JPH0715928B2 - Semiconductor device inspection method - Google Patents

Semiconductor device inspection method

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JPH0715928B2
JPH0715928B2 JP60098413A JP9841385A JPH0715928B2 JP H0715928 B2 JPH0715928 B2 JP H0715928B2 JP 60098413 A JP60098413 A JP 60098413A JP 9841385 A JP9841385 A JP 9841385A JP H0715928 B2 JPH0715928 B2 JP H0715928B2
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JP
Japan
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mark
semiconductor
inspecting
semiconductor wafer
logic
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三智夫 本間
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の検査方法に係り、特に半導体ウェ
ハ上の論理半導体ペレットの検査方法に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device inspection method, and more particularly to a method for inspecting logic semiconductor pellets on a semiconductor wafer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体ウェハ上の半導体ペレット特に論理半導体
ペレット(以降ゲート・アレイと称する)の検査は、製
造工程中で選定された論理機能に対応する検査パターン
を読み出して、1個づつ検査する方法がとられている。
また、半導体ウェハ上に異なる論理機能をもった2種類
以上のゲート・アレイを検査する方法は、まず検査装置
で1種類のゲート・アレイの論理機能を読み出して、そ
の論理機能に対応する検査パターンでその種類の半導体
ウェハ上のすべてのゲート・アレイを検査し、次に別の
論理機能を読み出してその種類の論理機能を検査すると
いうくり返し方法がとられている。また、これらのコー
ド番号のマークの識別は、人が金属あるいは実体顕微鏡
で行なっていた。
Conventionally, in order to inspect semiconductor pellets on a semiconductor wafer, particularly logic semiconductor pellets (hereinafter referred to as gate arrays), an inspection pattern corresponding to a logic function selected in a manufacturing process is read and inspected one by one. Has been.
Further, in the method of inspecting two or more types of gate arrays having different logic functions on a semiconductor wafer, first, the inspection apparatus reads out the logic functions of one type of gate array and then an inspection pattern corresponding to the logic functions is read. Repeat all gate arrays on that type of semiconductor wafer, then read another logic function to inspect that type of logic function. In addition, the identification of these code number marks was performed by a person using a metal or stereoscopic microscope.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

前述した従来の検査方法では、論理機能に対応したコー
ド番号のマークの識別は人が行なっているので、工数が
かかり、また、間違って被検査ゲート・アレイの論理機
能と対応しない別の検査パターンを読み出したり、良品
を不良品と判断してしまうことが多かった。
In the above-mentioned conventional inspection method, since the identification of the code number mark corresponding to the logical function is performed by a person, it takes man-hours, and another inspection pattern that does not correspond to the logical function of the gate array to be inspected by mistake. It was often the case that the product was read or the good product was judged to be defective.

本発明の目的は、かかる問題点を解決し、検査上の工数
を削減し、検査上の間違いを無くし、正しい検査ができ
るようにした半導体装置の検査方法を提供することにあ
る。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device inspection method that solves such problems, reduces inspection man-hours, eliminates inspection errors, and enables correct inspection.

〔問題点をを解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の半導体装置の検査方法は、半導体ウェハ上の異
なる論理機能を有する2種類以上の論理半導体ペレット
を検査する半導体装置の検査方法において、前記論理機
能に応答して決定するコード番号を表示するマークを、
前記半導体ペレットの表面に形成し、前記マークを形成
する導体材料の電気抵抗を前記論理半導体ペレットが前
記半導体ウェハ上に形成された状態で測定することによ
り、前記マークを識別し、複数の検査パターンのうち前
記マークに対応した検査パターンを選択して検査を行う
ことを特徴とする。
A semiconductor device inspection method of the present invention is a semiconductor device inspection method for inspecting two or more types of logic semiconductor pellets having different logic functions on a semiconductor wafer, and displays a code number determined in response to the logic function. Mark
The mark is identified by measuring the electrical resistance of the conductor material formed on the surface of the semiconductor pellet and forming the mark in a state where the logic semiconductor pellet is formed on the semiconductor wafer, and a plurality of inspection patterns An inspection pattern corresponding to the mark is selected and inspected.

本発明の他の半導体装置の検査方法は、半導体ウェハ上
の異なる論理機能を有する2種類以上の論理半導体ペレ
ットを検査する半導体装置の検査方法において、前記半
導体ウェハと反対の導電型の不純物層を選択的に形成
し、前記不純物層の表面に第1の電極を形成し、前記不
純物層を形成していない表面に第2の電極を形成して、
前記論理機能に対応して決定するコード番号を表示する
マークとし、前記第1、第2の電極と前記半導体ウェハ
との間の電気抵抗を前記論理半導体ペレットが前記半導
体ウェハ上に形成された状態で測定することにより、前
記マークを識別し、複数の検査パターンのうち前記マー
クに対応した検査パターンを選択して検査を行うことを
特徴とする。
Another method of inspecting a semiconductor device according to the present invention is the method of inspecting two or more kinds of logic semiconductor pellets having different logic functions on a semiconductor wafer, wherein an impurity layer having a conductivity type opposite to that of the semiconductor wafer is used. Selectively formed, a first electrode is formed on the surface of the impurity layer, and a second electrode is formed on the surface on which the impurity layer is not formed,
A state in which the logic semiconductor pellet is formed on the semiconductor wafer as a mark for displaying a code number determined corresponding to the logic function, and an electric resistance between the first and second electrodes and the semiconductor wafer is formed. It is characterized in that the mark is identified by measuring in step 1, and an inspection pattern corresponding to the mark is selected from among a plurality of inspection patterns to perform the inspection.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。 Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図(a)は本発明の実施例の半導体装置の検査方法
において半導体ウェハ上のゲート・アレイの配列を説明
する平面図である。同図において、半導体ウェハ1に
は、互いに異なる論理機能を有するゲート・アレイ2,3
が複数個整列して形成されている。この半導体ウェハ上
でゲート・アレイのコード番号を識別するために、第1
図(b)のように番号を付す。第1図(b)は本発明の
関連技術の半導体装置の検査方法を示すブロック図であ
る。同図において、半導体ウェハ上の個々のゲート・ア
レイ2,3には、コード番号識別用のマーク4が形成され
ている。ここでは、光反射材料例えばアルミニウムで長
いセグメント5a,5cと短いセグメント5b,5dとの組合せで
作られている。一方、光源6から光7をマーク4に照射
し、反射光7′を受光部8で受光することにより、前記
セグメントの長短を受光量の量として測定し、マーク4
のセグメントの長短の組合せを識別部9で識別する。こ
の場合、長いセグメントを“1"として、短いセグメント
を“0"として識別することにすれば、2進数で“1010"
と識別できる。この識別した“1010"に対応する検査パ
ターンを記憶部10から検査部11に伝送した後に、検査を
実施する。
FIG. 1 (a) is a plan view for explaining the arrangement of gate arrays on a semiconductor wafer in the semiconductor device inspection method according to the embodiment of the present invention. In the figure, a semiconductor wafer 1 has gate arrays 2 and 3 having different logic functions.
Are aligned and formed. To identify the code number of the gate array on this semiconductor wafer, a first
The numbers are attached as shown in FIG. FIG. 1B is a block diagram showing a method for inspecting a semiconductor device according to the related art of the present invention. In the figure, a mark 4 for identifying a code number is formed on each of the gate arrays 2 and 3 on the semiconductor wafer. Here, it is made of a light-reflecting material, such as aluminum, in combination with long segments 5a, 5c and short segments 5b, 5d. On the other hand, by irradiating the mark 4 with the light 7 from the light source 6 and receiving the reflected light 7'in the light receiving portion 8, the length of the segment is measured as the amount of received light, and the mark 4
The identification unit 9 identifies the combination of the long and short segments. In this case, if the long segment is identified as “1” and the short segment is identified as “0”, the binary number is “1010”.
Can be identified. After transmitting the inspection pattern corresponding to the identified “1010” from the storage unit 10 to the inspection unit 11, the inspection is performed.

第2図は本発明の第1の実施例を説明するための平面図
であり、第1図(b)のマーク4と異なる別のマークを
示している。同図において導体材料(アルミニウム等)
で作られたセグメントは、二つの四角形のパッド13,1
3′とその間をつなぐ配線12とからなる。コード番号を
識別するために、配線12を切断しておき、パッド13,1
3′の間の電気抵抗を測定することにより、切断の有無
を判断し、切断されていない状態を“1",切断されてい
る状態を“0"として、2進数でマークの状態を識別し、
第1図(b)の場合と同様に検査パターンを識別した2
進数の番号に対応するものを記憶部10から読み出し、検
査部11で検査を実施する。
FIG. 2 is a plan view for explaining the first embodiment of the present invention, showing another mark different from the mark 4 in FIG. 1 (b). In the figure, the conductor material (aluminum, etc.)
The segment made of two square pads 13,1
It is composed of 3'and the wiring 12 connecting between them. To identify the code number, disconnect the wiring 12 and use the pads 13,1
The presence or absence of disconnection is determined by measuring the electrical resistance between 3 ', and the unmarked state is "1", the disconnected state is "0", and the mark state is identified by a binary number. ,
The inspection pattern was identified in the same manner as in the case of FIG.
The number corresponding to the base number is read from the storage unit 10, and the inspection unit 11 performs the inspection.

第3図は本発明の第2の実施例を説明するための断面図
であり、第1図(b)のマーク4の更に別のマークを示
している。同図において、半導体ウェハ基板14と反対導
電型の不純物層15を選択的に形成し、不純物層15の表面
に電極16を設け、また不純物のないチップ表面に電極17
を設ける。今基板14がN型、不純物領域15がP型である
場合には、基板14を正電位、電極16,17を負電位にする
と、基板14と不純物層が作るダイオードの所ではPN接合
に逆方向電圧が印加されることにより、電極16と基板14
との間には電流はほとんど流れない。不純物層が形成さ
れていない電極17と基板14の間には電流が流れる。この
ことを利用して、流れない状態を“1"、流れる状態を
“0"として、2進数でマークの状態を識別し、第1図
b)と同様に検査パターンを識別した2進数の番号に対
応ものを記憶部10から検査部11に読み出し、検査部11で
検査を実施する。
FIG. 3 is a sectional view for explaining the second embodiment of the present invention, and shows another mark of the mark 4 in FIG. 1 (b). In the figure, an impurity layer 15 having a conductivity type opposite to that of the semiconductor wafer substrate 14 is selectively formed, an electrode 16 is provided on the surface of the impurity layer 15, and an electrode 17 is provided on the chip surface without impurities.
To provide. If the substrate 14 is N-type and the impurity region 15 is P-type, if the substrate 14 is set to a positive potential and the electrodes 16 and 17 are set to a negative potential, the diode formed by the substrate 14 and the impurity layer reverses the PN junction. By applying a directional voltage, the electrode 16 and the substrate 14
Little current flows between and. A current flows between the electrode 17 where the impurity layer is not formed and the substrate 14. Utilizing this fact, the state of no flow is "1", the state of flow is "0", the state of the mark is identified by a binary number, and the binary number that identifies the inspection pattern in the same manner as in Fig. 1 b). The corresponding one is read from the storage unit 10 to the inspection unit 11, and the inspection unit 11 performs the inspection.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェハの
異なる論理機能をもった2種類以上のゲート・アレイに
おいて、論理機能に対応したコード番号のマークを電気
的に識別することにより、目視による識別の必要がなく
なり、識別の為の工数を削減することができるととも
に、人による間違いを無くすことができる等の効果が得
られる。
As described above, according to the present invention, in two or more types of gate arrays having different logic functions of a semiconductor wafer, the mark of the code number corresponding to the logic function is electrically identified to visually check. The need for identification is eliminated, the number of man-hours for identification can be reduced, and errors such as human error can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図(a)は本発明の実施例の半導体装置の検査方法
において使用する半導体ウェハ上のゲート・アレイの配
列を説明する平面図、第1図(b)は本発明の関連技術
の半導体装置の検査方法を示すブロック図、第2図は本
発明の第1の実施例を説明するための平面図、第3図は
本発明の第2の実施例を説明するための断面図である。 尚図において、1……半導体ウェハ、2,3……ゲート・
アレイ、4……マーク、5a,5b,5c,5d……セグメント、
6……光源、7……入射光、7′……反射光、8……受
光部、9……識別部、10……記憶部、11……検査部、12
……配線、13,13′……電極パッド、14……半導体ウェ
ハ基板、15……不純物拡散層、16,17……電極。
FIG. 1 (a) is a plan view illustrating the arrangement of gate arrays on a semiconductor wafer used in the semiconductor device inspection method of the embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is a semiconductor of the related art of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing an inspection method of the apparatus, FIG. 2 is a plan view for explaining the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view for explaining the second embodiment of the present invention. . In the figure, 1 ... semiconductor wafer, 2, 3 ... gate
Array, 4 ... mark, 5a, 5b, 5c, 5d ... segment,
6 ... Light source, 7 ... Incident light, 7 '... Reflected light, 8 ... Light receiving part, 9 ... Identification part, 10 ... Storage part, 11 ... Inspection part, 12
...... Wiring, 13, 13 '…… Electrode pad, 14 …… Semiconductor wafer substrate, 15 …… Impurity diffusion layer, 16, 17 …… Electrode.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体ウェハ上の異なる論理機能を有する
2種類以上の論理半導体ペレットを検査する半導体装置
の検査方法において、前記論理機能に応答して決定する
コード番号を表示するマークを、前記半導体ペレットの
表面に形成し、前記マークを形成する導体材料の電気抵
抗を前記論理半導体ペレットが前記半導体ウェハ上に形
成された状態で測定することにより、前記マークを識別
し、複数の検査パターンのうち前記マークに対応した検
査パターンを選択して検査を行うことを特徴とする半導
体装置の検査方法。
1. A method of inspecting a semiconductor device for inspecting two or more kinds of logic semiconductor pellets having different logic functions on a semiconductor wafer, wherein a mark for displaying a code number determined in response to the logic function is provided on the semiconductor. Formed on the surface of the pellet, by measuring the electrical resistance of the conductive material forming the mark in a state where the logic semiconductor pellet is formed on the semiconductor wafer, the mark is identified, and among the plurality of inspection patterns A method for inspecting a semiconductor device, comprising inspecting by selecting an inspection pattern corresponding to the mark.
【請求項2】半導体ウェハ上の異なる論理機能を有する
2種類以上の論理半導体ペレットを検査する半導体装置
の検査方法において、前記半導体ウェハと反対の導電型
の不純物層を選択的に形成し、前記不純物層の表面に第
1の電極を形成し、前記不純物層を形成していない表面
に第2の電極を形成して、前記論理機能に対応して決定
するコード番号を表示するマークとし、前記第1、第2
の電極と前記半導体ウェハとの間の電気抵抗を前記論理
半導体ペレットが前記半導体ウェハ上に形成された状態
で測定することにより、前記マークを識別し、複数のパ
ターンのうち前記マークに対応した検査パターンを選択
して検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方
法。
2. A method of inspecting a semiconductor device for inspecting two or more kinds of logic semiconductor pellets having different logic functions on a semiconductor wafer, wherein an impurity layer having a conductivity type opposite to that of the semiconductor wafer is selectively formed, and A first electrode is formed on the surface of the impurity layer, and a second electrode is formed on the surface on which the impurity layer is not formed to form a mark for displaying a code number determined corresponding to the logic function. First, second
The electrical resistance between the electrode and the semiconductor wafer in a state where the logic semiconductor pellet is formed on the semiconductor wafer, thereby identifying the mark and inspecting a plurality of patterns corresponding to the mark. A method for inspecting a semiconductor device, which comprises inspecting by selecting a pattern.
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JPS61256647A JPS61256647A (en) 1986-11-14
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