JPH07102088A - Processing method for polyimide film, and polyimide optical waveguide - Google Patents

Processing method for polyimide film, and polyimide optical waveguide

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JPH07102088A
JPH07102088A JP27121693A JP27121693A JPH07102088A JP H07102088 A JPH07102088 A JP H07102088A JP 27121693 A JP27121693 A JP 27121693A JP 27121693 A JP27121693 A JP 27121693A JP H07102088 A JPH07102088 A JP H07102088A
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polyimide
bis
optical waveguide
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trifluoromethyl
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容子 丸尾
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重邦 佐々木
Toshiaki Tamamura
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Toshiyuki Horiuchi
敏行 堀内
Tsuneyuki Haga
恒之 芳賀
Hiroo Kinoshita
博雄 木下
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Abstract

PURPOSE:To provide the method for simply and conveniently changing the refractive index of a polyimide film and to obtain a new polyimide optical waveguide free from problems with differences in thermal characteristics and birefringence between a core and a clad. CONSTITUTION:A polyimide film is irradiated with a radiation light. A polyimide optical waveguide comprises a polyimide clad and a polyimide core irradiated with a radiation light. A suitable polyimide film is a fluorinated one. Thus the steps and time for production are reduced, and the waveguide is produced simply and conveniently.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドの屈折率を
簡便に変化させ、ポリイミド光導波路に用い、特にコア
として屈折率を制御したポリイミドを用いた光導波路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyimide optical waveguide in which the refractive index of polyimide is easily changed, and more particularly to an optical waveguide using a polyimide having a controlled refractive index as a core.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミドは耐熱性、電気的性質、機械
的性質に優れているため電子部品の絶縁膜、フレキシブ
ルプリント配線板などの電子材料として多く用いられて
いる。一方、光通信システムの進展に伴い、高性能、高
機能な種々の光部品の開発が期待される中で各々の光学
部品に適合した性能を有する光学材料が必要になってい
る。これまで光通信用の光学材料としては光ファイバの
材料でもある石英が主に検討され、種々の光学部品が開
発されている。しかし石英系光学材料を用いた光部品の
作製には1000℃以上の高温が必要であることから作
製できる基板が限定され、またフレキシブル性に欠ける
などの欠点もあり、万能な光学材料ではない。石英に代
表される無機光学材料に対してフレキシブル性、製造性
に優れたプラスチック光学材料、特に信頼性、プロセス
適合性の観点から耐熱性に優れたプラスチック光学材料
が期待される。光ファイバで実証済のように石英は光透
過性が極めて良好であるため導波路とした場合も波長が
1.3μmにおいて0.1dB/cm以下の低光損失化
が達成されている。しかしその光導波路作製に長時間を
必要とする、作製時に高温が必要である、大面積化が困
難であるなど製造上の問題点がある。これに対してポリ
メチルメタクリレート(PMMA)などのプラスチック
系光導波路は低い温度で成形が可能であり、低価格が期
待できるなどの長所がある一方耐熱性に劣るという欠点
がある。そのようなことから耐熱性に優れたプラスチッ
ク系光導波路が期待されるに至った。一方、耐熱性に優
れているポリイミドは電子部品の絶縁膜、フレキシブル
プリント配線板などの電子材料として多く用いられてい
るが、これまで光導波路などの光学部品への適用につい
ての実績はほとんどない。
2. Description of the Related Art Since polyimide has excellent heat resistance, electrical properties, and mechanical properties, it is widely used as an electronic material such as an insulating film for electronic parts and flexible printed wiring boards. On the other hand, with the development of optical communication systems, development of various high-performance and high-performance optical components is expected, and optical materials having performances suitable for each optical component are required. So far, quartz, which is also a material for optical fibers, has been mainly studied as an optical material for optical communication, and various optical parts have been developed. However, since a high temperature of 1000 ° C. or higher is required to manufacture an optical component using a silica-based optical material, the substrates that can be manufactured are limited, and there are drawbacks such as lack of flexibility, and so it is not a universal optical material. It is expected that a plastic optical material which is excellent in flexibility and manufacturability with respect to an inorganic optical material typified by quartz, particularly a plastic optical material which is excellent in heat resistance from the viewpoint of reliability and process compatibility. Since quartz has an extremely good optical transparency as has been proved with an optical fiber, even when used as a waveguide, a low optical loss of 0.1 dB / cm or less is achieved at a wavelength of 1.3 μm. However, there are problems in manufacturing, such as requiring a long time for manufacturing the optical waveguide, requiring high temperature during manufacturing, and making it difficult to increase the area. On the other hand, a plastic optical waveguide such as polymethylmethacrylate (PMMA) can be molded at a low temperature and has an advantage that a low price can be expected, but has a drawback that it is inferior in heat resistance. Therefore, a plastic optical waveguide having excellent heat resistance has been expected. On the other hand, polyimide, which is excellent in heat resistance, is often used as an insulating material for electronic parts, electronic materials such as flexible printed wiring boards, etc., but to date it has hardly been applied to optical parts such as optical waveguides.

