JPH07105068B2 - Optical memory device - Google Patents

Optical memory device

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JPH07105068B2
JPH07105068B2 JP63266427A JP26642788A JPH07105068B2 JP H07105068 B2 JPH07105068 B2 JP H07105068B2 JP 63266427 A JP63266427 A JP 63266427A JP 26642788 A JP26642788 A JP 26642788A JP H07105068 B2 JPH07105068 B2 JP H07105068B2
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thin film
optical memory
recording
dielectric thin
transparent substrate
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賢司 太田
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報の記録および再生又は消去が可
能な光メモリ素子に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical memory device capable of optically recording and reproducing or erasing information.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、大容量、高密度、高速アクセス化の可能な記憶素
子への要望が高まるなかで、光学的に情報の記録および
再生又は消去が可能な光メモリ素子が注目を集めてい
る。特に、追加記録が可能な光ディスクや書き換え可能
な光ディスク、並びに、携帯性に優れた光カードは、光
メモリ素子の応用範囲を拡げるものとして活発な研究開
発が進められている。
2. Description of the Related Art In recent years, an optical memory device capable of optically recording and reproducing or erasing information has been attracting attention as a demand for a storage device capable of high capacity, high density and high speed access has been increased. In particular, an optical disk capable of additional recording, a rewritable optical disk, and an optical card having excellent portability have been actively researched and developed as a means for expanding the application range of the optical memory device.

そして、上記の光メモリ素子においては、従来より、多
層膜構造による反射防止構造を採るのが一般的となって
いる。例えば、第4図(a)に示すように、記録層11と
透明誘電体層12と反射膜層13とからなる記録媒体20を透
明基板14上に形成してなるものや、同図(b)に示すよ
うに、2つの透明誘電体層15・16と記録層11とからなる
記録媒体21を透明基板14上に形成してなるもの、さら
に、同図(c)に示すように、2つの透明誘電体層17・
18と記録層11と反射膜層13とからなる記録媒体22を透明
基板14上に形成してなるものなどが知られている。これ
らは、いずれも、透明誘電体層12・15・16・17・18の干
渉効果により反射防止構造を実現している。このよう
に、多層膜構造による反射防止は、穴あけ型に代表され
る追加記録可能な光メモリ素子においては、再生コント
ラストの向上、並びに、高い記録感度を得るために必要
な技術であり、また、書き換え可能な光メモリ素子の代
表格として知られる磁気光学記録素子においては、磁気
光学効果のエンハンス効果を増大して再生性能を改善す
るために必要な技術となっている。
In the above-mentioned optical memory device, it has been general practice to adopt an antireflection structure having a multilayer film structure. For example, as shown in FIG. 4 (a), a recording medium 20 including a recording layer 11, a transparent dielectric layer 12 and a reflective film layer 13 is formed on a transparent substrate 14, and FIG. ), A recording medium 21 composed of two transparent dielectric layers 15 and 16 and a recording layer 11 is formed on a transparent substrate 14, and further, as shown in FIG. Two transparent dielectric layers 17
A recording medium 22 including a recording layer 11, a recording layer 11, and a reflective film layer 13 formed on a transparent substrate 14 is known. All of them realize an antireflection structure by the interference effect of the transparent dielectric layers 12, 15, 16, 17, and 18. As described above, the antireflection by the multilayer film structure is a technique necessary for improving the reproduction contrast and obtaining a high recording sensitivity in the additionally recordable optical memory device represented by the hole punching type. In a magneto-optical recording element known as a representative of possible optical memory elements, it is a technique necessary for increasing the enhancing effect of the magneto-optical effect and improving the reproducing performance.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

