JPH07105070B2 - Information recording medium - Google Patents

Information recording medium

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JPH07105070B2
JPH07105070B2 JP62040911A JP4091187A JPH07105070B2 JP H07105070 B2 JPH07105070 B2 JP H07105070B2 JP 62040911 A JP62040911 A JP 62040911A JP 4091187 A JP4091187 A JP 4091187A JP H07105070 B2 JPH07105070 B2 JP H07105070B2
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recording layer
recording
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information
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克己 鈴木
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、例えばレーザビーム等の光ビームを照射す
ることにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録消
去する情報記録媒体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Industrial field of application) The present invention relates to information for erasing information by causing a phase change in a recording layer by irradiating a light beam such as a laser beam. Recording medium

(従来の技術) 従来、情報の消去が可能な光ディスクとして相変化型の
ものが知られている。この相変化型の光ディスクにおい
ては、記録層にレーザビームを照射することにより、記
録層が例えば結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化す
ることを利用して情報を記録消去する。
(Prior Art) Conventionally, a phase change type optical disc has been known as an erasable optical disc. In this phase change type optical disc, information is recorded / erased by irradiating the recording layer with a laser beam to reversibly change the phase of the recording layer between crystalline and amorphous. .

このような相変化する材料としては、例えば、Te,Ge,Te
Ge,InSe,SbSe,SbTe等の半導体、半導体化合物又は金属
間化合物がある。これらは、その温度により、結晶質相
と非晶質相との2つの状態を選択的にとり、各状態にお
いてN=n−ikで現される複素屈折率が相違するので、
レーザビームによる熱処理でこれら2つの状態を可逆的
に変化させて情報を記録消去する(S.R.Ovshinsky Meta
llurgical Transactions 641 1971)。
Examples of such phase change materials include Te, Ge, Te
There are semiconductors such as Ge, InSe, SbSe, and SbTe, semiconductor compounds, and intermetallic compounds. These selectively take two states, a crystalline phase and an amorphous phase, depending on the temperature, and in each state, the complex refractive index expressed by N = n-ik is different,
Information is recorded and erased by reversibly changing these two states by heat treatment with a laser beam (SROvshinsky Meta
llurgical Transactions 2 641 1971).

この技術により情報を記録消去する方法について説明す
る。記録に際しては、記録層を初期結晶化した後、記録
層に高エネルギーのレーザビームを照射し、記録層を溶
融急冷することによりその部分を非晶質化して記録ピッ
トを形成する。消去に際しては、記録ピットに比較的低
いエネルギのレーザビームを比較的長いパルス幅で照射
し、この照射部分を徐冷することにより、一度非晶質化
した記録ピットを結晶化する。
A method of recording and erasing information by this technique will be described. At the time of recording, after the recording layer is initially crystallized, the recording layer is irradiated with a high-energy laser beam, and the recording layer is melted and rapidly cooled to amorphize that portion to form a recording pit. At the time of erasing, the recording pit is irradiated with a laser beam having a relatively low energy with a relatively long pulse width, and the irradiated portion is gradually cooled to crystallize the once-amorphized recording pit.

このような結晶質−非晶質間の相変化により情報を記録
消去するタイプの光ディスクは、例えば第3図で示す層
構成を有している。即ち、ガラス又は有機樹脂で形成さ
れた透光性を有する基板1上に、化学的及び熱的に安定
な誘電体材料からなる保護層2を形成し、この保護層2
の上に記録層3を形成し、この記録層3の上に保護層2
と同様な材料からなる保護層4を形成し、更に、取扱い
上で生じる傷を防止するために保護層4の上に紫外線硬
化樹脂でつくられた保護層5を形成する。
An optical disc of the type in which information is recorded and erased by such a phase change between crystalline and amorphous has, for example, the layer structure shown in FIG. That is, a protective layer 2 made of a chemically and thermally stable dielectric material is formed on a transparent substrate 1 made of glass or an organic resin.
The recording layer 3 is formed on the recording layer 3, and the protective layer 2 is formed on the recording layer 3.
A protective layer 4 made of the same material as above is formed, and further a protective layer 5 made of an ultraviolet curable resin is formed on the protective layer 4 in order to prevent scratches caused in handling.

