JPH07106549A - One-electron transistor - Google Patents
One-electron transistorInfo
- Publication number
- JPH07106549A JPH07106549A JP6125421A JP12542194A JPH07106549A JP H07106549 A JPH07106549 A JP H07106549A JP 6125421 A JP6125421 A JP 6125421A JP 12542194 A JP12542194 A JP 12542194A JP H07106549 A JPH07106549 A JP H07106549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- transistor
- electron
- electron tunneling
- tunneling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract description 28
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- WLPATYNQCGVFFH-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbenzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 WLPATYNQCGVFFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZGOWXOZNUNZPAV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-heptylphenyl)benzonitrile Chemical group C1=CC(CCCCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ZGOWXOZNUNZPAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7613—Single electron transistors; Coulomb blockade devices
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、一電子トランジスタ
ーに関するものである。さらに詳しくは、この発明は、
室温においても形成可能な新しい一電子トンネリングト
ランジスターに関するものである。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a one-electron transistor. More specifically, the present invention is
The present invention relates to a new one-electron tunneling transistor that can be formed even at room temperature.
【０００２】[0002]
【従来の技術とその課題】走査トンネル顕微鏡（ＳＴ
Ｍ）技術の発展は、物質表面の微細構造を観察するため
の手段として新しい技術地平を切拓いてきている。そし
て、この技術の発展にともなって、一電子トンネリング
の現象と、その応用の検討が進められてきており、特に
トランジスター等への応用は、注目を集めている。2. Description of the Related Art Scanning tunneling microscope (ST
M) Technological development has opened up new technological horizons as a means for observing the fine structure of material surfaces. Along with the development of this technology, the phenomenon of one-electron tunneling and its application have been studied, and its application to transistors and the like has been attracting attention.
【０００３】この一電子トランジスター(Single Electr
on Tunneling：ＳＥＴ）は、従来、たとえば図１に例示
したように、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）微細探針
（１）と、微小空隙を介して配置した金属粒子（２）、
金属酸化膜（３）および金属基板（４）という系におい
て実現されていた。この一電子トンネリング（ＳＥＴ）
は、金属粒子（２）としての中央電極の化学ポテンシャ
ルの離散化によって生起させるものであって、この系に
より、特有のｉ−ｖカーブが形成されることになる。こ
のカーブを模式的に示すと図２のようになり、中央電極
の余剰電荷が増減する毎に電流の変化が起きることを示
している。This one-electron transistor (Single Electr
On tunneling (SET) is conventionally performed by, for example, as illustrated in FIG. 1, a scanning tunneling microscope (STM) fine probe (1), and metal particles (2) arranged through microscopic voids.
It has been realized in a system of a metal oxide film (3) and a metal substrate (4). This one-electron tunneling (SET)
Is generated by discretizing the chemical potential of the central electrode as the metal particles (2), and this system forms a unique iv curve. This curve is schematically shown in FIG. 2, which shows that the current changes each time the surplus charge of the central electrode increases or decreases.
【０００４】このｉ−ｖカーブは、中央電極に加える電
圧の変化により、それぞれ異なるカーブが得られるの
で、一電子トンネリング現象は、新しいトランジスター
等として応用できることが期待されていた。しかしなが
ら、これまでの知見と技術によっては、たとえば図１に
例示した一電子トンネリング構造は、４Ｋ以下という極
低温下でなければ実現できないという欠点があった。こ
のため、新しいトランジスター等への応用を図るには、
実用上の大きな障害があった。Since different iv curves can be obtained by changing the voltage applied to the central electrode, it has been expected that the one-electron tunneling phenomenon can be applied as a new transistor or the like. However, there is a drawback in that the one-electron tunneling structure illustrated in FIG. 1, for example, can be realized only at an extremely low temperature of 4 K or less, depending on the knowledge and technology obtained so far. Therefore, in order to apply it to new transistors, etc.,
There was a big obstacle in practical use.
