JP2001023435A - Conductive silica and manufacture thereof - Google Patents

Conductive silica and manufacture thereof

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JP2001023435A
JP2001023435A JP11193354A JP19335499A JP2001023435A JP 2001023435 A JP2001023435 A JP 2001023435A JP 11193354 A JP11193354 A JP 11193354A JP 19335499 A JP19335499 A JP 19335499A JP 2001023435 A JP2001023435 A JP 2001023435A
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layer
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nickel
silicon
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide high conductivity and high heat resistance by sequentially forming a silicon polymer compound layer, a nickel layer, and a gold layer on a silica surface. SOLUTION: After silica powder is treated with a silicon polymer compound having a reducing property and its surface is treated with a solution containing metal salt with a standard oxidation-reduction potential of 0.54 V or more for depositing metal colloid, electroless nickel-plating and gold-plating is applied, and consequently, conductive silica having lamination of a silicon polymer compound layer, a nickel layer, and a gold layer layered sequentially on the silica surface is provided. The conductive silica has high conductivity and high heat resistance hardly causing peeling of the plated layer in a heating process at 200 deg.C or more. If silicone rubber and the like is blended, a conductive rubber molding with high reliability can be provided. In this way, powder exhibiting high conductivity is provided. Especially, when silica is dispersed in a reducing agent-containing aqueous solution and non-electrolytic plating is carried out in the nickel plating process during the manufacture, coagulation-free conductive silica with a four-layer structure consisting of silica, a silicon polymer compound, nickel and gold is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性シリコーン
ゴム組成物などの各種導電性組成物における導電性フィ
ラー等として好適な導電性シリカ及びその製造方法に関
する。
The present invention relates to a conductive silica suitable as a conductive filler in various conductive compositions such as a conductive silicone rubber composition and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】粉体、
特に非導電性の粉体を種々の金属でコートして製造した
金属被覆粉体は、べースフィラーとなる素材の選択の自
由度が大きく、導電性フィラーとして、塗料、充填剤、
コーティング剤等の広い分野に応用が期待できるため、
様々な製造手法が検討され、無電解メッキ法などにより
実用化されていた。中でも、アルミナ、ケイ酸アルミ
ナ、ガラス、雲母のような絶縁性無機粉体や、ポリスチ
レンやポリフェノール系カーボンによる樹脂粉末をメッ
キすることで金属被覆粉体を得ることは既に行われてい
た(特公平2−25431号公報、特公平6−9677
1号公報)。
BACKGROUND OF THE INVENTION Powders,
In particular, a metal-coated powder produced by coating a non-conductive powder with various metals has a large degree of freedom in selecting a material serving as a base filler, and as a conductive filler, a paint, a filler,
Because application can be expected in a wide field such as coating agent,
Various manufacturing methods have been studied and put to practical use by an electroless plating method or the like. Among them, it has been already practiced to obtain a metal-coated powder by plating an insulating inorganic powder such as alumina, alumina silicate, glass, and mica, or a resin powder of polystyrene or polyphenolic carbon (Japanese Patent Publication No. JP-A-2-25431, JP-B-6-9677
No. 1).

【0003】しかしながら、無電解メッキ法は、メッキ
金属と粉体との間の密着性に問題があり、より密着性の
よい金属被膜をもつ粉体を製造するため、シランカップ
リング剤(例えばγ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン)のようなシランモノマーを用いる方法(特開昭61
−257479号公報、特開昭62−297471号公
報)、NaBH4のような還元剤を使用したパラジウム
コロイドゾルを使用する方法(特開昭63−79975
号公報)、粉体表面をエッチング処理する方法などが提
案されている。しかし、これら方法では必ずしも良好な
金属被覆粉体が得られていないのが現状であった。特
に、200℃の温度でも金属と樹脂の間の剥離が起こら
ないといった高い耐熱性をもった導電性粉体は得られて
いなかった。
[0003] However, the electroless plating method has a problem in adhesion between a plating metal and a powder, and a silane coupling agent (for example, γ) is required to produce a powder having a metal film having better adhesion. -Aminopropyltriethoxysilane) using a silane monomer (Japanese Unexamined Patent Publication No. Sho 61)
-257479 and JP Sho 62-297471), a method of using a palladium colloid sol using a reducing agent such as NaBH 4 (JP 63-79975
And a method of etching the surface of a powder is proposed. However, at present, good metal-coated powders have not always been obtained by these methods. In particular, a conductive powder having high heat resistance such that peeling between a metal and a resin does not occur even at a temperature of 200 ° C. has not been obtained.

【0004】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、高い導電性と高い耐熱性を有する導電性シリカ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a conductive silica having high conductivity and high heat resistance and a method for producing the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、シリカ粉体を還元性を有するケイ素系高分子化合物
で処理し、次いでその表面を標準酸化還元電位0.54
V以上の金属の塩を含む溶液で処理して該金属のコロイ
ドを析出させた後、無電解ニッケルメッキ、次いで金メ
ッキを行うことにより、シリカ表面にケイ素系高分子化
合物層、ニッケル層、金層が順次積層形成された導電性
シリカが得られ、この導電性シリカは、高い導電性と、
200℃以上で熱処理してもメッキ層が剥離し難い高い
耐熱性を有し、この導電性シリカをシリコーンゴム等に
配合することにより、例えば信頼性の高い導電性ゴム成
形体を得ることができることを知見した。
Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, treated silica powder with a silicon-based polymer compound having a reducing property, Then, the surface is exposed to a standard redox potential of 0.54.
After treatment with a solution containing a metal salt of V or more to precipitate a colloid of the metal, electroless nickel plating and then gold plating are performed, so that a silicon-based polymer compound layer, a nickel layer, and a gold layer are formed on the silica surface. Is obtained by sequentially forming conductive silica, this conductive silica has high conductivity,
Having a high heat resistance that the plating layer is hard to be peeled off even when heat-treated at 200 ° C. or more. By blending this conductive silica with silicone rubber or the like, for example, a highly reliable conductive rubber molded body can be obtained. Was found.

【0006】即ち、ケイ素系高分子化合物は、炭素に比
べてケイ素のもつ金属性、電子非局在性、高い耐熱性と
柔軟性、良好な薄膜形成特性から、非常に興味深いポリ
マーであり、中でもSi−Si結合やSi−H結合を有
するケイ素系高分子化合物、特にポリシラン又はケイ素
原子に直接結合した水素原子を有するポリシロキサン
は、還元性をもつ高分子化合物として知られ、各種用途
に利用されている。更に、ポリシランは炭化ケイ素セラ
ミック材料の前駆体として、ポリシロキサンは酸化ケイ
素セラミック材料の前駆体として、熱処理等の後処理に
より非常に耐熱性に優れる絶縁材料になることもよく知
られている。
That is, silicon-based polymer compounds are very interesting polymers because of their metallic properties, electron delocalization, high heat resistance and flexibility, and good thin-film formation characteristics, as compared with carbon. Silicon-based polymer compounds having a Si-Si bond or Si-H bond, particularly polysiloxane or polysiloxane having a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom, are known as polymer compounds having a reducing property and are used for various purposes. ing. Further, it is well known that polysilane is a precursor of a silicon carbide ceramic material, and polysiloxane is a precursor of a silicon oxide ceramic material, and becomes an insulating material having extremely excellent heat resistance by post-treatment such as heat treatment.

【0007】本出願人は、このような還元作用をもつケ
イ素系高分子化合物を用いて表面を処理した粉体を金属
イオンを含む溶液と接触させると、粉体表面で金属コロ
イドが生成・保持されることを見出し、これを利用した
密着性のよい金属被覆粉体の製造方法を特願平10−1
21836号に提案したが、この方法は、ケイ素系高分
子化合物で表面処理した粉体に無電解メッキを行うとき
に、近接する粉体間にもメッキが進行し、製造した金属
被覆粉体の粒径が大きくなるという問題点を有してい
た。また、シリコーンゴムのような耐熱性の高いゴムに
配合して高温多湿の条件で使用する場合、金属の酸化や
粉体と金属間の剥離による導電性の低下が問題となって
いた。
The applicant of the present invention has proposed that when a powder whose surface has been treated with a silicon-based polymer compound having such a reducing action is brought into contact with a solution containing metal ions, a metal colloid is generated and retained on the powder surface. And a method for producing a metal-coated powder with good adhesion utilizing the same is disclosed in Japanese Patent Application No. 10-1.
As proposed in Japanese Patent No. 21836, this method, when performing electroless plating on a powder surface-treated with a silicon-based polymer compound, plating proceeds between adjacent powders, and the produced metal-coated powder There was a problem that the particle size was large. In addition, when compounded with a rubber having high heat resistance such as silicone rubber and used under conditions of high temperature and high humidity, there has been a problem in that the conductivity is reduced due to oxidation of metal or separation between powder and metal.