この中で、保護層2,4は以下のような役割を有してい
る。
Among these, the protective layers 2 and 4 have the following roles.

レーザビームを記録層3に照射する場合に、記録層
3が加熱されて蒸発することにより穴が形成されること
を防止し、記録消去の繰返しによる記録層3の変形を防
止する。
When the recording layer 3 is irradiated with the laser beam, the recording layer 3 is prevented from being heated and evaporated to form a hole, and deformation of the recording layer 3 due to repeated recording and erasing is prevented.

光学的な干渉を利用して再生時に信号の増大を図る
エンハンスメント効果を有する。
It has an enhancement effect of increasing the signal at the time of reproduction by utilizing optical interference.

レーザビームの照射時に、記録層3からの熱の放出
を容易にして急冷非晶質化を容易にする温度コントロー
ル層として作用する。
It functions as a temperature control layer that facilitates heat release from the recording layer 3 during laser beam irradiation and facilitates rapid amorphization.

この中で、温度コントロール層としての機能を果たすた
めには、保護層を比較的熱拡散率が高い誘電体材料で形
成することが好ましい。このような温度コントロール層
的な役割と同時に、他の2つの役割も満足する材料とし
てはSiO2、SiN4及びAl2O3等がある。
Among them, it is preferable that the protective layer is made of a dielectric material having a relatively high thermal diffusivity in order to function as the temperature control layer. Materials that fulfill these two roles as well as the role of the temperature control layer include SiO 2 , SiN 4, and Al 2 O 3 .

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、記録層を結晶質相と非晶質相との間で相
変化させて情報を記録消去するタイプの光ディスクにお
いては、記録層を非晶質化するための急冷速度は記録層
を形成する材質により異なり、記録層の材質により保護
層の適切な熱拡散率が異なる。このため、これらの組合
わせによっては、記録層に非晶質の記録ピットが形成さ
れない場合も生じてしまう。例えば、記録層3としてSb
Teを使用し、保護層2,4としてSi3N4を使用した光ディス
クにおいては、前述のような高エネルギでパルス幅が短
いレーザビームでは冷却が不十分となり記録ピットが非
晶質化せず、情報を記録することができない。また、熱
拡散率がSi3N4よりも大きいAl2O3で保護層2,4を形成す
る場合にはレーザビーム照射された部分の熱が保護層2,
4から過渡に放出されてしまい、SbTeのビーム照射部分
が溶融するまでに至らず、結果としてやはり情報を記録
することができない。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in an optical disc of a type in which information is recorded and erased by changing the phase of the recording layer between a crystalline phase and an amorphous phase, the recording layer is made amorphous. Therefore, the quenching rate depends on the material forming the recording layer, and the appropriate thermal diffusivity of the protective layer depends on the material of the recording layer. Therefore, depending on the combination of these, there may be a case where an amorphous recording pit is not formed in the recording layer. For example, as the recording layer 3, Sb
In the optical disc using Te and Si 3 N 4 as the protective layers 2 and 4, the cooling pits do not become amorphous due to insufficient cooling with the laser beam with high energy and short pulse width as described above. , Unable to record information. When the protective layers 2 and 4 are formed of Al 2 O 3 having a thermal diffusivity larger than Si 3 N 4 , the heat of the portion irradiated with the laser beam is
Since it was transiently emitted from 4, the portion of the SbTe beam irradiation was not melted, and as a result, information could not be recorded.

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
レーザビームが照射された記録層を非晶質にして記録ピ
ッチ形成する際に、記録層を適切な冷却速度で冷却する
ことができ、光ビームの照射部分を高効率で非晶質化す
ることができる情報記録媒体を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of such circumstances,
When the recording layer irradiated with the laser beam is made amorphous and the recording pitch is formed, the recording layer can be cooled at an appropriate cooling rate, and the portion irradiated with the light beam can be made amorphous with high efficiency. It is an object of the present invention to provide an information recording medium capable of achieving the above.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームが照
射されることにより相変化して情報が記録消去される記
録層と、基板と記録層との間に形成された第1の保護層
と、記録層の上に形成された第2の保護層とを有する情
報記録媒体であって、前記第1の保護層と前記記録層と
の界面、及び、前記記録層と前記第2の保護層との界面
が凹凸部を有していることを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving Problems) An information recording medium according to the present invention includes a substrate, a recording layer on which information is recorded and erased by being phase-changed by irradiation of a light beam, and a substrate. An information recording medium having a first protective layer formed between a recording layer and a recording layer, and a second protective layer formed on the recording layer, wherein the first protective layer and the recording layer And an interface between the recording layer and the second protective layer have an uneven portion.

