JPH071286B2 - Peak value detection circuit - Google Patents

Peak value detection circuit

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JPH071286B2
JPH071286B2 JP58232273A JP23227383A JPH071286B2 JP H071286 B2 JPH071286 B2 JP H071286B2 JP 58232273 A JP58232273 A JP 58232273A JP 23227383 A JP23227383 A JP 23227383A JP H071286 B2 JPH071286 B2 JP H071286B2
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JP
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emitter
circuit
transistor
peak value
value detection
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護 小原
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明はデイジタル符号のピーク値を検出するための回
路に係り、特に符号パタン密度(マーク率)変動による
検出出力変動を抑制したピーク値検出回路に関するもの
である。
Description: TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit for detecting a peak value of a digital code, and more particularly to a peak value detection circuit suppressing a detection output fluctuation due to a code pattern density (mark ratio) fluctuation. Is.

従来技術と問題点 従来、ピーク値検出回路としては第1図にその一例を示
されるような、入力側と出力側のエミツタフオロア回路
の間に、入力レベルの「H」,「L」に応じて容量を充
電し、十分長い放電時定数を有するエミツタフオロア形
式のピーク値検出回路が用いられている。
Conventional Technology and Problems Conventionally, as a peak value detection circuit, an example of which is shown in FIG. 1 is provided between an input side and an output side emitter follower circuit according to input levels “H” and “L”. An emitter follower type peak value detection circuit that charges a capacity and has a sufficiently long discharge time constant is used.

第1図において、Q1,Q2,Q3はNPNトランジスタ、R1,R
2は抵抗、Cはコンデンサ、VCC,VEEは電源、I1,O1はそ
れぞれ入力および出力端子である。第1図において、ト
ランジスタQ1,Q3はそれぞれエミツタフオロアとして動
作する。トランジスタQ2はトランジスタQ1のエミツタ出
力によつて駆動されるが、トランジスタQ2のエミツタと
接地端子間にはコンデンサCが付加されているので、入
力端子I1に印加される入力信号が「H」レベルの場合に
は、トランジスタQ2を介してコンデンサCが充電され
る。
In Fig. 1, Q 1 , Q 2 , and Q 3 are NPN transistors and R 1 and R, respectively.
2 is a resistor, C is a capacitor, V CC and V EE are power supplies, and I1 and O1 are input and output terminals, respectively. In FIG. 1, the transistors Q 1 and Q 3 each operate as an emitter follower. The transistor Q 2 is driven by the emitter output of the transistor Q 1 , but since the capacitor C is added between the emitter of the transistor Q 2 and the ground terminal, the input signal applied to the input terminal I 1 becomes “H”. , The capacitor C is charged via the transistor Q 2 .

一方、入力信号が「H」から「L」に変化するとトラン
ジスタQ2からの電荷の供給が停止し、コンデンサCの電
荷はトランジスタQ3のベース電流として放電される。し
かしながらトランジスタQ3の入力インピーダンスは極め
て高いので放電時定数は大きく、従つてトランジスタQ3
のベース電位は徐徐に低下するので、出力端子O1は入力
に「H」レベルを印加したときの出力レベルを保持し、
これによつてピーク値を検出することができる。
On the other hand, the supply is stopped for the input signal changes from "H" to "L" charge from the transistor Q 2, the electric charge of the capacitor C is discharged as a base current of the transistor Q 3. However the input impedance of the transistor Q 3 are large discharge time constant so very high, slave connexion transistor Q 3
Since the base potential of is gradually decreased, the output terminal O1 holds the output level when the "H" level is applied to the input,
With this, the peak value can be detected.

しかしながら本回路では、トランジスタQ2のエミツタに
はコンデンサCとトランジスタQ3のベースだけが接続さ
れているため、定常状態ではトランジスタQ2には数マイ
クロアンペア程度の非常に微少なエミツタ電流(Ie)し
か流れていない。従つて入力信号が「H」レベルに達し
てもそのレベルが数百mVの振幅では、トランジスタQ2
コンデンサCを駆動してこれを充電する能力が極めて低
い。特に入力信号のマーク率が低い場合には、コンデン
サCに対する充電時間に比べて放電時間が相対的に長く
なるため、コンデンサCの端子電圧は低下し、そのため
出力端子O1における検出出力レベルが低下する。
However, in this circuit, since only the capacitor C and the base of the transistor Q 3 are connected to the emitter of the transistor Q 2 , in the steady state, the transistor Q 2 has a very small emitter current (Ie) of about several microamperes. Only flowing. In accordance connexion input signal is "H" several hundred mV also its level reaches the level amplitude, the transistor Q 2 is a very low ability to charge this by driving a capacitance C. Especially when the mark ratio of the input signal is low, the discharge time is relatively longer than the charge time for the capacitor C, so that the terminal voltage of the capacitor C decreases, and therefore the detection output level at the output terminal O1 decreases. .

