JPH07105350B2 - Light reaction device - Google Patents
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- JPH07105350B2 JPH07105350B2 JP62071349A JP7134987A JPH07105350B2 JP H07105350 B2 JPH07105350 B2 JP H07105350B2 JP 62071349 A JP62071349 A JP 62071349A JP 7134987 A JP7134987 A JP 7134987A JP H07105350 B2 JPH07105350 B2 JP H07105350B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSI（大規模集積回路）の製造工程におい
て、基板上に薄膜を堆積したり、基板の固体表面をエッ
チングする光反応装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoreaction device for depositing a thin film on a substrate or etching a solid surface of a substrate in a manufacturing process of an LSI (Large Scale Integrated Circuit). .
第２図は、従来の光反応装置の一例を示す概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a conventional photoreaction device.
図において、１は反応チャンバ、２は光透過性窓、３は
反応ガスの導入パイプ、４は処理すべき基板、５は基板
ホルダ、６は基板ホルダ５を加熱して基板４を加熱する
ためのヒータ、Ｌはレーザ光である。In the figure, 1 is a reaction chamber, 2 is a light transmissive window, 3 is a reaction gas introduction pipe, 4 is a substrate to be processed, 5 is a substrate holder, and 6 is for heating the substrate holder 5 to heat the substrate 4. , L is a laser beam.
すなわち、まず、導入パイプ３から反応ガスを導入し
て、反応チャンバ１内に反応ガスを満たし、透過性窓２
を通してレーザ光Ｌを照射し、ヒータ６により加熱され
た基板ホルダ５上に載置された基板４上に、所望の薄膜
を堆積したり、基板４の表面のエッチングを行なう。That is, first, the reaction gas is introduced from the introduction pipe 3 to fill the reaction gas in the reaction chamber 1, and the permeable window 2
A laser beam L is irradiated through the substrate 6 to deposit a desired thin film on the substrate 4 placed on the substrate holder 5 heated by the heater 6 or to etch the surface of the substrate 4.
なお、第２図に示す従来例では、レーザ光Ｌを基板４に
対して平行方向に入射する構成となっているが、反応チ
ャンバ１の上方から基板４に対して垂直に入射する構成
のものもある。In the conventional example shown in FIG. 2, the laser light L is incident on the substrate 4 in a parallel direction, but the laser light L is incident on the substrate 4 vertically from above the reaction chamber 1. There is also.
しかし、従来技術による光反応容器においては、 １）使用する光の波長が赤外、可視あるいは紫外光であ
るため、光子のエネルギーが小さく、これによって分解
できる反応ガス分子が限定されてしまう。例えば、半導
体プロセスにおいて重要なシラン（SiH4）やCF4などの
大半のガスは分解することができない。However, in the photoreaction container according to the prior art, 1) the wavelength of the light used is infrared, visible or ultraviolet light, the photon energy is small, which limits the reactive gas molecules that can be decomposed. For example, most gases such as silane (SiH 4 ) and CF 4 that are important in semiconductor processing cannot be decomposed.
２）比較的エネルギーの高い紫外レーザ（エキシマレー
ザなど）を用いる場合は、パルスの幅が短く、かつ繰り
返し数が少ないため、光によって分解し、生成した活性
種が気相において再結合してしまうため、膜質低下の原
因となる、 などの問題点があった。2) When an ultraviolet laser (excimer laser, etc.) with relatively high energy is used, the pulse width is short and the number of repetitions is small, so it is decomposed by light, and the generated active species recombine in the gas phase. Therefore, there is a problem that the film quality is deteriorated.
本発明の目的は、上記の従来技術の問題点を解決し、半
導体プロセスにおいて重要なすべての反応ガスを分解し
得る、真空紫外光を光源として用いる光反応装置を提供
することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to provide a photoreaction device using vacuum ultraviolet light as a light source, which is capable of decomposing all reaction gases important in a semiconductor process.
