JP2001242334A - Deformed polyimide optical waveguide and its manufacturing method - Google Patents

Deformed polyimide optical waveguide and its manufacturing method

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JP2001242334A
JP2001242334A JP2001023262A JP2001023262A JP2001242334A JP 2001242334 A JP2001242334 A JP 2001242334A JP 2001023262 A JP2001023262 A JP 2001023262A JP 2001023262 A JP2001023262 A JP 2001023262A JP 2001242334 A JP2001242334 A JP 2001242334A
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core
layer
cladding layer
height
lower cladding
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Inventor
Toru Matsuura
松浦  徹
Shigekuni Sasaki
重邦 佐々木
Shinji Ando
慎治 安藤
Fumio Yamamoto
二三男 山本
Noriyoshi Yamada
典義 山田
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deformed polyimide optical waveguide applicable to various optical wiring and branching circuits or to optical members containing a directional coupler. SOLUTION: In a buried type deformed polyimide optical waveguide which comprises a lower cladding layer, a core on the lower cladding layer and an upper cladding layer coating the lower cladding layer and the core, and of which the lower cladding layer, the core and the upper cladding layer are manufactured with a polyimide material, the deformed polyimide optical waveguide is characterized by the core having a rectangular section with a ratio of the core width to the core height >1 and <=2 and by the thickness of the lower cladding layer in a part where the core is not formed being in the >0% and <=30% range of the core height and thinner than that in a part where the core is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミドを用い
た光導波路に関し、より詳細には、コアの幅と高さとの
比を変更しても導波モードがシングルモードとなる低損
失の埋め込み型光導波路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide using polyimide, and more particularly, to a low-loss buried type in which a waveguide mode becomes a single mode even when the ratio between the width and the height of a core is changed. The present invention relates to an optical waveguide.

【0002】[0002]

【従来の技術】低損失光ファイバの開発による光通信シ
ステムの実用化に伴い、種々の光通信用部品の開発が望
まれている。また、これら光部品を高密度に実装する光
配線技術、特に光導波路形成技術の確立が望まれてい
る。
2. Description of the Related Art With the practical use of optical communication systems by the development of low-loss optical fibers, development of various optical communication components has been desired. In addition, it is desired to establish an optical wiring technology for mounting these optical components at a high density, in particular, an optical waveguide forming technology.

【0003】一般に、光導波路には、(1)光損失が小
さい、(2)製造が容易である、(3)偏波依存性が小
さい、(4)コアとクラッドとの屈折率差を幅広い範囲
で制御できる等の特性を有することが所望されている。
従来、低損失光導波路として、石英系の材料を用いたも
のが検討されてきている。光ファイバで実証されている
ように、石英系の材料は光透過性が極めて良好であり、
導波路とした場合も1.3μmの波長の光に関して0.
1dB/cm以下の低損失化が達成されている。しか
し、石英系材料は柔軟性に乏しいため、シリコン等の基
板上に作製する必要があり、基板上で使用しなければな
らないという制約がある。また、作製時に高温処理が必
要であり、さらに大面積化が困難であるなどの製造上の
問題点がある。
In general, optical waveguides have (1) small optical loss, (2) easy manufacture, (3) small polarization dependence, and (4) a wide difference in the refractive index between the core and the clad. It is desired to have characteristics such as controllable in a range.
Conventionally, a low-loss optical waveguide using a quartz-based material has been studied. As demonstrated in optical fibers, quartz-based materials have very good light transmission,
Even in the case of a waveguide, 0.3 μm of light having a wavelength of 1.3 μm is used.
Low loss of 1 dB / cm or less has been achieved. However, since the quartz-based material has poor flexibility, it has to be manufactured on a substrate such as silicon and has a restriction that it must be used on the substrate. In addition, there is a problem in manufacturing that high-temperature treatment is required at the time of fabrication, and it is difficult to increase the area.

【0004】石英系材料の上記の問題点を解決するため
に、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチ
レン(PS)、ポリカーボネート(PC)等の材料を用
いる高分子光導波路が検討されて来ている。これらの高
分子光導波路は、石英系光導波路と比較して、耐熱温度
が低い、近赤外域より長波長側の領域での光損失が大き
いなどの欠点を未だ有している。しかしながら、より低
い温度で成形が可能であり、加工が容易であるため、低
価格化を期待することができ、かつ大面積化に有利であ
るといった長所を有している。また、本発明者らは、特
開平4−9807号公報に記載される、高分子材料に耐
熱性を付与したポリイミド系高分子光導波路が基板上に
製造できることを見いだしている。
[0004] In order to solve the above-mentioned problems of quartz-based materials, polymer optical waveguides using materials such as polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), and polycarbonate (PC) have been studied. These polymer optical waveguides still have drawbacks, such as a lower heat resistance temperature and a larger light loss in the region on the longer wavelength side than the near-infrared region, as compared with quartz-based optical waveguides. However, molding is possible at a lower temperature and processing is easy, so that there are advantages that a reduction in cost can be expected and that it is advantageous for increasing the area. In addition, the present inventors have found that a polyimide-based polymer optical waveguide obtained by imparting heat resistance to a polymer material described in JP-A-4-9807 can be manufactured on a substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記ポリイミド系光導
波路も含めて、一般の通信用シングルモード光導波路の
コアの断面形状は、導波モードをシングルモードとする
こと、およびシングルモードファイバーのモードフィー
ルド径とコアの寸法を整合させること等の要請から、高
さおよび幅が8〜10μm程度の正方形断面として設計
および作製されてきている。しかしながら、これらの光
導波路を、種々の光配線(高密度あるいは低密度、直線
または曲線、種々の形状を有する光射出面およい光入射
面との高効率な接続)、あるいは分岐回路および方向性
結合器を含む光部品に適用する場合、光導波路の断面形
状は正方形以外に、縦長あるいは横長の形状であること
が必要となる。
The cross-sectional shape of the core of a general communication single mode optical waveguide including the above-mentioned polyimide type optical waveguide is such that the waveguide mode is a single mode, and the mode field of the single mode fiber is Due to demands for matching the diameter and the dimensions of the core, a square section having a height and width of about 8 to 10 μm has been designed and manufactured. However, these optical waveguides can be connected to various optical wirings (high- or low-density, straight or curved, high-efficiency connection with a light exit surface or a good light incident surface having various shapes), or branch circuits and directionality. When applied to an optical component including a coupler, the cross-sectional shape of the optical waveguide needs to be a vertically long or horizontally long shape other than a square.

【0006】高分子光導波路は、一般的に下部クラッド
層の上に一様なコア層を積層し、該コア層をエッチング
してパターン化されたコアを形成し、そして該コアおよ
び下部クラッド層を覆う上部クラッド層を積層して形成
される。このようにエッチングによりコアパターンを形
成する際に、そのエッチングの終点付近(すなわち、エ
ッチングにより露出する底面、およびコア側壁の下部)
は、エッチングによる表面荒れ、コア側壁の垂直性の欠
陥、およびクラック等の複雑な形状効果を有し、高精度
な垂直性および均一性がコア側面に要求される場合に問
題となる。また、コアの位置安定性が特に重要な場合
に、コアの位置安定性を如何に向上させるかが問題であ
る。
[0006] Polymeric optical waveguides generally comprise laminating a uniform core layer over a lower cladding layer, etching the core layer to form a patterned core, and forming the core and lower cladding layer. Is formed by laminating an upper cladding layer covering the substrate. When the core pattern is formed by etching in this manner, the vicinity of the end point of the etching (that is, the bottom surface exposed by the etching and the lower portion of the core sidewall).
Has a complicated shape effect such as surface roughness due to etching, vertical defects on the core side wall, and cracks, and becomes a problem when high-precision verticality and uniformity are required on the side surfaces of the core. In addition, when the positional stability of the core is particularly important, how to improve the positional stability of the core is a problem.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するに当たり、光導波路の構造設計を鋭意検討
し、以下のような断面構造を有する異形ポリイミド光導
波路を発明し、低損失のシングルモード導波を実現でき
ることを見いだした。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors diligently studied the structural design of an optical waveguide and invented a modified polyimide optical waveguide having the following cross-sectional structure. It has been found that single-mode waveguide with loss can be realized.

