JPH07122619A - Method for transferring semiconductor wafer - Google Patents

Method for transferring semiconductor wafer

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JPH07122619A
JPH07122619A JP5287544A JP28754493A JPH07122619A JP H07122619 A JPH07122619 A JP H07122619A JP 5287544 A JP5287544 A JP 5287544A JP 28754493 A JP28754493 A JP 28754493A JP H07122619 A JPH07122619 A JP H07122619A
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wafer
cassette
orientation
chamber
semiconductor wafer
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Tatsuya Nakagome
達也 中込
Takashi Tozawa
孝 戸澤
Koji Suzuki
鈴木  孝治
Yasumasa Ishihara
保正 石原
Masato Kajiwara
真人 梶原
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To allow easy discrimination of a wafer in a container not subjected to normal processing by adjusting the orientation of the wafer not subjected to normal processing through a position matching mechanism thereby discriminating the wafer based on the orientation thereof when the wafer is set in the container. CONSTITUTION:When normal processing is not conducted, a control section selects an abnormal mode and controls the driving section of a transfer means 21 such that a wafer 1 is transferred onto the rotary stage 61 of a position matching mechanism 6. The control section selects a containment identification mode for the position matching mechanism 6 and rotates the rotary stage 61 such that the wafer 3 is contained in a cassette C in the direction different from the orientation flat of a normal wafer 1 thus transferring the wafer 1 into a cassette C in a cassette chamber 3B. Since the direction of orientation flat is different by 180 deg. between a normally processed wafer 1 and a wafer 1 not processed normally, the wafer 1 not processed normally can be discriminated at a glance.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの搬送方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer transfer method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスは、成膜処理、エッチン
グ処理、イオン注入処理及びアッシング処理などの多く
の処理を経て製造されるが、この種の処理は大気と気密
に区画された真空雰囲気あるいは常圧雰囲気中で行われ
る。このため半導体の処理ステーションは、例えば真空
処理ステーションでは、半導体ウエハ(以下「ウエハ」
という)を25枚収納するカセットを載置するための入
出力ポートと、真空処理室及びロードロック室と、入出
力ポートからロードロック室を介して真空処理室内へウ
エハを搬入し、また逆の経路で搬出する搬送手段と、搬
送路中に設けられた、ウエハのオリエンテーションフラ
ット(以下「オリフラ」という)やウエハの中心を合わ
せるための位置合わせ機構とを備えている。
2. Description of the Related Art A semiconductor device is manufactured through many processes such as film forming process, etching process, ion implantation process and ashing process. This kind of process is performed in a vacuum atmosphere or air-tightly sealed atmosphere or a normal atmosphere. It is performed in a pressure atmosphere. For this reason, semiconductor processing stations, such as vacuum processing stations, use semiconductor wafers (hereinafter "wafers").
Wafer) is loaded into the vacuum processing chamber from the input / output port through the load lock chamber and the vacuum processing chamber and the load lock chamber, and vice versa. The transfer means is configured to be carried out along the path, and a wafer orientation flat (hereinafter referred to as “orientation flat”) provided in the transfer path and a positioning mechanism for aligning the center of the wafer.

【0003】ところで真空処理室に何らかの異常が起き
た場合、例えばガス流量や電力などのプロセス条件が所
定値から外れた場合、アラームが発せられて処理が中止
される。このときオペレータの判断によりリセット処理
して装置を再スタートさせ、その後異常が解除されてい
る場合には中止されたウエハがカセットに戻された後、
次のウエハから通常の処理が行われる。従ってこのよう
な場合にはカセットに戻されたウエハの中には通常の処
理が行われなかったウエハも含まれることになるが、当
該ウエハについては例えば上位のコンピュータのデータ
シートにもとづいてオペレータがそのウエハを含むカセ
ットを判別し、そのカセットの中からウエハを取り除
き、廃棄されることとなる。
By the way, when some abnormality occurs in the vacuum processing chamber, for example, when process conditions such as gas flow rate and electric power deviate from predetermined values, an alarm is issued and the processing is stopped. At this time, the operator performs a reset process to restart the apparatus, and if the abnormality is released after that, the canceled wafer is returned to the cassette,
Normal processing is performed from the next wafer. Therefore, in such a case, the wafers returned to the cassette also include wafers that have not been subjected to normal processing. However, regarding the wafers, for example, based on the data sheet of the upper computer, the operator The cassette containing the wafer is identified, the wafer is removed from the cassette, and the wafer is discarded.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらオペレー
タがデータシートなどを頼りにカセットを探し、そのカ
セットの中からウエハを見つけるマニァアル作業は、カ
セットの形状が同型であり、また各カセットにウエハが
同配列で25枚も収納されているため、頻雑な作業とな
り、必ずしも信頼性が絶対的なものではない。そしてオ
ペレータが別のウエハを誤って取り出してしまうと、通
常の処理をされないウエハがラインを流れてしまい、そ
の後の検査工程で原因究明の検討やそれに伴ってライン
を一時止めるなど、無用な混乱を招くおそれがある。
However, in a manual operation in which an operator searches a cassette by relying on a data sheet or the like and finds a wafer in the cassette, the cassettes have the same shape and the wafers are arranged in the same array in each cassette. Since 25 sheets are stored, the work is complicated and the reliability is not absolutely absolute. If the operator mistakenly removes another wafer, the wafer that is not normally processed flows through the line, causing unnecessary confusion such as investigating the cause in the subsequent inspection process and temporarily stopping the line. May invite.

【0005】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、通常の処理がされなかった
容器内のウエハを容易に識別することができるウエハの
搬送方法を提供することにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a wafer transfer method capable of easily identifying a wafer in a container which has not been normally processed. To do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、半導
体ウエハを位置合わせ機構に搬送して半導体ウエハの向
きを合わせる工程と、この半導体ウエハを処理室内に搬
送する工程と、前記処理室内にて通常の処理が行われた
半導体ウエハを容器内へ搬送する工程と、前記処理室内
にて通常の処理が行われなかった半導体ウエハを位置合
わせ機構に搬送して当該半導体ウエハの向きを、容器内
に収納されたときに通常の処理が行われた半導体ウエハ
の向きとは異なる向きとなるように調整する工程と、半
導体ウエハの向きが調整された半導体ウエハを容器内へ
搬送する工程と、を備えてなることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a step of transferring a semiconductor wafer to an alignment mechanism to align the semiconductor wafer, a step of transferring the semiconductor wafer into a processing chamber, and the processing chamber. In the step of transferring the semiconductor wafer that has been normally processed in the container into the container, the semiconductor wafer that has not been normally processed in the processing chamber is transferred to the alignment mechanism, and the orientation of the semiconductor wafer is changed. A step of adjusting the orientation of the semiconductor wafer so that the orientation of the semiconductor wafer is different from the orientation of the semiconductor wafer that has been normally processed when stored in the vessel; and a step of transporting the semiconductor wafer with the orientation of the semiconductor wafer adjusted into the vessel. , Is provided.

【0007】[0007]

【作用】容器内のウエハは、搬送手段により取り出され
て、位置合わせ機構により例えばオリフラの向きが所定
の向きに合わせられた後、例えば真空処理室内に搬送さ
れる。そして所定の真空処理(ただし常圧処理でもよ
い。)が行われた後、例えば元の容器内あるいは別の容
器内に戻されるが、通常の処理が行われなかったウエハ
については、位置合わせ機構でウエハの向きが調整さ
れ、容器内に収納されたときには通常の処理が行われた
ウエハの向きとは区別された状態となる。
The wafer in the container is taken out by the transfer means, and after the orientation mechanism adjusts the orientation of the orientation flat to a predetermined orientation, for example, it is transported into the vacuum processing chamber. Then, after a predetermined vacuum process (however, a normal pressure process may be performed), the wafer is returned to, for example, the original container or another container, but for a wafer that has not been normally processed, the alignment mechanism is used. The orientation of the wafer is adjusted by, and when the wafer is accommodated in the container, it is in a state of being distinguished from the orientation of the wafer which has been normally processed.

【0008】[0008]

【実施例】図1は本発明の実施例に用いられる装置の一
例の全体構成を示す概観斜視図である。図中2は気密構
造の直方体形状の搬送室であり、この搬送室2の周囲に
は、25枚のウエハ1を収納するための容器であるウエ
ハカセット(以下単にカセットという)が載置される気
密構造の2個のカセット室3A、3B及び3個の真空処
理室4A〜4Cが図2にも示すように当該搬送室2に対
して夫々ゲートバルブGを介して気密に接続されて設け
られている。
1 is a schematic perspective view showing the overall construction of an example of an apparatus used in an embodiment of the present invention. In the figure, 2 is an airtight rectangular parallelepiped transfer chamber, and a wafer cassette (hereinafter simply referred to as a cassette) which is a container for storing 25 wafers 1 is placed around the transfer chamber 2. As shown in FIG. 2, two cassette chambers 3A, 3B having an airtight structure and three vacuum processing chambers 4A to 4C are connected to the transfer chamber 2 in a gastight manner through gate valves G, respectively. ing.