【0003】このような観点に立ち、本発明者らはポリ
イミド光学材料について研究開発を進めている。ポリイ
ミドを光学材料として適用していく上で光の透過性に優
れていること、屈折率を自由に制御できることの二点が
特に重要である。本発明者らは特開平3−72528号
公報でフッ素化ポリイミドを共重合することにより例え
ば光導波路の形成に必要な屈折率制御が可能であること
を明らかにしている。またこのフッ素化ポリイミドを用
いた光導波路については特開平4−9807号、同4−
235505号、同4−235506号各公報で明らか
にしている。これらの光導波路において光を通す役割を
持つコアと光を閉じ込める役割を持つクラッドの間の屈
折率差の制御は、ポリイミドに含有するフッ素の含量を
調節して行っている。すなわちコア用とクラッド用の屈
折率の異なる2種類のフッ素化ポリイミドを使用してい
る。そのためコアとクラッドの間の熱的な特性が異な
る、複屈折が異なるなどある種の光導波路においては問
題となることもある。同じポリイミドを用いて屈折率を
自由に制御できれば、これまでにないポリイミド光導波
路の形成が可能となる。また従来のポリイミド光導波路
の製造方法は、半導体作製プロセスで用いられているリ
アクティブ イオン エッチング(RIE)を用いる方
法が主流であり作製行程が多く、作製に長時間を必要と
する欠点があった。これらのポリイミド光導波路の作製
方法に代る、作製行程が少なく、短時間で作製可能な光
導波路の作製方法が望まれている。
From these viewpoints, the present inventors are conducting research and development on polyimide optical materials. In applying polyimide as an optical material, it is particularly important that it has excellent light transmittance and that the refractive index can be freely controlled. The inventors of the present invention have disclosed in JP-A-3-72528 that it is possible to control the refractive index necessary for forming an optical waveguide, for example, by copolymerizing a fluorinated polyimide. Regarding optical waveguides using this fluorinated polyimide, JP-A-4-9807 and 4-
No. 235505 and No. 4-235506. In these optical waveguides, the difference in the refractive index between the core having a role of transmitting light and the clad having a role of confining light is controlled by adjusting the content of fluorine contained in the polyimide. That is, two types of fluorinated polyimides having different refractive indexes for the core and the clad are used. Therefore, there may be a problem in some kinds of optical waveguides such as different thermal characteristics between the core and the clad and different birefringence. If the same polyimide can be used to freely control the refractive index, it is possible to form a polyimide optical waveguide that has never existed before. In addition, the conventional method of manufacturing a polyimide optical waveguide is mainly the method of using reactive ion etching (RIE) used in the semiconductor manufacturing process, and there are many manufacturing processes and there is a drawback that it takes a long time for manufacturing. . There is a demand for a method of manufacturing an optical waveguide that can be manufactured in a short time with a small number of manufacturing steps instead of these methods of manufacturing a polyimide optical waveguide.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
イミドフィルムの屈折率を簡便に変化させる方法を提供
し、コアとクラッドの熱的特性差や複屈折差の問題がな
い新規なポリイミド光導波路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for simply changing the refractive index of a polyimide film, and to provide a novel polyimide optical fiber which does not have the problem of thermal characteristic difference and birefringence difference between the core and the clad. It is to provide a waveguide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第1の発明は、ポリイミドの加工方法に関する発
明であって、ポリイミドに放射光を照射することを特徴
とする。本発明の第2の発明は、ポリイミド光導波路に
関する発明であって、そのコアとして放射光照射により
屈折率を制御したポリイミドを用いることを特徴とす
る。
The present invention will be summarized. The first invention of the present invention relates to a method for processing a polyimide, and is characterized in that the polyimide is irradiated with radiant light. A second invention of the present invention relates to a polyimide optical waveguide, and is characterized in that a polyimide whose refractive index is controlled by irradiation of radiant light is used as a core thereof.

