JPH0713915B2 - Strobe device - Google Patents

Strobe device

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JPH0713915B2
JPH0713915B2 JP9950690A JP9950690A JPH0713915B2 JP H0713915 B2 JPH0713915 B2 JP H0713915B2 JP 9950690 A JP9950690 A JP 9950690A JP 9950690 A JP9950690 A JP 9950690A JP H0713915 B2 JPH0713915 B2 JP H0713915B2
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JP
Japan
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voltage
power supply
voltage power
discharge tube
light emission
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JP9950690A
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JPH03296028A (en
Inventor
和雄 田中
伸二 平田
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ウエスト電気株式会社
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は閃光放電管と直列にこの閃光放電管の発光動作
を制御する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insu
lated Gate Bipolar Transistor;以下、I.G.B.T.と記
す)を接続したストロボ装置に関し、特に、上述のI.G.
B.T.の駆動制御系を簡素化したことを特徴とするストロ
ボ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulated gate bipolar transistor (Insu) which controls a light emitting operation of a flash discharge tube in series with the flash discharge tube.
strobe device to which a LATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (hereinafter referred to as IGBT) is connected.
The present invention relates to a strobe device characterized by simplifying a drive control system of BT.

従来の技術 従来より上述のようなI.G.B.T.を使用したストロボ装置
としては、特開昭64-17033号公報に示された装置が周知
である。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a strobe device using the above-described IGBT, a device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 64-17033 is well known.

この装置は、第5図に示したように、周知のDC-DCコン
バータ回路である直流高圧電源1、この電源1に併設さ
れ後述する発光制御回路5に定電圧を供給する定電圧回
路2、閃光放電管Xeをトリガーする公知のトリガー回路
3、カメラボディ内の制御手段7と接続され、種々の信
号の授受を行いトリガー回路3を動作させるためのトリ
ガー信号等、種々の出力信号を発生する制御回路4、閃
光放電管Xeと直列接続されたI.G.B.T.のオン・オフを制
御し上記閃光放電管Xeの発光を制御する発光制御回路5
および閃光放電管Xeに倍圧を印加する倍圧回路6とを備
えて構成されている。
As shown in FIG. 5, this device includes a DC high-voltage power supply 1 which is a well-known DC-DC converter circuit, a constant voltage circuit 2 which is installed in the power supply 1 and supplies a constant voltage to a light emission control circuit 5 described later, It is connected to a known trigger circuit 3 for triggering the flash discharge tube Xe and the control means 7 in the camera body, and generates various output signals such as a trigger signal for exchanging various signals and operating the trigger circuit 3. Control circuit 4, light emission control circuit 5 for controlling on / off of the IGBT connected in series with the flash discharge tube Xe to control light emission of the flash discharge tube Xe.
And a voltage doubler circuit 6 for applying a voltage doubler to the flash discharge tube Xe.

上記装置においてスイッチSwをオンすると、直流高圧電
源1が動作し、主コンデンサCM、倍圧用コンデンサC2
充電が、発振トランスT1の二次巻線S1に発生している高
電圧によって行われ、また低圧電源Eにて制御回路4の
電源用コンデンサC1の充電が行われる。
When the switch Sw is turned on in the above device, the DC high-voltage power supply 1 operates and the main capacitor C M and the voltage doubler capacitor C 2 are charged by the high voltage generated in the secondary winding S 1 of the oscillation transformer T 1 . The low voltage power source E charges the power source capacitor C 1 of the control circuit 4.

同時に、発振トランスT1の二次巻線S2にダイオードDを
介して接続されているコンデンサC3の充電も開始され
る。よって制御回路4は作動を開始し、発光制御回路5
は発光準備状態となる。
At the same time, charging of the capacitor C 3 connected to the secondary winding S 2 of the oscillation transformer T 1 via the diode D is also started. Therefore, the control circuit 4 starts to operate and the light emission control circuit 5
Is ready to emit light.

各コンデンサの充電がなされた状態で制御手段7より発
光開始信号が制御回路4に入力されると、制御回路4は
端子O1から閃光放電管Xeの最長発光時間を考慮した所定
期間、高レベルのトリガー信号を出力し、トランジスタ
Q1に供給する。なお、このとき、制御回路4の端子O2
低レベルに維持され、トランジスタQ3はオフしている。
When a light emission start signal is input from the control means 7 to the control circuit 4 in a state where each capacitor is charged, the control circuit 4 keeps the high level for a predetermined period considering the longest light emission time of the flash discharge tube Xe from the terminal O 1. Outputs the trigger signal of the transistor
Supply to Q 1 . At this time, the terminal O 2 of the control circuit 4 is maintained at a low level and the transistor Q 3 is off.

よって、トランジスタQ1はオンし、さらにトランジスタ
Q2がオンし、コンデンサC3の充電電圧がI.G.B.T.のゲー
トに印加される。
Therefore, transistor Q 1 turns on, and
Q 2 turns on, and the charging voltage of capacitor C 3 is applied to the gate of the IGBT.

これによりI.G.B.T.はオンし、トリガーコンデンサC4
トリガートランスT2の一次巻線を介してコンデンサC4
充電電流がながれ、上記トランスT2の二次巻線にトリガ
ーパルスが発生する。同時に、倍圧用コンデンサC2のプ
ラス側が抵抗R1、I.G.B.T.を介して接地され、その充電
電圧が主コンデンサCMの充電電圧に重畳されて閃光放電
管Xeに印加される。
This turns on the IGBT and trigger capacitor C 4 ,
The charging current of the capacitor C 4 flows through the primary winding of the trigger transformer T 2 , and a trigger pulse is generated in the secondary winding of the transformer T 2 . At the same time, the positive side of the voltage doubler capacitor C 2 is grounded via the resistor R 1 and the IGBT, and its charging voltage is superimposed on the charging voltage of the main capacitor C M and applied to the flash discharge tube Xe.

この結果、上記閃光放電管Xeは主コンデンサCMの充電電
荷を消費して発光する。
As a result, the flash discharge tube Xe consumes the electric charge charged in the main capacitor C M and emits light.

上記発光途上において、たとえば制御手段7内に含まれ
る測光回路によって発光停止パルスが制御回路4に入力
されると、端子O2から高レベルの発光停止信号が出力さ
れる。
When a light emission stop pulse is input to the control circuit 4 by the photometric circuit included in the control means 7 during the light emission, a high level light emission stop signal is output from the terminal O 2 .

よって、トランジスタQ3、Q4がオンしてトランジスタQ1
のベース・エミッタ間およびI.G.B.T.のゲート・エミッ
タ間を短絡し、それぞれをオフする。これによりトラン
ジスタQ2もオフし、従って閃光放電管Xeの発光が停止す
る。
Therefore, the transistors Q 3 and Q 4 are turned on and the transistor Q 1
Short the base and emitter of and the IGBT gate and emitter, and turn off each. As a result, the transistor Q 2 is also turned off, and the light emission of the flash discharge tube Xe is stopped.

以上のような動作が第5図に示した装置の基本動作であ
る。
The above operation is the basic operation of the apparatus shown in FIG.

発明が解決しようとする課題 第5図に図示した装置は、閃光放電管Xeを励起するトリ
ガー回路を動作させるトリガー信号に応答してI.G.B.T.
のゲートに電圧を印加し、発光停止信号に応答して上記
電圧印加を停止する制御構成を備えており、転流コンデ
ンサを用いて発光停止を行うものに比して発光オーバー
がなくなり、また高速の繰返し発光を実現できることに
なる。
The device shown in FIG. 5 is an IGBT in response to a trigger signal for operating a trigger circuit for exciting the flash discharge tube Xe.
It is equipped with a control configuration that applies a voltage to the gate of the device and stops the above voltage application in response to a light emission stop signal. It is possible to realize repeated light emission.

しかしながら、上記した装置のI.G.B.T.の駆動系につい
てみてみると、トリガー信号に応答して動作するととも
に、発光停止信号にも応答して動作することにより上記
I.G.B.T.のゲートへの電圧印加を制御する制御手段5を
必要とし、すなわち第5図において具体的に述べると、
トランジスタQ1〜Q3等で形成される制御スイッチ構成が
必要となり、回路構成が複雑化し、コストアップを生じ
る問題点を有している。
However, looking at the IGBT drive system of the above-mentioned device, it operates in response to a trigger signal and also in response to a light emission stop signal.
The control means 5 for controlling the voltage application to the gate of the IGBT is required, that is, specifically described in FIG.
A control switch structure formed of the transistors Q 1 to Q 3 and the like is required, which complicates the circuit structure and raises the cost.

また、トリガー信号に応答してI.G.B.T.のゲートへの電
圧印加とトリガー回路の起動動作が同時になされるた
め、ともすればI.G.B.T.が十分にオンしていないときに
トリガー回路が動作してしまう恐れがある。一方、この
場合、I.G.B.T.は高インピーダンス状態であり、よっ
て、トリガー回路の動作効率が悪くなり、閃光放電管Xe
を発光させることができない場合が生じる恐れがあり、
さらに、閃光放電管Xeを発光させることができた場合で
あっても、主コンデンサCMからのエネルギー供給により
I.G.B.T.が破壊されてしまう場合が生じる恐れも有して
いる。
In addition, since the voltage is applied to the gate of the IGBT and the trigger circuit is activated at the same time in response to the trigger signal, the trigger circuit may operate when the IGBT is not sufficiently turned on. . On the other hand, in this case, the IGBT is in a high impedance state, so the operating efficiency of the trigger circuit becomes poor, and the flash discharge tube Xe
May not be able to be emitted,
Further, even if the flash discharge tube Xe can be made to emit light, the energy is supplied from the main capacitor C M.
There is a risk that the IGBT may be destroyed.

すなわち、トリガー回路の動作タイミングに基づき、ト
リガー回路の動作効率の悪化、あるいはI.G.B.T.の破壊
という不都合を生じる恐れを有している。
That is, there is a risk that the operating efficiency of the trigger circuit may be deteriorated or the IGBT may be destroyed, depending on the operation timing of the trigger circuit.

本発明によるストロボ装置は、上述したような不都合点
を考慮してなしたもので、簡単な構成を有し、かつトリ
ガー回路の動作タイミングに関係のない安定したI.G.B.
T.の動作を実現できるI.G.B.T.駆動系を備えて構成され
ている。
The strobe device according to the present invention has been made in consideration of the above-mentioned inconveniences, has a simple structure, and has a stable IGB regardless of the operation timing of the trigger circuit.
It is configured with an IGBT drive system that can realize the operation of T.

課題を解決するための手段 本発明によるストロボ装置は直流高圧電源と、該直流高
圧電源の両端に接続され、上記直流高圧電源が供給され
ることにより充電される主コンデンサと、閃光放電管と
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとを直列接続して
なり、上記主コンデンサの両端に接続される直列接続体
と、上記直流高圧電源の上記主コンデンサへの供給に同
期して動作し、上記絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タのゲートに駆動電圧を供給する電圧供給手段と、発光
命令信号が供給される制御極を有するとともにその低電
位側端子が上記閃光放電管と絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタとの接続点に接続されたトリガースイッチ素
子と、該トリガースイッチ素子の動作に応答して上記閃
光放電管を励起するトリガー回路と、発光停止命令信号
が供給される制御極を有するとともにその主極間が上記
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲート〜エミッ
タ間に接続される制御スイッチ素子とを備えて構成され
る。
Means for Solving the Problems The strobe device according to the present invention is insulated from a DC high-voltage power supply, a main capacitor connected to both ends of the DC high-voltage power supply and charged by supplying the DC high-voltage power supply, a flash discharge tube A gate type bipolar transistor connected in series, the series connected body connected to both ends of the main capacitor, and the insulated gate bipolar transistor operating in synchronization with the supply of the DC high voltage power source to the main capacitor. A trigger having a voltage supply means for supplying a drive voltage to the gate of and a control pole for supplying a light emission command signal, the low potential side terminal of which is connected to the connection point between the flash discharge tube and the insulated gate bipolar transistor. A switch element, a trigger circuit that excites the flash discharge tube in response to the operation of the trigger switch element, and stop light emission A control switch element having a control pole to which a command signal is supplied and having a main pole between the gate and the emitter of the insulated gate bipolar transistor is provided.

作用 本発明によるストロボ装置は上記のような構成を有する
ことから、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲー
トには、トリガー回路を動作させるトリガー信号に応答
することなく、直流高圧電源の動作開始に応答して主コ
ンデンサの充電が開始されると電圧供給手段より駆動電
圧が印加されることになる。この駆動電圧の印加によ
り、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは導通準備状
態になされることになる。
Action Since the strobe device according to the present invention has the above-mentioned configuration, the insulated gate bipolar transistor gate does not respond to the trigger signal for operating the trigger circuit but responds to the start of operation of the DC high voltage power supply. When the charging of the main capacitor is started, the driving voltage is applied from the voltage supply means. By applying this drive voltage, the insulated gate bipolar transistor is brought into a ready state for conduction.

従って、上記駆動電圧の印加構成、すなわち、絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタの駆動系はトリガー信号に
応答するための構成が必要なくなり簡素化され、加えて
トリガー回路の動作タイミングに関係のない安定した動
作を行えることになる。
Therefore, the drive voltage application configuration, that is, the drive system of the insulated gate bipolar transistor does not need a configuration for responding to the trigger signal, and is simplified, and in addition, stable operation irrelevant to the operation timing of the trigger circuit is achieved. You can do it.

実施例 以下、本発明のストロボ装置の実施例について説明す
る。
Embodiments Embodiments of the flash device of the present invention will be described below.

[実施例 1] 第1図は、本発明によるストロボ装置の第1実施例を示
す電気回路図であり、図中、第5図と同符号の構成要素
は同じ機能の要素である。
[Embodiment 1] FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a first embodiment of a strobe device according to the present invention. In the figure, constituent elements having the same reference numerals as those in FIG. 5 are elements having the same function.

周知のDC-DCコンバータ回路や積層電源等からなる直流
高圧電源1の両端には、主コンデンサCM接続されてい
る。
A main capacitor C M is connected to both ends of a DC high-voltage power supply 1 including a known DC-DC converter circuit and a laminated power supply.

主コンデンサCMの両端には、閃光放電管XeとI.G.B.T.と
を直列接続した直列接続体8および抵抗10とツェナーダ
イオード11とを直列接続してなる電圧供給手段9が接続
されている。
Connected to both ends of the main capacitor C M are a series connection body 8 in which a flash discharge tube Xe and an IGBT are connected in series, and a voltage supply means 9 in which a resistor 10 and a Zener diode 11 are connected in series.

閃光放電管Xeの両端には、トリガー回路3のトリガーコ
ンデンサCtの充電用抵抗Rtと、オン動作することにより
上記トリガー回路3を動作させるトリガースイッチ素子
であるSCR12とを直列接続した直列体が接続されてい
る。すなわち、SCR12の低電位側端子であるカソードは
閃光放電管XeとI.G.B.T.との接続点Bに接続されてい
る。
Connected to both ends of the flash discharge tube Xe is a series body in which a charging resistor Rt of a trigger capacitor Ct of the trigger circuit 3 and a SCR12 which is a trigger switch element for operating the trigger circuit 3 by being turned on are connected in series. Has been done. That is, the cathode, which is the low potential side terminal of the SCR 12, is connected to the connection point B between the flash discharge tube Xe and the IGBT.

抵抗10とツェナーダイオード11との接続点Aは、I.G.B.
T.のゲートと抵抗Rを介して接続されている。
The connection point A between the resistor 10 and the Zener diode 11 is IGB
It is connected to the gate of T. through a resistor R.

また、上記接続点Aとアース間にはオンすることにより
I.G.B.T.をオフさせるトランジスタ13が、制御素子とし
て接続されている。
Also, by turning on between the connection point A and the ground,
A transistor 13 that turns off the IGBT is connected as a control element.

SCR12、トランジスタ13の制御極であるゲート12a、ベー
ス13aには、それぞれ発光を開始させる発光命令信号お
よび発光を停止させる発光停止命令信号が供給される。
A light emission command signal for starting light emission and a light emission stop command signal for stopping light emission are supplied to the SCR 12, the gate 12a, which is the control pole of the transistor 13, and the base 13a, respectively.

なお、第5図で説明した従来装置のように、第1図中に
破線で示したコンデンサ、抵抗、ダイオードから形成さ
れる倍圧回路6を併設できることは詳述するまでもな
い。
It is needless to say that the voltage doubler circuit 6 formed of the capacitor, the resistor and the diode shown by the broken line in FIG. 1 can be provided as in the conventional device described in FIG.

以下、上記のような構成からなる本発明によるストロボ
装置の第1実施例の動作について、第2図に示した第1
図中の所定地点の信号波形図を参照して説明する。
The operation of the strobe device according to the first embodiment of the present invention having the above-described structure will be described below with reference to the first operation shown in FIG.
A description will be given with reference to a signal waveform diagram at a predetermined point in the figure.

今、時点t1において、図示していない適宜の電源スイッ
チの投入等により直流高圧電源1が動作を開始すると、
その出力端子1a、1b間に出力される直流高電圧にて主コ
ンデンサCM等の充電が開始され、例えば主コンデンサCM
の端子電圧は第2図(a)に示したように上昇して行
く。
At time t 1 , when the DC high-voltage power supply 1 starts operating by turning on an appropriate power switch (not shown),
The output terminal 1a, the charging of the main capacitor C M or the like at high DC voltage output between 1b is started, for example, the main capacitor C M
The terminal voltage of is rising as shown in FIG.

同時に、上記出力端子1a、1b間に出力される直流高電圧
は電圧供給手段9にも供給されることから、ツェナーダ
イオード11の両端に第2図(b)に示したような所定電
圧が発生し、この所定電圧が抵抗Rを介してI.G.B.T.の
ゲート〜エミッタ間に印加されることになる。
At the same time, since the high DC voltage output between the output terminals 1a and 1b is also supplied to the voltage supply means 9, a predetermined voltage as shown in FIG. 2 (b) is generated across the Zener diode 11. However, this predetermined voltage is applied between the gate and the emitter of the IGBT via the resistor R.

すなわち、本発明の第1実施例においては上記時点t1
てI.G.B.T.のゲートに所定電圧を印加しており、もちろ
んI.G.B.T.は上記所定電圧の印加により導通準備状態に
なされる。
That is, in the first embodiment of the present invention is by applying a predetermined voltage to the gate of the IGBT at the time t 1, of course IGBT is made conductive ready state by application of the predetermined voltage.

主コンデンサCM等の充電がなされた状態における時点t2
にて、SCR12のゲート12aに第2図(c)に示したような
発光命令信号である高レベルパルス信号が印加される
と、SCR12が、I.G.B.T.が導通準備状態であることから
オンする。
Time point t 2 when the main capacitor C M etc. is charged
Then, when a high level pulse signal which is a light emission command signal as shown in FIG. 2 (c) is applied to the gate 12a of the SCR 12, the SCR 12 is turned on because the IGBT is in the ready state for conduction.

よって、トリガーコンデンサCtの充電電荷がSCR12、ト
リガートランスTを介して放電され、すなわちトリガー
回路3が動作し、閃光放電管Xeが励起される。
Therefore, the charge of the trigger capacitor Ct is discharged via the SCR 12 and the trigger transformer T, that is, the trigger circuit 3 operates and the flash discharge tube Xe is excited.

このときI.G.B.T.は導通準備状態であり、したがって、
I.G.B.T.はオンし、閃光放電管Xeは第2図(e)に示し
たように上記時点t2より主コンデンサCMの充電電荷を消
費して発光する。
At this time, the IGBT is ready for conduction, and therefore,
The IGBT is turned on, and the flash discharge tube Xe consumes the charged electric charge of the main capacitor C M and emits light from the time point t 2 as shown in FIG. 2 (e).

閃光放電管Xeが発光している適宜時点、たとえばその発
光量が適正光量となった時点t3において、トランジスタ
13のベース13aに、例えば測光回路(図示せず)より発
光停止命令信号である第2図(d)に示したような所定
のパルス幅Tsを有する高レベルパルス信号が印加される
と、その期間Ts中トランジスタ13がオンすることにな
る。
Appropriate when the flash discharge tube Xe is emitting light, for example, at time t 3 when the light emission amount reaches the proper amount of light, the transistor
When a high-level pulse signal having a predetermined pulse width Ts as shown in FIG. 2 (d), which is a light emission stop command signal, is applied to the base 13a of 13 by a photometric circuit (not shown), The transistor 13 is turned on during the period Ts.

よって、I.G.B.T.のゲート〜エミッタ間が抵抗Rを介し
て短絡され、そのゲート電位が第2図(b)に示したよ
うに上記時点t3にて導通を維持できないレベルに制御さ
れることになり、この結果、I.G.B.T.は上記時点t3にて
オフする。
Therefore, the gate and emitter of the IGBT are short-circuited via the resistor R, and the gate potential is controlled to a level at which conduction cannot be maintained at the time point t 3 as shown in FIG. 2 (b). As a result, the IGBT is turned off at the time point t 3 .

I.G.B.T.のオフにより閃光放電管Xeを流れていた放電電
流が遮断されることになり、閃光放電管Xeの発光は第2
図(e)に示したように時点t3において停止する。
When the IGBT is turned off, the discharge current flowing through the flash discharge tube Xe is cut off and the flash discharge tube Xe emits light in the second
It stops at time t 3 as shown in FIG.

また、SCR12の低電位側端子であるカソードがI.G.B.T.
のコレクタと接続されており、従って、I.G.B.T.のオフ
によりSCR12を介して流れる電流ループも同時に遮断さ
れ、このSCR12も確実にオフする。
The cathode, which is the low-potential side terminal of SCR12, is the IGBT.
, The current loop flowing through SCR12 is also cut off at the same time by turning off the IGBT, and this SCR12 is surely turned off.

このことは、SCR12をその保持電流を考慮することなく
オフできることを意味しており、閃光放電管Xeを高速発
光させる機能を実現するために極めて重要な要件とな
る。
This means that the SCR 12 can be turned off without considering its holding current, which is a very important requirement for realizing the function of causing the flash discharge tube Xe to emit light at high speed.

すなわち、本発明においては、上述したようにSCR12で
あるトリガースイッチ素子の低電位側端子を閃光放電管
XeとI.G.B.T.との接続点に接続しており、I.G.B.T.のオ
フ時、必ずSCR12をオフでき、次回の発光動作のための
トリガー回路の動作準備を行えることになり、この結
果、閃光放電管Xeの高速発光機能を実現できることにな
るわけである。
That is, in the present invention, as described above, the low potential side terminal of the trigger switch element, which is the SCR12, is connected to the flash discharge tube.
It is connected to the connection point between Xe and the IGBT, and when the IGBT is off, the SCR12 can be turned off without fail, and the trigger circuit for the next light emission operation can be prepared for operation.As a result, the flash discharge tube Xe The high-speed light emitting function can be realized.

以後、第2図(d)に示したように、上記期間Tsを経過
した時点t4にて発光停止命令信号がなくなると、トラン
ジスタ13はオンからオフに復帰し、I.G.B.T.のゲート〜
エミッタ間の短絡が解除され、かつ電圧供給手段9の動
作により再びI.G.B.T.のゲートに駆動電圧が印加される
ことになる。すなわち、装置は発光前の初期状態に復帰
することになり、かかる時点で一回の発光動作が終了す
る。
After that, as shown in FIG. 2D, when the light emission stop command signal disappears at the time point t 4 when the period Ts has passed, the transistor 13 returns from on to off, and the gate of the IGBT.
The short circuit between the emitters is released, and the drive voltage is again applied to the gate of the IGBT by the operation of the voltage supply means 9. That is, the device returns to the initial state before light emission, and at this time point, one light emission operation ends.

なお、先に述べた発光停止命令信号の出力期間Tsについ
てさらに詳しく述べると、希望する発光動作が単発の発
光である場合には、グロー放電を防止する意味から1回
づつの発光動作において閃光放電管Xeの消弧時間の配慮
が必要となることは詳述するまでもない。すなわち、単
発発光の場合、上記期間Tsは閃光放電管Xeの消弧時間よ
り長くする必要がある。
The output period Ts of the light emission stop command signal described above will be described in more detail. When the desired light emission operation is single-shot light emission, flash discharge is performed in each light emission operation in order to prevent glow discharge. Needless to say, it is necessary to consider the extinction time of the pipe Xe. That is, in the case of single emission, the period Ts needs to be longer than the extinction time of the flash discharge tube Xe.

また、希望する発光動作が高速発光動作である場合に
は、上記配慮を行うと逆に不都合となり、すなわち、高
速発光動作中の個々の発光に対し上記Tsを設定すると所
望発光回数を実現できず、従って、かかる場合にはその
最終発光動作の終了時に対してのみ上記Tsで述べた閃光
放電管Xeの消弧時間をグロー放電を防止する意味で考慮
すれば良いことになる。
Also, if the desired light emission operation is a high-speed light emission operation, the above consideration is contrary to the inconvenience, that is, if the above Ts is set for each light emission during the high-speed light emission operation, the desired light emission number cannot be realized. Therefore, in such a case, it is only necessary to consider the extinction time of the flash discharge tube Xe described in Ts above for the end of the final light emitting operation in order to prevent glow discharge.

[実施例 2] 第3図は、本発明によるストロボ装置の第2実施例を示
す電気回路図であり、図中、第1図と同符号の構成要素
は同じ機能の要素である。
[Embodiment 2] FIG. 3 is an electric circuit diagram showing a second embodiment of the strobe device according to the present invention. In the figure, constituent elements having the same reference numerals as those in FIG. 1 are elements having the same function.

第3図からも明らかなように、この第2実施例は第1実
施例において主コンデンサCMであった電圧供給手段9の
電源を先に述べた従来例における定電圧回路2等の低圧
電源とした例である。
As is apparent from FIG. 3, this second embodiment uses the power supply of the voltage supply means 9 which was the main capacitor C M in the first embodiment as the low voltage power supply such as the constant voltage circuit 2 in the prior art described above. Is an example.

このため、I.G.B.T.の駆動電圧の供給源が異なるだけで
ストロボ装置としての動作は第1実施例と同一となる。
Therefore, the operation of the strobe device is the same as that of the first embodiment except that the supply source of the drive voltage for the IGBT is different.

すなわち、直流高圧電源が動作して主コンデンサCM等の
充電が開始されると同時に定電圧回路も動作し、これに
よりI.G.B.T.のゲートに所定電圧が印加され、I.G.B.T.
は導通準備状態になされる。
That is, the DC high-voltage power supply operates to start charging the main capacitors C M and the like, and at the same time, the constant voltage circuit also operates, whereby a predetermined voltage is applied to the gate of the IGBT,
Is ready for conduction.

SCR12のゲート12aに発光命令信号が供給され、トリガー
回路3が動作すると閃光放電管Xeは主コンデンサCの充
電電荷を消費して発光する。その発光途上においてトラ
ンジスタ13のベース13aに発光停止命令信号が供給され
ると、トランジスタ13がオンしてI.G.B.T.のゲート〜エ
ミッタ間を短絡し、よって閃光放電管Xeの発光が停止す
る。上記発光停止命令信号がなくなった時点でストロボ
装置は発光前の初期状態に復帰し、かかる時点で一回の
発光動作が終了することになり、以上の動作は先の第1
実施例とまったく同一となる。
When the light emission command signal is supplied to the gate 12a of the SCR12 and the trigger circuit 3 operates, the flash discharge tube Xe consumes the electric charge charged in the main capacitor C and emits light. When the light emission stop command signal is supplied to the base 13a of the transistor 13 during the light emission, the transistor 13 is turned on to short-circuit the gate and the emitter of the IGBT, and the light emission of the flash discharge tube Xe is stopped. When the light emission stop command signal disappears, the strobe device returns to the initial state before light emission, and at that time, one light emission operation ends, and the above operation is the same as the first operation.
It is exactly the same as the embodiment.

[実施例 3] 第4図は、本発明によるストロボ装置の第3実施例を示
す電気回路図であり、図中、第1図と同符号の構成要素
は同じ機能の要素である。
[Embodiment 3] FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a third embodiment of the strobe device according to the present invention. In the figure, constituent elements having the same reference numerals as those in FIG. 1 are elements having the same function.

第4図からも明らかなように、この第3実施例は電圧供
給手段9内にスイッチ素子としてのトランジスタ14、こ
のトランジスタ14の動作を制御するためのトランジスタ
15及びこのトランジスタ15の動作を制御する制御手段16
を設けた例である。
As is apparent from FIG. 4, in the third embodiment, the transistor 14 as the switch element in the voltage supply means 9 and the transistor for controlling the operation of the transistor 14 are provided.
15 and control means 16 for controlling the operation of the transistor 15.
Is an example in which is provided.

トランジスタ14はトランジスタ15がオンすることにより
オンし、I.G.B.T.のゲートへの電圧印加を行える状態を
形成する。また、トランジスタ15は制御手段16の動作状
態にてそのオン、オフが制御される。
The transistor 14 turns on when the transistor 15 turns on, forming a state in which a voltage can be applied to the gate of the IGBT. Further, the transistor 15 is controlled to be turned on and off by the operating state of the control means 16.

すなわち、第3実施例においてはI.G.B.T.のゲートへの
電圧印加タイミングを制御手段16の動作に基づくトラン
ジスタ14、15の動作にて制御できることになる。
That is, in the third embodiment, the voltage application timing to the gate of the IGBT can be controlled by the operation of the transistors 14 and 15 based on the operation of the control means 16.

例えば、直流高圧電源1の動作開始に応答して制御手段
16からトランジスタ15のベースに高レベル信号を供給す
ると、トランジスタ15がオンし、よってトランジスタ14
もオンし、装置は先の第1実施例と同様の回路状態とな
る。すなわち、電圧供給手段9が動作してI.G.B.T.のゲ
ートに所定電圧が印加され、I.G.B.T.は導通準備状態に
なされることになる。
For example, in response to the operation start of the DC high-voltage power supply 1, the control means
Applying a high-level signal from 16 to the base of transistor 15 turns on transistor 15 and thus transistor 14
Also, the device is in the same circuit state as that of the first embodiment. That is, the voltage supply means 9 operates to apply a predetermined voltage to the gate of the IGBT, and the IGBT is brought into the conduction preparation state.

逆に上記のような電圧供給状態において、トランジスタ
15のベースに制御手段16から低レベル信号を供給すると
トランジスタ15がオフし、よってトランジスタ14もオフ
し電圧供給手段9の動作は停止し、I.G.B.T.のゲートへ
の所定電圧の印加が停止せしめられることになる。
Conversely, in the voltage supply state as described above, the transistor
When a low level signal is supplied from the control means 16 to the base of the transistor 15, the transistor 15 is turned off, the transistor 14 is also turned off, the operation of the voltage supply means 9 is stopped, and the application of the predetermined voltage to the gate of the IGBT is stopped. become.

従って、例えば上記制御手段16を、電源の浪費を防止す
るために装置の動作開始から所定時間経過した後に直流
高圧電源1の動作を停止させるいわゆるオートオフ動作
に応答して上記低レベル信号の供給を行うようになして
おけば、上記オートオフ動作時、電源供給手段9による
主コンデンサCMの放電ループが形成されることはなく、
主コンデンサCMの充電電荷を上記オートオフ動作後の所
定期間高レベル状態に維持できることになる。従って、
エネルギーの有効利用を実現でき、すなわち、次回の発
光動作を行おうとする場合、主コンデンサCMの充電動作
を極短時間で行うことができることになる。
Therefore, for example, the control means 16 supplies the low level signal in response to a so-called auto-off operation in which the operation of the DC high-voltage power supply 1 is stopped after a predetermined time elapses from the start of operation of the device in order to prevent waste of power. By doing so, the discharge loop of the main capacitor C M by the power supply means 9 is not formed during the auto-off operation,
Therefore, the charge stored in the main capacitor C M can be maintained at the high level for a predetermined period after the auto-off operation. Therefore,
When the effective use of energy can be realized, that is, when the next light emitting operation is performed, the charging operation of the main capacitor C M can be performed in an extremely short time.

なお、トランジスタ14がオンし電圧供給手段9が動作し
ている状態において発光命令信号が供給されると閃光放
電管Xeが発光し、また発光停止命令信号が供給されると
閃光放電管Xeの発光が停止する等の動作は、先の第1あ
るいは第2実施例と同一の動作となることは詳述するま
でもない。
When the light emission command signal is supplied while the transistor 14 is turned on and the voltage supply means 9 is operating, the flash discharge tube Xe emits light, and when the light emission stop command signal is supplied, the flash discharge tube Xe emits light. It goes without saying that the operation such as the stop is the same as that of the first or second embodiment.

発明の効果 本発明によるストロボ装置は、上述したようにI.G.B.T.
のゲートへの所定電圧の印加を電圧供給手段により直流
高圧電源の動作開始に応答して行うことから、トリガー
信号に応答する構成が必要なくその印加構成を極めて簡
素化できる効果を有している。
EFFECTS OF THE INVENTION The strobe device according to the present invention is, as described above, the IGBT.
Since the predetermined voltage is applied to the gate of the device in response to the start of operation of the DC high voltage power supply by the voltage supply means, there is no need for a structure that responds to the trigger signal, and the application structure can be greatly simplified. .

また、トリガー信号、すなわち発光命令信号が供給され
る前にI.G.B.T.のゲートへの電圧印加がなされI.G.B.T.
が導通準備状態になされていることから、I.G.B.T.はト
リガー回路の動作時には必ず十分なオン状態になされて
おり、この結果トリガー回路の動作効率が悪化すること
はなく、またI.G.B.T.が破壊される恐れもなくなる効果
を有している。
In addition, the voltage is applied to the gate of the IGBT before the trigger signal, that is, the light emission command signal is supplied.
Since the IGBT is in the conduction preparation state, the IGBT is always in a sufficiently ON state when the trigger circuit operates, and as a result, the operating efficiency of the trigger circuit does not deteriorate and there is a risk that the IGBT will be destroyed. Has the effect of disappearing.

換言すれば、I.G.B.T.の動作をトリガー回路の動作タイ
ミングに関係なく、安定して行える効果を有しているわ
けである。
In other words, it has an effect that the operation of the IGBT can be stably performed regardless of the operation timing of the trigger circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明によるストロボ装置の第1実施例を示す
電気回路図、第2図は第1図中の所定地点の信号波形
図、第3図は本発明によるストロボ装置の第2実施例を
示す電気回路図、第4図は本発明によるストロボ装置の
第3実施例を示す電気回路図、第5図は特開昭64-17033
号公報に示された装置の一例を示す電気回路図である。 1……直流高圧電源、2……定電圧回路、3……トリガ
ー回路、8……直列接続体、9……電圧供給手段、10…
…抵抗、11……ツェナーダイオード、12……SCR、13、1
4、15……トランジスタ、16……制御手段
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a first embodiment of a strobe device according to the present invention, FIG. 2 is a signal waveform diagram at a predetermined point in FIG. 1, and FIG. 3 is a second embodiment of a strobe device according to the present invention. FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a flash device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an electric circuit diagram showing the same.
It is an electric circuit diagram which shows an example of the apparatus shown by the publication. 1 ... DC high voltage power supply, 2 ... Constant voltage circuit, 3 ... Trigger circuit, 8 ... Series connection body, 9 ... Voltage supply means, 10 ...
… Resistance, 11 …… Zener diode, 12 …… SCR, 13,1
4, 15 ... Transistor, 16 ... Control means

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】直流高圧電源と、該直流高圧電源の両端に
接続され、前記直流高圧電源が供給されることにより充
電される主コンデンサと、閃光放電管と絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタとを直列接続してなり、前記主コ
ンデンサの両端に接続される直列接続体と、前記直流高
圧電源の前記主コンデンサへの供給に同期して動作し、
前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートに駆
動電圧を供給する電圧供給手段と、発光命令信号が供給
される制御極を有するとともにその低電位側端子が前記
閃光放電管と絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとの
接続点に接続されたトリガースイッチ素子と、該トリガ
ースイッチ素子の動作に応答して前記閃光放電管を励起
するトリガー回路と、発光停止命令信号が供給される制
御極を有するとともにその主極間が前記絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタのゲート〜エミッタ間に接続され
る制御スイッチ素子とを備えたストロボ装置。
1. A DC high-voltage power supply, a main capacitor connected to both ends of the DC high-voltage power supply and charged by supplying the DC high-voltage power supply, a flash discharge tube and an insulated gate bipolar transistor are connected in series. And a serial connection body connected to both ends of the main capacitor, and operates in synchronization with the supply of the DC high-voltage power supply to the main capacitor,
The insulated gate bipolar transistor has a voltage supply means for supplying a drive voltage to the gate thereof, and a control pole to which a light emission command signal is supplied, and its low potential side terminal connects the flash discharge tube and the insulated gate bipolar transistor. A trigger switch element connected to the point, a trigger circuit that excites the flash discharge tube in response to the operation of the trigger switch element, and a control pole to which a light emission stop command signal is supplied, and between the main poles is the A strobe device comprising a control switch element connected between the gate and the emitter of an insulated gate bipolar transistor.
【請求項2】直流高圧電源と、該直流高圧電源の両端に
接続され、前記直流高圧電源が供給されることにより充
電される主コンデンサと、閃光放電管とダイオードと絶
縁ゲート型バイポーラトランジスタとを直列接続してな
り、前記主コンデンサの両端に接続される第1直列接続
体と、前記直流高圧電源の前記主コンデンサへの供給に
同期して動作し、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタのゲートに駆動電圧を供給する電圧供給手段と、発
光命令信号が供給される制御極を有するとともに低電位
側端子が前記ダイオードと絶縁ゲート型バイポーラトラ
ンジスタとの接続点に接続されたトリガースイッチ素子
と、該トリガースイッチ素子の動作に応答して前記閃光
放電管を励起するトリガー回路と、倍圧用コンデンサと
抵抗とを直列接続してなり、前記閃光放電管の両端に接
続される第2直列接続体と、発光停止命令信号が供給さ
れる制御極を有するとともに主極間が前記絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタのゲート〜エミッタ間に接続さ
れる制御スイッチ素子とを備えたストロボ装置。
2. A DC high voltage power supply, a main capacitor connected to both ends of the DC high voltage power supply and charged by the DC high voltage power supply, a flash discharge tube, a diode and an insulated gate bipolar transistor. A first series connection body, which is connected in series and is connected to both ends of the main capacitor, operates in synchronization with the supply of the DC high-voltage power supply to the main capacitor, and drives the gate of the insulated gate bipolar transistor. A trigger switch element having a voltage supply means for supplying a voltage, a control pole to which a light emission command signal is supplied, and a low potential side terminal connected to a connection point between the diode and an insulated gate bipolar transistor, and the trigger switch. A trigger circuit that excites the flash discharge tube in response to the operation of the element, a voltage doubler capacitor, and a resistor are connected in series. And a second series connection body connected to both ends of the flash discharge tube and a control pole to which a light emission stop command signal is supplied, and a main pole is connected between the gate and the emitter of the insulated gate bipolar transistor. Strobe device having a control switch element.
【請求項3】電圧供給手段は、主コンデンサの両端に接
続される抵抗と定電圧素子とを直列接続してなる直列体
から形成される請求項(1)または(2)に記載のスト
ロボ装置。
3. The strobe device according to claim 1, wherein the voltage supply means is formed of a series body in which a resistor connected to both ends of the main capacitor and a constant voltage element are connected in series. .
【請求項4】電圧供給手段は、直流高圧電源の動作に応
答して所定の定電圧を発生する定電圧電源からなる請求
項(1)または(2)に記載のストロボ装置。
4. The strobe device according to claim 1, wherein the voltage supply means comprises a constant voltage power source which generates a predetermined constant voltage in response to the operation of the DC high voltage power source.
【請求項5】電圧供給手段は、直流高圧電源の動作開始
時点及び動作開始から所定時間の経過時点に応答して動
作するスイッチ構成を含んで形成される請求項(1)な
いし(4)のいずれかに記載のストロボ装置。
5. The voltage supply means is formed by including a switch structure which operates in response to an operation start time point of the DC high voltage power supply and an elapse time point of a predetermined time from the operation start time. The strobe device according to any one.
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