【０００５】そこで、この発明は、以上の通りの従来技
術の欠点を解消し、４Ｋ以下という極低温条件に制約さ
れることなく、室温もしくはその近傍の、より高温域に
おいて起こる一電子トンネリング現象を利用した全く新
しいトランジスターを提供することを目的としている。Therefore, the present invention solves the above-mentioned drawbacks of the prior art, and eliminates the one-electron tunneling phenomenon that occurs in a higher temperature region at or near room temperature without being restricted by a cryogenic condition of 4K or less. The purpose is to provide a completely new transistor that was used.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、基板上に配置された複数の電極
部の間に分子が介在配置されるとともに、少なくとも一
つの電極部には微細探針が対向され、室温もしくはその
近傍においても電極部に加える電圧の変化でトンネル電
流が制御されることを特徴とする一電子トランジスター
を提供する。すなわち、この発明は、さらにまた、この
発明は、分子として、室温近傍において転移配向する液
晶等の分子を配設することをその好ましい態様としても
いる。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has a structure in which molecules are arranged between a plurality of electrode portions arranged on a substrate and at least one electrode portion is Provided is a one-electron transistor in which microprobes are opposed to each other and a tunnel current is controlled by a change in a voltage applied to an electrode portion even at or near room temperature. That is, the present invention also has a preferable aspect that the present invention provides, as molecules, molecules such as liquid crystal molecules that undergo transition alignment near room temperature.
【０００７】[0007]
【作用】この発明のトランジスターとしての構造は、た
とえば図３で示すことができ、その回路図はたとえば図
４で例示することができる。これは一般的な電界効果的
トランジスター（ＦＥＴ）（図５）と同じように考える
ことができる。この構造によって、４Ｋ以下という従来
の極低温の条件に拘束されることなく、より高温度で
の、たとえば室温近傍での一電子トンネリングを利用し
たトランジスターを実現することが可能となる。The structure of the present invention as a transistor can be shown, for example, in FIG. 3, and its circuit diagram can be exemplified, for example, in FIG. This can be considered in the same way as a general field effect transistor (FET) (FIG. 5). With this structure, it is possible to realize a transistor utilizing one-electron tunneling at a higher temperature, for example, near room temperature, without being restricted by the conventional cryogenic condition of 4K or less.
【０００８】さらに詳しく説明すると、一電子トンネリ
ング（ＳＥＴ）が実現するかどうかは、静電エネルギー
（ｅ2 ／２Ｃ）と、熱エネルギー（ｋＴ）との大小関係
で決まるが、ここでｅは物理基礎定数であって、静電エ
ネルギーは中央電極の静電容量（Ｃ）で決定され、しか
もこの静電容量（Ｃ）は、中央電極の面積で決まること
から、中央電極構成物質をより静電容量の小さな物質に
することができれば、室温の熱エネルギーより大きな静
電エネルギーが形成されて一電子トンネリングが室温で
も生起することになる。More specifically, whether one-electron tunneling (SET) is realized depends on the magnitude relationship between electrostatic energy (e 2 / 2C) and thermal energy (kT), where e is a physical value. This is a basic constant, and electrostatic energy is determined by the capacitance (C) of the center electrode, and this capacitance (C) is determined by the area of the center electrode. If a substance having a small capacity can be obtained, electrostatic energy larger than thermal energy at room temperature is formed, and one-electron tunneling occurs even at room temperature.
【０００９】このため、この発明では、従来の金属粒子
に代えて、室温で一電子トンネリングを実現するための
物質分子を配置する。この分子は、一電子の投入によっ
て極めて大きな静電エネルギーを生じるものとして選択
することができる。その代表例としては、液晶分子を例
示することができる。もちろん、液晶分子に限定される
ことはなく、前記の通りの特性を備えた分子を選択使用
すればよい。Therefore, in the present invention, instead of the conventional metal particles, substance molecules for realizing one-electron tunneling at room temperature are arranged. This molecule can be selected as one that produces a very large electrostatic energy upon the injection of one electron. As a typical example thereof, liquid crystal molecules can be exemplified. Of course, it is not limited to liquid crystal molecules, and molecules having the above-mentioned characteristics may be selected and used.