【0006】前記のような状況にかんがみ本発明者らは
鋭意検討を行った結果ポリイミドに放射光を照射させる
ことによりポリイミドの屈折率を変化させることを見い
だし本発明を完成するに至った。
In view of the above situation, the inventors of the present invention have conducted extensive studies and found that the refractive index of polyimide is changed by irradiating the polyimide with radiant light, and the present invention has been completed.

【0007】本発明に用いるポリイミドは、例えば以下
に示すテトラカルボン酸又はその誘導体とジアミンから
製造することができ、ポリイミド単体、ポリイミド共重
合体、ポリイミド混合物及びこれらに必要に応じて添加
材等を添加したものなどがある。
The polyimide used in the present invention can be produced, for example, from the following tetracarboxylic acid or its derivative and a diamine, and contains a simple substance of polyimide, a polyimide copolymer, a polyimide mixture and, if necessary, additives and the like. Some are added.

【0008】テトラカルボン酸並びにその誘導体として
の酸無水物、酸塩化物、エステル化物等としては次のよ
うなものが挙げられる。ここではテトラカルボン酸とし
ての例を挙げる。(トリフルオロメチル)ピロメリット
酸、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ジ(ヘ
プタフルオロプロピル)ピロメリット酸、ペンタフルオ
ロエチルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフル
オロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸、2,3,
3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,
4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,
3,3’,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン、
1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン、1,
4,5,6−テトラカルボキシナフタレン、3,3’,
4,4’−テトラカルボキシジフェニルメタン、3,
3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、5,5’−ビス(トリフ
ルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキ
シビフェニル、2,2’,5,5’−テトラキス(トリ
フルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボ
キシビフェニル、5,5’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−
3,3’,4,4’−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ベンゼン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン、
ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチ
ル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス
(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシ
フェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、
2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキ
シ)フェニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカ
ルボキシフェノキシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオ
ロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオ
ロメチル)ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル、ビス
(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチ
ル)ビフェニル、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ジメチルシラン、1,3−ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン、
1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ)オクタフルオロビフェニルなどである。
The acid anhydrides, acid chlorides, ester compounds and the like as tetracarboxylic acids and their derivatives include the following. Here, an example of tetracarboxylic acid will be given. (Trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (trifluoromethyl) pyromellitic acid, di (heptafluoropropyl) pyromellitic acid, pentafluoroethylpyromellitic acid, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy} Pyromellitic acid, 2, 3,
3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3',
4,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 2,
3,3 ', 4'-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 2,3,6,7-tetracarboxynaphthalene,
1,4,5,7-tetracarboxynaphthalene, 1,
4,5,6-tetracarboxynaphthalene, 3,3 ',
4,4'-tetracarboxydiphenylmethane, 3,
3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl sulfone, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 5,5 '-Bis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'-tetracarboxybiphenyl, 2,2 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3', 4,4'- Tetracarboxybiphenyl, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxydiphenyl ether, 5,5'-bis (trifluoromethyl)-
3,3 ′, 4,4′-tetracarboxybenzophenone, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} benzene, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} (trifluoromethyl) benzene,
Bis (dicarboxyphenoxy) (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 3,4,9,10-tetra Carboxyperylene,
2,2-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} propane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, 2,2-bis {4-
(3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} biphenyl, bis {(trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy} bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis {( Trifluoromethyl)
Dicarboxyphenoxy} diphenyl ether, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetramethyldi Siloxane, difluoropyromellitic acid, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene,
1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0009】ジアミンとしては、例えば次のものが挙げ
られる。m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノト
ルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノ
デュレン、4−(1H,1H,11H−エイコサフルオ
ロウンデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(1H,1H−パーフルオロ−1−ブタノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオ
ロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
4−(1H,1H−パーフルオロ−1−オクタノキシ)
−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタフルオロフェ
ノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−(2,3,
5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキシ)−1,3
−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−
パーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,3−ジアミノ
ベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロ−1−ドデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、
p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、
2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミ
ン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス
(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノ
テトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペ
ンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5−ジアミノ(パ
ーフルオロブチル)ベンゼン、ベンジジン、2,2’−
ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、
3,3’−ジメトキシベンジジン、2,2’−ジメトキ
シベンジジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベン
ジジン、3,3’−ジアセチルベンジジン、2,2’−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフ
ェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニ
ル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’
−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)
プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジ
アミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エ
タン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオ
ロプロパン、1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロ
ブタン、1,5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタ
ン、1,7−ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプ
タン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3’,5,5’−テトラキス(トリフ
ルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’
−ジアミノベンゾフェノン、4,4’’−ジアミノ−p
−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)
ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメ
チルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)
ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフ
ェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ン、4,4’’’−ジアミノ−p−クオーターフェニ
ル、4,4’−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキ
シフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4
−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキ
シ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス
(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビ
フェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4’
−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキ
シ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−ア
ミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}
ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチ
ル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス〔{(トリフ
ルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジ
アミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス
{2−〔(アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル}ベンゼン、ビス(2,3,5,6−テ
トラフルオロ−4−アミノフェニル)エーテル、ビス
(2,3,5,6−テトラフルオロ−4−アミノフェニ
ル)スルフィド、1,3−ビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノ
プロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノ
フェニル)ジエチルシラン、1,3−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、4,4’−ビス(テトラフルオロアミノフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニル等がある。
Examples of the diamine include the following. m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 2,4-diaminodurene, 4- (1H, 1H, 11H-eicosafluoroundecanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4-
(1H, 1H-perfluoro-1-butanoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-heptanoxy) -1,3-diaminobenzene,
4- (1H, 1H-perfluoro-1-octanoxy)
-1,3-diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3-diaminobenzene, 4- (2,3,
5,6-Tetrafluorophenoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (4-fluorophenoxy) -1,3
-Diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-
Perfluoro-1-hexanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro-1-dodecanoxy) -1,3-diaminobenzene,
p-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene,
2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-diaminobenzotrifluoride, bis (trifluoromethyl) phenylenediamine, diaminotetra (trifluoromethyl) benzene, diamino (pentafluoroethyl) benzene 2,5-diamino (perfluorohexyl) benzene, 2,5-diamino (perfluorobutyl) benzene, benzidine, 2,2′-
Dimethylbenzidine, 3,3′-dimethylbenzidine,
3,3'-dimethoxybenzidine, 2,2'-dimethoxybenzidine, 3,3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 3,3'-diacetylbenzidine, 2,2'-
Bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, octafluorobenzidine, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4 '
-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 2,2-bis (p-aminophenyl)
Propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,2-bis (anilino) ethane, 2,2-bis (p- Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis (anilino) octafluorobutane, 1,5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-bis (anilino) ) Tetradecafluoroheptane, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4 '
-Diaminobenzophenone, 4,4 "-diamino-p
-Terphenyl, 1,4-bis (p-aminophenyl)
Benzene, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, bis (aminophenoxy)
Bis (trifluoromethyl) benzene, bis (aminophenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 4,4 ′ ″-diamino-p-quarterphenyl, 4,4′-bis (p-aminophenoxy) biphenyl, 2 , 2-bis {4- (p-aminophenoxy) phenyl} propane, 4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenyl sulfone, 2,2-bis {4-
(4-Aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (3-aminophenoxy)
Phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4
-(2-Aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4- Aminophenoxy)-
3,5-ditrifluoromethylphenyl} hexafluoropropane, 4,4′-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) ) Biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenyl sulfone, 4,4 '
-Bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenyl sulfone, 2,2-bis {4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl}
Hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) aminophenoxy} biphenyl, bis [{(trifluoromethyl) aminophenoxy} phenyl] hexafluoropropane, diaminoanthraquinone, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, Bis {2-[(aminophenoxy) phenyl] hexafluoroisopropyl} benzene, bis (2,3,5,6-tetrafluoro-4-aminophenyl) ether, bis (2,3,5,6-tetrafluoro- 4-aminophenyl) sulfide, 1,3-bis (3-aminopropyl)
Tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminophenyl) diethylsilane, 1,3-diaminotetrafluorobenzene, 1,4-diaminotetrafluorobenzene, 4, 4′-bis (tetrafluoroaminophenoxy) octafluorobiphenyl and the like.