このように従来のピーク値検出回路では、入力信号のマ
ーク率変動に基づく検出出力レベルの変動が大きいとい
う欠点があつた。
As described above, the conventional peak value detection circuit has a drawback that the detection output level fluctuates greatly due to the fluctuation of the mark ratio of the input signal.

発明の目的 本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようと
するものであつて、その目的は、入力信号のマーク率変
動によつて検出出力レベルが変動することを防止したピ
ーク値検出回路を提供することにある。
OBJECT OF THE INVENTION The present invention is intended to solve such a problem of the prior art, and its object is to prevent the detection output level from varying due to the variation of the mark ratio of the input signal. It is to provide a detection circuit.

発明の構成 本発明のピーク値検出回路は、デイジタル符号のピーク
値を保持するためのコンデンサを充電する駆動用トラン
ジスタの駆動能力を高めるため、入力信号のレベルに応
じて駆動用トランジスタの電流を制御する電流切替回路
を駆動用トランジスタに付加したものである。
The peak value detection circuit of the present invention controls the current of the driving transistor according to the level of the input signal in order to increase the driving capability of the driving transistor that charges the capacitor for holding the peak value of the digital code. The current switching circuit is added to the driving transistor.

発明の実施例 第2図は本発明のピーク値検出回路の一実施例の構成を
示している。同図において第1図におけると同じ部分は
同じ番号で示されており、Q4,Q5はNPNトランジスタ、D
1,D2はダイオード、R3は抵抗、IEは定電流回路、VB
基準電源である。
Embodiment of the Invention FIG. 2 shows the configuration of an embodiment of the peak value detection circuit of the present invention. In the figure, the same parts as in FIG. 1 are indicated by the same numbers, and Q 4 and Q 5 are NPN transistors and D
1 , D 2 is a diode, R 3 is a resistor, IE is a constant current circuit, and V B is a reference power source.

第2図においてトランジスタQ4,Q5および定電流回路IE
は電流切替回路を構成し、トランジスタQ4,Q5のいずれ
のベース電位が高いかに応じて、トランジスタQ4または
Q5に定電流回路IEによつて定まる一定電流を流す。一
方、トランジスタQ1のエミツタとトランジスタQ4のベー
スとの間にはダイオードD1,D2によつて構成された定電
圧回路が接続されており、かつ入力端子I1のレベルが
「H」または「L」であるのに従つて、トランジスタQ4
のベースが基準電源VBに比べて高電位または低電位とな
るように、基準電源VBおよび定電圧回路D1,D2が選ばれ
ている。
In Fig. 2, transistors Q 4 , Q 5 and constant current circuit IE
Constitutes a current switching circuit, and depending on which of the base potentials of transistors Q 4 and Q 5 is higher, transistor Q 4 or
Supplies a constant current by connexion determined to the constant current circuit I E to Q 5. On the other hand, a constant voltage circuit constituted by the diodes D 1 and D 2 is connected between the emitter of the transistor Q 1 and the base of the transistor Q 4 , and the level of the input terminal I1 is “H” or According to being "L", the transistor Q 4
Compared to base reference power supply V B of such a high potential or a low potential, the reference power source V B and the constant voltage circuit D 1, D 2 is selected.

