JPH07129929A - Magneto-resistance effect type magnetic head - Google Patents

Magneto-resistance effect type magnetic head

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JPH07129929A
JPH07129929A JP27276393A JP27276393A JPH07129929A JP H07129929 A JPH07129929 A JP H07129929A JP 27276393 A JP27276393 A JP 27276393A JP 27276393 A JP27276393 A JP 27276393A JP H07129929 A JPH07129929 A JP H07129929A
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JP
Japan
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head
thin film
magnetic
magnetoresistive effect
gap
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JP27276393A
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Japanese (ja)
Inventor
Motoyoshi Tsujino
扶美 辻野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To make it hard to fetch unnecessary magnetic field in a sliding direction or a tracking direction, to drastically improve SN ratio at the time of reproducing, and to cope with making the rotating speed of a medium high, making a signal a short bit, and making the density of a track high by realizing thinning in the length of a reproducing gap and narrowing the track. CONSTITUTION:In an MR head where an MR element 4 is arranged so that its longitudinal direction may be perpendicular to an ABS surface 1; distances L1 and L2 between the MR element 4 and thin film magnetic cores 7 and 8 arranged above and below the element 4 in the same direction as a direction X passing on the medium are set to <=0.3mum and the width of the MR element 4 in a direction perpendicular to the direction passing on the medium is set to <=4mum.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に書き込まれた記録情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive magnetic head suitable for reading recorded information written on a hard disk, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のハードディスクの小型化,大容量
化の要求に伴い、高線記録密度化(高TPI化)が容易
な磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称す
る。)が注目されている。しかし、MRヘッドは再生専
用のヘッドであるため、ハードディスク用の磁気ヘッド
としては記録ヘッドである巻線型の薄膜磁気ヘッド(以
下、インダクティブヘッドと称する。)が必要になる。
2. Description of the Related Art With the recent demand for miniaturization and large capacity of hard disks, a magnetoresistive effect magnetic head (hereinafter referred to as MR head), which can easily achieve higher linear recording density (higher TPI), is attracting attention. Has been done. However, since the MR head is a read-only head, a winding type thin film magnetic head (hereinafter referred to as an inductive head) which is a recording head is required as a magnetic head for a hard disk.

【0003】これらMRヘッドとインダクティブヘッド
は、通常、スライダと称される基板上に積層形成され、
複合一体化される。すなわち、図12に示す如きAl2
3−Ti−C系の焼結体からなる基板101に、図1
3に示すようにスパッタリング、メッキ、フォトリソグ
ラフィ等の薄膜プロセスを用いてヘッド材料を積層し、
ヘッド素子(MRヘッドとインダクティブヘッドの複合
ヘッド)102を複数作製する。そして、図14に示す
ように、各ヘッドチップ毎に切り出し、外形寸法を決定
するための加工を施してスライダ103を作製する。し
かる後、図15に示すように、ヘッド端子電極にリード
線104をはんだ付けしてサスペンション機構105に
スライダ103を取り付けて完成する。
The MR head and the inductive head are usually laminated and formed on a substrate called a slider.
Combined and integrated. That is, Al 2 as shown in FIG.
The substrate 101 made of an O 3 —Ti—C-based sintered body has a structure shown in FIG.
As shown in 3, the head material is laminated using a thin film process such as sputtering, plating, photolithography,
A plurality of head elements (composite head of MR head and inductive head) 102 are manufactured. Then, as shown in FIG. 14, the slider 103 is manufactured by cutting out each head chip and performing a process for determining an outer dimension. Thereafter, as shown in FIG. 15, the lead wire 104 is soldered to the head terminal electrode and the slider 103 is attached to the suspension mechanism 105 to complete the process.

【0004】上記MRヘッドとインダクティブヘッドか
らなる複合型磁気ヘッドは、図16ないし図18に示す
ように、磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と称す
る。)106を一対の薄膜磁気コア107,108によ
って挟み込んだ,いわゆるシールド型のMRヘッドの上
に、一方の薄膜磁気コア108と、この薄膜磁気コア1
08上にヘッド巻線109を介して積層される薄膜磁気
コア110とによって閉磁路を構成するインダクティブ
ヘッドが、同一のスライダ103上に積層された構成と
なっている。
As shown in FIGS. 16 to 18, the composite magnetic head composed of the MR head and the inductive head has a magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as MR element) 106 as a pair of thin film magnetic cores 107 and 108. One thin film magnetic core 108 and this thin film magnetic core 1 are placed on a so-called shield type MR head sandwiched by
An inductive head that forms a closed magnetic circuit with the thin-film magnetic core 110 that is laminated on the 08 via the head winding 109 is laminated on the same slider 103.

【0005】すなわち、この複合型磁気ヘッドでは、M
R素子106を挟み込む一対の薄膜磁気コア107,1
08が、再生時に媒体からの磁界を選択的にMR素子1
06に引き込むための磁気シールドコアとして機能し、
その一方の薄膜磁気コア108とヘッド巻線109を挟
み込む薄膜磁気コア110が、記録時の誘導磁気コアと
しての機能を持った、つまり記録ギャップg1 と再生ギ
ャップg2 を別個に持った2ギャップタイプのヘッド構
成となっている。
That is, in this composite magnetic head, M
A pair of thin film magnetic cores 107, 1 sandwiching the R element 106
08 selectively selects the magnetic field from the medium during reproduction.
It functions as a magnetic shield core for drawing into 06,
A thin film magnetic core 110 sandwiching the head winding 109 and the thin film magnetic core 108 on one side has a function as an induction magnetic core at the time of recording, that is, two gaps having a recording gap g 1 and a reproducing gap g 2 separately. It has a type head configuration.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、MRヘッド
の再生ギャップ長は、MR素子106とその上下に設け
られる各薄膜磁気コア107,108との間の線記録方
向における対向距離で表される。かかるヘッドの場合に
は、下層の薄膜磁気コア107とMR素子106間の距
離が下層の再生ギャップ長、上層の薄膜磁気コア108
とMR素子106間の距離が上層の再生ギャップ長とな
る。
The reproducing gap length of the MR head is represented by the facing distance in the linear recording direction between the MR element 106 and the thin film magnetic cores 107 and 108 provided above and below it. In the case of such a head, the distance between the lower layer thin film magnetic core 107 and the MR element 106 is the lower layer reproduction gap length, and the upper layer thin film magnetic core 108.
The distance between the MR element 106 and the MR element 106 becomes the reproduction gap length of the upper layer.

