JPH07122541A - Machining method for aluminium based wiring - Google Patents
Machining method for aluminium based wiringInfo
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- JPH07122541A JPH07122541A JP26626193A JP26626193A JPH07122541A JP H07122541 A JPH07122541 A JP H07122541A JP 26626193 A JP26626193 A JP 26626193A JP 26626193 A JP26626193 A JP 26626193A JP H07122541 A JPH07122541 A JP H07122541A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造に適用されるアルミニウム(Al)系配線の加工方法
に関し、特にアッシングに要する時間の短縮およびダス
ト低減を図る方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing aluminum (Al) -based wiring applied to the manufacture of semiconductor devices, for example, and more particularly to a method for reducing the time required for ashing and reducing dust.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般的に、半導体装置の製造分野におけ
るAl系配線の加工は、アルミニウム系材料層(Al−
Si,Al−Si−Cu)上に設けられたレジスト・マ
スクをフォトリソグラフィによってパターニングし、そ
の後、これをマスクとしてドライエッチングを行い、さ
らにレジスト・マスクを除去することによって行われ
る。2. Description of the Related Art Generally, in the field of semiconductor device manufacturing, Al-based wiring is processed by using an aluminum-based material layer (Al-
A resist mask provided on Si, Al-Si-Cu) is patterned by photolithography, then dry etching is performed using this as a mask, and the resist mask is removed.
【0003】例えば、図5に示されるような、層間絶縁
膜2上にアルミニウム系材料層3が形成され、さらにそ
の上にパターニングがなされたレジスト・マスク4が形
成されてなるウェハ1に対して配線加工を行う場合を考
える。For example, as shown in FIG. 5, for a wafer 1 in which an aluminum-based material layer 3 is formed on an interlayer insulating film 2 and a patterned resist mask 4 is further formed thereon. Consider the case of wiring processing.
【0004】先ず、レジスト・マスク4によりマスキン
グされたアルミニウム系材料層3に対して、ドライエッ
チングを行う。このエッチングとしては、塩素(C
l2 )又はClを構成元素とするガスを放電解離させて
なるプラズマを用いて、反応性イオンエッチング(RI
E)が行われる。First, the aluminum-based material layer 3 masked by the resist mask 4 is dry-etched. For this etching, chlorine (C
L 2 ) or Cl is used as a discharge gas to dissociate gas, and reactive ion etching (RI) is used.
E) is performed.
【0005】そして、このRIEが行われると、図6に
示されるように、レジスト・マスク4のフォワード・ス
パッタリングにより得られる側壁保護膜5が形成されな
がら、レジスト・マスク4によってマスキングされてい
ない領域のアルミニウム系材料層3が除去される。な
お、上記側壁保護膜5は、主にレジスト・マスク4の分
解生成物に由来するCClx ポリマー等の炭素系反応生
成物よりなるが、アルミニウム系材料層3や層間絶縁膜
2からスパッタアウトされたAlやSiをも取り込んで
いる。When this RIE is performed, as shown in FIG. 6, a region not masked by the resist mask 4 while the side wall protective film 5 obtained by forward sputtering of the resist mask 4 is formed. The aluminum-based material layer 3 is removed. The side wall protective film 5 is mainly composed of a carbon-based reaction product such as CCl x polymer derived from the decomposition product of the resist mask 4, but is sputtered out from the aluminum-based material layer 3 or the interlayer insulating film 2. It also incorporates Al and Si.
【0006】上述のようにしてアルミニウム系材料層3
をエッチングした後、レジスト・マスク4を除去する。
上記レジスト・マスク4の除去は、有機物よりなるレジ
スト・マスク4を剥離する性能が非常に高い酸素プラズ
マ放電を用いたプラズマアッシングが代表的である。As described above, the aluminum-based material layer 3
After etching, the resist mask 4 is removed.
The removal of the resist mask 4 is typically performed by plasma ashing using oxygen plasma discharge, which has a very high performance of removing the resist mask 4 made of an organic material.
