JPH07128623A - Optical waveguide device - Google Patents
Optical waveguide deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用の超高速の外
部変調器、スイッチ、電界センサに利用する光導波路デ
バイスに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device used for an ultra-high speed external modulator, switch and electric field sensor for optical communication.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的に、高速光通信システムにおい
て、例えば１０Ｇビット／秒等の超高速光通信システム
では、電気光学効果を有する強誘電体や半導体材料を用
いた導波路型の外部変調器が用いられている。2. Description of the Related Art Generally, in a high-speed optical communication system, for example, in an ultra-high-speed optical communication system of 10 Gbit / sec, a waveguide type external modulator using a ferroelectric material or a semiconductor material having an electro-optical effect. Is used.
【０００３】例えば、ＬｉＮｂＯ3 を基板にした従来の
光変調器の構成図を、図１及び図３に示す。図１は、従
来の光変調器の上面図であり、図３は、従来の変調器の
斜視図である。この例では、ｚカットのＬｉＮｂＯ3 基
板１にＴｉを熱拡散させ、マッハ・ツェンダ型光導波路
２が形成されている。For example, a configuration diagram of a conventional optical modulator using LiNbO 3 as a substrate is shown in FIGS. 1 and 3. FIG. 1 is a top view of a conventional optical modulator, and FIG. 3 is a perspective view of the conventional modulator. In this example, Ti is thermally diffused in a z-cut LiNbO 3 substrate 1 to form a Mach-Zehnder type optical waveguide 2.
【０００４】これらには、図示されていないが、各々信
号電極３及び接地電極４と基板１との間には、電極によ
る光の吸収損失を防ぐため、酸化シリコンやアルミナな
どの絶縁体バッファー層が形成されている。このバッフ
ァー層の上に信号電極３及び接地電極４が形成されてい
る。この信号電極３及び接地電極４の形状は、光導波路
デバイスの使用目的や適用領域により、対称型や非対称
型であったり、その他の特殊な構造をとることがある。
この従来の例では、非対称型の電極構造をとっている。
そして、基板の形状は、電極のサイズ等により異なる
が、ここでは、例えば、０．５×１〜１０×５０ｍｍの
直方体となる。Although not shown in the drawings, an insulating buffer layer such as silicon oxide or alumina is provided between the signal electrode 3 and the ground electrode 4 and the substrate 1 in order to prevent light absorption loss by the electrodes. Are formed. The signal electrode 3 and the ground electrode 4 are formed on the buffer layer. The shapes of the signal electrode 3 and the ground electrode 4 may be symmetrical or asymmetrical, or may have other special structures, depending on the purpose of use or application area of the optical waveguide device.
In this conventional example, an asymmetrical electrode structure is adopted.
The shape of the substrate varies depending on the size of the electrodes and the like, but here, for example, it is a rectangular parallelepiped of 0.5 × 1 to 10 × 50 mm.
【０００５】信号を伝送する光は、光導波路の端から入
射された後、一度２分岐され、２分岐された光は、信号
電極に印加された電気信号に応じて、各々の光波の位相
差が変化する。これら２分岐された光を合波することに
より、例えば位相差が０度のときは、光強度が最大にな
り、位相差が１８０度のときは、光強度は最小になる。
このようにして、光強度が、印加電気信号に応じて変化
する変調器を構成することができる。また、信号電極
（３）、（４）の給電部に電気信号源を接続するのでは
なくて、アンテナロッドを接続すると、外界の電界の状
態により、光強度が変化する電界センサを構成すること
ができる。The light transmitting a signal is incident on the end of the optical waveguide and then bifurcated once, and the bifurcated light is phase-divided according to the electric signal applied to the signal electrode. Changes. By combining these two branched lights, the light intensity becomes maximum when the phase difference is 0 degree, and becomes minimum when the phase difference is 180 degrees.