【0010】特に好ましくは酸二無水物、ジアミンのい
ずれか又は双方にフッ素原子が結合したものから得られ
るフッ素化ポリイミドを用いることである。
It is particularly preferable to use a fluorinated polyimide obtained by binding a fluorine atom to either or both of an acid dianhydride and a diamine.

【0011】シリコンウェハなどの基板上に作製したポ
リイミドフィルムに放射光を照射することにより屈折率
を変化させたポリイミドフィルムを得ることができる。
ポリイミドフィルムが放射光照射方向で吸収する放射光
の線吸収係数はポリイミドの組成と放射光のエネルギー
によって決り、ポリイミドの組成、放射光のエネルギ
ー、放射光の強度に応じて屈折率も変化する。しかし屈
折率の変化の度合はポリイミドの化学構造によって異な
る。
By irradiating a polyimide film formed on a substrate such as a silicon wafer with radiant light, a polyimide film having a changed refractive index can be obtained.
The linear absorption coefficient of the radiant light absorbed by the polyimide film in the irradiation direction of the radiant light is determined by the composition of the polyimide and the energy of the radiated light, and the refractive index also changes according to the composition of the polyimide, the energy of the radiated light, and the intensity of the radiated light. However, the degree of change in the refractive index depends on the chemical structure of the polyimide.

【0012】放射光のエネルギーによってポリイミドフ
ィルムの線吸収係数の値は大きく異なり例えば300e
V程度のエネルギーであると約1μm-1となり、屈折率
変化の領域も1μm付近までとなる。またもっと高エネ
ルギーになると線吸収係数の値は小さくなり、深い領域
まで屈折率が変化する。また照射量を多くするとそれに
応じて屈折率変化も大きくなる。しかし照射量を多くし
過ぎるとポリイミドの化学構造によっては材料破壊を引
起こす場合もある。このようにポリイミドの化学構造、
放射光のエネルギー、照射量を制御することにより屈折
率の変化する領域に種々のプロファイルを持たせるよう
に屈折率を変化させることが可能である。
The value of the linear absorption coefficient of the polyimide film varies greatly depending on the energy of the emitted light, for example, 300e.
When the energy is about V, it becomes about 1 μm −1 , and the refractive index change region is up to about 1 μm. Moreover, when the energy becomes higher, the value of the linear absorption coefficient becomes smaller, and the refractive index changes to a deep region. Moreover, when the irradiation amount is increased, the change in the refractive index is correspondingly increased. However, if the irradiation dose is too high, material destruction may occur depending on the chemical structure of polyimide. Thus the chemical structure of polyimide,
By controlling the energy and the irradiation amount of the radiated light, it is possible to change the refractive index so that the region where the refractive index changes has various profiles.

【0013】光導波路の製造方法としてはいくつかの方
法が考えられる。最も簡便にはコアはX線マスクを用い
ることにより形成することができる。すなわち、まずシ
リコンなどの基板上にポリアミド酸溶液をスピンコート
した後加熱キュアし、ポリイミドフィルムを得る。次に
これにX線マスクを通して所定の屈折率、所定の寸法に
なるように放射光を照射する。このフィルムの上に同じ
ポリアミド酸溶液をスピンコートした後加熱キュアし、
シリコン基板からはがし、コア層が形成された2層構造
のポリイミドフィルムを得る。このポリイミドフィルム
を放射光照射フィルム側を上面にしてシリコン基板に密
着させる。そして最後に上部クラッドとして同じポリア
ミド酸溶液をスピンコートした後加熱キュアし、埋め込
み型光導波路を得る。また埋め込み型導波路の形成はク
ラッドとなるポリイミドフィルムをコア層フィルムの上
下から挟み込んで圧着又は非常に薄い接着剤層を介して
接着させることでも可能である。光導波路構造としては
スラブ型、リッジ型、その他一般に製造されている種々
の光導波路構造を製造することが可能である。また光伝
播モードとしてシングルモード型、マルチモード型とも
コアとクラッドの屈折率差をコントロールすることによ
り、製造が可能である。
Several methods can be considered as a method of manufacturing the optical waveguide. Most simply, the core can be formed by using an X-ray mask. That is, first, a polyamide acid solution is spin-coated on a substrate such as silicon and then cured by heating to obtain a polyimide film. Next, this is irradiated with radiant light through an X-ray mask so as to have a predetermined refractive index and a predetermined size. After spin-coating the same polyamic acid solution on this film, heat curing,
It is peeled off from the silicon substrate to obtain a two-layered polyimide film having a core layer. This polyimide film is brought into close contact with the silicon substrate with the radiation light irradiation film side facing upward. Finally, the same polyamic acid solution as the upper clad is spin-coated and then heated and cured to obtain an embedded optical waveguide. The embedded waveguide can also be formed by sandwiching a polyimide film serving as a clad from above and below the core layer film and bonding them by pressure bonding or by interposing a very thin adhesive layer. As the optical waveguide structure, it is possible to manufacture a slab type, a ridge type, and various other generally manufactured optical waveguide structures. Both single mode and multimode light propagation modes can be manufactured by controlling the refractive index difference between the core and the clad.

【0014】[0014]

【実施例】以下、いくつかの実施例を用いて本発明を詳
しく説明する。なお本発明はこれらの実施例のみに限定
されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to some examples. The present invention is not limited to these examples.