【0007】そして、この酸素プラズマアッシングが行
われると、図7に示されるように、レジスト・マスク4
が除去される。しかし、側壁保護膜5に相当する部分
は、十分には除去されず、残渣6として残ってしまう。
これは、主として側壁保護膜5に取り込まれているAl
やSiが、アッシング時に酸素プラズマにより、AlO
x やSiOx といった酸化物に変化し、気化せずに残っ
てしまうからである。Then, this oxygen plasma ashing is performed.
Then, as shown in FIG. 7, the resist mask 4
Are removed. However, the portion corresponding to the side wall protective film 5
Is not sufficiently removed and remains as a residue 6.
This is mainly due to Al taken in the side wall protection film 5.
And Si are converted to AlO by oxygen plasma during ashing.
xAnd SiOxIt changes into oxide and remains without being vaporized
This is because it will end up.
【0008】そこで、例えば濃硝酸系の剥離剤(関東化
学社製;商品名RAストリッパー)等を用いて、残渣6
を除去することが行われている。Then, for example, a concentrated nitric acid-based stripping agent (manufactured by Kanto Chemical Co .; trade name RA stripper) is used to remove the residue 6
Are being removed.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記残渣6
の除去が不十分なままウェハ1を次工程へ送ると、残渣
6が飛散してダストの原因となったり、層間絶縁膜によ
るカバレッジが劣化する等の問題が生ずる。By the way, the above-mentioned residue 6
If the wafer 1 is sent to the next step with insufficient removal of the above, the residue 6 scatters and causes dust, and problems such as deterioration of coverage due to the interlayer insulating film occur.
【0010】このため、上述したような剥離剤による処
理が必要となるが、実際には1回の処理で完全に残渣6
を除去することは困難であり、通常は上記剥離剤処理と
アッシング処理とを何度も繰り返すことによって除去が
なされている。しかし、これには多大な作業時間を費や
すことになる。For this reason, the treatment with the above-mentioned release agent is required, but in reality, it is possible to completely remove the residue 6 by one treatment.
Is difficult to remove, and is usually removed by repeating the above-mentioned stripping agent treatment and ashing treatment many times. However, this requires a great deal of work time.
【0011】また、残渣6の除去に時間がかかり、長時
間に亘ってアルミニウム系材料層3に残渣6を付着させ
ていると、このアルミニウム系材料層3のアフターコロ
ージョン耐性を劣化させる虞れもある。側壁保護膜5
は、炭素系反応生成物であるCClx ポリマーよりな
り、AlやSiを取り込んでいることは上述したが、A
lやSiの他にも低分子の塩素系化合物や塩素系ガスも
吸蔵している。そして、側壁保護膜5がアッシングによ
って残渣6となっても、アッシングされ残ったCClx
ポリマーが分解して塩素系ガスを発生したり、吸蔵した
塩素系ガスを徐々に放出したりするため、この残渣6が
長時間に亘ってアルミニウム系材料層3に付着している
と、Alの腐蝕を引き起こすことも考えられる。If the residue 6 is removed for a long time and the residue 6 is adhered to the aluminum-based material layer 3 for a long time, the after-corrosion resistance of the aluminum-based material layer 3 may be deteriorated. is there. Side wall protection film 5
Is composed of CCl x polymer, which is a carbon-based reaction product, and incorporates Al and Si.
In addition to 1 and Si, low molecular chlorine compounds and chlorine gases are also stored. Even if the sidewall protection film 5 becomes a residue 6 by ashing, the CCl x remaining after ashing is left.
Since the polymer is decomposed to generate a chlorine-based gas or the stored chlorine-based gas is gradually released, if the residue 6 is attached to the aluminum-based material layer 3 for a long time, Al It can also cause corrosion.
【0012】さらに、プラズマ照射損傷を回避する観点
からも、アッシングを何度も繰り返すことは好ましくな
い。したがって、アルミニウム系配線の加工において
は、レジスト・マスク4及び側壁保護膜5を十分に、且
つ、短時間に除去することが望まれる。Further, from the viewpoint of avoiding plasma irradiation damage, it is not preferable to repeat the ashing many times. Therefore, it is desired to sufficiently remove the resist mask 4 and the sidewall protection film 5 in a short time in processing the aluminum wiring.