(作用) この発明においては、第1の保護層と記録層との界面、
及び、記録層と第2の保護層との界面に凹凸部を形成す
る。記録層に光ビームを照射し、その照射部分に記録ピ
ットを形成する際に、凹凸部の形状を記録層の材料と保
護層の材料との組合せに応じて変化させて形成すること
により、記録層の冷却速度が適切になるように保護層の
放熱量を微調整することができる。この場合に、この凹
凸部はスパッタエッチングにより形成することができ、
この凹凸部の高さは10乃至200Åが好ましい。
(Operation) In the present invention, the interface between the first protective layer and the recording layer,
In addition, an uneven portion is formed at the interface between the recording layer and the second protective layer. When the recording layer is irradiated with a light beam and recording pits are formed in the irradiated portion, the unevenness is formed by changing the shape of the unevenness according to the combination of the material of the recording layer and the material of the protective layer. The amount of heat radiation of the protective layer can be finely adjusted so that the cooling rate of the layer is appropriate. In this case, this uneven portion can be formed by sputter etching,
The height of the uneven portion is preferably 10 to 200Å.

(実施例) 以下、この発明の実施例について具体的に説明する。(Example) Hereinafter, the Example of this invention is described concretely.

この実施例に係る情報記録媒体は、例えば第1図(a)
に示すように構成されている。基板11は透明で材質上の
経時変化が少ない材料、例えば、ガラス又はポリカーボ
ネート樹脂等の材料でつくられている。基板11には、保
護層12、記録層13及び保護層14がこの順に形成されてい
る。保護層12,14は記録層13を挟むように配設されてお
り、レーザビームの照射により記録層13が溶損すること
を防止すると共に、記録層13からの放熱量を調節して記
録層のレーザビーム照射部分の冷却速度を調節するよう
になっている。この保護層12,14はSiO2、Si3N4及びAl2O
3等の比較的熱拡散率が高い材料で形成されており、記
録層のレーザビーム照射部分からの放熱を補助するよう
になっている。これにより記録層13の光ビーム照射部分
を急冷して非晶質化することができ、記録ピットを形成
することができる。記録層13は例えばSb−Te合金で形成
されており、この合金はレーザビームの照射条件の相違
により結晶質相と非晶質相との間で相変化する。なお、
第1図(b)に示すように、記録層13の上にSiO2、Si3N
4及びAl2O3等で形成された主層16と補助層17とで構成さ
れた保護層15を形成してもよく、この場合には、記録層
13の上に主層16を形成しその上に補助層17を形成する。
補助層17は例えば紫外線硬化樹脂で形成され、ディスク
の取扱い上表面に傷等が発生することを防止する役割を
有している。
An information recording medium according to this embodiment is, for example, FIG. 1 (a).
It is configured as shown in. The substrate 11 is made of a material that is transparent and does not easily change with time, such as glass or polycarbonate resin. On the substrate 11, a protective layer 12, a recording layer 13 and a protective layer 14 are formed in this order. The protective layers 12 and 14 are arranged so as to sandwich the recording layer 13, and prevent the recording layer 13 from being melted and damaged by the irradiation of the laser beam, and adjust the heat radiation amount from the recording layer 13 to prevent The cooling rate of the laser beam irradiation portion is adjusted. The protective layers 12 and 14 are made of SiO 2 , Si 3 N 4 and Al 2 O.
It is made of a material with a relatively high thermal diffusivity such as 3 and assists in heat dissipation from the laser beam irradiation portion of the recording layer. As a result, the light beam irradiation portion of the recording layer 13 can be rapidly cooled to be amorphized, and recording pits can be formed. The recording layer 13 is formed of, for example, an Sb-Te alloy, and this alloy changes its phase between a crystalline phase and an amorphous phase due to the difference in laser beam irradiation conditions. In addition,
As shown in FIG. 1 (b), SiO 2 , Si 3 N is formed on the recording layer 13.
4 and a protective layer 15 composed of a main layer 16 formed of Al 2 O 3 and the like and an auxiliary layer 17 may be formed. In this case, the recording layer
A main layer 16 is formed on 13 and an auxiliary layer 17 is formed thereon.
The auxiliary layer 17 is formed of, for example, an ultraviolet curable resin, and has a role of preventing a scratch or the like from being generated on the surface in handling the disc.

また、保護層12と記録層13との界面、及び、記録層13と
保護層14又は保護層16との界面は凹凸状となっており、
記録層13と各保護層との接触面積を大きくして記録層か
らの放熱量を大きくするようになっている。
Further, the interface between the protective layer 12 and the recording layer 13 and the interface between the recording layer 13 and the protective layer 14 or the protective layer 16 are uneven,
The contact area between the recording layer 13 and each protective layer is increased to increase the amount of heat radiation from the recording layer.

このような光ディスクを成膜する装置について、第2図
を参照しながら、記録層を挟む保護層をSi3N4で形成し
た場合を例にとって説明する。図中21は反応容器を示
し、この反応容器21の周壁には排気口31及びガス導入口
30が設けられている。排気口31には図示しないクライオ
ポンプが連結されており、これにより反応容器21内が排
気されるようになっている。ガス導入口30には図示しな
いアルゴンガス供給装置が連結されており、ガス導入口
30を介して反応容器21内にアルゴンガスを導入するよう
になっている。また、このガス導入口30には流量調節用
バルブ39が取付けられている。円板状の基板11は回転基
台22により、反応容器21内の上部にその面を水平にして
支架されており、図示しないモータによりこの回転基台
22を回転させることにより基板11を回転させるようにな
っている。また、反応容器21内には基板11に対向するよ
うに、平板状の電極26,27,28が配設されており、この電
極26,27,28は夫々RF(ラジオフリークエンシー)電源3
5,36,37に接続されている。この電極26,27,28上には、
夫々Sbターゲット23、Si3N4ターゲット24、Teターゲッ
ト25が設置されている。また、ターゲット23,24,25と基
板11との間には、夫々シャッタ32,33,34が配設されてい
る。更に、回転基台22にはRF電源40が接続されている。
An apparatus for forming such an optical disk will be described with reference to FIG. 2 by taking as an example a case where a protective layer sandwiching a recording layer is formed of Si 3 N 4 . Reference numeral 21 in the figure denotes a reaction vessel, and an exhaust port 31 and a gas introduction port are provided on the peripheral wall of the reaction vessel 21.
30 are provided. A cryopump (not shown) is connected to the exhaust port 31, so that the inside of the reaction vessel 21 is exhausted. An argon gas supply device (not shown) is connected to the gas inlet port 30,
Argon gas is introduced into the reaction vessel 21 via 30. Further, a flow rate adjusting valve 39 is attached to the gas inlet 30. The disk-shaped substrate 11 is supported by a rotating base 22 in the upper part of the reaction vessel 21 with its surface horizontal, and is supported by a motor (not shown).
The substrate 11 is rotated by rotating 22. In addition, plate-shaped electrodes 26, 27, 28 are arranged in the reaction vessel 21 so as to face the substrate 11, and these electrodes 26, 27, 28 are respectively provided with an RF (radio frequency) power source 3
It is connected to 5,36,37. On this electrode 26, 27, 28,
An Sb target 23, a Si 3 N 4 target 24, and a Te target 25 are installed respectively. Further, shutters 32, 33, 34 are arranged between the targets 23, 24, 25 and the substrate 11, respectively. Further, an RF power source 40 is connected to the rotary base 22.