本発明の光反応装置は、上記の目的を達成するため、以
下のような点を主要な特徴とする。The photoreactor of the present invention has the following main features in order to achieve the above object.
１）光源として真空紫外光を用いることにより、半導体
プロセスにおいて重要なすべての反応ガスを分解するこ
とができる。1) By using vacuum ultraviolet light as a light source, it is possible to decompose all reaction gases that are important in the semiconductor process.
２）真空紫外光を用いる場合は、光の入射部に窓を設け
ないか、あるいは窓を取り付けたとしても極薄膜でなく
てはならないため、真空チャンバ内の反応ガスの圧力
を、上げることができない。この問題点を解決するた
め、本発明では、ガスノズルから反応ガスを噴出させ、
真空チャンバ全体の平均的ガスを十分に低く保ちながら
基板表面部の圧力を局所的に高いものとする構成として
いる。さらに、この構成により反応ガスを励起し、表面
への付着係数の大きなラジカルあるいはイオンに分解す
ることにより基板表面に吸着を形成し、この吸着層によ
り真空紫外光を照射して光反応を起こさせることによ
り、真空チャンバ内の圧力が低くても高い反応速度を実
現できる。2) When vacuum ultraviolet light is used, it is necessary to increase the pressure of the reaction gas in the vacuum chamber because a window is not provided at the light incident part, or even if the window is attached, it must be a very thin film. Can not. In order to solve this problem, in the present invention, a reaction gas is ejected from a gas nozzle,
The pressure on the surface of the substrate is locally increased while keeping the average gas in the entire vacuum chamber sufficiently low. Further, this structure excites the reaction gas and decomposes it into radicals or ions having a large adhesion coefficient to the surface to form adsorption on the substrate surface, and this adsorption layer irradiates vacuum ultraviolet light to cause a photoreaction. As a result, a high reaction rate can be realized even if the pressure in the vacuum chamber is low.
３）基板表面において面内で均一な反応を起こさせるた
めに、光の照射中に基板を往復、回転あるいは両方の運
動をさせる。3) In order to cause a uniform reaction within the surface of the substrate, the substrate is reciprocated and / or rotated during the irradiation of light.
４）さらに、真空紫外光源は、通常連続波長であるた
め、これを分光素子により所定の波長成分の光を選択し
て反応に用いる。これにより、反応ガスの特性に応じて
最適な波長の光を選択できる。4) Furthermore, since the vacuum ultraviolet light source usually has a continuous wavelength, it is used for the reaction by selecting light having a predetermined wavelength component by the spectroscopic element. Thereby, the light of the optimum wavelength can be selected according to the characteristics of the reaction gas.
５）真空紫外光源として、指向性が良く、強度の強い電
子シンクロトロン放射光を用いる。5) As the vacuum ultraviolet light source, electron synchrotron radiation with good directivity and high intensity is used.
６）複数の真空チャンバを光ビームの光路上に直列に連
結することにより、異なる種類の反応ガスを用いる複数
の反応を１本の光ビームにより、順番に行なうことがで
きる。6) By connecting a plurality of vacuum chambers in series on the optical path of the light beam, a plurality of reactions using different kinds of reaction gases can be sequentially performed by one light beam.