【0009】前記カセット室3A、3Bは、例えば一方
(3A)が搬入用、他方(3B)が搬出用として使用さ
れ、上部には蓋部31が形成されると共に、内部にはカ
セットCを昇降する昇降機構32が設けられている。ま
た図2に示すようにカセット室3A、3Bの底部には排
気管33が接続され、この排気管33はバルブV1を介
して真空ポンプ33a例えばドライポンプに接続されて
いる。
Of the cassette chambers 3A and 3B, for example, one (3A) is used for carrying in and the other (3B) is used for carrying out, a lid portion 31 is formed on the upper portion, and the cassette C is raised and lowered inside. An elevating mechanism 32 is provided. Further, as shown in FIG. 2, an exhaust pipe 33 is connected to the bottoms of the cassette chambers 3A and 3B, and the exhaust pipe 33 is connected to a vacuum pump 33a, for example, a dry pump via a valve V1.

【0010】前記真空処理室4A(4B、4C)は、例
えばマグネットを用いたプラズマエッチングを行うよう
に構成されており、サセプタを兼用する下部電極41及
び上部電極42が設けられると共に処理ガス供給管43
及び排気管44が接続されている。処理ガス供給管43
の基端側には、ガス流量やガス圧力を制御する制御機器
が収納されたガスボックス5が設けられている。上部電
極42の上方にはマグネットユニット45が真空処理室
とは分割されて設けられており、このマグネットユニッ
ト45は筐体45aの中に真空処理室4A(4B、4
C)内に磁場を形成するマグネット46及びこのマグネ
ット46の磁極と反対の磁極が互に上下に重なるように
形成された磁場漏洩防止用のマグネット47並びにこれ
らを回転させるモータ48を収納して構成されている。
The vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is configured to perform plasma etching using a magnet, for example, and is provided with a lower electrode 41 and an upper electrode 42 which also serve as susceptors and a processing gas supply pipe. 43
And the exhaust pipe 44 is connected. Process gas supply pipe 43
A gas box 5 that houses a control device for controlling the gas flow rate and the gas pressure is provided on the proximal end side of the. A magnet unit 45 is provided above the upper electrode 42 so as to be separated from the vacuum processing chamber. The magnet unit 45 is provided inside the housing 45a in the vacuum processing chamber 4A (4B, 4B,
C) A magnet 46 for forming a magnetic field, a magnet 47 for preventing magnetic field leakage formed so that magnetic poles opposite to the magnetic poles of the magnet 46 are vertically overlapped with each other, and a motor 48 for rotating them are housed in C). Has been done.

【0011】前記搬送室2内には、カセット室3A、3
B及び真空処理室4A〜4C間でウエハを搬送するため
の例えば各々独立して水平に回動可能な3本の搬送アー
ムを備えた多関節アームよりなる搬送手段21が配設さ
れている。搬送手段21の駆動部22は、搬送室2の底
壁の下方側の気密なケース部23内に設けられており、
このケース部23内を排気管35を介して真空ポンプ3
4例えばターボ分子ポンプにより真空排気することによ
り軸受け部からのパーティクルの飛散を防止している。
V2はバルブである。また搬送室2には、バルブV3を
備えた排気管36が接続され、この排気管36には前記
真空ポンプ34が接続されている。
In the transfer chamber 2, cassette chambers 3A, 3A
A transfer means 21 is provided for transferring the wafer between the B and the vacuum processing chambers 4A to 4C. The transfer means 21 is, for example, an articulated arm having three independently rotatable horizontal transfer arms. The drive unit 22 of the transfer means 21 is provided in an airtight case part 23 below the bottom wall of the transfer chamber 2,
The inside of the case portion 23 is evacuated to the vacuum pump 3 via the exhaust pipe 35.
4 Particles are prevented from scattering from the bearing portion by evacuation using a turbo molecular pump, for example.
V2 is a valve. An exhaust pipe 36 having a valve V3 is connected to the transfer chamber 2, and the vacuum pump 34 is connected to the exhaust pipe 36.

【0012】また前記搬送室2内には、ウエハを一時的
に載置するための昇降自在なバッファステージ24と、
ウエハのオリエンテーションフラット(以下「オリフ
ラ」という。)の向き及び中心位置を合わせるための位
置合わせ機構6とが配置されている。この位置合わせ機
構6は、図1及び図3に示すようにウエハ1をチャック
するチャック機能を備えた小径のステージ61と、この
ステージ61をX、Y、Z及びθ方向に駆動する駆動部
62と、ウエハ1の周縁部を光学的に検出するよう、ウ
エハ1の周縁の移動路を挟んで上下に発光部63a、受
光部63bを備えた発受光部63とを備えている。
In the transfer chamber 2, a buffer stage 24, which can be raised and lowered, for temporarily mounting a wafer,
An alignment mechanism 6 for aligning the orientation and center position of a wafer orientation flat (hereinafter referred to as “orientation flat”) is arranged. As shown in FIGS. 1 and 3, the alignment mechanism 6 has a small-diameter stage 61 having a chucking function for chucking the wafer 1 and a drive unit 62 for driving the stage 61 in the X, Y, Z, and θ directions. And a light emitting / receiving unit 63 including a light emitting unit 63a and a light receiving unit 63b above and below the moving path of the peripheral edge of the wafer 1 so as to optically detect the peripheral edge of the wafer 1.

【0013】前記受光部63bは制御部7に接続されて
おり、この制御部7は、受光部63bの受光信号に基づ
いてウエハ1の中心位置及びオリフラの向きを検出し、
ウエハ1の中心位置が所定位置となり、オリフラの向き
が所定の向きとなるようにステージ61(以下「回転ス
テージ61」という)の駆動部62を制御する機能を有
している。この制御部7は、真空処理室4A(4B、4
C)にて決められたオリフラの向きを指定する処理用モ
ードと、通常の処理が行われたウエハ1がカセットC内
に収納されるときのウエハ1のオリフラの向きとは異な
ったオリフラの向き、例えば180度異なった向きを指
定する収納識別用モードとを選択できるように構成され
ている。また前記制御部7は、前記搬送手段21の駆動
部22を制御し、真空処理室4A(4B、4C)が正常
である場合には通常の搬送を行う通常モードを、また真
空処理室側で異常が検出されて通常の処理が行われなか
ったウエハ1を搬送する場合には異常モードを選択する
機能を備えている。
The light receiving portion 63b is connected to the control portion 7, which detects the center position of the wafer 1 and the orientation of the orientation flat based on the light receiving signal of the light receiving portion 63b.
It has a function of controlling the drive unit 62 of the stage 61 (hereinafter referred to as “rotary stage 61”) so that the center position of the wafer 1 becomes a predetermined position and the orientation flat direction becomes the predetermined direction. The control unit 7 includes a vacuum processing chamber 4A (4B, 4B,
The processing mode for designating the orientation of the orientation flat determined in C) and the orientation of the orientation flat different from the orientation of the orientation flat of the wafer 1 when the wafer 1 that has undergone normal processing is stored in the cassette C. For example, the storage identification mode in which the orientation different by 180 degrees is designated can be selected. Further, the control unit 7 controls the drive unit 22 of the transfer means 21, and when the vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is normal, a normal mode for carrying out a normal transfer is performed. It is provided with a function of selecting an abnormal mode when a wafer 1 which has been detected to be abnormal and which has not been subjected to normal processing is transferred.

【0014】次に上述の装置を用いて行う本発明方法の
実施例について述べる。
Next, an embodiment of the method of the present invention using the above apparatus will be described.

【0015】先ずカセット室3A、3Bの蓋31を開
き、ウエハ1を25枚収納した容器としてのカセットC
をウエハ1が水平になる姿勢で例えば一方のカセット室
3A(搬入用カセット室3A)内の昇降機構32上に例
えばオペレータにより載置すると共に、他方のカセット
室3B(搬出用カセット室3B)内に空のカセットCを
載置し、蓋31を閉じてカセット室3A、3B内を、既
に真空排気されている搬送室2内と同じ程度の真空度ま
で真空排気した後、カセット室3A、3Bのゲートバル
ブGを開く。次いで搬送手段21の搬送アームがカセッ
ト室3AのカセットC内に進入し、ウエハ1を受け取
る。この場合昇降機構32を間欠的に降下させてカセッ
トCから1枚づつウエハ1が搬出され、ウエハ1は、搬
送アームの先端部により保持される。
First, the lids 31 of the cassette chambers 3A and 3B are opened, and a cassette C as a container for storing 25 wafers 1 is provided.
The wafer 1 is placed in a horizontal position, for example, on the elevating mechanism 32 in one of the cassette chambers 3A (carrying-in cassette chamber 3A) by, for example, an operator, and in the other cassette chamber 3B (carrying-out cassette chamber 3B). An empty cassette C is placed on the cassette chamber, the lid 31 is closed, and the interiors of the cassette chambers 3A and 3B are evacuated to the same degree of vacuum as the interior of the transfer chamber 2 that has been evacuated. Open the gate valve G of. Then, the transfer arm of the transfer means 21 enters the cassette C in the cassette chamber 3A to receive the wafer 1. In this case, the elevating mechanism 32 is intermittently lowered and the wafers 1 are unloaded from the cassette C one by one, and the wafers 1 are held by the tip of the transfer arm.

【0016】搬送手段21はカセットCから受け取った
ウエハWを位置合わせ機構6の回転ステージ61上に載
置して、例えば発受光部63によりウエハ1の周縁を検
出し、その結果にもとづき回転ステージ6を動かしウエ
ハ1のオリフラの向き及び中心の位置合わせを行う。続
いてこのウエハ1を搬送手段21により例えば真空処理
室4A内に搬入する。真空処理室4A内では、サセプタ
41に組み合わされた図示しない昇降ピンの昇降動作を
介してウエハがサセプタ41上に載置され、サセプタ4
1及び上部電極42間の高周波電力とマグネット46の
磁場とのエネルギーにより得られたプラズマによってエ
ッチングされる。
The transfer means 21 places the wafer W received from the cassette C on the rotary stage 61 of the alignment mechanism 6, detects the peripheral edge of the wafer 1 by, for example, the light emitting and receiving section 63, and based on the result, the rotary stage. 6 is moved to align the orientation and center of the orientation flat of the wafer 1. Then, the wafer 1 is carried into the vacuum processing chamber 4A, for example, by the carrying means 21. In the vacuum processing chamber 4A, the wafer is placed on the susceptor 41 through the elevating operation of the elevating pins (not shown) combined with the susceptor 41.
Etching is performed by the plasma obtained by the energy of the high frequency power between the first and upper electrodes 42 and the energy of the magnetic field of the magnet 46.

【0017】カセットC内のウエハ1は、上述のような
搬送工程により例えば各真空処理室3A〜3Cに分配さ
れ、並行して真空処理、例えばプラズマエッチングが行
われる。処理済みのウエハ1は搬送手段21により例え
ば他方のカセット室3BのカセットC内に受け渡される
が、次に処理されるべきウエハWは、真空処理室3A〜
3Cで処理が行われている間に位置合わせを行ってバッ
ファステージ24上で待機している。
The wafer 1 in the cassette C is distributed to, for example, the respective vacuum processing chambers 3A to 3C by the above-described transfer process, and vacuum processing, for example, plasma etching is performed in parallel. The processed wafer 1 is transferred, for example, into the cassette C of the other cassette chamber 3B by the transfer means 21, and the next wafer W to be processed is the vacuum processing chambers 3A to 3A.
Positioning is performed while the process is being performed in 3C, and the process is waiting on the buffer stage 24.

【0018】こうして真空処理室が正常に動作している
場合には、搬送手段21の駆動部22の制御モードを通
常モードとし、位置合わせ機構7の駆動部62の制御モ
ードを処理用モードとし、上述のような工程が行われ
る。ここで本発明実施例では真空処理室4A(4B〜4
C)内でウエハに対して通常の処理が行われたか否かに
よって搬送工程が変わってくる。この工程に関して図4
の工程図を参照しながら説明すると、ウエハ1が真空処
理室内に搬入され通常の処理が行われた場合には上述の
如くウエハ1がカセットC内へ搬送されるが、通常の処
理が行われなかった場合、例えば処理ガスの流量、温
度、圧力、電力などのプロセス条件が異常値となって、
上位コンピュータ(図3参照)から異常信号が制御部7
に出力された場合、制御部7は異常モードを選択して搬
送手段21の駆動部22を制御し、これによりウエハ1
は位置合わせ機構6の回転ステージ61に搬送される。
また制御部7は位置合わせ機構6に対して収納識別用モ
ードを選択し、これによりウエハ1が通常のウエハ1の
オリフラとは異なる向きでカセットC内に収納されるよ
うに回転ステージ61を回動させる。その後このウエハ
1は回転ステージ61からカセット室3BのカセットC
内に搬送される。
When the vacuum processing chamber is operating normally in this way, the control mode of the drive unit 22 of the transfer means 21 is set to the normal mode, and the control mode of the drive unit 62 of the alignment mechanism 7 is set to the processing mode. The steps as described above are performed. Here, in the embodiment of the present invention, the vacuum processing chamber 4A (4B-4
The transfer process varies depending on whether or not the normal processing is performed on the wafer in C). Figure 4 for this process
Describing with reference to the process chart of FIG. 1, when the wafer 1 is loaded into the vacuum processing chamber and subjected to the normal processing, the wafer 1 is transferred into the cassette C as described above, but the normal processing is performed. If not, for example, process conditions such as the flow rate of processing gas, temperature, pressure, and electric power become abnormal values,
An abnormal signal is sent from the host computer (see FIG. 3) to the control unit 7.
Is output to the wafer 1, the control unit 7 selects the abnormal mode and controls the drive unit 22 of the transfer means 21.
Are conveyed to the rotary stage 61 of the alignment mechanism 6.
Further, the control unit 7 selects the storage identification mode for the alignment mechanism 6, whereby the rotary stage 61 is rotated so that the wafer 1 is stored in the cassette C in a direction different from the orientation flat of the normal wafer 1. To move. Thereafter, the wafer 1 is transferred from the rotary stage 61 to the cassette C in the cassette chamber 3B.
Be transported inside.

