JPH07105724A - High polymer conductive resistor and its manufacture - Google Patents

High polymer conductive resistor and its manufacture

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JPH07105724A
JPH07105724A JP5272971A JP27297193A JPH07105724A JP H07105724 A JPH07105724 A JP H07105724A JP 5272971 A JP5272971 A JP 5272971A JP 27297193 A JP27297193 A JP 27297193A JP H07105724 A JPH07105724 A JP H07105724A
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organic
oxide
iridium
polymer
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Katsuhiro Sato
克洋 佐藤
Yoshiyuki Ono
好之 小野
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Abstract

PURPOSE:To provide the high polymer conductive resistor which has conductive particles uniformly distributed while being stable in electrical characteristics and high in heat resistance. CONSTITUTION:The high polymer conductive resistor includes at least one kind of metallic oxide to be selected out of irdium oxide, luthenium oxide, and rhrodium oxide in its heat resistant high polymer. The high polymer conductive resistor furthermore may include at least one kind of an element selected out of silicone, bismuth, lead, aluminum, zilconium, calcium, tin, boron, titanium and barium to adjust its resistance value. The high polymer conductive resistor can be used for an electromgnetic shielding member, a switch, a connector contact, a keyboard for an electronic calculator and the like, a resistor, antistatic agent, exothermic body and the like.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス用の導電
体、抵抗体等として使用する高分子導電・抵抗体、すな
わち電磁波シールド材、スイッチ、コネクター接点、電
卓用等のキーボード、抵抗、帯電防止材等、また発熱体
等に用いる高分子導電・抵抗体、およびその製造方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to polymer conductive / resistors used as conductors and resistors for electronic devices, that is, electromagnetic wave shielding materials, switches, connector contacts, keyboards for calculators, resistors, charging. The present invention relates to a polymer conductive / resistor used as a preventive material, a heating element, and the like, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】導電性高分子は、高分子自身が導電性を
有するもの、また導電粉を樹脂に分散したもの等が知ら
れている(「高分子への新しい導電性付与技術 その新
用途開発・実用化の実際」第193頁、中部経営開発セ
ンター出版部(昭和58年)、「構造・プロセシング評
価 最新複合材料・技術総覧」第426頁、(株)産業
技術サービスセンター(1990年)および特開平2−
187423号公報)。高分子自身が導電性を有するも
のとしては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオ
フェン等があるが、加工性に問題があり、一部実用化さ
れているのみである。導電粉分散樹脂は、主として成型
用熱可塑性樹脂に、導電性材料として金属粉(ステンレ
ス、アルミニウム、銅等)、金属繊維、カーボンブラッ
ク、炭素繊維等を分散したものであり、カーボンブラッ
クが主として用いられている。樹脂としては、ポリエチ
レン、塩化ビニル、ポリプロピレン、ABS樹脂、ポリ
アミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が使用されて
いる。これら導電粉分散樹脂は、樹脂とミリ〜ミクロン
サイズの導電粉を熱溶融混練する方法、溶媒に樹脂を溶
解した溶液に導電粉を分散し、塗布等により成型する方
法等が一般的である(「高分子への新しい導電性付与技
術 その新用途開発・実用化の実際」第193頁、中部
経営開発センター出版部(昭和58年)、「構造・プロ
セシング評価最新複合材料・技術総覧」第426頁、
(株)産業技術サービスセンター(1990年)、特開
昭49−91594号公報、同51−10619号公
報、同54−143462号公報および特開平3−31
347号公報)。しかしながら、この場合、導電粉を均
一に分散することが難しく、加工条件により特性が大き
く変動しやすい。また、分散する粒子径が大きいものを
多量に混合するため、透明性が悪く、機械的物性が低下
するという欠点があった。
2. Description of the Related Art Conductive polymers are known such that the polymer itself has conductivity, and that in which conductive powder is dispersed in a resin ("Technology for imparting new conductivity to polymers. Practical Development and Practical Use "p. 193, Chubu Business Development Center Publishing Department (1983)," Structure / Processing Evaluation Latest Composite Materials / Technology Guide "p. 426, Industrial Technology Service Center Co., Ltd. (1990) And JP-A-2-
187423). As the polymer itself having conductivity, there are polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, and the like, but there is a problem in processability and only some of them have been put into practical use. The conductive powder-dispersed resin is mainly a molding thermoplastic resin in which metal powder (stainless steel, aluminum, copper, etc.), metal fibers, carbon black, carbon fibers, etc. are dispersed as a conductive material, and carbon black is mainly used. Has been. As the resin, polyethylene, vinyl chloride, polypropylene, ABS resin, polyamide, epoxy resin, phenol resin or the like is used. These conductive powder-dispersed resins generally include a method of melt-kneading a resin and a conductive powder of millimeter to micron size, a method of dispersing the conductive powder in a solution of the resin in a solvent, and molding by coating or the like ( "Technology for imparting new conductivity to macromolecules, its practical application development and practical application", page 193, Chubu Business Development Center Publishing Department (1983), "Structure / Processing Evaluation Latest Composite Materials / Technology Overview", No. 426 page,
Industrial Technology Service Center Co., Ltd. (1990), JP-A-49-91594, JP-A-51-10619, JP-A-54-143462 and JP-A-3-31.
347 publication). However, in this case, it is difficult to uniformly disperse the conductive powder, and the characteristics are likely to vary greatly depending on the processing conditions. Further, since a large amount of dispersed particles having a large particle size are mixed, there is a defect that transparency is poor and mechanical properties are deteriorated.

【0003】一方、ポリアミック酸溶液に周期律表第1
族金属(ナトリウム、リチウム、カリウム、銀)の塩
(米国特許第3,073,784号明細書)、または銅
等の金属塩(米国特許第3,073,785号明細書)
を溶解させ、ポリアミック酸金属塩とした後、塗布、熱
処理して、金属粒子分散ポリイミドを作製する方法が公
知であるが、フリーの金属の場合、酸化等により特性が
変化するという問題があり、また酸化されやすい金属の
場合、真空中または窒素雰囲気下で作製する必要がある
等、作製条件が面倒であるという問題があった。
On the other hand, in the polyamic acid solution,
Salts of group metals (sodium, lithium, potassium, silver) (US Pat. No. 3,073,784) or metal salts of copper and the like (US Pat. No. 3,073,785)
It is known that a solution of a polyamic acid metal salt is dissolved, and then applied and heat-treated to prepare a metal particle-dispersed polyimide.However, in the case of a free metal, there is a problem that the characteristics are changed by oxidation or the like. Further, in the case of a metal that is easily oxidized, there is a problem in that the manufacturing conditions are troublesome, for example, it is necessary to manufacture in a vacuum or in a nitrogen atmosphere.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
性粒子を均一に分散した安定な電気的特性を有し、耐熱
性の高い高分子導電・抵抗体を提供することにあり、ま
た、そのような高分子導電・抵抗体を簡便な方法で作製
する技術を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a polymer conductive / resistor in which conductive particles are uniformly dispersed and which has stable electric characteristics and high heat resistance. , And to provide a technique for producing such a polymer conductive / resistor by a simple method.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明者等は、耐熱性高分子または熱硬化型耐熱性
高分子化合物前駆体溶液に有機金属化合物を溶解し、塗
布、乾燥後、加熱して有機金属化合物を熱分解させ、ま
た熱硬化型耐熱性高分子化合物前駆体を用いた場合はそ
の硬化反応を共に起こすとともに、金属酸化物の微粒子
を析出させる方法について検討した。そして、この方法
に関して、種々の高分子、また有機金属化合物を用い検
討した結果、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化物、ロ
ジウム酸化物の少なくとも1種を含有する耐熱性高分子
において、前記の課題を解決できることを見いだし、本
発明を完成するに至った。
In order to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention have dissolved an organometallic compound in a heat-resistant polymer or thermosetting heat-resistant polymer compound precursor solution, and after coating and drying. A method for precipitating fine particles of a metal oxide while heating the organic metal compound to be thermally decomposed and causing a curing reaction when the thermosetting heat-resistant polymer compound precursor was used was examined. Then, as a result of investigating various polymers and organometallic compounds with respect to this method, the above-mentioned problems were solved in a heat-resistant polymer containing at least one kind of iridium oxide, ruthenium oxide and rhodium oxide. They have found what they can do and have completed the present invention.