【0013】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、レジスト・マスク及び側壁保
護膜の除去が短時間に効率よく行え、ダストの発生も抑
えられるアルミニウム系配線の加工方法を提供すること
を目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned conventional circumstances, and processing of an aluminum-based wiring capable of efficiently removing a resist mask and a side wall protective film in a short time and suppressing generation of dust. The purpose is to provide a method.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述の目的
を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、レジスト・マ
スクのアッシング後に残された残渣は、主として側壁保
護膜に取り込まれたAlやSiに由来する酸化物であっ
たことから、このアッシングに先立ち側壁保護膜を除去
すれば、上述のような酸化物の生成を防止し、次工程で
あるアッシングを効率的に行えることを見い出し、本発
明を完成するに至った。As a result of intensive studies by the inventors of the present invention, the residue left after the ashing of the resist mask is mainly Al taken in the side wall protective film. Since it was an oxide derived from Si or Si, it was found that removal of the side wall protective film prior to this ashing prevents the formation of the oxide as described above and can efficiently perform the ashing in the next step. The present invention has been completed.
【0015】即ち、本発明に係るアルミニウム系配線の
加工方法は、アルミニウム系材料層をレジスト・マスク
を介してドライ・エッチングする工程と、前記エッチン
グにおいてパターン側壁面上に堆積した側壁保護膜を、
少なくともフッ素系化合物と塩素系化合物とを含むエッ
チング・ガスを用いて除去する工程と、前記レジスト・
マスクを除去する工程とを有するものである。That is, in the method for processing an aluminum-based wiring according to the present invention, a step of dry etching an aluminum-based material layer through a resist mask and a sidewall protection film deposited on the pattern sidewall surface in the etching are
A step of removing using an etching gas containing at least a fluorine compound and a chlorine compound;
And a step of removing the mask.
【0016】なお、上記側壁保護膜のエッチングは、こ
れに取り込まれたAlやSiの酸化を防止するために、
前工程、即ちアルミニウム系材料層のエッチング工程と
連続工程とすることが好ましい。このとき、この側壁保
護膜のエッチングは、前工程に使用したのと同一のチャ
ンバ内で行ってもよいし、マルチチャンバ型の装置を用
いて行ってもよい。The etching of the side wall protective film is performed in order to prevent oxidation of Al and Si taken in by the etching.
It is preferable to perform the preceding step, that is, the step of etching the aluminum-based material layer and the continuous step. At this time, the etching of the side wall protective film may be performed in the same chamber as that used in the previous step, or may be performed using a multi-chamber type device.
【0017】エッチング・ガスを構成するフッ素系化合
物は、側壁保護膜中に含有されるSiの除去に効果があ
り、同じく塩素系化合物は、側壁保護膜中に含有される
Alの除去に効果がある。したがって、このようなエッ
チング・ガスを用いて、側壁保護膜の除去を行うと、側
壁保護膜を構成するCClx ポリマー等が分解除去され
ることはもちろん、AlやSiといった成分も除去され
る。The fluorine-based compound forming the etching gas is effective in removing Si contained in the sidewall protection film, and the chlorine-based compound is also effective in removing Al contained in the sidewall protection film. is there. Therefore, when the side wall protective film is removed using such an etching gas, not only the CCl x polymer and the like which form the side wall protective film are decomposed and removed, but also the components such as Al and Si are removed.
【0018】前記エッチング・ガスとしては、少なくと
もフッ素系化合物と塩素系化合物とを含むものであれば
特に限定されないが、例えばSF6 /Cl2 混合ガスが
挙げられる。なお、フッ素系化合物としては、上記SF
6 以外に例えば、C2 F6 ,CF4 等が使用可能であ
る。The etching gas is not particularly limited as long as it contains at least a fluorine-based compound and a chlorine-based compound, and examples thereof include SF 6 / Cl 2 mixed gas. As the fluorine-based compound, the above SF
Other than 6 , for example, C 2 F 6 , CF 4 or the like can be used.