【0007】再生ギャップ長が長いと、図19(a)に
示すように、媒体111からの磁束を多く引き込めるた
め、信号検出の際の出力が大きくとれるという利点があ
る。しかし、この反面、不必要な磁束までも拾い易くな
るために、SN比が低下する。また、高密度化・高転送
レート化のため媒体111とヘッドとの相対速度を高め
ると、回転方向の不必要な磁界をMR素子106が取り
入れ易くなり、やはりSN比の低下を招くことになる。
When the reproduction gap length is long, as shown in FIG. 19A, a large amount of magnetic flux from the medium 111 is drawn in, so that there is an advantage that a large output can be obtained at the time of signal detection. However, on the other hand, since it is easy to pick up even unnecessary magnetic flux, the SN ratio decreases. Further, if the relative speed between the medium 111 and the head is increased to increase the density and transfer rate, the MR element 106 easily takes in an unnecessary magnetic field in the rotating direction, which also causes a decrease in the SN ratio. .

【0008】これに対し、再生ギャップ長が短い場合
は、図19(b)に示すように、ギャップ近傍部の磁束
のみを引き込むことから、高密度に記録された情報を読
み取れることができ、しかも媒体111とヘッドの相対
速度を高めても不必要な磁界を取り込むことがなく、S
N比の低下は生じない。
On the other hand, when the reproduction gap length is short, only the magnetic flux in the vicinity of the gap is drawn in as shown in FIG. 19B, so that the information recorded at high density can be read, and Even if the relative speed between the medium 111 and the head is increased, an unnecessary magnetic field is not taken in, and S
No decrease in N ratio occurs.

【0009】ところが、再生ギャップ長を短くし過ぎる
と、MR素子106と薄膜磁気コア107,108との
距離が近くなり過ぎてショート(短絡)する虞れがあ
る。このため、これまでは磁気的・電気的絶縁性の信頼
性を確保すべく、再生ギャップ長を0.3μmよりも長
くせざるをえなかった。つまり、MR素子106と薄膜
磁気コア107,108間に設けられる絶縁膜(ギャッ
プ膜)を単に薄膜磁気コア107上に成膜しただけで
は、その後のエッチング工程等で絶縁膜が叩かれるため
信頼性を損なってしまい、膜厚の薄型化に限界がある。
However, if the reproducing gap length is made too short, the distance between the MR element 106 and the thin film magnetic cores 107, 108 becomes too short, which may cause a short circuit. For this reason, until now, in order to secure the reliability of the magnetic and electrical insulating properties, the reproduction gap length had to be made longer than 0.3 μm. That is, if the insulating film (gap film) provided between the MR element 106 and the thin film magnetic cores 107 and 108 is simply formed on the thin film magnetic core 107, the insulating film is hit in the subsequent etching process or the like, so that the reliability is improved. Is impaired, and there is a limit to thinning the film thickness.

【0010】一方、MRヘッドの再生トラック幅は、図
17に示すように、媒体上を通過する方向と垂直な方向
のMR素子106の幅Wで決まる。このMR素子106
の幅Wが広いと、高記録密度化された媒体に対しては、
再生時に該当トラック以外の隣接トラック情報をもノイ
ズとして再生してしまい、再生出力のSN比の低下を招
いてしまう。
On the other hand, the reproducing track width of the MR head is determined by the width W of the MR element 106 in the direction perpendicular to the direction of passage on the medium, as shown in FIG. This MR element 106
If the width W of the recording medium is wide,
At the time of reproduction, adjacent track information other than the corresponding track is also reproduced as noise, resulting in a reduction in the SN ratio of the reproduction output.

【0011】これに対して、MR素子106の幅Wを狭
くすると、上記問題は解消するが、磁気異方性が不安定
となり、磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズが発生
し、再生出力が不安定になる。MR素子106の磁気異
方性を安定なものとなすためには、Ni−Feを蒸着し
て成膜する際に、トラック幅方向に外部磁場を印加すれ
ばよいが、その効果が得られるのはMR素子106の幅
Wが5μm以上としなければならない。つまり、再生ト
ラックの狭小化に支障を来すことになる。
On the other hand, if the width W of the MR element 106 is narrowed, the above problem is solved, but the magnetic anisotropy becomes unstable, and Barkhausen noise is generated due to the movement of the domain wall, and the reproduction output is unsatisfactory. Be stable. In order to stabilize the magnetic anisotropy of the MR element 106, an external magnetic field may be applied in the track width direction at the time of depositing Ni—Fe to form a film, but the effect is obtained. The width W of the MR element 106 must be 5 μm or more. In other words, this will hinder the narrowing of the reproduction track.