この成膜装置においては、先ず、クライオンポンプによ
り反応容器21内を例えば10-6トルの真空に排気する。次
いで、バルブ39を開にしてアルゴンガスと窒素ガスとを
1:1の割合で反応容器21内に導入し、反応容器内のガス
圧を所定値に調整する。基板11を、例えば、60rpmで回
転させつつ、Si3N4ターゲット24にRF電源36から電極27
を介してRF電力を供給し、基板11上に所定厚みの保護層
12を形成する。この場合には、シャッタ33を開にし、シ
ャッタ32,34を閉にする。次いで、窒素ガスの供給を停
止し、反応容器21内をアルゴンガスのみとし、バルブ39
を調節してアルゴンガス圧を再度調節する。そして、RF
電源39から回転基台22にRF電力を供給し、保護層12の表
面をスパッタエッチングする。これにより、保護層12の
表面が凹凸状となる。
In this film forming apparatus, first, the inside of the reaction vessel 21 is evacuated to a vacuum of, for example, 10 −6 Torr by a Clion pump. Then, the valve 39 is opened to supply argon gas and nitrogen gas.
It is introduced into the reaction vessel 21 at a ratio of 1: 1 and the gas pressure in the reaction vessel is adjusted to a predetermined value. The substrate 11, for example, while rotating at 60 rpm, the electrode from the Si 3 N 4 RF power source 36 to the target 24 27
RF power is supplied through the protective layer of a predetermined thickness on the substrate 11.
Forming twelve. In this case, the shutter 33 is opened and the shutters 32 and 34 are closed. Then, the supply of nitrogen gas was stopped, the reaction vessel 21 was filled with argon gas only, and the valve 39
To adjust the argon gas pressure again. And RF
RF power is supplied from the power supply 39 to the rotary base 22 to sputter-etch the surface of the protective layer 12. As a result, the surface of the protective layer 12 becomes uneven.

その後、電源40をオフにし、シャッタ33を閉じ、シャッ
タ32,34を開にして電源35,37から電極26,28を介してタ
ーゲット23,25にRF電力を供給し、例えば、Sb60Te40
らなる所定厚みの記録層13を保護層12の上に形成する。
この場合に、ターゲット23,25に供給する電力と記録層1
3の組成との関係は予め把握されている。
After that, the power supply 40 is turned off, the shutter 33 is closed, the shutters 32, 34 are opened, and RF power is supplied from the power supplies 35, 37 to the targets 23, 25 via the electrodes 26, 28, for example, Sb 60 Te 40 A recording layer 13 having a predetermined thickness is formed on the protective layer 12.
In this case, the power supplied to the targets 23 and 25 and the recording layer 1
The relationship with the composition of 3 is already known.

次いで、RF電源39から再度回転基台22にRF電力を供給
し、記録層13の表面をスパッタエッチングする。電源40
をオフにした後、再度窒素ガスを反応容器21内に導入
し、アルゴンガスと窒素ガスとの供給比を1:1として反
応容器21内を所定圧力にし、再度RF電源36をオンにして
保護層12と同様の条件で保護層14を形成する。保護層15
を形成する場合には、同様の操作によりテフロン製の主
層16を形成し、その後、基板をスパッタ装置から外し
て、スピンコート法により主層16の上に紫外線硬化樹脂
を塗布し、これに紫外線を照射して補助層17を形成す
る。
Next, RF power is supplied from the RF power source 39 to the rotary base 22 again to sputter-etch the surface of the recording layer 13. Power 40
After turning off, the nitrogen gas is again introduced into the reaction vessel 21, the supply ratio of the argon gas and the nitrogen gas is set to 1: 1 to bring the inside of the reaction vessel 21 to a predetermined pressure, and the RF power supply 36 is turned on again to protect it. The protective layer 14 is formed under the same conditions as the layer 12. Protective layer 15
When forming, the main layer 16 made of Teflon is formed by the same operation, then the substrate is removed from the sputtering apparatus, the ultraviolet curing resin is applied on the main layer 16 by spin coating, Ultraviolet rays are irradiated to form the auxiliary layer 17.

次に、このような光ディスクの動作について説明する。Next, the operation of such an optical disc will be described.

初期化 記録層13は成膜直後に非晶質であるため、この記録層に
レーザビームを連続光照射して、記録層13を溶融徐冷し
て凝固させ、結晶質に相変化させる。
Initialization Since the recording layer 13 is amorphous immediately after film formation, the recording layer 13 is continuously irradiated with a laser beam, and the recording layer 13 is melted and gradually cooled to be solidified to change its phase to crystalline.

