JPH0711448A - Catalytic solution for electroless plating selective to copper-based material - Google Patents

Catalytic solution for electroless plating selective to copper-based material

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JPH0711448A
JPH0711448A JP15845093A JP15845093A JPH0711448A JP H0711448 A JPH0711448 A JP H0711448A JP 15845093 A JP15845093 A JP 15845093A JP 15845093 A JP15845093 A JP 15845093A JP H0711448 A JPH0711448 A JP H0711448A
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JP
Japan
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electroless plating
acid
copper
plating
based material
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Application number
JP15845093A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaki Haga
正記 芳賀
Mamoru Uchida
衛 内田
Takashi Okada
岡田  隆
Hiroko Uchida
宏子 内田
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Ishihara Chemical Co Ltd
Original Assignee
Ishihara Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To subject only a Cu-based material in electronic parts to selective electroless plating with a metal by treating the electronic parts with a catalytic soln. for electroless plating contg. a Pd compd. and halide or sulfate of an alkali metal or an alkaline earth metal. CONSTITUTION:A printed board composed of an insulator and a Cu-based conductor is immersed in a catalytic aq. soln. contg. 0.0001-0.5mol/l Pd compd. such as (NH4)2(PdCl6) and 0.1-10mol/l at least one of halides or sulfates of alkali metals such as Na and K or alkaline earth metals such as Ca and Mg to activate the Cu-based conductor and then the printed board is immersed in an electroless plating bath such as an Ni, Pd or Pd-Ni plating bath. A plating layer of Ni, Pd, Pd-Ni, etc., is stably and selectively formed by electroless plating only on the Cu-based conductor of the printed board without causing bridging or skipping phenomenon.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、銅系素材選択型無電解
めっき用触媒液に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a copper-based material selection type electroless plating catalyst solution.

【0002】[0002]

【従来の技術及びその課題】次亜リン酸化合物を還元剤
とするNi、Pd、Pd−Ni等の無電解めっきを、銅
系素材上に施す場合には、通常めっき皮膜の還元析出用
の触媒として、Pd化合物を素材上に付与した後、無電
解めっきを行なう。かかる場合の触媒付与方法として
は、SnCl2溶液とPdCl2溶液による2段処理、P
dCl2/SnCl2混合系の塩酸酸性水溶液による処理
等が行なわれている。しかしながら、これらの処理法
を、プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶
縁体と導体とが一体となったものに対して適用する場合
には、絶縁部分及び導体部分の全てが触媒活性化され
て、無電解めっき工程で全面にめっきが行なわれ、導体
部分にのみめっき皮膜を形成することができない。ま
た、PdCl2の塩酸酸性水溶液を用いて銅系素材を触
媒活性化する方法も知られているが、この場合にも絶縁
体部分に触媒成分が一部吸着されて、めっき工程で絶縁
体部分に一部めっき皮膜が形成され、特に、導体間の間
隔が狭い場合には、導体と導体とが部分的に結合するブ
リッジ(メッキブリッジ)現象が生じるという問題点が
ある。
2. Description of the Related Art When electroless plating of Ni, Pd, Pd-Ni, etc. using a hypophosphite compound as a reducing agent is applied to a copper-based material, it is usually used for reducing precipitation of a plating film. After applying a Pd compound as a catalyst on the material, electroless plating is performed. In such a case, the catalyst application method includes two-step treatment with SnCl 2 solution and PdCl 2 solution, P
For example, treatment with a dCl 2 / SnCl 2 mixed system acidic aqueous hydrochloric acid solution is performed. However, when these treatment methods are applied to a printed circuit board, a ceramic substrate, a chip component or the like in which an insulator and a conductor are integrated, all of the insulating portion and the conductor portion are catalytically activated. As a result, the entire surface is plated in the electroless plating process, and the plating film cannot be formed only on the conductor portion. There is also known a method of catalytically activating a copper-based material by using an acidic aqueous solution of PdCl 2 in hydrochloric acid. In this case as well, a part of the catalyst component is adsorbed on the insulator part, and the insulator part is formed during the plating process. However, there is a problem that a bridge (plating bridge) phenomenon occurs in which the conductors are partially coupled to each other when a plating film is partially formed on the surface of the conductor and the gap between the conductors is narrow.