【0008】また、本発明の異形ポリイミド導波路にお
いて、コアパターンのエッチングの深さをコア層の厚さ
よりも大きくすることによって、エッチング上面の表面
荒れに基づく不良界面あるいはエッチング時に生じるコ
ア側面脇(コア近傍の下部クラッド層)のクラック等を
コアから遠ざけてコア側面の高精度な垂直性および均一
性を達成することができ、該クラックによる性能劣化を
抑制することができる。
Further, in the modified polyimide waveguide of the present invention, by making the etching depth of the core pattern larger than the thickness of the core layer, a defective interface based on surface roughness of the etching upper surface or a side surface of the core generated at the time of etching. Cracks and the like in the lower clad layer near the core can be kept away from the core to achieve highly accurate perpendicularity and uniformity on the side surface of the core, and performance degradation due to the crack can be suppressed.

【0009】さらに本発明の異形ポリイミド導波路にお
いて、コアパターンのエッチング深さをコア層の厚さよ
りも小さくすることによって、コア部の位置安定性を向
上させるとともに、光導波路作製に伴う歪み(応力発
生)により生じる性能劣化を抑制することができる。
Furthermore, in the modified polyimide waveguide of the present invention, the etching depth of the core pattern is made smaller than the thickness of the core layer, thereby improving the positional stability of the core portion and the distortion (stress) accompanying the production of the optical waveguide. ) Can be suppressed.

【0010】本発明の第1の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上のコアと、該下部クラッド層および該コア
を覆う上部クラッド層とからなり、該下部クラッド層、
該コア、および該上部クラッド層はポリイミド材料を用
いて作製されており、前記コアは、コア幅対コア高さの
比が1より大きくかつ2以下である矩形断面を有し、お
よび該コアが形成されていない部分の下部クラッド層の
厚さは、コア高さの0%より大きくかつ30%以下であ
る範囲内で、該コアが形成されている部分の下部クラッ
ド層の厚さよりも小さいことを特徴とする。
A buried type irregular shaped polyimide optical waveguide according to a first embodiment of the present invention comprises a lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core. , The lower cladding layer,
The core, and the upper cladding layer are made of a polyimide material, the core has a rectangular cross-section having a ratio of core width to core height of greater than 1 and less than or equal to 2, and The thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is not formed is smaller than the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed within a range of more than 0% and not more than 30% of the core height. It is characterized by.

【0011】本発明の第2の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上のコアと、該下部クラッド層および該コア
を覆う上部クラッド層とからなり、該下部クラッド層、
該コア、および該上部クラッド層はポリイミド材料を用
いて作製されており、前記コアは、コア幅対コア高さの
比が1より大きくかつ2以下である矩形断面を有し、お
よび該コアが形成されていない部分の下部クラッド層の
厚さと、該コアが形成されている部分の下部クラッド層
の厚さとは等しいことを特徴とする。
A buried type irregular shaped polyimide optical waveguide according to a second embodiment of the present invention comprises a lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core. , The lower cladding layer,
The core, and the upper cladding layer are made of a polyimide material, the core has a rectangular cross-section having a ratio of core width to core height of greater than 1 and less than or equal to 2, and The thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is not formed is equal to the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed.

【0012】本発明の第3の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上の突起部を有するコア層と、該下部クラッ
ド層および該コア層を覆う上部クラッド層とからなり、
該突起部と該突起部の下にあるコア層をコアとし、該下
部クラッド層、該コア層、および該上部クラッド層はポ
リイミド材料を用いて作製されており、該コアは、コア
幅対コア高さの比が1より大きくかつ2以下である矩形
断面を有し、および該突起部が形成されていない部分の
コア層の厚さは、該コア高さの0%より大きくかつ30
%以下であることを特徴とする。
An embedded polyimide optical waveguide according to a third embodiment of the present invention comprises a lower clad layer, a core layer having a projection on the lower clad layer, and covering the lower clad layer and the core layer. Consisting of an upper cladding layer,
The protrusion and the core layer below the protrusion are used as a core, and the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are made of a polyimide material. The core layer has a rectangular cross section in which the height ratio is greater than 1 and less than or equal to 2 and the portion of the core layer where the protrusions are not formed has a thickness greater than 0% of the core height and 30% or less.
% Or less.

【0013】本発明の第4の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上のコアと、該下部クラッド層および該コア
を覆う上部クラッド層とからなり、該下部クラッド層、
該コア、および該上部クラッド層はポリイミド材料を用
いて作製されており、前記コアは、コア幅対コア高さの
比が1である正方形断面を有し、および該コアが形成さ
れていない部分の下部クラッド層の厚さは、コア高さの
0%より大きくかつ30%以下である範囲内で、該コア
が形成されている部分の下部クラッド層の厚さよりも小
さいことを特徴とする。
A buried type modified polyimide optical waveguide according to a fourth embodiment of the present invention comprises a lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core. , The lower cladding layer,
The core, and the upper cladding layer are made of a polyimide material, the core has a square cross section having a core width to core height ratio of 1, and a portion where the core is not formed. Is characterized in that the thickness of the lower cladding layer is smaller than the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed, within a range of more than 0% and not more than 30% of the core height.

【0014】本発明の第5の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上の突起部を有するコア層と、該下部クラッ
ド層および該コア層を覆う上部クラッド層とからなり、
該突起部と該突起部の下にあるコア層をコアとし、該下
部クラッド層、該コア層、および該上部クラッド層はポ
リイミド材料を用いて作製されており、該コアは、コア
幅対コア高さの比が1である正方形断面を有し、および
該突起部が形成されていない部分のコア層の厚さは、該
コア高さの0%より大きくかつ30%以下であることを
特徴とする。
A buried-type modified polyimide optical waveguide according to a fifth embodiment of the present invention includes a lower cladding layer, a core layer having a projection on the lower cladding layer, and covering the lower cladding layer and the core layer. Consisting of an upper cladding layer,
The protrusion and the core layer below the protrusion are used as a core, and the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are made of a polyimide material. It has a square cross section having a height ratio of 1, and the thickness of the core layer in a portion where the protrusion is not formed is larger than 0% and 30% or less of the core height. And

【0015】本発明の第6の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上のコアと、該下部クラッド層および該コア
を覆う上部クラッド層とからなり、該下部クラッド層、
該コア、および該上部クラッド層はポリイミド材料を用
いて作製されており、前記コアは、コア幅対コア高さの
比が0.7以上1未満である矩形断面を有し、および該
コアが形成されていない部分の下部クラッド層の厚さ
は、コアの高さの0%より大きくかつ30%以下である
範囲内で、該コアが形成されている部分の下部クラッド
層の厚さよりも小さいことを特徴とする。
A buried type irregular shaped polyimide optical waveguide according to a sixth embodiment of the present invention comprises a lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core. , The lower cladding layer,
The core, and the upper cladding layer are made of a polyimide material, wherein the core has a rectangular cross section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and The thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is not formed is smaller than the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed within a range of more than 0% and not more than 30% of the height of the core. It is characterized by the following.

【0016】本発明の第7の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上のコアと、該下部クラッド層および該コア
を覆う上部クラッド層とからなり、該下部クラッド層、
該コア、および該上部クラッド層はポリイミド材料を用
いて作製されており、前記コアは、コア幅対コア高さの
比が0.7以上1未満である矩形断面を有し、および該
コアが形成されていない部分の下部クラッド層の厚さ
と、該コアが形成されている部分の下部クラッド層の厚
さとは等しいことを特徴とする。
A buried type irregularly shaped polyimide optical waveguide according to a seventh embodiment of the present invention comprises a lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core. , The lower cladding layer,
The core, and the upper cladding layer are made of a polyimide material, wherein the core has a rectangular cross section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and The thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is not formed is equal to the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed.