【0012】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、再生ギャッ
プ長の薄型化及び狭トラック化により、摺動方向やトラ
ック方向の不必要な磁界を取り込み難くし、再生時のS
N比を大幅に向上させることができ、且つ媒体の高回転
化・信号の短ビット化・高トラック密度化に対応できる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned technical problems of the related art, and by making the reproducing gap length thin and narrowing the track, the sliding direction and the track direction are unnecessary. It is difficult to capture the magnetic field and S during playback
It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive effect magnetic head capable of significantly improving the N ratio and capable of coping with higher medium rotation, shorter signal bit length, and higher track density.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、磁気記録媒体との対接面に一端縁が臨
むと共に、この対接面に対してその長手方向が垂直とな
るように配される磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒
体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層
される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積
層される後端電極と、上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層
を介してこの磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体と、上記先端電極と後端電極が積層され
た磁気抵抗効果素子及びバイアス導体を挟み込む一対の
薄膜磁気コアとを備えてなり、媒体上を通過する方向と
同方向の磁気抵抗効果素子と上下に配される薄膜磁気コ
アとの間隔がいずれも0.3μm以下であり、且つ媒体
上を通過する方向と垂直な方向の磁気抵抗効果素子の幅
が4μm以下であることを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, according to the present invention, one end edge faces a contact surface with a magnetic recording medium, and its longitudinal direction is perpendicular to the contact surface. A magnetoresistive effect element arranged so as to face the contact surface of the magnetic recording medium, and a tip electrode laminated on the tip side of the magnetoresistive element, and laminated on the rear end side of the magnetoresistive element. A rear end electrode, a bias conductor for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element via an insulating layer on the magnetoresistive effect element, and a magnetoresistive effect element in which the front end electrode and the rear end electrode are laminated, A pair of thin film magnetic cores sandwiching a bias conductor are provided, and a gap between the magnetoresistive effect element in the same direction as the direction of passing on the medium and the thin film magnetic cores arranged above and below is 0.3 μm or less. , And the direction of passing over the medium Width of the vertical direction of the magnetoresistive element is characterized in that it is 4μm or less.

【0014】これまでの技術では、再生ギャップ長を
0.3μm以下とすることができなかったが、プロセス
技術の向上により0.3μm以下が可能となった。例え
ば、再生ギャップのデプス部分を除く薄膜磁気コア上に
電気的・磁気的絶縁性を確保する絶縁膜を形成し、その
上にギャップ膜を成膜する。または、再生ギャップのデ
プス部分を除く薄膜磁気コアに溝を設け、この溝内に電
気的・磁気的絶縁性を確保する絶縁膜を形成し、その上
にギャップ膜を成膜する。このようにすることで、デプ
ス部分までは再生ギャップ長が0.3μm以下となり、
それ以外の部分では絶縁層によりMR素子と薄膜磁気コ
アとの絶縁性が確保できる。
With the conventional technology, the reproduction gap length could not be reduced to 0.3 μm or less, but with the improvement of the process technology, the reproduction gap length can be reduced to 0.3 μm or less. For example, an insulating film that secures electrical / magnetic insulation is formed on the thin film magnetic core excluding the depth portion of the reproducing gap, and the gap film is formed thereon. Alternatively, a groove is provided in the thin film magnetic core except the depth portion of the reproduction gap, an insulating film that secures electrical / magnetic insulation is formed in the groove, and the gap film is formed thereon. By doing this, the reproduction gap length is 0.3 μm or less up to the depth,
In the other parts, the insulating layer ensures the insulation between the MR element and the thin film magnetic core.

【0015】一方、MR素子の幅を4μm以下とした場
合でも磁気異方性を安定なものとなすには、MR素子の
エッジをシャープにする、或いはMR素子を蒸着によっ
て成膜する際に印加磁場を強くする等の方法がある。
On the other hand, in order to stabilize the magnetic anisotropy even when the width of the MR element is 4 μm or less, the edge of the MR element is sharpened or applied when the MR element is formed by vapor deposition. There are methods such as strengthening the magnetic field.

【0016】[0016]

【作用】本発明においては、MR素子とその上下に配さ
れる薄膜磁気コアとの間隔,すなわち再生ギャップ長を
0.3μm以下とし、且つトラック幅となるMR素子の
幅を4μm以下としているので、摺動方向やトラック方
向の不必要な磁界が取り込み難くなり、また、再生時の
SN比が向上する。したがって、媒体の高回転化・信号
の短ビット化・高トラック密度化に対応可能となる。
In the present invention, the distance between the MR element and the thin film magnetic cores arranged above and below the MR element, that is, the reproducing gap length is 0.3 μm or less, and the width of the MR element as the track width is 4 μm or less. It becomes difficult to take in an unnecessary magnetic field in the sliding direction and the track direction, and the SN ratio at the time of reproduction is improved. Therefore, it is possible to cope with the high rotation of the medium, the short bit of the signal, and the high track density.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
MRヘッドとインダクティブヘッドを同一のスライダー
上に積層形成し、再生ギャップと記録ギャップを別個に
持つ2ギャップ型の複合型磁気ヘッドの例である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings. In this example,
This is an example of a two-gap type composite magnetic head in which an MR head and an inductive head are laminated and formed on the same slider, and a reproducing gap and a recording gap are separately provided.

【0018】複合型磁気ヘッドは、図1ないし図3に示
すように、ハードディスクとの対接面となるABS面
(エア・ベアリング・サーフエス面)1に再生用磁気ギ
ャップg1 を臨ませるMRヘッドと、このABS面1に
記録用磁気ギャップg2 を臨ませるインダクティブヘッ
ドをAl2 3 −TiC基板等からなるスライダ2の一
側面上に積層形成した,いわゆる3ポールタイプのヘッ
ド構成とされている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the composite type magnetic head is an MR head in which a reproducing magnetic gap g 1 is exposed on an ABS surface (air bearing surface) 1 which is a contact surface with a hard disk. And an inductive head for exposing the recording magnetic gap g 2 on the ABS 1 is laminated on one side surface of the slider 2 made of an Al 2 O 3 —TiC substrate or the like to form a so-called 3-pole type head configuration. There is.

【0019】MRヘッドは、図3に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極3a,3b(以下、ABS
面1側に設けられる電極3aを先端電極3a、後端側に
設けられる電極3bを後端電極3bと称する。)が積層
されたMR素子4と、このMR素子4に所要の向きの磁
界状態を与えるバイアス導体5とからなる。
As shown in FIG. 3, the MR head has a pair of electrodes 3a and 3b (hereinafter referred to as ABS) for passing a sense current from a constant current source (not shown) to the front end and the rear end, respectively.
The electrode 3a provided on the surface 1 side is referred to as a front end electrode 3a, and the electrode 3b provided on the rear end side is referred to as a rear end electrode 3b. ) Are laminated, and a bias conductor 5 which gives the MR element 4 a magnetic field state in a desired direction.