記録 初期化された記録層13に短いパルス状のレーザビーム18
を照射し、この照射領域を一旦溶融させた後急冷するこ
とにより非晶質相に相変化させて記録ピット19を形成す
る。この場合に、保護層12,14の熱拡散係数が若干小さ
く、記録層13と各保護層との界面が平滑ならば記録層13
のビーム照射部分を十分な冷却速度で冷却することがで
きないような場合であっても、記録層13と各保護層との
界面を凹凸形状にして記録層13の放熱性を向上させるこ
とにより、記録層13のビーム照射部分を急冷して非晶質
化することができる。また、この凹凸の形状を変化させ
ることにより記録層13の放熱量を調節することができ、
記録層13の構成材料に応じて最適な冷却速度になるよう
に放熱量を微調整することができる。
Recording A short pulsed laser beam 18 on the initialized recording layer 13
Is irradiated, and the irradiated region is once melted and then rapidly cooled to change the phase to an amorphous phase to form the recording pit 19. In this case, if the thermal diffusion coefficients of the protective layers 12 and 14 are slightly small and the interface between the recording layer 13 and each protective layer is smooth, the recording layer 13
Even when it is impossible to cool the beam irradiation portion of the recording layer 13 at a sufficient cooling rate, by improving the heat dissipation of the recording layer 13 by making the interface between the recording layer 13 and each protective layer uneven. The beam-irradiated portion of the recording layer 13 can be rapidly cooled to be made amorphous. Further, by changing the shape of the unevenness, the heat radiation amount of the recording layer 13 can be adjusted,
The amount of heat radiation can be finely adjusted so that the cooling rate is optimum according to the constituent material of the recording layer 13.

再生 記録層13に比較的弱いレーザビームを照射し、記録ピッ
トの反射光の強度を検出することにより情報を読取る。
Information is read by irradiating the reproducing / recording layer 13 with a relatively weak laser beam and detecting the intensity of the reflected light of the recording pit.

消去 レーザビームの照射条件を、基本的に初期化の場合の条
件と同様にして、記録ピット19に照射する。記録ピット
19は初期化の場合と同様に溶融徐冷されて凝固し、結晶
化する。
The erasing laser beam is irradiated to the recording pit 19 basically in the same condition as the condition for initialization. Recording pit
As in the case of initialization, 19 is melted and gradually cooled to solidify and crystallize.

次に、この発明に係る情報記録媒体を製造して特性を試
験した試験例について説明する。
Next, a test example in which the information recording medium according to the present invention is manufactured and the characteristics are tested will be described.