【0015】実施例1 三角フラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物88.8g
(0.2mol)と2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル64.0g(0.
2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000
gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間
かくはんし、濃度約15wt%のポリアミド酸溶液を得
た。このポリアミド酸溶液をシリコンウェハ上にスピン
コートした後オーブン中で70℃で2時間、160℃で
1時間、250℃で30分、350℃で1時間加熱し、
イミド化を行い、厚さ10μmのポリイミドフィルムを
得た。このシリコン基板上のポリイミドフィルムに27
5eVにピークをもつ200eV〜1000eVの放射
光を5分間照射した。このポリイミドフィルムの屈折率
変化を測定した結果膜厚方向の平均で0.3%であっ
た。
Example 1 88.8 g of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride in an Erlenmeyer flask
(0.2 mol) and 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl 64.0 g (0.
2 mol) and N, N-dimethylacetamide 1000
g was added. This mixture was stirred at room temperature for 3 days under a nitrogen atmosphere to obtain a polyamic acid solution having a concentration of about 15 wt%. This polyamic acid solution was spin-coated on a silicon wafer and then heated in an oven at 70 ° C. for 2 hours, 160 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, and 350 ° C. for 1 hour.
Imidization was performed to obtain a polyimide film having a thickness of 10 μm. 27 on the polyimide film on this silicon substrate
Irradiation light of 200 eV to 1000 eV having a peak at 5 eV was irradiated for 5 minutes. As a result of measuring the change in the refractive index of this polyimide film, the average in the film thickness direction was 0.3%.

【0016】実施例2 三角フラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物88.8g
(0.2mol)と2,2’−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル64.0g(0.
2mol)及びN,N−ジメチルアセトアミド1000
gを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温で3日間
かくはんし、濃度約15wt%のポリアミド酸溶液を得
た。このポリアミド酸溶液を酸化膜付シリコンウェハ上
にスピンコートした後オーブン中で70℃で2時間、1
60℃で1時間、250℃で30分、380℃で1時間
加熱し、イミド化を行い、厚さ10μmのポリイミドフ
ィルムを得た。このシリコン基板上のポリイミドフィル
ムに275eVにピークをもつ200〜1000eVの
放射光をX線マスクを通して、5分間照射し、コア(1
0μm角)が放射光照射で形成された一層のポリイミド
光導波路を得た。作製工程を図1に示した。このコアの
屈折率変化は0.3%であった。またこの導波路に波長
1320nmの光を通し、出射端面から赤外線カメラつ
き顕微鏡で観察したところ、光が閉じ込められているこ
とが確認された。このポリイミド光導波路は二行程で作
製できた。図3に、放射光の光エネルギー(横軸、e
V)と輝度(縦軸、 photons/s/mrad2 /mA/0.
1%−bw)との関係をグラフとして示す。
Example 2 88.8 g of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride in an Erlenmeyer flask
(0.2 mol) and 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl 64.0 g (0.
2 mol) and N, N-dimethylacetamide 1000
g was added. This mixture was stirred at room temperature for 3 days under a nitrogen atmosphere to obtain a polyamic acid solution having a concentration of about 15 wt%. This polyamic acid solution was spin-coated on a silicon wafer with an oxide film and then at 70 ° C. for 2 hours in an oven for 1 hour.
The film was heated at 60 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, and 380 ° C. for 1 hour for imidization to obtain a polyimide film having a thickness of 10 μm. The polyimide film on the silicon substrate is irradiated with synchrotron radiation of 200 to 1000 eV having a peak at 275 eV through an X-ray mask for 5 minutes to form a core (1
A one-layer polyimide optical waveguide having a 0 μm square) formed by irradiation with radiant light was obtained. The manufacturing process is shown in FIG. The change in refractive index of this core was 0.3%. When light having a wavelength of 1320 nm was passed through this waveguide and observed from a light emitting end face with a microscope equipped with an infrared camera, it was confirmed that the light was confined. This polyimide optical waveguide could be manufactured in two steps. Fig. 3 shows the optical energy of the emitted light (horizontal axis, e
V) and luminance (vertical axis, photons / s / mrad 2 / mA / 0.
1% -bw) is shown as a graph.

【0017】実施例3 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに図2に
示すようにX線マスクを介して、実施例1と同様の条件
で5分間照射した。このポリイミドフィルムの屈折率変
化部分の屈折率変化を測定した結果膜厚方向の平均で
0.8%であった。
Example 3 A polyimide film prepared in the same manner as in Example 1 was irradiated with an X-ray mask as shown in FIG. 2 under the same conditions as in Example 1 for 5 minutes. As a result of measuring the change in the refractive index of the portion where the refractive index of this polyimide film changed, the average was 0.8% in the film thickness direction.