【0017】本発明の第8の実施形態である埋め込み型
異形ポリイミド光導波路は、下部クラッド層と、該下部
クラッド層上の突起部を有するコア層と、該下部クラッ
ド層および該コア層を覆う上部クラッド層とからなり、
該突起部と該突起部の下にあるコア層をコアとし、該下
部クラッド層、該コア層、および該上部クラッド層はポ
リイミド材料を用いて作製されており、該コアは、コア
幅対コア高さの比が0.7以上1未満である矩形断面を
有し、および該突起部が形成されていない部分のコア層
の厚さは、該コア高さの0%より大きく30%以下であ
ることを特徴とする。
An embedded polyimide optical waveguide according to an eighth embodiment of the present invention comprises a lower clad layer, a core layer having a projection on the lower clad layer, and covering the lower clad layer and the core layer. Consisting of an upper cladding layer,
The protrusion and the core layer below the protrusion are used as a core, and the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are made of a polyimide material. The core layer has a rectangular cross section having a height ratio of 0.7 or more and less than 1, and the thickness of the core layer where the protrusions are not formed is greater than 0% and 30% or less of the core height. There is a feature.

【0018】本発明の第1から第8の実施形態の埋め込
み型異形ポリイミド光導波路において、前記ポリイミド
材料は、式(1)〜(3)のいずれかで表わされる繰り
返し単位からなる含フッ素ポリイミド、式(1)〜
(3)から選択される2種または3種の繰り返し単位か
らなる含フッ素ポリイミド共重合体、およびそれらの混
合物からなる群から選択されてもよい。
In the buried type modified polyimide optical waveguide according to the first to eighth embodiments of the present invention, the polyimide material is a fluorine-containing polyimide comprising a repeating unit represented by any one of formulas (1) to (3): Formula (1)-
It may be selected from the group consisting of a fluorinated polyimide copolymer comprising two or three types of repeating units selected from (3), and a mixture thereof.

【0019】[0019]

【化7】 Embedded image

【0020】[0020]

【化8】 Embedded image

【0021】[0021]

【化9】 Embedded image

【0022】本発明の第9の実施形態である異形ポリイ
ミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコア
層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコアを
形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さの
比が1より大きくかつ2以下である矩形断面を有し、か
つ該コア層のエッチング深さは、コア層の高さの100
%より大きくかつ130%以下である工程と、上部クラ
ッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッド層、コ
ア層および上部クラッド層はポリイミド材料を用いた作
製されることを特徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a ninth embodiment of the present invention includes the steps of laminating a lower clad layer and a core layer, and forming a core by etching the core layer. The core has a rectangular cross-section where the ratio of core width to core height is greater than 1 and less than or equal to 2, and the etching depth of the core layer is 100 times the core layer height.
% And 130% or less, and a step of laminating an upper cladding layer, wherein the lower cladding layer, the core layer and the upper cladding layer are manufactured using a polyimide material.

【0023】本発明の第10の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が1より大きくかつ2以下である矩形断面を有し、
かつ該コア層のエッチング深さは、コア層の高さと等し
い工程と、上部クラッド層を積層する工程とを備え、該
下部クラッド層、コア層および上部クラッド層はポリイ
ミド材料を用いた作製されることを特徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a tenth embodiment of the present invention includes a step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer. The core has a rectangular cross-section with a core width to core height ratio of greater than 1 and less than or equal to 2;
And the etching depth of the core layer includes a step equal to the height of the core layer, and a step of laminating an upper clad layer, wherein the lower clad layer, the core layer and the upper clad layer are manufactured using a polyimide material. It is characterized by the following.

【0024】本発明の第11の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が1より大きくかつ2以下である矩形断面を有し、
かつ該コア層のエッチング深さは、コア層の高さの70
%以上100%未満である工程と、上部クラッド層を積
層する工程とを備え、該下部クラッド層、コア層および
上部クラッド層はポリイミド材料を用いた作製されるこ
とを特徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to an eleventh embodiment of the present invention includes a step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of etching the core layer to form a core. The core has a rectangular cross-section with a core width to core height ratio of greater than 1 and less than or equal to 2;
And the etching depth of the core layer is 70 times the height of the core layer.
% And less than 100%, and a step of laminating an upper cladding layer, wherein the lower cladding layer, the core layer and the upper cladding layer are manufactured using a polyimide material.

【0025】本発明の第12の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が1である正方形断面を有し、かつ該コア層のエッ
チング深さは、コア層の高さの100%より大きくかつ
130%以下である工程と、上部クラッド層を積層する
工程とを備え、該下部クラッド層、コア層および上部ク
ラッド層はポリイミド材料を用いた作製されることを特
徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a twelfth embodiment of the present invention includes a step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer. Said core having a square cross-section with a core width to core height ratio of 1 and an etching depth of said core layer being greater than 100% and not more than 130% of the core layer height; Laminating an upper cladding layer, wherein the lower cladding layer, the core layer and the upper cladding layer are manufactured using a polyimide material.

【0026】本発明の第13の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が1である正方形断面を有し、かつ該コア層のエッ
チング深さは、コア層の高さの70%以上100%未満
である工程と、上部クラッド層を積層する工程とを備
え、該下部クラッド層、コア層および上部クラッド層は
ポリイミド材料を用いた作製されることを特徴とする。
A method of manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a thirteenth embodiment of the present invention includes a step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer. A step in which the core has a square cross section having a ratio of core width to core height of 1 and an etching depth of the core layer is 70% or more and less than 100% of a height of the core layer; Laminating the layers, wherein the lower cladding layer, the core layer and the upper cladding layer are manufactured using a polyimide material.

【0027】本発明の第14の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が0.7以上1未満である矩形断面を有し、かつ該
コア層のエッチング深さは、コア層の高さの100%よ
り大きくかつ130%以下である工程と、上部クラッド
層を積層する工程とを備え、該下部クラッド層、コア層
および上部クラッド層はポリイミド材料を用いた作製さ
れることを特徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a fourteenth embodiment of the present invention comprises the steps of laminating a lower cladding layer and a core layer, and forming a core by etching the core layer. The core has a rectangular cross-section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and an etching depth of the core layer is greater than 100% and 130% or less of the height of the core layer. And a step of laminating an upper clad layer, wherein the lower clad layer, the core layer and the upper clad layer are produced using a polyimide material.

【0028】本発明の第15の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が0.7以上1未満である矩形断面を有し、かつ該
コア層のエッチング深さは、コア層の高さと等しい工程
と、上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部ク
ラッド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材
料を用いた作製されることを特徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a fifteenth embodiment of the present invention includes a step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of etching the core layer to form a core. The core has a rectangular cross section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and an etching depth of the core layer is equal to the height of the core layer. And forming the lower cladding layer, the core layer and the upper cladding layer using a polyimide material.

【0029】本発明の第16の実施形態である異形ポリ
イミド光導波路の製造方法は、下部クラッド層およびコ
ア層を積層する工程と、該コア層をエッチングしてコア
を形成する工程であって、前記コアはコア幅対コア高さ
の比が0.7以上1未満である矩形断面を有し、かつ該
コア層のエッチング深さは、コア層の高さの70%以上
100%未満である工程と、上部クラッド層を積層する
工程とを備え、該下部クラッド層、コア層および上部ク
ラッド層はポリイミド材料を用いた作製されることを特
徴とする。
A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to a sixteenth embodiment of the present invention includes a step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer. The core has a rectangular cross section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and the etching depth of the core layer is 70% or more and less than 100% of the core layer height. And a step of laminating an upper clad layer, wherein the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are manufactured using a polyimide material.

【0030】本発明の第9から第16の実施形態である
異形ポリイミド光導波路の製造方法において、前記ポリ
イミド材料は、式(1)〜(3)のいずれかで表わされ
る繰り返し単位からなる含フッ素ポリイミド、式(1)
〜(3)から選択される2種または3種の繰り返し単位
からなる含フッ素ポリイミド共重合体、およびそれらの
混合物からなる群から選択されてもよい。
In the method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide according to the ninth to sixteenth embodiments of the present invention, the polyimide material comprises a fluorine-containing repeating unit represented by any one of formulas (1) to (3). Polyimide, Formula (1)
It may be selected from the group consisting of a fluorinated polyimide copolymer consisting of two or three kinds of repeating units selected from (3) and a mixture thereof.