試験例 反応容器内を約10-6torrにし、アルゴンガスと窒素ガス
とを1:1の日にして反応容器内に導入し、容器内のガス
圧を5mtorrになるように調節した。この条件下でSi3N4
ターゲットに13.56MHzのRF電力を出力300Wで供給し、ポ
リカーボネート製の基板の上に約1000ÅのSi3N4保護層
を成膜した。次いで、窒素ガスの供給を停止してアルゴ
ンガスのガス圧を5mtorrに調整して500WのRF電力により
Si3N4保護層の表面を約2分間スパッタエッチングし
た。この場合に、RF電力の大きさと表面粗さとの関係を
予め把握しておいた。この条件の場合には保護層の表面
粗さは平均で約80Åであった。その後、Sbターゲット及
びTeターゲットに夫々100W及び30WのRF電力を供給して
約800ÅのSb60Te40記録層をSi3N4保護層の上に成膜し
た。その後、100WのRF電力により記録層の表面を約2分
間スパッタエッチングし、表面粗さを平均で100Åとし
た。この記録層の上に前述の保護層と同一の条件でSi3N
4製の主層を1000Åの厚みで成膜した。このサンプルを
容器21から取出し、スピナーにより主層の上に紫外線硬
化樹脂を塗布した後、この樹脂に紫外線照射して約10μ
mの補助層を形成して光ディスクサンプルを得た(これ
ををサンプルAとする)。同様の手法により、サンプル
Aと同一層構成でスパッタエッチング処理せずに各層を
形成したサンプルを作製した(これをサンプルBとす
る)。これらのサンプルを動特性評価装置により特性評
価した。波長が830nmの半導体レーザを使用し、初期化
に際しては、出力5mWで連続光照射してディスク全面を
結晶化した。この際のディスクの回転数は600rpmとし
た。記録に際しては、ディスクの回転数を同様に600rpm
として出力が10mWでパルス幅が100ns、デューティ比が5
0%のレーザビームを記録層にパルス照射した。再生に
際しては、出力が0.4mWのレーザを記録ピットに照射し
た。この場合に、サンプルAは振幅70mWの交流信号を得
ることができた。この際の変調度は50%であった。これ
に対し、サンプルBの場合には、同様に0.4mWのレーザ
ビームを照射した結果、全く信号を得ることができなか
った。この動特性試験後、これらサンプルA,Bのレザビ
ーム照射部分を切出し、記録層のみ剥離して透過型電子
顕微鏡(TEM)で組織観察した結果、サンプルAでは結
晶化されたトラックに非晶質の記録ピットを観察するこ
とができたが、サンプルBでは結晶化したトラックのみ
しか観察することができなかった。
Test Example The inside of the reaction vessel was adjusted to about 10 −6 torr, and argon gas and nitrogen gas were introduced into the reaction vessel on a 1: 1 day, and the gas pressure in the vessel was adjusted to 5 mtorr. Under these conditions Si 3 N 4
RF power of 13.56 MHz was supplied to the target at an output of 300 W, and a Si 3 N 4 protective layer of about 1000 Å was formed on a polycarbonate substrate. Then, the supply of nitrogen gas was stopped, the gas pressure of argon gas was adjusted to 5 mtorr, and the RF power of 500 W was applied.
The surface of the Si 3 N 4 protective layer was sputter etched for about 2 minutes. In this case, the relationship between the magnitude of RF power and the surface roughness was previously known. Under these conditions, the surface roughness of the protective layer was about 80Å on average. Then, RF powers of 100 W and 30 W were supplied to the Sb target and the Te target, respectively, to deposit an Sb 60 Te 40 recording layer of about 800 Å on the Si 3 N 4 protective layer. Then, the surface of the recording layer was sputter-etched for about 2 minutes by RF power of 100 W, and the surface roughness was set to 100 Å on average. On top of this recording layer, under the same conditions as the protective layer described above, Si 3 N
The four main layers were formed to a thickness of 1000Å. This sample is taken out of the container 21, and after applying a UV curable resin on the main layer by a spinner, the resin is irradiated with UV rays to about 10 μm.
An auxiliary layer of m was formed to obtain an optical disc sample (this is referred to as sample A). By the same method, a sample in which each layer was formed in the same layer configuration as sample A without sputter etching treatment was prepared (this is referred to as sample B). The characteristics of these samples were evaluated by a dynamic characteristics evaluation device. A semiconductor laser with a wavelength of 830 nm was used, and during initialization, continuous light irradiation with an output of 5 mW was performed to crystallize the entire surface of the disk. The rotation speed of the disk at this time was 600 rpm. When recording, the rotation speed of the disk is 600 rpm as well.
Output is 10mW, pulse width is 100ns, duty ratio is 5
The recording layer was pulse-irradiated with 0% laser beam. During reproduction, the recording pit was irradiated with a laser having an output of 0.4 mW. In this case, sample A could obtain an AC signal with an amplitude of 70 mW. The degree of modulation at this time was 50%. On the other hand, in the case of sample B, a signal was not obtained at all as a result of irradiation with a laser beam of 0.4 mW. After this dynamic characteristic test, the laser beam irradiated portions of these samples A and B were cut out, only the recording layer was peeled off, and the structure was observed with a transmission electron microscope (TEM). Although the recording pits could be observed, in the sample B, only the crystallized track could be observed.

このように、記録層と各保護層との界面を凹凸状にする
ことにより、記録層を適切に冷却することができ、レー
ザビーム照射部分を非晶質化することができる。
In this way, by making the interface between the recording layer and each protective layer uneven, the recording layer can be appropriately cooled, and the laser beam irradiation portion can be made amorphous.

なお、この実施例においては、SbTeで形成された記録層
を使用し、Si3N4で形成された保護層を使用した場合に
ついて示したが、これに限らず、保護層の熱拡散性を若
干調節することにより、記録層のレーザビーム照射部分
を非晶質化することができる場合には適用することがで
きる。また、SbTeのような結晶質相と非晶質相との間の
相変化により情報を記録消去する記録層の場合に限ら
ず、相異なる結晶質相間で相変化して情報を記録消去す
る記録層の場合にも適用することができる。
In this example, the recording layer formed of SbTe was used, and the case where the protective layer formed of Si 3 N 4 was used was shown, but the thermal diffusion of the protective layer is not limited to this. It can be applied when the laser beam irradiation portion of the recording layer can be made amorphous by a slight adjustment. Further, not only the case of a recording layer that records and erases information by a phase change between a crystalline phase and an amorphous phase such as SbTe, but a recording that erases and records information by changing the phase between different crystalline phases. It can also be applied in the case of layers.

[発明の効果] この発明によれば、光ビームの照射により相変化して情
報を記録消去する記録層を有する情報記録媒体の場合
に、記録層と記録層を挟むように配設された2つの保護
層との界面を凹凸状にするので、凹凸部の形状を記録層
の材料と保護層の材料との組合せに応じて変化させて形
成することにより、記録層の冷却速度が適切になるよう
に保護層の放熱量を微調整することができる。従って、
保護層を形成する材料を選択するだけでは、記録層のレ
ーザビーム照射部分に記録ピットを形成することができ
ない場合でも、このようにして記録層の放熱量を微調整
することにより有効に記録ピットを形成することができ
るようになる。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, in the case of an information recording medium having a recording layer in which information is recorded and erased by being phase-changed by irradiation of a light beam, it is arranged so as to sandwich the recording layer. Since the interface with two protective layers is made uneven, the cooling rate of the recording layer becomes appropriate by changing the shape of the uneven portion according to the combination of the material of the recording layer and the material of the protective layer. Thus, the heat radiation amount of the protective layer can be finely adjusted. Therefore,
Even if the recording pit cannot be formed in the laser beam irradiation portion of the recording layer only by selecting the material for forming the protective layer, the recording pit can be effectively adjusted by finely adjusting the heat radiation amount of the recording layer in this way. Will be able to be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図(a)(b)はこの発明の実施例に係る情報記録
媒体を示す断面図、第2図は光ディスクの成膜装置を示
す模式図、第3図は従来の情報記録媒体を示す断面図で
ある。 11;基板、12,14,15;保護層、13;記録層、18;レーザビー
ム、19;記録ピット
1 (a) and 1 (b) are sectional views showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic view showing a film forming apparatus for an optical disc, and FIG. 3 is a conventional information recording medium. FIG. 11; substrate, 12, 14, 15; protective layer, 13; recording layer, 18; laser beam, 19; recording pit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板と、光ビームが照射されることにより
相変化して情報が記録消去される記録層と、基板と記録
層との間に形成された第1の保護層と、記録層の上に形
成された第2の保護層とを有する情報記録媒体におい
て、前記第1の保護層と前記記録層との界面、及び、前
記記録層と前記第2の保護層との界面が凹凸部を有して
いることを特徴とする情報記録媒体。
1. A substrate, a recording layer in which information is recorded and erased by being phase-changed by irradiation with a light beam, a first protective layer formed between the substrate and the recording layer, and a recording layer. In an information recording medium having a second protective layer formed on the above, the interface between the first protective layer and the recording layer and the interface between the recording layer and the second protective layer are uneven. An information recording medium having a part.
【請求項2】前記凹凸部は、その高さが10乃至200Åで
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の情
報記録媒体。
2. The information recording medium according to claim 1, wherein the uneven portion has a height of 10 to 200Å.
【請求項3】前記凹凸部は、前記第1の保護層の記録層
側の面、及び、前記記録層の第2の保護層側の面をスパ
ッタエッチングして形成されることを特徴とする特許請
求の範囲第1項又は第2項に記載の情報記録媒体。
3. The uneven portion is formed by sputter etching the surface of the first protective layer on the recording layer side and the surface of the recording layer on the second protective layer side. The information recording medium according to claim 1 or 2.
【請求項4】前記第2の保護層は、主層と、その上に形
成された有機樹脂製の補助層との2層体であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか1
項に記載の情報記録媒体。
4. The second protective layer is a two-layer body comprising a main layer and an organic resin auxiliary layer formed thereon, and the second protective layer is a two-layer body. Any one of 3
The information recording medium described in the item.
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