In this way, it is possible to construct a modulator in which the light intensity changes according to the applied electric signal. In addition, when an antenna rod is connected to the power supply portions of the signal electrodes (3) and (4) instead of connecting an electric signal source, an electric field sensor in which the light intensity changes depending on the state of the external electric field is configured. You can
【０００６】一方、信号電極に印加される電気信号の周
波数は、例えば、高速光通信において、１０Ｇビット／
秒のデジタル信号を伝送する場合など、直流に近い周波
数から十数ＧＨｚにまで及ぶこともあり、また、電界セ
ンサとしても、検出する電界の周波数成分は、数ＧＨｚ
にまで及ぶ場合がある。従って、印加した電気信号に対
する光強度変化の応答特性も、直流に近い周波数から数
ＧＨｚにまで、フラットなものが望まれる。On the other hand, the frequency of the electric signal applied to the signal electrode is, for example, 10 Gbit / bit in high-speed optical communication.
For example, when transmitting a digital signal of seconds, a frequency close to direct current may reach up to ten and several GHz. Also, as an electric field sensor, the frequency component of the electric field to be detected is several GHz.
May extend to Therefore, it is desired that the response characteristic of the light intensity change with respect to the applied electric signal is flat from a frequency close to direct current to several GHz.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な、従来の光導波路デバイスにおいては、共振現象が生
じ、図６に示すように、変調器の周波数特性に大きなデ
イップ（変動）が出てしまい、光強度変化の応答特性が
直流に近い周波数から数ＧＨｚまでフラットにはならず
実用上大きな問題となっていたが、本発明では、このよ
うな共振現象を低減する構造を有する光導波路デバイス
を提供することを目的とする。However, in the above-described conventional optical waveguide device, a resonance phenomenon occurs and, as shown in FIG. 6, a large dip (variation) appears in the frequency characteristic of the modulator. However, the response characteristic of the change in light intensity does not become flat from a frequency close to DC to several GHz, which is a big problem in practical use. However, in the present invention, an optical waveguide device having a structure for reducing such a resonance phenomenon. The purpose is to provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の技術的
な課題の解決のために、電気光学効果を有する基板の形
状を少なくとも厚さ方向或いは長手方向に対して不均一
にしたことを特徴とする光導波路デバイスを提供する。
即ち、電気光学効果を有する基板（１）の上に、少なく
とも光導波路（２）と導波光を制御する信号電極（３）
及び接地電極（４）からなる光導波路デバイスであっ
て、基板（１）の形状が、少なくとも厚さ方向或いは長
手方向に対して不均一であることを特徴とする光導波路
デバイスを提供する。更に、基板（１）がＬｉＮｂＯ3
であるものが、好適である。そして、基板の形状は、台
形で構成されているものが好適である。更に、光導波路
デバイスはマッハ・ツェンダ型光変調器であるものが好
適である。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above technical problems, the present invention provides a substrate having an electro-optical effect with a non-uniform shape at least in the thickness direction or the longitudinal direction. A characteristic optical waveguide device is provided.
That is, at least an optical waveguide (2) and a signal electrode (3) for controlling guided light are provided on a substrate (1) having an electro-optical effect.
An optical waveguide device comprising a ground electrode (4) and a substrate (1) having a non-uniform shape at least in a thickness direction or a longitudinal direction. Furthermore, the substrate (1) is LiNbO 3
Are preferred. The substrate preferably has a trapezoidal shape. Further, the optical waveguide device is preferably a Mach-Zehnder type optical modulator.
【０００９】[0009]
【作用】本発明者は、以上のように、従来の光導波路で
生じる望ましくない共振現象は、ピエゾ効果、即ち圧電
効果により、励振された弾性波であることを見出した。
従って、この共振現象は、基板の形状に大きく依存する
ことが、明らかである。即ち、印加された電気信号によ
り生じる弾性波は、基板の形状が直方体、即ち、電極を
形成した面が、長方形であると、電極或いは基板の長手
方向に対して、電極から励振された弾性波の共振周波数
が、各基板断面方向の形状が同じであるために、一致し
てしまい、結果として、変調器或いは電界センサの周波
数特性に大きなデイップ（変動）が生じてしまっていた
ことが、分かった。As described above, the present inventor has found that the undesirable resonance phenomenon that occurs in the conventional optical waveguide is an elastic wave excited by the piezo effect, that is, the piezoelectric effect.