従つて入力信号が「H」レベルの場合は、トランジスタ
Q5が非導通状態になるとともに、Q4が導通状態となる。
このように、コンデンサCを充電する場合のトランジス
タQ2を流れる電流について図1に示す従来例とのちがい
を説明する。図1の従来例においてはトランジスタQ2
エミツタに接続されているのは、トランジスタQ3のベー
スへの入力信号経路(イ)と、コンデンサCへの経路
(ロ)の2経路のみである。これに対し、本願発明の一
実施例である図2においては、トランジスタQ4が導通状
態になるので、上記(イ),(ロ)の経路に更に並列に
電流の経路がトランジスタQ4を介して形成されるのでエ
ミツタ電流Ieは増加し得る。更に、トランジスタQ4は、
定電流源IEによつて決まる電流が流れ、定電流源IEの値
によつて、容易に従来の図1の構成におけるトランジス
タQ2のエミツタ電流値よりも大きくすることができる。
一方、トランジスタの基本特性として周知のごとく、ト
ランジスタQ2のエミツタ抵抗reは以下の式で定性的に示
される。
Therefore, when the input signal is "H" level, the transistor
Q 4 becomes non-conductive and Q 4 becomes conductive.
In this way, the difference between the current flowing through the transistor Q 2 when charging the capacitor C and the conventional example shown in FIG. 1 will be described. In the conventional example of FIG. 1, only the input signal path (a) to the base of the transistor Q 3 and the path (b) to the capacitor C are connected to the emitter of the transistor Q 2 . On the other hand, in FIG. 2 which is one embodiment of the present invention, since the transistor Q 4 becomes conductive, the current path is further parallel to the paths (a) and (b) through the transistor Q 4 . The emission current Ie can be increased because the emission current Ie is increased. Furthermore, the transistor Q 4 is
I connexion determined current flows to the constant current source I E, Yotsute the value of the constant current source I E, may be greater than the emitter current of the transistor Q 2 in readily conventional configuration of FIG. 1.
On the other hand, as is well known as the basic characteristic of the transistor, the emitter resistance r e of the transistor Q 2 is qualitatively shown by the following equation.

ここに、kはボルツマン定数,Tは絶対温度,qは電子の電
荷量,Ieはエミツタ電流である。かかる関係から、トラ
ンジスタQ2のエミツタ抵抗reは、そのエミツタ電流Ie
増加に伴つて減少する。これによつて、コンデンサCの
充電はre×Cを時定数とする積分回路の時定数とみなせ
る。
Here, k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, q is the electron charge, and I e is the emitter current. From this relationship, the emitter resistance r e of the transistor Q 2 decreases as the emitter current I e increases. Yotsute thereto, the charging of the capacitor C can be regarded as the time constant of the integrating circuit to a time constant r e × C.

従つて上記時定数が、従来例の図1に比べて小さくでき
るので、充電の立上りが速くなり、高速化が可能となる
著しい効果が生じる。
Therefore, the time constant can be made smaller than that in FIG. 1 of the conventional example, so that the rise of charging becomes faster, and a remarkable effect that speeding up can be achieved.

一方、入力信号が「H」から「L」に変化するとトラン
ジスタQ5が導通状態になるとともにQ4が非導通状態とな
る。従つてコンデンサCにおける電荷の放電経路はトラ
ンジスタQ3のベースを通じるもののみであつて、放電時
定数は第1図に示された従来回路の場合と異ならない。
On the other hand, Q 4 together with the transistor Q 5 when the input signal changes from "H" to "L" becomes conductive becomes nonconductive. Therefore, the discharge path of the charge in the capacitor C is only through the base of the transistor Q 3 , and the discharge time constant is not different from that in the conventional circuit shown in FIG.

このように第2図に示されたピーク値検出回路では充電
時の立上りが速くなる結果、コンデンサCに対する充電
が十分に行なわれ、ピーク値検出レベルがより正確にな
るとともに、入力信号のマーク率が低下した場合の検出
レベルの変動が抑制される。
As described above, in the peak value detection circuit shown in FIG. 2, the rising speed at the time of charging becomes faster, so that the capacitor C is sufficiently charged, the peak value detection level becomes more accurate, and the mark ratio of the input signal becomes higher. The fluctuation of the detection level when the value is decreased is suppressed.

第3図は、第1図および第2図の回路において、マーク
率を変動させたときのピーク値検出レベルを計算機シミ
ユレーシヨンによつて求めた結果の一例を示したもので
ある。同図においてはマーク率1/2のときの検出レベル
を基準にして、マーク率が変化した場合のピーク値検出
レベル変動を、第1図の場合(1)と第2図の場合
(2)とについて示しており、この場合のシミユレーシ
ヨンに用いられた回路パラメータは、 VCC=6V,VEE=0,VB=3.1V, IE=1mA,C=100PF,R1=4.7KΩ, R2=20KΩ,R3=3KΩ であり、各トランジスタの電流増幅率hFE=100としてい
る。また入力信号は5.5±0.15Vである。
FIG. 3 shows an example of a result obtained by the computer simulation for the peak value detection level when the mark ratio is changed in the circuits of FIGS. 1 and 2. In the figure, the peak value detection level fluctuation when the mark rate changes is based on the detection level when the mark rate is 1/2, and the peak value detection level variation is shown in FIG. 1 (1) and FIG. 2 (2). shows the preparative, circuit parameters used in Shimiyureshiyon in this case, V CC = 6V, V EE = 0, V B = 3.1V, I E = 1mA, C = 100PF, R 1 = 4.7KΩ, R 2 = 20K Ohms, a R 3 = 3KΩ, are the current amplification factor h FE = 100 for each transistor. The input signal is 5.5 ± 0.15V.