【0031】[0031]

【化10】 Embedded image

【0032】[0032]

【化11】 Embedded image

【0033】[0033]

【化12】 Embedded image

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】本発明に用いるポリイミド材料と
しては、光透過性の観点から、特に光透過性に優れた含
フッ素ポリイミドが好適である。ポリイミドの具体例と
しては、下記のテトラカルボン酸またはその誘導体であ
る酸二無水物あるいは塩化物と、ジアミンとから合成さ
れるポリイミドを挙げることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As the polyimide material used in the present invention, from the viewpoint of light transmittance, a fluorine-containing polyimide having particularly excellent light transmittance is preferable. Specific examples of the polyimide include a polyimide synthesized from an acid dianhydride or chloride, which is the following tetracarboxylic acid or a derivative thereof, and a diamine.

【0035】テトラカルボン酸の例としては、ピロメリ
ット酸、トリフルオロメチルピロメリット酸、ペンタフ
ルオロエチルピロメリット酸、ビス{3,5−ジ(トリフ
ルオロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸、2,3,
3',4'−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3',4,4'
−テトラカルボキシジフェニルエーテル、2,3',3,
4'−テトラカルボキシジフェニルエーテル、3,3',
4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,3,6,
7−テトラカルボキシナフタレン、1,4,5,7−テト
ラカルボキシナフタレン、1,4,5,6−テトラカルボ
キシナフタレン、3,3',4,4'−テトラカルボキシジ
フェニルメタン、3,3',4,4'−テトラカルボキシジ
フェニルスルホン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、5,5'−ビス(トリ
フルオロメチル)−3,3',4,4'−テトラカルボキシビ
フェニル、2,2',5,5'−テトラキス(トリフルオロメ
チル)−3,3',4,4'−テトラカルボキシヒ゛フェニ
ル、5,5'−ビス(トリフルオロメチル)−3,3',4,
4'−テトラカルボキシジフェニルエーテル、5,5'−
ビス(トリフルオロメチル)−3,3',4,4'−テトラカ
ルボキシベンゾフェノン、ビス{(トリフルオロメチル)
ジカルボキシフェノキシ}ベンゼン、ビス{(トリフル
オロメチル)ジカルボキシフェノキシ}(トリフルオロメ
チル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフ
ルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボキシフェノキ
シ)ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(ジカルボ
キシフェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベン
ゼン、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン、2,
2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペン
タンテトラカルボン酸、2,2−ビス{4−(3,4−ジ
カルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロ
パン、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノ
キシ}ビフェニル、ビス{(トリフルオロメチル)ジカル
ボキシフェノキシ}ビス(トリフルオロメチル)ビフェニ
ル、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキ
シ}ジフェニルエーテル、ビス(ジカルボキシフェノキ
シ)ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン、1,3−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)テトラメチルジシロキ
サン、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロ
フェノキシ)テトラフルオロベンゼン、1,4−ビス(3,
4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)オクタフル
オロビフェニル、1,4−ジフルオロピロメリット酸、
1−トリフルオロメチル−4−フルオロピロメリット
酸、1,4−ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、
1−ペンタフルオロエチル−4−フルオロピロメリット
酸、1−ペンタフルオロエチル−4−トリフルオロメチ
ルピロメリット酸、1,4−ジ(ペンタフルオロエチル)
ピロメリット酸、1−ペンタフルオロフェニル−4−フ
ルオロピロメリット酸、1−ペンタフルオロフェニル−
4−トリフルオロメチルピロメリット酸、1−ペンタフ
ルオロフェニル−4−ペンタフルオロエチルピロメリッ
ト酸、1,4−ジ(ペンタフルオロフェニル)ピロメリッ
ト酸、1−トリフルオロメトキシ−4−フルオロピロメ
リット酸、1−トリフルオロメトキシ−4−トリフルオ
ロメチルピロメリット酸、1−トリフルオロメトキシ−
4−ペンタフルオロエチルピロメリット酸、1−トリフ
ルオロメトキシ−4−ペンタフルオロフェニルピロメリ
ット酸、1,4−ジ(トリフルオロメトキシ)ピロメリッ
ト酸、1−ペンタフルオロエトキシ−4−フルオロピロ
メリット酸、1−ペンタフルオロエトキシ−4−トリフ
ルオロメチルピロメリット酸、1−ペンタフルオロエト
キシ−4−ペンタフルオロエチルピロメリット酸、1−
ペンタフルオロエトキシ−4−ペンタフルオロフェニル
ピロメリット酸、1−ペンタフルオロエトキシ−4−ト
リフルオロメトキシピロメリット酸、1,4−ジ(ペンタ
フルオロエトキシ)ピロメリット酸、1−ペンタフルオ
ロフェノキシ−4−フルオロピロメリット酸、1−ペン
タフルオロフェノキシ−4−トリフルオロメチルピロメ
リット酸、1−ペンタフルオロフェノキシ−4−ペンタ
フルオロエチルピロメリット酸、1−ペンタフルオロフ
ェノキシ−4−ペンタフルオロフェニルピロメリット
酸、1−ペンタフルオロフェノキシ−4−トリフルオロ
メトキシピロメリット酸、1−ペンタフルオロフェノキ
シ−4−ペンタフルオロエトキシピロメリット酸、1,
4−ジ(ペンタフルオロフェノキシ)ピロメリット酸、ヘ
キサフルオロ−3,3',4,4'−ビフェニルテトラカル
ボン酸、ヘキサフルオロ−3,3',4,4'−ビフェニル
エーテルテトラカルボン酸、ヘキサフルオロ−3,3',
4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス(3,
4−ジカルボキシトリフルオロフェニル)スルホン、ビ
ス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェニル)スル
フィド、ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェ
ニル)ジフルオロメタン、1,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシトリフルオロフェニル)テトラフルオロエタン、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(3,4−ジ
カルボキシトリフルオロフェニル)テトラフルオロベン
ゼン、3,4−ジカルボキシトリフルオロフェニル−
3',4'−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ−ジフ
ルオロメタン、ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオ
ロフェノキシ)ジフルオロメタン、1,2−ビス(3,4
−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオ
ロエタン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシトリフル
オロフェノキシ)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビ
ス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テ
トラフルオロベンゼン、2,3,6,7−テトラカルボキ
シ−テトラフルオロナフタレン、2,3,6,7−テトラ
カルボキシ−ヘキサフルオロアントラセン、2,3,6,
7−テトラカルボキシ−ヘキサフルオロフェナントレ
ン、2,3,6,7−テトラカルボキシ−テトラフルオロ
ビフェニレン、2,3,7,8−テトラカルボキシ−テト
ラフルオロジベンゾフラン、2,3,6,7−テトラカル
ボキシ−テトラフルオロアントラキノン、2,3,6,7
−テトラカルボキシ−ペンタフルオロアントロン、2,
3,7,8−テトラカルボキシ−テトラフルオロフェノキ
サチイン、2,3,7,8−テトラカルボキシ−テトラフ
ルオロチアントレン、2,3,7,8−テトラカルボキシ
−テトラフルオロジベンゾ[b,e]1,4ジオキサン等を
挙げることができる。
Examples of tetracarboxylic acids include pyromellitic acid, trifluoromethylpyromellitic acid, pentafluoroethylpyromellitic acid, bis {3,5-di (trifluoromethyl) phenoxy} pyromellitic acid, 2,3 ,
3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4 ′
-Tetracarboxydiphenyl ether, 2,3 ', 3,
4'-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3 ',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,6,
7-tetracarboxynaphthalene, 1,4,5,7-tetracarboxynaphthalene, 1,4,5,6-tetracarboxynaphthalene, 3,3 ′, 4,4′-tetracarboxydiphenylmethane, 3,3 ′, 4 , 4'-Tetracarboxydiphenylsulfone, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 5,5'-bis ( (Trifluoromethyl) -3,3 ′, 4,4′-tetracarboxybiphenyl, 2,2 ′, 5,5′-tetrakis (trifluoromethyl) -3,3 ′, 4,4′-tetracarboxydiphenyl, 5,5'-bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,
4'-tetracarboxydiphenyl ether, 5,5'-
Bis (trifluoromethyl) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxybenzophenone, bis (trifluoromethyl)
Dicarboxyphenoxy benzene, bis (trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) (trifluoromethyl) benzene, bis (dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) benzene , Bis (dicarboxyphenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene, 3,4,9,10-tetracarboxyperylene, 2,
2-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} propane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, 2,2-bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} hexa Fluoropropane, bis (trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy diphenyl, bis (trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis (trifluoromethyl) dicarboxyphenoxy diphenyl ether, bis ( Dicarboxyphenoxy) bis (trifluoromethyl) biphenyl, bis (3,4
-Dicarboxyphenyl) dimethylsilane, 1,3-bis
(3,4-dicarboxyphenyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene, 1,4-bis (3,4-
4-dicarboxytrifluorophenoxy) octafluorobiphenyl, 1,4-difluoropyromellitic acid,
1-trifluoromethyl-4-fluoropyromellitic acid, 1,4-di (trifluoromethyl) pyromellitic acid,
1-pentafluoroethyl-4-fluoropyromellitic acid, 1-pentafluoroethyl-4-trifluoromethylpyromellitic acid, 1,4-di (pentafluoroethyl)
Pyromellitic acid, 1-pentafluorophenyl-4-fluoropyromellitic acid, 1-pentafluorophenyl-
4-trifluoromethylpyromellitic acid, 1-pentafluorophenyl-4-pentafluoroethylpyromellitic acid, 1,4-di (pentafluorophenyl) pyromellitic acid, 1-trifluoromethoxy-4-fluoropyromellitic acid , 1-trifluoromethoxy-4-trifluoromethylpyromellitic acid, 1-trifluoromethoxy-
4-pentafluoroethyl pyromellitic acid, 1-trifluoromethoxy-4-pentafluorophenylpyromellitic acid, 1,4-di (trifluoromethoxy) pyromellitic acid, 1-pentafluoroethoxy-4-fluoropyromellitic acid , 1-pentafluoroethoxy-4-trifluoromethylpyromellitic acid, 1-pentafluoroethoxy-4-pentafluoroethylpyromellitic acid, 1-
Pentafluoroethoxy-4-pentafluorophenylpyromellitic acid, 1-pentafluoroethoxy-4-trifluoromethoxypyromellitic acid, 1,4-di (pentafluoroethoxy) pyromellitic acid, 1-pentafluorophenoxy-4- Fluoropyromellitic acid, 1-pentafluorophenoxy-4-trifluoromethylpyromellitic acid, 1-pentafluorophenoxy-4-pentafluoroethylpyromellitic acid, 1-pentafluorophenoxy-4-pentafluorophenylpyromellitic acid, 1-pentafluorophenoxy-4-trifluoromethoxypyromellitic acid, 1-pentafluorophenoxy-4-pentafluoroethoxypyromellitic acid,
4-di (pentafluorophenoxy) pyromellitic acid, hexafluoro-3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, hexafluoro-3,3', 4,4'-biphenylethertetracarboxylic acid, hexa Fluoro-3,3 ',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, bis (3,
4-dicarboxytrifluorophenyl) sulfone, bis (3,4-dicarboxytrifluorophenyl) sulfide, bis (3,4-dicarboxytrifluorophenyl) difluoromethane, 1,2-bis (3,4-di (Carboxytrifluorophenyl) tetrafluoroethane,
2,2-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenyl) hexafluoropropane, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenyl) tetrafluorobenzene, 3,4-dicarboxytrifluorophenyl-
3 ', 4'-dicarboxytrifluorophenoxy-difluoromethane, bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) difluoromethane, 1,2-bis (3,4
-Dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluoroethane, 2,2-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) hexafluoropropane, 1,4-bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene 2,2,3,6,7-tetracarboxy-tetrafluoronaphthalene, 2,3,6,7-tetracarboxy-hexafluoroanthracene, 2,3,6,
7-tetracarboxy-hexafluorophenanthrene, 2,3,6,7-tetracarboxy-tetrafluorobiphenylene, 2,3,7,8-tetracarboxy-tetrafluorodibenzofuran, 2,3,6,7-tetracarboxy- Tetrafluoroanthraquinone, 2,3,6,7
-Tetracarboxy-pentafluoroanthrone, 2,
3,7,8-tetracarboxy-tetrafluorophenoxathiin, 2,3,7,8-tetracarboxy-tetrafluorothianthrene, 2,3,7,8-tetracarboxy-tetrafluorodibenzo [b, e] 1,4 dioxane and the like can be mentioned.

