JPH07114354B2 - High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit - Google Patents

High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit

Info

Publication number
JPH07114354B2
JPH07114354B2 JP62314786A JP31478687A JPH07114354B2 JP H07114354 B2 JPH07114354 B2 JP H07114354B2 JP 62314786 A JP62314786 A JP 62314786A JP 31478687 A JP31478687 A JP 31478687A JP H07114354 B2 JPH07114354 B2 JP H07114354B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
current
base
high temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62314786A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01155714A (en
Inventor
憲司 大谷
文彦 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP62314786A priority Critical patent/JPH07114354B2/en
Publication of JPH01155714A publication Critical patent/JPH01155714A/en
Publication of JPH07114354B2 publication Critical patent/JPH07114354B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 (a)産業上の利用分野 この発明はトランジスタによって回路制御を行うトラン
ジスタの制御回路において高温時におけるトランジスタ
のリーク電流による誤動作を補償する回路に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a circuit for compensating a malfunction due to a leak current of a transistor at a high temperature in a transistor control circuit which controls a circuit by the transistor.

(b)従来の技術 複数のトランジスタを用いて回路制御を行うトランジス
タ制御回路は従来より様々な装置における回路に用いら
れている。第3図はこのようなトランジスタ制御回路の
基本構成部分の回路図である。図においてQ1はNPN型ト
ランジスタ、Q2はPNP型トランジスタであり、Q2のコレ
クタ電流でQ1のベース電流を制御している。なお、Q2の
ベースに図示しない制御回路が接続され、Q1のコレクタ
に図示しない駆動回路が接続される。
(B) Conventional Technology A transistor control circuit for performing circuit control using a plurality of transistors has been conventionally used for circuits in various devices. FIG. 3 is a circuit diagram of a basic configuration portion of such a transistor control circuit. In the figure, Q1 is an NPN type transistor, Q2 is a PNP type transistor, and the collector current of Q2 controls the base current of Q1. A control circuit (not shown) is connected to the base of Q2, and a drive circuit (not shown) is connected to the collector of Q1.

(c)発明が解決しようとする問題点 この種のトランジスタ制御回路はIC内に多数組み込まれ
ているが、ICに要求される電気的特性の1つである高温
動作(100〜200℃)時の信頼性を保つための設計がなさ
れている。特に被制御機器や回路の異常温度上昇を検出
して回路をしゃ断するサーマルシャットダウン回路など
においては本来的に高温雰囲気中で使用されるため、高
温動作時に安定した動作が行われるよう回路設計がなさ
れている。第3図に示したトランジスタ制御回路の例で
は、特にPNP型トランジスタQ2は高温でのリーク電流が
比較的大きく、このリーク電流によってQ1がオンする誤
動作が生じる場合がある。このようなリーク電流による
誤動作の防止対策としてQ1のベース・エミッタ間にリー
ク電流吸収用の抵抗を挿入する方法が採られているがリ
ーク電流を十分に吸収することができず、またQ1のベー
ス電位にオフセットが生じるなどの問題があった。
(C) Problems to be solved by the invention Although many transistor control circuits of this type are incorporated in an IC, at high temperature operation (100 to 200 ° C), which is one of the electrical characteristics required for the IC. Designed to maintain the reliability of. In particular, the thermal shutdown circuit, which shuts off the circuit by detecting an abnormal temperature rise in the controlled device or circuit, is originally used in a high temperature atmosphere.Therefore, the circuit design is designed to ensure stable operation at high temperature ing. In the example of the transistor control circuit shown in FIG. 3, especially the PNP transistor Q2 has a relatively large leak current at high temperature, and this leak current may cause malfunction of turning on Q1. A method of inserting a resistor for absorbing leakage current between the base and emitter of Q1 has been adopted as a measure to prevent malfunction due to such leakage current, but it cannot absorb the leakage current sufficiently and the base of Q1 There was a problem such as an offset in the potential.

この発明の目的は、高温動作時におけるトランジスタの
リーク電流における誤動作を防止するトランジスタ制御
回路の高温リーク補償回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a high temperature leak compensating circuit for a transistor control circuit which prevents malfunction due to a leak current of a transistor during high temperature operation.