【0019】そして、レジスト・マスクの除去は、上述
の側壁保護膜の除去後、アッシングによって行えばよ
い。なお、上記アッシングの後、さらに剥離剤処理を行
えば、アッシング後に除去されずに残ったレジスト・マ
スク及び側壁保護膜由来の残渣が、徹底的に除去され
る。このアッシングや剥離剤処理の方法は、特に限定さ
れることはなく、従来公知の方法がいずれも適用可能で
あるが、レジスト・マスクの種類や膜厚等によってその
処理条件等を適宜適正化して行えばよい。The resist mask may be removed by ashing after removing the side wall protective film described above. Further, after the ashing, if a stripping agent treatment is further performed, the residue derived from the resist mask and the sidewall protection film that is not removed after the ashing is thoroughly removed. The method of this ashing or stripping agent treatment is not particularly limited, and any conventionally known method can be applied, but the processing conditions etc. are appropriately optimized depending on the type of resist / mask, film thickness, etc. Just go.
【0020】[0020]
【作用】本発明に係るアルミニウム系配線の加工方法に
よって側壁保護膜が除去でき、レジスト・マスクの除去
が効果的に行えるのは、以下のような理由によると考え
られる。The reason why the sidewall protection film can be removed and the resist mask can be effectively removed by the method for processing an aluminum-based wiring according to the present invention is considered to be as follows.
【0021】アルミニウム系材料層のエッチング時、パ
ターン側壁面上に堆積する側壁保護膜は、主にレジスト
・マスクの分解生成物に由来するCClx ポリマー等の
炭素系反応生成物よりなるが、アルミニウム系材料層や
層間絶縁膜からスパッタアウトされたAlやSiをも取
り込んでいる。したがって、この状態でレジスト・マス
ク除去のためにアッシングを行うと、上記AlやSiと
いった成分が、AlO x やSiOx といった酸化物とし
て残ってしまうことになる。When etching the aluminum-based material layer,
The side wall protective film deposited on the turn side wall surface is mainly formed by resist.
.CCl derived from decomposition products of maskxPolymer, etc.
It consists of carbon-based reaction products,
Also removes Al and Si sputtered out from the interlayer insulating film
It is crowded. Therefore, in this state the resist mass
When ashing is performed to remove the ash,
These ingredients are AlO xAnd SiOxSuch as an oxide
Will remain.
【0022】そこで、このアッシングの前に、少なくと
もフッ素系化合物と塩素系化合物とを含むエッチング・
ガスを用いて側壁保護膜のエッチングを行うと、フッ素
系化合物から発生するフッ素ラジカルF* が、側壁保護
膜中のSiと結合して、このSiを取り去る。同様に、
塩素系化合物から発生するCl* が、側壁保護膜中のA
lと結合して、このAlを取り去る。このため、このよ
うなエッチング・ガスを用いて側壁保護膜の除去を行う
と、この側壁保護膜を構成するCClx ポリマー等が分
解するのはもちろん、AlやSiといった成分が残るこ
ともない。Therefore, before the ashing, etching / etching containing at least a fluorine compound and a chlorine compound is performed.
When the side wall protective film is etched using gas, the fluorine radicals F * generated from the fluorine-based compound bond with Si in the side wall protective film and remove this Si. Similarly,
Cl * generated from the chlorine-based compound is A in the side wall protective film.
Combined with l, this Al is removed. Therefore, when the side wall protective film is removed using such an etching gas, the CCl x polymer or the like forming the side wall protective film is decomposed, and the components such as Al and Si do not remain.
【0023】このようにして、従来レジスト・マスクの
除去時に問題となっていた側壁保護膜が除去されるた
め、アッシングを短時間に効率よく行えるようになる。
また、側壁保護膜が十分に除去されることによって、ダ
ストの発生も抑えられる。In this way, the sidewall protection film, which has been a problem when removing the resist mask conventionally, is removed, so that ashing can be performed efficiently in a short time.
Further, the removal of dust is suppressed by sufficiently removing the side wall protective film.
【0024】[0024]
【実施例】以下、本発明に係るアルミニウム系配線の加
工方法を適用した具体的な実施例について、図面を参照
しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the aluminum-based wiring processing method according to the present invention is applied will be described below with reference to the drawings.
【0025】本実施例においては、図1に示されるよう
な、6インチ径のウェハ1に対して配線加工を行った。
ウェハ1は、層間絶縁膜2上にアルミニウム系材料層3
が形成され、さらにその上にパターニングがなされたレ
ジスト・マスク4が形成されてなる。なお、アルミニウ
ム系材料層3はAl−1%Siよりなり、層間絶縁膜2
はSiO2 よりなる。In the present embodiment, wiring processing was performed on a wafer 1 having a diameter of 6 inches as shown in FIG.
The wafer 1 has an aluminum-based material layer 3 on the interlayer insulating film 2.
Is formed, and a patterned resist mask 4 is further formed thereon. The aluminum-based material layer 3 is made of Al-1% Si,
Is made of SiO 2 .
【0026】先ず、レジスト・マスク4によって所定範
囲がマスキングされたアルミニウム系材料層3を有磁場
マイクロ波プラズマエッチング装置にてエッチングし
た。エッチング条件は下記に示すとおりである。First, the aluminum-based material layer 3 whose predetermined area was masked by the resist mask 4 was etched by a magnetic field microwave plasma etching apparatus. The etching conditions are as shown below.
【0027】エッチング条件 エッチング・ガス: Cl2 ガス 90sccm BCl3 ガス 60sccm Heガス 10sccm(冷却用) ガス圧力: 1.07Pa マイクロ波電流: 400mA RFバイアス: 50W(2MHz)Etching conditions Etching gas: Cl 2 gas 90 sccm BCl 3 gas 60 sccm He gas 10 sccm (for cooling) Gas pressure: 1.07 Pa Microwave current: 400 mA RF bias: 50 W (2 MHz)
【0028】上述のようにしてアルミニウム系材料層3
のエッチングを行うと、図2に示されるように、レジス
ト・マスク4のフォワード・スパッタリングにより得ら
れる側壁保護膜5が形成されながら、レジスト・マスク
4によってマスキングされていない領域が除去された。As described above, the aluminum-based material layer 3
2, the sidewall protection film 5 obtained by forward sputtering of the resist mask 4 was formed, while the region not masked by the resist mask 4 was removed, as shown in FIG.
【0029】なお、側壁保護膜5は、主にレジスト・マ
スク4の分解生成物に由来するCClx ポリマー等の炭
素系反応生成物よりなるが、エッチングされたアルミニ
ウム系材料層3を構成するAlやSi、低分子の塩素系
化合物や塩素系ガスをも取り込んでいる。Although the side wall protective film 5 is mainly composed of a carbon-based reaction product such as CCl x polymer derived from the decomposition product of the resist mask 4, Al constituting the etched aluminum-based material layer 3 is formed. It also incorporates Si, Si, low molecular chlorine compounds and chlorine gas.
【0030】次に、上記側壁保護膜5を除去するための
エッチングを行った。即ち、上記アルミニウム系材料層
3のエッチングを行ったエッチング装置と同一のチャン
バにて、下記のように条件を変更することによってエッ
チングを行った。Next, etching for removing the side wall protective film 5 was performed. That is, etching was performed in the same chamber as the etching apparatus that performed the etching of the aluminum-based material layer 3 by changing the conditions as described below.
【0031】エッチング条件 エッチング・ガス: SF6 ガス 30sccm Cl2 ガス 30sccm Heガス 10sccm(冷却用) ガス圧力: 1.07Pa マイクロ波電流: 300mA RFバイアス: 25W(2MHz)Etching conditions Etching gas: SF 6 gas 30 sccm Cl 2 gas 30 sccm He gas 10 sccm (for cooling) Gas pressure: 1.07 Pa Microwave current: 300 mA RF bias: 25 W (2 MHz)
【0032】上述のような条件にて側壁保護膜のエッチ
ングを行うと、図3に示すように、側壁保護膜5が除去
された。When the side wall protective film was etched under the above conditions, the side wall protective film 5 was removed as shown in FIG.
【0033】その後、酸素プラズマアッシングによっ
て、レジスト・マスク4の除去を行った。ここでは、5
0枚バッチ式ヘキソード型のインライン・アッシング装
置を用い、下記のアッシング条件にてアッシングを行っ
た。After that, the resist mask 4 was removed by oxygen plasma ashing. Here, 5
Ashing was performed under the following ashing conditions using a 0-sheet batch type hex type in-line ashing device.
【0034】アッシング条件 ガス組成: O2 ガス 900sccm ガス圧力: 100Pa RFバイアス: 900W(13.56MHz)Ashing conditions Gas composition: O 2 gas 900 sccm Gas pressure: 100 Pa RF bias: 900 W (13.56 MHz)
【0035】さらに、上記アッシングを行った後、残渣
を徹底的に除去するために、RAストリッパ処理を行っ
た。これは、96%濃硝酸による剥離処理である。この
条件を下記に示す。Further, after the above ashing, RA stripper treatment was performed in order to thoroughly remove the residue. This is a stripping treatment with 96% concentrated nitric acid. This condition is shown below.
【0036】RAストリッパ処理条件 処理時間: 10分 処理温度: 常温 処理方法: ディップ式 処理後、純水及びイソプロピルアルコール洗浄を行う。RA Stripper Treatment Conditions Treatment Time: 10 minutes Treatment Temperature: Room Temperature Treatment Method: Dip Type After the treatment, pure water and isopropyl alcohol are washed.
【0037】上述のようにして、アッシング及びRAス
トリッパ処理を行うと、図4に示すように、レジスト・
マスク4が十分に除去され、レジスト・マスク4や側壁
保護膜5に由来する残渣が残ることなく、所望のパター
ニングがなされたアルミニウム系材料層3のみが層間絶
縁膜2上に残った。When the ashing and RA stripper processing is performed as described above, as shown in FIG.
The mask 4 was sufficiently removed, and the residue derived from the resist mask 4 and the side wall protection film 5 did not remain, and only the aluminum-based material layer 3 having the desired patterning remained on the interlayer insulating film 2.
【0038】以上のようにして配線の加工を行うと、従
来何度も繰り返していたアッシングと剥離剤処理を1回
ずつ行うのみで、レジスト・マスク4及び側壁保護膜5
を十分に除去できた。また、ダストの量も、従来の1/
10〜1/100程度に低減できた。When the wiring is processed as described above, the resist mask 4 and the side wall protective film 5 can be formed by only performing the ashing and the stripping agent treatment which have been repeated many times in the past.
Was sufficiently removed. Also, the amount of dust is 1 /
It could be reduced to about 10 to 1/100.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
係るアルミニウム系配線の加工方法を適用すると、レジ
スト・マスク及び側壁保護膜の除去を、短時間に効率よ
く行うことができる。したがって、配線にダメージを与
えることなく、配線の加工工程にかかる時間、労力を節
約でき、製造される半導体装置等のコスト低減を図るこ
とができる。As is apparent from the above description, when the aluminum-based wiring processing method according to the present invention is applied, the resist mask and the sidewall protection film can be removed efficiently in a short time. Therefore, without damaging the wiring, the time and labor required for the wiring processing step can be saved, and the cost of the manufactured semiconductor device or the like can be reduced.
【0040】また、側壁保護膜を十分に除去できるの
で、ダストの発生も抑えられ、次工程作業の信頼性が向
上する。したがって、製造された半導体装置等の品質の
向上を図ることができる。Further, since the side wall protection film can be sufficiently removed, the generation of dust can be suppressed and the reliability of the work of the next step can be improved. Therefore, the quality of the manufactured semiconductor device or the like can be improved.
【図1】実施例に係るアルミニウム系配線の加工工程を
示すものであり、RIE前のウェハを模式的に示す断面
図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a process of processing an aluminum-based wiring according to an embodiment, which is a schematic view of a wafer before RIE.
【図2】図1のアルミニウム系材料層をRIEにより加
工した後のウェハを模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the wafer after processing the aluminum-based material layer of FIG. 1 by RIE.
【図3】図2の側壁保護膜を除去した後のウェハを模式
的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the wafer after removing the side wall protective film of FIG.
【図4】図3のレジスト・マスクを除去した後のウェハ
を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the wafer after removing the resist mask of FIG.
【図5】従来のアルミニウム系配線の加工工程を示すも
のであり、RIE前のウェハを模式的に示す断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a conventional aluminum-based wiring processing step and schematically showing a wafer before RIE.
【図6】図5のアルミニウム系材料層をRIEにより加
工した後のウェハを模式的に示す断面図である。6 is a cross-sectional view schematically showing the wafer after processing the aluminum-based material layer of FIG. 5 by RIE.
【図7】図6のレジスト・マスクを除去した後に残渣が
発生したウェハを模式的に示す断面図である。7 is a cross-sectional view schematically showing a wafer in which a residue is generated after removing the resist mask of FIG.
1・・・ウェハ 2・・・層間絶縁膜 3・・・アルミニウム系材料層 4・・・レジスト・マスク 5・・・側壁保護膜 6・・・残渣 1 ... Wafer 2 ... Interlayer insulating film 3 ... Aluminum-based material layer 4 ... Resist mask 5 ... Side wall protection film 6 ... Residue
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 21/88 D ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display part 21/88 D
Claims (4)
クを介してドライ・エッチングする工程と、 前記エッチングにおいてパターン側壁面上に堆積した側
壁保護膜を、少なくともフッ素系化合物と塩素系化合物
とを含むエッチング・ガスを用いて除去する工程と、 前記レジスト・マスクを除去する工程とを有することを
特徴とするアルミニウム系配線の加工方法。1. A step of dry-etching an aluminum-based material layer through a resist mask, and a sidewall protection film deposited on the pattern sidewall surface in the etching, containing at least a fluorine-based compound and a chlorine-based compound. A method for processing an aluminum-based wiring, comprising a step of removing using a gas and a step of removing the resist mask.
2 混合ガスであることを特徴とする請求項1記載のアル
ミニウム系配線の加工方法。2. The etching gas is SF 6 / Cl
2. The method for processing an aluminum-based wiring according to claim 1, wherein the mixed gas is a mixed gas.
ングにより行われることを特徴とする請求項1または請
求項2に記載のアルミニウム系配線の加工方法。3. The method for processing an aluminum-based wiring according to claim 1, wherein the resist mask is removed by ashing.
剤処理を行うことを特徴とする請求項3記載のアルミニ
ウム系配線の加工方法。4. The method of processing an aluminum-based wiring according to claim 3, further comprising a release agent treatment after the ashing.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26626193A JPH07122541A (en) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | Machining method for aluminium based wiring |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26626193A JPH07122541A (en) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | Machining method for aluminium based wiring |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07122541A true JPH07122541A (en) | 1995-05-12 |
Family
ID=17428525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26626193A Pending JPH07122541A (en) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | Machining method for aluminium based wiring |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07122541A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000028029A (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-15 | 윤종용 | Method of eliminating photoresist layer in manufacturing semiconductor device |
KR100368985B1 (en) * | 1995-12-27 | 2003-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for patterning metal film in fabrication process of semiconductor device |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP26626193A patent/JPH07122541A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100368985B1 (en) * | 1995-12-27 | 2003-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for patterning metal film in fabrication process of semiconductor device |
KR20000028029A (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-15 | 윤종용 | Method of eliminating photoresist layer in manufacturing semiconductor device |
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Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020305 |