【0020】MR素子4は、その長手方向が上記ABS
面1に対して垂直となるように設けられると共に、その
一端縁が上記ABS面1に臨むようになされている。ま
た、このMR素子4は、例えばSiO2 等よりなる非磁
性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のMR薄膜を
積層した積層膜構成とされ、バルクハウゼンノイズの発
生が回避されるようになっている。なお、MR薄膜は、
例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚
が数百オングストローム程度とされる。
The MR element 4 has the longitudinal direction of the ABS element.
It is provided so as to be perpendicular to the surface 1, and one edge thereof faces the ABS surface 1. Further, the MR element 4 has a laminated film structure in which a pair of MR thin films that are magnetostatically coupled via a non-magnetic insulating layer made of, for example, SiO 2 is laminated, and Barkhausen noise is prevented from occurring. It is like this. The MR thin film is
For example, it is made of a ferromagnetic thin film such as permalloy and has a film thickness of about several hundred angstroms.

【0021】先端電極3aは、その一側縁がABS面1
に臨むようにしてMR素子4の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極3aは、後述の後端電極3bとの間
に電流を流してMR素子4にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する他、再生用磁気ギャップg1 の上
層ギャップ膜としても機能するようになっている。
One end of the tip electrode 3a has an ABS surface 1
Is laminated on the front end portion of the MR element 4 so as to face the above. The tip electrode 3a has a function as an electrode for supplying a sense current to the MR element 4 by passing a current between it and a rear electrode 3b which will be described later, and also as an upper layer gap film for the reproducing magnetic gap g 1. It is supposed to do.

【0022】一方、後端電極3bは、MR素子4の後端
部に直接積層してバック側に延在して設けられ、当該M
R素子4と電気的に接続するようになされている。
On the other hand, the rear end electrode 3b is provided directly on the rear end portion of the MR element 4 so as to extend to the back side.
The R element 4 is electrically connected.

【0023】上記バイアス導体5は、MR素子4上に設
けられた絶縁層6上に、このMR素子4に対して略直交
する方向(図1の紙面に対して垂直な方向)、つまりM
R素子4を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体5の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がMR素子4の長手
方向に印加されることになる。
The bias conductor 5 is provided on the insulating layer 6 provided on the MR element 4 in a direction substantially perpendicular to the MR element 4 (direction perpendicular to the plane of FIG. 1), that is, M.
It is provided so as to cross the R element 4. A bias current from a DC power supply is applied to both ends of the bias conductor 5. Therefore, the direct currents supplied from the both terminal portions flow in the track width direction, and the resulting bias magnetic field is applied in the longitudinal direction of the MR element 4.

【0024】そして、かかるMRヘッドにおいては、上
記MR素子4を絶縁層6を介してパーマロイ(Ni−F
e)等の磁性体からなる第1の薄膜磁気コア7と第2の
薄膜磁気コア8とで挟み込んだ,いわゆるシールド型構
成とされている。
In this MR head, the MR element 4 is connected to the permalloy (Ni--F) via the insulating layer 6.
The so-called shield type structure is sandwiched between the first thin film magnetic core 7 and the second thin film magnetic core 8 made of a magnetic material such as e).

【0025】MR素子4の下側に設けられる第1の薄膜
磁気コア7は、上記スライダ2上に上記ABS面1にそ
の一端を臨ませるようにしてこのABS面1に対して垂
直にバック側へ延在するようにして設けられている。そ
して、この第1の薄膜磁気コア7とMR素子4との間に
は、再生用磁気ギャップg1 の下層ギャップ膜として機
能する絶縁膜14が設けられている。
The first thin film magnetic core 7 provided on the lower side of the MR element 4 is perpendicular to the ABS surface 1 so that one end of the first thin film magnetic core 7 faces the ABS surface 1 on the slider 2. It is provided so as to extend to. An insulating film 14 that functions as a lower gap film of the reproducing magnetic gap g 1 is provided between the first thin film magnetic core 7 and the MR element 4.

【0026】一方、これに対向して設けられる他方の第
2の薄膜磁気コア8は、先の第1の薄膜磁気コア7と同
様に上記ABS面1にその一端を臨ませるようにして、
その先端部に再生用磁気ギャップg1 を構成すると共
に、このABS面1に対して垂直にバック側へ延在して
設けられている。
On the other hand, the other second thin film magnetic core 8 provided so as to be opposed to the second thin film magnetic core 8 has one end thereof facing the ABS 1 like the first thin film magnetic core 7.
A reproducing magnetic gap g 1 is formed at the tip portion thereof, and is provided so as to extend perpendicularly to the ABS surface 1 toward the back side.

【0027】一方、インダクティブヘッドは、上記MR
素子4のシールドコアとして機能する第2の薄膜磁気コ
ア8を一方の薄膜磁気コアとし、この第2の薄膜磁気コ
ア8に対向して積層される第3の薄膜磁気コア9とによ
って上記ABS面1に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップg2 を構成するようになっている。
On the other hand, the inductive head is the MR
The second thin film magnetic core 8 functioning as the shield core of the element 4 is used as one thin film magnetic core, and the ABS surface is formed by the third thin film magnetic core 9 which is laminated facing the second thin film magnetic core 8. The recording magnetic gap g 2 is formed between the front ends of the recording magnetic gap g.

【0028】すなわち、第2の薄膜磁気コア8に対向し
て積層される第3の薄膜磁気コア9は、上記ABS面1
に臨む前方端部でこの第2の薄膜磁気コア8側に屈曲さ
れ、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャ
ップg2 を構成するようになっている。なお、この第3
の薄膜磁気コア9は、後方端部で上記第2の薄膜磁気コ
ア8と磁気的に接触するようになっている。
That is, the third thin film magnetic core 9 laminated so as to face the second thin film magnetic core 8 has the ABS surface 1
The recording magnetic gap g 2 is formed at the opposite end where the gap is narrowed by being bent toward the side of the second thin film magnetic core 8 at the front end portion facing to. In addition, this third
The thin film magnetic core 9 is magnetically contacted with the second thin film magnetic core 8 at the rear end.