【００１０】液晶分子の場合には、その配向構造の形成
によって、一電子トンネリングの制御に極めて有用な物
質となる。たとえば図３においては、外部電極が少くと
も５ｍｍ間隔で配置され、図４において有効なバイアス
電流が与えられることにより、室温近傍での一電子トン
ネリングを利用したトランジスターが実現される。In the case of liquid crystal molecules, the formation of their alignment structure makes them extremely useful substances for controlling one-electron tunneling. For example, in FIG. 3, the external electrodes are arranged at intervals of at least 5 mm, and by applying an effective bias current in FIG. 4, a transistor utilizing one-electron tunneling near room temperature is realized.
【００１１】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発
明のトランジスターについて説明する。Examples will be shown below to describe the transistor of the present invention in more detail.
【００１２】[0012]
【実施例】４′−ｎ−アルキル−４−シアノビフェニル
（ｍＣＢ）のアルキル鎖の長さの異なるそれぞれの液晶
化合物を配置分子として使用した。この分子化合物は、
室温近傍においてスメクチック液晶（ＬＣ）層を形成す
る。この液晶分子としての７ＣＢ（アルキル鎖の炭素数
ｍ＝７）をグラファイト表面に配設した。この場合、グ
ラファイトの最外表面は使用前に剥離処理し、新しい表
面を露出させた。EXAMPLE 4'-n-Alkyl-4-cyanobiphenyl (mCB) liquid crystal compounds having different alkyl chain lengths were used as arranging molecules. This molecular compound is
A smectic liquid crystal (LC) layer is formed near room temperature. 7CB (the number of carbon atoms in the alkyl chain m = 7) as the liquid crystal molecules was arranged on the graphite surface. In this case, the outermost surface of graphite was stripped before use to expose a new surface.
【００１３】ＳＴＭ短針としては、そのネマチック相転
移温度よりもわずかに低い温度にあるように、常温、常
圧の条件に維持し、ＳＴＭ像を観察し、かつ、ｉ−ｖカ
ーブを測定した。ｉ−ｖ特性は、−２００ｍＶ〜２００
ｍＶのバイアス電圧の範囲において測定した。ｍＣＢと
して、前記のものよりも炭素数の多い８ＣＢ、１０Ｃ
Ｂ、１２ＣＢを用いる場合には、２層構造が観察される
が、７ＣＢについては、異った構造がＳＴＭ像として観
察された。As the STM short needle, the STM image was observed and the iv curve was measured while maintaining the conditions of room temperature and normal pressure so that the temperature was slightly lower than the nematic phase transition temperature. The iv characteristics are -200 mV to 200
It was measured in the range of bias voltage of mV. As mCB, 8CB and 10C having more carbon atoms than the above
When B and 12CB were used, a two-layer structure was observed, but for 7CB, a different structure was observed as an STM image.
【００１４】図６は、７ＣＢの場合のｉ−ｖカーブを示
したものであり、多段ステップ状カーブが観測される。
また、基板を白金に代え、この白金結晶表面に液晶分子
を配設した。この場合には、より明瞭な階段ステップ状
のｉ−ｖカーブ特性が得られた。さらに、基板をＡｕ等
の金属に変更して同様のＳＴＭ観察及びｉ−ｖカーブの
測定を行なった。探針素材との各種組合せによって、そ
れらの結果には差異が見られたが、液晶分子を用いるこ
とによる有効性については上記と同様にして確認され
た。FIG. 6 shows an iv curve in the case of 7CB, and a multi-step curve is observed.
Further, the substrate was replaced with platinum, and liquid crystal molecules were arranged on the platinum crystal surface. In this case, a clearer step-step iv curve characteristic was obtained. Further, the substrate was changed to a metal such as Au and the same STM observation and iv curve measurement were performed. Although the results were different depending on various combinations with the probe material, the effectiveness of using liquid crystal molecules was confirmed in the same manner as above.