【0036】また、ジアミンとしては、m−フェニレン
ジアミン、2,4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノ
キシレン、2,4−ジアミノデュレン、4−(1H,1H,
11H−エイコサフルオロウンデカノキシ)−1,3−ジ
アミノベンゼン、4−(1H,1H−パーフルオロ−1−
ブタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1
H−パーフルオロ−1−ヘプタノキシ)−1,3−ジアミ
ノベンゼン、4−(1H,1,H−パーフルオロ−1−オ
クタノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、4−ペンタフ
ルオロフェノキシ−1,3−ジアミノベンゼン、4−
(2,3,5,6−テトラフルオロフェノキシ)−1,3−ジ
アミノベンゼン、4−(4−フルオロフェノキシ)−1,
3−ジアミノベンゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パ
ーフルオロ−1−ヘキサノキシ)−1,3−ジアミノベン
ゼン、4−(1H,1H,2H,2H−パーフルオロ−1−
ドデカノキシ)−1,3−ジアミノベンゼン、p−フェニ
レンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、2,3,5,6
−テトラメチル−p−フェニレンジアミン、2,5−ジ
アミノベンゾトリフルオライド、ビス(トリフルオロメ
チル)フェニレンジアミン、ジアミノテトラ(トリフルオ
ロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペンタフルオロエチル)
ベンゼン、2,5−ジアミノ(パーフルオロヘキシル)ベ
ンゼン、2,5−ジアミノ(パーフルオロブチル)ベンゼ
ン、ベンジジン、2,2'−ジメチルベンジジン、3,3'
−ジメチルベンジジン、3,3'−ジメトキシベンジジ
ン、2,2'−ジメトキシベンジジン、3,3',5,5'−
テトラメチルベンジジン、3,3'−ジアセチルベンジジ
ン、2,2'−ビス(トリフルオロメチル)−4,4'−ジア
ミノビフェニル、3,3'−ビス(トリフルオロメチル)−
4,4'−ジアミノビフェニル、4,4'−オキシジアニリ
ン、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジア
ミノジフェニルスルホン、2,2−ビス(p−アミノフェ
ニル)プロパン、3,3'−ジメチル−4,4'−ジアミノ
ジフェニルエーテル、3,3'−ジメチル−4,4'−ジア
ミノジフェニルメタン、1,2−ビス(アニリノ)エタ
ン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、1,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオロプロ
パン、1,4−ビス(アニリノ)オクタフルオロブタン、
1,5−ビス(アニリノ)デカフルオロペンタン、1,7−
ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプタン、2,2'−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4'−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3'−ビス(トリフルオロメチル)−4,
4'−ジアミノジフェニルエーテル、3,3',5,5'−テ
トラキス(トリフルオロメチル)−4,4'−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,3'−ビス(トリフルオロメチル)−
4,4'−ジアミノベンゾフェノン、4,4''−ジアミノ
−p−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニ
ル)ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロ
メチルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)
ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフェ
ノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン、4,
4'''−ジアミノ−p−クォーターフェニル、4,4'−
ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス
{4−(p−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、
4,4'−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ジフェニ
ルスルホン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
{4−(3−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス{4−(2−アミノフェノキ
シ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
{4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェ
ニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(4
−アミノフェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフ
ェニル}ヘキサフルオロプロパン、4,4'−ビス(4−
アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニ
ル、4,4'−ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチ
ルフェノキシ)ビフェニル、4,4'−ビス(4−アミノ−
2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホ
ン、4,4'−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチ
ルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−
(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェ
ニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロ
メチル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス[{(トリ
フルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル]ヘキサ
フルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−
ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビ
ス[{2−(アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオ
ロイソプロピル]ベンゼン、ビス(2,3,5,6−テトラ
フルオロ−4−アミノフェニル)エーテル、ビス(2,3,
5,6−テトラフルオロ−4−アミノフェニル)スルフィ
ド、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチル
シリル)ベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)ジエチル
シラン、テトラフルオロ−1,2−フェニレンジアミ
ン、テトラフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、テ
トラフルオロ−1,4−フェニレンジアミン、ヘキサフ
ルオロ−1,5−ジアミノナフタレン、ヘキサフルオロ
−2,6−ジアミノナフタレン、3−トリフルオロメチ
ル−トリフルオロ−1,2−フェニレンジアミン、4−
トリフルオロメチル−トリフルオロ−1,2−フェニレ
ンジアミン、2−トリフルオロメチル−トリフルオロ−
1,3−フェニレンジアミン、4−トリフルオロメチル
−トリフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、5−ト
リフルオロメチル−トリフルオロ−1,3−フェニレン
ジアミン、2−トリフルオロメチル−トリフルオロ−
1,4−フェニレンジアミン、3,4−ビス(トリフルオ
ロメチル)−ジフルオロ−1,2−フェニレンジアミン、
3,5−ビス(トリフルオロメチル)−ジフルオロ−1,2
−フェニレンジアミン、2,4−ビス(トリフルオロメチ
ル)−ジフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、4,5
−ビス(トリフルオロメチル)−ジフルオロ−1,3−フ
ェニレンジアミン、4,6−ビス(トリフルオロメチル)
−ジフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、2,3−ビ
ス(トリフルオロメチル)−ジフルオロ−1,4−フェニ
レンジアミン、2,5−ビス(トリフルオロメチル)−ジ
フルオロ−1,4−フェニレンジアミン、3,4,5−トリス
(トリフルオロメチル)−フルオロ−1,2−フェニレンジ
アミン、3,4,6−トリス(トリフルオロメチル)−フルオ
ロ−1,2−フェニレンジアミン、2,4,5−トリス(トリフ
ルオロメチル)−フルオロ−1,3−フェニレンジアミン、
2,4,6−トリス(トリフルオロメチル)−フルオロ−1,3−
フェニレンジアミン、4,5,6−トリス(トリフルオロメチ
ル)−フルオロ−1,3−フェニレンジアミン、テトラキス
(トリフルオロメチル)−1,2−フェニレンジアミン、
テトラキス(トリフルオロメチル)−1,3−フェニレン
ジアミン、テトラキス(トリフルオロメチル)−1,4−
フェニレンジアミン、3−ペンタフルオロエチル−トリ
フルオロ−1,2−フェニレンジアミン、4−ペンタフ
ルオロエチル−トリフルオロ−1,2−フェニレンジア
ミン、2−ペンタフルオロエチル−トリフルオロ−1,
3−フェニレンジアミン、4−ペンタフルオロエチル−
トリフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、5−ペン
タフルオロエチル−トリフルオロ−1,3−フェニレン
ジアミン、2−ペンタフルオロエチル−トリフルオロ−
1,4−フェニレンジアミン、3−トリフルオロメトキ
シ−トリフルオロ−1,2−フェニレンジアミン、4−
トリフルオロメトキシ−トリフルオロ−1,2−フェニ
レンジアミン、2−トリフルオロメトキシ−トリフルオ
ロ−1,3−フェニレンジアミン、4−トリフルオロメ
トキシ−トリフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、
5−トリフルオロメトキシ−トリフルオロ−1,3−フ
ェニレンジアミン、2−トリフルオロメトキシ−トリフ
ルオロ−1,4−フェニレンジアミン、3,3'−ジアミ
ノ−オクタフルオロビフェニル、3,4'−ジアミノ−オ
クタフルオロビフェニル、4,4'−ジアミノ−オクタフ
ルオロビフェニル、2,2'−ビス(トリフルオロメチル)
−4,4'−ジアミノヘキサフルオロビフェニル、3,3'
−ビス(トリフルオロメチル)−4,4'−ジアミノヘキサ
フルオロビフェニル、ビス(3−アミノ−テトラフルオ
ロフェニル)エーテル、3,4'−ジアミノ−オクタフル
オロビフェニルエーテル、ビス(4−アミノ−テトラフ
ルオロフェニル)エーテル、3,3'−ジアミノ−オクタ
フルオロベンゾフェノン、3,4'−ジアミノ−オクタフ
ルオロベンゾフェノン、4,4'−ジアミノ−オクタフル
オロベンゾフェノン、ビス(3−アミノ−テトラフルオ
ロフェニル)スルホン、3,4'−ジアミノ−オクタフル
オロビフェニルスルホン、ビス(4−アミノ−テトラフ
ルオロフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−テトラ
フルオロフェニル)スルフィド、3,4'−ジアミノ−オ
クタフルオロビフェニルスルフィド、ビス(4−アミノ
−テトラフルオロフェニル)スルフィド、ビス(4−ア
ミノテトラフルオロフェニル)ジフルオロメタン、1,
2−ビス(4−アミノテトラフルオロフェニル)テトラ
フルオロエタン、2,2−ビス(4−アミノテトラフルオ
ロフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4,4"−ジアミ
ノ−ドデカフルオロ−p−テルフェニル、4−アミノ−
テトラフルオロフェノキシ−4'−アミノ−テトラフル
オロフェニル−ジフルオロメタン、ビス(4−アミノ−
テトラフルオロフェノキシ)−ジフルオロメタン、1,2
−ビス(4−アミノ−テトラフルオロフェノキシ)−テト
ラフルオロエタン、2,2−ビス(4−アミノ−テトラフ
ルオロフェノキシ)−ヘキサフルオロプロパン、1,4−
ビス(4−アミノ−テトラフルオロフェノキシ)−テトラ
フルオロベンゼン、2,6−ジアミノ−ヘキサフルオロ
ナフタレン、2,6−ジアミノ−オクタフルオロアント
ラセン、2,7−ジアミノ−オクタフルオロフェナント
レン、2,6−ジアミノ−ヘキサフルオロビフェニレ
ン、2,7−ジアミノ−ヘキサフルオロジベンゾフラ
ン、2,6−ジアミノ−ヘキサフルオロアントラキノ
ン、2,6−ジアミノ−オクタフルオロアントロン、2,
7−ジアミノ−ヘキサフルオロフェノキサチイン、2,
7−ジアミノ−ヘキサフルオロチアントレン等を挙げる
ことができる。
Examples of the diamine include m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 2,4-diaminodulene, 4- (1H, 1H,
11H-eicosafluoroundecanooxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H-perfluoro-1-
(Butanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1