第１図は、本発明の第１の実施例の光反応装置を示す概
略図である。図において、７は真空チャンバ、８は真空
紫外光源である電子シンクロトロン放射装置、９は電子
シンクロトロン放射装置８から発生される光を真空チャ
ンバ７に伝搬するための真空パイプ、10、11は反射ミラ
ー、12は基板ホルダ、13は処理すべき基板、14は基板加
熱用のヒータ、15、16はガスノズル、17、18はそれぞれ
ノズル15、16に取り付けられた真空バルブ、19はノズル
15に取り付けられた高周波放電電極、20は高周波放電電
源である 本実施例による光反応装置を薄膜堆積装置として用いる
場合を例として以下説明する。反応ガスを流さない状態
において、電子シンクロトロン放射装置８および真空チ
ャンバ７の内部の真空度は10-9〜10-11Torrである。反
応ガスとしては、例えばシラン（SiH4）またはジシラン
（Si2H6）をノズル15または16から真空チャンバ７内に
噴出させる。ノズル15の方は、高周波放電電源20により
高周波電界が印加される高周波放電電極19を具備するの
で、ノズル15の先端と電極19の間で放電が誘起される
（詳細は第３図を用いて後述する）。FIG. 1 is a schematic view showing a photoreactor according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 7 is a vacuum chamber, 8 is an electron synchrotron radiation device which is a vacuum ultraviolet light source, 9 is a vacuum pipe for propagating light generated from the electron synchrotron radiation device 8 to the vacuum chamber 7, and 10 and 11 are A reflecting mirror, 12 is a substrate holder, 13 is a substrate to be processed, 14 is a heater for heating the substrate, 15 and 16 are gas nozzles, 17 and 18 are vacuum valves attached to the nozzles 15 and 16, respectively, and 19 is a nozzle.
A high-frequency discharge electrode attached to 15 and a high-frequency discharge power source 20 are described below as an example in which the photoreactor according to the present embodiment is used as a thin film deposition apparatus. The degree of vacuum inside the electron synchrotron radiation device 8 and the vacuum chamber 7 is 10 −9 to 10 −11 Torr when no reaction gas is flown. As the reaction gas, for example, silane (SiH 4 ) or disilane (Si 2 H 6 ) is ejected from the nozzle 15 or 16 into the vacuum chamber 7. The nozzle 15 has a high-frequency discharge electrode 19 to which a high-frequency electric field is applied by the high-frequency discharge power source 20, so that discharge is induced between the tip of the nozzle 15 and the electrode 19 (for details, see FIG. 3). See below).
反応ガスがノズル16から導入される場合は、基板（ガラ
ス、シリコン、あるいはシリコン基板上にSiO2膜をコー
トしたものなど）13の表面にSiH4が吸着する。一方、反
応ガスがノズル15から導入される場合は、放電によりS
i、SiH、SiH2、SiH3などの原子、ラジカルおよびイオン
が生成され、基板上に吸着する。基板温度を所定の値に
設定し、電子シンクロトロン放射光源からの光を基板に
放射すると、基板上にアモルファスシリコン膜や単結晶
シリコン膜が堆積する。When the reaction gas is introduced from the nozzle 16, SiH 4 is adsorbed on the surface of the substrate (glass, silicon, or a silicon substrate coated with a SiO 2 film) 13. On the other hand, when the reaction gas is introduced from the nozzle 15, S
Atoms, radicals and ions such as i, SiH, SiH 2 and SiH 3 are generated and adsorbed on the substrate. When the substrate temperature is set to a predetermined value and the light from the electron synchrotron radiation source is emitted to the substrate, an amorphous silicon film or a single crystal silicon film is deposited on the substrate.
反応ガスとして、前述のSiH4やSiH6に、さらにN2ガスを
加えると水素を含んだシリコン窒化膜が堆積する。When N 2 gas is further added to the above-mentioned SiH 4 and SiH 6 as a reaction gas, a silicon nitride film containing hydrogen is deposited.
また、ガスを噴射しながら光を照射する場合は、吸着分
子が光により分解して、薄膜堆積が起こる以外に、気相
の分子が光により分解して、分解生成物が基板上に堆積
するメカニズムも加わる。電極19に高周波電界を印加し
て放電を開始すると、ラジカルやイオンの基板への付着
確率は、安定分子の値より大きいため、吸着相の吸着分
子数を増加できる。したがって、堆積速度を大きくする
ことが可能である。When light is emitted while jetting a gas, the adsorbed molecules are decomposed by light to cause thin film deposition, and gas phase molecules are decomposed by light, and decomposition products are deposited on the substrate. A mechanism is also added. When a high frequency electric field is applied to the electrode 19 to start discharge, the number of adsorbed molecules in the adsorbed phase can be increased because the probability of radicals and ions adhering to the substrate is higher than the value of stable molecules. Therefore, it is possible to increase the deposition rate.
第３図は、高周波放電電極を取り付けたガスノズルの一
例を示す図である。反応ガスがノズル15から噴出してい
る状態において、高周波放電電極19に高周波電界を印加
すると、ノズル15のアース電極15′との間に放電が生ず
る。FIG. 3 is a diagram showing an example of a gas nozzle equipped with a high-frequency discharge electrode. When a high-frequency electric field is applied to the high-frequency discharge electrode 19 while the reactive gas is ejected from the nozzle 15, a discharge is generated between the nozzle 15 and the ground electrode 15 '.
第４図は、本発明の第２の実施例の光反応装置を示す概
略図である。図において、第１図と同一符号のものは、
同一の部材を示す。FIG. 4 is a schematic view showing a photoreaction device according to the second embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
The same members are shown.
本実施例は、第１図に示した第１の実施例と基本原理は
同一である。第１の実施例と違う点は、ミラー11によ
り光を集光し、真空チャンバ７と真空パイプ９との接続
部近傍の該真空パイプ９内に、真空のコンダクタンスを
低下させるスリット21が設置してあること、基板ホル
ダ24が基板駆動装置23により、薄膜堆積中に上下方向に
往復運動するようになっていること、基板13をレーザ
光により加熱するためのレーザ22が設置されているこ
と、および、第２の真空チャンバ26が設置されてお
り、第１の真空チャンバ７と第２の真空チャンバ26とが
真空紫外光の照射方向に沿って互いに、バルブ25を有す
る真空パイプ９′で連結されており、この第２の真空チ
ャンバ26に高周波放電電極を有するガスノズル29が設置
されていることなどである。This embodiment has the same basic principle as that of the first embodiment shown in FIG. The difference from the first embodiment is that the mirror 11 collects light and the slit 21 for reducing the conductance of the vacuum is provided in the vacuum pipe 9 near the connection between the vacuum chamber 7 and the vacuum pipe 9. That the substrate holder 24 is configured to reciprocate in the vertical direction during the thin film deposition by the substrate driving device 23, and the laser 22 for heating the substrate 13 by the laser light is installed. Also, a second vacuum chamber 26 is installed, and the first vacuum chamber 7 and the second vacuum chamber 26 are connected to each other along the irradiation direction of vacuum ultraviolet light by a vacuum pipe 9'having a valve 25. That is, a gas nozzle 29 having a high frequency discharge electrode is installed in the second vacuum chamber 26.
本実施例の装置の場合、スリット21により真空チャンバ
７と真空パイプ９との間の真空度差を大きくできるの
で、第１図の装置と比較して真空チャンバ内の圧力をよ
り高くすることができる。また、光を絞って照射するた
め、薄膜の堆積面積を広くし、かつ堆積膜厚を面内で均
一にするため、基板13を基板ホルダ24と一緒に上下に往
復運動させる。また、真空チャンバが２つあるため（７
と26）、最初に真空チャンバ26の方に基板を設置し、バ
ルブ25を開けて光を基板に照射し、かつ所定の反応ガス
を流して第１の光反応を行なわせた後、次に、この基板
を真空チャンバ７の方に移し、同様にこの基板に所定の
反応ガスを流しながら光を照射し、第２の光反応を起こ
させることができる。基板を真空チャンバ26から７へ移
すための輸送機構27が取り付けられている。In the case of the device of the present embodiment, the slit 21 can increase the degree of vacuum difference between the vacuum chamber 7 and the vacuum pipe 9, so that the pressure in the vacuum chamber can be made higher than that of the device of FIG. it can. Further, since the light is focused and irradiated, the deposition area of the thin film is widened, and the substrate 13 is reciprocated up and down together with the substrate holder 24 in order to make the deposited film thickness uniform in the plane. Also, because there are two vacuum chambers (7
And 26), the substrate is first installed in the vacuum chamber 26, the valve 25 is opened to irradiate the substrate with light, and a predetermined reaction gas is flowed to perform the first photoreaction, and then, The substrate can be moved to the vacuum chamber 7, and the substrate can be similarly irradiated with light while flowing a predetermined reaction gas to cause a second photoreaction. A transport mechanism 27 for transferring the substrate from the vacuum chamber 26 to 7 is attached.
なお、第４図において真空チャンバの数は２つとした
が、さらに、第３、第４の真空チャンバを連結して、多
種類の光反応を逐次行なわせることができる。Although the number of vacuum chambers is two in FIG. 4, it is also possible to connect the third and fourth vacuum chambers to sequentially perform various kinds of photoreactions.
また、上記の実施例においては、反応ガスとしてSiH4や
Si2H6やN2を用いることとしたが、これ以外に、Cl2、CF
4、XeF2、NF3、SF6などのエッチングガスを用いること
により基板表面の光エッチングを行なわせることができ
る。Further, in the above-mentioned examples, SiH 4 and
It was decided to use Si 2 H 6 or N 2 , but in addition to this, Cl 2 , CF
Photoetching of the substrate surface can be performed by using an etching gas such as 4 , XeF 2 , NF 3 , or SF 6 .
なお、上記実施例において、ノズルから噴出する反応ガ
スを励起するために、高周波放電を用いるものとした
が、直流放電励起電子ビーム励起（例えば、文献の例と
して、ケー・ミツケ、ティー・クチツによるフォーメイ
ション オブ ナガティヴ クラスター イオンズ イ
ン コリジョン オブSF6クラスター ウイズクリプト
ン リドベリー アトムズ ジャーナル オブ フィジ
カル ケミストリー90巻1552〜1556頁1985年（K.Mitsuk
e.T.Kuchitsu Formaion of Negative Cluster Ions in
Collision of SF6 Clusters with Krypton Rydbery Ato
ms,J.Phys.Chem.vol.90,1552〜1556頁1985）参照。）に
よっても同様に付着確立の高いラジカルやイオンを形成
することができる。In the above example, high-frequency discharge was used to excite the reaction gas ejected from the nozzle. However, DC discharge excitation electron beam excitation (for example, K. Mitsuke, T. Kuchitsu, Formation of Nagative Cluster Ions in Collision of SF 6 Cluster with Krypton Ridbury Atoms Journal of Physical Chemistry 90 Vol. 1552-1556 1985 (K. Mitsuk
eTKuchitsu Formaion of Negative Cluster Ions in
Collision of SF 6 Clusters with Krypton Rydbery Ato
ms, J. Phys. Chem. vol. 90, p. 1552 to 1556, 1985). Also by (), radicals and ions with high adherence can be formed in the same manner.
上記の第１図および第４図に示した実施例の光反応装置
においては、反射ミラー10、11は、PtやSiCなどの表面
を有する通常使用される斜入射ミラーを用いるが、この
ミラーはその入斜角に応じて電子シンクロトロン放射光
の短波長成分をカットし、真空紫外光のみを反射させる
働きがある。この反射ミラー10または11の代わりに分光
素子として多層膜ミラーを用いると、ブラッグ（Brag
g）の反射条件を満たす波長の光のみを反射させること
ができる。しかも、その波長は入射角度を変えることに
よって連続的に変えることができる。また、多層膜ミラ
ーで真空紫外光を分光すると、比較的半値幅の広い光を
得ることができ、この半値幅も所定の幅とすることが可
能である。このような多層膜ミラーを分光素子として用
い、反応ガスを分解するに当たって、選択された波長の
光を照射すれば、特定の光反応のみを起こすことが可能
となるので、膜堆積やエッチングにおいて特異な特性の
出現が期待できる。分光素子として多層膜ミラー以外で
は回析格子分光器等があるが、集光等を行なって強度を
確保すれば、多層膜ミラーの代わりに用いることができ
る。なお、分光素子は光源と反応チャンバ間のどの位置
に設置しても良い。In the photoreactor of the embodiment shown in FIGS. 1 and 4 above, the reflection mirrors 10 and 11 are normally used grazing incidence mirrors having a surface such as Pt or SiC. It has a function of cutting the short-wavelength component of the electron synchrotron radiation according to the angle of incidence and reflecting only vacuum ultraviolet light. If a multilayer film mirror is used as the spectroscopic element instead of the reflection mirror 10 or 11, the Bragg (Brag
Only the light of the wavelength that satisfies the reflection condition of g) can be reflected. Moreover, the wavelength can be continuously changed by changing the incident angle. Further, when the vacuum ultraviolet light is dispersed by the multilayer mirror, light having a relatively wide half width can be obtained, and the half width can be set to a predetermined width. By using such a multilayer film mirror as a spectroscopic element and irradiating with light of a selected wavelength in decomposing a reaction gas, it is possible to cause only a specific photoreaction. The appearance of various characteristics can be expected. As a spectroscopic element, there is a diffraction grating spectroscope other than the multi-layer film mirror, but it can be used instead of the multi-layer film mirror as long as light is condensed to secure the intensity. The spectroscopic element may be installed at any position between the light source and the reaction chamber.