【0018】実施例4 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに実施例
1と同様の条件で15分間照射した。このポリイミドフ
ィルムの屈折率変化を測定した結果膜厚方向の平均で
0.8%であった。
Example 4 A polyimide film prepared in the same manner as in Example 1 was irradiated for 15 minutes under the same conditions as in Example 1. As a result of measuring the change in the refractive index of this polyimide film, the average in the film thickness direction was 0.8%.

【0019】実施例5 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに実施例
1と同様の条件で30分間照射した。このポリイミドフ
ィルムの屈折率変化を測定した結果膜厚方向の平均で
1.3%であった。
Example 5 A polyimide film prepared in the same manner as in Example 1 was irradiated for 30 minutes under the same conditions as in Example 1. As a result of measuring the change in the refractive index of this polyimide film, the average in the film thickness direction was 1.3%.

【0020】実施例6 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに、所定
の形状に基板をくり抜いたX線ステンシルマスクを介
し、放射光の照射を行った。X線ステンシルマスクをポ
リイミドフィルムに軟接触させた状態で実施例1と同様
の条件で放射光を5分間照射した結果、X線透過部の屈
折率のみが変化し、ステンシルマスクの透過部の形状を
有する屈折率変化範囲が得られた。
Example 6 A polyimide film produced in the same manner as in Example 1 was irradiated with radiant light through an X-ray stencil mask in which a substrate was hollowed out into a predetermined shape. When the X-ray stencil mask was softly contacted with the polyimide film and irradiated with radiant light for 5 minutes under the same conditions as in Example 1, as a result, only the refractive index of the X-ray transmissive part was changed, and the shape of the transmissive part of the stencil mask was changed. A refractive index change range having is obtained.

【0021】実施例7 実施例1と同様に作製したポリイミドフィルムに、X線
反射部と吸収部を有する反射型X線マスクを使用し、該
X線マスク上のパターン像がポリイミド面上に形成され
るよう放射光の照射を行った。実施例1と同様の条件で
放射光を5分間照射した結果、X線反射部に相当する部
分のみ選択的に屈折率を変化させることができた。
Example 7 A reflection type X-ray mask having an X-ray reflecting portion and an absorbing portion was used on a polyimide film prepared in the same manner as in Example 1, and a pattern image on the X-ray mask was formed on the polyimide surface. Irradiation with synchrotron radiation was performed as described above. As a result of irradiation with radiant light for 5 minutes under the same conditions as in Example 1, it was possible to selectively change the refractive index only in the portion corresponding to the X-ray reflection portion.

【0022】実施例8 実施例2の一層の光導波路の上部に実施例2と同じポリ
アミド酸溶液をスピンコートした後オーブン中で70℃
で2時間、160℃で1時間、250℃で30分、38
0℃で1時間加熱し、イミド化を行い、下部クラッドが
SiO2 、上部クラッドがポリイミドの埋め込み型導波
路を得た。この導波路に波長1320nmの光を通し、
出射端面から赤外線カメラつき顕微鏡で観察したとこ
ろ、光が閉じ込められていることが確認された。
Example 8 The same polyamic acid solution as in Example 2 was spin-coated on the upper part of the one-layer optical waveguide of Example 2 and then at 70 ° C. in an oven.
2 hours, 160 ° C for 1 hour, 250 ° C for 30 minutes, 38
It was heated at 0 ° C. for 1 hour for imidization to obtain a buried waveguide in which the lower clad was SiO 2 and the upper clad was polyimide. Light of wavelength 1320 nm is passed through this waveguide,
Observation with a microscope equipped with an infrared camera confirmed that light was confined from the exit end face.

【0023】実施例9 実施例8で作製した導波路をSiウェハからはく離し、
放射光照射フィルム面を上面にし、この上に同じポリア
ミド酸溶液をスピンコートした後オーブン中で70℃で
2時間、160℃で1時間、250℃で30分、350
℃で1時間加熱し、イミド化を行い、上部クラッドを形
成した。このようにしてコア、上部クラッド、及び下部
クラッド共に同一のポリイミドで構成された埋め込み型
導波路が得られた。この導波路に波長1320nmの光
を通し、出射端面から赤外線カメラつき顕微鏡で観察し
たところ、光が閉じ込められていることが確認された。
Example 9 The waveguide prepared in Example 8 was separated from the Si wafer,
The surface of the radiant light irradiation film is faced up, and the same polyamic acid solution is spin-coated on the film.
It was heated at 0 ° C. for 1 hour for imidization to form an upper clad. In this way, a buried waveguide having the same polyimide for the core, the upper clad, and the lower clad was obtained. When light having a wavelength of 1320 nm was passed through this waveguide and observed through a microscope with an infrared camera from the emission end face, it was confirmed that the light was confined.

【0024】比較例1 従来のRIEを用いるリッジ型ポリイミド光導波路の作
製行程を図4に示す。全部で5行程必要となる。
Comparative Example 1 FIG. 4 shows a manufacturing process of a conventional ridge type polyimide optical waveguide using RIE. A total of 5 strokes are required.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、放射光照射により
ポリイミドの屈折率を変化させることが可能であり、放
射光の照射量を変化させることにより屈折率の変化量を
変えることができる。したがってX線マスクを用いて所
定の形状に屈折率を変化させれば自由に光導波路等が形
成できる。また放射光のエネルギーを選択することによ
り屈折率分布も持たせることが可能であり、グレーデッ
ドインデックス型の光導波路や平面レンズの形成も可能
であるなどの効果が期待できる。また、放射光照射によ
り屈折率を制御したポリイミドをコアに用いた光導波路
は、コアとクラッドが同一の材料から形成され、材料の
相違から生じる熱的特性差や複屈折差の問題が解決でき
る効果がある。また本発明のうち、ポリイミド光導波路
においては、製造行程を減少させ、製造時間を短縮さ
せ、簡便にポリイミド光導波路を形成できるという効果
がある。
As described above, it is possible to change the refractive index of polyimide by irradiation with radiant light, and the amount of change in refractive index can be changed by changing the irradiation amount of radiant light. Therefore, an optical waveguide or the like can be freely formed by changing the refractive index into a predetermined shape using an X-ray mask. In addition, it is possible to provide a refractive index distribution by selecting the energy of the emitted light, and it is possible to expect an effect that a graded index type optical waveguide or a planar lens can be formed. Further, in an optical waveguide using a polyimide core whose refractive index is controlled by irradiation of synchrotron radiation, the core and the clad are made of the same material, and the problems of thermal characteristic difference and birefringence difference caused by the difference in material can be solved. effective. Further, in the present invention, the polyimide optical waveguide has the effects of reducing the manufacturing process, shortening the manufacturing time, and easily forming the polyimide optical waveguide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による放射光照射を用いたリッジ型ポリ
イミド光導波路の作製行程を示す工程図である。
FIG. 1 is a process drawing showing a manufacturing process of a ridge type polyimide optical waveguide using radiant light irradiation according to the present invention.

【図2】本発明におけるポリイミドの放射光照射方法の
行程を示す工程図である。
FIG. 2 is a process drawing showing the steps of the method for irradiating polyimide with radiant light in the present invention.

【図3】放射光の光子エネルギーと輝度との関係を示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between photon energy of emitted light and brightness.

【図4】従来のRIEを用いたリッジ型ポリイミド光導
波路の作製行程を示す工程図である。
FIG. 4 is a process diagram showing a manufacturing process of a ridge-type polyimide optical waveguide using conventional RIE.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀内 敏行 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 芳賀 恒之 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 木下 博雄 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Toshiyuki Horiuchi 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation (72) Instructor Tsuneyuki Haga 1-1-6 Uchiyuki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo No. Japan Telegraph and Telephone Corp. (72) Inventor Hiroo Kinoshita 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corp.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ポリイミドフィルムに放射光を照射する
ことを特徴とするポリイミドフィルムの加工方法。
1. A method for processing a polyimide film, which comprises irradiating the polyimide film with radiant light.
【請求項2】 前記ポリイミドフィルムとして、フッ素
化ポリイミドフィルムを用いることを特徴とするポリイ
ミドフィルムの加工方法。
2. A method for processing a polyimide film, wherein a fluorinated polyimide film is used as the polyimide film.
【請求項3】 ポリイミドによりコアとクラッドが構成
されたポリイミド光導波路において、前記コアが、放射
光の照射されたポリイミドであることを特徴とするポリ
イミド光導波路。
3. A polyimide optical waveguide having a core and a clad made of polyimide, wherein the core is a polyimide irradiated with radiant light.
【請求項4】 ポリイミドによりコアとクラッドが構成
されたポリイミド光導波路において、前記コアが、放射
光の照射されたフッ素化ポリイミドであることを特徴と
するポリイミド光導波路。
4. A polyimide optical waveguide having a core and a clad made of polyimide, wherein the core is a fluorinated polyimide irradiated with radiant light.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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