【0008】こうした問題を解決するため検討した結
果、ケイ素系高分子化合物で処理する粉体としてシリカ
を用いると共に、粉体被覆金属はニッケルとし、このニ
ッケルの表面を金メッキすることで、低価格で、高温多
湿でも酸化されず、高導電性を発現できる粉体が得られ
ることを見出した。また特に、この金属被覆粉体製造時
に、ニッケルメッキ工程としてシリカを還元剤含有水溶
液に分散させ、これにニッケル塩水溶液を気体と同伴さ
せて加えて無電解メッキを行うことにより、凝集のない
シリカ−ケイ素系高分子化合物−ニッケル−金という4
層構造をもつ導電性シリカが得られ、このシリカは、よ
り高い導電性と高い耐熱性をもっていることを見出し、
本発明をなすに至った。
As a result of studying to solve such a problem, silica was used as a powder to be treated with a silicon-based polymer compound, nickel was used as a powder coating metal, and gold was plated on the surface of the nickel, thereby reducing the cost. It has been found that a powder which is not oxidized even at high temperature and high humidity and can exhibit high conductivity can be obtained. In particular, when producing the metal-coated powder, silica is dispersed in an aqueous solution containing a reducing agent as a nickel plating step, and an aqueous solution of a nickel salt is added to the aqueous solution together with a gas, and electroless plating is performed. -Silicon polymer compound -Nickel-Gold 4
Conductive silica having a layer structure is obtained, and this silica is found to have higher conductivity and higher heat resistance,
The present invention has been made.

【0009】従って、本発明は、〔I〕シリカ表面上に
ケイ素系高分子化合物層、ニッケル層及び金層が順次形
成されてなることを特徴とする導電性シリカ、〔II〕
シリカ表面上にケイ素系高分子化合物が部分的又は全部
がセラミック化した層、ニッケル層及び金層が順次形成
されてなることを特徴とする導電性シリカ、〔III〕
(1)シリカ粉体を還元性を有するケイ素系高分子化合
物で処理し、シリカの表面に該ケイ素系高分子化合物の
層を形成する第1工程、(2)第1工程で得られた粉体
を標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属
塩を含む溶液で処理し、上記シリカ表面のケイ素系高分
子化合物層上に該金属コロイドを析出させる第2工程、
(3)上記金属コロイドを触媒として無電解ニッケルメ
ッキを行い、上記ケイ素系高分子化合物層表面に金属ニ
ッケル層を形成する第3工程、(4)更に金メッキを行
い、上記金属ニッケル層上に金層を形成する第4工程を
含むことを特徴とする導電性シリカの製造方法、〔I
V〕第3工程が、第2工程で得られた粉体を還元剤含有
水溶液に分散させ、これにニッケル塩水溶液を気体に同
伴させて加えることにより、無電解ニッケルメッキを行
うようにした上記製造方法、〔V〕第4工程で得られた
粉体を還元性気体雰囲気下に200℃以上の温度で熱処
理して、上記ケイ素系高分子化合物の一部又は全部をセ
ラミック化した上記製造方法を提供する。
Accordingly, the present invention provides an electroconductive silica, characterized in that a silicon-based polymer compound layer, a nickel layer and a gold layer are sequentially formed on a silica surface;
Conductive silica, characterized in that a silicon-based polymer compound is partially or entirely ceramicized on a silica surface, a nickel layer and a gold layer are sequentially formed, [III]
(1) a first step of treating a silica powder with a silicon-based polymer compound having a reducing property to form a layer of the silicon-based polymer compound on the surface of silica; (2) a powder obtained in the first step A second step of treating the body with a solution containing a metal salt composed of a metal having a standard oxidation-reduction potential of 0.54 V or more to precipitate the metal colloid on the silicon-based polymer compound layer on the silica surface.
(3) a third step of performing electroless nickel plating using the metal colloid as a catalyst to form a metal nickel layer on the surface of the silicon-based polymer compound layer, and (4) further performing gold plating to form gold on the metal nickel layer. A method for producing conductive silica, comprising a fourth step of forming a layer; [I
V] In the third step, the powder obtained in the second step is dispersed in an aqueous solution containing a reducing agent, and an aqueous nickel salt solution is added to the aqueous solution together with a gas, whereby electroless nickel plating is performed. Production method, [V] The above production method, wherein the powder obtained in the fourth step is heat-treated at a temperature of 200 ° C. or more in a reducing gas atmosphere to ceramicize a part or all of the silicon-based polymer compound. I will provide a.

【0010】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の導電性シリカの製造方法において、原料シリカ
としては、二酸化ケイ素で構成される粉体で、高い耐熱
性をもっている。形状は、粉末状、繊維状、フレーク状
等、特に制限されないが、メッキする金属(ニッケル、
金)の使用量を最少にし、シリコーンゴム等に高充填す
るためには、同一粒径では最も比表面積の低くなる球状
が望ましい。このようなシリカは、クロルシランを燃焼
させたり、アルコキシシランを加水分解したり、ガス化
した金属ケイ素を酸化したり、石英粉末を溶融したりし
て容易に得ることができる。比表面積を低くするために
は、内部に表面に繋がる空洞をもたないものが望まし
く、溶融石英が好適に用いられる。シリカ粉末の平均粒
径は0.01〜1000μm、より望ましくは0.1〜
100μmである。0.01μmより小さいと、比表面
積が高くなるため、メッキ金属の量が多くなり、高価と
なって経済的に望ましくない。また、1000μmより
大きいと、シリコーンゴム等に混合しにくくなる場合が
ある。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
In the method for producing conductive silica of the present invention, the raw material silica is a powder composed of silicon dioxide and has high heat resistance. The shape is not particularly limited, such as powder, fiber, flake, etc., but the metal to be plated (nickel,
In order to minimize the amount of gold) and highly fill silicone rubber or the like, it is desirable that the spherical particles have the smallest specific surface area with the same particle diameter. Such silica can be easily obtained by burning chlorosilane, hydrolyzing alkoxysilane, oxidizing gasified metallic silicon, or melting quartz powder. In order to reduce the specific surface area, it is desirable that the inside does not have a cavity connected to the surface, and fused quartz is suitably used. The average particle size of the silica powder is 0.01 to 1000 μm, more preferably 0.1 to 1000 μm.
100 μm. If the thickness is less than 0.01 μm, the specific surface area is increased, so that the amount of the plated metal is increased, which is expensive and is not economically desirable. On the other hand, if it is larger than 1000 μm, it may be difficult to mix with silicone rubber or the like.

【0011】本発明に係る導電性シリカの製造方法の第
1工程は、上記シリカ粉体を還元性を有するケイ素系高
分子化合物で処理し、シリカ表面に該ケイ素系高分子化
合物の層を形成する工程である。
In the first step of the method for producing conductive silica according to the present invention, the silica powder is treated with a reducing silicon-based polymer compound to form a layer of the silicon-based polymer compound on the silica surface. This is the step of performing

【0012】ここで、還元作用をもつケイ素系高分子化
合物としては、Si−Si結合あるいはSi−H結合を
有するポリシラン、ポリカルボシラン、ポリシロキサ
ン、ポリシラザンを使用することができ、中でもポリシ
ランあるいはケイ素原子に直接結合した水素原子を有す
るポリシロキサンが好適に用いられる。
Here, as the silicon-based polymer compound having a reducing action, polysilane, polycarbosilane, polysiloxane and polysilazane having a Si—Si bond or a Si—H bond can be used. A polysiloxane having a hydrogen atom directly bonded to an atom is preferably used.

【0013】このうち、ポリシランとしては、主鎖にS
i−Si結合をもつ下記一般式(1)で表される高分子
化合物が挙げられる。
Among them, polysilane has S in its main chain.
Examples include a polymer compound having an i-Si bond and represented by the following general formula (1).

【0014】 (R1 m2 npSi)q (1) 上記式(1)中、R1,R2はそれぞれ水素原子、置換も
しくは非置換の一価炭化水素基であり、R1とR2とは互
いに同一であっても異なっていてもよいが、上記一価炭
化水素基としては、脂肪族、脂環式又は芳香族一価炭化
水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式一価炭化水素基
としては、炭素数1〜12、特に1〜6のものが好まし
く、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基など
が挙げられる。また、芳香族一価炭化水素基としては、
炭素数6〜14、特に6〜10のものが好適であり、例
えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、
ベンジル基等が挙げられる。なお、置換一価炭化水素基
としては、上記に例示した非置換の一価炭化水素基の水
素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、
アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例え
ばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、m−
ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。
[0014] (R 1 m R 2 n X p Si) q (1) the above formula (1), R 1, R 2 are each hydrogen atom, a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, R 1 And R 2 may be the same or different from each other, and as the monovalent hydrocarbon group, an aliphatic, alicyclic or aromatic monovalent hydrocarbon group is used. As the aliphatic or alicyclic monovalent hydrocarbon group, those having 1 to 12 carbon atoms, particularly 1 to 6 carbon atoms, are preferable, and examples thereof include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, and hexyl group. And cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. Further, as the aromatic monovalent hydrocarbon group,
Those having 6 to 14 carbon atoms, particularly those having 6 to 10 carbon atoms are suitable, for example, phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group,
And a benzyl group. In addition, as the substituted monovalent hydrocarbon group, part or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted monovalent hydrocarbon group exemplified above may be a halogen atom, an alkoxy group,
Those substituted with an amino group, an aminoalkyl group and the like, for example, a monofluoromethyl group, a trifluoromethyl group, m-
And a dimethylaminophenyl group.

【0015】Xは、R1と同様の基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロ
ポキシ基等の好ましくは炭素数1〜4のもの、ハロゲン
原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げ
られる。Xとしては、これらの中でも通常メトキシ基、
エトキシ基が好適に用いられる。
X is the same group as R 1 , an alkoxy group, a halogen atom, an oxygen atom or a nitrogen atom. As the alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, an isopropoxy group, etc. Examples of the compound (4) and the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. X is a methoxy group among these;
Ethoxy groups are preferably used.

【0016】mは0.1≦m≦1、好ましくは0.5≦
m≦1、nは0.1≦n≦1、好ましくは0.5≦n≦
1、pは0≦p≦0.5、好ましくは0≦p≦0.2で
あり、かつ1≦m+n+p≦2.5、好ましくは1.5
≦m+n+p≦2を満足する数であり、qは2≦q≦1
00,000、好ましくは10≦q≦10,000の範
囲の整数である。
M is 0.1 ≦ m ≦ 1, preferably 0.5 ≦ m
m ≦ 1, n is 0.1 ≦ n ≦ 1, preferably 0.5 ≦ n ≦
1, p is 0 ≦ p ≦ 0.5, preferably 0 ≦ p ≦ 0.2, and 1 ≦ m + n + p ≦ 2.5, preferably 1.5
≦ m + n + p ≦ 2, and q is 2 ≦ q ≦ 1
00,000, preferably an integer in the range of 10 ≦ q ≦ 10,000.

【0017】また、ケイ素原子に直接結合した水素原子
(Si−H基)を有するケイ素系高分子化合物は、側鎖
にSi−H基、主鎖にSi−O−Si結合をもつ下記一
般式(2)で表されるポリシロキサンが好適に用いられ
る。
Further, a silicon-based polymer compound having a hydrogen atom (Si-H group) directly bonded to a silicon atom has the following general formula having a Si-H group in a side chain and a Si-O-Si bond in a main chain. The polysiloxane represented by (2) is preferably used.

【0018】 (R3 a4 bcSiOde (2) 上記式中、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換もしくは
非置換の一価炭化水素基、アルコキシ基又はハロゲン原
子であり、R3とR4とは互いに同一であっても異なって
いてもよいが、上記一価炭化水素基としては、脂肪族、
脂環式又は芳香族一価炭化水素基が用いられる。脂肪族
又は脂環式一価炭化水素基としては、炭素数1〜12、
特に1〜6のものが好ましく、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
のシクロアルキル基等が挙げられる。芳香族一価炭化水
素基としては、炭素数6〜14、特に6〜10のものが
好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置
換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基として
は、上記に例示した非置換の一価炭化水素基の水素原子
の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ
基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばモノ
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、m−ジメチ
ルアミノフェニル基等が挙げられる。アルコキシ基とし
ては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ
基等の炭素数1〜4のものが好適であり、ハロゲン原子
としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が
挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が好適に用いら
れる。
[0018] In (R 3 a R 4 b H c SiO d) e (2) the above formulas, R 3, R 4 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, an alkoxy group or a halogen atom And R 3 and R 4 may be the same or different from each other, but as the monovalent hydrocarbon group, aliphatic,
An alicyclic or aromatic monovalent hydrocarbon group is used. As the aliphatic or alicyclic monovalent hydrocarbon group, C1 to C12,
Particularly, those having 1 to 6 are preferable, and examples thereof include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group and a hexyl group, and a cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. The aromatic monovalent hydrocarbon group preferably has 6 to 14 carbon atoms, particularly 6 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, and a benzyl group. As the substituted aliphatic, alicyclic or aromatic monovalent hydrocarbon group, a part or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted monovalent hydrocarbon group exemplified above may be a halogen atom, an alkoxy group, an amino group. And those substituted with an aminoalkyl group, such as a monofluoromethyl group, a trifluoromethyl group, and an m-dimethylaminophenyl group. As the alkoxy group, those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, and an isopropoxy group are preferable, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. And ethoxy groups are preferably used.

【0019】aは0.1≦a≦1、好ましくは0.5≦
a≦1、bは0.1≦b≦1、好ましくは0.5≦b≦
1、cは0.01≦c≦1、好ましくは0.1≦c≦1
であり、かつ1≦a+b+c≦2.5、好ましくは1≦
a+b+c≦2.2を満足する数である。dは1≦d≦
1.5である。eは2≦e≦100,000、好ましく
は10≦e≦10,000の範囲の整数である。
A is 0.1 ≦ a ≦ 1, preferably 0.5 ≦ a
a ≦ 1, b is 0.1 ≦ b ≦ 1, preferably 0.5 ≦ b ≦
1, c is 0.01 ≦ c ≦ 1, preferably 0.1 ≦ c ≦ 1
And 1 ≦ a + b + c ≦ 2.5, preferably 1 ≦
This is a number that satisfies a + b + c ≦ 2.2. d is 1 ≦ d ≦
1.5. e is an integer in the range of 2 ≦ e ≦ 100,000, preferably 10 ≦ e ≦ 10,000.

【0020】第1工程は、具体的には、還元性を有する
ケイ素系高分子化合物を有機溶剤に溶解させ、この中に
シリカ粉体を投入混合した後に有機溶剤を除くことで、
シリカの表面にケイ素系高分子化合物の層を形成するこ
とによって行うことができる。
In the first step, specifically, a silicon-based polymer having a reducing property is dissolved in an organic solvent, silica powder is added and mixed therein, and then the organic solvent is removed.
It can be performed by forming a layer of a silicon-based polymer compound on the surface of silica.

【0021】この工程において、ケイ素系高分子化合物
を溶解させる有機溶剤としては、例えばベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族系炭化水素溶剤、ヘキサン、
オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素溶剤、
テトラヒドロフラン、ジブチルエーテルなどのエーテル
系溶剤、酢酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリッ
クトリアミド等の非プロトン性極性溶媒や、ニトロメタ
ン、アセトニトリル等が好適に用いられる。
In this step, examples of the organic solvent in which the silicon-based polymer compound is dissolved include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene; hexane;
Octane, aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane,
Ether solvents such as tetrahydrofuran and dibutyl ether, esters such as ethyl acetate, aprotic polar solvents such as dimethylformamide, dimethylsulfoxide and hexamethylphosphoric triamide, nitromethane, acetonitrile and the like are preferably used.

【0022】ケイ素系高分子化合物含有溶液の濃度は、
0.01〜50%(重量%、以下同様)、好ましくは
0.01〜30%、より好ましくは1〜20%が好適で
あり、濃度が0.01%未満では大量の溶剤を使用する
ことになるのでコストが上昇し、50%を超えるような
濃度ではケイ素系高分子化合物を粉体表面全面に十分形
成できない場合が生じる。
The concentration of the solution containing the silicon-based polymer compound is as follows:
0.01 to 50% (% by weight, the same applies hereinafter), preferably 0.01 to 30%, more preferably 1 to 20%, and if the concentration is less than 0.01%, a large amount of solvent is used. When the concentration exceeds 50%, the silicon-based polymer compound may not be sufficiently formed on the entire surface of the powder.

【0023】粉体を有機溶剤に溶解したケイ素系高分子
化合物で処理する方法としては、ポリマーを溶剤に溶解
させて希釈した状態で粉体と混合し、このスラリーを容
器内で撹拌羽根を回転させ分散接触させる撹拌式、気流
中にこのスラリーを分散させ瞬時に乾燥させる噴霧式な
どが好適に採用できる。
As a method for treating a powder with a silicon-based polymer compound dissolved in an organic solvent, the polymer is dissolved in a solvent and mixed with the powder in a diluted state, and the slurry is rotated in a vessel by stirring blades in a vessel. A stirring method in which the slurry is dispersed and contacted, and a spray method in which the slurry is dispersed in an air stream and dried instantaneously, etc., can be suitably used.

【0024】上記処理工程では、温度を上げたり減圧に
することにより、有機溶媒を留去するが、通常は溶媒の
沸点以上の温度、具体的には1〜100mmHgという
減圧下で40〜200℃程度の温度で撹拌しながら乾燥
することが効果的である。
In the above treatment step, the organic solvent is distilled off by raising the temperature or reducing the pressure. Usually, the temperature is higher than the boiling point of the solvent, specifically 40 to 200 ° C. under a reduced pressure of 1 to 100 mmHg. It is effective to dry while stirring at about the temperature.

【0025】処理後は、しばらく乾燥雰囲気下、あるい
は減圧下で40〜200℃程度の温度で静置すること
で、溶剤が効果的に留去して処理粉体が乾燥し、ケイ素
系高分子化合物処理粉体を製造できる。
After the treatment, the solvent is effectively distilled off by leaving it to stand at a temperature of about 40 to 200 ° C. for a while in a dry atmosphere or under reduced pressure, whereby the treated powder is dried and the silicon-based polymer is dried. A compound-treated powder can be manufactured.

【0026】ケイ素系高分子化合物層の厚さは0.00
1〜1μm、望ましくは0.01〜0.1μmである。
0.001μmより薄いと、シリカを完全に覆うことが
できなくなるため、メッキが起こらない部分ができるお
それがある。また、厚すぎると、ケイ素系高分子化合物
の量が多くなって高価となる場合が生じる。
The thickness of the silicon-based polymer compound layer is 0.00
It is 1 to 1 μm, preferably 0.01 to 0.1 μm.
If the thickness is less than 0.001 μm, the silica cannot be completely covered, and there is a possibility that a portion where plating does not occur may be formed. On the other hand, if the thickness is too large, the amount of the silicon-based polymer compound may increase and the cost may increase.

【0027】なお、上記シリカ粉体は、ケイ素系高分子
化合物処理により疎水性となる。このため、金属塩を溶
解させる溶媒との親和性が低下し、液中に分散しないた
め、金属塩還元反応の効率が低下することがある。この
ことによって起こる金属塩還元反応の効率の低下は、界
面活性剤を添加して向上させることができる。界面活性
剤としては、発泡を起こさず表面張力のみを下げるもの
が望ましく、サーフィノール104,420,504
(日信化学工業(株)製)等の非イオン界面活性剤を好
適に用いることができる。
The silica powder becomes hydrophobic by the treatment with a silicon-based polymer compound. For this reason, the affinity for the solvent in which the metal salt is dissolved decreases, and the metal salt does not disperse in the liquid, so that the efficiency of the metal salt reduction reaction may decrease. The reduction in the efficiency of the metal salt reduction reaction caused by this can be improved by adding a surfactant. As the surfactant, those which lower only the surface tension without causing foaming are desirable. Surfynol 104, 420, 504
(Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) and other nonionic surfactants can be suitably used.

【0028】次に、第2工程は、上記第1工程で得られ
たシリカ表面にケイ素系高分子化合物層が形成された粉
体を標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金
属塩を含む溶液で処理し、ケイ素系高分子化合物層上に
該金属コロイドを析出させる工程である。これは、ケイ
素系高分子化合物処理粉体の表面を金属塩を含む溶液と
接触させるもので、この処理では、ケイ素系高分子化合
物の還元作用により、金属コロイドがケイ素系高分子化
合物の被膜表面に形成され、金属被膜が形成されるもの
である。
Next, in the second step, the powder obtained by forming the silicon-based polymer compound layer on the silica surface obtained in the first step is mixed with a metal salt comprising a metal having a standard oxidation-reduction potential of 0.54 V or more. This is a step of precipitating the metal colloid on the silicon-based polymer compound layer by treating with a solution containing the metal colloid. In this treatment, the surface of the silicon-based polymer compound-treated powder is brought into contact with a solution containing a metal salt. And a metal film is formed.

【0029】ここで、標準酸化還元電位0.54V以上
の金属の塩として、より具体的には、金(標準酸化還元
電位1.50V)、パラジウム(標準酸化還元電位0.
99V)、銀(標準酸化還元電位0.80V)等の塩が
好適に用いられる。なお、標準酸化還元電位が0.54
Vより低い銅(標準酸化還元電位0.34V)、ニッケ
ル(標準酸化還元電位0.25V)等の塩では、ケイ素
系高分子化合物で還元し難い。
Here, as a metal salt having a standard oxidation-reduction potential of 0.54 V or more, more specifically, gold (standard oxidation-reduction potential 1.50 V), palladium (standard oxidation-reduction potential 0.1 V).
99V), silver (standard oxidation-reduction potential 0.80V) and the like are preferably used. The standard oxidation-reduction potential is 0.54
Salts such as copper (standard oxidation-reduction potential 0.34 V) and nickel (standard oxidation-reduction potential 0.25 V) lower than V are not easily reduced by the silicon-based polymer compound.

【0030】金塩としては、Au+又はAu3+を含んで
なるもので、具体的には、NaAuCl4、NaAu
(CN)2、NaAu(CN)4等が例示される。パラジ
ウム塩としては、Pd2+を含んでなるもので、通常Pd
−Z2の形で表すことができる。Zは、Cl、Br、I
等のハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、
アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレー
ト、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等の塩で
ある。具体的には、PdCl2、PdBr2、PdI 2
Pd(OCOCH32、Pd(OCOCF32、PdS
4、Pd(NO32、PdO等が例示される。銀塩と
しては、溶剤に溶解し、Ag+を生成させ得るもので、
通常Ag−Z(Zはパークロレート、ボレート、ホスフ
ェート、スルフォネート等の塩とすることができる)の
形で表すことができる。具体的には、AgBF4、Ag
ClO4、AgPF6、AgBPh4、Ag(CF3
3)、AgNO3等が例示される。
As the gold salt, Au+Or Au3+Including
Specifically, NaAuClFour, NaAu
(CN)Two, NaAu (CN)FourEtc. are exemplified. Paraj
Pum2+And usually comprises Pd
-ZTwoCan be expressed in the form Z is Cl, Br, I
Such as halogen, acetate, trifluoroacetate,
Acetylacetonate, carbonate, perchlore
, Nitrate, sulfate, and oxide salts
is there. Specifically, PdClTwo, PdBrTwo, PdI Two,
Pd (OCOCHThree)Two, Pd (OCOCFThree)Two, PdS
OFour, Pd (NOThree)Two, PdO, and the like. With silver salt
Then, dissolved in a solvent, Ag+Can be generated,
Usually Ag-Z (Z is perchlorate, borate, phosphine
Salts such as sulfates and sulfonates)
It can be represented by a shape. Specifically, AgBFFour, Ag
ClOFour, AgPF6, AgBPhFour, Ag (CFThreeS
OThree), AgNOThreeEtc. are exemplified.

【0031】ここで、ケイ素系ポリマーを溶解させる溶
媒としては、水や、アセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶
媒などが挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
As the solvent for dissolving the silicon-based polymer, water, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, alcohols such as methanol and ethanol,
Examples include aprotic polar solvents such as dimethylformamide, dimethylsulfoxide, and hexamethylphosphoric triamide. Among them, water is preferably used.

【0032】金属塩の濃度は、塩を溶解させる溶媒によ
って異なるが、0.01%〜塩の飽和溶液までが好まし
い。濃度が0.01%未満では、メッキ触媒の効果が十
分でない場合があり、飽和溶液を超えると、固体塩の析
出がある場合があり、好ましくない。なお、溶媒が水の
場合は、金属塩の濃度が0.01〜20%、特に0.1
〜5%の範囲であることが好ましい。上記ケイ素系高分
子化合物処理粉体を室温〜70℃の温度で0.1〜12
0分、より好ましくは1〜15分程度、金属塩溶液に浸
漬すればよい。これにより、金属コロイド処理粉体が製
造できる。
The concentration of the metal salt varies depending on the solvent in which the salt is dissolved, but is preferably from 0.01% to a saturated solution of the salt. If the concentration is less than 0.01%, the effect of the plating catalyst may not be sufficient, and if the concentration exceeds the saturated solution, solid salts may precipitate, which is not preferable. When the solvent is water, the concentration of the metal salt is 0.01 to 20%, especially 0.1 to 20%.
It is preferably in the range of 5% to 5%. The silicon-based polymer compound-treated powder is treated at a temperature of room temperature to 70 ° C. for 0.1 to 12 hours.
It may be immersed in the metal salt solution for 0 minute, more preferably for about 1 to 15 minutes. Thereby, a metal colloid-treated powder can be manufactured.

【0033】なお、この第2工程は、まずケイ素系高分
子化合物処理粉体を、水で希釈した界面活性剤と接触さ
せ、次いで上記金属塩を含む溶液と接触させることが好
ましく、これによりシリカ表面が第1工程のケイ素系高
分子化合物処理により疎水性となることで、金属塩を溶
解させる溶媒との親和性が低下し、液中に分散し難くな
って金属塩還元反応の効率が低下するのを防止すること
ができ、ケイ素系高分子化合物処理粉体を金属塩を含む
溶液に短時間で簡単に分散させることができる。
In the second step, it is preferable that the powder treated with the silicon-based polymer compound is first brought into contact with a surfactant diluted with water, and then with a solution containing the metal salt. Since the surface becomes hydrophobic by the treatment with the silicon-based polymer compound in the first step, the affinity with the solvent for dissolving the metal salt is reduced, and it is difficult to disperse in the liquid, and the efficiency of the metal salt reduction reaction is reduced. And the silicon-based polymer compound-treated powder can be easily dispersed in a solution containing a metal salt in a short time.

【0034】ここで、界面活性剤としては、陰イオン界
面活性剤、陽イオン界面活性剤、両イオン界面活性剤、
非イオン界面活性剤を用いることができる。
Here, the surfactant includes an anionic surfactant, a cationic surfactant, a zwitterionic surfactant,
Nonionic surfactants can be used.

【0035】陰イオン界面活性剤としては、スルホン酸
塩系、硫酸エステル塩系、カルボン酸塩系、リン酸エス
テル塩系を用いることができる。また、陽イオン界面活
性剤としては、アンモニウム塩系、アルキルアミン塩
系、ピリジニウム塩系を用いることができる。両イオン
界面活性剤としては、ベタイン系、アミノカルボン酸
系、アミンオキシド系、非イオン界面活性剤としては、
エーテル系、エステル系、シリコーン系を用いることが
できる。
As the anionic surfactant, a sulfonate type, a sulfate type, a carboxylate type and a phosphate type can be used. As the cationic surfactant, an ammonium salt, an alkylamine salt, and a pyridinium salt can be used. As amphoteric surfactants, betaine-based, aminocarboxylic acid-based, amine oxide-based, and nonionic surfactants include:
Ether type, ester type and silicone type can be used.

【0036】より具体的に陰イオン界面活性剤として
は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、スルフォコハク酸
エステル、ポリオキシエチレン硫酸アルキル塩、アルキ
ルリン酸エステル、長鎖脂肪酸セッケン等を用いること
ができる。また、陽イオン界面活性剤としては、塩化ア
ルキルトリメチルアンモニウム塩、塩化ジアルキルジメ
チルアンモニウム塩、塩化アルキルピリジニウム塩等を
用いることができる。両イオン界面活性剤としては、ベ
タイン系スルホン酸塩、ベタイン系アミノカルボン酸ア
ミン塩を用いることができる。非イオン界面活性剤とし
ては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキ
シエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性
ポリシロキサン等を用いることができる。また、市販さ
れているこのような界面活性剤を混合した水溶液、例え
ば商品名ママレモン(ライオン(株)製)などを利用す
ることもできる。
More specifically, as the anionic surfactant, an alkylbenzene sulfonate, a sulfosuccinate, an alkyl polyoxyethylene sulfate, an alkyl phosphate, a long-chain fatty acid soap and the like can be used. Further, as the cationic surfactant, an alkyltrimethylammonium chloride salt, a dialkyldimethylammonium chloride salt, an alkylpyridinium chloride salt or the like can be used. As the amphoteric surfactant, betaine-based sulfonic acid salts and betaine-based aminocarboxylic acid amine salts can be used. As the nonionic surfactant, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyalkylene-modified polysiloxane and the like can be used. Further, a commercially available aqueous solution obtained by mixing such a surfactant, for example, Mama Lemon (trade name, manufactured by Lion Corporation) can also be used.

【0037】なお、必要によっては、上記したような界
面活性剤を金属塩溶液100重量部に対して0.000
1〜10重量部、特に0.001〜1重量部、とりわけ
0.01〜0.5重量部の範囲で使用することができ
る。
If necessary, the above surfactant may be added in an amount of 0.000 to 100 parts by weight of the metal salt solution.
It can be used in the range of 1 to 10 parts by weight, particularly 0.001 to 1 part by weight, especially 0.01 to 0.5 part by weight.

【0038】また、上記金属塩処理後は、金属塩を含ま
ない上記と同様の溶剤で処理し、粉体に担持されなかっ
た不要な金属塩を除き、最後にこの粉体から不要な溶媒
を乾燥除去することができる。乾燥は、通常0〜150
℃で常圧又は減圧下で行うのが好ましい。
After the metal salt treatment, the powder is treated with the same solvent containing no metal salt as described above to remove the unnecessary metal salt not supported on the powder, and finally remove the unnecessary solvent from the powder. It can be dried and removed. Drying is usually 0-150
It is preferably carried out at a normal pressure or a reduced pressure at a temperature of ° C.

【0039】第3工程は、表面に上記金属コロイドが付
着された粉体にこの金属コロイドを触媒として無電解ニ
ッケルメッキを行い、上記ケイ素系高分子化合物層表面
に金属ニッケル層を形成する工程である。
The third step is a step of performing electroless nickel plating on the powder having the metal colloid adhered to the surface thereof using the metal colloid as a catalyst to form a metal nickel layer on the surface of the silicon-based polymer compound layer. is there.

【0040】この無電解ニッケルメッキ液は、通常、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル等の水溶性ニッケル金属塩、
次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナト
リウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレンジアミ
ンや酒石酸ナトリウムカリウムのような錯化剤などを含
み、市販品を用いることができる。
This electroless nickel plating solution is usually a water-soluble nickel metal salt such as nickel sulfate and nickel chloride,
Commercial products can be used, including reducing agents such as sodium hypophosphite, hydrazine and sodium borohydride, complexing agents such as sodium acetate, phenylenediamine and sodium potassium tartrate.

【0041】無電解ニッケルメッキ法としては、常法に
従い、無電解メッキ液中に粉体を投入してメッキを行う
バッチ法か、水に分散させた粉体にメッキ液を滴下する
滴下法を採用し得る(導電性フィラーの開発と応用,p
182,技術情報協会,1994年)。いずれの方法で
も、メッキ速度をコントロールすることで、凝集を防ぎ
密着性のよい均一な被膜を得ようとすることに変わりは
ないが、しかし、こうしたニッケル被覆シリカを得るこ
とが困難な場合がある。これは、比表面積の高い粉体
は、本来、メッキ反応が非常に活発になり、急激に始ま
りコントロールできなくなる一方、メッキの開始が雰囲
気の酸素の影響を受けてしばしば遅れるためニッケルメ
ッキに時間がかかり、均一にメッキされた粉体が得にく
いからである。
As the electroless nickel plating method, according to a conventional method, a batch method in which powder is charged into an electroless plating solution and plating is performed, or a dropping method in which a plating solution is dropped on powder dispersed in water, is used. Possible (Development and application of conductive filler, p
182, Technical Information Association, 1994). In any method, by controlling the plating rate, there is no change in trying to prevent agglomeration and obtain a uniform film with good adhesion, but it is sometimes difficult to obtain such nickel-coated silica. . This is because powders with a high specific surface area are inherently very active in the plating reaction and begin to suddenly become uncontrollable, whereas the start of plating is often delayed by the effect of oxygen in the atmosphere, so nickel plating takes time. This is because it is difficult to obtain uniformly plated powder.

【0042】このため、シリカのニッケルメッキを以下
の方法で行うことが好ましい。即ち、ニッケルメッキ液
を還元剤、pH調整剤、錯化剤などを含有した水溶液と
ニッケル塩水溶液に分離する。シリカは、還元剤、pH
調整剤、錯化剤などを含有した水溶液に分散し、ニッケ
ルメッキの最適な温度に保温しておく。これにニッケル
塩水溶液を気体と同伴させて、シリカの分散した還元剤
含有水溶液に加えることが、凝集のないニッケル被覆シ
リカを得るために非常に効果的であることを見出したも
のである。ニッケル塩水溶液は、気体により還元剤、p
H調整剤、錯化剤などを含有した水溶液中で速やかに均
一に分散され、粉体表面はニッケルメッキ化される。
For this reason, it is preferable to perform nickel plating of silica by the following method. That is, the nickel plating solution is separated into an aqueous solution containing a reducing agent, a pH adjusting agent, a complexing agent, and the like and a nickel salt aqueous solution. Silica is a reducing agent, pH
Disperse in an aqueous solution containing an adjusting agent, a complexing agent, etc., and keep the temperature at the optimal temperature for nickel plating. It has been found that adding an aqueous nickel salt solution to a gas and adding it to an aqueous solution containing a reducing agent in which silica is dispersed is very effective for obtaining a nickel-coated silica without aggregation. The nickel salt aqueous solution is converted into a reducing agent by gas, p
It is quickly and uniformly dispersed in an aqueous solution containing an H adjuster, a complexing agent, and the like, and the powder surface is nickel-plated.

【0043】気体の導入は、しばしば発泡によるメッキ
の効率の低下をもたらすが、これは、消泡性界面活性剤
を添加して防止することができる。界面活性剤として
は、消泡作用をもち、表面張力を下げるものが望まし
く、KS−538(信越化学工業(株)製)等のポリエ
ーテル変性シリコーン系界面活性剤を好適に用いること
ができる。
The introduction of gas often results in reduced plating efficiency due to foaming, which can be prevented by adding antifoaming surfactants. As the surfactant, one having an antifoaming action and lowering the surface tension is desirable, and a polyether-modified silicone-based surfactant such as KS-538 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be suitably used.