以上説明したように本発明による光反応装置において
は、励起光波として、電子シンクロトロン放射光などの
真空紫外光を用いるので、任意のガス分子を分解でき、
反応ガスとして用いることができる。また、電子シンク
ロトロン放射光は、繰り返しが極めて大きい（10MHz以
上）ので、ほぼ連続光源とみなせ、活性種の内面分布を
均一にでき、再結合の影響を受けないという効果があ
る。As described above, in the photoreactor according to the present invention, since vacuum ultraviolet light such as electron synchrotron radiation is used as the excitation light wave, any gas molecule can be decomposed,
It can be used as a reaction gas. Further, since the electron synchrotron radiation is extremely large in repetition (10 MHz or more), it can be regarded as a substantially continuous light source, and the inner surface distribution of active species can be made uniform, and there is an effect that it is not affected by recombination.
また、処理すべき基板表面に吸着層を形成し、これに光
を照射して吸着層内での光反応を利用するので、膜質を
高精度に制御できるほか、真空チャンバ内の反応ガスの
圧力が低くても、吸着層の分子密度を高くでき、大きな
反応速度を実現できる効果がある。In addition, since the adsorption layer is formed on the surface of the substrate to be processed and the photoreaction in the adsorption layer is used by irradiating it with light, the film quality can be controlled with high precision and the pressure of the reaction gas in the vacuum chamber Even if it is low, the molecular density of the adsorption layer can be increased, and a large reaction rate can be realized.
また、光により分子を分解するため、低温（100℃〜500
℃）で薄膜堆積やエッチングができ、超薄膜や変調ドー
ビング超格子結晶などを高精度に形成できる効果があ
る。In addition, since the molecule is decomposed by light, low temperature (100 ℃ ~ 500
Thin film deposition and etching can be performed at (° C.), and there is an effect that an ultra-thin film and a modulation doving superlattice crystal can be formed with high accuracy.
第１図は、本発明の第１の実施例の光反応装置の概略
図、第２図は、従来の光反応装置の一例の概略図、第３
図は、本発明の装置に用いる高周波放電励起方式のノズ
ルを示す図、第４図は、本発明の第２の実施例の光反応
装置の概略図である。 １……反応チャンバ ２……光透過性窓 ３……反応ガス導入パイプ ４、13……基板 ５、12、24……基板ホルダ ６、14……ヒータ ７、26……真空チャンバ ８……電子シンクロトロン放射光装置 ９、９′……真空パイプ 10、11……ミラー 15、16、29……ガスノズル 15′……アース電極 17、18、30……真空バルブ 19、28……高周波放電電極 20、31……高周波放電電源 21……スリット 22……レーザ 23……基板駆動装置 25……バルブ 27……ウェハ移動機構FIG. 1 is a schematic diagram of a photoreaction device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of an example of a conventional photoreaction device, and FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a high frequency discharge excitation type nozzle used in the device of the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram of a photoreaction device of a second embodiment of the present invention. 1 ... Reaction chamber 2 ... Light transmissive window 3 ... Reaction gas introduction pipe 4, 13 ... Substrate 5, 12, 24 ... Substrate holder 6, 14 ... Heater 7, 26 ... Vacuum chamber 8 ... Electron Synchrotron Synchrotron Radiation Device 9,9 '…… Vacuum Pipe 10,11 …… Mirror 15,16,29 …… Gas Nozzle 15 ′ …… Ground Electrode 17,18,30 …… Vacuum Valve 19,28 …… High Frequency Discharge Electrodes 20, 31 …… High frequency discharge power supply 21 …… Slit 22 …… Laser 23 …… Substrate drive 25 …… Valve 27 …… Wafer moving mechanism
Claims (4)
方を互いに連結する真空パイプを通して上記真空紫外光
源から真空紫外光が、上記真空チャンバに入射するよう
になされており、該真空チャンバ内に基板ホルダを設置
し、その上に絶縁物、半導体もしくは金属の基板を載
せ、該真空チャンバの所定の位置に、上記基板表面に反
応ガスを吹き付けるガスノズルが取り付けられており、
該ガスノズルから反応ガスが上記基板に吹き付けられて
いる状態において、上記真空紫外光が上記基板を照射可
能となっており、かつ、上記真空チャンバが複数設けら
れ、複数の該真空チャンバが互いにバルブを有する真空
パイプで連結され、１つの上記真空チャンバ内におい
て、所定の光反応を終了した上記基板を別の上記真空チ
ャンバ内に移動した後、別の光反応を引き続いて行なう
ことができるように上記真空紫外光の照射方向に沿って
複数の上記真空チャンバが連結されていることを特徴と
する光反応装置。1. A vacuum chamber and a vacuum ultraviolet light source, wherein vacuum ultraviolet light is incident on the vacuum chamber from the vacuum ultraviolet light source through a vacuum pipe connecting both to each other. A substrate holder is installed on the substrate, an insulator, a semiconductor or a metal substrate is placed on the substrate holder, and a gas nozzle for spraying a reaction gas onto the substrate surface is attached to a predetermined position of the vacuum chamber.
The vacuum ultraviolet light can irradiate the substrate in a state where the reaction gas is blown onto the substrate from the gas nozzle, and a plurality of the vacuum chambers are provided, and the plurality of vacuum chambers mutually act as valves. In order to be able to carry out another photoreaction continuously after moving the substrate, which has been subjected to a predetermined photoreaction in one of the vacuum chambers, which has been connected with a vacuum pipe, which has been completed, into another vacuum chamber. A photoreaction device, wherein a plurality of the vacuum chambers are connected along an irradiation direction of vacuum ultraviolet light.
方を互いに連結する真空パイプを通して上記真空紫外光
源から真空紫外光が、上記真空チャンバに入射するよう
になされており、該真空チャンバ内に基板ホルダを設置
し、その上に絶縁物、半導体もしくは金属の基板を載
せ、該真空チャンバの所定の位置に、上記基板表面に反
応ガスを吹き付けるガスノズルが取り付けられており、
該ガスノズルから反応ガスが上記基板に吹き付けられて
いる状態において、上記真空紫外光が上記基板を照射可
能となっており、かつ、上記ガスノズルの所定の位置
に、直流放電、高周波放電、マイクロ波放電、電子ビー
ム励起あるいはレーザプラズマ励起により、上記ガスノ
ズルから上記真空チャンバに噴出される間に反応ガスを
励起する励起装置が設置され、該励起装置により上記反
応ガスがラジカルあるいはイオンに分解されて、上記基
板表面に吹き付けられるようになっていることを特徴と
する光反応装置。2. A vacuum chamber and a vacuum ultraviolet light source, wherein vacuum ultraviolet light from the vacuum ultraviolet light source is incident on the vacuum chamber through a vacuum pipe connecting both to each other. A substrate holder is installed on the substrate, an insulator, a semiconductor or a metal substrate is placed on the substrate holder, and a gas nozzle for spraying a reaction gas onto the substrate surface is attached to a predetermined position of the vacuum chamber.