【0029】そして、上記第3の薄膜磁気コア9と第2
の薄膜磁気コア8の接続部である磁気的結合部10に
は、この磁気的結合部10を取り囲むようにしてスパイ
ラル状のヘッド巻線11が設けられている。ヘッド巻線
11は、第3の薄膜磁気コア9と第2の薄膜磁気コア8
間の絶縁性を確保するために、絶縁層12によって埋め
込まれている。
Then, the third thin film magnetic core 9 and the second thin film magnetic core 9
In the magnetic coupling portion 10 which is the connection portion of the thin film magnetic core 8, the spiral head winding 11 is provided so as to surround the magnetic coupling portion 10. The head winding 11 includes a third thin film magnetic core 9 and a second thin film magnetic core 8.
An insulating layer 12 is embedded in order to secure insulation between them.

【0030】なお、第3の薄膜磁気コア9の上には、上
記スライダ2上に積層されるMRヘッドとインダクティ
ブヘッドを保護するための保護層13が形成されてい
る。
A protective layer 13 for protecting the MR head and the inductive head laminated on the slider 2 is formed on the third thin film magnetic core 9.

【0031】そして特に本実施例では、図3中矢印Xで
示す媒体上を通過する方向と同方向のMR素子4と、そ
の上下に配される各薄膜磁気コア7,8との距離L1
2(以下、再生ギャップ長L1 ,L2 と称する。)が
いずれも0.3μm以下とされている。すなわち、MR
素子4と第1の薄膜磁気コア7との対向距離L1 (絶縁
膜14の膜厚に相当する。)が0.3μm、MR素子4
と第2の薄膜磁気コア8との対向距離L2 (先端電極3
aの厚みに相当する。)が0.3μm以下となってい
る。
In particular, in this embodiment, the distance L 1 between the MR element 4 in the same direction as the direction of passing on the medium indicated by the arrow X in FIG. 3 and the thin film magnetic cores 7 and 8 arranged above and below the MR element 4 is shown. ,
L 2 (hereinafter, referred to as reproduction gap lengths L 1 and L 2 ) are both 0.3 μm or less. That is, MR
The facing distance L 1 between the element 4 and the first thin-film magnetic core 7 (corresponding to the thickness of the insulating film 14) is 0.3 μm, and the MR element 4
And the second thin film magnetic core 8 facing each other L 2 (tip electrode 3
It corresponds to the thickness of a. ) Is 0.3 μm or less.

【0032】再生ギャップ長L1 ,L2 を0.3μm以
下とするのは、次のことに基づく。例えば、記録密度2
00Mb/inch2 以上を達成するために、トラック
密度を4000TPIとすれば、線記録密度は(200
Mb/inch2 ÷4000TPI)50KFCI以上
必要となる。そこで、D70(記録周波数を上げていった
ときに、出力が70%に落ちた時点での1インチ当たり
の磁化反転数)が50KFCI以上になるのは、ギャッ
プ長が0.3μm以下となる。実用上、ハードディスク
ドライブ装置で使える線記録密度は、ヘッドの出力が約
70%〜100%と考えると、200Mb/inch2
以上を4000TPIで達成するために、ギャップ長が
0.3μm以下でなければならない。
The reason why the reproduction gap lengths L 1 and L 2 are set to 0.3 μm or less is based on the following. For example, recording density 2
If the track density is set to 4000 TPI in order to achieve 00 Mb / inch 2 or more, the linear recording density is (200
Mb / inch 2 ÷ 4000 TPI) 50KFCI or more is required. Therefore, D 70 (the number of magnetization reversals per inch at the time when the output drops to 70% when the recording frequency is increased) is 50 KFCI or more when the gap length is 0.3 μm or less. . In practice, the linear recording density that can be used in a hard disk drive device is 200 Mb / inch 2 when the head output is about 70% to 100%.
In order to achieve the above at 4000 TPI, the gap length must be 0.3 μm or less.

【0033】また、この磁気ヘッドでは、図2に示すよ
うに媒体上を通過する方向Xと垂直な方向YのMR素子
4の幅Wが4μm以下とされている。つまり、再生用磁
気ギャップg1 ,g2 のトラック幅が4μm以下となっ
ている。例えば、トラック密度を4000TPI以上と
する場合には、実効トラック幅は4μm以下にしなけれ
ばならない。ここで、実効トラック幅には、MR素子4
の幅Wにフリンジング分を考慮しなければならない。つ
まり、実効トラック幅≧MR素子の幅となる。したがっ
て、トラック密度を4000TPI以上を得るために
は、4≧実効トラック幅となるので、結果的に4≦MR
素子の幅となる。
Further, in this magnetic head, as shown in FIG. 2, the width W of the MR element 4 in the direction Y perpendicular to the direction X on the medium is 4 μm or less. That is, the track width of the reproducing magnetic gaps g 1 and g 2 is 4 μm or less. For example, when the track density is 4000 TPI or more, the effective track width must be 4 μm or less. Here, the effective track width includes the MR element 4
The width W must be taken into consideration for fringing. That is, the effective track width ≧ the width of the MR element. Therefore, in order to obtain the track density of 4000 TPI or more, 4 ≧ effective track width, so that 4 ≦ MR
It is the width of the element.