H-perfluoro-1-heptanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1, H-perfluoro-1-octanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3 -Diaminobenzene, 4-
(2,3,5,6-tetrafluorophenoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (4-fluorophenoxy) -1,
3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro-1-hexanoxy) -1,3-diaminobenzene, 4- (1H, 1H, 2H, 2H-perfluoro-1-
Dodecanoloxy) -1,3-diaminobenzene, p-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene, 2,3,5,6
-Tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-diaminobenzotrifluoride, bis (trifluoromethyl) phenylenediamine, diaminotetra (trifluoromethyl) benzene, diamino (pentafluoroethyl)
Benzene, 2,5-diamino (perfluorohexyl) benzene, 2,5-diamino (perfluorobutyl) benzene, benzidine, 2,2′-dimethylbenzidine, 3,3 ′
-Dimethylbenzidine, 3,3'-dimethoxybenzidine, 2,2'-dimethoxybenzidine, 3,3 ', 5,5'-
Tetramethylbenzidine, 3,3'-diacetylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-bis (trifluoromethyl)-
4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-oxydianiline, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (p-aminophenyl) propane, 3,3 '-Dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,2-bis (anilino) ethane, 2,2-bis (p-aminophenyl) hexafluoro Propane, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis (anilino) octafluorobutane,
1,5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-
Bis (anilino) tetradecafluoroheptane, 2,2'-
Bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-bis (trifluoromethyl) -4,
4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 5,5'-tetrakis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl)-
4,4'-diaminobenzophenone, 4,4 ''-diamino-p-terphenyl, 1,4-bis (p-aminophenyl) benzene, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene , Bis (aminophenoxy)
Bis (trifluoromethyl) benzene, bis (aminophenoxy) tetrakis (trifluoromethyl) benzene,
4 ′ ″-diamino-p-quarterphenyl, 4,4′-
Bis (p-aminophenoxy) biphenyl, 2,2-bis {4- (p-aminophenoxy) phenyl} propane,
4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenyl sulfone, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (3-aminophenoxy) Phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (2-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl} hexafluoro Propane, 2,2-bis @ 4- (4
-Aminophenoxy) -3,5-ditrifluoromethylphenyl {hexafluoropropane, 4,4'-bis (4-
Amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-amino-
2-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis {4-
(4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {(trifluoromethyl) aminophenoxy} biphenyl, bis [{(trifluoromethyl) aminophenoxy} phenyl] hexafluoropropane, diaminoanthraquinone, 1,5-
Diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, bis [{2- (aminophenoxy) phenyl} hexafluoroisopropyl] benzene, bis (2,3,5,6-tetrafluoro-4-aminophenyl) ether, bis (2 , 3,
5,6-tetrafluoro-4-aminophenyl) sulfide, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-amino Phenyl) diethylsilane, tetrafluoro-1,2-phenylenediamine, tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, tetrafluoro-1,4-phenylenediamine, hexafluoro-1,5-diaminonaphthalene, hexafluoro-2, 6-diaminonaphthalene, 3-trifluoromethyl-trifluoro-1,2-phenylenediamine, 4-
Trifluoromethyl-trifluoro-1,2-phenylenediamine, 2-trifluoromethyl-trifluoro-
1,3-phenylenediamine, 4-trifluoromethyl-trifluoro-1,3-phenylenediamine, 5-trifluoromethyl-trifluoro-1,3-phenylenediamine, 2-trifluoromethyl-trifluoro-
1,4-phenylenediamine, 3,4-bis (trifluoromethyl) -difluoro-1,2-phenylenediamine,
3,5-bis (trifluoromethyl) -difluoro-1,2
-Phenylenediamine, 2,4-bis (trifluoromethyl) -difluoro-1,3-phenylenediamine, 4.5
-Bis (trifluoromethyl) -difluoro-1,3-phenylenediamine, 4,6-bis (trifluoromethyl)
-Difluoro-1,3-phenylenediamine, 2,3-bis (trifluoromethyl) -difluoro-1,4-phenylenediamine, 2,5-bis (trifluoromethyl) -difluoro-1,4-phenylenediamine, 3,4,5-tris
(Trifluoromethyl) -fluoro-1,2-phenylenediamine, 3,4,6-tris (trifluoromethyl) -fluoro-1,2-phenylenediamine, 2,4,5-tris (trifluoromethyl)- Fluoro-1,3-phenylenediamine,
2,4,6-tris (trifluoromethyl) -fluoro-1,3-
Phenylenediamine, 4,5,6-tris (trifluoromethyl) -fluoro-1,3-phenylenediamine, tetrakis
(Trifluoromethyl) -1,2-phenylenediamine,
Tetrakis (trifluoromethyl) -1,3-phenylenediamine, tetrakis (trifluoromethyl) -1,4-
Phenylenediamine, 3-pentafluoroethyl-trifluoro-1,2-phenylenediamine, 4-pentafluoroethyl-trifluoro-1,2-phenylenediamine, 2-pentafluoroethyl-trifluoro-1,
3-phenylenediamine, 4-pentafluoroethyl-
Trifluoro-1,3-phenylenediamine, 5-pentafluoroethyl-trifluoro-1,3-phenylenediamine, 2-pentafluoroethyl-trifluoro-
1,4-phenylenediamine, 3-trifluoromethoxy-trifluoro-1,2-phenylenediamine, 4-
Trifluoromethoxy-trifluoro-1,2-phenylenediamine, 2-trifluoromethoxy-trifluoro-1,3-phenylenediamine, 4-trifluoromethoxy-trifluoro-1,3-phenylenediamine,
5-trifluoromethoxy-trifluoro-1,3-phenylenediamine, 2-trifluoromethoxy-trifluoro-1,4-phenylenediamine, 3,3′-diamino-octafluorobiphenyl, 3,4′-diamino- Octafluorobiphenyl, 4,4'-diamino-octafluorobiphenyl, 2,2'-bis (trifluoromethyl)
-4,4'-diaminohexafluorobiphenyl, 3,3 '
-Bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminohexafluorobiphenyl, bis (3-amino-tetrafluorophenyl) ether, 3,4'-diamino-octafluorobiphenyl ether, bis (4-amino-tetrafluoro Phenyl) ether, 3,3'-diamino-octafluorobenzophenone, 3,4'-diamino-octafluorobenzophenone, 4,4'-diamino-octafluorobenzophenone, bis (3-amino-tetrafluorophenyl) sulfone, 3 , 4'-diamino-octafluorobiphenyl sulfone, bis (4-amino-tetrafluorophenyl) sulfone, bis (3-amino-tetrafluorophenyl) sulfide, 3,4'-diamino-octafluorobiphenyl sulfide, bis (4 -Amino-tetrafluorophenyl L) sulfide, bis (4-aminotetrafluorophenyl) difluoromethane,
2-bis (4-aminotetrafluorophenyl) tetrafluoroethane, 2,2-bis (4-aminotetrafluorophenyl) hexafluoropropane, 4,4 "-diamino-dodecafluoro-p-terphenyl, 4-amino −
Tetrafluorophenoxy-4′-amino-tetrafluorophenyl-difluoromethane, bis (4-amino-
(Tetrafluorophenoxy) -difluoromethane, 1,2
-Bis (4-amino-tetrafluorophenoxy) -tetrafluoroethane, 2,2-bis (4-amino-tetrafluorophenoxy) -hexafluoropropane, 1,4-
Bis (4-amino-tetrafluorophenoxy) -tetrafluorobenzene, 2,6-diamino-hexafluoronaphthalene, 2,6-diamino-octafluoroanthracene, 2,7-diamino-octafluorophenanthrene, 2,6-diamino -Hexafluorobiphenylene, 2,7-diamino-hexafluorodibenzofuran, 2,6-diamino-hexafluoroanthraquinone, 2,6-diamino-octafluoroanthrone, 2,
7-diamino-hexafluorophenoxathiin, 2,
7-diamino-hexafluorothianthrene and the like can be mentioned.

【0037】上記のテトラカルボン酸またはその誘導体
とジアミンとの組合せにより合成されるポリイミドの中
で、優れた光透過性と屈折率制御性を示す観点から、以
下のポリイミドを光導波路材料として用いることが好ま
しい。 (1)ピロメリット酸二無水物(PMDA)および2,
2−ビス(3,4−ジカルボキシジフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン二無水物(6FDA)の2種類の酸二無
水物をテトラカルボン酸誘導体として用い、2,2’−
ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフ
ェニル(TFDB)をジアミンとして用いた含フッ素ポ
リイミド共重合体、(2)PMDAまたは6FDAのい
ずれか1つをテトラカルボン酸誘導体として用い、TF
DBをジアミンとして用いた単独重合体のホモポリイミ
ド、(3)6FDAをテトラカルボン酸として用い、T
FDBおよび4,4’−オキシジアニリン(ODA)の
2種類をジアミンとして用いた含フッ素ポリイミド共重
合体、(4)6FDAとODAとから合成される単独重
合体のホモポリイミド。
Among the polyimides synthesized by combining the above tetracarboxylic acid or its derivative with a diamine, the following polyimides are used as optical waveguide materials from the viewpoint of exhibiting excellent light transmittance and refractive index controllability. Is preferred. (1) pyromellitic dianhydride (PMDA) and 2,
Using two kinds of acid dianhydrides of 2-bis (3,4-dicarboxydiphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA) as tetracarboxylic acid derivatives, 2,2′-
Fluorine-containing polyimide copolymer using bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminodiphenyl (TFDB) as a diamine; (2) using one of PMDA or 6FDA as a tetracarboxylic acid derivative;
Homopolyimide of homopolymer using DB as diamine, (3) using 6FDA as tetracarboxylic acid,
A fluorine-containing polyimide copolymer using two kinds of FDB and 4,4'-oxydianiline (ODA) as a diamine, and (4) a homopolyimide of a homopolymer synthesized from 6FDA and ODA.