The vacuum ultraviolet light can irradiate the substrate in a state where the reaction gas is blown from the gas nozzle, and a direct current discharge, a high frequency discharge, and a microwave discharge are applied to a predetermined position of the gas nozzle. An electron beam excitation or laser plasma excitation is provided with an excitation device for exciting the reaction gas while being ejected from the gas nozzle into the vacuum chamber, and the reaction device decomposes the reaction gas into radicals or ions, A photo-reaction device characterized by being sprayed onto the surface of a substrate.
方を互いに連結する真空パイプを通して上記真空紫外光
源から真空紫外光が、上記真空チャンバに入射するよう
になされており、該真空チャンバ内に基板ホルダを設置
し、その上に絶縁物、半導体もしくは金属の基板を載
せ、該真空チャンバの所定の位置に、上記基板表面に反
応ガスを吹き付けるガスノズルが取り付けられており、
該ガスノズルから反応ガスが上記基板に吹き付けられて
いる状態において、上記真空紫外光が上記基板を照射可
能となっており、かつ、上記ガスノズルの所定の位置
に、直流放電、高周波放電、マイクロ波放電、電子ビー
ム励起あるいはレーザプラズマ励起による励起装置が設
置され、該励起装置により上記反応ガスがラジカルある
いはイオンに分解されて、上記基板表面に吹き付けられ
るようになっており、さらに、上記真空チャンバが複数
設けられ、複数の該真空チャンバが互いにバルブを有す
る真空パイプで連結され、１つの上記真空チャンバ内に
おいて、所定の光反応を終了した上記基板を別の上記真
空チャンバ内に移動した後、別の光反応を引き続いて行
なうことができるように上記真空紫外光の照射方向に沿
って複数の上記真空チャンバが連結されていることを特
徴とする光反応装置。3. A vacuum chamber and a vacuum ultraviolet light source, wherein vacuum ultraviolet light is made incident on the vacuum chamber from the vacuum ultraviolet light source through a vacuum pipe connecting both to each other. A substrate holder is installed on the substrate, an insulator, a semiconductor or a metal substrate is placed on the substrate holder, and a gas nozzle for spraying a reaction gas onto the substrate surface is attached to a predetermined position of the vacuum chamber.
The vacuum ultraviolet light can irradiate the substrate in a state where the reaction gas is blown from the gas nozzle, and a direct current discharge, a high frequency discharge, and a microwave discharge are applied to a predetermined position of the gas nozzle. An electron beam excitation or laser plasma excitation excitation device is installed, the reaction gas is decomposed into radicals or ions by the excitation device, and is blown onto the substrate surface. Further, a plurality of vacuum chambers are provided. A plurality of the vacuum chambers are provided and are connected to each other by a vacuum pipe having a valve. In the one vacuum chamber, the substrate that has completed a predetermined photoreaction is moved to another vacuum chamber, and then the other vacuum chamber is moved to another vacuum chamber. A plurality of the above-mentioned vacuums along the irradiation direction of the vacuum ultraviolet light so that the photoreaction can be continuously performed. Yanba light reactor, wherein a is connected.
ロン放射光源が用いられていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項、第２項、第３項のいずれかに記載の光
反応装置。4. The photoreaction device according to claim 1, wherein an electron synchrotron radiation light source is used as the vacuum ultraviolet light source. .
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62071349A JPH07105350B2 (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Light reaction device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071349A JPH07105350B2 (en) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | Light reaction device |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS63239811A JPS63239811A (en) | 1988-10-05 |
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Family Applications (1)
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1987
- 1987-03-27 JP JP62071349A patent/JPH07105350B2/en not_active Expired - Fee Related
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