【0006】本発明の第1の高分子導電・抵抗体は、耐
熱性高分子化合物中に、イリジウム酸化物、ルテニウム
酸化物、ロジウムの酸化物から選ばれる少なくとも1種
の金属酸化物を含有することを特徴とする。また、本発
明の第2の高分子導電・抵抗体は、耐熱性高分子化合物
中に、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化物およびロジ
ウム酸化物から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物
と、シリコン、ビスマス、鉛、アルミニウム、ジルコニ
ウム、カルシウム、錫、ホウ素、チタンおよびバリウム
から選ばれた少なくとも1種の元素とを含有することを
特徴とする。本発明において、耐熱性高分子化合物とし
ては、下記の構造式(1)で示される繰り返し構造単位
よりなる高分子化合物を用ることが好ましい。
The first polymer conductive / resistor of the present invention contains at least one metal oxide selected from iridium oxide, ruthenium oxide and rhodium oxide in a heat resistant polymer compound. It is characterized by Further, the second polymer conductive / resistor of the present invention comprises a heat-resistant polymer compound, and at least one metal oxide selected from iridium oxide, ruthenium oxide and rhodium oxide, and silicon or bismuth. And at least one element selected from lead, aluminum, zirconium, calcium, tin, boron, titanium, and barium. In the present invention, it is preferable to use, as the heat-resistant polymer compound, a polymer compound having a repeating structural unit represented by the following structural formula (1).

【化5】 (式中Xは炭素数2以上の4価の有機基を表わし、Yは
炭素数2以上の2価の有機基を表わす。)
[Chemical 5] (In the formula, X represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, and Y represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms.)

【0007】本発明の第1の高分子導電・抵抗体には、
耐熱性高分子またはその耐熱性高分子前駆体と、有機イ
リジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム
化合物の少なくとも1種を含有する溶液を、被塗布基体
に塗布した後、加熱処理することによって製造すること
ができる。また、本発明の第2の高分子導電・抵抗体
は、耐熱性高分子またはその耐熱性高分子前駆体と、有
機イリジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジ
ウム化合物の少なくとも1種、およびシリコン、ビスマ
ス、鉛、アルミニウム、ジルコニウム、カルシウム、
錫、ホウ素、チタンおよびバリウムから選ばれた少なく
とも1種の元素を含む化合物を含有する溶液を、被塗布
基体に塗布した後、加熱処理することによって製造する
ことができる。この場合、耐熱性高分子前駆体として、
下記式構造式(2)で示される繰り返し構造単位よりな
るポリアミック酸を使用するのが好ましい。
The first polymer conductive / resistor of the present invention comprises:
Produced by applying a solution containing a heat-resistant polymer or its heat-resistant polymer precursor and at least one of an organic iridium compound, an organic ruthenium compound, and an organic rhodium compound to a substrate to be coated and then heat-treating it. be able to. The second polymer conductive / resistor of the present invention is a heat-resistant polymer or a heat-resistant polymer precursor thereof, and at least one of an organic iridium compound, an organic ruthenium compound and an organic rhodium compound, and silicon and bismuth. , Lead, aluminum, zirconium, calcium,
It can be produced by applying a solution containing a compound containing at least one element selected from tin, boron, titanium and barium to a substrate to be coated and then heat-treating it. In this case, as the heat resistant polymer precursor,
It is preferable to use a polyamic acid having a repeating structural unit represented by the following structural formula (2).

【化6】 [Chemical 6]

【0008】本発明の上記方法によれば、導電性粒子の
原料である有機金属化合物が溶解している耐熱性高分子
または耐熱性高分子前駆体を熱処理するため、数nm〜
数百nmの導電性微粒子が均一に分散した高分子/金属
酸化物複合体を得ることができ、また生成するイリジウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物は安定で
あり、酸化等による特性の劣化/変化が認められないと
いう優れた効果を奏する。
According to the above method of the present invention, the heat-resistant polymer or the heat-resistant polymer precursor in which the organometallic compound, which is the raw material of the conductive particles, is dissolved is heat-treated, so that
It is possible to obtain a polymer / metal oxide composite in which conductive particles of several hundreds nm are uniformly dispersed, and the iridium oxide, ruthenium oxide, and rhodium oxide that are formed are stable and have characteristics due to oxidation and the like. It has an excellent effect that no deterioration / change is observed.

【0009】以下に、本発明について、詳細な作製条
件、化合物例等について説明する。本法の製造工程は次
の4工程に大別できる。すなわち、塗布溶液調製工程、
塗布工程、乾燥工程、熱処理工程である。塗布溶液調製
工程では、下記のような耐熱性高分子を溶媒に溶解さ
せ、または熱硬化型耐熱性高分子前駆体の溶液を作製
し、この溶液に直接有機金属化合物を加えるか、別に調
製した有機金属化合物溶液を加え、均一になるように十
分撹拌する。この際、粘度調整剤やレベリング剤等の添
加物を加えてもよい。また、最終の溶液をフィルターを
用いてろ過してもよい。この溶液の濃度は、次工程の塗
布工程で用いる塗布方法、また最終的に必要な複合膜の
膜厚によって適宜調製する。用いる溶媒は、耐熱性高分
子、熱硬化型耐熱性高分子前駆体等のような使用する原
料を溶解するものであればよく、例えばジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホアミド、m
−クレゾール、p−クロルフェノール、ジメチルイミダ
ゾリドン、テトラメチル尿素、ジグライム、トリグライ
ム、テトラグライム、塩化メチレン、クロロホルム、ト
ルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、酢
酸エチル、ターピネオール、スルホランなどが用いられ
る。
The detailed production conditions, compound examples, etc. of the present invention will be described below. The manufacturing process of this method can be roughly divided into the following four processes. That is, the coating solution preparation step,
These are a coating process, a drying process, and a heat treatment process. In the coating solution preparation step, the following heat-resistant polymer was dissolved in a solvent or a solution of a thermosetting heat-resistant polymer precursor was prepared, and an organometallic compound was directly added to this solution or prepared separately. Add the organometallic compound solution and stir it sufficiently to make it uniform. At this time, additives such as a viscosity modifier and a leveling agent may be added. Also, the final solution may be filtered using a filter. The concentration of this solution is appropriately adjusted depending on the coating method used in the coating step in the next step and the finally required film thickness of the composite film. The solvent used may be one that dissolves the raw materials used such as heat resistant polymers and thermosetting heat resistant polymer precursors. For example, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, dimethyl. Sulfamide, m
-Cresol, p-chlorophenol, dimethylimidazolidone, tetramethylurea, diglyme, triglyme, tetraglyme, methylene chloride, chloroform, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, terpineol, sulfolane and the like are used.

【0010】またここで用いられる耐熱性高分子化合物
は、溶媒可溶であり、有機金属化合物の熱分解温度で分
解しないものであればよく、特に限定されるものではな
いが、例えばポリカーボネート、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド等
があげられる。また、熱硬化型耐熱制高分子としては、
エポキシ樹脂等の熱架橋樹脂やポリイミド等が用いられ
るが、本工程ではその前駆体の形で用いる。これら高分
子は次工程の乾燥工程後有機金属化合物が極力析出しな
いよう、有機金属化合物との相溶性が良いものが好まし
い。この点また、耐熱性の点から、これら高分子の中で
は、特にポリイミドが好ましい。ポリイミドは前記一般
式(1)で表わされる繰り返し構造単位よりなるものが
使用されるが、これはその前駆体である一般式(2)で
示される繰り返し構造単位よりなるポリアミック酸から
形成される。
The heat-resistant polymer compound used herein is not particularly limited as long as it is solvent-soluble and does not decompose at the thermal decomposition temperature of the organometallic compound, and examples thereof include polycarbonate and poly. Examples thereof include ether sulfone, polyarylate, polyamide and polyamideimide. Further, as the thermosetting heat resistant polymer,
A heat-crosslinking resin such as an epoxy resin or polyimide is used, but in this step, it is used in the form of its precursor. It is preferable that these polymers have good compatibility with the organometallic compound so that the organometallic compound is not precipitated as much as possible after the drying step of the next step. In this respect, and from the viewpoint of heat resistance, polyimide is particularly preferable among these polymers. As the polyimide, one having a repeating structural unit represented by the above-mentioned general formula (1) is used, which is formed from a polyamic acid which is a precursor thereof and having the repeating structural unit represented by the general formula (2).

【0011】なお、式中、Xは炭素数2以上の4価の有
機基を表わし、Yは炭素数2以上の2価の有機基を表わ
すが、具体的には、Xとしては、アルキルまたはフロロ
アルキルによって置換されていてもよい4価のベンゼン
環、または直接結合、−O−、−CO−、−SO2 −、
−C(CH3 2 −、−C(CF3 2 −または−(C
2 n −(k=1〜6)によって結合した2つのベン
ゼン環よりなる4価の基があげられる。また、Yとして
はアルキル、フロロアルキル、アルコキシ、またはハロ
ゲン原子によって置換されていてもよいフェニレン基、
直接結合、−O−、−S−、−SO2 −、−CH2 −、
−C(CH3 2 −および−C(CF32 −より選択
された1以上によって連結された2〜4個のベンゼン環
よりなる2価の基、または、オルガノポリシロキサンに
よって連結された脂肪族基よりなる2価の基があげられ
る。
In the formula, X represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, and Y represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms. Specifically, X is alkyl or benzene ring may tetravalent be substituted by fluoroalkyl or a direct bond,, -O -, - CO - , - SO 2 -,
-C (CH 3) 2 -, - C (CF 3) 2 - or - (C
An example is a tetravalent group consisting of two benzene rings bound by F 2 ) n- (k = 1 to 6). Further, Y is alkyl, fluoroalkyl, alkoxy, or a phenylene group optionally substituted by a halogen atom,
A direct bond, -O -, - S -, - SO 2 -, - CH 2 -,
A divalent group consisting of 2 to 4 benzene rings linked by one or more selected from —C (CH 3 ) 2 — and —C (CF 3 ) 2 — or linked by an organopolysiloxane An example of the divalent group is an aliphatic group.

【0012】本発明において、一般式(1)および
(2)における、基Xおよび基Yに付いて具体例を示す
と、基Xとしては下記に記載の構造式で示される有機基
を例示することができる。
In the present invention, specific examples of the groups X and Y in the general formulas (1) and (2) are shown below. As the group X, organic groups represented by the structural formulas shown below are exemplified. be able to.

【化7】 (式中、kは1〜6の整数を表わす。)[Chemical 7] (In the formula, k represents an integer of 1 to 6.)

【0013】また、Yとしては、下記に記載の構造式で
示される有機基を例示することができる。
Examples of Y include organic groups represented by the structural formulas shown below.

【化8】 [Chemical 8]

【0014】[0014]

【化9】 (式中、mは1〜1000の整数を表わす。)[Chemical 9] (In the formula, m represents an integer of 1 to 1000.)

【0015】ここに例示したポリアミック酸化合物は、
J. Appl. Polym.Sci.,30, 2
883(1985)等で知られているような方法で、一
般式(6)で示される基Xを中心構造とするテトラカル
ボン酸二無水物と一般式(7)で示される基Yを中心構
造とするジアミンから合成することができる。さらにこ
れらのポリアミック酸化合物を加熱すると、下記に示す
反応が起きてポリイミドとなる。その反応式を以下に示
す。
The polyamic acid compounds exemplified here are:
J. Appl. Polym. Sci. , 30, 2
883 (1985) and the like, a tetracarboxylic dianhydride having a group X represented by the general formula (6) as a central structure and a group Y represented by the general formula (7) as a central structure. Can be synthesized from the diamine. When these polyamic acid compounds are further heated, the following reactions occur to form polyimide. The reaction formula is shown below.

【0016】[0016]

【化10】 [Chemical 10]

【0017】本発明において、塗布溶液の調製では、溶
媒中で一般式(6)で示される化合物と一般式(7)で
示される化合物を反応させて、ポリアミック酸溶液を得
る。ここでポリアミック酸の重合度は、高分子複合体の
強度の関係から、ジメチルアセトアミド等中30℃での
固有粘度[η]が0.1〜6dl/gの範囲にあること
が好ましい。ここでいう固有粘度は、種々ポリマー濃度
における相対粘度の測定値から計算した、各濃度での対
数粘度または還元比粘度を、濃度0に補外することによ
り求められる値である。上記の値以下の固有粘度のもの
では、得られる膜がもろくなる。
In the present invention, in the preparation of the coating solution, the compound represented by the general formula (6) is reacted with the compound represented by the general formula (7) in a solvent to obtain a polyamic acid solution. The degree of polymerization of the polyamic acid is preferably such that the intrinsic viscosity [η] at 30 ° C. in dimethylacetamide or the like is in the range of 0.1 to 6 dl / g in view of the strength of the polymer composite. The intrinsic viscosity referred to here is a value obtained by extrapolating the logarithmic viscosity or reduced specific viscosity at each concentration to zero, which is calculated from the measured value of the relative viscosity at various polymer concentrations. When the intrinsic viscosity is less than the above value, the obtained film becomes brittle.

【0018】本発明において、金属酸化物形成のために
用いられる金属成分は、その酸化物が安定に存在し、か
つ高い導電性を有することが必要であり、この要請を満
たすものとして、ルテニウム、イリジウム、ロジウムが
採用される。即ち、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、
酸化ロジウムは、外部環境の影響を受けにくく安定であ
り、高い導電性を有している。また、それぞれの導電率
は1ケタ程度づつ異なっており、使い分けることによっ
て所望の導電性を有する高分子複合体を得ることができ
る。本発明においては、これらの金属成分を混合するこ
とによって導電性の調整を行ってもよい。塗布溶液調製
工程で用いる、それぞれの金属酸化物のための原料であ
る有機ルテニウム化合物、有機イリジウム化合物、有機
ロジウム化合物は、カルボン酸塩、アセチルアセトナー
ト、アルコキシド、市販の金属レジネート等の形で用い
られるが、使用する溶媒に可溶、または、高分子、高分
子前駆体との相互作用により可溶となればよく、特に限
定されるものではない。しかしながら、特に下記一般式
(3)〜(5)で示される化合物が好ましい。 M(R1 COO)3 (3) M(R2 COCR4 COR3 3 (4)
In the present invention, the metal component used for forming the metal oxide is required to have a stable oxide and high conductivity, and ruthenium, Iridium and rhodium are used. That is, ruthenium oxide, iridium oxide,
Rhodium oxide is not easily affected by the external environment, is stable, and has high conductivity. Further, the respective conductivity is different by about one digit, and a polymer composite having a desired conductivity can be obtained by properly using them. In the present invention, the conductivity may be adjusted by mixing these metal components. The organic ruthenium compound, the organic iridium compound, and the organic rhodium compound, which are the raw materials for the respective metal oxides used in the coating solution preparation step, are used in the form of carboxylates, acetylacetonates, alkoxides, commercially available metal resinates, etc. However, it is not particularly limited as long as it is soluble in the solvent used or is soluble by interaction with the polymer or polymer precursor. However, the compounds represented by the following general formulas (3) to (5) are particularly preferable. M (R 1 COO) 3 (3) M (R 2 COCR 4 COR 3 ) 3 (4)

【化11】 (式中、Mはイリジウム、ルテニウムまたはロジウムを
表し、R1 、R2 およびR3 は、それぞれアルキル基ま
たはアリール基を表し、R4 は水素原子、アルキール基
を表し、R5 は水素原子、アルキル基またはアルコキシ
基を表す。)
[Chemical 11] (In the formula, M represents iridium, ruthenium or rhodium, R 1 , R 2 and R 3 each represent an alkyl group or an aryl group, R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group, R 5 represents a hydrogen atom, Represents an alkyl group or an alkoxy group.)

