JPH07128033A - Tilt sensor - Google Patents
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- JPH07128033A JPH07128033A JP27532393A JP27532393A JPH07128033A JP H07128033 A JPH07128033 A JP H07128033A JP 27532393 A JP27532393 A JP 27532393A JP 27532393 A JP27532393 A JP 27532393A JP H07128033 A JPH07128033 A JP H07128033A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、発光素子の光を検出
対象に照射し、その反射光を受光素子により受光するこ
とにより検出対象の傾斜角を検出するチルトセンサに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tilt sensor for detecting the tilt angle of a detection target by irradiating the detection target with light from a light emitting element and receiving the reflected light from a light receiving element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光学式ディスク再生装置では、データを
記録したディスク面とデータを読み取る光の光軸とが垂
直になるようにして隣接するトラックからのクロストー
クを防止する必要がある。このため、従来より光学式デ
ィスク再生装置では、光軸に対するディスク面の傾きを
検出するチルトセンサが設けられている。このチルトセ
ンサは、例えば特開昭６０−３２１４１号公報および特
開昭６３−６９０２９号公報等に開示されているよう
に、図６（Ａ）に示すように、リードフレーム上へ搭載
された発光素子８１および受光素子８２と、レンズ８３
を備えている。受光素子８２は二分割のフォトダイオー
ドによって構成されており、二分割にされた受光素子８
２のそれぞれの出力信号を比較することにより、光軸に
対する検出対象８４の傾きを検出するようにしている。2. Description of the Related Art In an optical disc reproducing apparatus, it is necessary to prevent crosstalk from adjacent tracks by making the disc surface on which data is recorded and the optical axis of light for reading data perpendicular to each other. For this reason, conventionally, an optical disc reproducing apparatus is provided with a tilt sensor for detecting the inclination of the disc surface with respect to the optical axis. This tilt sensor is mounted on a lead frame as shown in FIG. 6A, as disclosed in, for example, JP-A-60-32141 and JP-A-63-69029. Element 81 and light receiving element 82, and lens 83
Is equipped with. The light receiving element 82 is composed of a two-divided photodiode, and the light receiving element 8 is divided into two.
The inclinations of the detection target 84 with respect to the optical axis are detected by comparing the output signals of the two.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
（Ａ）に示すように、受光素子８２として二分割のフォ
トダイオードを用いた従来のチルトセンサでは、発光素
子８１および受光素子８２をレンズ８３の焦点面よりレ
ンズ側に配置したり、逆に焦点面よりレンズを遠ざける
側に配置し、且つ受光素子８２上に所定の大きさの反射
光スポットを形成する必要があり、レンズの設計が困難
になるとともに、受光素子８２の出力にばらつきを生じ
る問題があった。However, as shown in FIG.
As shown in (A), in a conventional tilt sensor that uses a two-divided photodiode as the light receiving element 82, the light emitting element 81 and the light receiving element 82 are arranged on the lens side of the focal plane of the lens 83, or conversely It is necessary to dispose the lens on the side away from the surface and to form a reflected light spot of a predetermined size on the light receiving element 82, which makes it difficult to design the lens and causes variations in the output of the light receiving element 82. was there.
【０００４】即ち、図６（Ａ）に示す構成では、二分割
フォトダイオード８２において同図（Ｂ）に示すように
反射光スポットを形成させる必要があり、このためには
同図（Ｃ）に実線で示すように発光素子８１から照射さ
れる光を平行光よりやや広げた状態又は同図中に破線で
示すようにやや狭めた状態で検出対象８４に照射する必
要があった。このためには発光素子８１および二分割フ
ォトダイオード８２のそれぞれのレンズ８３に対する配
置位置の設計が煩雑になる問題があった。That is, in the structure shown in FIG. 6 (A), it is necessary to form a reflected light spot in the two-divided photodiode 82 as shown in FIG. 6 (B). It was necessary to irradiate the detection target 84 with the light emitted from the light emitting element 81 slightly wider than the parallel light as shown by the solid line or slightly narrowed as shown by the broken line in the figure. For this reason, there is a problem that the design of the arrangement position of the light emitting element 81 and the two-divided photodiode 82 with respect to the lens 83 becomes complicated.