【0003】この対策として、pHを上げて触媒活性を
弱める工夫がなされているが、pHを5程度に上げても
メッキブリッジを解消することはできず、一方pHが6
以上となるとコロイド状の沈殿が生じるために、実際上
の取り扱いが困難である。
As a countermeasure against this, measures have been taken to raise the pH to weaken the catalytic activity, but even if the pH is raised to about 5, the plating bridge cannot be eliminated, while the pH is 6
In the case of the above, colloidal precipitation occurs, which makes practical handling difficult.

【0004】また、PdCl2の濃度を減少させて、触
媒活性力を弱める工夫もなされているが、この場合に
は、メッキブリッジはなくなるが、反対に触媒活性が弱
くなりすぎて、一部めっきがつかない現象(スキップ現
象)を引き起こすという問題点がある。
Further, the concentration of PdCl 2 is reduced to weaken the catalytic activity, but in this case, the plating bridge disappears, but on the contrary, the catalytic activity becomes too weak and a part of the plating occurs. There is a problem of causing a phenomenon that cannot be attached (skip phenomenon).

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した従
来技術の現状に鑑みて、銅系素材のみを選択的に活性化
でき、かつスキップ現象、ブリッジ現象等を生じること
のない無電解めっき用の触媒を見出すべく鋭意研究を重
ねてきた。その結果、パラジウム化合物と特定のハロゲ
ン化物及び硫酸塩から選ばれた少なくとも一種の化合物
とを組み合わせて配合した触媒液によって、上記目的が
達成されることを見出し、ここに本発明を完成するに至
った。
In view of the above-mentioned state of the art, the inventor of the present invention is capable of selectively activating only copper-based materials and does not cause skipping phenomenon, bridging phenomenon, etc. We have conducted extensive research to find a catalyst for plating. As a result, it has been found that the above object can be achieved by a catalyst liquid prepared by combining a palladium compound and at least one compound selected from a specific halide and a sulfate, and the present invention has been completed here. It was

【0006】即ち、本発明は、(i)パラジウム化合物
0.0001〜0.5モル/l、並びに(ii)アルカ
リ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の硫酸塩、アルカ
リ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の硫酸
塩、ハロゲン化アンモニウム及び硫酸アンモニウムから
選ばれた少なくとも一種の化合物0.1〜10モル/l
を含有する水溶液からなることを特徴とする銅系素材選
択型無電解めっき用触媒液に係る。
That is, the present invention provides (i) a palladium compound 0.0001 to 0.5 mol / l, and (ii) an alkali metal halide, an alkali metal sulfate, an alkaline earth metal halide, and an alkali. 0.1 to 10 mol / l of at least one compound selected from earth metal sulfate, ammonium halide and ammonium sulfate
The present invention relates to a copper-based material selection type electroless plating catalyst solution comprising an aqueous solution containing

【0007】本発明触媒液で用いるパラジウム化合物と
しては特に限定はなく、水溶性のパラジウム化合物の
他、酸などに溶解することによって水溶液とし得るパラ
ジウム化合物も用いることができる。本発明での使用に
適するパラジウム化合物の具体例としては、(NH42
[PdCl6]、(NH42[PdCl4]、[PdCl
2(NH32]、[PdI2(NH32]、[Pd(NO
22(NH32]、K2[PdCl6]、K2[PdC
4]、K2[Pd(NO24]、Na2[PdCl4]、
Na2[Pd(NO24]、PdBr2、PdCl2、P
dI2、Pd(NO32・2H2O、PdO、PdS
4、PdS、[Pd(NH34]Cl2、[Pd(NH
34](NO32、Pd(C2322、Pd(N
32、[Pd(NH34](OH)2等を挙げること
ができる。パラジウム化合物の添加量は、0.0001
〜0.5モル/l程度、好ましくは0.0005〜0.
1モル/l程度とすればよく、0.0001モル/lを
下回るとスキップ現象が生じ易くなり、0.5モル/l
を上回ると不経済となるので好ましくない。
The palladium compound used in the catalyst solution of the present invention is not particularly limited, and in addition to the water-soluble palladium compound, a palladium compound which can be dissolved in an acid to form an aqueous solution can be used. Specific examples of palladium compounds suitable for use in the present invention include (NH 4 ) 2
[PdCl 6 ], (NH 4 ) 2 [PdCl 4 ], [PdCl
2 (NH 3 ) 2 ], [PdI 2 (NH 3 ) 2 ], [Pd (NO
2 ) 2 (NH 3 ) 2 ], K 2 [PdCl 6 ], K 2 [PdC
l 4 ], K 2 [Pd (NO 2 ) 4 ], Na 2 [PdCl 4 ],
Na 2 [Pd (NO 2 ) 4 ], PdBr 2 , PdCl 2 , P
dI 2 , Pd (NO 3 ) 2 .2H 2 O, PdO, PdS
O 4 , PdS, [Pd (NH 3 ) 4 ] Cl 2 , [Pd (NH
3 ) 4 ] (NO 3 ) 2 , Pd (C 2 H 3 O 2 ) 2 , Pd (N
O 3) 2, can be cited [Pd (NH 3) 4] (OH) 2 and the like. The addition amount of the palladium compound is 0.0001.
To about 0.5 mol / l, preferably 0.0005 to 0.
It may be about 1 mol / l, and if it is less than 0.0001 mol / l, the skip phenomenon tends to occur, and 0.5 mol / l
If it exceeds, it is uneconomical, which is not preferable.

【0008】本発明触媒液では、アルカリ金属のハロゲ
ン化物、アルカリ金属の硫酸塩、アルカリ土類金属のハ
ロゲン化物、アルカリ土類金属の硫酸塩、ハロゲン化ア
ンモニウム及び硫酸アンモニウムから選ばれた少なくと
も一種の化合物を、パラジウム化合物と組み合わせて用
いることが必要である。
In the catalyst solution of the present invention, at least one compound selected from alkali metal halides, alkali metal sulfates, alkaline earth metal halides, alkaline earth metal sulfates, ammonium halides and ammonium sulfates. Needs to be used in combination with a palladium compound.

【0009】本発明触媒液での使用に適するアルカリ金
属としては、カリウム、ナトリウム等を例示でき、アル
カリ土類金属としては、カルシウム、マグネシウム等を
例示でき、ハロゲンとしては塩素、ヨウ素、臭素等を例
示できる。パラジウム化合物と組み合わせて使用する化
合物の好ましい具体例としては、塩化カリウム、塩化マ
グネシウム、塩化カルシウム、塩化アンモニウム、ヨウ
化カリウム、臭化カリウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリ
ウム、硫酸アンモニウム等を例示できる。これらの化合
物は、単独または適宜組み合わせて使用でき、その使用
量は、0.1〜10モル/l程度、好ましくは0.5〜
5モル/lとすればよい。使用量が、0.1モル/lを
下回るとブリッジ現象が生じ易くなり、10モル/lを
上回る場合には、完全に溶解しない場合があるので好ま
しくない。
Examples of alkali metals suitable for use in the catalyst solution of the present invention include potassium and sodium, examples of alkaline earth metals include calcium and magnesium, and examples of halogen include chlorine, iodine and bromine. It can be illustrated. Preferred specific examples of the compound used in combination with the palladium compound include potassium chloride, magnesium chloride, calcium chloride, ammonium chloride, potassium iodide, potassium bromide, potassium sulfate, sodium sulfate, ammonium sulfate and the like. These compounds can be used alone or in appropriate combination, and the amount thereof is about 0.1-10 mol / l, preferably 0.5-.
It may be 5 mol / l. If the amount used is less than 0.1 mol / l, the bridge phenomenon is likely to occur, and if it exceeds 10 mol / l, it may not be completely dissolved, which is not preferable.

【0010】本発明触媒液の調製方法は、特に限定的で
はなく、例えばハロゲン化物、硫酸塩等を含む水溶液
に、直接パラジウム化合物を添加して溶解する方法、パ
ラジウム化合物を可溶化剤としてのHCl、H2SO4
の酸に溶解したものをハロゲン化物、硫酸塩等を含む水
溶液と混合する方法等を採用することができる。
The method for preparing the catalyst solution of the present invention is not particularly limited, and for example, a method of directly adding a palladium compound to an aqueous solution containing a halide, a sulfate or the like to dissolve it, or a HCl compound as a solubilizing agent , H 2 SO 4 or the like dissolved in an acid and mixed with an aqueous solution containing a halide, a sulfate or the like.