【0019】具体的には下記のような化合物があげられ
るが、これらに特に限定されるものではない(下記具体
例中の金属:Mは、ルテニウム、イリジウム、ロジウム
のいずれかを表す)。一般式(3)で示される化合物の
具体例としては、下記のような化合物があげられる。 金属プロピオネート:M(C2 5 COO)3 金属n−ブチレート:M(C3 7 COO)3 金属2−メチルプロピオネート:M[(CH3 2 CH
COO)]3 金属n−ペンタネート:M(C4 9 COO)3 金属2−メチルブチレート:M[C2 5 (CH3 )C
HCOO)]3 金属3−メチルブチレート:M[(CH3 2 CHCH
2 COO)]3 金属ピバレート:M[(CH3 3 CCOO)]3 金属n−ヘキサネート:M(C5 11COO)3 金属n−オクタネート:M(C7 15COO)3 金属2−エチルヘキサネート:M[C4 9 CH(C2
5 )COO)]3 金属n−デカネート:M(C9 19COO)3 金属n−ドデカネート:M(C1123COO)3 金属n−テトラデカネート:M(C1327COO)3 金属n−ヘキサデカネート:M(C1531COO)3 金属n−オクタデカネート:M(C1735COO)3 金属オレエート:M(C8 17CH=CHC7 14CO
O)3
Specific examples include the following compounds, but the compounds are not particularly limited to these (the metal M in the specific examples below represents ruthenium, iridium or rhodium). Specific examples of the compound represented by the general formula (3) include the following compounds. Metal propionate: M (C 2 H 5 COO ) 3 Metal n- butyrate: M (C 3 H 7 COO ) 3 metal 2-methylpropionate: M [(CH 3) 2 CH
COO)] 3 metal n-pentanate: M (C 4 H 9 COO) 3 metal 2-methylbutyrate: M [C 2 H 5 (CH 3 ) C
HCOO)] 3 metal 3-methyl butyrate: M [(CH 3) 2 CHCH
2 COO)] 3 metal pivalate: M [(CH 3 ) 3 CCOO)] 3 metal n-hexanate: M (C 5 H 11 COO) 3 metal n-octanoate: M (C 7 H 15 COO) 3 metal 2- Ethyl hexanate: M [C 4 H 9 CH (C 2
H 5 ) COO)] 3 metal n-decanoate: M (C 9 H 19 COO) 3 metal n-dodecanoate: M (C 11 H 23 COO) 3 metal n-tetradecanoate: M (C 13 H 27 COO) 3 metal n- hexadecanol sulfonate: M (C 15 H 31 COO ) 3 metal n- octadecanol sulfonate: M (C 17 H 35 COO ) 3 metal oleate: M (C 8 H 17 CH = CHC 7 H 14 CO
O) 3

【0020】また、一般式(4)で示される化合物の具
体例としては、下記のような化合物があげられる。 金属2,4−ペンタンジオネート:M(CH3 COCH
COCH3 3 金属3,5−ヘプタンジオネート:M(C2 5 COC
HCOC2 5 3 金属4,6−ノナンジオネート:M(C3 7 COCH
COC3 7 3 金属2,6−ジメチル−3,5−ヘプタンジオネート:
M[(CH3 2 CHCOCHCOCH(CH3 2
3 金属5,7−ウンデカンジオネート:M(C4 9 CO
CHCOC4 9 3 金属3,7−ジメチル−4,6−ノナンジオネート:M
[C2 5 CH(CH3 )COCHCOCH(CH3
2 5 3 金属2,8−ジメチル−4,6−ノナンジオネート:M
[(CH3 2 CHCH2 COCHCOCH2 CH(C
3 2 3 金属2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタン
ジオネート:M[(CH3 3 CCOCHCOC(CH
3 3 3 金属3−メチル−2, 4−ペンタンジオネート:M
(CH3 COCCH3 COCH3 3 金属4−メチル−3,5−ヘプタンジオネート:M(C
2 5 COCCH3 COC2 5 3 金属5−メチル4,6−ノナンジオネート:M(C3
7 COCCH3 COC3 7 3 金属2,4,6−トリメチル−3,5−ヘプタンジオネ
ート:M[(CH3 2 CHCOCCH3 COCH(C
3 2 3 金属6−メチル5,7−ウンデカンジオネート:M(C
4 9 COCCH3 COC4 9 3 金属3,5,7−トリメチル−4,6−ノナンジオネー
ト:M[C2 5 CH(CH3 )COCCH3 COCH
(CH3 )C2 5 3 金属2,5,8−トリメチル−4,6−ノナンジオネー
ト:M[(CH3 2 CHCH2 COCCH3 COCH
2 CH(CH3 2 3 金属2,2,4,6,6−ペンタメチル−3,5−ヘプ
タンジオネート:M[(CH3 3 CCOCCH3 CO
C(CH3 3 3
Specific examples of the compound represented by the general formula (4) include the following compounds. Metal 2,4-pentanedionate: M (CH 3 COCH
COCH 3 ) 3 metal 3,5-heptanedionate: M (C 2 H 5 COC
HCOC 2 H 5) 3 Metal 4,6 Nonanjioneto: M (C 3 H 7 COCH
COC 3 H 7) 3 metal 2,6-dimethyl-3,5-heptanedionate:
M [(CH 3 ) 2 CHCOCHCOCH (CH 3 ) 2 ]
3 Metal 5,7-undecandionate: M (C 4 H 9 CO
CHCOC 4 H 9 ) 3 metal 3,7-dimethyl-4,6-nonanedionate: M
[C 2 H 5 CH (CH 3) COCHCOCH (CH 3)
C 2 H 5] 3 metal 2,8-dimethyl-4,6-Nonanjioneto: M
[(CH 3 ) 2 CHCH 2 COCHCOCH 2 CH (C
H 3) 2] 3 metal 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate: M [(CH 3) 3 CCOCHCOC (CH
3 ) 3 ] 3 Metal 3-methyl-2,4-pentanedionate: M
(CH 3 COCCH 3 COCH 3) 3 metal 4-methyl-3,5-heptanedionate: M (C
2 H 5 COCCH 3 COC 2 H 5 ) 3 metal 5-methyl 4,6-nonanedionate: M (C 3 H
7 COCCH 3 COC 3 H 7 ) 3 Metal 2,4,6-trimethyl-3,5-heptanedionate: M [(CH 3 ) 2 CHCOCCH 3 COCH (C
H 3) 2] 3 metal 6-methyl 5,7-undecane dionate: M (C
4 H 9 COCCH 3 COC 4 H 9 ) 3 Metal 3,5,7-trimethyl-4,6-nonanedionate: M [C 2 H 5 CH (CH 3 ) COCCH 3 COCH
(CH 3) C 2 H 5 ] 3 metal 2,5,8-trimethyl-4,6-Nonanjioneto: M [(CH 3) 2 CHCH 2 COCCH 3 COCH
2 CH (CH 3) 2] 3 metal 2,2,4,6,6-pentamethyl-3,5-heptanedionate: M [(CH 3) 3 CCOCCH 3 CO
C (CH 3 ) 3 ] 3

【0021】また、一般式(5)で示される化合物の具
体例としては、下記のような化合物があげられる。式
(8)で示される金属トリス(N−ベンジリデンアント
ラニレート)、式(9)で示される金属トリス[N−
(p−メチルベンジリデン)アントラニレート]、式
(10)で示される金属トリス[N−(p−エチルベン
ジリデン)アントラニレート]、式(11)で示される
金属トリス[N−(p−プロピルベンジリデン)アント
ラニレート]、式(12)で示される金属トリス[N−
(p−メトキシベンジリデン)アントラニレート]、式
(13)で示される金属トリス[N−(p−エトキシベ
ンジリデン)アントラニレート]、式(14)で示され
る金属トリス[N−(m−メチルベンジリデン)アント
ラニレート]、式(15)で示される金属トリス[N−
(o−メチルベンジリデン)アントラニレート]であ
る。
Specific examples of the compound represented by the general formula (5) include the following compounds. The metal tris (N-benzylidene anthranilate) represented by the formula (8) and the metal tris [N- represented by the formula (9).
(P-Methylbenzylidene) anthranilate], the metal tris [N- (p-ethylbenzylidene) anthranilate] represented by the formula (10), and the metal tris [N- (p-propyl) represented by the formula (11). Benzylidene) anthranilate], a metal tris [N-
(P-Methoxybenzylidene) anthranilate], the metal tris [N- (p-ethoxybenzylidene) anthranilate] represented by the formula (13), and the metal tris [N- (m-methyl) represented by the formula (14). Benzylidene) anthranilate], a metal tris represented by the formula (15) [N-
(O-Methylbenzylidene) anthranilate].

【0022】[0022]

【化12】 [Chemical 12]

【0023】本発明においては、抵抗値を調整するため
に、添加元素として、シリコン、ビスマス、鉛、アルミ
ニウム、ジルコニウム、カルシウム、錫、ホウ素、チタ
ンおよびバリウムから選ばれた少なくとも1種の元素を
含有させてもよい。その場合、これら添加元素を含有す
る化合物を前記有機金属化合物と混合して用いるが、添
加物元素を含有する化合物は、使用する溶媒に可溶、ま
たは高分子、高分子前駆体との相互作用により可溶とな
ればよく、特に限定されるものではない。具体的には、
例えば、次のような化合物、または市販の金属レジネー
ト等があげられる。 Si ポリ(ジトリルシロキサン)、テトラエトキシ
シラン Bi 2−エチルヘキサン酸ビスマス Pb 2−エチルヘキサン酸鉛 Al ラウリン酸アルミニウム Zr 2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウム Ca 2−エチルヘキサン酸カルシウム Sn 2−エチルヘキサン酸錫 B 2−エチルヘキサン酸ホウ素 Ti テトライソプロポキシチタン Ba 2−エチルヘキサン酸バリウム
In the present invention, at least one element selected from silicon, bismuth, lead, aluminum, zirconium, calcium, tin, boron, titanium and barium is contained as an additive element in order to adjust the resistance value. You may let me. In that case, a compound containing these additive elements is used as a mixture with the organometallic compound, but the compound containing additive elements is soluble in the solvent used, or interacts with the polymer or polymer precursor. As long as it is soluble, it is not particularly limited. In particular,
For example, the following compounds, commercially available metal resinates, etc. may be mentioned. Si poly (ditolyl siloxane), tetraethoxysilane Bi 2-Bismuth 2-ethylhexanoate Pb 2-Lead 2-ethylhexanoate Al Aluminum laurate Zr 2-Ethylhexanoate oxide Zirconium oxide Ca 2-Ethylhexanoate Sn 2-Ethylhexanoic acid Tin B Boron 2-ethylhexanoate Ti Tetraisopropoxy titanium Ba 2-Barium 2-ethylhexanoate

【0024】これらの添加元素の添加により高分子中で
の金属酸化物の量を減少させることなく抵抗値の変更が
可能となる。前記金属酸化物の金属と上記添加元素との
量比は、所望する抵抗値によって決まるが、(添加元
素)/(金属)の原子数比が2/1以下、好ましくは1
/1〜0.01/1程度になるように用いる。高分子化
合物と金属酸化物を形成するための有機金属化合物との
量比は、所望する電気特性により決定されるが、最終的
な高分子複合体の高分子化合物の繰り返し構造単位あた
りの金属原子のモル%で、1〜300%であり、好まし
くは5〜200%である。1%以下であると高分子複合
体が絶縁性になり、300%以上であると高分子複合体
がもろくなる傾向が見られる。
By adding these additional elements, the resistance value can be changed without reducing the amount of metal oxide in the polymer. The amount ratio of the metal of the metal oxide to the additive element is determined by the desired resistance value, but the atomic ratio of (additive element) / (metal) is 2/1 or less, preferably 1
It is used so as to be about /1/0.01/1. The amount ratio of the polymer compound and the organometallic compound for forming the metal oxide is determined by the desired electrical characteristics, but the metal atom per repeating structural unit of the polymer compound of the final polymer composite is Is 1 to 300%, and preferably 5 to 200%. When it is 1% or less, the polymer composite becomes insulating, and when it is 300% or more, the polymer composite tends to be brittle.

【0025】次に塗布工程について説明する。塗布は、
スピンコーティング、ディップコーティング、バーコー
ティング、スプレーコーティング等の通常よく用いる塗
布方法により、所望の形状の被塗布基体、例えば、デバ
イス等の上に塗布する。ガラス板等に塗布し、後工程の
後に剥離させることにより、容易にフィルム化すること
もできる。また、ファイバー状に加工することもでき
る。塗布後の乾燥工程では、自然乾燥、加熱乾燥、真空
乾燥等、またそれらの組合せのいずれかで行う。加熱乾
燥する場合の温度は、50〜200℃で行い、用いる溶
媒によって条件が異なるが、おおむね、50〜150℃
で行うのが好ましい。この乾燥工程は、窒素等の不活性
雰囲気下、フロー下で行っても良い。
Next, the coating process will be described. The application is
It is applied onto a substrate to be coated having a desired shape, for example, a device by a commonly used coating method such as spin coating, dip coating, bar coating, and spray coating. A film can be easily formed by applying it to a glass plate or the like and peeling it off after the subsequent step. Further, it can be processed into a fiber shape. The drying step after coating is performed by any of natural drying, heat drying, vacuum drying, and the like, or a combination thereof. The temperature for heating and drying is 50 to 200 ° C, and the conditions vary depending on the solvent used, but generally, it is 50 to 150 ° C.
It is preferable to carry out. This drying step may be performed under a flow in an inert atmosphere such as nitrogen.

【0026】熱処理工程は、空気、酸素、空気/酸素の
混合系、窒素等の不活性ガス、不活性ガス/空気の混合
系等の雰囲気下またはフロー下で行う。温度は用いる原
料(高分子、高分子前駆体、有機金属化合物等)の分解
温度、熱硬化温度等に依存し、有機金属化合物の分解温
度、また熱硬化型高分子化合物の熱硬化温度以上、高分
子化合物の分解温度以下である。おおむね150〜50
0℃で行う。熱処理時間は、有機金属化合物の分解速
度、また熱硬化型高分子化合物の熱硬化速度等により決
定されるが、高分子化合物の劣化が起こらないよう、極
力短くするのが好ましい。おおむね1分〜24時間程度
である。
The heat treatment step is carried out in an atmosphere or flow of air, oxygen, an air / oxygen mixed system, an inert gas such as nitrogen, an inert gas / air mixed system, or the like. The temperature depends on the decomposition temperature of the raw materials (polymer, polymer precursor, organometallic compound, etc.) used, the thermosetting temperature, etc., and the decomposition temperature of the organometallic compound or the thermosetting temperature of the thermosetting polymer compound or higher, It is below the decomposition temperature of the polymer compound. About 150-50
Perform at 0 ° C. The heat treatment time is determined by the decomposition rate of the organometallic compound, the thermosetting rate of the thermosetting polymer compound, and the like, but it is preferable to be as short as possible so that the polymer compound does not deteriorate. It is about 1 minute to 24 hours.

【0027】[0027]

【実施例】以下に本発明を実施例によってさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の変形
および応用が可能である。 実施例1 J. Appl. Polym. Sci.,42,2
267(1991)に記載の方法により合成した下記構
造式(16)で示される繰り返し構造単位よりなるポリ
アミドイミド(N−メチル−2−ピロリドン中30℃で
の固有粘度1.42d1/g)のN−メチル−2−ピロ
リドン溶液(固形分比10%)5.0gに、2−エチル
ヘキサン酸イリジウムのN−メチル−2−ピロリドン溶
液(イリジウム含有量30%)0.25gを加え混合し
た。この混合溶液をエリクセンアプリケータでガラス板
上に塗布し、130℃で1時間乾燥した。その後、窒素
雰囲気下300℃で1時間熱処理を行った。得られたフ
ィルムについて四端子法で表面抵抗を測定した結果、3
×108 Ω/□であった。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to these examples, and various modifications and applications are possible without departing from the concept of the present invention. Is. Example 1 J. Appl. Polym. Sci. , 42, 2
267 (1991), N of polyamideimide (intrinsic viscosity 1.42d1 / g at 30 ° C. in N-methyl-2-pyrrolidone) consisting of repeating structural units represented by the following structural formula (16). -Methyl-2-pyrrolidone solution (solid content ratio 10%) (5.0 g) was mixed with 0.25 g of iridium 2-ethylhexanoate N-methyl-2-pyrrolidone solution (iridium content 30%). This mixed solution was applied on a glass plate with an Erichsen applicator and dried at 130 ° C. for 1 hour. Then, heat treatment was performed at 300 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. As a result of measuring the surface resistance of the obtained film by the four-terminal method, 3
It was × 10 8 Ω / □.

【化13】 [Chemical 13]

【0028】実施例2 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド20ml中
に下記構造式(17)で示されるジアミノジフェニルエ
ーテル0.958gを溶解し、完全に溶解したら10〜
15℃で下記構造式(18)で示されるピロメリット酸
2無水物1.04gを徐々に加える。続いて乾燥窒素気
流下にて、10〜15℃に保ちながら1時間ゆっくりと
攪拌し、さらに20〜25℃に保ちながら3時間撹拌を
続けて下記構造式(19)で示される繰り返し構造単位
よりなるポリアミック酸の溶液を得た(ジメチルアセト
アミド中30℃での固有粘度1.55dl/g)。この
ポリアミック酸の溶液5gにNEケムキャット社製イリ
ジウムレジネート(A−1123、イリジウム含有量〜
20%)0.25gを加え混合した。この混合溶液をエ
リクセンアプリケータでガラス板上に塗布し、1時間自
然放置した後、130℃で1時間乾燥した。その後、窒
素雰囲気下350℃で1時間熱処理を行った。その結
果、イリジウム酸化物を含有する下記構造式(20)で
示される繰り返し構造単位よりなるポリイミドフィルム
が形成された。フィルム断面をTEM(透過型電子顕微
鏡)で観察すると、数nm〜数十nmの粒子が観測され
た。四端子法で表面抵抗を測定した結果、1×108 Ω
/□であった。
Example 2 0.958 g of diaminodiphenyl ether represented by the following structural formula (17) was dissolved in 20 ml of dimethylacetamide under a stream of dry nitrogen, and when completely dissolved, 10 to 10 was obtained.
1.04 g of pyromellitic dianhydride represented by the following structural formula (18) is gradually added at 15 ° C. Then, under a dry nitrogen stream, the mixture was slowly stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 to 15 ° C., and further continuously stirred for 3 hours while maintaining the temperature at 20 to 25 ° C. for the repeating structural unit represented by the following structural formula (19). A solution of polyamic acid was obtained (intrinsic viscosity in dimethylacetamide at 30 ° C. of 1.55 dl / g). Iridium resinate (A-1123, iridium content of NE Chemcat) was added to 5 g of this polyamic acid solution.
20%) 0.25 g was added and mixed. This mixed solution was coated on a glass plate with an Erichsen applicator, left to stand for 1 hour, and then dried at 130 ° C. for 1 hour. Then, heat treatment was performed at 350 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. As a result, a polyimide film containing an iridium oxide and having a repeating structural unit represented by the following structural formula (20) was formed. When the cross section of the film was observed with a TEM (transmission electron microscope), particles of several nm to several tens nm were observed. As a result of measuring the surface resistance by the four-terminal method, 1 × 10 8 Ω
It was / □.

【化14】 [Chemical 14]

【0029】実施例3 実施例2と同様にポリアミック酸の溶液を作製し、2−
エチルヘキサン酸イリジウム、イリジウムアセチルアセ
トネート、またはイリジウムトリス[N−(エチルベン
ジリデン)アントラニレート]、またはその溶液を加
え、ポリアミック酸の繰り返し構造単位に対して、20
モル%になるように調整した。これをポリイミドフィル
ム(東レデュポン社製:Kapton)上にエリクセン
アプリケータを用いて塗布した。130℃で1時間乾燥
後、300℃で1時間熱処理を行った。上記いずれのイ
リジウム化合物を用いた場合にも、表面抵抗が約107
Ω/□のフィルムが得られた。 実施例4 有機金属化合物として2−エチルヘキサン酸ルテニウ
ム、またはルテニウムアセチルアセトネートを用い、ポ
リアミック酸の繰り返し構造単位に対して、10モル%
になるように調整した以外は実施例3と同様に行った。
上記いずれのルテニウム化合物を用いた場合にも、表面
抵抗が約107 Ω/□のフィルムが得られた。 実施例5 有機金属化合物として2−エチルヘキサン酸ロジウム、
またはロジウムアセチルアセトネートを用い、ポリアミ
ック酸の繰り返し構造単位に対して、15モル%になる
ように調整した以外は実施例3と同様に行った。表面抵
抗は約109 Ω/□であった。
Example 3 A solution of polyamic acid was prepared in the same manner as in Example 2
20% of iridium ethylhexanoate, iridium acetylacetonate, or iridium tris [N- (ethylbenzylidene) anthranilate], or a solution thereof is added to the repeating structural unit of polyamic acid.
It was adjusted to be mol%. This was applied on a polyimide film (Kapton manufactured by Toray DuPont) using an Erichsen applicator. After drying at 130 ° C. for 1 hour, heat treatment was performed at 300 ° C. for 1 hour. The surface resistance is about 10 7 when any of the above iridium compounds is used.
A film of Ω / □ was obtained. Example 4 Ruthenium 2-ethylhexanoate or ruthenium acetylacetonate was used as the organometallic compound, and 10 mol% relative to the repeating structural unit of the polyamic acid.
The same procedure as in Example 3 was carried out except that the adjustment was made so that
When any of the above ruthenium compounds was used, a film having a surface resistance of about 10 7 Ω / □ was obtained. Example 5 Rhodium 2-ethylhexanoate as an organometallic compound,
Alternatively, it was carried out in the same manner as in Example 3 except that rhodium acetylacetonate was used and adjusted to be 15 mol% with respect to the repeating structural unit of the polyamic acid. The surface resistance was about 10 9 Ω / □.

【0030】実施例6 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド7.5ml
中に下記構造式(21)で示される2,2−ビス[4
(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフロロプロ
パン1.028gを溶解し、完全に溶解したら下記構造
式(22)で示される4,4′−(ヘキサフロロイソプ
ロピリデン)2無水フタル酸0.888gを徐々に加え
た。続いて乾燥窒素気流下にて、10〜15℃に保ちな
がら1時間ゆっくりと攪拌し、さらに20〜25℃に保
ちながら2時間攪拌を続けて下記構造式(23)で示さ
れる高分子化合物の溶液を得た。この溶液を用い実施例
3と同様に高分子複合体を作製した。その結果、イリジ
ウム酸化物を含有する下記構造式(24)で示されるポ
リイミドフィルムが形成された。その表面抵抗は約10
7 Ω/□であった。
Example 6 7.5 ml of dimethylacetamide under a stream of dry nitrogen
2,2-bis [4 represented by the following structural formula (21)
1.028 g of (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane was dissolved, and when completely dissolved, 0.888 g of 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) 2 phthalic anhydride represented by the following structural formula (22) was dissolved. Gradually added. Subsequently, under a dry nitrogen stream, the mixture was slowly stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 to 15 ° C., and further stirred for 2 hours while maintaining at 20 to 25 ° C. to prepare a polymer compound represented by the following structural formula (23). A solution was obtained. Using this solution, a polymer composite was prepared in the same manner as in Example 3. As a result, a polyimide film containing iridium oxide and represented by the following structural formula (24) was formed. Its surface resistance is about 10
It was 7 Ω / □.

【化15】 (式中n′は約500である。)[Chemical 15] (In the formula, n'is about 500.)

【0031】実施例7 実施例3において、イリジウムに対して10%に相当す
る量になるように2−エチルヘキサン酸ルテニウムをさ
らに加え、高分子複合体の作製を行った。その結果、表
面抵抗は減少した。
Example 7 A polymer composite was prepared by further adding ruthenium 2-ethylhexanoate in an amount corresponding to 10% with respect to iridium in Example 3. As a result, the surface resistance was reduced.

【0032】実施例8 実施例1において記載したと同様の上記構造式(16)
のポリアミドイミド(N−メチル−2−ピロリドン中3
0℃での固有粘度1.42dl/g)のN−メチル−2
−ピロリドン溶液(固形分比10%)5.0gに、2−
エチルヘキサン酸イリジウムのN−メチル−2−ピロリ
ドン溶液(イリジウム含有量30%)0.40g、ポリ
(ジトリルシロキサン)0.01gおよび2−エチルヘ
キサン酸ビスマス0.01gを加え混合した。この混合
溶液をエリクセンアプリケータでガラス板上に塗布し、
130℃で1時間乾燥した。その後、窒素雰囲気下30
0℃で1時間熱処理を行った。得られたフィルムについ
て、四端子法で表面抵抗を測定した結果、5×108 Ω
/□であった。
Example 8 Structural formula (16) similar to that described in Example 1
Polyamideimide (3 in N-methyl-2-pyrrolidone
N-methyl-2 having an intrinsic viscosity of 1.42 dl / g at 0 ° C
-Pyrrolidone solution (solid content ratio 10%) 5.0 g, 2-
0.40 g of N-methyl-2-pyrrolidone solution of iridium ethylhexanoate (iridium content 30%), 0.01 g of poly (ditolylsiloxane) and 0.01 g of bismuth 2-ethylhexanoate were added and mixed. Apply this mixed solution on a glass plate with an Erichsen applicator,
It was dried at 130 ° C. for 1 hour. Then, in a nitrogen atmosphere, 30
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 1 hour. The surface resistance of the obtained film was measured by the four-terminal method, and was 5 × 10 8 Ω.
It was / □.

【0033】実施例9 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド20ml中
に前記構造式(17)で示されるジアミノジフェニルエ
ーテル0.958gを溶解し、完全に溶解したら10〜
15℃で前記構造式(18)で示されるピロメリット酸
2無水物1.04gを徐々に加える。続いて乾燥窒素気
流下にて、10〜15℃に保ちながら1時間ゆっくりと
攪拌し、さらに20〜25℃に保ちながら3時間撹拌を
続けて前記構造式(19)で示される繰り返し構造単位
よりなるポリアミック酸の溶液を得た(ジメチルアセト
アミド中30℃での固有粘度1.45dl/g)。この
ポリアミック酸の溶液5gにNEケムキャット社製イリ
ジウムレジネート(A−1123、イリジウム含有量〜
20%)0.50g、2−エチルヘキサン酸鉛0.01
gおよび2−エチルヘキサン酸バリウム0.01gを加
えて混合した。この混合溶液をエリクセンアプリケータ
でガラス板上に塗布し、1時間自然放置後、130℃で
1時間乾燥した。その後、窒素雰囲気下350℃で1時
間熱処理を行った。その結果、イリジウム酸化物、鉛お
よびバリウムを含有する前記構造式(20)で示される
繰り返し構造単位よりなるポリイミドフィルムが形成さ
れた。フィルム断面をTEM(透過型電子顕微鏡)で観
察すると、数nm〜数十nmの粒子が観測された。四端
子法で表面抵抗を測定した結果、3×108 Ω/□であ
った。
Example 9 0.958 g of diaminodiphenyl ether represented by the above structural formula (17) was dissolved in 20 ml of dimethylacetamide under a stream of dry nitrogen, and when completely dissolved, 10 to 10 was obtained.
1.04 g of pyromellitic dianhydride represented by the structural formula (18) is gradually added at 15 ° C. Then, under a dry nitrogen stream, the mixture was slowly stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 to 15 ° C., and further stirred for 3 hours while maintaining the temperature at 20 to 25 ° C. for the repeating structural unit represented by the structural formula (19). A solution of the following polyamic acid was obtained (intrinsic viscosity at 30 ° C. in dimethylacetamide 1.45 dl / g). Iridium resinate (A-1123, iridium content of NE Chemcat) was added to 5 g of this polyamic acid solution.
20%) 0.50 g, lead 2-ethylhexanoate 0.01
g and 0.01 g barium 2-ethylhexanoate were added and mixed. This mixed solution was applied on a glass plate with an Erichsen applicator, left to stand for 1 hour, and then dried at 130 ° C. for 1 hour. Then, heat treatment was performed at 350 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. As a result, a polyimide film containing the repeating structural unit represented by the structural formula (20) containing iridium oxide, lead and barium was formed. When the cross section of the film was observed with a TEM (transmission electron microscope), particles of several nm to several tens nm were observed. The surface resistance was measured by the four-terminal method and found to be 3 × 10 8 Ω / □.

【0034】実施例10 実施例9と同様にポリアミック酸の溶液を作製し、2−
エチルヘキサン酸イリジウム、イリジウムアセチルアセ
トネート、またはイリジウムトリス[N−(エチルベン
ジリデン)アントラニレート]、またはその溶液を加
え、ポリアミック酸の繰り返し構造単位に対して、20
モル%になるように調整した。これにラウリン酸アルミ
ニウムをイリジウムに対して10%になるように加えて
混合した。これをガラス板上にエリクセンアプリケータ
を用いて塗布した。130℃で1時間乾燥後、300℃
で1時間熱処理を行った。上記いずれのイリジウム化合
物を用いた場合にも、表面抵抗が約108 Ω/□のフィ
ルムが得られた。
Example 10 A solution of polyamic acid was prepared in the same manner as in Example 9,
20% of iridium ethylhexanoate, iridium acetylacetonate, or iridium tris [N- (ethylbenzylidene) anthranilate], or a solution thereof is added to the repeating structural unit of polyamic acid.
It was adjusted to be mol%. Aluminum laurate was added to and mixed with the iridium in an amount of 10%. This was applied onto a glass plate using an Erichsen applicator. After drying for 1 hour at 130 ℃, 300 ℃
Was heat-treated for 1 hour. When any of the above iridium compounds was used, a film having a surface resistance of about 10 8 Ω / □ was obtained.

【0035】実施例11 実施例10において、イリジウム化合物をポリアミック
酸の繰り返し構造単位に対して15モル%になるように
調整し、2−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムを15
%になるように加えた以外は、実施例10と同様に作製
した。表面抵抗が、約109 Ω/□のフィルムが得られ
た。 実施例12 有機金属化合物として2−エチルヘキサン酸ルテニウム
またはルテニウムアセチルアセトネートを用い、ポリア
ミック酸の繰り返し構造単位に対して、10モル%にな
るように調整し、2−エチルヘキサン酸カルシウム、2
−エチルヘキサン酸錫を1:1で総量がルテニウムに対
して10%になるように加えた以外は、実施例10と同
様に行った。上記いずれのルテニウム化合物を用いた場
合にも、表面抵抗が約108 Ω/□のフィルムが得られ
た。 実施例13 有機金属化合物として2−エチルヘキサン酸ロジウムま
たはロジウムアセチルアセトネートを用い、高分子の繰
り返し構造単位に対して、15モル%になるように調整
し、2−エチルヘキサン酸ホウ素とテトライソプロポキ
シチタンを1:1で総量がロジウムに対して15%にな
るように加えた以外は、実施例10と同様に行った。上
記いずれのロジウム化合物を用いた場合にも、表面抵抗
が約1010Ω/□のフィルムが得られた。
Example 11 In Example 10, the iridium compound was adjusted to 15 mol% with respect to the repeating structural unit of polyamic acid, and 15% of zirconium 2-ethylhexanoate was added.
Example 10 was prepared in the same manner as in Example 10 except that the addition was made so that the amount of each component was 0.1%. A film having a surface resistance of about 10 9 Ω / □ was obtained. Example 12 Ruthenium 2-ethylhexanoate or ruthenium acetylacetonate was used as the organometallic compound and adjusted to be 10 mol% with respect to the repeating structural unit of the polyamic acid.
The same procedure as in Example 10 was performed except that tin ethylhexanoate was added at a ratio of 1: 1 so that the total amount was 10% with respect to ruthenium. A film having a surface resistance of about 10 8 Ω / □ was obtained when any of the above ruthenium compounds was used. Example 13 Rhodium 2-ethylhexanoate or rhodium acetylacetonate was used as the organometallic compound and adjusted to be 15 mol% with respect to the repeating structural unit of the polymer. The same procedure as in Example 10 was carried out except that propoxy titanium was added at a ratio of 1: 1 so that the total amount was 15% with respect to rhodium. When any of the above rhodium compounds was used, a film having a surface resistance of about 10 10 Ω / □ was obtained.