【０００５】また、レンズの製作精度のばらつきにより
図７（Ａ）に示すように二分割フォトダイオード８２に
おける集光状態が変化し、これによって同図（Ｂ）に示
すように二分割フォトダイオード８２の受光信号と検出
対象の傾斜角θとの関係が変化してしまう問題もあっ
た。Further, due to variations in the manufacturing precision of the lens, the light-collecting state in the two-divided photodiode 82 changes as shown in FIG. 7 (A), and as a result, the two-divided photodiode 82 as shown in FIG. 7 (B). There is also a problem that the relationship between the received light signal of and the inclination angle θ of the detection target changes.
【０００６】この発明の目的は、受光素子として半導体
位置検出素子（ＰｏｓｉｔｉｏｎＳｅｎｓｉｔｉｖｅ
Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：以下ＰＳＤという。）を用いること
により、反射光スポットを十分小さくすることができ、
発光素子および受光素子をレンズの焦点面に配置できる
ようにしてレンズの設計を容易にし、さらに、反射光ス
ポットの大きさのばらつきによる受光信号と傾斜角との
関係が大きく変化することのないチルトセンサを提供す
ることにある。An object of the present invention is to use a semiconductor position detecting element (Position Sensitive) as a light receiving element.
Detector: Hereinafter referred to as PSD. ), The reflected light spot can be made sufficiently small,
Tilt that facilitates lens design by allowing the light emitting element and light receiving element to be placed on the focal plane of the lens, and that the relationship between the received light signal and the tilt angle does not change significantly due to variations in the size of the reflected light spot. To provide a sensor.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
に係るチルトセンサは、検出対象にレンズを介して光を
照射する発光素子と、発光素子から照射された光の検出
対象における反射光を前記レンズを介して受光するとと
もに、受光範囲の長手方向が検出対象の傾斜による反射
光スポットの変位方向に一致する半導体位置検出素子か
らなる受光素子と、受光素子の受光信号から検出対象の
傾斜角を求める受光信号処理手段と、を設け、発光素子
の発光面と受光素子の受光面とを前記レンズの焦点面に
配置したことを特徴とする。A tilt sensor according to the invention described in claim 1 is a light emitting element for irradiating a detection target with light through a lens, and reflected light of the light irradiated from the light emitting element on the detection target. Is received via the lens, and a light receiving element formed of a semiconductor position detecting element whose longitudinal direction in the light receiving range coincides with the displacement direction of the reflected light spot due to the inclination of the detection object, and the inclination of the detection object from the light reception signal of the light receiving element And a light receiving signal processing means for obtaining an angle, and the light emitting surface of the light emitting element and the light receiving surface of the light receiving element are arranged on the focal plane of the lens.