ところが、上記従来の構造では、光メモリ素子におる記
録性能および再生性能は改善されるものの、前記透明誘
電体層12・15・16・17・18で光を効果的に干渉させる必
要があるため、記録層11からの反射光量は必然的に少な
くなる。従って、この種の構造を有する光メモリ素子
は、外観がいずれも黒っぽい色調となり、例えば、再生
専用ディスクであるコンパクトディスクやビデオディス
クのような高反射の金属光沢や、キャッシュカード、ク
レジットカード、および、各種プリペイドカード等の磁
気カードに施されるカラフルなデザインと比較して外観
上色彩の点で見劣りするという欠点を有していた。
However, in the above-mentioned conventional structure, although the recording performance and the reproducing performance in the optical memory device are improved, it is necessary to effectively interfere the light with the transparent dielectric layers 12, 15, 16, 17, 18. The amount of reflected light from the recording layer 11 is inevitably small. Therefore, the optical memory device having this type of structure has a dark tone in appearance, and has a highly reflective metallic luster such as a compact disc or a video disc which is a read-only disc, a cash card, a credit card, and It has a drawback in that it is inferior in terms of appearance in color as compared with the colorful designs applied to magnetic cards such as various prepaid cards.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決するた
めに、透明基板の片側に、記録再生に使用される光は透
過する一方、それ以外の波長の光であって可視光領域に
ある光の一部は反射するように少なくとも一層の光学膜
が形成されていることを特徴としている。
In order to solve the above problems, the optical memory device according to the present invention has one side of a transparent substrate that transmits light used for recording / reproduction, while having a wavelength other than that, which is in the visible light range. Is characterized in that at least one optical film is formed so as to be reflected.

〔作用〕[Action]

上記の構成によれば、可視光領域にある光の一部は反射
されるので、その波長に応じた色に光メモリ素子が色づ
いて見えることになり、外観が黒っぽい色調になるとい
う欠点を解消することができる。一方、記録再生に使用
される光は透過されるので、光メモリ素子における記録
再生特性が損なわれることはない。
According to the above configuration, since a part of light in the visible light region is reflected, the optical memory element looks colored in a color according to the wavelength, and the disadvantage that the appearance becomes a blackish color tone is solved. be able to. On the other hand, since the light used for recording / reproducing is transmitted, the recording / reproducing characteristics of the optical memory element are not impaired.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.

本発明に係る光メモリ素子は、第1図に示すように、情
報の記録再生に用いられる光ビームを透過する透明基板
1と、この透明基板1の一方の面に形成された記録媒体
2と、上記透明基板1の他方の面に形成された透明誘電
体薄膜積層体3とを備えて構成されている。上記の記録
媒体2は、従来と同様、記録層に透明誘電体層や反射膜
層が組み合わされた反射防止構造をなすものである。
As shown in FIG. 1, an optical memory device according to the present invention includes a transparent substrate 1 which transmits a light beam used for recording and reproducing information, and a recording medium 2 formed on one surface of the transparent substrate 1. The transparent dielectric thin film laminated body 3 formed on the other surface of the transparent substrate 1 is provided. The recording medium 2 has an antireflection structure in which a recording layer is combined with a transparent dielectric layer or a reflective film layer, as in the conventional case.

透明誘電体薄膜積層体3は、前記透明基板1の持つ屈折
率よりも大きな屈折率を有する光学膜である高屈折率誘
電体薄膜3a…と、透明基板1の持つ屈折率よりも小さな
屈折率を有する光学膜である低屈折率誘電体薄膜3b…と
が交互に積層されたものであり、記録再生に用いられる
光ビームの入射する側から見て第1層目に高屈折率誘電
体薄膜3aが配されている。従って、奇数番目の層には高
屈折率誘電体薄膜3a…が、偶数番目の層には低屈折率誘
電体薄膜3b…がそれぞれ位置している。
The transparent dielectric thin film laminate 3 has a high refractive index dielectric thin film 3a, which is an optical film having a refractive index larger than that of the transparent substrate 1, and a refractive index smaller than that of the transparent substrate 1. And a low-refractive-index dielectric thin film 3b, which is an optical film having a layer, are alternately laminated, and the high-refractive-index dielectric thin film is the first layer as seen from the incident side of the light beam used for recording and reproduction. 3a is arranged. Therefore, the high-refractive-index dielectric thin films 3a ... Are located in the odd-numbered layers, and the low-refractive-index dielectric thin films 3b are located in the even-numbered layers.