(d)問題点を解決するための手段 この発明のトランジスタ制御回路の高温リーク補償回路
は、第1のトランジスタと、コレクタ電流でこの第1の
トランジスタのベース電流を制御する第2のトランジス
タと、を備えたトランジスタ制御回路において、 前記第2のトランジスタのベース電圧を温度により変化
させるバイアス回路と、電流ミラー回路を構成する2つ
のトランジスタと、を設けるとともに、温度−リーク電
流特性が第2のトランジスタに相似する第3のトランジ
スタを前記電流ミラー回路の入力側トランジスタのコレ
クタに接続し、さらに前記第3のトランジスタのベース
をオープン状態としたことを特徴としている。
(D) Means for Solving the Problems The high temperature leakage compensation circuit of the transistor control circuit according to the present invention comprises a first transistor and a second transistor for controlling a base current of the first transistor by a collector current. A transistor control circuit including: a bias circuit that changes the base voltage of the second transistor according to temperature; and two transistors that form a current mirror circuit, and the second transistor has a temperature-leakage current characteristic. Is connected to the collector of the input side transistor of the current mirror circuit, and the base of the third transistor is opened.

(e)作用 この発明のトランジスタ制御回路の高温リーク補償回路
においては、2つのトランジスタによって電流ミラー回
路が構成され、温度−リーク電流特性が第2のトランジ
スタに相似する第3のトランジスタが電流ミラー回路の
入力側トランジスタのコレクタに直列接続され、第1の
トランジスタのベースが電流ミラー回路の出力側トラン
ジスタのコレクタに接続されている。バイアス回路が温
度により前記第2のトランジスタのベース電圧を変化さ
せる。また、第3のトランジスタはベースがオープン状
態である。したがって電流ミラー回路の入力側トランジ
スタのコレクタに第3のトランジスタのリーク電流が流
れる。このため、電流ミラー回路の出力側トランジスタ
のコレクタに入力側トランジスタのコレクタ電流すなわ
ち第3のトランジスタのリーク電流と同一の電流が流れ
る。このため、第2のトランジスタに流れる電流のうち
リーク電流の成分が電流ミラー回路の出力側トランジス
タに流れ、その他が第1のトランジスタのベース電流と
なる。以上のようにして第1のトランジスタを第2のト
ランジスタに流れるリーク電流に影響されることなく、
バイアス回路によって動作させることができる。
(E) Function In the high temperature leakage compensation circuit of the transistor control circuit of the present invention, a current mirror circuit is composed of two transistors, and the third transistor whose temperature-leakage current characteristic is similar to that of the second transistor is a current mirror circuit. Is connected in series to the collector of the input-side transistor, and the base of the first transistor is connected to the collector of the output-side transistor of the current mirror circuit. A bias circuit changes the base voltage of the second transistor according to temperature. The base of the third transistor is open. Therefore, the leak current of the third transistor flows through the collector of the input side transistor of the current mirror circuit. Therefore, the collector current of the input side transistor, that is, the same current as the leak current of the third transistor flows through the collector of the output side transistor of the current mirror circuit. Therefore, the leak current component of the current flowing through the second transistor flows through the output side transistor of the current mirror circuit, and the other component becomes the base current of the first transistor. As described above, without being affected by the leak current flowing through the first transistor to the second transistor,
It can be operated by a bias circuit.

(f)実施例 第1図はこの発明の実施例であるトランジスタ制御回路
の高温リーク補償回路の回路図である。ここでQ1とQ2は
この発明に係る第1のトランジスタと第2のトランジス
タに相当する。Q3は第2のトランジスタQ2と温度−リー
ク電流特性を同じくする第3のトランジスタである。Q
4,Q5は図示の通り電流ミラー回路を構成する2つのトラ
ンジスタであり、Q4は入力側トランジスタ、Q5は出力側
トランジスタである。Q4と電源Vcc間にはQ3が直列接続
されている。さらにQ5のコレクタにQ1のベースが接続さ
れている。なお、Q3のベースは他に接続されないオープ
ン状態である。Q2のベースには温度により電圧を変化さ
せるバイアス回路が接続される。
(F) Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram of a high temperature leak compensation circuit of a transistor control circuit according to an embodiment of the present invention. Here, Q1 and Q2 correspond to the first transistor and the second transistor according to the present invention. Q3 is a third transistor having the same temperature-leakage current characteristics as the second transistor Q2. Q
4, Q5 are two transistors forming a current mirror circuit as shown, Q4 is an input side transistor, and Q5 is an output side transistor. Q3 is connected in series between Q4 and the power supply Vcc. Furthermore, the base of Q1 is connected to the collector of Q5. Note that the base of Q3 is in an open state with no other connections. A bias circuit that changes the voltage with temperature is connected to the base of Q2.