Therefore, it is clear that this resonance phenomenon largely depends on the shape of the substrate. That is, when the shape of the substrate is a rectangular parallelepiped, that is, the surface on which the electrodes are formed is rectangular, the elastic waves generated by the applied electric signal are elastic waves excited from the electrodes in the longitudinal direction of the electrodes or the substrate. It was found that the resonance frequencies of the two matched because the shapes in the cross-sectional directions of the substrates were the same, resulting in a large dip (variation) in the frequency characteristics of the modulator or electric field sensor. It was
【００１０】そこで、基板の形状を、少なくとも厚さ方
向或いは長手方向に対して、不均一にすることにより、
弾性波による共振周波数を、各断面方向で分散させ、変
調器或いは電界センサの周波数特性を改善するものであ
る。Therefore, by making the shape of the substrate nonuniform in at least the thickness direction or the longitudinal direction,
The resonance frequency due to the elastic wave is dispersed in each cross-sectional direction to improve the frequency characteristics of the modulator or the electric field sensor.
【００１１】次に、本発明を具体的に実施例により説明
するが、本発明はそれらによって限定されるものではな
い。Next, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
【００１２】以下、各々、図面を参照して、本発明の具
体的な光変調器の構造を、詳細に説明する。ここでは、
ＬｉＮｂＯ3 基板にＴｉを熱拡散させたマッハ・ツェン
ダ型光変調器を例示して説明する。The specific structure of the optical modulator of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. here,
A Mach-Zehnder type optical modulator in which Ti is thermally diffused on a LiNbO 3 substrate will be described as an example.
【００１３】[0013]
【実施例１】図２は、本発明による光導波路デバイス
を、マッハ・ツェンダー型光変調器を例にして説明する
ための平面図である。即ち、図２に示すように、電気光
学効果を有する基板：ＬｉＮｂＯ3 ウェーハ１の上に、
フォトレジストをスピンコートにより、５０００〜７０
００Åの厚さに形成し、マッハ・ツェンダ干渉計をなす
ように分岐導波路２を形成する。導波路２の幅は、７μ
ｍであり、分岐された導波路同志の間隔は２５μｍであ
る。ここにＴｉを８００Åの厚さに形成し、リフトオフ
によりＴｉパターンを作成した。これを、１０００℃、
１０時間空気中で熱拡散させ、光導波路を形成した。Embodiment 1 FIG. 2 is a plan view for explaining an optical waveguide device according to the present invention by taking a Mach-Zehnder type optical modulator as an example. That is, as shown in FIG. 2, on a substrate having an electro-optical effect: LiNbO 3 wafer 1,
Spin coating photoresist to 5000-70
The branch waveguide 2 is formed so as to have a thickness of 00Å and forms a Mach-Zehnder interferometer. The width of the waveguide 2 is 7μ
m, and the distance between the branched waveguides is 25 μm. Ti was formed in the thickness of 800 Å, and a Ti pattern was formed by lift-off. 1000 ℃,
Thermal diffusion was performed in air for 10 hours to form an optical waveguide.
【００１４】ここで、図示はないが、光導波路１を伝搬
する光波のエネルギーが電極により吸収されるのを防ぐ
ために、酸化シリコンを５０００ÅＬｉＮｂＯ3 基板１
上に成膜した。各々の導波路の上に導波路を伝搬する光
波を制御、変調するための電極３、４を、図示のよう
に、非対称に形成する。この電極の形状は、非対称形で
あるが、対称形或いはその他の特殊な形状のものであっ
ても良い。Here, although not shown, in order to prevent the energy of the light wave propagating through the optical waveguide 1 from being absorbed by the electrodes, silicon oxide is added to the 5000 ÅLiNbO 3 substrate 1.
The film was formed on top. Electrodes 3 and 4 for controlling and modulating the light waves propagating through the waveguides are formed asymmetrically on the respective waveguides as shown in the figure. The shape of this electrode is asymmetrical, but may be symmetrical or any other special shape.
【００１５】この電極を形成した後、ＬｉＮｂＯ3 ウェ
ーハから、図２に示すように、導波路素子を電極面を上
にして、上面から見て、台形の形になるように切り出し
た。導波路素子の寸法は、厚さ０．５ｍｍ、上底の長さ
０．６ｍｍ、下底の長さ１．２ｍｍ、全長を５０ｍｍと
した。基板１の形状を、長手方向に対して、図示のよう
に、長短の電極になるようにすることにより、弾性波に
よる共振周波数は、各断面方向で分散され、減衰され、
変調器或いは電界センサの周波数特性が改善される。After forming this electrode, a waveguide element was cut out from a LiNbO 3 wafer so as to have a trapezoidal shape when viewed from above with the electrode surface facing upward, as shown in FIG. The waveguide element had a thickness of 0.5 mm, an upper bottom length of 0.6 mm, a lower bottom length of 1.2 mm, and an overall length of 50 mm. By making the shape of the substrate 1 into long and short electrodes as shown in the drawing with respect to the longitudinal direction, the resonance frequency due to the elastic wave is dispersed and attenuated in each cross-sectional direction,
The frequency characteristic of the modulator or the electric field sensor is improved.
【００１６】次に、光導波路の端面を光学研磨した後、
図２に示していないが、光ファイバーを導波路の入出射
面に紫外線硬化接着剤を用いて、固定した。また信号電
極３と接地電極４は、各々、電気コネクターに接続され
る。コネクターに電気信号源を接続すれば、変調器とし
て働き、また、電界センサ用のアンテナを接続すれば、
電界センサとして働く。Next, after optically polishing the end face of the optical waveguide,
Although not shown in FIG. 2, the optical fiber was fixed to the entrance / exit surface of the waveguide by using an ultraviolet curing adhesive. The signal electrode 3 and the ground electrode 4 are each connected to an electric connector. If you connect an electrical signal source to the connector, it will act as a modulator, and if you connect an antenna for an electric field sensor,
Acts as an electric field sensor.
【００１７】そこで、従来の光導波路による光変調器の
周波数特性を測定した結果を、図６に示す。即ち、横軸
に光変調器に印加した電気信号の周波数を示し、縦軸に
は光変調器の光応答をデシベルで表示したものである。
従来の光変調器の周波数特性には、いくつかの周波数に
おいて、共振による大きなスパイクが見られる。これに
対して、本発明による光導波路を使用した光変調器の周
波数特性を測定した結果を、図７に示す。横軸及び縦軸
のスケ−ルは、図６と同じで表わす。図７を見ると、従
来の変調器に見られた大きなスパイクが無くなり、大幅
に変調器の周波数特性が改善されていることが分かる。FIG. 6 shows the result of measuring the frequency characteristic of the conventional optical modulator using an optical waveguide. That is, the horizontal axis represents the frequency of the electric signal applied to the optical modulator, and the vertical axis represents the optical response of the optical modulator in decibels.
The frequency characteristics of the conventional optical modulator show large spikes due to resonance at some frequencies. On the other hand, FIG. 7 shows the result of measuring the frequency characteristic of the optical modulator using the optical waveguide according to the present invention. The horizontal and vertical scales are the same as in FIG. It can be seen from FIG. 7 that the large spikes seen in the conventional modulator are eliminated, and the frequency characteristic of the modulator is greatly improved.