【０００８】請求項２に記載した発明に係るチルトセン
サは、前記受光信号処理手段が、前記受光素子を構成す
る半導体位置検出素子の両端電流の差を求める減算手段
を含むものである。In the tilt sensor according to the second aspect of the present invention, the received light signal processing means includes subtraction means for obtaining the difference between the currents across the semiconductor position detecting elements constituting the light receiving element.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１に記載した発明においては、検出対象
にレンズを介して照射された発光素子の光の反射光が同
一のレンズを介して半導体位置検出素子により受光され
る。検出対象からの反射光は、レンズによって集光され
て反射光スポットを形成する。この反射光スポットの形
成位置は検出対象が傾斜することによって変位する。受
光素子を構成する半導体位置検出素子は、この反射光ス
ポットの変位方向に長手方向を一致させて配置されてお
り、検出対象の傾斜状態に応じて半導体位置検出素子に
おける受光位置が変化する。半導体位置検出素子は長手
方向における受光位置に応じた電流を受光信号として両
端から出力する。従って、受光素子の両端から出力され
る電流値に基づいて検出対象の傾斜状態を求めることが
できる。また、発光素子の発光面と受光素子の受光面と
を単一のレンズの焦点面に配置することとしているた
め、発光素子、受光素子およびレンズの位置関係は一義
的に決定される。According to the first aspect of the invention, the reflected light of the light emitted from the light emitting element and irradiated to the object to be detected through the lens is received by the semiconductor position detecting element through the same lens. The reflected light from the detection target is condensed by the lens to form a reflected light spot. The formation position of this reflected light spot is displaced by tilting the detection target. The semiconductor position detecting element constituting the light receiving element is arranged with its longitudinal direction aligned with the displacement direction of the reflected light spot, and the light receiving position in the semiconductor position detecting element changes according to the tilted state of the detection target. The semiconductor position detecting element outputs a current corresponding to the light receiving position in the longitudinal direction as a light receiving signal from both ends. Therefore, the tilted state of the detection target can be obtained based on the current values output from both ends of the light receiving element. Further, since the light emitting surface of the light emitting element and the light receiving surface of the light receiving element are arranged on the focal plane of a single lens, the positional relationship between the light emitting element, the light receiving element and the lens is uniquely determined.
【００１０】請求項２に記載した発明においては、受光
素子を構成する半導体位置検出素子の両端電流の差が減
算手段により算出され、この算出結果に基づいて検出対
象の傾斜角が求められる。従って、検出対象の傾斜角は
受光信号処理手段における極めて容易な処理により求め
ることができる。According to the second aspect of the invention, the subtracting means calculates the difference between the currents across the semiconductor position detecting element forming the light receiving element, and the tilt angle of the detection target is obtained based on the calculation result. Therefore, the inclination angle of the detection target can be obtained by an extremely easy process in the received light signal processing means.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は、この発明の実施例であるチルトセン
サの構成を示す図である。同図（Ａ）に示すように、チ
ルトセンサ１０はＬＥＤによって構成される発光素子
１、ＰＳＤによって構成される受光素子２および光学レ
ンズ３によって構成されている。このチルトセンサ１０
は、光ディスクなどの検出対象４の傾斜角θを検出す
る。発光素子１の発光面および受光素子２の受光面は、
光学レンズ３の焦点面に一致して設けられており、発行
素子１から検出対象４に対して平行光線が照射される。
また、この焦点面は検出対象４から距離ｈの位置にあ
る。受光素子１から照射された光は光学レンズ３を経由
して検出対象４に到達し、この検出対象４において反射
した光が光学レンズ３を経由して受光素子２の受光面に
集光して反射光スポットを形成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a tilt sensor which is an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, the tilt sensor 10 is composed of a light emitting element 1 composed of an LED, a light receiving element 2 composed of a PSD, and an optical lens 3. This tilt sensor 10
Detects the tilt angle θ of the detection target 4 such as an optical disk. The light emitting surface of the light emitting element 1 and the light receiving surface of the light receiving element 2 are
It is provided so as to coincide with the focal plane of the optical lens 3, and parallel rays are emitted from the issuing element 1 to the detection target 4.
The focal plane is located at a distance h from the detection target 4. The light emitted from the light receiving element 1 reaches the detection target 4 via the optical lens 3, and the light reflected by the detection target 4 is condensed on the light receiving surface of the light receiving element 2 via the optical lens 3. Form a reflected light spot.
【００１２】検出対象４が図１（Ａ）中において実線で
示す水平状態にある場合において、検出対象４における
反射光は受光素子２の長手方向の中央部に集光する。検
出対象４が同図中一点鎖線または二点鎖線で示すように
水平状態から角度θ1 または角度θ2 だけ傾斜すると、
反射光スポットは受光素子２の中央部から距離ｘ1 また
は距離ｘ2 だけ変位した位置に形成される。受光素子２
を構成するＰＳＤは、受光位置が変位することによって
受光位置の両側における分圧抵抗比が変わり、その両端
電流Ｉ1 ，Ｉ2 の電流値が変化する。また、受光素子２
における反射光スポットの形成位置と検出対象４の傾斜
角との関係は、図１（Ｂ）から明らかなように、 ｘ＝ｈ・ｔａｎ２θ （１）式 となる。従って、図１（Ａ）における距離ｘ1 およびｘ
2 のそれぞれは、 ｘ1 ＝ｈ・ｔａｎ２θ1 ｘ2 ＝ｈ・ｔａｎ２θ2 で表される。このように、受光素子２の受光面と検出対
象４との間との距離ｈが一定であれば、受光素子２にお
ける反射光スポットの変位量ｘは検出対象４の傾斜角θ
に比例することになる。When the object to be detected 4 is in the horizontal state shown by the solid line in FIG. 1A, the reflected light from the object to be detected 4 is focused on the central portion of the light receiving element 2 in the longitudinal direction. When the detection target 4 is tilted by the angle θ 1 or the angle θ 2 from the horizontal state as shown by the alternate long and short dash line in the figure,
The reflected light spot is formed at a position displaced from the center of the light receiving element 2 by the distance x 1 or the distance x 2 . Light receiving element 2
In the PSD constituting the above, the voltage dividing resistance ratio on both sides of the light receiving position changes due to the displacement of the light receiving position, and the current values of the currents I 1 and I 2 across the PSD change. In addition, the light receiving element 2
As is clear from FIG. 1B, the relationship between the formation position of the reflected light spot and the tilt angle of the detection target 4 is as follows: x = h · tan2θ (1) Therefore, the distances x 1 and x in FIG.
Each 2 is expressed by x 1 = h · tan2θ 1 x 2 = h · tan2θ 2. Thus, when the distance h between the light receiving surface of the light receiving element 2 and the detection target 4 is constant, the displacement amount x of the reflected light spot on the light receiving element 2 is the inclination angle θ of the detection target 4.
Will be proportional to.
【００１３】一方、受光素子２を構成するＰＳＤにおけ
る両端電流Ｉ1 ，Ｉ2 は、ＰＳＤの電極間長さをＬと
し、その中心位置から集光点までの距離をｘとすると、 Ｉ1 ＝Ｉ0 （１／２＋ｘ／Ｌ） （２）式 Ｉ2 ＝Ｉ0 （１／２−ｘ／Ｌ） （３）式 但し、Ｉ0 ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 となり、両端電流の差Ｉ1 −Ｉ2 は、 Ｉ1 −Ｉ2 ＝２Ｉ0 ・ｘ／Ｌ （４）式 となる。つまり、両端電流の差Ｉ1 −Ｉ2 は、変位量ｘ
の正負の符号により表される集光点の位置がＰＳＤの中
心線より右側であるか左側であるかに応じて正負の値と
なる。On the other hand, the both-end currents I 1 and I 2 in the PSD constituting the light-receiving element 2 are I 1 = I 2 where L is the length between the PSD electrodes and x is the distance from the center position to the focus I 0 (1/2 + x / L) (2) formula I 2 = I 0 (1/ 2-x / L) (3) formula where, I 0 = I 1 + I 2 , and the difference between the two ends currents I 1 -I 2 becomes the formula of I 1 −I 2 = 2I 0 · x / L (4). That is, the difference I 1 -I 2 between the currents at both ends is the displacement x
The positive and negative values depend on whether the position of the condensing point represented by the positive or negative sign of is on the right side or the left side of the PSD center line.
【００１４】さらに、（１）式および（４）式より、 Ｉ1 −Ｉ2 ＝２Ｉ0 ・ｈ／Ｌ・ｔａｎ２θ ＝４Ｉ0 ・ｈ／Ｌ・θ （５）式 となり、両端電流の差Ｉ1 −Ｉ2 は傾斜角θに比例し、
図１（Ｃ）に示すように、両端電流の差Ｉ1 −Ｉ2 と傾
斜角θとの関係は、正方向に単調増加し、負方向に単調
減少する。この関係に基づいて受光素子２の両端電流の
差から傾斜角θが求まり、例えば光ディスクである検出
対象４とピックアップとの関係が垂直状態、即ち傾斜角
θ＝０となるように制御するサーボ機構の制御量として
チルトセンサ１０の出力を用いることができる。Further, from the equations (1) and (4), I 1 -I 2 = 2I 0 · h / L · tan 2θ = 4I 0 · h / L · θ (5) Equation (5) 1- I 2 is proportional to the tilt angle θ,
As shown in FIG. 1C, the relationship between the difference I 1 -I 2 between the two- end current and the inclination angle θ monotonously increases in the positive direction and monotonically decreases in the negative direction. Based on this relationship, the tilt angle θ is obtained from the difference between the currents across the light-receiving element 2, and the servo mechanism is controlled so that the relationship between the detection target 4 such as an optical disk and the pickup is in a vertical state, that is, the tilt angle θ = 0. The output of the tilt sensor 10 can be used as the control amount.
【００１５】図２〜図４は、上記チルトセンサのそれぞ
れ異なる構成状態を示す断面図である。図２に示すチル
トセンサ２０は、リードフレーム２５ａ，２５ｂのそれ
ぞれに発光素子２１および受光素子２２を実装した後、
このリードフレーム２５ａ，２５ｂをベース２７上に載
置し、ベース２７の二箇所において上面に開口した凹部
２６内に発光素子２１および受光素子２２を位置させた
状態で、この凹部２６にシリコンを充填し、さらに上面
にレンズ２３を取り付けて構成したものである。2 to 4 are cross-sectional views showing different configurations of the tilt sensor. In the tilt sensor 20 shown in FIG. 2, after mounting the light emitting element 21 and the light receiving element 22 on each of the lead frames 25a and 25b,
The lead frames 25a, 25b are placed on the base 27, and the recesses 26 are filled with silicon in a state where the light emitting element 21 and the light receiving element 22 are positioned in the recesses 26 that are opened on the upper surface at two locations of the base 27. In addition, the lens 23 is attached to the upper surface.
【００１６】また、図３に示すチルトセンサ３０は、ベ
ース３７に一体成形されたリードフレーム３５ａ，３５
ｂのそれぞれに発光素子３１および受光素子３２を実装
した後、その上面にレンズ３３を透光性樹脂によりモー
ルドしたものである。The tilt sensor 30 shown in FIG. 3 has lead frames 35a, 35 integrally formed on a base 37.
After mounting the light emitting element 31 and the light receiving element 32 on each of b, a lens 33 is molded on the upper surface thereof with a light-transmissive resin.
【００１７】さらに図４に示すチルトセンサ４０は、リ
ードフレーム４５ａ，４５ｂのそれぞれに発光素子４１
および受光素子４２を実装した後、発光素子４１および
受光素子４２の上面および側面を透光性樹脂で一次モー
ルドし、次いで遮光性樹脂によってベース部４７を二次
モールドし、さらに透光性樹脂によりレンズ４３を三次
モールドしたものである。この三次モールドによって形
成されるレンズ４３に変えて図２に示すようなレンズ２
３を取り付けるようにしてもよい。Further, in the tilt sensor 40 shown in FIG. 4, a light emitting element 41 is provided on each of the lead frames 45a and 45b.
After mounting the light receiving element 42, the upper surface and the side surface of the light emitting element 41 and the light receiving element 42 are primary-molded with a transparent resin, and then the base portion 47 is secondary-molded with a light-blocking resin. The lens 43 is a third mold. Instead of the lens 43 formed by this tertiary mold, the lens 2 as shown in FIG.
3 may be attached.
【００１８】なお、図２〜図４において、レンズ２３、
３３、４３は、焦点面が発光素子の発光面および受光素
子の受光面に一致するように設計されている。2 to 4, the lens 23,
33 and 43 are designed so that their focal planes coincide with the light emitting surface of the light emitting element and the light receiving surface of the light receiving element.
【００１９】図５は、上記チルトセンサの回路図であ
る。受光素子２を構成するＰＳＤの後段に電流電圧変換
用のオペアンプ５１，５２を接続し、さらにオペアンプ
５１，５２の出力を減算処理用のオペアンプ５３に入力
する。このように、受光素子２の出力端子にオペアンプ
５１〜５３によって構成される信号処理回路５０を接続
することにより、検出対象の傾斜角θに応じた電圧信号
Ｖ1 −Ｖ2 を出力することができる。この電圧信号Ｖ1
−Ｖ2 を例えば光ディスク再生装置のディスクスキュー
補正機構に供給し、光ディスクとピックアップとの角度
を適正にしてクロストークによるデータの読取不良を防
止することができる。FIG. 5 is a circuit diagram of the tilt sensor. The operational amplifiers 51 and 52 for current / voltage conversion are connected to the subsequent stage of the PSD constituting the light receiving element 2, and the outputs of the operational amplifiers 51 and 52 are input to the operational amplifier 53 for subtraction processing. In this way, by connecting the signal processing circuit 50 including the operational amplifiers 51 to 53 to the output terminal of the light receiving element 2, it is possible to output the voltage signals V 1 -V 2 according to the tilt angle θ of the detection target. it can. This voltage signal V 1
-V 2 can be supplied to, for example, the disc skew correction mechanism of the optical disc reproducing apparatus to properly set the angle between the optical disc and the pickup to prevent data reading failure due to crosstalk.
【００２０】なお、光ディスク再生装置に限らず、検出
対象の傾斜角度を検出する装置であれば、この発明を同
様に実施例できることは言うまでもない。Needless to say, the present invention is not limited to the optical disc reproducing device, and any device that detects the tilt angle of the detection object can be applied to the present invention.
【００２１】[0021]
【発明の効果】この発明によれば、検出対象における反
射光を受光する受光素子として、受光位置に応じた検出
信号を両端において出力するＰＳＤを用いることとした
ため、二分割フォトダイオードを用いる場合のように、
反射光スポットの大きさを所定の大きさに厳格に維持す
る必要がなく、レンズの形状やレンズと発光素子および
受光素子との間の位置関係を厳格に維持する必要がな
く、レンズ形状および各素子とレンズとの配置関係につ
いての設計作業や製造作業を容易にすることができる利
点がある。According to the present invention, since the PSD which outputs the detection signal according to the light receiving position at both ends is used as the light receiving element for receiving the reflected light on the detection target, the two-divided photodiode is used. like,
It is not necessary to strictly maintain the size of the reflected light spot at a predetermined size, and it is not necessary to strictly maintain the shape of the lens and the positional relationship between the lens and the light emitting element and the light receiving element. There is an advantage that the design work and the manufacturing work regarding the arrangement relationship between the element and the lens can be facilitated.
【００２２】また、レンズの焦点面に発光素子の発光面
および受光素子の受光面を配置することにより、レンズ
を通過した発光素子の光を平行光とすることができ、ま
た、受光素子上に反射光を集光させることができ、受光
信号の出力と検出対象の傾斜角との比例関係を広い範囲
に亘ってほぼ直線的にすることができる利点がある。Further, by arranging the light emitting surface of the light emitting element and the light receiving surface of the light receiving element on the focal plane of the lens, the light of the light emitting element that has passed through the lens can be made into parallel light, and on the light receiving element. There is an advantage that the reflected light can be condensed and the proportional relationship between the output of the received light signal and the inclination angle of the detection target can be made substantially linear over a wide range.