【0036】実施例14 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド7.5ml
中に前記構造式(21)で示される2,2−ビス[4
(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフロロプロ
パン1.028gを溶解し、完全に溶解したら前記構造
式(22)で示される4,4′−(ヘキサフロロイソプ
ロピリデン)2無水フタル酸0.888gを徐々に加え
た。続いて乾燥窒素気流下にて、10〜15℃に保ちな
がら1時間ゆっくりと攪拌し、さらに20〜25℃に保
ちながら2時間攪拌を続けて前記構造式(23)で示さ
れるポリアミック酸の溶液を得た。この溶液を用い実施
例10と同様に高分子複合体を作製した。その結果、イ
リジウム酸化物およびアルミニウムを含有する前記構造
式(24)で示される繰り返し構造単位よりなるポリイ
ミドフィルムが形成された。その表面抵抗は約108 Ω
/□であった。 実施例15 実施例10において、イリジウムに対して10%に相当
する量になるように2−エチルヘキサン酸ルテニウムを
さらに加え、高分子複合体の作製を行った。その結果、
表面抵抗は減少した。
Example 14 7.5 ml of dimethylacetamide under a stream of dry nitrogen
2,2-bis [4 represented by the structural formula (21) above
1.028 g of (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane was dissolved, and when completely dissolved, 0.888 g of 4,4 ′-(hexafluoroisopropylidene) 2 phthalic anhydride represented by the structural formula (22) was dissolved. Gradually added. Then, under a dry nitrogen stream, the mixture is slowly stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 to 15 ° C., and further stirred for 2 hours while maintaining at 20 to 25 ° C. for the solution of the polyamic acid represented by the structural formula (23). Got Using this solution, a polymer composite was prepared in the same manner as in Example 10. As a result, a polyimide film containing the repeating structural unit represented by the structural formula (24) containing iridium oxide and aluminum was formed. Its surface resistance is about 10 8 Ω
It was / □. Example 15 In Example 10, a ruthenium 2-ethylhexanoate was further added so that the amount was 10% with respect to iridium, to prepare a polymer composite. as a result,
The surface resistance was reduced.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によれば、電気的特性の安定した
高分子導電体/抵抗体を、簡便なプロセスで得ることが
できる。また。添加元素を加えた場合、容易に抵抗値の
調整が可能になる。さらに薄膜、ファイバー等への加工
も容易である。このような構成の本発明によれば、本発
明の技術分野に示したような電子デバイス等に応用で
き、また任意の形状の電子デバイス等の上に簡単に、か
つ低温で直接成膜でき、高品質、安価なデバイスを可能
とする。
According to the present invention, a polymer conductor / resistor having stable electric characteristics can be obtained by a simple process. Also. When the additive element is added, the resistance value can be easily adjusted. Furthermore, it can be easily processed into thin films and fibers. According to the present invention having such a configuration, it can be applied to an electronic device or the like as shown in the technical field of the present invention, and can be easily and directly deposited on an electronic device or the like of any shape at a low temperature, Enables high-quality, inexpensive devices.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 耐熱性高分子化合物中に、イリジウム酸
化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる
少なくとも1種の金属酸化物を含有することを特徴とす
る高分子導電・抵抗体。
1. A polymer conductive / resistor comprising a heat resistant polymer compound containing at least one metal oxide selected from iridium oxide, ruthenium oxide and rhodium oxide.
【請求項2】 耐熱性高分子化合物中に、イリジウム酸
化物、ルテニウム酸化物およびロジウム酸化物から選ば
れる少なくとも1種の金属酸化物と、シリコン、ビスマ
ス、鉛、アルミニウム、ジルコニウム、カルシウム、
錫、ホウ素、チタンおよびバリウムから選ばれた少なく
とも1種の元素とを含有することを特徴とする高分子導
電・抵抗体。
2. A heat-resistant polymer compound containing at least one metal oxide selected from iridium oxide, ruthenium oxide and rhodium oxide, and silicon, bismuth, lead, aluminum, zirconium, calcium,
A polymer conductive / resistive material containing at least one element selected from tin, boron, titanium and barium.
【請求項3】 耐熱性高分子化合物が、下記の構造式
(1)で示される繰り返し構造単位よりなる高分子化合
物であることを特徴とする請求項1または2記載の高分
子導電・抵抗体。 【化1】 (式中Xは炭素数2以上の4価の有機基を表わし、Yは
炭素数2以上の2価の有機基を表わす。)
3. The polymer conductive / resistor according to claim 1, wherein the heat-resistant polymer compound is a polymer compound comprising a repeating structural unit represented by the following structural formula (1). . [Chemical 1] (In the formula, X represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, and Y represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms.)
【請求項4】 下記の構造式(2)で示される繰り返し
構造単位よりなるポリアミック酸と、有機イリジウム化
合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化合物の少
なくとも1種を含有する溶液を、塗布した後、加熱処理
することを特徴とする請求項1記載の高分子導電・抵抗
体の製造方法。 【化2】 (式中Xは炭素数2以上の4価の有機基を表わし、Yは
炭素数2以上の2価の有機基を表わす。)
4. A solution containing a polyamic acid comprising a repeating structural unit represented by the following structural formula (2) and at least one of an organic iridium compound, an organic ruthenium compound and an organic rhodium compound is applied, and then heated. The method for producing a polymer conductive / resistor according to claim 1, wherein the method is performed. [Chemical 2] (In the formula, X represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms, and Y represents a divalent organic group having 2 or more carbon atoms.)
【請求項5】 下記の構造式(2)で示される繰り返し
構造単位よりなるポリアミック酸と、有機イリジウム化
合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化合物の少
なくとも1種、および、シリコン、ビスマス、鉛、アル
ミニウム、ジルコニウム、カルシウム、錫、ホウ素、チ
タンおよびバリウムから選ばれた少なくとも1種の元素
を含む化合物を含有する溶液を、塗布した後、加熱処理
することを特徴とする請求項2記載の高分子導電・抵抗
体の製造方法。 【化3】
5. A polyamic acid comprising a repeating structural unit represented by the following structural formula (2), at least one of an organic iridium compound, an organic ruthenium compound and an organic rhodium compound, and silicon, bismuth, lead, aluminum, 3. The polymer conductive material according to claim 2, wherein a solution containing a compound containing at least one element selected from zirconium, calcium, tin, boron, titanium and barium is applied and then heat-treated. Resistor manufacturing method. [Chemical 3]
【請求項6】 有機イリジウム化合物、有機ルテニウム
化合物、有機ロジウム化合物が、下記一般式(3)〜
(5)で示される化合物から選択された少なくとも1種
である請求項4または5記載の高分子導電・抵抗体の製
造方法。 M(R1 COO)3 (3) M(R2 COCR4 COR3 3 (4) 【化4】 (式中、Mはイリジウム、ルテニウムまたはロジウムを
表し、R1 、R2 およびR3 は、それぞれアルキル基ま
たはアリール基を表し、R4 は水素原子、アルキル基ま
たはアリール基を表し、R5 は水素原子、アルキル基ま
たはアルコキシ基を表す。)
6. An organic iridium compound, an organic ruthenium compound or an organic rhodium compound is represented by the following general formula (3) to
The method for producing a polymer conductive / resistor according to claim 4 or 5, which is at least one selected from the compounds represented by (5). M (R 1 COO) 3 (3) M (R 2 COCR 4 COR 3 ) 3 (4) (In the formula, M represents iridium, ruthenium or rhodium, R 1 , R 2 and R 3 each represent an alkyl group or an aryl group, R 4 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and R 5 represents Represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group.)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008192455A (en) * 2007-02-05 2008-08-21 Narumi China Corp Glass top plate for heating cooker
JP2018049901A (en) * 2016-09-21 2018-03-29 住友金属鉱山株式会社 Resistance paste and resistor produced by firing the same

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