTorr. Further, the emission intensity of the F, C, and H radicals rapidly increases as the pressure decreases. This means that CHF 3 has F, C,
It is shown to decompose into H. That is, it is shown that when the pressure is reduced to less than 10 mTorr, it becomes difficult to obtain the ions necessary for etching, and in the range of 10 to 100 mTorr, generation of F, C, and H radicals is suppressed. Also, 1
In the range of 0 to 100 mTorr, as the pressure increases, C
This indicates that the F 2 radicals gradually increase, and radical polymerization is likely to occur. This is extremely important in obtaining a highly selective etching for the base.
【００２８】また、発光強度の電子温度依存性を調べた
結果を示したものが図５である。同図からも明らかなよ
うに、Ｆ、Ｃ、Ｈラジカルの発光強度は電子温度が高く
なるに連れて強くなり、電子温度が５ｅＶを超えると急
激に強くなることを示唆している。つまり、このことは
電子温度が２〜５ｅＶの範囲では、電子温度が高くなる
に連れてＦ、Ｃ、Ｈラジカルが比較的緩やかに増大し、
５ｅＶを超えるとＦ、Ｃ、Ｈラジカルが急激に大きくな
り好ましくないことを示唆している。FIG. 5 shows the result of examining the electron temperature dependence of the emission intensity. As is clear from the figure, it is suggested that the emission intensity of the F, C, and H radicals becomes stronger as the electron temperature becomes higher, and becomes sharply stronger when the electron temperature exceeds 5 eV. That is, in the electron temperature range of 2 to 5 eV, the F, C, and H radicals increase relatively slowly as the electron temperature increases,
When it exceeds 5 eV, F, C, and H radicals suddenly increase, which is not preferable.
【００２９】以上の結果を踏まえて半導体ウエハＷの略
１μｍ厚のシリコン酸化膜をエッチングした結果、略２
分間でエッチングを終了し、下地材であるシリコンに対
して４０以上の選択比を得ることができ、そのエッチン
グ形状にも優れ、略垂直に近い形状でであることが判っ
た。これは今後急速に所望されるセルフアラインコンタ
クトホールのプロセスに重要な解を与えたことになる。
そして、この現象を利用すれば、酸化膜だけを削り、窒
化膜とシリコン膜を残すこともできる。Based on the above results, the silicon oxide film of about 1 μm thickness of the semiconductor wafer W was etched, and as a result, about 2 μm was obtained.
It was found that the etching was completed in a minute, a selection ratio of 40 or more with respect to silicon as the base material was obtained, the etching shape was excellent, and the shape was almost vertical. This has provided an important solution to the process of the self-aligned contact hole which will be rapidly desired in the future.
By utilizing this phenomenon, it is possible to remove only the oxide film and leave the nitride film and the silicon film.
【００３０】以上説明したように本実施例によれば、半
導体ウエハＷを１０〜１００mTorrのガス圧で処理し、
電子温度が高くなり難い領域でエッチングするようにし
たため、ガス圧の制御を簡単に行なうことができ、比較
的高いガス圧でもイオンに富み、ラジカル解離を抑制し
た高密度プラズマを安定的に得ることができ、しかもエ
ッチング速度及び選択比を高めることができる。また、
半導体ウエハＷを電子温度２〜５ｅＶのプラズマで処理
しても同様の結果を得ることができる。As described above, according to this embodiment, the semiconductor wafer W is processed at the gas pressure of 10 to 100 mTorr,
Since the etching is performed in a region where the electron temperature is unlikely to rise, the gas pressure can be easily controlled, and stable high-density plasma with abundant ions and suppressed radical dissociation can be obtained even at a relatively high gas pressure. In addition, the etching rate and the selection ratio can be increased. Also,
Similar results can be obtained by treating the semiconductor wafer W with plasma having an electron temperature of 2 to 5 eV.
【００３１】尚、上記実施例では渦巻き状の高周波アン
テナを処理室１の頂面に設けたものについて説明した
が、本発明方法は、このようなタイプに何等制限される
ものではなく、コイル状の高周波アンテナを絶縁材を介
して処理室の周面に取り付けたものであっても良い。要
は高周波アンテナを処理室外部に絶縁材を介して配設さ
れたものであれば、様々なタイプの高周波誘導結合型プ
ラズマ処理装置を用いて本発明方法を実施することがで
きる。また、光をモニターして印加する高周波電力を制
御したり、プローブにより電子温度をモニターして同電
力を制御しても良い。Although the spiral high-frequency antenna is provided on the top surface of the processing chamber 1 in the above embodiment, the method of the present invention is not limited to this type, and the coil-shaped antenna is not limited thereto. The high frequency antenna may be attached to the peripheral surface of the processing chamber via an insulating material. In short, the method of the present invention can be carried out by using various types of high frequency inductively coupled plasma processing apparatus as long as the high frequency antenna is arranged outside the processing chamber through an insulating material. Further, the applied high frequency power may be controlled by monitoring light, or the electron temperature may be monitored by a probe to control the same power.
【００３２】また、上記実施例ではエッチング処理の場
合について説明したが、本発明はＣＶＤ処理、アッシン
グ処理など本発明を広く適用することができる。また、
被処理体も半導体ウエハに制限されるものではなく、Ｌ
ＣＤ基板などにも本発明を適用することができる。Further, although the case of the etching process has been described in the above embodiment, the present invention can be widely applied to the CVD process and the ashing process. Also,
The object to be processed is not limited to the semiconductor wafer, but L
The present invention can be applied to a CD substrate and the like.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明の請求項１に記載の発明によれ
ば、処理室外部に絶縁材を介して配設された高周波アン
テナに高周波電力を印加し、処理室内で処理ガスの誘導
プラズマを発生させ、処理室内に配置された被処理体に
所定のプラズマ処理を施す際に、被処理体を１０〜１０
０mTorrのガス圧で処理するようにしたため、ガス圧の
制御を簡単に行なうことができ、高周波誘導結合方式と
しては比較的高いガス圧でもイオンに富み、ラジカル解
離を抑制した高密度プラズマを安定的に得ることがで
き、しかもエッチング速度及び選択比を高めることがで
きるプラズマ処理方法を提供することができる。According to the invention described in claim 1 of the present invention, high frequency power is applied to a high frequency antenna disposed outside the processing chamber through an insulating material to generate an induction plasma of a processing gas in the processing chamber. When a predetermined plasma treatment is performed on the object to be generated and arranged in the processing chamber, the object to be processed is 10 to 10
Since the gas pressure is set to 0 mTorr, the gas pressure can be easily controlled, and the high-frequency inductive coupling system is rich in ions even at a relatively high gas pressure, and stable high-density plasma with suppressed radical dissociation is stable. Therefore, it is possible to provide a plasma processing method which can be obtained, and in which the etching rate and the selection ratio can be increased.
【００３４】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、処理室外部に絶縁材を介して配設された高周波ア
ンテナに高周波電力を印加し、処理室内で処理ガスの誘
導プラズマを発生させ、処理室内に配置された被処理体
に所定のプラズマ処理を施す際に、被処理体を電子温度
２〜５ｅＶのプラズマで処理するようにしたため、ガス
圧の制御を簡単に行なうことができ、高周波誘導結合方
式としては比較的高いガス圧でもイオンに富み、ラジカ
ル解離を抑制した高密度プラズマを安定的に得ることが
でき、しかもエッチング速度及び選択比を高めることが
できるプラズマ処理方法を提供することができる。According to the second aspect of the present invention, high-frequency power is applied to the high-frequency antenna arranged outside the processing chamber through the insulating material to generate induction plasma of the processing gas in the processing chamber. When the target is placed in the processing chamber and is subjected to a predetermined plasma treatment, the target is treated with plasma having an electron temperature of 2 to 5 eV, so that the gas pressure can be easily controlled. As a high-frequency inductive coupling method, a plasma treatment method that is rich in ions even with a relatively high gas pressure, can stably obtain high-density plasma with suppressed radical dissociation, and can increase the etching rate and the selection ratio. Can be provided.
【図１】本発明のプラズマ処理方法を実施する場合に好
適に用いられる高周波誘導結合型プラズマ処理装置の一
例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a high-frequency inductively coupled plasma processing apparatus that is preferably used when carrying out the plasma processing method of the present invention.
【図２】図１に示す高周波誘導結合型プラズマ処理装置
の高周波アンテナを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a high frequency antenna of the high frequency inductively coupled plasma processing apparatus shown in FIG.
【図３】図１に示す高周波誘導結合型プラズマ処理装置
によって発生したＣＨＦ3プラズマのガス圧力と電子温
度の関係を示すグラフである。3 is a graph showing the relationship between the gas pressure and the electron temperature of CHF 3 plasma generated by the high frequency inductively coupled plasma processing apparatus shown in FIG.
【図４】図１に示す高周波誘導結合型プラズマ処理装置
によって発生したＣＨＦ3プラズマ中の各種ラジカルの
発光強度とガス圧力の関係を示すグラフである。4 is a graph showing the relationship between the emission intensity of various radicals in CHF 3 plasma generated by the high frequency inductively coupled plasma processing apparatus shown in FIG. 1 and the gas pressure.
【図５】図１に示す高周波誘導結合型プラズマ処理装置
によって発生したＣＨＦ3プラズマ中の各種ラジカルの
発光強度と電子温度の関係を示すグラフである。5 is a graph showing the relationship between the emission intensity of various radicals in CHF 3 plasma generated by the high-frequency inductively coupled plasma processing apparatus shown in FIG. 1 and the electron temperature.
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 処理室 ２０ 高周波アンテナ ２１Ａ 第１高周波電源 ２１Ｂ 第２高周波電源 ２０１ 第１アンテナ部 ２０２ 第２アンテナ部 W semiconductor wafer (object to be processed) 1 processing chamber 20 high frequency antenna 21A first high frequency power supply 21B second high frequency power supply 201 first antenna section 202 second antenna section
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ 9014−2Ｇ (72)発明者 田原 好文 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 西川 浩 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI technical display location // H05H 1/46 A 9014-2G (72) Inventor Yoshifumi Tahara 2 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 3-1, Tokyo Electron Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Nishikawa 2-3-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Tokyo Electron Co., Ltd.
Claims (2)
高周波電極に高周波電力を印加し、上記処理室内で処理
ガスに誘導性結合プラズマを発生させ、上記処理室内に
配置された被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズ
マ処理方法において、上記被処理体を１０〜１００mTor
rのガス圧で処理することを特徴とするプラズマ処理方
法。1. A high-frequency electrode is provided outside the processing chamber via an insulating material to apply high-frequency power to generate inductively coupled plasma in the processing gas in the processing chamber, and the target gas is placed in the processing chamber. In the plasma processing method of subjecting a processing object to a predetermined plasma processing, the processing object is treated in an amount of 10 to 100 mTor.
A plasma processing method characterized by processing at a gas pressure of r.
高周波電極に高周波電力を印加し、上記処理室内で処理
ガスに誘導性結合プラズマを発生させ、上記処理室内に
配置された被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズ
マ処理方法において、上記被処理体を２〜５ｅＶの電子
温度で処理することを特徴とするプラズマ処理方法。2. High frequency power is applied to a high frequency electrode disposed outside the processing chamber via an insulating material to generate inductively coupled plasma in the processing gas in the processing chamber, and the target gas disposed in the processing chamber. A plasma processing method for performing a predetermined plasma processing on a processing object, wherein the processing object is processed at an electron temperature of 2 to 5 eV.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33876493A JP3172759B2 (en) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| TW83109725A TW273068B (en) | 1993-10-20 | 1994-10-20 | |
| KR1019940026833A KR100276736B1 (en) | 1993-10-20 | 1994-10-20 | Plasma processing equipment |
| US08/327,798 US5571366A (en) | 1993-10-20 | 1994-10-20 | Plasma processing apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP3172759B2 JP3172759B2 (en) | 2001-06-04 |
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ID=18321244
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33876493A Expired - Fee Related JP3172759B2 (en) | 1993-10-20 | 1993-12-02 | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
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