【００１５】次に、液晶分子（４′−ｎ−heptyl−４−
cyanobiphenyl ，７ＣＢ）と白金結晶を用いて、実際に
一電子トンネリングを利用したトランジスターを作成
し、その特性を調べた。図７は電流特性例を示したもの
である。まず、図３において白金結晶を石英基盤上にお
き、その結晶間の距離は、液晶分子と同様の大きさとし
た。図８は、この白金結晶の電子顕微鏡像図である。Next, liquid crystal molecules (4'-n-heptyl-4-
Cyanobiphenyl (7CB) and platinum crystal were used to make a transistor that actually used single-electron tunneling, and its characteristics were investigated. FIG. 7 shows an example of current characteristics. First, in FIG. 3, platinum crystals were placed on a quartz substrate, and the distance between the crystals was set to the same size as the liquid crystal molecules. FIG. 8 is an electron microscope image of this platinum crystal.
【００１６】次に液晶分子（７ＣＢ）を配置した。これ
らの液晶分子と白金結晶は、液晶分子の大きさと白金結
晶間の距離が同じなので、トンネルジャンクションアレ
イを形成することになる。この構成において、ＳＴＭ探
針の先端を液晶分子の上に固定し、外部電極を一つの白
金結晶に接続した。図４の回路図においてゲート電圧Ｖ
G の変化にともなうトンネル電流の変化をみると、図７
のｉ−ｖカーブに示したように、ゲート電圧ＶG ：０．
５Ｖ−０．５Ｖ（１Ｖ変化）でｉ−ｖカーブ上にステッ
プが２つ、ＶG ：０．５Ｖ−２Ｖ（２Ｖ変化）でステッ
プが５つそれぞれみられる。このステップの数は生起し
た一電子トンネリングの数に対応しているので、ＶG の
変化に伴う一電子トンネリング電流の変化が確認でき
る。つまり、ＶG によるトンネル電流の制御ができてい
ると考えられる。Next, liquid crystal molecules (7CB) were arranged. Since the liquid crystal molecules and the platinum crystal have the same size of the liquid crystal molecule and the distance between the platinum crystals, they form a tunnel junction array. In this configuration, the tip of the STM probe was fixed on the liquid crystal molecule, and the external electrode was connected to one platinum crystal. In the circuit diagram of FIG. 4, the gate voltage V
Looking at the change in tunnel current with changes in G , Fig. 7
, The gate voltage V G : 0.
There are two steps on the iv curve at 5V-0.5V (change of 1V) and five steps at V G : 0.5V-2V (change of 2V). Since the number of this step corresponds to the number of generated one-electron tunneling, the change of one-electron tunneling current with the change of V G can be confirmed. That is, it is considered that the tunnel current can be controlled by V G.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、室温またはその近傍の高温状態態における一電子
トンネリングを利用することによる全く新しいトランジ
スターが提供される。As described in detail above, the present invention provides a completely new transistor by utilizing the one-electron tunneling in a high temperature state at or near room temperature.
【図１】従来のトンネリング構造を示した模式図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional tunneling structure.
【図２】一電子トンネリング現象におけるｉ−ｖカーブ
を示した概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an iv curve in a one-electron tunneling phenomenon.
【図３】一電子トンネリングトランジスターの構造を示
した模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of a one-electron tunneling transistor.
【図４】一電子トンネリングトランジスターの電流特性
を得るための回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram for obtaining a current characteristic of a one-electron tunneling transistor.
【図５】一般的な従来のトランジスターの模式図であ
る。FIG. 5 is a schematic view of a general conventional transistor.
【図６】液晶分子７ＣＢの場合のｉ−ｖ特性図である。FIG. 6 is an iv characteristic diagram in the case of liquid crystal molecules 7CB.
【図７】一電子トンネリングトランジスターの電流特性
を示した図である。FIG. 7 is a diagram showing current characteristics of a one-electron tunneling transistor.