【0044】無電解ニッケルメッキにおいては、メッキ
液中の酸素濃度がニッケルの析出に影響を及ぼす。溶存
酸素の量が多いと、メッキ触媒の核となるコロイド状パ
ラジウムがパラジウムカチオンに酸化され、液中に溶出
したり、一度析出したニッケル表面が酸化されたりし
て、ニッケルの析出が抑制される。逆に、溶存酸素の量
が少ないと、メッキ液の安定性が低下し、シリカ以外の
場所にもニッケルの析出が起こりやすくなり、微細なニ
ッケル粉の生成やこぶ状の析出物の生成が起こる。この
ため、メッキ液中の溶存酸素の量を1〜20ppmの間
に管理することが好ましい。20ppmを超えると、メ
ッキ速度の低下と未メッキ部の発生が認められるおそれ
があり、1ppmより少ないと、こぶ状析出物の発生が
認められる場合がある。
In electroless nickel plating, the oxygen concentration in the plating solution affects nickel deposition. When the amount of dissolved oxygen is large, colloidal palladium, which is the nucleus of the plating catalyst, is oxidized to palladium cation and elutes in the solution, or the nickel surface once deposited is oxidized, thereby suppressing nickel deposition. . Conversely, if the amount of dissolved oxygen is small, the stability of the plating solution is reduced, nickel is easily deposited in places other than silica, and the formation of fine nickel powder and the formation of bumpy precipitates occur. . For this reason, it is preferable to control the amount of dissolved oxygen in the plating solution between 1 and 20 ppm. If it exceeds 20 ppm, a reduction in plating rate and generation of unplated portions may be recognized, and if it is less than 1 ppm, generation of bump-like precipitates may be recognized.

【0045】このために、気体は、空気のような含酸素
気体とアルゴンや窒素のような不活性気体を混合して用
いるのがよい。粉体のメッキにおいては、しばしばメッ
キの開始が遅いが、一度メッキが開始されれば反応が暴
走するという現象を起こすことがあるので、これを防止
するために、例えば窒素を最初に用い、ニッケルメッキ
反応が開始するのを確認後、空気に切り替えるというこ
とを行うことも効果的である。メッキ温度は35〜12
0℃、接触時間は1分〜16時間が好適に用いられる。
より望ましくは40〜85℃で10〜60分で処理され
る。
For this purpose, it is preferable to use a mixture of an oxygen-containing gas such as air and an inert gas such as argon or nitrogen. In the case of powder plating, the start of plating is often slow, but once plating is started, the reaction may run away. It is also effective to switch to air after confirming that the plating reaction has started. Plating temperature is 35-12
A temperature of 0 ° C. and a contact time of 1 minute to 16 hours are suitably used.
More desirably, the treatment is performed at 40 to 85 ° C. for 10 to 60 minutes.

【0046】第4工程は、上記無電解ニッケルメッキ
後、金メッキを行って、上記ニッケル層上に金メッキ層
を形成する工程である。
The fourth step is a step of forming a gold plating layer on the nickel layer by performing gold plating after the electroless nickel plating.

【0047】この場合、金メッキ液としては、電気メッ
キ液でも無電解メッキ液でもよく、公知の組成のものあ
るいは市販品を用いることができるが、無電解金メッキ
液が好ましい。金メッキ方法としては、上述した常法に
従って行うことができる。このとき、ニッケルの酸化さ
れて不動態化した表面を希酸で除き、金メッキを行うこ
とは効果的である。メッキ温度、接触時間は、ニッケル
メッキの場合と同じである。
In this case, an electroplating solution or an electroless plating solution may be used as the gold plating solution, and a known composition or a commercially available product can be used, but an electroless gold plating solution is preferable. The gold plating method can be performed according to the above-described ordinary method. At this time, it is effective to remove the oxidized and passivated surface of nickel with dilute acid and perform gold plating. The plating temperature and contact time are the same as in the case of nickel plating.

【0048】また、メッキの最後に、不要な界面活性剤
を除くため、水洗を行うとよい。
At the end of plating, it is preferable to wash with water in order to remove unnecessary surfactants.

【0049】こうして得られたシリカは、シリカ−ケイ
素系高分子化合物−ニッケル−金という4層構造をもつ
導電性シリカである。
The silica thus obtained is a conductive silica having a four-layer structure of silica-silicon polymer compound-nickel-gold.

【0050】ニッケル層の厚さは0.01〜10μm、
望ましくは0.1〜2μmである。0.01μmより薄
いと、シリカを完全に覆い、かつ十分な硬度や強度が得
られにくくなる場合が生じる。また、10μmより厚い
と、ニッケルの量が多くなり、かつ比重が高くなるた
め、配合時に高価となる。
The thickness of the nickel layer is 0.01 to 10 μm,
Desirably, the thickness is 0.1 to 2 μm. If the thickness is less than 0.01 μm, the silica may be completely covered, and it may be difficult to obtain sufficient hardness and strength. On the other hand, when the thickness is more than 10 μm, the amount of nickel increases and the specific gravity increases, so that the cost becomes high at the time of compounding.

【0051】金層の厚さは0.001〜1μm、望まし
くは0.01〜0.1μmである。0.001μm未満
では、抵抗率が高くなるため、配合時に十分導電性が得
られにくくなるおそれがあり、また、1μmを超える
と、金の量が多くなって高価となる。
The thickness of the gold layer is 0.001 to 1 μm, preferably 0.01 to 0.1 μm. If it is less than 0.001 μm, the resistivity becomes high, so that sufficient conductivity may not be obtained at the time of compounding. If it exceeds 1 μm, the amount of gold increases and the cost becomes high.

【0052】最後に、この導電性シリカを還元性気体存
在下に200℃以上の温度で熱処理することが望まし
い。処理条件は、通常200〜900℃、処理時間は1
分〜24時間が好適に用いられる。より望ましくは25
0〜500℃で処理時間は30分〜4時間行うのがよ
い。これにより、粉体と金属間にあるケイ素系高分子化
合物はセラミックに変化させられ、より高い耐熱性と絶
縁性と密着性をもつことになる。このときの雰囲気を水
素のような還元系で行うことにより、金属中の酸化物を
減少させ、ケイ素系高分子化合物を安定な構造に変える
ことで、シリカと金属が強固に結合し、高い導電性を示
す粉体を得ることができる。
Finally, it is desirable to heat-treat the conductive silica at a temperature of 200 ° C. or higher in the presence of a reducing gas. The processing conditions are usually 200 to 900 ° C, and the processing time is 1
Minutes to 24 hours are preferably used. More preferably 25
The treatment is preferably performed at 0 to 500 ° C. for 30 minutes to 4 hours. As a result, the silicon-based polymer compound between the powder and the metal is changed into a ceramic, and has higher heat resistance, insulation and adhesion. The atmosphere at this time is reduced with a reducing system such as hydrogen to reduce the oxides in the metal and change the silicon-based polymer compound into a stable structure, whereby the silica and the metal are firmly bonded to each other and have a high conductivity. A powder exhibiting properties can be obtained.

【0053】なお、このように水素還元系雰囲気で熱処
理すると、ケイ素系高分子化合物は主として炭化ケイ素
のセラミックを得ることができる。
When the heat treatment is performed in the hydrogen-reducing atmosphere as described above, the silicon-based polymer compound can mainly obtain a silicon carbide ceramic.

【0054】即ち、上記高温処理により、粉体と金属間
にあるケイ素系ポリマーが部分的又は全部がセラミック
に変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性をもつこと
になる。
That is, due to the high-temperature treatment, the silicon-based polymer between the powder and the metal is partially or entirely changed to ceramic, and has higher heat resistance, insulation and adhesion.

【0055】本発明の導電性シリカは、導電性フィラー
等として好適に使用され、例えばシリコーンゴム組成物
などのゴム組成物や樹脂組成物に配合することにより、
高い導電性を付与することができる。
The conductive silica of the present invention is suitably used as a conductive filler or the like. For example, by being mixed with a rubber composition such as a silicone rubber composition or a resin composition,
High conductivity can be provided.

【0056】[0056]

【発明の効果】本発明によれば、安価で簡便な工程によ
り、凝集のないシリカ−ケイ素系高分子化合物−ニッケ
ル−金という4層構造をもつ導電性シリカを得ることが
できる。この導電性シリカは、優れた導電性と耐熱性を
もち、導電性ゴム成形体等の製造材料として広い応用を
もっている。
According to the present invention, conductive silica having a four-layer structure of silica-silicon-based polymer compound-nickel-gold having no aggregation can be obtained by an inexpensive and simple process. This conductive silica has excellent conductivity and heat resistance, and has wide application as a material for producing a conductive rubber molded article or the like.

【0057】[0057]

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0058】〔合成例〕フェニルポリシラン(以下、PPHSと略記する)の製
アルゴン置換したフラスコ内に、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジクロロジルコノセンにメチルリチウムのジエ
チルエーテル溶液を添加することで、系内で触媒である
ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコノセンを
調製した。これにフェニルシランを触媒の50倍モル添
加し、150℃で24時間加熱撹拌を行った。この後、
モレキュラーシーブスを添加濾過することにより、触媒
を除去したところ、ほぼ定量的に重量平均分子量2,6
00のPPHSの固体を得た。
[Synthesis Example] Production of phenylpolysilane (hereinafter abbreviated as PPHS)
Bis (cyclopentadienyl) dimethylzirconocene was prepared as a catalyst in the system by adding a diethyl ether solution of methyllithium to bis (cyclopentadienyl) dichlorozirconocene in a flask purged with argon. To this was added 50 times the molar amount of phenylsilane as a catalyst, and the mixture was heated and stirred at 150 ° C. for 24 hours. After this,
When the catalyst was removed by adding molecular sieves and filtering, the weight average molecular weight was 2,6 almost quantitatively.
A PPHS solid of 00 was obtained.

【0059】〔実施例〕PPHS処理球状シリカの製造 粉体として、球状シリカUS−10(三菱レーヨン
(株)製;平均粒径10μm)を用いた。PPHS5g
をトルエン65gに溶解させ、この溶液をUS−10
100gに加え、1時間撹拌し、スラリーにした。ロー
タリーエバポレーターにて、80℃の温度,45mmH
gの圧力でトルエンを65g留去させ、乾燥させたとこ
ろ、PPHS処理球状シリカが得られた。このPPHS
処理球状シリカは、最後にローラー等により解砕され
た。
[Example] Spherical silica US-10 (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd .; average particle size: 10 μm) was used as a powder for producing PPHS-treated spherical silica . PPHS5g
Was dissolved in 65 g of toluene.
100 g, and stirred for 1 hour to form a slurry. Using a rotary evaporator, at a temperature of 80 ° C., 45 mmH
When 65 g of toluene was distilled off at a pressure of g and dried, PPHS-treated spherical silica was obtained. This PPHS
The treated spherical silica was finally crushed by a roller or the like.

【0060】パラジウムコロイド析出シリカの製造 PPHS処理球状シリカは疎水化され、水に投入すると
水表面に浮くようになる。界面活性剤としてサーフィノ
ール504(日信化学工業(株)製界面活性剤)の0.
5%水溶液50gに、合成例で得られたPPHS処理球
状シリカ100gを投入し、撹拌したところ、5分程度
の短時間で分散した。パラジウム処理は、上記シリカ−
水分散体150gに対し、1%PdCl2水溶液を70
g(塩化パラジウムとして0.7g、パラジウムとして
0.4g)添加して、30分撹拌後、濾過し、水洗し
た。これらの処理により、シリカ表面はパラジウムコロ
イドが付着した黒灰色に着色したパラジウムコロイド析
出シリカが得られた。このシリカは濾過により単離し、
水洗後、直ちにメッキ化を行った。
Production of Palladium Colloidal Precipitated Silica PPHS-treated spherical silica is hydrophobized and, when poured into water, floats on the water surface. Surfynol 504 (surfactant manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) as surfactant.
100 g of the PPHS-treated spherical silica obtained in the synthesis example was added to 50 g of a 5% aqueous solution, and the mixture was dispersed in a short time of about 5 minutes when stirred. The palladium treatment is performed using the silica-
1% PdCl 2 aqueous solution was added to 70 g of the aqueous dispersion at 70 g.
g (0.7 g as palladium chloride, 0.4 g as palladium), stirred for 30 minutes, filtered, and washed with water. As a result of these treatments, palladium colloid-precipitated silica was obtained, which was colored black-gray and had the silica surface adhered with palladium colloid. The silica is isolated by filtration,
Immediately after washing, plating was performed.

【0061】パラジウムコロイド析出シリカのニッケル
メッキ化 ニッケルメッキ用還元液として、イオン交換水で希釈し
た次亜リン酸ナトリウム2.0M、酢酸ナトリウム1.
0M、グリシン0.5Mの混合溶液100gを用いた。
パラジウムコロイド析出シリカをKS−538(信越化
学工業(株)製消泡剤)0.5gと共にニッケルメッキ
還元液中に分散させた。激しく撹拌しながら液温を室温
から65℃に上げた。イオン交換水で希釈した水酸化ナ
トリウム2.0Mを空気ガスにより同伴させながら滴下
し、同時にイオン交換水で希釈した硫酸ニッケル1.0
Mを窒素ガスにより同伴させながら、還元液中に滴下し
た。これにより、細かい発泡と共にシリカが黒色とな
り、シリカ表面に金属ニッケルが析出した。このシリカ
は、全面に金属ニッケルが析出しており、凝集もこぶ状
物の生成もみられなかった。
Nickel in silica deposited with palladium colloid
As a nickel-plating reducing solution, 2.0 M sodium hypophosphite and sodium acetate diluted with ion-exchanged water were used.
100 g of a mixed solution of 0 M and glycine 0.5 M was used.
The palladium colloid precipitated silica was dispersed in a nickel plating reducing solution together with 0.5 g of KS-538 (antifoaming agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). The liquid temperature was raised from room temperature to 65 ° C. with vigorous stirring. 2.0 M of sodium hydroxide diluted with ion-exchanged water was added dropwise while being accompanied by air gas, and at the same time, nickel sulfate 1.0 M diluted with ion-exchanged water was added.
M was added dropwise to the reducing solution while being accompanied by nitrogen gas. As a result, the silica became black with fine foaming, and metallic nickel precipitated on the silica surface. In this silica, metallic nickel was precipitated on the entire surface, and neither aggregation nor formation of bumps was observed.

【0062】ニッケルメッキシリカの金メッキ化 金メッキ液として高純度化学研究所製金メッキ液K−2
4N100gを希釈せず用いた。全面に金属ニッケルが
析出したシリカを金メッキ液中に分散させた。激しく撹
拌しながら液温を室温から95℃に上げると、細かい発
泡と共にシリカが金色となり、シリカ表面に金が析出し
た。
[0062] Kojundo Chemical Laboratory Ltd. gold plating solution K-2 as a gold reduction gold plating solution of nickel plated silica
100 g of 4N was used without dilution. Silica in which metallic nickel was precipitated on the entire surface was dispersed in a gold plating solution. When the liquid temperature was raised from room temperature to 95 ° C. with vigorous stirring, the silica became golden with fine bubbles, and gold precipitated on the silica surface.

【0063】メッキ水底に沈殿したシリカは、濾過、水
洗、乾燥(50℃で30分)の後、水素で置換された電
気炉で300℃で1時間焼成した。実体顕微鏡観察によ
り、シリカ全表面が金により覆われたシリカが得られて
いることがわかった。このシリカは、IPC分析によ
り、パラジウム、ニッケル、金が検出された。
The silica precipitated on the bottom of the plating water was filtered, washed with water, dried (30 minutes at 50 ° C.), and then fired at 300 ° C. for 1 hour in an electric furnace replaced with hydrogen. Observation with a stereomicroscope revealed that silica in which the entire surface of the silica was covered with gold was obtained. In this silica, palladium, nickel and gold were detected by IPC analysis.

【0064】シリカ−ケイ素系高分子化合物−ニッケル
−金構造をもつ導電性シリカの同定 金メッキシリカは、エポキシ樹脂(アラルダイトA/
B)に混合後、硬化させ、その切片を電子顕微鏡にて観
察したところ、シリカ部と複相メッキ部の2層構造が確
認された。
Silica-silicon polymer compound-nickel
-Identification of conductive silica having a gold structure Gold-plated silica is an epoxy resin (Araldite A /
After mixing in B), the mixture was cured, and the section was observed with an electron microscope. As a result, a two-layer structure of a silica portion and a multi-phase plating portion was confirmed.

【0065】また、この金メッキシリカを、オージェ電
子分光分析により、表面をイオンエッチングしながら深
さ方向に存在する構成元素を分析したところ、深さ方向
に金層、ニッケル層、ケイ素系高分子化合物層(炭素と
ケイ素含有層)、シリカ層の4層構造を形成しているこ
とが明らかとなった。顕微鏡により観察した外観は黄
色、比重は3.5で、各層の厚みは、金層0.03μ
m、ニッケル層0.25μm、ケイ素系高分子化合物層
0.1μmであった。
When the gold-plated silica was analyzed by Auger electron spectroscopy for the constituent elements existing in the depth direction while ion-etching the surface, a gold layer, a nickel layer, and a silicon-based polymer compound were measured in the depth direction. It became clear that a four-layer structure of a layer (a layer containing carbon and silicon) and a silica layer was formed. The appearance observed under a microscope was yellow, the specific gravity was 3.5, and the thickness of each layer was 0.03 μm of a gold layer.
m, the nickel layer was 0.25 μm, and the silicon-based polymer compound layer was 0.1 μm.