そして、高屈折率誘電体薄膜3aおよび低屈折率誘電体薄
膜3bの膜厚は、上記光ビーム入射側から見てk番目の透
明誘電体薄膜の屈折率をnk、膜厚をdk、記録再生用の光
ビームの波長をλとして以下の第1式を充足するように
各々設定される。
The high-refractive-index dielectric thin film 3a and the low-refractive-index dielectric thin film 3b have film thicknesses of n k and d k , respectively, for the refractive index of the k-th transparent dielectric thin film when viewed from the light beam incident side. The wavelengths of the recording / reproducing light beam are set to λ, and are set so as to satisfy the following first expression.

以上の構成によれば、多層薄膜による干渉効果により、
波長λの光ビームに対する反射率は高屈折率誘電体薄膜
3aおよび低屈折率誘電体薄膜3bの形成されていない場合
の反射率に等しく、極小値をとることができる。換言す
れば、波長λ以外の光に対しては反射光が強調されるこ
とになり、この結果、光メモリ素子が上記反射光の波長
に応じた色に色づいて見えることになる。
According to the above configuration, due to the interference effect of the multilayer thin film,
The reflectance for the light beam of wavelength λ is high refractive index dielectric thin film
It is equal to the reflectance when the thin film 3a and the low refractive index dielectric thin film 3b are not formed, and can take a minimum value. In other words, the reflected light is emphasized with respect to light having a wavelength other than the wavelength λ, and as a result, the optical memory element appears colored in a color corresponding to the wavelength of the reflected light.

具体例を挙げて説明すると、例えば高屈折率誘電体薄膜
3aとしてZnS(屈折率n=2.39)、低屈折率誘電体薄膜3
bとしてMgF2(屈折率n=1.39)を用い、透明基板1と
してポリカーボネート(屈折率n=1.585)を用い、記
録再生用の光ビームの波長λを780nmとすると、前記の
第1式より、ZnSの膜厚であるtZnSは163nm、MgF2の膜厚
であるtMgF2は281nmになる。かかる設定条件において、
透明誘電体薄膜積層体3が2層からなる場合および4層
からなる場合の各々についての光メモリ素子表面での反
射率の波長依存性は、第2図に示すように、波長780nm
で反射率が極小値Ro(透明誘電体薄膜が無い場合、即
ち、透明基板1単体時の反射率)を示す反面、波長520n
m近辺では高い反射率を示すことになる。これにより、
記録再生用の光ビームは反射されずに透明基板1を透過
して記録膜に達することができる一方、他の波長の光、
特に520nm近辺の光は反射されるので、光メモリ素子に
おける記録再生特性は損なわれず、外観上黄色系に色づ
いた光メモリ素子を得ることができる。また、上記透明
基板1が樹脂系の材料からなる場合には表面硬度の点で
不十分さが残るのであるが、本実施例のごとく無機系の
透明誘電体薄膜が透明基板1の表面に被覆された場合に
は、上記表面硬度の不十分さを改善することも可能とな
る。
Explaining with a specific example, for example, a high refractive index dielectric thin film
ZnS (refractive index n = 2.39) as 3a, low refractive index dielectric thin film 3
If MgF 2 (refractive index n = 1.39) is used as b, polycarbonate (refractive index n = 1.585) is used as the transparent substrate 1, and the wavelength λ of the recording / reproducing light beam is 780 nm, then from the first equation above, The ZnS film thickness t ZnS is 163 nm, and the MgF 2 film thickness t MgF 2 is 281 nm. Under such setting conditions,
As shown in FIG. 2, the wavelength dependence of the reflectance on the surface of the optical memory element when the transparent dielectric thin film laminate 3 is composed of two layers and when it is composed of four layers is as shown in FIG.
The reflectance shows a minimum value R o (when there is no transparent dielectric thin film, that is, the reflectance when the transparent substrate 1 is alone), while the wavelength is 520n.
High reflectivity is shown near m. This allows
The recording / reproducing light beam can pass through the transparent substrate 1 and reach the recording film without being reflected, while light of other wavelengths,
In particular, since light near 520 nm is reflected, the recording and reproducing characteristics of the optical memory element are not impaired, and an optical memory element colored yellowish in appearance can be obtained. Further, when the transparent substrate 1 is made of a resin-based material, insufficiency remains in terms of surface hardness, but as in the present embodiment, the surface of the transparent substrate 1 is coated with an inorganic transparent dielectric thin film. If this is the case, it becomes possible to improve the insufficient surface hardness.

また、前記の低屈折率誘電体薄膜3bであるMgF2層の膜厚
のみを前記の第1式から得られる膜厚より幾分ずらした
場合(例えば、tMgF2=100nm)であって、透明誘電体薄
膜積層体3が4層からなる場合の光メモリ素子表面での
反射率の波長依存性は、第3図に示すように、高反射率
の領域が前述の具体例よりも拡がっただけでなく、波長
が780nmでの反射率は前記極小値Roよりも下回ることに
なり、光メモリ素子における記録再生において不具合と
なる光メモリ素子表面での反射光による影響をより低減
することができる。
Further, when only the film thickness of the MgF 2 layer, which is the low-refractive-index dielectric thin film 3b, is slightly shifted from the film thickness obtained from the above-mentioned first equation (for example, t MgF2 = 100 nm), it is transparent. As shown in FIG. 3, the wavelength dependence of the reflectance on the surface of the optical memory device in the case where the dielectric thin film laminated body 3 is composed of four layers is as shown in FIG. However, the reflectance at a wavelength of 780 nm is lower than the minimum value R o , and the influence of reflected light on the surface of the optical memory element, which is a problem in recording and reproduction in the optical memory element, can be further reduced.

なお、以上の具体例においては、光学膜としての透明誘
電体薄膜を積層して多層薄膜構造による干渉効果によっ
て、記録再生用の光ビームは透過させる一方、それ以外
の波長で且つ可視光領域の光の一部は反射するようにし
たが、上記の透明誘電体薄膜の多層薄膜構造に代えて所
定の光学膜を一層だけ用いた単層薄膜構造としても良い
ことは勿論である。また、上記の透明誘電体薄膜積層体
3については、ZnSとMgF2との組み合わせに限定される
ものではなく、例えば、Sb2S3,TiO2,CdS,CeO2,PbC
l2,WO3,SiO,Al2O3,SiO2,CaF2,LiF,NaF,AlN,SiN等の
中から、所定の屈折率の大小関係を充たすものを組み合
わせればよい。さらに、前記の実施例では、透明基板1
における記録媒体2と対向する側の面に透明誘電体薄膜
積層体3を形成したが、この透明誘電体薄膜積層体3の
形成箇所については、上記の箇所に限らず、例えば、透
明基板1と記録媒体2との間であってもよい。
In the above specific examples, the transparent dielectric thin film as the optical film is laminated to allow the recording / reproducing light beam to be transmitted by the interference effect of the multi-layered thin film structure, while at the other wavelengths and in the visible light region. Although a part of the light is reflected, it goes without saying that a single layer thin film structure using only one predetermined optical film may be used instead of the multilayer thin film structure of the transparent dielectric thin film. The transparent dielectric thin film laminate 3 is not limited to the combination of ZnS and MgF 2, and may be, for example, Sb 2 S 3 , TiO 2 , CdS, CeO 2 , PbC.
l 2, WO 3, SiO, Al 2 O 3, SiO 2, CaF 2, LiF, NaF, AlN, among SiN or the like, may be combined with those satisfying the magnitude relationship of the predetermined refractive index. Further, in the above embodiment, the transparent substrate 1
Although the transparent dielectric thin film laminate 3 was formed on the surface of the recording medium 2 facing the recording medium 2, the location of the transparent dielectric thin film laminate 3 is not limited to the above-mentioned location, and for example, the transparent substrate 1 It may be between the recording medium 2.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、透明基板
の片側に、記録再生に使用される光は透過する一方、そ
れ以外の波長の光であって可視光領域にある光の一部は
反射するように少なくとも一層の光学膜が形成されてい
る構成である。
As described above, the optical memory element according to the present invention allows one side of the transparent substrate to transmit the light used for recording / reproduction, while the other wavelengths of the light are part of the visible light. This is a configuration in which at least one optical film is formed so as to be reflected.

これにより、可視光領域にある光の一部は反射されるの
で、その波長い応じた色に光メモリ素子が色づいて見え
ることになり、外観が黒っぽい色調になるという欠点を
解消することができる。加えて、樹脂系材料からなる透
明基板の有する欠点である表面硬度の不十分さも改善し
得るという効果も併せて奏する。
As a result, a part of the light in the visible light region is reflected, so that the optical memory element appears to be colored in a color corresponding to the wavelength thereof, and it is possible to eliminate the disadvantage that the appearance has a blackish color tone. In addition, the effect of being able to improve the insufficient surface hardness, which is a drawback of the transparent substrate made of a resin material, is also exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第3図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第1図は光メモリ素子の要部を示す断面図、第2
図は透明誘電体薄膜積層体が2層からなる場合および4
層からなる場合の各々についての光メモリ素子表面での
反射率の波長依存性を示すグラフ、第3図は低屈折率誘
電体薄膜の膜厚のみを第1式から得られる膜厚より幾分
ずらした場合において透明誘電体薄膜積層体が4層から
なる場合の光メモリ素子表面での反射率の波長依存性を
示すグラフ、第4図(a)ないし(c)はそれぞれ従来
の光メモリ素子構造を示す断面図である。 1は透明基板、2は記録媒体、3は透明誘電体薄膜積層
体、3aは高屈折率誘電体薄膜(光学膜)、3bは低屈折率
誘電体薄膜(光学膜)である。
1 to 3 show an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a sectional view showing an essential part of an optical memory device, and FIG.
The figure shows the case where the transparent dielectric thin film laminate is composed of two layers and 4
FIG. 3 is a graph showing the wavelength dependence of the reflectance on the surface of the optical memory element for each of the cases of layers, and FIG. 3 shows that only the thickness of the low refractive index dielectric thin film is slightly shifted from the thickness obtained from the first formula. FIG. 4A to FIG. 4C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance on the surface of the optical memory device when the transparent dielectric thin film laminated body is composed of four layers, respectively, and FIGS. FIG. 1 is a transparent substrate, 2 is a recording medium, 3 is a transparent dielectric thin film laminated body, 3a is a high refractive index dielectric thin film (optical film), and 3b is a low refractive index dielectric thin film (optical film).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 石川 俊夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Kenji Ota, 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Sharp Corporation (72) Hideka Yamaoka, 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Prefecture (72) Inventor Toshio Ishikawa 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Prefecture

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透明基板の片側に、記録再生に使用される
光は透過する一方、それ以外の波長の光であって可視光
領域にある光の一部は反射するように少なくとも一層の
光学膜が形成されていることを特徴とする光メモリ素
子。
1. A transparent substrate having at least one optical layer so that light used for recording / reproducing is transmitted to one side of the transparent substrate while light having a wavelength other than the transparent substrate is partially reflected. An optical memory device having a film formed thereon.
JP63266427A 1988-10-21 1988-10-21 Optical memory device Expired - Lifetime JPH07105068B2 (en)

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