【0019】そして真空処理室4A(4B、4C)のプ
ロセスの異常が例えばリセット処理により解除された場
合にはカセット室3AのカセットC内の残りのウエハ1
が順次処理される。図5はこのような工程を終えてウエ
ハ1が受け渡されたカセット室3B内のカセットCを示
す図であり、通常の処理が行われたウエハ1と、通常の
処理が行われなかったウエハ1とではオリフラ10の向
きが例えば180度異なる。
When the process abnormality in the vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is canceled by, for example, the reset process, the remaining wafers 1 in the cassette C in the cassette chamber 3A.
Are sequentially processed. FIG. 5 is a view showing the cassette C in the cassette chamber 3B in which the wafer 1 has been transferred after the above-described steps, and the wafer 1 that has been subjected to the normal processing and the wafer that has not been subjected to the normal processing. The orientation of the orientation flat 10 differs from that of 1 by 180 degrees, for example.

【0020】従ってオペレータはこのカセットC内を見
れば、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別
でき、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく当該
ウエハを確実に取り除くことができ、その後の工程で無
用な検討やラインの停止などを行わなくて済む。以上に
おいてオリフラの代わりに例えばノッチと呼ばれる半円
状の切り欠きが形成されているウエハについては、ノッ
チに基づいてウエハの向きが決められる。
Therefore, by looking at the inside of the cassette C, the operator can identify at a glance a wafer that has not been subjected to normal processing, and can reliably remove the wafer without mistakenly performing a wafer that has been processed normally. , It is not necessary to do unnecessary examination or stop the line in the subsequent process. In the above, for a wafer having a semi-circular cutout called a notch instead of the orientation flat, the orientation of the wafer is determined based on the notch.

【0021】そして本発明は、例えば搬送手段及び位置
合わせ機構が大気中に設けられている場合にも適用でき
るし、プラズマエッチング以外にCVD、アッシング、
イオン注入、スパッタリングなどの真空処理を行う場合
に、あるいは真空処理室に限らず常圧あるいは高圧処理
を行う場合に適用することもできる。
The present invention can be applied to the case where the transfer means and the alignment mechanism are provided in the atmosphere, for example. In addition to plasma etching, CVD, ashing,
It can also be applied to the case of performing vacuum processing such as ion implantation and sputtering, or to the case of performing normal pressure or high pressure processing not limited to the vacuum processing chamber.

【0022】ここで図6を参照しながら処理ガスの好ま
しい供給方法について述べる。ガスボックス5内には例
えばn個のガス供給系(ガスライン)L1〜Lnが設け
られており、各ガス供給系L1〜Lnにはバルブ、流量
計、圧力計などの制御機器が組み込まれている。図6で
はこれら制御機器を模式的に省略して示しており、Va
〜Vcはバルブ、MFCはマスフローコントローラであ
る。ガス供給系L1〜L3を夫々窒素ガス、第1の処理
ガス、第2の処理ガス(第1の処理ガスとは異なるガ
ス)を供給するためのものであるとし、第1の処理ガス
が今まで用いられ、次に第2の処理ガスの処理が行われ
るとすると、先ず各ガス供給系L1〜LnのバルブVb
を閉じ、Va、Vcを開くと共に、処理ガス供給管43
のバルブ50を開き、真空処理室4内を排気管44によ
り真空排気する。次いで例えばガス供給系L1のバルブ
Vbを開いて窒素ガスを所定流量で供給する。これによ
ってガス供給系L1〜Lnのバルブやマスフローコント
ローラーなどの制御機器及び配管内が真空排気されその
後窒素ガスが通流することとなる。このような工程を1
回あるいは複数回繰り返して行うことにより制御機器及
び配管内の残留ガスが確実に除去される。従って第2の
処理ガスを流したときには、このガス中には他のガス成
分の混入を抑えられるのでウエハ1中に予定外の成分の
混入を防止できる。なおこの場合窒素ガスの代りに他の
不活性ガスを用いてもよい。
A preferred method of supplying the processing gas will be described with reference to FIG. For example, n gas supply systems (gas lines) L1 to Ln are provided in the gas box 5, and control devices such as valves, flow meters, and pressure gauges are incorporated in the respective gas supply systems L1 to Ln. There is. In FIG. 6, these control devices are schematically omitted and shown as Va.
~ Vc is a valve, MFC is a mass flow controller. It is assumed that the gas supply systems L1 to L3 are for supplying nitrogen gas, the first processing gas, and the second processing gas (gas different from the first processing gas), respectively. Suppose that the second processing gas is processed, the valves Vb of the gas supply systems L1 to Ln are first used.
Closed, Va and Vc opened, and the processing gas supply pipe 43
The valve 50 is opened, and the inside of the vacuum processing chamber 4 is evacuated by the exhaust pipe 44. Then, for example, the valve Vb of the gas supply system L1 is opened to supply the nitrogen gas at a predetermined flow rate. As a result, the control equipment such as the valves of the gas supply systems L1 to Ln, the mass flow controller and the like and the inside of the pipe are evacuated to evacuate the nitrogen gas. Such a process 1
The residual gas in the control equipment and the pipes is surely removed by repeating the operation once or a plurality of times. Therefore, when the second processing gas is flown, mixing of other gas components into this gas can be suppressed, so that unintended mixing of components into the wafer 1 can be prevented. In this case, other inert gas may be used instead of nitrogen gas.

【0023】次いで上述の搬送室やカセット室などの真
空室の蓋部のヒンジ機構の好ましい一例について、図7
を参照しながら説明する。図中8は真空室の上面をなす
上壁の一部、81は真空室の上面を開閉する蓋部であ
り、蓋部81は左右両側のヒンジ82により開閉できる
ように構成されている。蓋部81と真空室の上壁8との
間には左右に夫々板バネ機構9が設けられている。この
板バネ機構9は、例えば円柱を周方向に4等分した形状
のドラム部91を、円周面を蓋部81側に向けて前記上
壁8の上に固定する一方、蓋部81側にローラベース9
2を固定してこれに水平なローラシャフト93を介して
ローラ94を回転自在に取り付け、このローラ94に板
バネ95を巻装すると共に板バネ95の先端部をローラ
94の下方側から引き出してドラム部91の円周面に沿
って装着し固定することにより構成されている。
Next, a preferred example of the hinge mechanism of the lid of the vacuum chamber such as the above-mentioned transfer chamber or cassette chamber will be described with reference to FIG.
Will be described with reference to. In the figure, 8 is a part of an upper wall forming the upper surface of the vacuum chamber, 81 is a lid portion that opens and closes the upper surface of the vacuum chamber, and the lid portion 81 is configured to be opened and closed by hinges 82 on both left and right sides. Leaf spring mechanisms 9 are provided on the left and right sides between the lid portion 81 and the upper wall 8 of the vacuum chamber. This leaf spring mechanism 9 fixes, for example, a drum portion 91 having a shape obtained by dividing a cylinder into four equal parts in the circumferential direction on the upper wall 8 with the circumferential surface facing the lid portion 81 side, while the drum portion 91 side is fixed. Roller base 9
2 is fixed and a roller 94 is rotatably attached thereto via a horizontal roller shaft 93. A leaf spring 95 is wound around the roller 94 and the tip end of the leaf spring 95 is pulled out from the lower side of the roller 94. It is configured by mounting and fixing along the circumferential surface of the drum portion 91.

【0024】このような構成によれば、板バネ95の復
元力により蓋部81に対して開く方向の力が作用するの
で、蓋部81を開閉する場合に、蓋部81の自重に対応
する力から板バネ95の復元力に対応する力を差し引い
た力で開閉することができ、真空に耐えられるよう肉厚
の大きな本来なら重い蓋部81の開閉が軽くなり、安全
性が高い。
According to this structure, the restoring force of the leaf spring 95 exerts a force in the opening direction on the lid portion 81. Therefore, when the lid portion 81 is opened and closed, the weight of the lid portion 81 corresponds to its own weight. It can be opened and closed with a force obtained by subtracting the force corresponding to the restoring force of the leaf spring 95 from the force, and the opening and closing of the otherwise heavy lid 81, which is thick enough to withstand the vacuum, is light, and safety is high.

【0025】なおこうした板バネ機構9は、図8に示す
ように蓋部81の基端部にドラム部91を形成し、真空
室の上壁8の側部にローラ94を設ける構成や、図9に
示すように上壁8側にドラム部91を、蓋部81の側部
にローラ94を設ける構成としてもよい。Pはヒンジ8
の回動中心部である。更に板バネ機構9は、図10及び
図11に示すように真空室の側壁83にローラ94を、
蓋部81の基端部にドラム部91を設ける構成や、図1
2に示すように真空室の上面に垂直に突片部84を形成
し、これにドラム部91を設けてもよい。
As shown in FIG. 8, the leaf spring mechanism 9 has a structure in which a drum portion 91 is formed at a base end portion of a lid portion 81 and a roller 94 is provided at a side portion of the upper wall 8 of the vacuum chamber. As shown in FIG. 9, the drum portion 91 may be provided on the upper wall 8 side and the roller 94 may be provided on the side portion of the lid portion 81. P is hinge 8
Is the center of rotation. Further, the leaf spring mechanism 9 includes a roller 94 on the side wall 83 of the vacuum chamber, as shown in FIGS.
A configuration in which the drum portion 91 is provided at the base end portion of the lid portion 81, and FIG.
As shown in FIG. 2, the protruding piece portion 84 may be formed vertically on the upper surface of the vacuum chamber, and the drum portion 91 may be provided on this.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、容器内のウエハの中か
ら、通常の処理が行われなかったウエハを一目で識別で
きるため、通常の処理が行われたウエハと誤ることなく
当該ウエハを確実に取り除くことができる。
According to the present invention, a wafer that has not been normally processed can be identified at a glance from among the wafers in the container. Can be reliably removed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明方法に用いられる真空処理装置の一例の
全体構成を示す概観斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an overall configuration of an example of a vacuum processing apparatus used in a method of the present invention.

【図2】真空処理装置を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a vacuum processing apparatus.

【図3】真空処理装置の要部を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a main part of a vacuum processing apparatus.

【図4】本発明方法の実施例を示す工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing an example of the method of the present invention.

【図5】本発明方法の実施例を説明するための説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an embodiment of the method of the present invention.

【図6】ガスボックスを示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a gas box.

【図7】真空室の蓋部のヒンジ機構を示す斜視図であ
る。
FIG. 7 is a perspective view showing a hinge mechanism of a lid portion of a vacuum chamber.

【図8】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図9】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図10】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図11】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory view showing another example of the leaf spring mechanism.

【図12】板バネ機構の他の例を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing another example of the leaf spring mechanism.

【符号の説明】 1 ウエハ 2 搬送室 21 搬送手段 22 搬送手段の駆動部 3A、3B カセット室 C カセット 5 ガスボックス 6 位置合わせ機構 61 回転ステージ 7 制御部 8 真空室の上壁 81 蓋部 9 板バネ機構 95 板バネ[Explanation of reference numerals] 1 wafer 2 transfer chamber 21 transfer means 22 drive unit of transfer means 3A, 3B cassette chamber C cassette 5 gas box 6 alignment mechanism 61 rotating stage 7 control unit 8 vacuum chamber upper wall 81 lid 9 plate Spring mechanism 95 Leaf spring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 孝治 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 石原 保正 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 梶原 真人 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor, Koji Suzuki, 2381 Kitashitajo, Fujii-cho, Nirasaki-shi, Yamanashi Prefecture, Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. 1 Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. (72) Inventor Masato Kajiwara 1 2381 Kitashitajo, Fujii-cho, Nirasaki-shi, Yamanashi Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハを位置合わせ機構に搬送し
て半導体ウエハの向きを合わせる工程と、 この半導体ウエハを処理室内に搬送する工程と、 前記処理室内にて通常の処理が行われた半導体ウエハを
容器内へ搬送する工程と、 前記処理室内にて通常の処理が行われなかった半導体ウ
エハを位置合わせ機構に搬送して当該半導体ウエハの向
きを、容器内に収納されたときに通常の処理が行われた
半導体ウエハの向きとは異なる向きとなるように調整す
る工程と、 半導体ウエハの向きが調整された半導体ウエハを容器内
へ搬送する工程と、 を備えてなることを特徴とする半導体ウエハの搬送方
法。
1. A step of transporting a semiconductor wafer to an alignment mechanism to align the orientation of the semiconductor wafer, a step of transporting this semiconductor wafer into a processing chamber, and a semiconductor wafer which has undergone normal processing in the processing chamber. The step of transporting the semiconductor wafer into the container, and transporting the semiconductor wafer that has not been normally processed in the processing chamber to the alignment mechanism so that the orientation of the semiconductor wafer is the normal processing when stored in the container. And a step of transporting the semiconductor wafer in which the orientation of the semiconductor wafer has been adjusted into the container. Wafer transfer method.
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