【0011】本発明の触媒液のpHは特に限定されるも
のではないが、pH調整を行なう場合には、必要に応じ
て、HCl、H2SO4等の酸やNaOH等のアルカリ化
合物を用いればよい。
The pH of the catalyst solution of the present invention is not particularly limited, but when adjusting the pH, an acid such as HCl or H 2 SO 4 or an alkali compound such as NaOH is used as necessary. Good.

【0012】本発明の触媒液中には、必要に応じて、キ
レート化合物を添加することができ、これにより、触媒
液をより安定に保つことができる。キレート化合物の具
体例としては、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、
エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩(EDTA・2
Na)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(H
EDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTP
A)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、エ
チレンジアミンテトラプロピオン酸、エチレンジアミン
テトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペン
タメチレンホスホン酸、ニトリロ三酢酸(NTA)、イ
ミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸 (ID
P)、アミノトリメチレンホスホン酸、アミノトリメチ
レンホスホン酸五ナトリウム塩、メチルアミン、エチル
アミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、トリメチル
アミン、ジメチルエチルアミン、ベンジルアミン、2−
ナフチルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミ
ン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチ
レンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペ
ンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサエチレン
ヘプタミン、シンナミルアミン、p−メトキシシンナミ
ルアミン、アンモニア、1−ヒドロキシエチリデン−
1、1−ジホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−
1、1−ジホスホン酸三ナトリウム塩、クエン酸、酒石
酸、リンゴ酸、マロン酸、グリシン、アラニン、N−メ
チルグリシン、グリコシアミン、ジメチルグリシン、ヒ
ダントイン酸、アミノ吉草酸、β−アラニン、バリン、
ノルバリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、
セリン、システイン、アスパラギン、アスパラギン酸、
グルタミン酸、オルニチン、リジン、アルギニン、グル
タミン、ジアミノプロピオン酸、シトルリン、ヒドロキ
シ−L−リジン、ジアミノ酪酸、アミノアジピン酸、カ
ナリン、キヌレニン、ジアミノピメリン酸、ホモシステ
イン、ヒスチジン、メチオニン、アスパルチル−ヒスチ
ジン、アラニル−アラニン、アラニル−β−アラニン、
β−アラニル−β−アラニン、グリシル−リジン、アラ
ニル−オルニチン、リジル−リジン、オルニチル−オル
ニチン、グリシル−オルニチン、β−アラニル−リジル
−リジン、オルニチル−リジル−リジン、グリシルーオ
ルニチルーオルニチン、イミダゾリン、2,4,5−ト
リフェニル−2−イミダゾリン、2,2´−ビス(2−
イミダゾリン)、ピリジン、モルホリン、ビピリジル、
ピラゾール、トリアジン等を挙げることができる。
If necessary, a chelate compound can be added to the catalyst solution of the present invention, whereby the catalyst solution can be kept more stable. Specific examples of the chelate compound include ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA),
Ethylenediaminetetraacetic acid disodium salt (EDTA ・ 2
Na), hydroxyethyl ethylenediamine triacetic acid (H
EDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTP
A), triethylenetetramine hexaacetic acid (TTHA), ethylenediaminetetrapropionic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, diethylenetriaminepentamethylenephosphonic acid, nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), iminodipropionic acid (ID
P), aminotrimethylenephosphonic acid, aminotrimethylenephosphonic acid pentasodium salt, methylamine, ethylamine, propylamine, dimethylamine, trimethylamine, dimethylethylamine, benzylamine, 2-
Naphthylamine, isobutylamine, isoamylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, hexaethyleneheptamine, cinnamylamine, p-methoxycinnamic Luamine, ammonia, 1-hydroxyethylidene-
1,1-diphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-
1,1-diphosphonic acid trisodium salt, citric acid, tartaric acid, malic acid, malonic acid, glycine, alanine, N-methylglycine, glycosamine, dimethylglycine, hydantoic acid, aminovaleric acid, β-alanine, valine,
Norvaline, leucine, norleucine, isoleucine,
Serine, cysteine, asparagine, aspartic acid,
Glutamic acid, ornithine, lysine, arginine, glutamine, diaminopropionic acid, citrulline, hydroxy-L-lysine, diaminobutyric acid, aminoadipic acid, kanaline, kynurenine, diaminopimelic acid, homocysteine, histidine, methionine, aspartyl-histidine, alanyl-alanine , Alanyl-β-alanine,
β-alanyl-β-alanine, glycyl-lysine, alanyl-ornithine, lysyl-lysine, ornithyl-ornithine, glycyl-ornithine, β-alanyl-lysyl-lysine, ornityl-lysyl-lysine, glycyl-ornithyl-ornithine, imidazoline, 2,4,5-Triphenyl-2-imidazoline, 2,2'-bis (2-
Imidazoline), pyridine, morpholine, bipyridyl,
Examples thereof include pyrazole and triazine.

【0013】また、該触媒液中には、非イオン性、カチ
オン性、アニオン性、両性等の界面活性剤を添加するこ
ともでき、これにより、触媒液の表面張力を下げ、銅系
素材表面の触媒活性力を均一にすることができる。更
に、チオ尿素類の添加により、銅系素材の析出電位を下
げ、パラジウムとの置換を促進させることもできる。チ
オ尿素類としては、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、トリ
メチルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、
エチレンチオ尿素、フェニルチオ尿素等を例示できる。
また、pH緩衝剤として、塩酸−塩化カリウム、フタル
酸水素カリウム−塩酸、フタル酸水素カリウム−水酸化
ナトリウム、リン酸二水素カリウム−水酸化ナトリウ
ム、ホウ酸−水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム−
水酸化ナトリウム、リン酸水素ニナトリウム−水酸化ナ
トリウム、水酸化ナトリウム−塩化カリウム、トリス
(ヒドロキシメチル)アミノメタン−塩酸、酢酸ナトリ
ウム−酢酸等を添加することもできる。界面活性剤、チ
オ尿素類及びpH緩衝剤は、必要に応じて単独又は適宜
混合して用いることができる。キレート化合物、界面活
性剤、チオ尿素類及びpH緩衝剤は、いずれも本発明の
触媒液において必須の成分ではないが、添加による効果
を有効に発揮するためには、キレート化合物の添加量
は、0.0001〜2モル/l程度とすることが好まし
く、界面活性剤の添加量は、0.01〜10g/l程度
とすることが好ましく、チオ尿素類の添加量は、0.0
1〜3モル/l程度とすることが好ましく、pH緩衝剤
の添加量は、0.01〜1モル/l程度とすることが好
ましい。
Further, a nonionic, cationic, anionic, amphoteric surface active agent may be added to the catalyst solution, whereby the surface tension of the catalyst solution is lowered and the surface of the copper-based material is reduced. The catalytic activity of can be made uniform. Furthermore, the addition of thioureas can lower the deposition potential of the copper-based material and accelerate the substitution with palladium. Examples of thioureas include thiourea, dimethylthiourea, trimethylthiourea, allylthiourea, acetylthiourea,
Examples thereof include ethylene thiourea and phenyl thiourea.
Further, as a pH buffering agent, hydrochloric acid-potassium chloride, potassium hydrogen phthalate-hydrochloric acid, potassium hydrogen phthalate-sodium hydroxide, potassium dihydrogen phosphate-sodium hydroxide, boric acid-sodium hydroxide, sodium hydrogen carbonate-
Sodium hydroxide, disodium hydrogen phosphate-sodium hydroxide, sodium hydroxide-potassium chloride, tris (hydroxymethyl) aminomethane-hydrochloric acid, sodium acetate-acetic acid, etc. can also be added. The surfactants, thioureas and pH buffers can be used alone or in an appropriate mixture as needed. Chelate compounds, surfactants, thioureas and pH buffers are not essential components in the catalyst liquid of the present invention, but in order to effectively exert the effect of addition, the amount of chelate compound added is The addition amount of the surfactant is preferably about 0.01 to 2 mol / l, the addition amount of the surfactant is preferably about 0.01 to 10 g / l, and the addition amount of the thioureas is 0.0
The amount of the pH buffer added is preferably about 1 to 3 mol / l, and the addition amount of the pH buffer is preferably about 0.01 to 1 mol / l.

【0014】本発明触媒液は、銅系素材を選択的に触媒
活性化するものであり、この触媒液の使用により、プリ
ント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶縁体と導
体が一体となった材料に対しても、銅系素材のみを選択
的に触媒活性化して、銅系素材部分にのみ無電解めっき
を行なうことができる。
The catalyst solution of the present invention selectively activates a copper-based material, and by using this catalyst solution, an insulator and a conductor such as a printed circuit board, a ceramic substrate, and a chip component are integrated. Also for the material, only the copper-based material can be selectively catalytically activated to perform electroless plating only on the copper-based material portion.

【0015】適用対象となる銅系素材としては、銅、黄
銅、リン青銅、洋白等を挙げることができ、これら素材
自体又は、各種素地の上に、めっき、蒸着、ペースト等
によってこれらの銅系素材の皮膜を形成したものに適用
できる。
As the copper-based material to be applied, copper, brass, phosphor bronze, nickel silver and the like can be mentioned. These materials themselves or various substrates are plated with these materials by plating, vapor deposition, paste or the like. It can be applied to those with a coating of a system material.

【0016】本発明の触媒液による処理法は、通常の触
媒液による処理と同様でよく、液温10〜90℃程度、
好ましくは25〜70℃程度の触媒液中に、被処理物を
10秒〜10分程度浸漬すればよい。液温が低すぎる場
合には、スキップ現象が生じ易く、液温が高すぎるとブ
リッジ現象が生じ易くなるので注意が必要である。
The treatment method with the catalyst solution of the present invention may be the same as the treatment with an ordinary catalyst solution, and the solution temperature is about 10 to 90 ° C
Preferably, the object to be treated may be immersed in the catalyst solution at about 25 to 70 ° C. for about 10 seconds to 10 minutes. If the liquid temperature is too low, the skip phenomenon is likely to occur, and if the liquid temperature is too high, the bridge phenomenon is likely to occur.

【0017】触媒液によって活性化した後、無電解めっ
きを行なうことによって、銅系素材上に選択的にめっき
皮膜を形成できる。本発明触媒液は、無電解めっき液と
しては、特に限定はないが、次亜リン酸化合物を還元剤
とするNi、Pd、Pd−Ni等の無電解めっき液を用
いる場合に特に有効である。
After activation with the catalyst solution, electroless plating is performed to selectively form a plating film on the copper-based material. The catalyst solution of the present invention is not particularly limited as an electroless plating solution, but is particularly effective when an electroless plating solution such as Ni, Pd, Pd-Ni using a hypophosphorous acid compound as a reducing agent is used. .

【0018】本発明触媒液を用いる場合には、脱脂、酸
洗等の前処理は、常法に従えばよく、また無電解めっき
条件も通常通りでよい。
When the catalyst solution of the present invention is used, pretreatments such as degreasing and pickling may be carried out by conventional methods, and electroless plating conditions may be usual.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明触媒液を用いることによって、銅
系素材上にのみ選択的に無電解めっきを行なうことがで
き、プリント基板、セラミック基板、チップ部品等の絶
縁体と導体とからなる材料に対しても、スキップ現象、
ブリッジ現象等を生じることなく、導体部分にのみ良好
なめっき皮膜を形成することが可能となる。
EFFECTS OF THE INVENTION By using the catalyst solution of the present invention, it is possible to selectively perform electroless plating only on a copper-based material, and a material consisting of an insulator and a conductor such as a printed circuit board, a ceramic substrate, and a chip part. Against the skip phenomenon,
It is possible to form a good plating film only on the conductor portion without causing a bridge phenomenon or the like.

【0020】[0020]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to examples.

【0021】[0021]

【実施例1】ガラスエポキシ銅張積層板に穴あけをし、
無電解銅めっき、電気銅めっきを行なった後、エッチン
グレジスト層を形成し、次いで、エッチング、エッチン
グレジスト層剥離、ソルダーレジスト印刷、文字印刷、
外形加工の工程を経て得られた両面表面実装部品と片面
挿入型部品の混在実装用の100×170×16mmの
銅めっきスルーホールプリント配線板について、以下の
処理を行なった。
[Example 1] A hole was drilled in a glass epoxy copper clad laminate,
After performing electroless copper plating and electrolytic copper plating, an etching resist layer is formed, and then etching, etching resist layer peeling, solder resist printing, character printing,
The following treatment was performed on a 100 × 170 × 16 mm copper-plated through-hole printed wiring board for mixed mounting of double-sided surface mounting components and single-sided insertion type components obtained through the outer shape processing step.