【００１８】[0018]
【実施例２】図４は、本発明の他の実施例を示す斜視図
である。即ち、実施例１では、基板１の上面の形状を台
形にしていたが、この実施例では、基板１の厚さを不均
一にし、例えば、図４の斜視図に示すように、横方向の
断面が台形になるようにする。このような形状の光導波
路デバイスでは、表面弾性波の共振周波数は、各基板１
の断面方向の形状が異なるために、分散される。即ち、
基板１の形状は、厚さ方向に対して、深浅になり、弾性
波による共振周波数が、各断面方向で分散され、変調器
或いは電界センサの周波数特性は改善される。Second Embodiment FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the present invention. That is, in the first embodiment, the shape of the upper surface of the substrate 1 is trapezoidal, but in this embodiment, the thickness of the substrate 1 is made non-uniform, and, for example, as shown in the perspective view of FIG. Make the cross section trapezoidal. In the optical waveguide device having such a shape, the resonance frequency of the surface acoustic wave is
Since the shapes of the cross-sections are different, they are dispersed. That is,
The shape of the substrate 1 becomes deeper and shallower in the thickness direction, the resonance frequency due to the elastic wave is dispersed in each cross-sectional direction, and the frequency characteristic of the modulator or the electric field sensor is improved.
【００１９】[0019]
【実施例３】また、図５に、その他の実施例を示す。即
ち、基板１の形状を階段状に変化させたものである。即
ち、基板１の形状は、長手方向に対して、階段状になっ
ており、弾性波による共振周波数が、各断面方向で分散
され、変調器或いは電界センサの周波数特性は改善され
る。そして、各々の導波路２の上に導波路２を伝搬する
光波を制御、変調するための電極３、４を、図示のよう
に、非対称に形成する。Third Embodiment FIG. 5 shows another embodiment. That is, the shape of the substrate 1 is changed stepwise. That is, the shape of the substrate 1 is stepwise with respect to the longitudinal direction, the resonance frequency due to the elastic wave is dispersed in each cross-sectional direction, and the frequency characteristic of the modulator or the electric field sensor is improved. Then, the electrodes 3 and 4 for controlling and modulating the light wave propagating through the waveguide 2 are formed asymmetrically on each of the waveguides 2 as illustrated.
【００２０】ここでは、ＬｉＮｂＯ3 基板１に、Ｔｉを
熱拡散させたマッハ・ツェンダ型光変調器を例として上
げたが、基板の材料は、ＬｉＮｂＯ3結晶の他にＬｉＴ
ａＯ3、ＴａＮｂＯ3やＰＬＺＴなどの電気光学効果を有
するものならば、どれでも使用できることは言うまでも
ない。また、ＬｉＮｂＯ3 等、光導波路を形成すること
ができる材料すべてに対しても利用することができる。
また、実施例で説明した製作工程は、一例であって、本
発明の目的にかなうものであれば、使用する材料、構
成、製作過程など種々を組合わせたり、異なるものを用
いても良い。Here, a Mach-Zehnder type optical modulator in which Ti is thermally diffused in the LiNbO 3 substrate 1 has been taken as an example, but the material of the substrate is LiTb other than LiNbO 3 crystal.
It goes without saying that any one having an electro-optical effect such as aO 3 , TaNbO 3 or PLZT can be used. It can also be used for all materials that can form an optical waveguide, such as LiNbO 3 .
Further, the manufacturing process described in the embodiments is an example, and various materials such as materials to be used, configurations, and manufacturing processes may be combined or different materials may be used as long as they meet the purpose of the present invention.
【００２１】以上の実施例では、マッハ・ツェンダ型光
変調器を用いて、説明したが、導波路の形が、方向性結
合器や直線導波路であってもよい。また、光スイッチや
導波路型偏光補償器等にも、同様に、利用することがで
きることは、自明である。Although the Mach-Zehnder type optical modulator has been described in the above embodiments, the shape of the waveguide may be a directional coupler or a linear waveguide. Further, it is obvious that the same can be applied to an optical switch, a waveguide type polarization compensator and the like.