第3図の結果からも、本発明のピーク値検出回路によれ
ば、特にマーク率が低下した場合における、検出レベル
の変動を抑制する効果が大きいことが明らかである。
From the results of FIG. 3 as well, it is clear that the peak value detection circuit of the present invention has a great effect of suppressing the fluctuation of the detection level, especially when the mark ratio is lowered.

発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、入力信号の
「H」レベル時にピーク値保持容量の駆動トランジスタ
の電流を増加せしめることにより、従来回路に比べ格段
の検出能力を持つことが可能であることから、デイジタ
ル伝送におけるマーク率変動に対して検出レベルの変動
を抑制する効果がある。具体的には、デイジタル伝送方
式の中継器の等化増幅回路等に適用することができる。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, by increasing the current of the drive transistor of the peak value holding capacitor when the input signal is at the “H” level, it is possible to have a remarkably higher detection capability than the conventional circuit. Since it is possible, there is an effect of suppressing the fluctuation of the detection level with respect to the fluctuation of the mark rate in the digital transmission. Specifically, it can be applied to an equalizing and amplifying circuit of a digital transmission type repeater.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、従来のエミツタフオロア形式ピーク値検出回
路、第2図は、本発明の一実施例の回路図、第3図は、
従来回路及び本発明の実施例の回路におけるピーク値検
出レベル変動のマーク率依存性の一例を示す図である。 Q1,Q2,Q3,Q4,Q5……NPNトランジスタ、D1,D2……
ダイオード、R1,R2,R3……抵抗、C……コンデンサ、
IE……定電流回路、VCC,VEE……電源、VB……基準電
圧、I1……入力端子、1……出力端子、1……従来回
路のピーク値検出レベル、2……本発明の一実施例回路
のピーク値検出レベル。
FIG. 1 is a conventional emitter-follower type peak value detection circuit, FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG.
It is a figure which shows an example of the mark rate dependence of the peak value detection level variation in the conventional circuit and the circuit of the Example of this invention. Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 , Q 5 …… NPN transistor, D 1 , D 2 ……
Diodes, R 1, R 2, R 3 ...... resistance, C ...... capacitor,
I E …… Constant current circuit, V CC , V EE …… Power supply, V B …… Reference voltage, I1 …… Input terminal, 1 …… Output terminal, 1 …… Conventional circuit peak value detection level, 2 …… The peak value detection level of the circuit of one embodiment of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1の電源と第2の電源の間に接続された
エミッタフォロアを構成する第1のトランジスタ回路
と、コレクタを第1の電源に接続され前記第1のエミッ
タフォロア回路のエミッタ出力をベース入力とし、エミ
ッタ接地間にコンデンサを接続された第2のトランジス
タ回路と、第1の電源と第2の電源の間に接続された前
記第2のトランジスタ回路のエミッタ出力を入力とする
第2のエミッタフォロア回路とからなるピーク値検出回
路において、前記第1のエミッタフォロア回路のエミッ
タとエミッタ負荷間に、エミッタ電圧を所定量レベルシ
フトさせてエミッタ負荷に印加する、定電圧レベルシフ
ト回路を設けるとともに、コレクタを前記第2のトラン
ジスタ回路のエミッタに接続され、前記第1のエミッタ
フォロア回路のエミッタ負荷の出力をベース入力とする
第4のトランジスタのエミッタとコレクタを第1の電源
に接続され基準電圧をベース入力とする第5のトランジ
スタのエミッタとを接続して定電流回路を経て第2の電
源に接続した電流切替回路を設けたことを特徴とするピ
ーク値検出回路。
1. A first transistor circuit forming an emitter follower connected between a first power supply and a second power supply, and an emitter of the first emitter follower circuit having a collector connected to the first power supply. The output is used as a base input, and the emitter output of the second transistor circuit connected between the first power supply and the second power supply and the second transistor circuit connected between the grounded emitter and the capacitor is used as the input. In a peak value detection circuit including a second emitter follower circuit, a constant voltage level shift circuit for level-shifting an emitter voltage by a predetermined amount between the emitter and the emitter load of the first emitter follower circuit and applying the voltage to the emitter load. And a collector connected to the emitter of the second transistor circuit, and the collector of the first emitter follower circuit is connected. Of the fourth transistor whose base input is the output of the load and the collector of which is connected to the first power supply and the emitter of the fifth transistor whose base input is the reference voltage are connected to form a second constant current circuit. A peak value detection circuit, which is provided with a current switching circuit connected to the power source.
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