【0022】プリント配線板を浸漬脱脂、酸洗した後、
過硫酸アンモニウム150g/l水溶液に30℃で60
秒間浸漬してソフトエッチングを行ない、次いで酸洗
後、表1に示した触媒液組成及び条件で触媒を付与し
た。次いで、下記組成のNi、Pd、Pd−Niの各々
の無電解めっきを行ない、スキップ現象及びブリッジ現
象の発生の有無を調べた。スキップ現象の評価の場合に
は、めっき時間を30秒とし、ブリッジ現象の評価の場
合にはめっき時間を30分とした。
After the printed wiring board is immersed in degreasing and pickled,
60 g of ammonium persulfate aqueous solution at 30 ℃
After soaking for 2 seconds to perform soft etching, and then pickling, a catalyst was applied under the catalyst liquid composition and conditions shown in Table 1. Then, electroless plating of each of Ni, Pd, and Pd-Ni having the following compositions was performed to examine whether or not the skip phenomenon and the bridge phenomenon occurred. In the case of evaluating the skip phenomenon, the plating time was 30 seconds, and in the case of evaluating the bridge phenomenon, the plating time was 30 minutes.

【0023】 無電解Niメッキ液 硫酸ニッケル(6水塩) 20g/l りんご酸 20g/l 次亜リン酸ナトリウム(1水塩) 30g/l 酢酸鉛(3水塩) 1mg/l pH(アンモニア水で調整) 6 浴温 85℃ 析出速度 約8μm/h 無電解Pdメッキ液 塩化パラジウム 0.01モル/l エチレンジアミン 0.08モル/l チオジグリコール酸 20mg/l 次亜リン酸ソーダ 0.06モル/l pH 8 浴温 50℃ 析出速度 約1μm/h 無電解Pd−Niメッキ液 塩化パラジウム 0.01モル/l 塩化ニッケル 0.1モル/l エチレンジアミン 0.08モル/l チオジグリコール酸 20mg/l 次亜リン酸ソーダ 0.06モル/l pH 8 浴温 50℃ 析出速度 約2μm/hElectroless Ni plating solution Nickel sulfate (hexahydrate) 20 g / l Malic acid 20 g / l Sodium hypophosphite (monohydrate) 30 g / l Lead acetate (trihydrate) 1 mg / l pH (ammonia water 6 bath temperature 85 ° C. deposition rate approximately 8 μm / h electroless Pd plating solution palladium chloride 0.01 mol / l ethylenediamine 0.08 mol / l thiodiglycolic acid 20 mg / l sodium hypophosphite 0.06 mol / L pH 8 Bath temperature 50 ° C Deposition rate Approximately 1 µm / h Electroless Pd-Ni plating solution Palladium chloride 0.01 mol / l Nickel chloride 0.1 mol / l Ethylenediamine 0.08 mol / l Thiodiglycolic acid 20 mg / l Sodium hypophosphite 0.06 mol / l pH 8 Bath temperature 50 ° C. Deposition rate approx. 2 μm / h

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】以上の試験の結果、ハロゲン化物及び硫酸
塩のいずれも添加していないNo.1〜6の触媒液を用
いた場合には、Ni、Pd、Pd−Niの各めっき皮膜
において、スキップ現象は認められなかったが、ブリッ
ジ現象が多く認められた。一方、本発明触媒液であるN
o.7〜28の触媒液を用いた場合には、Ni、Pd、
Pd−Niの各めっき皮膜について、プリント配線板の
銅めっき部分にのみめっき皮膜を形成することができ、
スキップ現象及びブリッジ現象は全く認められなかっ
た。
As a result of the above test, No. 1 containing neither halide nor sulfate was added. When the catalyst solutions 1 to 6 were used, the skip phenomenon was not observed in each of the Ni, Pd, and Pd-Ni plating films, but the bridging phenomenon was often observed. On the other hand, N which is the catalyst liquid of the present invention
o. When using the catalyst solutions of 7 to 28, Ni, Pd,
For each Pd-Ni plating film, the plating film can be formed only on the copper-plated portion of the printed wiring board,
No skipping phenomenon or bridging phenomenon was observed.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (i)パラジウム化合物0.0001〜
0.5モル/l、並びに(ii)アルカリ金属のハロゲ
ン化物、アルカリ金属の硫酸塩、アルカリ土類金属のハ
ロゲン化物、アルカリ土類金属の硫酸塩、ハロゲン化ア
ンモニウム及び硫酸アンモニウムから選ばれた少なくと
も一種の化合物0.1〜10モル/lを含有する水溶液
からなることを特徴とする銅系素材選択型無電解めっき
用触媒液。
1. (i) Palladium compound 0.0001-
0.5 mol / l, and (ii) at least one selected from alkali metal halides, alkali metal sulfates, alkaline earth metal halides, alkaline earth metal sulfates, ammonium halides and ammonium sulfates. 2. A copper-based material selection type electroless plating catalyst solution comprising an aqueous solution containing the compound of 0.1 to 10 mol / l.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006009130A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Ebara Corp Method and apparatus for processing substrate
US7056448B2 (en) 2002-05-20 2006-06-06 Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. Method for forming circuit pattern
WO2008081637A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-10 Japan Pure Chemical Co., Ltd. Reduction-type electroless tin plating solution and tin plating films made by using the same
JP2010059479A (en) * 2008-09-03 2010-03-18 Okuno Chem Ind Co Ltd Activating liquid for electroless plating
JP5096165B2 (en) * 2005-12-06 2012-12-12 株式会社Jcu Palladium complex and catalyst application treatment liquid using the same
CN103484840A (en) * 2013-09-04 2014-01-01 中国科学院深圳先进技术研究院 Activating agent for preparation of embedded film resistor, preparation method of embedded film resistor and embedded film resistor
KR20150135446A (en) * 2013-03-25 2015-12-02 아토테크더치랜드게엠베하 Method for activating a copper surface for electroless plating
JP2018059154A (en) * 2016-10-05 2018-04-12 小島化学薬品株式会社 Electroless palladium/gold plating process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0436877A (en) * 1990-05-31 1992-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Picture editing processing method
JPH05156457A (en) * 1991-12-06 1993-06-22 Hitachi Chem Co Ltd Palladium catalyst solution for electroless nickel plating and electroless nickel plating method using the same
JPH06505770A (en) * 1991-02-08 1994-06-30 シェーリング アクチエンゲゼルシャフト ベルリン/ベルクカーメン Selective method for printed wiring circuit board manufacturing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0436877A (en) * 1990-05-31 1992-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Picture editing processing method
JPH06505770A (en) * 1991-02-08 1994-06-30 シェーリング アクチエンゲゼルシャフト ベルリン/ベルクカーメン Selective method for printed wiring circuit board manufacturing
JPH05156457A (en) * 1991-12-06 1993-06-22 Hitachi Chem Co Ltd Palladium catalyst solution for electroless nickel plating and electroless nickel plating method using the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7056448B2 (en) 2002-05-20 2006-06-06 Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. Method for forming circuit pattern
JP2006009130A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Ebara Corp Method and apparatus for processing substrate
JP5096165B2 (en) * 2005-12-06 2012-12-12 株式会社Jcu Palladium complex and catalyst application treatment liquid using the same
US8354014B2 (en) 2005-12-06 2013-01-15 Ebara-Udylite Co., Ltd. Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same
WO2008081637A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-10 Japan Pure Chemical Co., Ltd. Reduction-type electroless tin plating solution and tin plating films made by using the same
JP2010059479A (en) * 2008-09-03 2010-03-18 Okuno Chem Ind Co Ltd Activating liquid for electroless plating
KR20150135446A (en) * 2013-03-25 2015-12-02 아토테크더치랜드게엠베하 Method for activating a copper surface for electroless plating
JP2016515666A (en) * 2013-03-25 2016-05-30 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH Method for activating copper surface for electroless plating
CN103484840A (en) * 2013-09-04 2014-01-01 中国科学院深圳先进技术研究院 Activating agent for preparation of embedded film resistor, preparation method of embedded film resistor and embedded film resistor
JP2018059154A (en) * 2016-10-05 2018-04-12 小島化学薬品株式会社 Electroless palladium/gold plating process
WO2018066217A1 (en) * 2016-10-05 2018-04-12 小島化学薬品株式会社 Electroless palladium/gold plating process

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