【0034】以上のように、再生ギャップ長L1 ,L2
を0.3μm以下、MR素子4の幅W(トラック幅)を
4μm以下のように狭ギャップ化及び狭トラック化する
ことにより、再生時のSN比が向上し、媒体の高回転化
・信号の短ビット化,高トラック密度化に対応でき、ハ
ードディスクドライブ装置の高記録密度化及び高転送レ
ート化を図ることができる。
As described above, the reproduction gap lengths L 1 and L 2
Is 0.3 μm or less and the width W (track width) of the MR element 4 is 4 μm or less so that the SN ratio at the time of reproduction is improved, the rotation speed of the medium is increased, and the signal is reproduced. It is possible to cope with shorter bit length and higher track density, and it is possible to achieve higher recording density and higher transfer rate of the hard disk drive device.

【0035】次に、上述の複合型磁気ヘッドの製造方法
について、その工程順に従って説明する。先ず、図4
(a),(b)に示すように、Al2 3 −TiC基板
等からなるスライダ15上にスパッタリング等によっ
て、例えばFe−Si−Al系の磁性材からなる1層目
のシールド磁性体である第1の薄膜磁気コア16を形成
する。第1の薄膜磁気コア16は、再生用磁気ギャップ
が形成されるフロント部分が幅狭でバック側に亘ってそ
のコア幅が広くなるようなパターンとして形成される。
Next, a method for manufacturing the above-mentioned composite magnetic head will be described in the order of the steps. First, FIG.
As shown in (a) and (b), a first-layer shield magnetic body made of, for example, an Fe—Si—Al magnetic material is formed on the slider 15 made of an Al 2 O 3 —TiC substrate or the like by sputtering or the like. A first thin film magnetic core 16 is formed. The first thin film magnetic core 16 is formed as a pattern in which the front portion where the reproducing magnetic gap is formed is narrow and the core width is wide across the back side.

【0036】次に、図5(a),(b)に示すように、
第1の薄膜磁気コア16上に、例えばAl2 3 等の絶
縁材料をスパッタリング等によって所定の膜厚(0.3
μm以下)よりも厚め、例えば0.4μm程度に成膜し
て下層ギャップ膜17を形成する。なお、図5(a)で
は、下層ギャップ膜17の図示を省略する。しかる後、
下層ギャップ膜17を滑らかにし且つ下層ギャップ厚と
してのAl 2 3 厚を制御するために鏡面研磨用の布等
で研磨を施し、当該下層ギャップ膜17の膜厚を0.3
μm以下の例えば0.2μmにする。
Next, as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b),
On the first thin film magnetic core 16, for example, Al2O3Etc.
The edge material is sputtered or the like to a predetermined film thickness (0.3
(less than or equal to μm), for example, form a film with a thickness of about 0.4 μm
As a result, the lower gap film 17 is formed. In addition, in FIG.
The lower gap film 17 is not shown. After that,
The lower gap film 17 is smoothed and the lower gap thickness is
Then Al 2O3Cloth for mirror polishing to control the thickness
Polishing is performed to reduce the thickness of the lower gap film 17 to 0.3.
For example, it is 0.2 μm or less.

【0037】次に、図6(a),(b)に示すように、
下層ギャップ膜17上に順次Ni−Feを40nm、A
2 3 を10nm、Ni−Feを40nm成膜する。
次いで、MR保護層として例えばAl2 3 を20nm
蒸着やスパッタリング等によって成膜した後、フォトレ
ジストによるパターンニング・イオンエッチングにより
素子幅Wを4μm以下としたMR素子18を形成する。
Next, as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b),
Ni-Fe of 40 nm and A on the lower gap film 17 are sequentially formed.
I 2 O 3 is deposited to a thickness of 10 nm and Ni-Fe is deposited to a thickness of 40 nm.
Then, for example, Al 2 O 3 having a thickness of 20 nm is used as an MR protective layer.
After forming a film by vapor deposition, sputtering, or the like, the MR element 18 having an element width W of 4 μm or less is formed by patterning / ion etching with a photoresist.

【0038】続いて、図7(a),(b)に示すよう
に、MR素子18と後述の工程で作成するバイアス導体
とを絶縁するための例えば500nm厚のSiO2 等よ
りなる絶縁層19をスパッタリング等によって成膜す
る。しかる後、MR素子18の摺動面でない側の電極作
成のために、絶縁層19の一部を除去して電極接続孔2
0を形成する。
Subsequently, as shown in FIGS. 7A and 7B, an insulating layer 19 made of, for example, 500 nm-thick SiO 2 or the like for insulating the MR element 18 from a bias conductor formed in a process described later. Is formed by sputtering or the like. Then, in order to form an electrode on the side of the MR element 18 which is not the sliding surface, a part of the insulating layer 19 is removed and the electrode connection hole 2 is formed.
Form 0.

【0039】次に、MR素子18上に絶縁層19を介し
てバイアス導体21を形成すると共に、上記電極接続孔
20を介してMR素子18の後端に電気的に接続するよ
うに後端電極22を形成する。バイアス導体21は、M
R素子18の長手方向に対して略直交する方向にABS
面に沿って形成する。一方、後端電極22は、MR素子
18の延在方向に沿って形成する。なお、これらバイア
ス導体21と後端電極22は、いずれもCu等をスパッ
タリング等した後、エッチングする等して所定パターン
とする。
Next, the bias conductor 21 is formed on the MR element 18 via the insulating layer 19, and the rear end electrode is electrically connected to the rear end of the MR element 18 via the electrode connection hole 20. 22 is formed. The bias conductor 21 is M
ABS in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the R element 18.
Form along the surface. On the other hand, the rear end electrode 22 is formed along the extending direction of the MR element 18. The bias conductor 21 and the rear end electrode 22 are formed into a predetermined pattern by etching Cu or the like after sputtering Cu or the like.

【0040】次に、図8(a),(b)に示すように、
バイアス導体21及び後端電極22と後述の工程で作成
される第2の薄膜磁気コアとの絶縁をとるために、例え
ば500nm厚程度にSiO2 等よりなる絶縁層23を
スパッタリング等によって成膜する。続いて、図9
(a),(b)に示すように、MR素子18のABS面
側の先端電極を形成するために、絶縁層19,23を除
去して電極接続孔24を形成し、当該MR素子18の先
端部を露出させる。
Next, as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b),
In order to insulate the bias conductor 21 and the rear end electrode 22 from the second thin film magnetic core formed in a process described later, an insulating layer 23 made of SiO 2 or the like is formed to a thickness of about 500 nm by sputtering or the like. . Then, in FIG.
As shown in (a) and (b), in order to form the tip electrode on the ABS surface side of the MR element 18, the insulating layers 19 and 23 are removed and the electrode connection hole 24 is formed. Expose the tip.

【0041】次に、図10に示すように、上記電極接続
孔24が形成される部分に非磁性且つ導電性を有するT
i等をスパッタリング等によってその膜厚が0.3μm
以下となるように成膜する。そして、フォトレジストに
よるパターニング・リアクティブイオンエッチング等に
よって、下層ギャップ膜としても機能する先端電極25
を形成する。
Next, as shown in FIG. 10, the non-magnetic and conductive T is formed in the portion where the electrode connection hole 24 is formed.
The film thickness of i etc. is 0.3 μm by sputtering etc.
The film is formed as follows. Then, by patterning with a photoresist, reactive ion etching, or the like, the tip electrode 25 that also functions as the lower gap film.
To form.

【0042】次に、図11(a),(b)に示すよう
に、Ni−Feをメッキ等によって形成することによっ
て、第2の薄膜磁気コア26を形成する。そして、この
第2の薄膜磁気コア26を接地するために、当該第2の
薄膜磁気コア26のバック側に接地電極(GND電極)
27を形成する。
Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the second thin film magnetic core 26 is formed by forming Ni--Fe by plating or the like. Then, in order to ground the second thin film magnetic core 26, a ground electrode (GND electrode) is provided on the back side of the second thin film magnetic core 26.
27 is formed.

【0043】以上の工程でMRヘッドが完成する。その
後、かかるMRヘッド上にインダクティブヘッドを形成
する。なお、インダクティブヘッドの製造方法を説明す
るに当たっては、図示は省略して説明する。インダクテ
ィブヘッドを形成するには、先ず、第2の薄膜磁気コア
26上にヘッド巻線をスパイラル状に絶縁層(いずれも
図示を省略する。)によって埋め尽くす形で形成する。
The MR head is completed through the above steps. Then, an inductive head is formed on the MR head. It should be noted that in describing the method of manufacturing the inductive head, the illustration is omitted. In order to form the inductive head, first, the head winding is formed on the second thin film magnetic core 26 in a spiral shape so as to be completely filled with an insulating layer (all are not shown).

【0044】そして、上記ヘッド巻線を覆うようにして
第3の薄膜磁気コア(図示は省略する。)を積層するこ
とによって、ABS面側に記録用磁気ギャップを形成し
たインダクティブヘッドを完成させる。しかる後、MR
ヘッドとインダクティブヘッドを保護すべく、第3の薄
膜磁気コア上に保護層を形成する。
Then, by laminating a third thin film magnetic core (not shown) so as to cover the head winding, an inductive head having a recording magnetic gap formed on the ABS side is completed. After that, MR
A protective layer is formed on the third thin film magnetic core to protect the head and the inductive head.

【0045】そして最後に、記録用磁気ギャップと再生
用磁気ギャップがそれぞれ所定のデプスとなるようにA
BS面となる主面を研磨して複合型磁気ヘッドを完成す
る。
Finally, A is set so that the recording magnetic gap and the reproducing magnetic gap each have a predetermined depth.
The main surface, which is the BS surface, is polished to complete the composite magnetic head.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、MR素子とそ
の上下に配される薄膜磁気コアとの間隔,すなわち再生
ギャップ長を0.3μm以下とし、且つMR素子の幅を
4μm以下としているので、摺動方向やトラック方向の
不必要な磁界の取り込みを減少させることができ、その
結果再生時のSN比を大幅に向上させることができる。
したがって、媒体の高回転化・信号の短ビット化・高ト
ラック密度化に対応でき、ハードディスクドライブ装置
の高密度化及び高転送レート化を図ることができる。
As is clear from the above description, according to the magnetoresistive effect magnetic head of the present invention, the gap between the MR element and the thin film magnetic cores arranged above and below the MR element, that is, the reproducing gap length is 0. Since the width of the MR element is less than 3 μm and the width of the MR element is less than 4 μm, unnecessary magnetic field in the sliding direction and the track direction can be reduced, and as a result, the SN ratio during reproduction can be significantly improved. You can
Therefore, it is possible to cope with the high rotation of the medium, the short bit of the signal, and the high track density, and it is possible to achieve the high density and high transfer rate of the hard disk drive device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】複合型磁気ヘッドの拡大縦断面図である。FIG. 1 is an enlarged vertical sectional view of a composite magnetic head.

【図2】複合型磁気ヘッドの要部拡大横断面図である。FIG. 2 is an enlarged transverse cross-sectional view of a main part of a composite magnetic head.

【図3】複合型磁気ヘッドの要部拡大縦断面図である。FIG. 3 is an enlarged vertical cross-sectional view of a main part of a composite magnetic head.

【図4】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)は第1の薄膜磁気コア形成工程を示す要部拡
大平面図、(b)はその要部拡大縦断面図である。
4A and 4B sequentially show manufacturing steps of a composite magnetic head, wherein FIG. 4A is an enlarged plan view of an essential part showing a first thin film magnetic core forming step, and FIG. 4B is an enlarged longitudinal sectional view of the essential part. .

【図5】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)は下層ギャップ膜形成工程を示す要部拡大平
面図、(b)はその要部拡大縦断面図である。
5A and 5B sequentially show manufacturing steps of the composite magnetic head, wherein FIG. 5A is an enlarged plan view of an essential part showing a lower gap film forming step, and FIG. 5B is an enlarged longitudinal sectional view of the essential part.