【００２２】以上の実施例１、２、３の構造の光導波路
デバイスをケ−スに固定し、信号電極と接地電極を各々
配線し、光の入出力のためのファイバーを取り付け、光
導波路モジュールを完成することができる。このモジュ
ールの入射ファイバー側に、例えば１．５５μｍのＤＦ
Ｂレーザ光を接続し、レーザ光の出力強度は一定にして
おくと、光通信用光導波路を構成することができる。The optical waveguide device having the structure of the above-mentioned first, second, and third embodiments is fixed to the case, the signal electrode and the ground electrode are respectively wired, and the fiber for inputting / outputting light is attached to the optical waveguide module. Can be completed. On the incident fiber side of this module, for example, DF of 1.55 μm
When the B laser light is connected and the output intensity of the laser light is kept constant, an optical waveguide for optical communication can be constructed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
デバイスの構造により、次のような顕著な技術的効果が
得られた。第１に、従来の光変調器の周波数特性にあっ
た大きなデイップが、導波路基板の形状を、少なくとも
厚さ方向或いは長手方向に対し不均一にすることによ
り、大幅に低減させることができる。第２に、従って、
光変調器や電界センサの実用化に大きく貢献することが
できる。As described above, the following remarkable technical effects are obtained by the structure of the optical waveguide device of the present invention. First, a large dip that matches the frequency characteristic of the conventional optical modulator can be significantly reduced by making the shape of the waveguide substrate nonuniform in at least the thickness direction or the longitudinal direction. Secondly, therefore,
It can greatly contribute to the practical use of the optical modulator and the electric field sensor.
【図１】従来の変調器の上面の構成を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a top surface of a conventional modulator.
【図２】本発明の光導波路デバイスの構造の具体例を示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a specific example of the structure of the optical waveguide device of the present invention.
【図３】従来のマッハ・ツェンダ型変調器の構造を示す
斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the structure of a conventional Mach-Zehnder modulator.
【図４】本発明の光導波路デバイスの構造の他の具体例
を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing another specific example of the structure of the optical waveguide device of the present invention.
【図５】本発明の光導波路デバイスの構造の他の具体例
を示す上面図である。FIG. 5 is a top view showing another specific example of the structure of the optical waveguide device of the present invention.
【図６】従来の変調器の周波数特性を表すグラフであ
る。FIG. 6 is a graph showing frequency characteristics of a conventional modulator.
【図７】本発明の変調器による周波数特性を表したグラ
フである。FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of the modulator of the present invention.
１ ＬｉＮｂＯ3 基板 ２ 分岐光導波路 ３ 信号電極 ４ 接地電極1 LiNbO 3 substrate 2 branched optical waveguide 3 signal electrode 4 ground electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 伸夫 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued front page (72) Inventor Nobuo Kuwahara 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation
Claims (5)
なくとも光導波路（２）と導波光を制御する信号電極
（３）及び接地電極（４）からなる光導波路デバイスで
あって、 前記基板（１）の形状が、少なくとも厚さ方向或いは長
手方向に対して形状が不均一であることを特徴とする前
記光導波路デバイス。1. An optical waveguide device comprising a substrate (1) having an electro-optical effect and at least an optical waveguide (2), a signal electrode (3) for controlling guided light and a ground electrode (4), The optical waveguide device, wherein the shape of (1) is nonuniform in at least the thickness direction or the longitudinal direction.
いることを特徴とする請求項１に記載の光導波路デバイ
ス。2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the substrate has a trapezoidal shape.
ンダ型光変調器である請求項１に記載の光導波路デバイ
ス。3. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the optical waveguide device is a Mach-Zehnder type optical modulator.
である請求項１に記載の光導波路デバイス。4. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the optical waveguide device is an electric field sensor.
ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路デバイス。5. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the substrate (1) is LiNbO 3 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27670193A JP2821349B2 (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | Optical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27670193A JP2821349B2 (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | Optical waveguide device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128623A true JPH07128623A (en) | 1995-05-19 |
| JP2821349B2 JP2821349B2 (en) | 1998-11-05 |
Family
ID=17573129
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27670193A Expired - Fee Related JP2821349B2 (en) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | Optical waveguide device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2821349B2 (en) |
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- 1993-11-05 JP JP27670193A patent/JP2821349B2/en not_active Expired - Fee Related
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