Q4のコレクタ電流をI1、Q2のコレクタ電流をI2,Q5のコ
レクタ電流をI3とし、さらにQ1のベース電流ををI0とす
れば次の関係が成り立つ。高温動作時においてQ2にリー
ク電流が流れるが、その値はQ3のリーク電流I1と等し
い。Q4とQ5は電流ミラー回路として作用するため、I1=
I3である。したがって、I2に含まれるリーク電流はQ5の
コレクタ電流として吸収され、もとの制御電流I0がQ1の
ベース電流となる。したがって、リーク電流の影響を受
けることなくQ1を動作させることができる。
If the collector current of Q4 is I1, the collector current of Q2 is I2, the collector current of Q5 is I3, and the base current of Q1 is I0, the following relationship holds. A leak current flows through Q2 during high temperature operation, and its value is equal to the leak current I1 of Q3. Since Q4 and Q5 act as a current mirror circuit, I1 =
I3. Therefore, the leak current contained in I2 is absorbed as the collector current of Q5, and the original control current I0 becomes the base current of Q1. Therefore, Q1 can be operated without being affected by the leak current.

第2図は第1図に示した回路をモータのサーマルシャッ
トダウン回路に応用した回路図である。第1図と比較し
て明らかなようにトランジスタQ2のベースに抵抗R1と感
温抵抗R2による分圧回路が接続されている。また、モー
タとこれをオン・オフ制御するトランジスタQ6およびQ6
のオン・オフ制御を行うモータ制御回路が設けられてい
て、Q1のコレクタがQ6のベースに接続されている。通常
Q6はモータ制御回路の信号によってオン・オフ制御が行
われるが、モータMが異常過熱状態となったとき、R2の
抵抗値が降下し、Q2がオンする。これによりQ1がオンし
Q6が強制的にオフ状態にされる。この場合、モータの発
熱などによって回路全体が高温化されても、前述の通り
Q2のリーク電流はQ5に吸収されてQ1に影響を及ぼさない
ため、設定した温度に達するまでにQ1がオンしQ6がしゃ
断されるといった誤動作がない。
FIG. 2 is a circuit diagram in which the circuit shown in FIG. 1 is applied to a thermal shutdown circuit of a motor. As apparent from comparison with FIG. 1, the voltage dividing circuit formed by the resistor R1 and the temperature sensitive resistor R2 is connected to the base of the transistor Q2. Also, the motor and the transistors Q6 and Q6 that control the on / off of the motor.
A motor control circuit for on / off control of is provided, and the collector of Q1 is connected to the base of Q6. Normal
The on / off control of Q6 is performed by the signal of the motor control circuit, but when the motor M becomes abnormally overheated, the resistance value of R2 drops and Q2 turns on. This turns on Q1
Q6 is forced off. In this case, even if the temperature of the entire circuit rises due to the heat generated by the motor, etc.
The leakage current of Q2 is absorbed by Q5 and does not affect Q1, so there is no malfunction such that Q1 is turned on and Q6 is cut off before the set temperature is reached.

