JPH07118495B2 - Film carrier tape - Google Patents

Film carrier tape

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JPH07118495B2
JPH07118495B2 JP33742189A JP33742189A JPH07118495B2 JP H07118495 B2 JPH07118495 B2 JP H07118495B2 JP 33742189 A JP33742189 A JP 33742189A JP 33742189 A JP33742189 A JP 33742189A JP H07118495 B2 JPH07118495 B2 JP H07118495B2
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JP
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film carrier
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carrier tape
olb
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JP33742189A
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力 山下
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフィルムキャリアテープに関し、特に基板等へ
の実相御不良解析が容易に実施できるフィルムキャリア
テープに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film carrier tape, and more particularly to a film carrier tape capable of easily carrying out an analysis of actual control defects on a substrate or the like.

〔従来の技術〕 集積回路等のリード数の多い半導体装置ではテープ状の
フィルムキャリアによる自動ボンディング技術は、量産
上有利な点が多く広く用いられている。
[Prior Art] In a semiconductor device having a large number of leads such as an integrated circuit, an automatic bonding technique using a tape-shaped film carrier is widely used because of its advantages in mass production.

従来のフィルムキャリアテープ第3図に示すように、搬
送及び位置決め用のスプロケットホール2と半導体チッ
プが入る開孔部であるデバイスホール3を有するポリイ
ミド等の絶縁フィルムをベースフィルム1とし、このベ
ースフィルム1上に銅等の金属箔を接着し、金属箔をエ
ッチング等により所望の形状の配線リードと電気選別の
ための選別パッド5とを形成し、このリードと半導体チ
ップ9の電極端子であるバンプとを熱圧着法または共晶
法等によりインナーリードボンディング(以下ILBとい
う)する。この状態で選別パッド5を利用して電気選別
やバイアス試験を実施し、次にリードを所望の長さに切
断する。リード数が多い場合には、リード先端の基板あ
るいはリードフレーム等とボンディング(アウターリー
ドボディング;OLBという)する部分がばらけるのを防止
するため、ベースフィルム1をリード切断個所に近い所
まで残す方法が用いられることが多い。この方法ではベ
ースフィルム1に第3図に示すOLBホール4を設け、そ
の上にリードがとおされ、良品のチップのみOLBホール
4内で波線で示したOLB用切断位置で、金型等により切
断する。このようにすると、OLBはリード数と無関係に
一度にできるので、量産性の点で有利である。
Conventional film carrier tape As shown in FIG. 3, an insulating film such as polyimide having a sprocket hole 2 for transporting and positioning and a device hole 3 which is an opening for receiving a semiconductor chip is used as a base film 1. A metal foil of copper or the like is adhered onto 1 to form a wiring lead of a desired shape and a selection pad 5 for electrical selection by etching the metal foil, and this lead and a bump which is an electrode terminal of the semiconductor chip 9. Inner lead bonding (hereinafter referred to as ILB) by thermocompression bonding or eutectic bonding. In this state, the selection pad 5 is used to perform electrical selection and bias test, and then the leads are cut into desired lengths. When the number of leads is large, leave the base film 1 close to the lead cutting point in order to prevent the part of the lead tip that is bonded to the substrate or the lead frame, etc. (outer lead boding; called OLB) from coming apart. Methods are often used. According to this method, the OLB hole 4 shown in FIG. 3 is provided in the base film 1, and the leads are passed over it. To do. By doing this, the OLB can be performed at one time regardless of the number of leads, which is advantageous in terms of mass productivity.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

上述した従来のフィルムキャリアテープの場合、選別パ
ッド5はOLBリードを形成するための開孔部であるOLBホ
ール4の外側の領域に形成する必要がある。この領域に
選別パッド5を設けることにより半導体チップ9及びIL
B部(デバイホール3内にあるリード部分をいう)からO
LBリードまでのフィルムキャリアテープ上のパターンの
ショートやオープン等の欠陥も電気的にチェックするこ
とができる。しかしながら、このILB後電気選別して、
リードを切断しプリント基板やリードフレームにOLBを
行なった後、あるいは製品として使用中に種々の原因か
ら不良事故が発生しても、パターンの不良か、半導体チ
ップ9そのものの不良か否かの判定、あるいは不良モー
ド等の追求はできないので、不良原因をしることは非常
に困難であるという欠点がある。
In the case of the conventional film carrier tape described above, the selection pad 5 needs to be formed in a region outside the OLB hole 4, which is an opening for forming an OLB lead. By providing the selection pad 5 in this region, the semiconductor chip 9 and the IL
From part B (the lead part in the debye hole 3) O
It is possible to electrically check for defects such as shorts and opens in the pattern on the film carrier tape up to the LB lead. However, after this ILB, electrical selection
Whether the pattern is defective or the semiconductor chip 9 itself is defective even if a defective accident occurs due to various causes after cutting the leads and performing the OLB on the printed circuit board or the lead frame, or during use as a product. Since it is not possible to pursue a failure mode or the like, it is very difficult to determine the cause of the failure.

すなわち、OLBされたプリント基板等より、不良解析す
るためにフィルムキャリアテープをリペア等の技術によ
り剥離しても、フィルムキャリアテープ上には、選別パ
ッド5が無くなっており、80μ〜150μという細い線幅
で形成されたパターンのみ残っているので、プローブ等
を当て電気的特性チェックを行なうことは困難である。
また、半導体チップのバンプ上にプローブ等を接触させ
不良解析する方法も考えられるが、このバンプ上にはフ
ィルムキャリアのリードがすでにILBされており、また
製品によってはエポキシ等の樹脂で保護処理がされてお
り、不良解析を行なうには多くの工数が必要であり、し
かも確実に行なうことが困難となっている。
That is, even if the film carrier tape is peeled off from the OLB printed circuit board by a technique such as repair for failure analysis, the selection pad 5 is not present on the film carrier tape and a fine line of 80 μ to 150 μ Since only the pattern formed by the width remains, it is difficult to apply a probe or the like to check the electrical characteristics.
It is also possible to analyze the defect by contacting a probe etc. on the bump of the semiconductor chip, but the lead of the film carrier is already ILB on this bump, and some products may be protected with a resin such as epoxy. Therefore, it takes a lot of man-hours to carry out the failure analysis, and it is difficult to carry out the failure analysis reliably.

このように、フィルムキャリアテープ方式では、一旦IL
Bがなされた後でリード切断がなされると選別パッドが
消失するので、不良原因を検討することが極めて困難で
ある。本発明の目的は、上記の欠点を除去したフィルム
キャリアテープを提供することにある。
In this way, in the film carrier tape system, once the IL
If lead cutting is performed after B is performed, the selection pad disappears, so it is extremely difficult to investigate the cause of the defect. An object of the present invention is to provide a film carrier tape which eliminates the above drawbacks.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明のフィルムキャリアテープは、外部との接続を行
なうアウターリードボンデイング用リードと、半導体チ
ップとの接続を行なうインナーボンディング用リードと
の間の配線リードに、通常のアウターリード先端に設け
る選別用パッドの他に、それぞれ不良解析用パッドを、
ベースフィルムの上面または下面もしくは両面に設ける
ようにしている。
The film carrier tape of the present invention is a sorting pad provided at the tip of a usual outer lead as a wiring lead between an outer lead bonding lead for connecting to the outside and an inner bonding lead for connecting to a semiconductor chip. In addition to, each pad for failure analysis,
It is provided on the upper surface, the lower surface, or both surfaces of the base film.

〔作用〕 インナーリードボンディング(ILB)してから、フィル
ムキャリアテープを半導体チップごとに接続した状態で
も、不良解析用パッドに外部からアクセスできるので、
チップの不良解析等を行なうことができる。
[Operation] Even after the film carrier tape is connected to each semiconductor chip after inner lead bonding (ILB), the failure analysis pad can be accessed from the outside.
Chip failure analysis and the like can be performed.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照して、本発明の実施例につき説明す
る。第1図は本発明の一実施例の部分的な正面図であ
る。ILBリード7とOLBリード8との間のフィルムキャリ
ア上面の領域において、それぞれのILBHリード7につら
なるリード上に選別パッド5以外に不良解析用パッド10
を設けている。この不良解析用パッド10はILBリード7
に対して接続されているので、ILB後の一般に行なう電
気的選別用のパッドとしても、使用することが可能であ
るが、OLBリード8のオープン等の欠陥はチェックでき
ないので、あくまでもOLB後の不良解析用とし使用する
ものである。具体的には、例えばOLBホール4内に位置
するOLBリード8のリード間ピッチが500μのとき選別パ
ッド5の寸法は400μ〜450μで不良解析用パッド10の
寸法は300μ〜400μとすることができるので、通常の
治具を使用できる。なお、不良解析用パッド10を設ける
位置は、なるべくOLBホール4の近くにもっていって、
相互の間隔がとれるようにする。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial front view of an embodiment of the present invention. In the area on the upper surface of the film carrier between the ILB lead 7 and the OLB lead 8, a defect analysis pad 10 other than the sorting pad 5 is provided on the lead formed by each ILBH lead 7.
Is provided. The defect analysis pad 10 is an ILB lead 7
Since it is connected to, it can be used as a pad for general electrical selection after ILB, but defects such as open OLB lead 8 cannot be checked. It is used for analysis. Specifically, for example, the dimensions of the OLB OLB when the lead pitch between leads 8 of 500μ size sorting pad 5 400Myu~450myu in failure analysis pad 10 located in the hole 4 is be 300Myu~400myu Therefore, a normal jig can be used. The position of the failure analysis pad 10 should be as close to the OLB hole 4 as possible,
Allow them to be spaced from each other.

次に、さらにピン数が増加し、例えば400〜1000ピンを
形成するものにおいては、OLBリード8のピッチが300〜
400μピッチとなり、選別パッド5の寸法は250〜300μ
となる。このような寸法,ピッチとなる場合はILBリ
ード7とOLBリード8の間のフィルムキャリア上面の領
域に、それぞれのILBリード7に対して接続された不良
解析用パッド10を設けることは設計上不可能であり、設
けたとしても100〜150μとなるため、不良解析用パッ
ドとして安定して、確実に信頼性を確保した評価は困難
となる。そこで、多数ピン半導体装置の場合には、第2
図に示すように、スルホール11を介してテープの裏面に
不良解析用パッドを設けておけば、フィルムキャリアテ
ープ上面のILBリード7とOLBリード8を結ぶ配線パター
ン線幅が例えば100〜150μmであっても、150〜200μm
φのスルーホール11を介して選別パッド5と同じような
大きさの250〜300μの不良解析用パッド10を形成する
ことができる。このようにスルーホールを介してテープ
の裏面に不良解析用パッドを形成するとき、テープの裏
面にはILBとOLBリードを結線するためのパターンが存在
しないために寸法的には比較的大きいパッドが形成する
ことが可能になる。この実施例は大型コンピュータ等に
用いる多ピンICに適用すると、信頼度向上に特に有用で
ある。なお、不良解析用パッドは、場合によっては上面
と下面との両方に設けることも可能である。
Next, in the case where the number of pins is further increased to form, for example, 400 to 1000 pins, the pitch of the OLB leads 8 is 300 to
400μ pitch, the size of the sorting pad 5 is 250-300μ
In the case of such dimensions and pitches, it is not possible to design the defect analysis pads 10 connected to the respective ILB leads 7 in the area on the upper surface of the film carrier between the ILB leads 7 and the OLB leads 8. It is possible, and even if it is provided, it will be 100 to 150 μ , so that it will be difficult to perform an evaluation that is stable and reliably reliable as a failure analysis pad. Therefore, in the case of a multi-pin semiconductor device, the second
As shown in the figure, if a defect analysis pad is provided on the back surface of the tape through the through hole 11, the wiring pattern line width connecting the ILB lead 7 and the OLB lead 8 on the upper surface of the film carrier tape is, for example, 100 to 150 μm. Even 150-200 μm
It is possible to form the defect analysis pad 10 of 250 to 300 μ having the same size as the selection pad 5 through the φ through hole 11. When a defect analysis pad is formed on the back surface of the tape through the through holes in this way, a pad relatively large in dimension is used because there is no pattern for connecting the ILB lead and the OLB lead on the back surface of the tape. Can be formed. This embodiment is particularly useful for improving reliability when applied to a multi-pin IC used in a large computer or the like. Note that the failure analysis pad may be provided on both the upper surface and the lower surface depending on the case.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、フィルムキャリアテープ
のILBとOLBリードの間のフィルムキャリアテープの上面
又は下面もしくは両面にそれぞれのILBリードに接続さ
れた不良解析用パッドを設けることによりOLB作業後、
又は製品として実使用中に不良が発生した場合、このフ
ィルムキャリアテープを使用したICの不良,良品の判定
及び不良だとしたときにどのような電気的不良であるか
を容易にかつ確実に評価が可能で、かつ、さらにICの設
計及び製造プロセス設計へのすみやかなフィードバック
をも可能とする効果がある。
As described above, the present invention, after the OLB work by providing a failure analysis pad connected to each ILB lead on the upper surface or the lower surface or both surfaces of the film carrier tape between the ILB and the OLB lead of the film carrier tape,
Or, if a defect occurs during actual use as a product, it is possible to easily and surely evaluate what kind of electrical defect the IC has when using this film carrier tape. It is also possible to provide quick feedback to IC design and manufacturing process design.

【図面の簡単な説明】 第1図、第2図はそれぞれ本発明の実施例の部分正面
図、第3図は従来例の部分正面図である。 1……ベースフィルム、3……デバイスホール、 4……OLBホール、5……選別パッド、 7……ILBリード、8……OLBリード、 9……半導体チップ、 10……不良解析用パッド、 11……スルーホール。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 and 2 are partial front views of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a partial front view of a conventional example. 1 ... Base film, 3 ... Device hole, 4 ... OLB hole, 5 ... Selection pad, 7 ... ILB lead, 8 ... OLB lead, 9 ... Semiconductor chip, 10 ... Failure analysis pad, 11 ... Through hole.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ベースフィルム上に所定の配線パターンを
形成するフィルムキャリアテープにおいて、外部との接
続を行なうアウターリードボンデイング用リードと、半
導体チップとの接続を行なうインナーボンディング用リ
ードとの間の配線リードに、通常のアウターリード先端
に設ける選別用パッドの他に、それぞれ不良解析用パッ
ドを、ベースフィルムの上面または下面もしくは両面に
設けたことを特徴とするフィルムキャリアテープ。
1. A film carrier tape for forming a predetermined wiring pattern on a base film, wherein wiring between an outer lead bonding lead for connecting to the outside and an inner bonding lead for connecting to a semiconductor chip. A film carrier tape characterized in that, in addition to a normal sorting pad provided at the tip of an outer lead, a failure analysis pad is provided on each of the leads on the upper surface, the lower surface, or both surfaces of the base film.
JP33742189A 1989-12-25 1989-12-25 Film carrier tape Expired - Lifetime JPH07118495B2 (en)

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