【0066】シリカ−ケイ素系高分子化合物−ニッケル
−金構造をもつ導電性シリカの特性 金メッキシリカの抵抗率は、4端子をもつ円筒状のセル
に金メッキシリカを充填し、両末端の面積0.2cm2
の端子からSMU−257(ケースレ社製電流源)より
1〜10mAの電流を流し、円筒の中央部に0.2cm
離して設置した端子から2000型ケースレ社製ナノボ
ルトメーターで電圧降下を測定することで求めた。抵抗
率は2.2mΩ・cmであった。このシリカを乳鉢に入
れ、1分間すり潰し、熱処理(200℃,4時間)後の
変化を調べたところ、外観、抵抗率の変化はなかった。
Silica-silicon polymer compound-nickel
-Characteristics of conductive silica having a gold structure The resistivity of gold-plated silica is such that a cylindrical cell having four terminals is filled with gold-plated silica, and the area of both ends is 0.2 cm 2.
A current of 1 to 10 mA flows from an SMU-257 (a current source manufactured by Keithle Co.) from the terminal of
The voltage was measured by measuring the voltage drop from a terminal that was set apart and using a nanovolt meter manufactured by Keithley Model 2000. The resistivity was 2.2 mΩ · cm. This silica was put in a mortar, crushed for 1 minute, and examined for changes after heat treatment (200 ° C., 4 hours). As a result, there was no change in appearance and resistivity.

【0067】なお、パラジウムコロイド析出シリカのニ
ッケルメッキ化工程において、窒素ガス、空気ガスを一
切用いず、反応を行ったところ、凝集とこぶ状物の生成
がみられた。抵抗率は初期は3.2mΩ・cmであっ
た。このシリカを乳鉢に入れ、1分間すり潰し、熱処理
(200℃,4時間)後の変化を調べたところ、金属の
剥離が起こり、外観は褐色になり、抵抗率も75mΩ・
cmへと上昇した。
When the reaction was carried out without using any nitrogen gas or air gas in the nickel plating step of the palladium colloid-precipitated silica, aggregation and formation of bumps were observed. Initially, the resistivity was 3.2 mΩ · cm. This silica was put in a mortar, crushed for 1 minute, and the change after heat treatment (200 ° C., 4 hours) was examined. Metal peeling occurred, the appearance became brown, and the resistivity was 75 mΩ ·
cm.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 1/24 H01B 1/24 Z Fターム(参考) 4G072 AA25 AA38 AA41 BB05 BB07 DD02 DD03 DD04 DD05 GG01 GG03 HH14 HH28 LL11 LL13 LL14 LL15 MM02 MM31 QQ06 QQ09 UU07 UU08 4G075 AA24 AA27 AA30 BA06 CA02 CA51 CA54 CA65 4K018 BA01 BA04 BA20 BC22 BC26 BC30 4K022 AA05 AA41 BA14 CA06 CA09 CA20 CA21 CA22 DA01 EA04 5G301 AB08 DA03 DA05 DA10 DA11 DA36 DA60 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01B 1/24 H01B 1/24 Z F term (Reference) 4G072 AA25 AA38 AA41 BB05 BB07 DD02 DD03 DD04 DD05 GG01 GG03 HH14 HH28 LL11 LL13 LL14 LL15 MM02 MM31 QQ06 QQ09 UU07 UU08 4G075 AA24 AA27 AA30 BA06 CA02 CA51 CA54 CA65 4K018 BA01 BA04 BA20 BC22 BC26 BC30 4K022 AA05 AA41 BA14 CA06 CA09 CA20 CA21 CA22 DA01 DA03 DA03 DA05 DA03 DA03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シリカ表面上にケイ素系高分子化合物
層、ニッケル層及び金層が順次形成されてなることを特
徴とする導電性シリカ。
1. A conductive silica comprising a silica-based polymer compound layer, a nickel layer and a gold layer sequentially formed on a silica surface.
【請求項2】 シリカ表面上にケイ素系高分子化合物が
部分的又は全部がセラミック化した層、ニッケル層及び
金層が順次形成されてなることを特徴とする導電性シリ
カ。
2. A conductive silica comprising a silica surface, and a layer in which a silicon-based polymer compound is partially or entirely ceramicized, a nickel layer and a gold layer are sequentially formed on the silica surface.
【請求項3】 (1)シリカ粉体を還元性を有するケイ
素系高分子化合物で処理し、シリカの表面に該ケイ素系
高分子化合物の層を形成する第1工程、(2)第1工程
で得られた粉体を標準酸化還元電位0.54V以上の金
属からなる金属塩を含む溶液で処理し、上記シリカ表面
のケイ素系高分子化合物層上に該金属コロイドを析出さ
せる第2工程、(3)上記金属コロイドを触媒として無
電解ニッケルメッキを行い、上記ケイ素系高分子化合物
層表面に金属ニッケル層を形成する第3工程、(4)更
に金メッキを行い、上記金属ニッケル層上に金層を形成
する第4工程を含むことを特徴とする導電性シリカの製
造方法。
3. A first step of (1) treating silica powder with a silicon-based polymer compound having a reducing property to form a layer of the silicon-based polymer compound on the surface of silica; and (2) a first step. A second step of treating the powder obtained in the above with a solution containing a metal salt composed of a metal having a standard oxidation-reduction potential of 0.54 V or more to precipitate the metal colloid on the silicon-based polymer compound layer on the silica surface. (3) a third step of performing electroless nickel plating using the metal colloid as a catalyst to form a metal nickel layer on the surface of the silicon-based polymer compound layer, and (4) further performing gold plating to form gold on the metal nickel layer. A method for producing conductive silica, comprising a fourth step of forming a layer.
【請求項4】 還元性を有するケイ素系高分子化合物
が、Si−Si結合及び/又はSi−H結合を有するポ
リシラン、ポリカルボシラン、ポリシロキサン又はポリ
シラザンである請求項3記載の製造方法。
4. The production method according to claim 3, wherein the silicon-based polymer compound having a reducing property is polysilane, polycarbosilane, polysiloxane or polysilazane having a Si—Si bond and / or a Si—H bond.
【請求項5】 ポリシランが下記一般式(1)で表され
るものである請求項4記載の製造方法。 (R1 m2 npSi)q (1) (式中、R1,R2はそれぞれ水素原子、置換もしくは非
置換の一価炭化水素基、XはR1と同様の基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子、酸素原子又は窒素原子である。m
は0.1≦m≦1、nは0.1≦n≦1、pは0≦p≦
0.5であり、かつ1≦m+n+p≦2.5を満足する
数、qは2≦q≦100,000の整数である。)
5. The method according to claim 4, wherein the polysilane is represented by the following general formula (1). (R 1 m R 2 n X p Si) q (1) (wherein, R 1 and R 2 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, X is the same group as R 1 , alkoxy) Group, halogen atom, oxygen atom or nitrogen atom.
Is 0.1 ≦ m ≦ 1, n is 0.1 ≦ n ≦ 1, and p is 0 ≦ p ≦
Q is a number satisfying 1 ≦ m + n + p ≦ 2.5, and q is an integer of 2 ≦ q ≦ 100,000. )
【請求項6】 ポリシロキサンが下記一般式(2)で表
されるものである請求項4記載の製造方法。 (R3 a4 bcSiOde (2) (式中、R3,R4はそれぞれ水素原子、置換もしくは非
置換の一価炭化水素基、アルコキシ基又はハロゲン原子
である。aは0.1≦a≦1、bは0.1≦b≦1、c
は0.01≦c≦1であり、かつ1≦a+b+c≦2.
5、dは1≦d≦1.5を満足する数である。eは2≦
e≦100,000の整数である。)
6. The method according to claim 4, wherein the polysiloxane is represented by the following general formula (2). (R 3 a R 4 b H c SiO d) e (2) ( wherein, R 3, R 4 are each hydrogen atom, a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, an alkoxy group or a halogen atom .a Is 0.1 ≦ a ≦ 1, b is 0.1 ≦ b ≦ 1, c
Is 0.01 ≦ c ≦ 1 and 1 ≦ a + b + c ≦ 2.
5, d is a number satisfying 1 ≦ d ≦ 1.5. e is 2 ≦
e is an integer of 100,000 or less. )
【請求項7】 標準酸化還元電位0.54V以上の金属
が、パラジウム、銀又は金である請求項3乃至6のいず
れか1項記載の製造方法。
7. The production method according to claim 3, wherein the metal having a standard oxidation-reduction potential of 0.54 V or more is palladium, silver or gold.
【請求項8】 第3工程が、第2工程で得られた粉体を
還元剤含有水溶液に分散させ、これにニッケル塩水溶液
を気体に同伴させて加えることにより、無電解ニッケル
メッキを行うようにした請求項3乃至7のいずれか1項
記載の製造方法。
8. In a third step, electroless nickel plating is performed by dispersing the powder obtained in the second step in an aqueous solution containing a reducing agent and adding an aqueous nickel salt solution to the aqueous solution together with a gas. The method according to any one of claims 3 to 7, wherein:
【請求項9】 第4工程で得られた粉体を還元性気体雰
囲気下に200℃以上の温度で熱処理して、上記ケイ素
系高分子化合物の一部又は全部をセラミック化した請求
項3乃至8のいずれか1項記載の製造方法。
9. The powder obtained in the fourth step is heat-treated at a temperature of 200 ° C. or more in a reducing gas atmosphere to convert part or all of the silicon-based polymer compound into a ceramic. 9. The method according to any one of items 8 to 8.
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