【図6】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)はMR素子形成工程を示す要部拡大平面図、
(b)はその要部拡大縦断面図である。
6A and 6B sequentially show manufacturing steps of a composite magnetic head, wherein FIG. 6A is an enlarged plan view of an essential part showing an MR element forming step;
(B) is an enlarged vertical cross-sectional view of the relevant part.

【図7】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)はバイアス導体及び後端電極形成工程を示す
要部拡大平面図、(b)はその要部拡大縦断面図であ
る。
7A and 7B sequentially show manufacturing steps of a composite magnetic head, wherein FIG. 7A is an enlarged plan view of an essential part showing a step of forming a bias conductor and a rear end electrode, and FIG. 7B is an enlarged longitudinal sectional view of the essential part. .

【図8】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)は絶縁層形成工程を示す要部拡大平面図、
(b)はその要部拡大縦断面図である。
8A to 8C sequentially show a manufacturing process of a composite magnetic head, in which FIG. 8A is an enlarged plan view of an essential part showing an insulating layer forming process;
(B) is an enlarged vertical cross-sectional view of the relevant part.

【図9】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)は電極接続孔形成工程を示す要部拡大平面
図、(b)はその要部拡大縦断面図である。
9A and 9B sequentially show manufacturing steps of a composite magnetic head, in which FIG. 9A is an enlarged plan view of an essential part showing an electrode connection hole forming step, and FIG. 9B is an enlarged longitudinal sectional view of the essential part.

【図10】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)は先端電極形成工程を示す要部拡大平面図、
(b)はその要部拡大縦断面図である。
10A and 10B sequentially show manufacturing steps of the composite magnetic head, in which FIG. 10A is an enlarged plan view of an essential part showing a tip electrode forming step;
(B) is an enlarged vertical cross-sectional view of the relevant part.

【図11】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、(a)は第2の薄膜磁気コア形成工程を示す要部拡
大平面図、(b)はその要部拡大縦断面図である。
11A and 11B sequentially show manufacturing steps of the composite magnetic head, in which FIG. 11A is an enlarged plan view of an essential part showing a second thin film magnetic core forming step, and FIG. 11B is an enlarged longitudinal sectional view of the essential part. .

【図12】従来のMRヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、基板作成工程を示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view showing a step of forming a substrate, sequentially showing a manufacturing process of a composite magnetic head in which a conventional MR head and an inductive head are composited.

【図13】従来のMRヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、ヘッド素子形成工程を示す斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing a head element forming step, which sequentially shows a manufacturing process of a composite type magnetic head in which a conventional MR head and an inductive head are combined.

【図14】従来のMRヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、ヘッドチップ切り出し工程を示す斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view showing a step of cutting out a head chip, sequentially showing a manufacturing process of a composite magnetic head in which a conventional MR head and an inductive head are composited.

【図15】従来のMRヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、サスペンション取り付け工程を示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing a suspension attaching step, which sequentially shows a manufacturing process of a composite magnetic head in which a conventional MR head and an inductive head are combined.

【図16】従来の複合型磁気ヘッドの拡大縦断面図であ
る。
FIG. 16 is an enlarged vertical sectional view of a conventional composite magnetic head.

【図17】従来の複合型磁気ヘッドの要部拡大横断面図
である。
FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a conventional composite magnetic head.

【図18】従来の複合型磁気ヘッドの要部拡大平面図で
ある。
FIG. 18 is an enlarged plan view of an essential part of a conventional composite magnetic head.

【図19】(a)は再生用磁気ギャップの長いMRヘッ
ドが媒体から磁界を受ける様子を示す模式図であり、
(b)は再生用磁気ギャップの短いMRヘッドが媒体か
ら磁界を受ける様子を示す模式図である。
FIG. 19A is a schematic diagram showing a state where an MR head having a long reproducing magnetic gap receives a magnetic field from a medium,
(B) is a schematic diagram showing a state in which an MR head having a short reproducing magnetic gap receives a magnetic field from a medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・ABS面 2・・・スライダ 3a・・・先端電極 3b・・・後端電極 4・・・MR素子 5・・・バイアス導体 7・・・第1の薄膜磁気コア 8・・・第2の薄膜磁気コア 9・・・第3の薄膜磁気コア 10・・・磁気的結合部 11・・・ヘッド巻線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... ABS surface 2 ... Slider 3a ... Front electrode 3b ... Rear electrode 4 ... MR element 5 ... Bias conductor 7 ... 1st thin film magnetic core 8 ... Second thin film magnetic core 9 ... Third thin film magnetic core 10 ... Magnetically coupled portion 11 ... Head winding

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体との対接面に一端縁が臨む
と共に、この対接面に対してその長手方向が垂直となる
ように配される磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層を介してこの磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス導体と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
及びバイアス導体を挟み込む一対の薄膜磁気コアとを備
えてなり、 媒体上を通過する方向と同方向の磁気抵抗効果素子と上
下に配される薄膜磁気コアとの間隔がいずれも0.3μ
m以下であり、且つ媒体上を通過する方向と垂直な方向
の磁気抵抗効果素子の幅が4μm以下であることを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
1. A magnetoresistive effect element arranged such that one edge thereof faces a contact surface with a magnetic recording medium and a longitudinal direction thereof is perpendicular to the contact surface, and the magnetic recording medium. Facing the contact surface of the magnetoresistive effect element, a tip electrode laminated on the tip side of the magnetoresistive effect element, a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element, and an insulating layer on the magnetoresistive effect element. A bias conductor for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element via the magnetoresistive effect element, and a pair of thin film magnetic cores sandwiching the magnetoresistive effect element and the bias conductor, in which the front electrode and the rear end electrode are laminated, are provided. The gap between the magnetoresistive effect element in the same direction as the direction of passing through and the thin film magnetic cores arranged above and below is 0.3 μm.
A magnetoresistive effect magnetic head having a width of m or less and a width of the magnetoresistive effect element in a direction perpendicular to a direction of passing over the medium being 4 μm or less.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6154345A (en) * 1997-04-07 2000-11-28 Nec Corporation Magnetoresistive effect composite head

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