(g)発明の効果 以上のようにこの発明によれば、高温動作時におけるト
ランジスタのリーク電流を吸収することができるため、
広い温度範囲にわたって誤動作の無い信頼性の高いトラ
ンジスタ制御回路を構成することができる。
(G) Effect of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to absorb the leak current of the transistor during high-temperature operation.
It is possible to configure a highly reliable transistor control circuit that does not malfunction over a wide temperature range.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の実施例であるトランジスタ制御回路
の高温リーク補償回路の回路図、第2図は同回路をモー
タのサーマルシャットダウン回路に応用した回路図であ
る。第3図は一般的なトランジスタ制御回路の基本構成
部分の回路図である。 Q1……第1のトランジスタ、 Q2……第2のトランジスタ、 Q3……第3のトランジスタ、 Q4,Q5……電流ミラー回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of a high temperature leak compensation circuit of a transistor control circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram in which the circuit is applied to a thermal shutdown circuit of a motor. FIG. 3 is a circuit diagram of a basic constituent portion of a general transistor control circuit. Q1 ... First transistor, Q2 ... Second transistor, Q3 ... Third transistor, Q4, Q5 ... Current mirror circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1のトランジスタと、コレクタ電流でこ
の第1のトランジスタのベース電流を制御する第2のト
ランジスタと、を備えたトランジスタ制御回路におい
て、 前記第2のトランジスタのベース電圧を温度により変化
させるバイアス回路と、電流ミラー回路を構成する2つ
のトランジスタと、を設けるとともに、温度−リーク電
流特性が第2のトランジスタに相似する第3のトランジ
スタを、前記電流ミラー回路の入力側トランジスタのコ
レクタに直列接続し、第1のトランジスタのベースを前
記電流ミラー回路の出力側トランジスタのコレクタに接
続し、さらに前記第3のトランジスタのベースをオープ
ン状態としたことを特徴とするトランジスタ制御回路の
高温リーク補償回路。
1. A transistor control circuit comprising a first transistor and a second transistor for controlling a base current of the first transistor with a collector current, wherein a base voltage of the second transistor is controlled by temperature. A bias circuit to be changed and two transistors forming a current mirror circuit are provided, and a third transistor whose temperature-leakage current characteristic is similar to that of the second transistor is a collector of the input side transistor of the current mirror circuit. High temperature leakage of the transistor control circuit, wherein the base of the first transistor is connected to the collector of the output side transistor of the current mirror circuit, and the base of the third transistor is opened. Compensation circuit.
JP62314786A 1987-12-11 1987-12-11 High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit Expired - Fee Related JPH07114354B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62314786A JPH07114354B2 (en) 1987-12-11 1987-12-11 High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62314786A JPH07114354B2 (en) 1987-12-11 1987-12-11 High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01155714A JPH01155714A (en) 1989-06-19
JPH07114354B2 true JPH07114354B2 (en) 1995-12-06

Family

ID=18057576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62314786A Expired - Fee Related JPH07114354B2 (en) 1987-12-11 1987-12-11 High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07114354B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19727229C1 (en) * 1997-06-26 1998-07-23 Siemens Ag Temperature supervision circuit arrangement for electronic component

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6195109U (en) * 1984-11-28 1986-06-19

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01155714A (en) 1989-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0430609A (en) Temperature detection circuit
JPH01302849A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH07114354B2 (en) High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit
JPH07114352B2 (en) High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit
JPH07114353B2 (en) High temperature leak compensation circuit for transistor control circuit
JP2799529B2 (en) Stabilized power supply circuit
JP2732079B2 (en) Drive circuit having thermal cutoff circuit
JPS6085552A (en) Integrated circuit
US5349231A (en) Apparatus and method for bidirectional current conduction
JPH01255261A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS5838987B2 (en) transistor warmer
JPH02248113A (en) Ouerheat preventive trigger circuit having narrow threshold fluctuation range
KR100189776B1 (en) Thermal shut-down circuit with hysteresis
JPH01200808A (en) Heat interrupting circuit in semiconductor integrated circuit
JPH0587150B2 (en)
JPS5845213B2 (en) Current control hysteresis circuit
JPH0661825A (en) Bidirectional electric current drive circuit
JPS5853730A (en) Heat detecting circuit
JPH0259630A (en) Temperature detection circuit
JPH02268513A (en) Thermal shielding circuit
JPS63291298A (en) Program circuit
JPH02136029A (en) Current limiter circuit
JPS6220418A (en) Switching device
JPH06260899A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS60216714A (en) Current output loop disconnection warning circuit

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees