JPH07118332B2 - 太陽光蓄電池 - Google Patents

太陽光蓄電池

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JPH07118332B2
JPH07118332B2 JP61092710A JP9271086A JPH07118332B2 JP H07118332 B2 JPH07118332 B2 JP H07118332B2 JP 61092710 A JP61092710 A JP 61092710A JP 9271086 A JP9271086 A JP 9271086A JP H07118332 B2 JPH07118332 B2 JP H07118332B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体のp/n接合の光起電力を使った太陽電
池より得られる電力を固体電解質二次電池を用いて蓄電
する太陽光蓄電池に関し、さらに詳しくは、前記p/n接
合を構成するp型半導体であるCu2TeがCu+イオン導電性
固体電解質を用いる前記固体電解質二次電池の正極を兼
ねる新規な太陽光蓄電池に関する。
従来の技術 半導体のp/n接合の光起電力を使う太陽電池は、それ自
体蓄電機能がないため、太陽電池単独では光が照射され
ている間しか電力を供給することが出来ない。
又、光の照射がない場合でも電力を供給するために、従
来太陽電池は、ニッケル・カドミウム電池といった二次
電池と組み合わせた太陽光蓄電装置として最も用いられ
ている。このような目的に用いられる二次電池として、
在来の液体電解質を用いるニッケル・カドミウム電池等
に換えて、電池構成要素がすべて固体状であり原理的に
液もれがなく、薄形,小形化が容易な固体電解質二次電
池を用いることで、太陽電池と二次電池の一体化,パッ
ケージの共有化等がはかれるなど数々の従来にはない利
点が得られる。
本発明者らは共に、このような固体電解質二次電池のう
ち、Cu+イオン導電性固体電解質を用いる二次電池と太
陽電池とを複合化した太陽光蓄電装置を提案した。太陽
電池の単セル数と、二次電池の単セル数を好適に組み合
せることで、蓄電効率の優れた装置とすることができる
という利点をこの装置は有してはいる。
発明が解決しようとする問題点 しかし、このような太陽光蓄電装置は、正極と負極と電
解質とにより構成される二次電池と、半導体のp/n接合
で構成される太陽電池との2つの独立した素子をあくま
でも複合化したもので、各々独立した製造プロセスで作
られた各素子を同一パッケージ内に納めたものである。
構成要素あるいは材料としては少なくとも正極,負極,
固体電解質材料の3つの他に、p型半導体,n型半導体の
5つの要素が必要である。また、電圧の好適な組み合せ
を得るためには、各々複数個の素子が必要となる。出来
上がった装置に高信頼性を期待するとき、構成要素はで
きるだけ少ない方が望ましいし、また、太陽電池と二次
電池とが連続したひとつの製造プロセスで構成されるこ
とが望ましい。
問題点を解決するための手段 本発明は、太陽電池を構成するp型半導体が、二次電池
の正極としても作用できるCu2Teを正極用いることで、
最小限必要な構成要素を5つから4つに減らすことので
きる太陽光蓄電池を提供するものである。また、太陽電
池と二次電池とが連続したひとつの製造プロセスで構成
することが可能となる。
すなわち、本発明に従う太陽光蓄電池は、p型半導体で
あるCu2Teを正極とし、Cu+イオン導電性固体電解質と、
金属銅を主体とする負極から成る起電力が約0.5Vの固体
電解質二次電池である蓄電部aと、n型半導体であるCd
Teと、前記正極としても作用するp型半導体であるCu2T
eとの接合により形成されるp/n接合から成る起電力が0.
50〜0.60Vである発電部bより構成される。CdTe層の上
にCu2Te層が形成され、さらにその上に順次形成されたC
u+イオン導電性固体電解質層と、金属銅を主体とする負
極層(Cu負極層と略す)の4層より成り、CdTe層とCu負
極層とを電気的に接続することで本発明による太陽光蓄
電池が形成される。Cu負極層は、光がp/n接合部まで達
することができるように、網目状,格子状、あるいはく
し状等に形成される。
Cu+イオン導電性固体電解質層としては、光の透過性を
考慮して、一般式、 RbCu4I2-XCl3+X(X=0.25〜0.75) で表わされるCu+イオン導電性固体電解質が好適に用い
られる。
第3図は、石英ガラス板上に5×10-5Torrの真空下で抵
抗加熱法で形成した前述の一般式でx=0.5であるRbCu4
I1.5Cl3.5膜(膜厚3.5μ)の光吸収スペクトルを示した
ものである、450nm以下で吸収があり太陽光の紫外部の
光は通しにくいけれども実用上問題なく使用することが
できる。また、x=0.25〜0.75の範囲では、RbCu4I2-XC
l3+Xの分解電圧は、約0.60Vであり、長期間に渡って発
電部bより0.5〜0.6Vの電圧が蓄電部aの充電のために
印加された場合でも、Cu+イオン導電性固体電解質層の
分解による蓄電部aの劣化が生じる恐れはきわめて少な
い。
次に、CdTe層とCu負極層との電気的接続は、必要に応
じ、順方向の電圧降下が0.1〜0.3V程度のダイオードを
介して行うことができる。このようなダイオードとして
は通常のゲルマニウムダイオードが使用できる。接続は
CdTe層からCu負極層に向って電子が流れる方向が順方向
となるようになされる。こうすることで、光照射がない
場合、蓄電部aにたくわえられた電気が、発電部bを通
して漏れるのを有効に防止することができる。
作用 光が照射している場合、発電部bで生じた電圧0.50〜0.
60Vの電子は、外部負荷へ送られそこで利用消費される
とともに、その一部はCdTe層とCu負極の電気接続部を通
ってCu負極に至り、ここで正極層であるCu2Te層より遊
離してCu+イオン導電性固体電解質層を通ってきたCu+
オンと結合してCuとしてCu負極層に蓄えられる。光が照
射していない場合は、このようにして蓄電部aに蓄えら
れた電気はCu2Te層を正極とし、Cu負極層を負極とする
蓄電部aより外部負荷へ供給することができる。
以下、実施例により説明する。
実施例 第1図は本発明の実施例の1つである太陽光蓄電池の構
造を示す断面略図である。
厚さ0.2mmのモリブデン(Mo)箔1の上に真空蒸着法で
厚さ25μ,大きさ5×5mm角のCdTe層2を形成し、さら
にその上に順次真空蒸着法で、厚さ0.2μのCu2Te層3,厚
さ3.5μのRbCu4I1.5Cl3.5より成るCu+イオン導電性固体
電解質層4,厚さ0.3μの金属銅膜より成るCu負極層5が
くし状に形成される。6は片面に導電性の酸化インジウ
ム,スズの薄膜6aおよび6bを有するガラス板であり、Cu
負極層5と導電性薄膜6aおよびCu2Te層3の一部と導電
性薄膜6bとが各々電気的に接続するように配置されてい
る。6cはCu2Te層3と導電性薄膜6bとを電気的に接続す
るためのPtペーストより成る導電性塗料によりCu2Te層
3の上に形成した電気接続用端子である。ガラス板6と
モリブデン箔1とはエポキシ樹脂系接着剤7により接着
されている。8はゲルマニウムダイオードであり、図
中、ダイオードの回路記号で示したように、CdTe層2か
ら電子がCu負極層5へ流れ込むように接続されている。
9は極端子、10は極端子である。
第2図はこのような太陽光蓄電池を30分間太陽光にさら
した後、暗所で極端子9と極端子10を通して20℃で
50μAの一定電流で30分間放電した際の極端子9と
極端子間の電圧変化を示したものである。図中、10サイ
クル目,100サイクル目とあるのは、30分間太陽光による
充電を行なった後、50μAで30分間放電する充,放電サ
イクルを10サイクル,100サイクルくり返した際の放電時
の端子間電圧の変化を示したものである。100サイクル
後でもほとんど初期の特性と変りない放電特性を与え
る。
発明の効果 以上本発明に従えば、太陽光発電部のp型半導体である
Cu2Teを、固体電解質二次電池より成る蓄電部の正極と
しても作用させることで、構成要素の数を従来の5つか
ら4つに減じた太陽光蓄電池を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の1つである太陽光蓄電池の断
面構造を示す略図、第2図は実施例の太陽光蓄電池の放
電特性を示す図、第3図は本発明の太陽光蓄電池に用い
られるCu+イオン導電性固体電解質薄膜の光吸収スペク
トルを示す図である。 1……モリブデン箔、2……CdTe層、3……Cu2Te層、
4……Cu+イオン導電性固体電解質層、5……Cu負極
層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−54996(JP,A) 特開 昭60−264060(JP,A) 実願昭55−143642号(実開昭57−66868 号)の願書に添付した明細書及び図面の内 容を撮影したマイクロフィルム(JP, U) 実願昭60−194150号(実開昭62−102266 号)の願書に添付した明細書及び図面の内 容を撮影したマイクロフィルム(JP, U)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)p型半導体Cu2Teを正極とし、Cu+
    オン導電性固体電解質と、金属銅を主体とする負極とに
    より構成される蓄電部と、(b)n型半導体CdTeと、前
    記蓄電部(a)の正極であるp型半導体Cu2Teとの接合
    により形成されるp/n接合より成る発電部とにより構成
    され、前記n型半導体CdTeと前記金属銅を主体とする負
    極とが電気的に接続されていることを特徴とする太陽光
    蓄電池。
  2. 【請求項2】n型半導体CdTeと金属銅を主体とする負極
    とがn型半導体CdTeから金属銅を主体とする負極へ向か
    って電子が流れる方向を順方向として、ダイオードを介
    して電気的に接続されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の太陽光蓄電池。
  3. 【請求項3】Cu+イオン導電性固体電解質が一般式、 RbCu4I2-XCl3+X(X=0.25〜0.75) で表わされる化合物であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項又は第2項記載の太陽光蓄電池。
JP61092710A 1986-04-22 1986-04-22 太陽光蓄電池 Expired - Lifetime JPH07118332B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5354996A (en) * 1976-10-29 1978-05-18 Agency Of Ind Science & Technol Productin of solar battery
JPS5766868U (ja) * 1980-10-08 1982-04-21

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