【図１】この発明の実施例であるチルトセンサの構成、
検出対象の傾斜角と反射光スポットの変位量との関係、
および、受光素子の両端電流の差と傾斜角との関係を示
す図である。FIG. 1 is a configuration of a tilt sensor that is an embodiment of the present invention,
The relationship between the tilt angle of the detection target and the amount of displacement of the reflected light spot,
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the difference between the currents across the light receiving element and the tilt angle.
【図２】この発明の実施例であるチルトセンサの断面図
である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a tilt sensor that is an embodiment of the present invention.
【図３】この発明の別の実施例に係るチルトセンサの断
面図である。FIG. 3 is a sectional view of a tilt sensor according to another embodiment of the present invention.
【図４】この発明のさらに別の実施例に係るチルトセン
サの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a tilt sensor according to still another embodiment of the present invention.
【図５】同チルトセンサの回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of the tilt sensor.
【図６】従来のチルトセンサの構成図、受光素子の受光
状態を示す図および光路図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional tilt sensor, a diagram showing a light receiving state of a light receiving element, and an optical path diagram.
【図７】同従来のチルトセンサにおける受光状態を示す
図および受光信号と傾斜角との関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a light receiving state in the conventional tilt sensor and a diagram showing a relationship between a light receiving signal and a tilt angle.
１−発光素子 ２−受光素子 ３−レンズ ４−検出対象 ５０−信号処理回路 1-Light emitting element 2-Light receiving element 3-Lens 4-Detection target 50-Signal processing circuit
Claims (2)
光素子と、発光素子から照射された光の検出対象におけ
る反射光を前記レンズを介して受光するとともに、受光
範囲の長手方向が検出対象の傾斜による反射光スポット
の変位方向に一致する半導体位置検出素子からなる受光
素子と、受光素子の受光信号から検出対象の傾斜角を求
める受光信号処理手段と、を設け、発光素子の発光面と
受光素子の受光面とを前記レンズの焦点面に配置したこ
とを特徴とするチルトセンサ。1. A light emitting element for irradiating a detection target with light through a lens, and reflected light of the light irradiated from the light emitting element on the detection target is received through the lens and the longitudinal direction of the light receiving range is detected. The light emitting surface of the light emitting element is provided with a light receiving element including a semiconductor position detecting element that matches the displacement direction of the reflected light spot due to the inclination of the object, and light receiving signal processing means for obtaining the inclination angle of the detection object from the light receiving signal of the light receiving element. And a light receiving surface of the light receiving element are arranged on a focal plane of the lens.
構成する半導体位置検出素子の両端電流の差を求める減
算手段を含む請求項１に記載のチルトセンサ。2. The tilt sensor according to claim 1, wherein the received light signal processing means includes subtraction means for obtaining a difference in current between both ends of a semiconductor position detecting element forming the light receiving element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27532393A JPH07128033A (en) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Tilt sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27532393A JPH07128033A (en) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Tilt sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128033A true JPH07128033A (en) | 1995-05-19 |
Family
ID=17553857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27532393A Pending JPH07128033A (en) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | Tilt sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07128033A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2163971A1 (en) * | 1999-04-19 | 2002-02-01 | Univ La Coruna | Photovoltaic flexion meter. |
| JP2002168625A (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Topcon Corp | Run-out detecting device, rotating laser device having the same and position-measuring/setting system having the same |
| JP2018179501A (en) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | 日本精工株式会社 | Proximity sensor |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP27532393A patent/JPH07128033A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2163971A1 (en) * | 1999-04-19 | 2002-02-01 | Univ La Coruna | Photovoltaic flexion meter. |
| JP2002168625A (en) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Topcon Corp | Run-out detecting device, rotating laser device having the same and position-measuring/setting system having the same |
| JP2018179501A (en) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | 日本精工株式会社 | Proximity sensor |
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