【図８】白金結晶の電子顕微鏡像を示した図面代用の写
真である。FIG. 8 is a drawing-substituting photograph showing an electron microscope image of platinum crystals.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/80 49/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 29/80 49/00
Claims (1)
分子が介在配置されるとともに、少なくも一つの電極部
には微細探針が対向され、室温もしくはその近傍におい
ても電極部に加える電圧の変化でトンネル電流が制御さ
れることを特徴とする一電子トランジスター。1. A molecule is interposed between a plurality of electrode portions arranged on a substrate, and a fine probe is opposed to at least one electrode portion, so that the electrode portion is kept at room temperature or in the vicinity thereof. A one-electron transistor characterized in that the tunnel current is controlled by changing the applied voltage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6125421A JP2812656B2 (en) | 1993-08-13 | 1994-06-07 | One-electron transistor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20161193 | 1993-08-13 | ||
| JP5-201611 | 1993-08-13 | ||
| JP6125421A JP2812656B2 (en) | 1993-08-13 | 1994-06-07 | One-electron transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106549A true JPH07106549A (en) | 1995-04-21 |
| JP2812656B2 JP2812656B2 (en) | 1998-10-22 |
Family
ID=26461864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6125421A Expired - Fee Related JP2812656B2 (en) | 1993-08-13 | 1994-06-07 | One-electron transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812656B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235196A (en) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Nec Corp | Sampling circuit using single electron charging effect |
| EP0750353A2 (en) * | 1995-06-23 | 1996-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Single electron tunnel device and method for fabricating the same |
| US6339227B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-01-15 | The Mitre Corporation | Monomolecular electronic device |
| US8278654B2 (en) | 2005-03-08 | 2012-10-02 | National Research Council Of Canada | Electrostatically regulated atomic scale electroconductivity device |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP6125421A patent/JP2812656B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235196A (en) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Nec Corp | Sampling circuit using single electron charging effect |
| EP0750353A2 (en) * | 1995-06-23 | 1996-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Single electron tunnel device and method for fabricating the same |
| EP0750353A3 (en) * | 1995-06-23 | 1997-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Single electron tunnel device and method for fabricating the same |
| US5731598A (en) * | 1995-06-23 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Single electron tunnel device and method for fabricating the same |
| US6339227B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-01-15 | The Mitre Corporation | Monomolecular electronic device |
| US8278654B2 (en) | 2005-03-08 | 2012-10-02 | National Research Council Of Canada | Electrostatically regulated atomic scale electroconductivity device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2812656B2 (en) | 1998-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6486489B2 (en) | Transistor | |
| Volk et al. | Domain-wall conduction in AFM-written domain patterns in ion-sliced LiNbO3 films | |
| Higuma et al. | “MFS FET”-A New Type of Nonvolatile Memory Switch Using PLZT Film | |
| US6548843B2 (en) | Ferroelectric storage read-write memory | |
| US5162819A (en) | Information processing apparatus, information processing method, and recording medium employed therefor | |
| JP2812656B2 (en) | One-electron transistor | |
| JP2816549B2 (en) | Electro-optical device | |
| US5152805A (en) | M-I-M' device and fabrication method | |
| Zhang et al. | Fast operations of nonvolatile ferroelectric domain wall memory with inhibited space charge injection | |
| Yuki et al. | A full-color LCD addressed by poly-Si TFTs fabricated below 450 degrees C | |
| JP2817082B2 (en) | High temperature single electron tunneling structure | |
| JP4673135B2 (en) | Method for forming organic semiconductor layer | |
| Choi et al. | Nonvolatile memory device based on the switching by the all-organic charge transfer complex | |
| US5057878A (en) | M-I-M' device and fabrication method | |
| WO2020235591A1 (en) | Variable resistance device and method for producing same | |
| US4535349A (en) | Non-volatile memory cell using a crystalline storage element with capacitively coupled sensing | |
| Bera et al. | Resistive-switching and memory in halide perovskite nanoparticles through a corona-poling approach: Necessity of type-I core–shell structures | |
| JPH0845122A (en) | Recording medium and recording method | |
| JP2003218360A (en) | Molecular film dielectric device | |
| JP2759154B2 (en) | Thin film memory device | |
| JPH06291312A (en) | Field-effect transistor and liquid crystal display device using same | |
| TW548490B (en) | Improvements in liquid crystal displays | |
| Iida et al. | Thin Ag film formation onto Si/SiO2 substrate | |
| JPH05210092A (en) | Liquid crystal display device | |
| Webb et al. | Polarizability of a Bias–Temperature Drifted Species in Thin Film Transistor Structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |