JPH07146667A - Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device - Google Patents

Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device

Info

Publication number
JPH07146667A
JPH07146667A JP5293299A JP29329993A JPH07146667A JP H07146667 A JPH07146667 A JP H07146667A JP 5293299 A JP5293299 A JP 5293299A JP 29329993 A JP29329993 A JP 29329993A JP H07146667 A JPH07146667 A JP H07146667A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
display device
switching element
diode
scan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5293299A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Ogawa
弘昭 小川
Takashi Komatsu
隆史 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP5293299A priority Critical patent/JPH07146667A/en
Publication of JPH07146667A publication Critical patent/JPH07146667A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a method capable of making a shift from the scanning potential of a scanning signal to a biasing potential more rapid than a conventional method. CONSTITUTION:At the time of driving successively lines of a gas discharging display device provided with plural scanning electrodes 43, plural data electrodes 41. switching elements QK1 to QKN provided at every electrode between scanning electrodes and a part M to be a scanning potential, a scanning electrode biasing power source EK and a current limitting resistor RK provided between the scanning electrode biasing power source EK and each scanning electrode, both ends of the current limitting resistor are short-circuited in all period or one period of a time between a time when the switching element for a selected scanning electrode is turned off and a time when the switching element for the scanning electrode of the next stage of the selected scanning electrode is turned on.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、ガス放電表示装置の
駆動方法及びガス放電表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas discharge display device driving method and a gas discharge display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のガス放電表示装置の一例として例
えば文献I(テレビジョン学会誌Vol.40,No.
10(1986)に開示のものがあった。図7(A)及
び(B)は、このガス放電表示装置の説明に供する図で
あり、特に放電部10の周辺を概略的に示した断面図で
ある。ここで(A)図はガス放電表示装置をそれに備わ
る走査電極11の長手方向に沿って切った断面図、
(B)図は陽極13の長手方向に沿って切って示した断
面図である。また、図8は放電部10とこれを駆動する
ための典型的な駆動回路部20とを併せて示した構成図
である。なお、図8では、ガス放電表示装置の、1本の
走査電極と1本のデータ電極とで構成される部分のみ示
してある。
2. Description of the Related Art As an example of a conventional gas discharge display device, for example, Document I (Television Society, Vol. 40, No.
10 (1986). 7 (A) and 7 (B) are views for explaining the gas discharge display device, and are cross-sectional views schematically showing the periphery of the discharge part 10 in particular. Here, FIG. 1A is a sectional view of the gas discharge display device taken along the longitudinal direction of the scan electrode 11 provided therein,
(B) is a sectional view cut along the longitudinal direction of the anode 13. Further, FIG. 8 is a configuration diagram showing the discharge unit 10 and a typical drive circuit unit 20 for driving the discharge unit 10 together. It should be noted that FIG. 8 shows only a portion of the gas discharge display device which is composed of one scan electrode and one data electrode.

【0003】この文献Iに開示のガス放電表示装置の放
電部10は、複数の走査電極(一般に陰極)11が並行
に配置されている第1の基板12と、複数のデータ電極
(陽極)13が並行に配置されている第2の基板14と
を所定間隙をもってかつ走査電極及びデータ電極が直交
するように対向させて貼り合わされ、さらに前記空隙に
放電用ガスが封入されたものである。ただし、両基板1
2、14間にセル隔壁15を所定の配置で設けることに
より放電セル16を規定してある。また、第2の基板1
4の陽極13周辺部分上に蛍光体17が設けられてい
る。
The discharge part 10 of the gas discharge display device disclosed in Document I has a first substrate 12 on which a plurality of scan electrodes (generally cathodes) 11 are arranged in parallel, and a plurality of data electrodes (anode) 13. And the second substrate 14 arranged in parallel with each other with a predetermined gap and facing each other so that the scanning electrode and the data electrode are orthogonal to each other, and the discharge gas is filled in the gap. However, both boards 1
Discharge cells 16 are defined by providing cell partitions 15 between 2 and 14 in a predetermined arrangement. In addition, the second substrate 1
The phosphor 17 is provided on the peripheral portion of the fourth anode 13.

【0004】また駆動回路部20は次のように構成され
ていた。走査電極11側では、各走査電極11を走査時
に走査電位とするためのスイッチング素子QKN(QK1
KN)を具えている。さらに、非走査時に走査電極11
の電位を上昇させるために、走査電極毎に走査電極と走
査電位とされている部分との間に前記スイッチング素子
KN(QK1〜QKN)に対し直列関係となるよう設けられ
た電流制限抵抗RKN(RK1〜RKN)及び走査電極バイア
ス電源EK から成る直列回路部21を具えている。一
方、データ電極13側では、電流制限抵抗RA と、スイ
ッチング素子QAと放電用電源EP とから成る直列回路
部22を具えている。
The drive circuit section 20 has the following structure. On the scan electrode 11 side, switching elements Q KN (Q K1 to Q K1 ~
Q KN ). Further, the scan electrode 11 is used when not scanning.
In order to increase the electric potential of the switching element Q KN (Q K1 to Q KN ), a current limit is provided between the scanning electrode and the portion set to the scanning potential for each scanning electrode. The series circuit section 21 is composed of resistors R KN (R K1 to R KN ) and a scan electrode bias power supply E K. On the other hand, the data electrode 13 side is provided with a current limiting resistor R A , a series circuit unit 22 including a switching element Q A and a discharging power supply E P.

【0005】次に、上記ガス放電表示装置の駆動方法に
ついて説明する。図9はその説明に供するタイムチャー
トである。なお、この図9は、ガス放電表示装置中のあ
るデータ電極Aと4本の走査電極C1〜C4で構成され
る部分に関するタイムチャートのみ示してある。
Next, a method of driving the gas discharge display device will be described. FIG. 9 is a time chart used for the explanation. It should be noted that FIG. 9 shows only a time chart regarding a portion formed by a certain data electrode A and four scan electrodes C1 to C4 in the gas discharge display device.

【0006】走査電極側のスイッチング素子QK1〜QKN
を順次に一定時間オンすると、走査電極C1〜C4の電
位はそれぞれ理想的には走査時間だけバイアス電圧EK
から走査電位に変化する。一方、データ電極側のスイッ
チング素子QA がオンすると放電用電源EP の電圧がス
イッチング素子QA 及び電流制限抵抗RA を通してデー
タ電極13に印加される。そのため、データ電極13の
電位は図9中のAに示した電圧上昇時間TARのように、
次第に上昇する。データ電極の電位が上昇したタイミン
グのときに接地電位となっている走査電極と該データ電
極との交点の放電セルでは両電極間の電位差が放電開始
電圧を超えるので放電電流が流れるため発光する。走査
電極を線順次に走査するタイミングに合わせデータ電極
のスイッチング素子を表示データに従いオン・オフする
ことにより表示画像が生成される。
Switching elements Q K1 to Q KN on the scanning electrode side
Are sequentially turned on for a fixed time, the potentials of the scan electrodes C1 to C4 are ideally bias voltage E K for the scan time.
Changes to the scanning potential. On the other hand, when the switching element Q A on the data electrode side is turned on, the voltage of the discharge power supply E P is applied to the data electrode 13 through the switching element Q A and the current limiting resistor R A. Therefore, the potential of the data electrode 13 is, like the voltage rise time T AR shown in A in FIG. 9,
Gradually rises. In the discharge cell at the intersection of the scan electrode and the data electrode, which is at the ground potential when the potential of the data electrode rises, the potential difference between the two electrodes exceeds the discharge start voltage, so that discharge current flows and light is emitted. A display image is generated by turning on / off the switching elements of the data electrodes according to the display data at the timing of scanning the scan electrodes line-sequentially.

【0007】また、例えば文献II(信学技報EID92
−87(1993−01),pp.13−18)には、
ガス放電表示装置の駆動回路部をハイブリッドIC化し
た試み、特にいわゆるパルスメモリ駆動方式でガス放電
表示装置を駆動する場合の駆動回路部をハイブリッド化
した例が開示されている。図10はその説明に供する図
である。
In addition, for example, Document II (Science Technical Report EID92
-87 (1993-3), pp. 13-18),
An attempt has been made to make the drive circuit unit of the gas discharge display device a hybrid IC, and in particular, an example in which the drive circuit unit is hybridized when the gas discharge display device is driven by a so-called pulse memory drive system. FIG. 10 is a diagram provided for the explanation.

【0008】このガス放電表示装置の駆動回路部30で
は、データ電極31に少なくとも第1のスイッチング素
子32を介して接続され該第1のスイッチング素子32
がオン状態時に該データ電極の電位を上昇させるための
バイアス電源33と、該データ電極31と基準電位(非
発光状態を得るためのデータ電極側の予め定められた電
位)とされている部分との間に設けられ該データ電極3
1の電位を所定時に基準電位とするための第2のスイッ
チング素子34とを具える。ただし図10の例の場合
は、バイアス電源33はパルスメモリ方式におけるいわ
ゆる放電維持パルス電源VSP(図中331 で示す。)
と、データ電極の電位が放電維持電圧VSPに直接昇圧さ
れることを防ぎ中間電位を経るようにするための電源
V’SP(図中332 で示す。)とした例である。したが
って、第1のスイッチング素子32も321 及び322
の2系統となっている。なお、図10において、T1
8 はそれぞれ端子、VW は放電を生じさせるための書
き込み電源、HDA1は書き込み電圧をデータ電極に供
給するためのハイブリッドIC、HDA2は書き込みデ
ータのないときの書き込み期間中にデータ電極の電位を
GNDレベル(基準電位)に落とすためのハイブリッド
ICである。
In the drive circuit section 30 of this gas discharge display device, the first switching element 32 is connected to the data electrode 31 through at least the first switching element 32.
A bias power supply 33 for increasing the potential of the data electrode when the switch is in an on state, and the data electrode 31 and a reference potential (a predetermined potential on the data electrode side for obtaining a non-light emitting state). Provided between the data electrodes 3
And a second switching element 34 for setting the potential of 1 as a reference potential at a predetermined time. However, in the case of the example in FIG. 10, the bias power supply 33 is a so-called sustaining pulse power supply V SP in the pulse memory system (indicated by 33 1 in the drawing).
When an example of the potential of the data electrodes is a power supply V 'SP to so undergo an intermediate potential prevents be boosted directly discharge sustain voltage V SP (. Shown in the drawing 33 2). Therefore, the first switching element 32 also includes 32 1 and 32 2.
There are two systems. Incidentally, in FIG. 10, T 1 ~
T 8 is a terminal, V W is a write power supply for generating discharge, HDA 1 is a hybrid IC for supplying a write voltage to the data electrode, and HDA 2 is a potential of the data electrode during the write period when there is no write data. It is a hybrid IC for dropping to the GND level (reference potential).

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7〜
図9を用いて説明したガス放電表示装置の従来の駆動方
法では、データ電極側のスイッチング素子QA をオンす
る時間を同じとしたとしても放電電流の流れる時間にば
らつきが生じる場合があり、このため輝度が不均一にな
る場合があった。その理由は、ある走査電極に走査パル
スを印加した後該走査電極の選択時間が経過したときは
この走査電極の電位は速やかにバイアス電源VK の電位
に立ち上がらなければならないところ従来回路では電流
制限抵抗RK1〜RKNがあるためそれに起因する時定数分
立ち上がりが遅くなるためである。これについて、図9
を参照してより具体的に説明する。図9の例において、
陽極Aと陰極C2との交点の放電セルが選択発光された
後において陰極C2の電位がだらだらと上昇している
(図9中のTKOFFの区間参照)。ここで、次段の走査タ
イミングにおいて陽極Aと陰極C3との交点の放電セル
に対応する表示データが非発光を指示する表示データで
あるなら問題は生じないが発光を指示する表示データで
あると、スイッチング素子QA がオンとされ陽極Aには
陽極Aと陰極C3との交点の放電セルのための書き込み
電圧が供給され陽極Aの電位は上昇してくる。そして、
図9中のTKOFF時間において本来非発光状態となるべき
陽極Aと陰極C2との交点の放電セルの放電を維持して
しまうのである。このような現象は低輝度な表示を行な
う場合に特に階調ムラ等の原因になる。
However, as shown in FIG.
In the conventional driving method of the gas discharge display device described with reference to FIG. 9, even if the switching elements Q A on the data electrode side are turned on at the same time, there may be variations in the time during which the discharge current flows. Therefore, the brightness may not be uniform. The reason is that the potential of this scan electrode must rise promptly to the potential of the bias power supply V K when the selection time of the scan electrode has elapsed after applying the scan pulse to a certain scan electrode. This is because the resistances R K1 to R KN delay the rise of the time constant due to the resistances R K1 to R KN . About this,
Will be described more specifically with reference to. In the example of FIG.
After the discharge cell at the intersection of the anode A and the cathode C2 is selectively emitted, the potential of the cathode C2 gradually rises (see the section T KOFF in FIG. 9). Here, if the display data corresponding to the discharge cell at the intersection of the anode A and the cathode C3 at the next scanning timing is display data instructing non-light emission, no problem will occur, but it is display data instructing light emission. The switching element Q A is turned on, the write voltage for the discharge cell at the intersection of the anode A and the cathode C3 is supplied to the anode A, and the potential of the anode A rises. And
During the T KOFF time in FIG. 9, the discharge of the discharge cell at the intersection of the anode A and the cathode C2, which should be in the non-luminous state, is maintained. Such a phenomenon becomes a cause of gradation unevenness particularly when low-luminance display is performed.

【0010】また、図10を用いて説明した駆動回路で
は、スイッチング素子32や33があるとはいうもの
の、データ電極の電位を昇圧させるための系(データ電
極電位をVSPやV’PSの電位とする系)と、データ電極
の電位を基準電位とするための系とはデータ電極31を
介し(正確にはデータ電極31と接続されている配線部
分31aを介し)接続されている。したがって、外来ノ
イズによってスイッチング素子32や33が誤動作した
場合などの種々の原因により、電源33と基準電位とさ
れている部分(図示例ではT3 端子)とが短絡してしま
う危険があり、駆動回路が破損される危険があった。
In the drive circuit described with reference to FIG. 10, although the switching elements 32 and 33 are provided, a system for boosting the potential of the data electrode (data electrode potential of V SP or V'PS is set). The system for setting the potential) and the system for setting the potential of the data electrode as the reference potential are connected via the data electrode 31 (to be precise, via the wiring portion 31a connected to the data electrode 31). Therefore, there is a risk that the power supply 33 and the portion that is at the reference potential (T 3 terminal in the illustrated example) may be short-circuited due to various causes such as malfunction of the switching elements 32 and 33 due to external noise. There was a risk of circuit damage.

【0011】また、図7を用いて説明したガス放電表示
装置は放電により生じた紫外線が蛍光体17を励起する
ことで可視光を生じるものであるため、その輝度は蛍光
体の塗布面積に比例する。しかし、この従来のガス放電
表示装置では蛍光体は第2の基板14の放電セル16と
対応する部分上のみに形成されていたため蛍光体面積を
拡大するにも限界があり、したがって輝度を向上させる
にもおのずと限界があった。
Further, since the gas discharge display device described with reference to FIG. 7 produces visible light by exciting the phosphor 17 with ultraviolet rays generated by the discharge, its brightness is proportional to the coating area of the phosphor. To do. However, in this conventional gas discharge display device, since the phosphor is formed only on the portion corresponding to the discharge cell 16 of the second substrate 14, there is a limit to the enlargement of the phosphor area, thus improving the brightness. Naturally, there was a limit.

【0012】この出願はこのような点に鑑みなされたも
のであり従ってこの出願の第一発明の目的は、走査信号
の走査電位からバイアス電位への変移を従来より急峻に
できる方法を提供することにある。また、この出願の第
二発明の目的は第一発明の実施に好適な駆動回路部を有
したガス放電表示装置を提供することにある。また、こ
の出願の第三発明の目的は放電電極に接続される放電に
供するバイアス電源と放電の停止に供する基準電位点と
が短絡することを防止できるガス放電表示装置を提供す
ることにある。また、この出願の第四発明の目的は従来
に比べ輝度の向上が図れるガス放電表示装置を提供する
ことにある。
This application has been made in view of the above circumstances. Therefore, an object of the first invention of this application is to provide a method capable of making a transition of a scanning signal from a scanning potential to a bias potential steeper than in the past. It is in. Another object of the second invention of this application is to provide a gas discharge display device having a drive circuit unit suitable for carrying out the first invention. Another object of the third invention of this application is to provide a gas discharge display device capable of preventing a short circuit between a bias power supply connected to discharge electrodes for discharging and a reference potential point for stopping discharging. Another object of the fourth invention of this application is to provide a gas discharge display device capable of improving the brightness as compared with the conventional one.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】第一発明の目的の達成を
図るため、この出願の第一発明によれば、複数の走査電
極と、複数のデータ電極と、走査電極毎に走査電極と走
査電位とされている部分との間に設けられたスイッチン
グ素子と、走査電極バイアス電源と、該走査電極バイア
ス電源及び各走査電極間に設けられた電流制限抵抗とを
具えるガス放電表示装置を線順次に駆動するに当たり、
選択されている走査電極用のスイッチング素子をオフす
るときと、該選択された走査電極の次段の走査電極用の
スイッチング素子をオンするときとの間の全部または一
部の期間において、電流制限抵抗の両端を短絡すること
を特徴とする。
In order to achieve the object of the first invention, according to the first invention of this application, a plurality of scan electrodes, a plurality of data electrodes, and a scan electrode and a scan for each scan electrode. A line is a gas discharge display device including a switching element provided between a portion having a potential and a scan electrode bias power source, and a current limiting resistor provided between the scan electrode bias power source and each scan electrode. When driving in sequence,
The current limiting is performed during all or part of the period between when the switching element for the selected scan electrode is turned off and when the switching element for the scan electrode in the next stage of the selected scan electrode is turned on. It is characterized in that both ends of the resistor are short-circuited.

【0014】また、第二発明の目的の達成を図るため、
この出願の第二発明によれば、複数の走査電極と、複数
のデータ電極と、走査電極毎に走査電極と走査電位とさ
れている部分との間に設けられたスイッチング素子と、
走査電極バイアス電源と、該走査電極バイアス電源及び
各走査電極間に設けられた電流制限抵抗と、前記電流制
限抵抗に並列に設けられ所定の期間において前記電流制
限抵抗の両端を短絡するための短絡用回路部とを具えた
ことを特徴とする。
In order to achieve the object of the second invention,
According to the second invention of this application, a plurality of scanning electrodes, a plurality of data electrodes, and a switching element provided between each of the scanning electrodes and the portion set to the scanning potential,
A scan electrode bias power source, a current limiting resistor provided between the scan electrode bias power source and each scan electrode, and a short circuit for short-circuiting both ends of the current limiting resistor provided in parallel with the current limiting resistor for a predetermined period. And a circuit section for use.

【0015】この第二発明の実施に当たり、走査電極毎
に設けられる前記電流制限抵抗の代わりに、走査電極毎
に走査電極とスイッチング素子との接続点にカソード側
が接続されるようにダイオードをそれぞれ設け、これら
ダイオードのアノードを共通接続し、該アノードの共通
接続点と走査電位とされている部分との間に電流制限抵
抗及び走査電極バイアス電源から成る直列回路部を設
け、該電流制限抵抗に並列に前記短絡用回路部を設ける
ように構成するのが好適である。
In implementing the second aspect of the invention, instead of the current limiting resistor provided for each scan electrode, a diode is provided for each scan electrode so that the cathode side is connected to the connection point between the scan electrode and the switching element. , Connecting the anodes of these diodes in common, and providing a series circuit section consisting of a current limiting resistor and a scan electrode bias power supply between the common connection point of the anodes and the portion set to the scanning potential, and connecting in parallel to the current limiting resistor. It is preferable that the short-circuiting circuit section is provided in.

【0016】またさらにこの第二発明の実施に当たり、
前記短絡用回路部を、第1のダイオード、第2のダイオ
ード、PNPトランジスタ、NPNトランジスタ及びコ
ンデンサを具えた回路であって下記(a)〜(e)の接
続関係を有した回路で構成するのが好適である。
Furthermore, in carrying out the second invention,
The short-circuiting circuit portion is a circuit including a first diode, a second diode, a PNP transistor, an NPN transistor, and a capacitor, and has the following connection relationships (a) to (e). Is preferred.

【0017】(a)前記第1のダイオードのアノード
と、前記PNPトランジスタのベースと、前記NPNト
ランジスタのコレクタとを、前記電流制限抵抗の、前記
走査電極バイアス電源側の端子に、接続してある。
(A) The anode of the first diode, the base of the PNP transistor, and the collector of the NPN transistor are connected to the terminal of the current limiting resistor on the scan electrode bias power supply side. .

【0018】(b)前記NPNトランジスタのエミッタ
と、前記コンデンサの一方の端子とを、前記電流制限抵
抗の、前記走査電極側の端子に、接続してある。
(B) The emitter of the NPN transistor and one terminal of the capacitor are connected to the scanning electrode side terminal of the current limiting resistor.

【0019】(c)前記NPNトランジスタのベースと
前記PNPトランジスタのコレクタとを接続してある。
(C) The base of the NPN transistor and the collector of the PNP transistor are connected.

【0020】(d)前記第1のダイオードのカソードに
前記第2のダイオードのアノードと前記コンデンサの他
方の端子とを接続してある。
(D) The cathode of the first diode is connected to the anode of the second diode and the other terminal of the capacitor.

【0021】(e)前記第2のダイオードのカソードと
前記PNPトランジスタのエミッタとを接続してある。
(E) The cathode of the second diode and the emitter of the PNP transistor are connected.

【0022】また、第三発明の目的の達成を図るため、
この出願の第三発明によれば、走査電極及びデータ電極
を具え、さらに、少なくとも一方の電極については該電
極に、第1のスイッチング素子と、該第1のスイッチン
グ素子を介して接続されたバイアス電源であって該スイ
ッチング素子がオン状態時に該一方の電極と他方の電極
との電位差が拡大するような電圧とされているバイアス
電源とを接続してあり、かつ、該一方の電極と基準電位
とされている部分との間に設けられ該一方の電極の電位
を所定時に前記基準電位とするための第2のスイッチン
グ素子を具えるガス放電表示装置において、第1のスイ
ッチング素子の電極側端子、第2のスイッチング素子の
電極側端子及び電極間に設けられ、バイアス電源と基準
電位との短絡を阻止するための短絡阻止回路を具えたこ
とを特徴とする。
In order to achieve the object of the third invention,
According to the third invention of this application, a scan electrode and a data electrode are provided, and further, at least one of the electrodes is connected to the first switching element and a bias connected through the first switching element. The power supply is connected to a bias power supply having a voltage that increases the potential difference between the one electrode and the other electrode when the switching element is in the ON state, and the one electrode is connected to the reference potential. In a gas discharge display device including a second switching element that is provided between the first switching element and a portion that is provided between the first switching element and the second switching element for setting the potential of the one electrode to the reference potential at a predetermined time. And a short circuit prevention circuit provided between the electrode side terminal and the electrode of the second switching element and for preventing a short circuit between the bias power supply and the reference potential.

【0023】この第三発明の実施に当たり、前記短絡阻
止回路をダイオード(ツエナーダイオードでも良
い。)、PNPトランジスタ及び抵抗を具えた回路であ
って、下記(i) 〜(vi)の接続関係を有した回路で構成す
るのが好適である。
In implementing the third invention, the short-circuit prevention circuit is a circuit including a diode (a Zener diode may be used), a PNP transistor and a resistor, and has the following connection relationships (i) to (vi). It is preferable that the circuit is composed of the above circuit.

【0024】(i) 前記ダイオードのアノードと前記抵抗
の一方端と前記PNPトランジスタのベースとを接続し
てある。
(I) The anode of the diode, one end of the resistor and the base of the PNP transistor are connected.

【0025】(ii)前記ダイオードのカソードと前記PN
Pトランジスタのエミッタとを接続してある。
(Ii) The cathode of the diode and the PN
It is connected to the emitter of the P-transistor.

【0026】(iii) 前記抵抗の他方端と前記PNPトラ
ンジスタのコレクタとを接続してある。
(Iii) The other end of the resistor is connected to the collector of the PNP transistor.

【0027】(iv)前記ダイオードのアノードと前記抵抗
の一方端と前記PNPトランジスタのベースとの接続点
は前記第1のスイッチング素子に直接又は間接的に接続
される。
(Iv) A connection point between the anode of the diode, one end of the resistor and the base of the PNP transistor is directly or indirectly connected to the first switching element.

【0028】(v) 前記抵抗の他方端と前記PNPトラン
ジスタのコレクタとの接続点は前記第2のスイッチング
素子に直接又は間接的に接続される。
(V) The connection point between the other end of the resistor and the collector of the PNP transistor is directly or indirectly connected to the second switching element.

【0029】(vi)前記ダイオードのカソードと前記PN
Pトランジスタのエミッタとの接続点は前記データ電極
に接続される。
(Vi) The cathode of the diode and the PN
The connection point with the emitter of the P-transistor is connected to the data electrode.

【0030】なおこの第三発明の好適例の構成において
ダイオードを抵抗に置き換えても良い。
The diode may be replaced with a resistor in the configuration of the preferred embodiment of the third invention.

【0031】また、第四発明の目的の達成を図るため、
この出願の第四発明によれば、放電用の一方の電極を有
する第1の基板と、該第1の基板に対向するように配置
され放電用の第2の電極を有する第2の基板と、これら
第1及び第2の基板並びにこれら基板間に設けられたセ
ル隔壁によって空間が規定されている多数の放電セル
と、各放電セルに設けられた蛍光体とを具えるガス放電
表示装置において、セル隔壁の壁面の一部に放電用の一
方の電極又は他方の電極に接続されている電極(隔壁部
電極)を設けてあり、蛍光体を、各放電セルの第1の基
板部分上または第2の基板部分上と、セル隔壁の壁面で
あって前記隔壁部電極を設けた部分以外の面の全部又は
一部上とにそれぞれ設けてあることを特徴とする。な
お、この第四発明の実施に当たり、セル隔壁の壁面のう
ちの互いに対向する壁面の一方に隔壁電極部を設け、蛍
光体は少なくとも他方の壁面に設ける(残りの面に設け
ても勿論良い。)のが好適である。
In order to achieve the object of the fourth invention,
According to the fourth invention of this application, a first substrate having one electrode for discharging, and a second substrate having a second electrode for discharging arranged to face the first substrate. In a gas discharge display device comprising a plurality of discharge cells whose space is defined by the first and second substrates and cell partition walls provided between these substrates, and a phosphor provided in each discharge cell. An electrode (partition wall electrode) connected to one electrode or the other electrode for discharge is provided on a part of the wall surface of the cell partition wall, and the phosphor is provided on the first substrate portion of each discharge cell or It is characterized in that it is provided on the second substrate portion and on all or part of the wall surface of the cell partition wall other than the portion where the partition wall electrode is provided. In implementing the fourth invention, one of the wall surfaces of the cell partition wall facing each other is provided with the partition electrode portion, and the phosphor is provided on at least the other wall surface (of course, it may be provided on the remaining surface. ) Is preferred.

【0032】[0032]

【作用】第一発明の構成によれば、ある走査電極に対す
る走査信号がオフされたときから走査電極が走査される
までの間の任意の期間において電流制限抵抗が短絡され
る。電流制限抵抗が短絡されると、その分、走査電極バ
イアス電源から走査電極までの系での信号伝達の時定数
は小さくなるので走査電極の電位はその分速やかにバイ
アス電位に立ち上がる。
According to the structure of the first invention, the current limiting resistor is short-circuited in an arbitrary period from when the scanning signal for a certain scanning electrode is turned off to when the scanning electrode is scanned. When the current limiting resistor is short-circuited, the time constant of signal transmission in the system from the scan electrode bias power source to the scan electrode is correspondingly reduced, so that the potential of the scan electrode rises to the bias potential promptly.

【0033】また、第二発明の構成によれば、第一発明
の実施を容易にする。なお、この第一発明及び第二発明
では、例えば、図8に示した従来回路のRK1〜RKNそれ
ぞれを必要時に短絡することとしても勿論良い。しか
し、第二発明の好適例では、ダイオード群を設けること
により、非選択走査電極の電位が選択走査電極の電位変
動に影響されないようにし、これにより、電流制限抵抗
及び短絡用回路部を全走査電極で共用する。また短絡用
回路部を、第1のダイオード、第2のダイオード、PN
Pトランジスタ、NPNトランジスタ及びコンデンサを
具えた回路であって上記(a)〜(e)の接続関係を有
した回路とする構成では、詳細は実施例の項にて説明す
るが、電流制限抵抗の短絡及び非短絡の切り換えを回路
自体が自動的におこなうので、同期回路を特別に用意す
る必要がない。
According to the structure of the second invention, the first invention can be easily implemented. In the first and second inventions, of course, each of R K1 to R KN of the conventional circuit shown in FIG. 8 may be short-circuited when necessary. However, in the preferred embodiment of the second invention, the diode group is provided so that the potential of the non-selected scan electrode is not affected by the potential variation of the selected scan electrode, whereby the current limiting resistor and the short circuit circuit are fully scanned. It is shared by the electrodes. In addition, the short-circuit circuit section is connected to the first diode, the second diode, the PN
In the case of a circuit including a P-transistor, an NPN transistor, and a capacitor, which has the connection relationships (a) to (e) described above, details of the current-limiting resistor will be described in the embodiment section. Since the circuit itself automatically switches between short circuit and non-short circuit, it is not necessary to prepare a special synchronous circuit.

【0034】また第三発明の構成によれば、電源と基準
電位とが短絡することが防止される。
Further, according to the structure of the third invention, it is possible to prevent the power supply and the reference potential from being short-circuited.

【0035】また、第四発明の構成によれば、蛍光体を
基板面上のみならずセル隔壁の壁面にも設けたのでその
分蛍光体面積が拡大される。また、放電用電極をセル隔
壁の壁面に設けたのでセル隔壁の壁面に設けた蛍光体に
対し紫外線を効率よく照射できる。
Further, according to the structure of the fourth aspect of the invention, since the phosphor is provided not only on the substrate surface but also on the wall surface of the cell partition wall, the phosphor area can be expanded accordingly. In addition, since the discharge electrode is provided on the wall surface of the cell partition wall, the phosphor provided on the wall surface of the cell partition wall can be efficiently irradiated with ultraviolet rays.

【0036】[0036]

【実施例】以下、図面を参照してこの出願の各発明の実
施例についてそれぞれ説明する。なお、以下の説明にお
いて用いる各図はこれら発明を理解出来る程度に各構成
成分の寸法、形状、及び配置関係を概略的に示してある
にすぎない。また、説明に用いる各図において同様な構
成成分については同一の番号を付して示し重複説明を省
略する。
Embodiments of the invention of this application will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings used in the following description merely schematically show the dimensions, shapes, and positional relationships of the respective constituent components to the extent that these inventions can be understood. Further, in each of the drawings used for the description, the same components are denoted by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.

【0037】1.第一発明及び第二発明の実施例の説明 図1及び図2は第一発明及び第二発明の実施例の説明に
供する図である。特に図1は、第一発明の駆動方法の実
施に好適な駆動回路を有するガス放電表示装置40(す
なわち第二発明の実施例のガス放電表示装置40)の構
成を示した図、図2は第二発明に係る短絡用回路部51
の好適例を示した回路図である。
1. Description of Embodiments of First Invention and Second Invention FIGS. 1 and 2 are diagrams for explaining embodiments of the first invention and the second invention. In particular, FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a gas discharge display device 40 (that is, a gas discharge display device 40 of an embodiment of the second invention) having a drive circuit suitable for carrying out the driving method of the first invention, and FIG. Circuit part 51 for short circuit according to the second invention
3 is a circuit diagram showing a preferred example of FIG.

【0038】第一発明の実施に好適な駆動回路部を有し
た図1に示したガス放電表示装置40では、複数のデー
タ電極(ここでは陽極)41と複数の走査電極(ここで
は陰極)43との交点それぞれに放電セル45が構成さ
れ、これら放電セル群により放電部47が構成されてい
る。さらにこのガス放電表示装置40では、走査電極4
3毎に走査電極と走査電位とされている部分(この例で
は図1中Mで示したライン)との間にスイッチング素子
k1〜QKNを設けてある。さらにこのガス放電表示装置
40では、走査電極毎に走査電極とスイッチング素子と
の接続点にカソード側が接続されるようにダイオードD
K1〜DKNを設けてある。そして、これらダイオードDK1
〜DKNのアノードを共通接続してあり、さらに、該アノ
ードの共通接続点と走査電位とされている部分Mとの間
に電流制限抵抗RK 及び走査電極バイアス電源EK から
成る直列回路部49を設けてありさらに、、該電流制限
抵抗RK に並列に短絡用回路部51を設けてある。さら
に、このガス放電表示装置40では、各データ電極41
にデータ電極側電流制限抵抗RA 、データ電極側スイッ
チング素子QA 及び放電用電源EP が接続されている。
In the gas discharge display device 40 shown in FIG. 1 having a drive circuit section suitable for implementing the first invention, a plurality of data electrodes (here, anodes) 41 and a plurality of scan electrodes (here, cathodes) 43 are provided. A discharge cell 45 is formed at each of the intersections with and a discharge unit 47 is formed by these discharge cell groups. Further, in this gas discharge display device 40, the scanning electrode 4
Switching elements Q k1 to Q KN are provided between the scanning electrode and the portion (in this example, the line shown by M in FIG. 1) that is set to the scanning potential for each unit 3. Further, in this gas discharge display device 40, the diode D is connected so that the cathode side is connected to the connection point between the scan electrode and the switching element for each scan electrode.
K1 to D KN are provided. And these diodes D K1
To D KN anodes are connected in common, and further, a series circuit portion including a current limiting resistor R K and a scan electrode bias power supply E K between the common connection point of the anodes and a portion M set to the scan potential. 49 is provided, and further, a short circuit circuit portion 51 is provided in parallel with the current limiting resistor R K. Further, in this gas discharge display device 40, each data electrode 41
The data electrode side current limiting resistor R A , the data electrode side switching element Q A and the discharging power supply E P are connected to the.

【0039】ここで、走査電極側のスイッチング素子Q
K1〜QKNそれぞれは、この場合、NPNトランジスタで
構成してある。このスイッチング素子がオンするとそれ
に対応する走査電極電位は走査電位となるので、該走査
電極は選択状態となる。このスイッチング素子がオフす
ると走査電極電位はバイアス電源EK の電位に上昇す
る。
Here, the switching element Q on the scanning electrode side
In this case, each of K1 to Q KN is composed of an NPN transistor. When the switching element is turned on, the scanning electrode potential corresponding to the switching element becomes the scanning potential, so that the scanning electrode is in the selected state. When this switching element is turned off, the scan electrode potential rises to the potential of the bias power source E K.

【0040】また、短絡回路部51は、選択されている
走査電極用のスイッチング素子をオフするときと該選択
された走査電極の次段の走査電極用のスイッチング素子
をオンするときとの間の全部または一部の期間において
電流制限抵抗RK の両端を短絡するためのものである。
このような動作をしさえすれば短絡回路部51の構成は
特に限定されない。しかし、この実施例では、短絡回路
部51を、図2に示したように、第1のダイオード51
a、第2のダイオード51b、PNPトランジスタ51
c、NPNトランジスタ51d及びコンデンサ51eを
具えた回路であって下記(a)〜(e)の接続関係を有
した回路で構成してある。
The short circuit portion 51 is provided between when the switching element for the selected scan electrode is turned off and when the switching element for the scan electrode in the next stage of the selected scan electrode is turned on. This is for short-circuiting both ends of the current limiting resistor R K in all or part of the period.
The configuration of the short circuit portion 51 is not particularly limited as long as such an operation is performed. However, in this embodiment, as shown in FIG.
a, second diode 51b, PNP transistor 51
c, an NPN transistor 51d and a capacitor 51e, which are circuits having the following connection relationships (a) to (e).

【0041】(a)第1のダイオード51aのアノード
と、PNPトランジスタ51cのベースと、NPNトラ
ンジスタ51dのコレクタとを、電流制限抵抗RK の、
走査電極バイアス電源EK 側の端子に、接続してある。
(A) The anode of the first diode 51a, the base of the PNP transistor 51c, and the collector of the NPN transistor 51d are connected to the current limiting resistor R K ,
It is connected to a terminal on the scan electrode bias power supply E K side.

【0042】(b)NPNトランジスタ51dのエミッ
タと、コンデンサ51eの一方の端子とを、電流制限抵
抗RK の、走査電極43側の端子に、接続してある。
(B) The emitter of the NPN transistor 51d and one terminal of the capacitor 51e are connected to the terminal of the current limiting resistor R K on the scan electrode 43 side.

【0043】(c)NPNトランジスタ51dのベース
とPNPトランジスタ51cのコレクタとを接続してあ
る。
(C) The base of the NPN transistor 51d is connected to the collector of the PNP transistor 51c.

【0044】(d)第1のダイオード51aのカソード
に第2のダイオード51bのアノードとコンデンサ51
eの他方の端子とを接続してある。
(D) The cathode of the first diode 51a is connected to the anode of the second diode 51b and the capacitor 51.
It is connected to the other terminal of e.

【0045】(e)第2のダイオード51bのカソード
とPNPトランジスタ51cのエミッタとを接続してあ
る。
(E) The cathode of the second diode 51b and the emitter of the PNP transistor 51c are connected.

【0046】次に、図1及び図2を用いて説明したガス
放電表示装置の動作について説明する。
Next, the operation of the gas discharge display device described with reference to FIGS. 1 and 2 will be described.

【0047】図1の回路においてデータ電極側の複数の
スイッチング素子QA がオンすると放電用電源EP から
スイッチング素子QA 及び電流制限抵抗RA を通してデ
ータ電極41に電圧が印加されるので、データ電極41
の電位は上昇する。これらデータ電極に対応して走査電
極側が線順次駆動されるなかで陰極側スイッチング素子
中の例えばスイッチン素子QK1がオンされたタイミング
についてを考えると、データ電極とスイッチング素子Q
K1に接続されている走査電極との間に放電に必要な電位
差が生じる。ここで、スイッチング素子QK1に対応した
データ電極側の動作が例えば図9中のTC2というように
短時間放電の場合にQK1がオフした場合、この発明では
このオフしたときから次段の走査電極用のスイッチング
素子QK2がオンするまでの間(図9中TKOFFで示す期
間)の全部または一部の期間、図1に示した短絡回路部
51を動作させて、抵抗RK の両端を短絡する。TKOFF
の期間においてどの程度の時間抵抗RK 間を短絡するか
は設計に応じ決定すれば良い。抵抗RK を短絡している
間は走査電極バイアス電源EK の電圧は短絡回路部5
1、ダイオードDK1を通って走査電極43に印加される
ので、抵抗RK を短絡しない場合に比べ短時間に走査電
極の電位を走査電極バイアス電源EK の電位まで上昇さ
せることができる。なお、ある走査電極43が選択され
るとデータ電極41側の電位も下がる場合がある。しか
し、そのような場合になっても、走査電極ごとに設けて
あるダイオード(DK1〜DKNのいずれか)から見てみれ
ば低下したデータ電極電位は走査電極バイアス電源EK
より依然高いからこれらダイオードに対し逆方向電位で
ある。このため、選択動作したスイッチング素子(QK1
〜QKNのいずれか)のコレクタに接続されている走査電
極のみに放電電流は流れる。
In the circuit of FIG. 1, when the plurality of switching elements Q A on the data electrode side are turned on, a voltage is applied to the data electrode 41 from the discharging power supply E P through the switching element Q A and the current limiting resistor R A , Electrode 41
Potential rises. Considering the timing at which, for example, the switch element Q K1 in the cathode side switching element is turned on while the scanning electrode side is line-sequentially driven corresponding to these data electrodes, the data electrode and the switching element Q
A potential difference required for discharge is generated between the scan electrode connected to K1 and the scan electrode. Here, when Q K1 is turned off when the operation on the data electrode side corresponding to the switching element Q K1 is short-time discharge such as T C2 in FIG. 9, in the present invention, the next stage from the time when it is turned off. all or part of the period until the switching element Q K2 for scanning electrode is turned on (period shown by T KOFF in FIG. 9), by operating the short circuit portion 51 shown in FIG. 1, the resistor R K Short both ends. T KOFF
The amount of time between the resistances R K to be short-circuited during the period is determined according to the design. While the resistor R K is short-circuited, the voltage of the scan electrode bias power supply E K is short-circuited 5
1. Since the voltage is applied to the scan electrode 43 through the diode D K1 , the potential of the scan electrode can be raised to the potential of the scan electrode bias power supply E K in a shorter time than in the case where the resistor R K is not short-circuited. When a certain scanning electrode 43 is selected, the potential on the data electrode 41 side may also decrease. However, even in such a case, when viewed from the diode (any one of D K1 to D KN ) provided for each scan electrode, the lowered data electrode potential is the scan electrode bias power supply E K.
Since it is still higher, it has a reverse potential for these diodes. Therefore, the switching element (Q K1
The discharge current flows only to the scan electrodes connected to the collectors of any one of (-Q KN ).

【0048】次に、図2に示した短絡回路部51につい
て説明する。走査電極側のスイッチング素子QKNがオン
し、走査電極バイアス電源EK から抵抗RK 、ダイオー
ドDKNを通って走査電極に電流が流れると、抵抗RK
端子、(図2参照)間に電圧が発生する。このとき
端子側が高電位になるためダイオード51aは順方向
となるのでコンデンサ51eを充電する。このときPN
Pトランジスタ51cではベース電位に対してエミッタ
電位の方が低いため電流が流れないためオフ状態とな
る。この結果NPNトランジスタ51dもオフ状態とな
るので、抵抗RKの両端は短絡されない。これに対し、
走査電極用のトランジスタQKNがオフすると、走査電極
バイアス電源EK から抵抗RK を通って電圧が印加され
るので抵抗RK の端子の電位は上昇をはじめる。この
とき、EK の電圧に近い電圧に充電されていたコンデン
サ51eの、第2のダイオード51b側の端子の電位も
上昇する。そのため第2のダイオード51bを通してP
NPトランジスタ51cのエミッタ−ベース間に電流が
流れるからPNPトランジスタ51cのコレクタからN
PNトランジスタ51dのベースに向かって電流が流
れ、この結果NPNトランジスタ51dはオンして抵抗
K の端子の電位を上昇させる。よって、急速にコン
デサ51eを介した第2のダイオード51bのアノード
側の電位を上昇させることになる。ここで、PNPトラ
ンジスタ51b及びNPNトランジタ51cは、コンデ
ンサ51eの放電が完了するまでオン状態となる(抵抗
K 両端を短絡状態とする)。コンデンサ51eの放電
が完了すると抵抗RK の両端の電位はほぼ同電位となる
ため、図2に示したこの短絡回路部51は低消費電力型
の回路といえる。また、図2に示したこの短絡回路部5
1は、走査電極用のスイッチング素子QK1〜QKNのオフ
動作の都度自動的に動作するので特別の同期回路などを
設けることなく抵抗RK を所望とおり短絡できる回路と
いえる。
Next, the short circuit portion 51 shown in FIG. 2 will be described. When the switching element Q KN on the scan electrode side is turned on, and a current flows from the scan electrode bias power source E K through the resistor R K and the diode D KN to the scan electrode, between the terminals of the resistor R K (see FIG. 2). Voltage is generated. At this time, since the terminal side has a high potential, the diode 51a is in the forward direction, so that the capacitor 51e is charged. At this time PN
Since the emitter potential of the P-transistor 51c is lower than the base potential of the P-transistor 51c, no current flows, and the P-transistor 51c is turned off. As a result, the NPN transistor 51d is also turned off, so that both ends of the resistor R K are not short-circuited. In contrast,
When the transistor Q KN for the scan electrode is turned off, a voltage is applied from the scan electrode bias power supply E K through the resistor R K , so that the potential of the terminal of the resistor R K starts to rise. At this time, the potential of the terminal on the second diode 51b side of the capacitor 51e, which has been charged to a voltage close to the voltage E K , also rises. Therefore, through the second diode 51b, P
Since a current flows between the emitter and base of the NP transistor 51c, the collector of the PNP transistor 51c receives N
A current flows toward the base of the PN transistor 51d, and as a result, the NPN transistor 51d is turned on to raise the potential of the terminal of the resistor R K. Therefore, the potential on the anode side of the second diode 51b via the capacitor 51e is rapidly increased. Here, the PNP transistor 51b and the NPN transistor 51c are turned on (the both ends of the resistor R K are short-circuited) until the discharge of the capacitor 51e is completed. When the discharge of the capacitor 51e is completed, the potentials at both ends of the resistor R K become approximately the same potential, so this short circuit portion 51 shown in FIG. 2 can be said to be a low power consumption type circuit. In addition, the short circuit portion 5 shown in FIG.
1 can be said to be a circuit in which the resistor R K can be short-circuited as desired without providing a special synchronizing circuit or the like because it automatically operates every time the scanning electrode switching elements Q K1 to Q KN are turned off.

【0049】2.第三発明の実施例の説明 次に、この出願の第三発明の実施例について説明する。
なお、この実施例では図10を用いて説明した回路に第
三発明を適用した例を説明する。図3はその説明に供す
る図である。この図3において、図10を用いて説明し
た構成成分には図10で用いた番号を付しその説明を省
略する場合もある。
2. Description of Embodiments of Third Invention Next, embodiments of the third invention of this application will be described.
In this embodiment, an example in which the third invention is applied to the circuit described with reference to FIG. 10 will be described. FIG. 3 is a diagram used for the description. In FIG. 3, the components described with reference to FIG. 10 may be assigned the numbers used in FIG. 10 and the description thereof may be omitted.

【0050】この実施例のガス放電表示装置の放電部は
例えば図7や図1を用いて説明した構成とできる。ま
た、この実施例のガス放電表示装置の駆動回路部60で
は、データ電極31の電位を上昇させるためのバイアス
電源33(この例では従来技術の項で説明したように、
図3中に331 、332 で示した電源VSP及び電源V’
SP双方のこと。)は、対応する第1のスイッチング素子
321 、322 と対応するダイオードD1 、D2 と短絡
阻止回路61とを介して、データ電極31に接続してあ
り、また、基準電位(非発光状態を得るためのデータ電
極側の予め定められた電位)と接続されている部分(図
3の例ではT3 )は、第2のスイッチング素子34とダ
イオードD3 と短絡阻止回路61とを介して、データ電
極31に接続してある。したがって、データ電極31の
電位を上昇させるためのラインと、データ電極31の電
位を下降させるためのラインとを分離した構成で、か
つ、両ライン間に短絡阻止回路61を設けた構成とな
る。なお、短絡阻止回路61と各スイッチング素子32
との間に設けたダイオードD1 、D2 は、電源VSPの電
圧が電源V’SPのライン側に及ぶこと或はその逆の状態
が起きることを防止するためのものであり、本発明にお
いて必須のものではない。
The discharge part of the gas discharge display device of this embodiment can have the structure described with reference to FIGS. 7 and 1, for example. Further, in the drive circuit unit 60 of the gas discharge display device of this embodiment, the bias power supply 33 for increasing the potential of the data electrode 31 (in this example, as described in the section of the prior art,
The power source V SP and the power source V'denoted by 33 1 and 33 2 in FIG.
Both SPs . ) Is connected to the data electrode 31 via the corresponding first switching elements 32 1 and 32 2 and the corresponding diodes D 1 and D 2 and the short circuit prevention circuit 61, and is also connected to the reference potential (non-emission). A portion (T 3 in the example of FIG. 3) connected to the predetermined potential on the data electrode side for obtaining the state is connected via the second switching element 34, the diode D 3 and the short circuit prevention circuit 61. And is connected to the data electrode 31. Therefore, the line for raising the potential of the data electrode 31 and the line for lowering the potential of the data electrode 31 are separated, and the short circuit prevention circuit 61 is provided between both lines. The short circuit prevention circuit 61 and each switching element 32
The diodes D 1 and D 2 provided between the power source V SP and the diode D 1 and D 2 are provided to prevent the voltage of the power source V SP from reaching the line side of the power source V ′ SP or the opposite state. Is not essential in.

【0051】短絡阻止回路は任意好適なもので構成でき
るが、この実施例の短絡阻止回路61は、ダイオード6
1a、PNPトランジスタ61b及び抵抗61cを具え
た回路であって、下記(i) 〜(vi)の接続関係を有した回
路で構成してある。
Although the short-circuit prevention circuit can be constructed by any suitable one, the short-circuit prevention circuit 61 of this embodiment has a diode 6
1a, a PNP transistor 61b, and a resistor 61c, which are circuits having the following connection relationships (i) to (vi).

【0052】(i) ダイオード61aのアノードと抵抗6
1cの一方端とPNPトランジスタ61bのベースとを
接続してある。
(I) Anode of diode 61a and resistor 6
One end of 1c is connected to the base of the PNP transistor 61b.

【0053】(ii)ダイオード61aのカソードとPNP
トランジスタ61bのエミッタとを接続してある。
(Ii) Cathode of diode 61a and PNP
It is connected to the emitter of the transistor 61b.

【0054】(iii) 抵抗61cの他方端とPNPトラン
ジスタ61bのコレクタとを接続してある。
(Iii) The other end of the resistor 61c is connected to the collector of the PNP transistor 61b.

【0055】(iv)ダイオード61aのアノードと抵抗6
1cの一方端とPNPトランジスタ61bのベースとの
接続点は第1のスイッチング素子321 、322 にこの
場合は対応するダイオードD1 またはD2 を介して接続
されている。
(Iv) Anode of diode 61a and resistor 6
The connection point between one end of 1c and the base of the PNP transistor 61b is connected to the first switching elements 32 1 and 32 2 in this case via the corresponding diode D 1 or D 2 .

【0056】(v) 抵抗61cの他方端とPNPトランジ
スタ61bのコレクタとの接続点は第2のスイッチング
素子34にこの場合ダイオードD3 を介して接続されて
いる。
(V) The connection point between the other end of the resistor 61c and the collector of the PNP transistor 61b is connected to the second switching element 34 via the diode D 3 in this case.

【0057】(vi)ダイオード61aのカソードとPNP
トランジスタ61bのエミッタとの接続点はデータ電極
31に接続されている。
(Vi) Cathode of diode 61a and PNP
The connection point of the transistor 61b with the emitter is connected to the data electrode 31.

【0058】次に、短絡阻止回路61の動作について図
3及び図4を参照して説明する。ここで、図4において
(B)図及び(C)図は、この実施例のガス放電表示パ
ネルをいわゆるパルスメモリ駆動する場合のタイムチャ
ート、(A)図は(B)図のa部分を拡大して示した図
である。(B)図に示した信号はデータ電極31に印加
される信号であり、(C)図に示した信号は走査電極に
印加される信号である。ここで、以下に説明する第1の
スイッチング素子や第2のスイッチング素子のオン・オ
フはパルスメモリ方式において公知の方法で制御される
ものであるので、これらオン・オフの制御部の説明は省
略する。
Next, the operation of the short circuit prevention circuit 61 will be described with reference to FIGS. Here, FIGS. 4B and 4C are time charts when the gas discharge display panel of this embodiment is driven by a so-called pulse memory, and FIG. 4A is an enlarged view of portion a of FIG. 4B. FIG. The signal shown in (B) is a signal applied to the data electrode 31, and the signal shown in (C) is a signal applied to the scan electrode. Here, since ON / OFF of the first switching element and the second switching element described below is controlled by a known method in the pulse memory system, description of these ON / OFF control units is omitted. To do.

【0059】図4(A)中のTa の期間では、図3に示
した電源V’SP用のスイッチング素子322 のみがオン
して電圧V’SPがダイオードD2 、短絡阻止回路61中
のダイオード61aを通ってデータ電極31に供給され
るので、データ電極31の電位はV’SPに上昇する。
In the period of T a in FIG. 4A, only the switching element 32 2 for the power supply V ′ SP shown in FIG. 3 is turned on and the voltage V ′ SP is the diode D 2 and the short circuit prevention circuit 61. Since it is supplied to the data electrode 31 through the diode 61a, the potential of the data electrode 31 rises to V ′ SP .

【0060】次に、図4(A)のTb の期間では、図3
に示した電源VSP用のスイッチング素子321 のみがオ
ンして電圧VSPがダイオードD1 、短絡阻止回路61中
のダイオード61aを通ってデータ電極31に供給され
るので、データ電極31の電位はVSPに上昇する。この
ときVSPの電圧が電源V’SP側に至ること及びその逆の
現象が起こることは、ダイオードD1 及びD2 により防
止される。したがって、電源VSP用のスイッチング素子
321 と電源V’SP用のスイッチング素子322 の切り
換えタイミングに誤動作が生じても両電源間が短絡され
ることはない。ただし、これは従来技術においてもなさ
れていたことである。
Next, in the period of T b in FIG.
Since only the switching element 32 1 for the power supply V SP shown in FIG. 6 is turned on and the voltage V SP is supplied to the data electrode 31 through the diode D 1 and the diode 61a in the short circuit prevention circuit 61, the potential of the data electrode 31 is increased. Rises to V SP . That it and the phenomenon of the reverse voltage reaches the power supply V 'SP side at this time V SP occurs it is prevented by the diode D 1 and D 2. Therefore, there is no possibility that malfunction switching timing of the switching element 32 1 and the power source V 'switching device 32 2 for the SP for power supply V SP is short-circuited also is between the power supply occurs. However, this was also done in the prior art.

【0061】次に、図4(A)のTc の期間では、図3
に示した第2のスイッチング素子34のみがオンするの
で、電圧VSPにまで上昇されていたデータ電極31の電
位は、短絡阻止回路61のPNPトランジスタ61bの
エミッタ及びコレクタさらにダイオードD3 を介して基
準電位まで引き落とされる。このとき、短絡阻止回路の
端子(図3参照)にダイオードD1 またはD2 を通っ
てVSPまたはV’SPの電圧が印加されなければ、PNP
トランジスタ61bのベースに抵抗61cを通して電流
が流れるためPNPトランジスタ61bをオンすること
ができる。また第2のスイッチング素子34のみがオン
するべきところ第1のスイッチング素子321 または3
2 がオフされるのが遅れて短絡阻止回路の端子にV
SPまたはV’SPの電圧が印加されてしまった場合は、P
NPトランジスタ61bのベース・エミッタ間に逆バイ
アスが加わることになり該トランジスタ61bはオフ状
態となるため、該トランジスタ61bの耐圧の許す限
り、バイアス電源33と基準電位とされている部分(こ
こではT3 )との間に短絡回路は形成されない(短絡を
阻止出来る。)。
Next, in the period of T c in FIG.
Since only the second switching element 34 shown in FIG. 6 is turned on, the potential of the data electrode 31 which has been raised to the voltage V SP is passed through the emitter and collector of the PNP transistor 61b of the short circuit blocking circuit 61 and the diode D 3. It is pulled down to the reference potential. At this time, if the voltage of V SP or V ′ SP is not applied to the terminal (see FIG. 3) of the short circuit prevention circuit through the diode D 1 or D 2 , the PNP is applied.
Since the current flows through the resistor 61c to the base of the transistor 61b, the PNP transistor 61b can be turned on. Where only the second switching element 34 should be turned on, the first switching element 32 1 or 3
2 2 is delayed to be turned off and V is applied to the terminal of the short circuit prevention circuit.
If the voltage of the SP or V 'SP is had been applied, P
Since a reverse bias is applied between the base and emitter of the NP transistor 61b and the transistor 61b is turned off, the bias power source 33 and the reference potential portion (here, T No short circuit is formed between ( 3 ) and (short circuit can be prevented).

【0062】次に、図4(A)のTd の期間では、上述
のTc の期間に基準電位に下がっているデータ電極電位
を、表示データがある場合には放電電圧VW に引き上げ
るためにHDA1がオンする。この結果、電圧VW が短
絡阻止回路61中のダイオード61aを通してデータ電
極31に印加されるので、データ電極31の電位はVW
まで上昇する。このとき、もし、第2のスイッチング素
子34またはHDA2がオン状態となっていたとして
も、短絡阻止回路61の端子の電位が同回路61の端
子(図3参照)の電位よりも高くなるため短絡阻止回
路61中のPNPトランジスタ61bのベース・エミッ
タ間は逆バイアスとなるから、電源VW と基準電位とさ
れている部分との間に短絡回路は形成されない。
Next, in the period of T d in FIG. 4A, in order to raise the data electrode potential, which has dropped to the reference potential in the period of T c described above, to the discharge voltage V W when there is display data. HDA1 is turned on. As a result, the voltage V W is applied to the data electrode 31 through the diode 61a in the short circuit prevention circuit 61, so that the potential of the data electrode 31 is V W.
Rise to. At this time, even if the second switching element 34 or the HDA 2 is in the ON state, the potential of the terminal of the short circuit prevention circuit 61 becomes higher than the potential of the terminal of the circuit 61 (see FIG. 3), so that a short circuit occurs. Since the base-emitter of the PNP transistor 61b in the blocking circuit 61 is reverse-biased, a short circuit is not formed between the power supply V W and the portion having the reference potential.

【0063】なお、上述の第三発明の実施例では、電源
をVSP、V’SP、VW の3種類の例で示したがこれは一
例であり、電源の数は限定されない。また、上述の実施
例ではデータ電極(陽極)側の短絡防止を例示したが、
走査電極側についてもデータ電極側の考えを適用して実
施出来る。
In the above-described third embodiment of the invention, three types of power supplies, V SP , V'SP and V W , are shown, but this is an example and the number of power supplies is not limited. Further, in the above-mentioned embodiment, the prevention of the short circuit on the data electrode (anode) side is exemplified,
The scanning electrode side can also be implemented by applying the idea on the data electrode side.

【0064】3.第四発明の説明 次に、第四発明の実施例について説明する。図5及び図
6はその説明に供する図である。特に図5は、第四発明
の実施例のガス放電表示装置の要部を該装置に備わる放
電用の一方の電極(ここでは陰極)の長手方向に沿って
切った場合の断面を示した図である。ただし、断面を示
すハッチングは一部の構成成分については省略して示し
てある。また、図6は実施例のガス放電表示装置を製造
する方法の好適例を説明するための断面図である。
3. Description of Fourth Invention Next, an embodiment of the fourth invention will be described. 5 and 6 are diagrams provided for the description. In particular, FIG. 5 is a view showing a cross section of a gas discharge display device according to an embodiment of the fourth aspect of the invention, taken along the longitudinal direction of one of the discharge electrodes (cathode in this case) provided for the device. Is. However, hatching showing the cross section is omitted for some constituent components. FIG. 6 is a sectional view for explaining a preferred example of the method for manufacturing the gas discharge display device of the embodiment.

【0065】この第四発明のガス放電表示装置は、放電
用の一方の電極(陰極)71を有する第1の基板73
と、放電用の第2の電極(陽極)75を有する第2の基
板77とを、それらの陰極71及び陽極75が交差する
よう対向させた状態で具えている。さらに、これら第1
及び第2の基板間に多数の放電セル79を規定するため
のセル隔壁81を具える。さらに、このガス放電表示装
置では、セル隔壁81の壁面の一部に放電用の一方の電
極ここでは陽極75に接続されている電極75a(これ
を以下「隔壁部電極75a」と称する。)を設けてあ
り、蛍光体83を、各放電セルのここでは第2の基板7
7部分上と、セル隔壁81の壁面であって隔壁部電極7
5aを設けた部分以外の面の全部又は一部上とにそれぞ
れ設けてある。第1及び第2の基板は所定間隙をもって
基板縁部において貼り合わせてある。そして、上記空隙
に放電用ガスを封入してある。
In the gas discharge display device of the fourth invention, the first substrate 73 having one electrode (cathode) 71 for discharge is used.
And a second substrate 77 having a second electrode (anode) 75 for discharge, which are opposed to each other so that the cathode 71 and the anode 75 intersect with each other. In addition, these first
And a cell partition 81 for defining a number of discharge cells 79 between the second substrate. Further, in this gas discharge display device, one electrode for discharge, here, an electrode 75a connected to the anode 75 (hereinafter referred to as "partition electrode 75a") is provided on a part of the wall surface of the cell partition 81. The fluorescent substance 83 is provided on the second substrate 7 of each discharge cell.
7 and the wall surface of the cell partition 81, which is the partition electrode 7
It is provided on all or part of the surface other than the portion where 5a is provided. The first and second substrates are bonded together at the substrate edge with a predetermined gap. Then, a discharge gas is sealed in the void.

【0066】ここで、放電セル79が例えば4つの壁面
を有した箱状のものであるとした場合、隔壁部電極75
aを4つの壁面のうちの1面に設け、蛍光体83をこの
隔壁部電極75aを設けた壁面と対向する壁面に少なく
とも設けるのが好適である。もちろん、蛍光体83をさ
らに残りの壁面に設けても良い。また、隔壁電極部75
aは、1つの壁面の全面に設けることなく一部でも良い
し、逆に2つ以上の壁面に設ける場合があっても良い。
Here, when the discharge cell 79 is, for example, a box-shaped one having four wall surfaces, the partition wall electrode 75
It is preferable that a is provided on one of the four wall surfaces, and the phosphor 83 is provided at least on the wall surface opposite to the wall surface provided with the partition electrode 75a. Of course, the phosphor 83 may be provided on the remaining wall surface. In addition, the partition electrode portion 75
The a may not be provided on the entire surface of one wall surface, but may be a part thereof, or conversely, it may be provided on two or more wall surfaces.

【0067】次に、図5を用いて説明したガス放電表示
装置の製造法の一例について図6を参照して説明する。
ただし、この説明においては、この第四発明に係る隔壁
部電極75a及び蛍光体83を形成する工程についての
み説明する。それ以外の構成成分は公知の方法により形
成出来るからである。
Next, an example of a method of manufacturing the gas discharge display device described with reference to FIG. 5 will be described with reference to FIG.
However, in this description, only the step of forming the partition electrode 75a and the phosphor 83 according to the fourth invention will be described. This is because the other constituents can be formed by a known method.

【0068】陽極75及びセル隔壁81の形成が済んだ
第2の基板77のセル隔壁側にスクリーン印刷用の版9
0を配置する。ただし、スクリーン印刷用の版90の配
置に当たっては、印刷ペーストを通過させるためにメッ
シュを目つぶししていない部分90aが放電セル79の
一方側のセル隔壁上部に位置するように、スクリン印刷
用の版90を第2の基板77に対し配置する。この状態
で隔壁部電極形成用のペースト(これに限られないが例
えばニッケルペースト)を印刷する。すると、ペースト
は放電セル79の一方側のセル隔壁79の壁面に選択的
に印刷される。またこの印刷時、ペーストは第2の基板
77上の陽極75にも及ぶ。したがって、このペースト
を焼成すると、陽極75と隔壁部電極75aとの電気的
接続が完了する。一方、蛍光体83の形成も上記隔壁部
電極75aの形成手順と同様な手順で行なえる。セル隔
壁79のピッチが例えば0.2mmで、セル隔壁79の
幅が80μmである場合、スクリーン印刷用の版90の
メッシュを目つぶししていない部分90aの幅を80〜
100μm程度とした状態で上記印刷を行なったとこ
ろ、セル隔壁79の壁面に所望の印刷を行なえた。勿
論、この寸法は一例にすぎない。
The plate 9 for screen printing is formed on the cell partition side of the second substrate 77 on which the anode 75 and the cell partition 81 have been formed.
Place 0. However, in disposing the plate 90 for screen printing, the plate for screen printing is so arranged that the portion 90a where the mesh is not crushed for passing the printing paste is located above the cell partition wall on one side of the discharge cell 79. 90 is arranged on the second substrate 77. In this state, a partition electrode forming paste (for example, a nickel paste, although not limited to this) is printed. Then, the paste is selectively printed on the wall surface of the cell partition 79 on one side of the discharge cell 79. Also, during this printing, the paste reaches the anode 75 on the second substrate 77. Therefore, when this paste is fired, the electrical connection between the anode 75 and the partition electrode 75a is completed. On the other hand, the phosphor 83 can be formed by the same procedure as the procedure for forming the partition wall electrode 75a. When the pitch of the cell partition walls 79 is 0.2 mm and the width of the cell partition walls 79 is 80 μm, the width of the portion 90a where the mesh of the plate 90 for screen printing is not crushed is 80 to
When the above printing was performed in a state of about 100 μm, desired printing could be performed on the wall surface of the cell partition 79. Of course, this dimension is only an example.

【0069】なお、隔壁部電極75aが他方の放電用電
極(陰極)と接触してしまっては陽極及び陰極間が短絡
され放電ができない。これを回避するには、:印刷完
了後に隔壁部電極形成用ペーストがセル隔壁の高さより
低く成るように印刷条件を制御する方法、:隔壁部電
極形成後に現在のセル隔壁上にさらにセル隔壁を印刷形
成する方法、:他方の電極(陰極)上に絶縁ガラスペ
ーストを印刷して絶縁膜を得る方法などを施せば良い。
If the partition wall electrode 75a comes into contact with the other discharge electrode (cathode), the anode and cathode are short-circuited and discharge cannot be performed. To avoid this, a method of controlling the printing conditions so that the partition electrode forming paste is lower than the height of the cell partition after the printing is completed ,: A cell partition is further formed on the current cell partition after the partition electrode is formed. A method of forming by printing, such as a method of printing an insulating glass paste on the other electrode (cathode) to obtain an insulating film, and the like.

【0070】[0070]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
出願の第一発明によれば、所定時に走査電極側の電流制
限抵抗を短絡する分、走査電極バイアス電源から走査電
極までの系での信号伝達の時定数は小さくなるので走査
電極の電位はその分速やかに走査電位からバイアス電位
に立ち上がる。このため、次段の走査電極用のデータ信
号が到来したときは前段の走査信号は所定とおりオフさ
れるので、不均一放電は生じない。この第一発明の方法
は特に低階調(低輝度)の放電を行なう場合に顕著な効
果を示す。
As is apparent from the above description, according to the first invention of this application, the current limiting resistor on the scan electrode side is short-circuited at a predetermined time, so that the system from the scan electrode bias power supply to the scan electrode is used. Since the time constant of signal transmission becomes small, the potential of the scan electrode rises from the scan potential to the bias potential promptly. Therefore, when the data signal for the scan electrode of the next stage arrives, the scan signal of the previous stage is turned off in a predetermined manner, so that non-uniform discharge does not occur. The method of the first aspect of the present invention exhibits a remarkable effect particularly when discharging a low gradation (low luminance).

【0071】また、第二発明によれば、第一発明の実施
を容易にする。また、特に第二発明の好適例のうちのダ
イオード群を設ける構成では、非選択走査電極の電位が
選択走査電極の電位変動に影響されないようにし、これ
により、電流制限抵抗及び短絡用回路部を全走査電極で
共用する。このため、回路構成を簡単化できる。また、
第二発明の好適例のうちの、短絡用回路部を第1のダイ
オード、第2のダイオード、PNPトランジスタ、NP
Nトランジスタ及びコンデンサを有する回路とする構成
では、電流制限抵抗の短絡及び非短絡の切り換えを回路
自体が自動的におこなえるので、同期回路を特別に用意
する必要がなく、また、低消費型の装置となる。さら
に、この構成は低抵抗プルアップ型オープンコレクタト
ランジスタ回路であることから高速動作が出来る。
According to the second invention, the first invention can be easily implemented. Further, in particular, in the configuration in which the diode group of the preferred example of the second invention is provided, the potential of the non-selected scan electrodes is not affected by the potential fluctuation of the selected scan electrodes, whereby the current limiting resistance and the short-circuit circuit portion are provided. It is shared by all scanning electrodes. Therefore, the circuit configuration can be simplified. Also,
In the preferred embodiment of the second aspect of the invention, the short-circuiting circuit section includes a first diode, a second diode, a PNP transistor, and an NP.
In the configuration including the circuit including the N-transistor and the capacitor, the circuit itself can automatically switch between short-circuiting and non-short-circuiting of the current limiting resistance, so that it is not necessary to prepare a synchronizing circuit specially, and a low power consumption type device. Becomes Furthermore, since this configuration is a low resistance pull-up type open collector transistor circuit, it can operate at high speed.

【0072】また、第三発明によれば、電源と基準電位
とが短絡することが防止される。このため、安全かつ高
信頼性のガス放電表示装置が得られる。また、電源及び
基準電位間短絡を防止出来るので、表示装置の表示タイ
ミング調整などを装置を動作せた状態で行なうことが出
来る。
Further, according to the third invention, it is possible to prevent the power supply and the reference potential from being short-circuited. Therefore, a safe and highly reliable gas discharge display device can be obtained. Further, since the short circuit between the power source and the reference potential can be prevented, the display timing of the display device can be adjusted while the device is operating.

【0073】また、第四発明によれば、蛍光体を基板面
上のみならずセル隔壁の壁面にも設け蛍光体面積を拡大
できたことと、隔壁部電極を設けた分壁面に設けた蛍光
体に対し紫外線を効率よく照射できることとの相乗効果
により、従来より高輝度高効率なガス放電表示装置が得
られる。
Further, according to the fourth aspect of the present invention, the phosphor area can be expanded not only on the substrate surface but also on the wall surface of the cell partition wall, and the fluorescent material provided on the partition wall surface provided with the partition electrode. Due to the synergistic effect of being able to efficiently irradiate the body with ultraviolet rays, a gas discharge display device with higher brightness and higher efficiency than in the past can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第一発明の実施に好適なガス放電表示装置の一
例を示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a gas discharge display device suitable for implementing the first invention.

【図2】第二発明に係る短絡回路部の好適例を示した図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a preferred example of a short circuit circuit section according to a second invention.

【図3】第三発明の実施例の説明に供する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining an embodiment of the third invention.

【図4】(A)〜(C)は第三発明の実施例の説明に供
する図3に続く図である。
4A to 4C are views following FIG. 3 for explaining an embodiment of the third invention.

【図5】第四発明の実施例の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of an embodiment of the fourth invention.

【図6】第四発明の装置の製法例の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of an example of a method of manufacturing the device of the fourth invention.

【図7】(A)及び(B)は従来のガス放電表示装置の
放電部の説明図である。
7 (A) and 7 (B) are explanatory views of a discharge part of a conventional gas discharge display device.

【図8】従来の駆動回路及び駆動方法の説明に供する図
である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a conventional drive circuit and drive method.

【図9】ガス放電表示装置の従来法での駆動時のタイム
チャートである。
FIG. 9 is a time chart when the gas discharge display device is driven by the conventional method.

【図10】従来のガス放電表示装置の他の例の駆動回路
部の説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a drive circuit unit of another example of the conventional gas discharge display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31:データ電極32(321 、322 ):第1のスイ
ッチング素子 33(331 、332 ):バイアス電源 34:第2のスイッチング素子 T3 :基準電位とされている部分 61:短絡阻止回路 40:第二発明の実施例のガス放電表示装置 41:データ電極(陽極) 43:走査電極(陰極) 45:放電セル 47:放電部 49:直列回路部 51:短絡回路部 M:走査電位とされている部分
31: Data electrode 32 (32 1 , 32 2 ): First switching element 33 (33 1 , 33 2 ): Bias power supply 34: Second switching element T 3 : Part used as reference potential 61: Short circuit prevention Circuit 40: Gas discharge display device of the embodiment of the second invention 41: Data electrode (anode) 43: Scan electrode (cathode) 45: Discharge cell 47: Discharge part 49: Series circuit part 51: Short circuit part M: Scanning potential The part that is said to be

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の走査電極と、複数のデータ電極
と、走査電極毎に走査電極と走査電位とされている部分
との間に設けられたスイッチング素子と、走査電極バイ
アス電源と、該走査電極バイアス電源及び各走査電極間
に設けられた電流制限抵抗とを具えるガス放電表示装置
を線順次に駆動するに当たり、 選択されている走査電極用のスイッチング素子をオフす
るときと、該選択された走査電極の次段の走査電極用の
スイッチング素子をオンするときとの間の全部または一
部の期間において、電流制限抵抗の両端を短絡すること
を特徴とするガス放電表示装置の駆動方法。
1. A plurality of scan electrodes, a plurality of data electrodes, a switching element provided between each scan electrode and a portion where the scan electrode and the scan potential are provided, a scan electrode bias power supply, and the scan. When line-sequentially driving a gas discharge display device including an electrode bias power supply and a current limiting resistor provided between each scan electrode, when a switching element for a selected scan electrode is turned off and when the selected one is selected. A method for driving a gas discharge display device, characterized in that both ends of the current limiting resistor are short-circuited during all or part of the period between when the switching element for the scan electrode in the next stage of the scan electrode is turned on.
【請求項2】 複数の走査電極と、 複数のデータ電極と、 走査電極毎に走査電極と走査電位とされている部分との
間に設けられたスイッチング素子と、 走査電極バイアス電源と、 該走査電極バイアス電源及び各走査電極間に設けられた
電流制限抵抗と、 前記電流制限抵抗に並列に設けられ所定の期間において
前記電流制限抵抗の両端を短絡するための短絡用回路部
とを具えたことを特徴とするガス放電表示装置。
2. A plurality of scan electrodes, a plurality of data electrodes, a switching element provided between each scan electrode and a portion where the scan electrode and the scan potential are provided, a scan electrode bias power supply, and the scan. An electrode bias power source and a current limiting resistor provided between each scanning electrode, and a short circuit circuit portion provided in parallel with the current limiting resistor for short-circuiting both ends of the current limiting resistor in a predetermined period. A gas discharge display device characterized by:
【請求項3】 請求項2に記載のガス放電表示装置にお
いて、 走査電極毎に設けられる前記電流制限抵抗の代わりに、
走査電極毎に走査電極とスイッチング素子との接続点に
カソード側が接続されるようにダイオードをそれぞれ設
けてあり、 これらダイオードのアノードを共通接続してあり、 該アノードの共通接続点と走査電位とされている部分と
の間に電流制限抵抗及び走査電極バイアス電源から成る
直列回路部を設けてあり、 該電流制限抵抗に並列に前記短絡用回路部を設けてある
ことを特徴とするガス放電表示装置。
3. The gas discharge display device according to claim 2, wherein instead of the current limiting resistor provided for each scan electrode,
A diode is provided for each scan electrode so that the cathode side is connected to the connection point between the scan electrode and the switching element, and the anodes of these diodes are connected in common, and the common connection point of the anode and the scan potential are set. The gas discharge display device is characterized in that a series circuit portion including a current limiting resistor and a scan electrode bias power supply is provided between the current limiting resistor and the current limiting resistor, and the short-circuiting circuit portion is provided in parallel with the current limiting resistor. .
【請求項4】 請求項2または3に記載のガス放電表示
装置において、 前記短絡用回路部を、第1のダイオード、第2のダイオ
ード、PNPトランジスタ、NPNトランジスタ及びコ
ンデンサを具えた回路であって下記(a)〜(e)の接
続関係を有した回路で構成したことを特徴とするガス放
電表示装置。 (a)前記第1のダイオードのアノードと、前記PNP
トランジスタのベースと、前記NPNトランジスタのコ
レクタとを、前記電流制限抵抗の、前記走査電極バイア
ス電源側の端子に、接続してある。 (b)前記NPNトランジスタのエミッタと、前記コン
デンサの一方の端子とを、前記電流制限抵抗の、前記走
査電極側の端子に、接続してある。 (c)前記NPNトランジスタのベースと前記PNPト
ランジスタのコレクタとを接続してある。 (d)前記第1のダイオードのカソードに前記第2のダ
イオードのアノードと前記コンデンサの他方の端子とを
接続してある。 (e)前記第2のダイオードのカソードと前記PNPト
ランジスタのエミッタとを接続してある。
4. The gas discharge display device according to claim 2, wherein the short-circuit circuit section includes a first diode, a second diode, a PNP transistor, an NPN transistor, and a capacitor. A gas discharge display device comprising a circuit having the following connection relationships (a) to (e). (A) The anode of the first diode and the PNP
The base of the transistor and the collector of the NPN transistor are connected to the terminal of the current limiting resistor on the scan electrode bias power supply side. (B) The emitter of the NPN transistor and one terminal of the capacitor are connected to the scanning electrode side terminal of the current limiting resistor. (C) The base of the NPN transistor and the collector of the PNP transistor are connected. (D) The anode of the second diode and the other terminal of the capacitor are connected to the cathode of the first diode. (E) The cathode of the second diode and the emitter of the PNP transistor are connected.
【請求項5】 走査電極及びデータ電極を具え、さら
に、少なくとも一方の電極については該電極に、第1の
スイッチング素子と、該第1のスイッチング素子を介し
て接続されたバイアス電源であって該スイッチング素子
がオン状態時に該一方の電極と他方の電極との電位差が
拡大するような電圧とされているバイアス電源とを接続
してあり、かつ、該一方の電極と基準電位とされている
部分との間に設けられ該一方の電極の電位を所定時に前
記基準電位とするための第2のスイッチング素子を具え
るガス放電表示装置において、 第1のスイッチング素子の電極側端子、第2のスイッチ
ング素子の電極側端子及び電極間に設けられ、バイアス
電源と基準電位との短絡を阻止するための短絡阻止回路
を具えたことを特徴とするガス放電表示装置。
5. A bias power supply comprising a scan electrode and a data electrode, further comprising at least one electrode connected to the first switching element and the bias switching power source via the first switching element. A portion connected to a bias power supply whose voltage is such that the potential difference between the one electrode and the other electrode expands when the switching element is in the on state, and the one electrode is set to the reference potential. And a second switching element that is provided between the first switching element and the second switching element for setting the potential of the one electrode to the reference potential at a predetermined time, the electrode side terminal of the first switching element, and the second switching element. A gas discharge display device comprising a short-circuit prevention circuit provided between an electrode-side terminal of an element and an electrode and for preventing a short circuit between a bias power supply and a reference potential.
【請求項6】 請求項5に記載のガス放電表示装置にお
いて、 前記短絡阻止回路を、ダイオード、PNPトランジスタ
及び抵抗を具えた回路であって、下記(i) 〜(vi)の接続
関係を有した回路で構成したことを特徴とするガス放電
表示装置。 (i) 前記ダイオードのアノードと前記抵抗の一方端と前
記PNPトランジスタのベースとを接続してある。 (ii)前記ダイオードのカソードと前記PNPトランジス
タのエミッタとを接続してある。 (iii) 前記抵抗の他方端と前記PNPトランジスタのコ
レクタとを接続してある。 (iv)前記ダイオードのアノードと前記抵抗の一方端と前
記PNPトランジスタのベースとの接続点は前記第1の
スイッチング素子に直接又は間接的に接続される。 (v) 前記抵抗の他方端と前記PNPトランジスタのコレ
クタとの接続点は前記第2のスイッチング素子に直接又
は間接的に接続される。 (vi)前記ダイオードのカソードと前記PNPトランジス
タのエミッタとの接続点は前記データ電極に接続され
る。
6. The gas discharge display device according to claim 5, wherein the short circuit prevention circuit is a circuit including a diode, a PNP transistor and a resistor, and has the following connection relationships (i) to (vi). A gas discharge display device characterized in that the gas discharge display device is configured by the above circuit. (i) The anode of the diode, one end of the resistor and the base of the PNP transistor are connected. (ii) The cathode of the diode and the emitter of the PNP transistor are connected. (iii) The other end of the resistor is connected to the collector of the PNP transistor. (iv) A connection point between the anode of the diode, one end of the resistor, and the base of the PNP transistor is directly or indirectly connected to the first switching element. (v) The connection point between the other end of the resistor and the collector of the PNP transistor is directly or indirectly connected to the second switching element. (vi) The connection point between the cathode of the diode and the emitter of the PNP transistor is connected to the data electrode.
【請求項7】 請求項6に記載のガス放電表示装置にお
いて、 前記ダイオードの代わりに抵抗を用いたことを特徴とす
るガス放電表示装置。
7. The gas discharge display device according to claim 6, wherein a resistor is used instead of the diode.
【請求項8】 放電用の一方の電極を有する第1の基板
と、該第1の基板に対向するように配置され放電用の第
2の電極を有する第2の基板と、これら第1及び第2の
基板並びにこれら基板間に設けられたセル隔壁によって
空間が規定されている多数の放電セルと、各放電セルに
設けられた蛍光体とを具えるガス放電表示装置におい
て、 セル隔壁の壁面の一部に放電用の一方の電極又は他方の
電極に接続されている電極(隔壁部電極)を設けてあ
り、 蛍光体を、各放電セルの第1の基板部分上または第2の
基板部分上と、セル隔壁の壁面であって前記隔壁部電極
を設けた部分以外の面の全部又は一部上とにそれぞれ設
けてあることを特徴とするガス放電表示装置。
8. A first substrate having one electrode for discharge, a second substrate arranged so as to face the first substrate and having a second electrode for discharge, and the first and second electrodes. A gas discharge display device comprising a second substrate and a large number of discharge cells whose space is defined by cell barriers provided between these substrates, and a phosphor provided in each discharge cell. Is provided with an electrode (partition wall electrode) connected to one electrode for discharge or the other electrode for discharge, and a phosphor is provided on the first substrate portion or the second substrate portion of each discharge cell. A gas discharge display device, characterized in that the gas discharge display device is provided on the whole surface or a part of a wall surface of the cell partition wall other than a portion where the partition wall electrode is provided.
JP5293299A 1993-11-24 1993-11-24 Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device Withdrawn JPH07146667A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5293299A JPH07146667A (en) 1993-11-24 1993-11-24 Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5293299A JPH07146667A (en) 1993-11-24 1993-11-24 Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07146667A true JPH07146667A (en) 1995-06-06

Family

ID=17793040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5293299A Withdrawn JPH07146667A (en) 1993-11-24 1993-11-24 Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07146667A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7468714B2 (en) 1998-09-04 2008-12-23 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7468714B2 (en) 1998-09-04 2008-12-23 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7649511B2 (en) 1998-09-04 2010-01-19 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7652643B2 (en) 1998-09-04 2010-01-26 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7683859B2 (en) 1998-09-04 2010-03-23 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7701418B2 (en) 1998-09-04 2010-04-20 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7701417B2 (en) 1998-09-04 2010-04-20 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7705807B2 (en) 1998-09-04 2010-04-27 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7724214B2 (en) 1998-09-04 2010-05-25 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7728794B2 (en) 1998-09-04 2010-06-01 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7728793B2 (en) 1998-09-04 2010-06-01 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency
US7728795B2 (en) 1998-09-04 2010-06-01 Panasonic Corporation Plasma display panel driving method and plasma display panel apparatus capable of displaying high-quality images with high luminous efficiency

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100577058B1 (en) Current-driven emissive display addressing and fabrication scheme
KR20010017933A (en) An Electro Luminescence Display
CN111968576B (en) Organic light-emitting display panel and driving method
CA1189993A (en) System for driving ac plasma display panel
CA1233921A (en) System and method for operating a display panel having memory
US6111555A (en) System and method for driving a flat panel display and associated driver circuit
US5589738A (en) Field emission type display device
US3778673A (en) Low power display driver having brightness control
JPH07146667A (en) Driving method for gas discharging display device and gas discharging display device
US6078142A (en) Low power consumption driving method for field emitter displays
KR100390886B1 (en) Driving Circuit for AC-type Plasma Display Panel
KR100667566B1 (en) Plasma display apparatus
KR20040086273A (en) Passive addressed matrix display having plurality of luminescent picture elements and preventing charging/decharging of non-selected picture elements
US6683588B1 (en) Low voltage driving apparatus and method for plasma display panel
US6480176B1 (en) Driver circuit for driving a plasma display panel driver module incorporating said circuit and method of testing such a module
US20020142694A1 (en) Method for dissipating heat on address electrode drive chips of plasma display panel
US20030057852A1 (en) Method and circuit for controlling a plasma panel
US8081143B2 (en) Plasma display apparatus
KR100623664B1 (en) Method for dissipating heat on address electrode drive chips of plasma display panel
JP4742505B2 (en) Driving device and driving method for simple matrix display panel
US7924241B2 (en) Plasma display apparatus and method of driving the same
US20050029959A1 (en) Device for generating a voltage ramp in a control circuit for a plasma display
KR100784529B1 (en) Plasma Display Apparatus
KR100867579B1 (en) Plasa display apparatus
KR100705272B1 (en) Apparatus and method for driving electro-luminescence display device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010130