【0038】さらに、本発明に用いるポリイミドは、共
重合体の他にポリイミド混合物であってもよい。ポリイ
ミド混合物は、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸溶
液の混合物を経由して合成することができる。
Further, the polyimide used in the present invention may be a polyimide mixture in addition to the copolymer. The polyimide mixture can be synthesized via a mixture of a polyamic acid solution that is a polyimide precursor.

【0039】次に、本発明の埋め込み型の異形ポリイミ
ド光導波路の製造方法を、図1を参照して説明する。図
1は、コア幅がコア高さよりも大きく、かつコアを形成
するためのエッチング深さがコア層の厚さよりも大きい
本発明の異形ポリイミド導波路の製造方法である。図1
中において、符号1は基板、符号2は下部クラッド層、
符号3はコア層、符号4はコアパターンを形成するため
のマスク層、符号5はレジスト層、符号6は上部クラッ
ド層を示す。
Next, a method of manufacturing a buried type irregular shaped polyimide optical waveguide of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a method for manufacturing a modified polyimide waveguide of the present invention in which the core width is larger than the core height and the etching depth for forming the core is larger than the thickness of the core layer. FIG.
Reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes a lower cladding layer,
Reference numeral 3 denotes a core layer, reference numeral 4 denotes a mask layer for forming a core pattern, reference numeral 5 denotes a resist layer, and reference numeral 6 denotes an upper cladding layer.

【0040】シリコン等の基板1の上に下部クラッド層
用のポリイミド材料(あるいはその前駆体であるポリア
ミド酸溶液)をスピンコート等の方法により塗布し、こ
れを加熱等により硬化して、下部クラッド層を形成す
る。基板1としては、表面の平滑性に優れ、ポリイミド
を形成するための熱処理に耐えうる材料を用いることが
できる。基板1として好ましい材料は、シリコンウェ
ハ、アルミニウム、ステンレスもしくは鋼等の金属板、
ポリイミド等の耐熱性樹脂基板、ガラス基板、またはセ
ラミック基板等を含む。これら材料のなかでも、表面の
平滑性、優れた耐熱性および低価格を考慮すると、シリ
コンウェハが好ましい材料である。
A polyimide material for a lower cladding layer (or a polyamic acid solution as a precursor thereof) is applied on a substrate 1 such as silicon by a method such as spin coating, and is cured by heating or the like. Form a layer. As the substrate 1, a material that has excellent surface smoothness and can withstand heat treatment for forming polyimide can be used. Preferred materials for the substrate 1 include a silicon wafer, a metal plate such as aluminum, stainless steel or steel,
It includes a heat-resistant resin substrate such as polyimide, a glass substrate, a ceramic substrate, or the like. Among these materials, a silicon wafer is a preferable material in consideration of surface smoothness, excellent heat resistance and low cost.

【0041】次に、図1(a)に示すように、下部クラ
ッド層用ポリイミド材料よりも大きな屈折率を有するポ
リイミド材料を用いてコア層3を形成する。コア層3の
形成方法としては、下部クラッド層2の形成と同様の方
法を用いることができる。さらに、コア層3の上にコア
パターンを得るためのマスク層4を形成する。マスク層
としては、アルミニウムまたはチタンなどの金属、Si
2、スピンオングラス(SOG)、Si含有レジス
ト、感光性ポリイミドなどを用いることができる。
Next, as shown in FIG. 1A, the core layer 3 is formed using a polyimide material having a higher refractive index than the polyimide material for the lower cladding layer. As a method for forming the core layer 3, the same method as that for forming the lower clad layer 2 can be used. Further, a mask layer 4 for obtaining a core pattern is formed on the core layer 3. As the mask layer, a metal such as aluminum or titanium, Si
O 2 , spin-on-glass (SOG), Si-containing resist, photosensitive polyimide, or the like can be used.

【0042】マスク層4を形成した後に、レジスト塗
布、プリベーク、露光、現像、アフターベークの工程を
行い、図1(b)に示すようなパターニングされたレジ
スト層5を得る。この際に、パターニングされたレジス
ト層の幅をコア層3の厚さよりも大きくすることによっ
て、コア幅がコア高さよりも大きいコアを形成すること
ができる。コア幅(すなわちレジスト層の幅)は、コア
高さ(すなわちコア層の厚さ)の1倍より大きく、かつ
2以下とすること(すなわち、コア幅対コア高さの比を
1より大きく2以下とすること)が好ましい。
After the formation of the mask layer 4, the steps of resist coating, pre-baking, exposure, development, and after-baking are performed to obtain a patterned resist layer 5 as shown in FIG. At this time, by making the width of the patterned resist layer larger than the thickness of the core layer 3, a core having a core width larger than the core height can be formed. The core width (ie, the width of the resist layer) should be greater than one time the core height (ie, the thickness of the core layer) and no greater than two (ie, the ratio of the core width to the core height should be greater than 1 and 2) The following is preferred).

【0043】次に、図1(c)に示すように、レジスト
層5により保護されていないマスク層4をエッチングし
て除去する。この際に、マスク層4としてSi含有レジ
ストまたは厚膜の感光性ポリイミドを用いた場合には、
それら材料を用いてパターニングをすることが可能なの
で、レジスト層5を設ける必要はない。
Next, as shown in FIG. 1C, the mask layer 4 not protected by the resist layer 5 is removed by etching. At this time, when a Si-containing resist or a thick photosensitive polyimide is used as the mask layer 4,
Since patterning can be performed using these materials, there is no need to provide the resist layer 5.

【0044】そして、図1(d)に示すように、上記の
ようにパターニングを伴って形成されたレジスト層5お
よびマスク層4をエッチングマスクとして用い、該エッ
チングマスクによって保護されていないコア層3をドラ
イエッチングにより除去して、パターニングされたコア
を形成する。この際にドライエッチングの深さをコア層
3の厚さよりも大きく設定することにより、下部クラッ
ド層の一部をもエッチング除去している。
Then, as shown in FIG. 1D, the resist layer 5 and the mask layer 4 formed by patterning as described above are used as an etching mask, and the core layer 3 not protected by the etching mask is used. Is removed by dry etching to form a patterned core. At this time, by setting the depth of the dry etching to be larger than the thickness of the core layer 3, a part of the lower cladding layer is also etched away.

【0045】次に、図1(e)に示すように、残ったマ
スク層4を、ドライエッチングあるいは剥離液を用いる
ことにより除去する。そして、図1(f)に示すよう
に、コア層として用いたポリイミド材料よりも小さい屈
折率を有するポリイミド材料を用いて上部クラッド層6
を形成する。その形成方法としては、下部クラッド層2
を形成する方法と同様の方法を使用することができる。
Next, as shown in FIG. 1E, the remaining mask layer 4 is removed by dry etching or using a stripping solution. Then, as shown in FIG. 1F, the upper cladding layer 6 is formed using a polyimide material having a smaller refractive index than the polyimide material used as the core layer.
To form The method of forming the lower cladding layer 2
Can be used in the same manner as the method for forming

【0046】以上の工程を経ることにより、埋め込み型
の異形ポリイミド光導波路を作製することができる。さ
らに上記の基板上に形成された埋め込み型光導波路から
基板を除去すること、および必要に応じて熱処理を行う
ことで、図1(g)に示すような。コア幅がコア高さよ
り大きく、かつエッチング深さがコア高さより小さい埋
め込み型の異形ポリイミドフィルム光導波路を作製する
ことができる。
Through the above steps, a buried-type modified polyimide optical waveguide can be manufactured. Further, by removing the substrate from the embedded optical waveguide formed on the substrate and performing heat treatment as necessary, as shown in FIG. 1 (g). An embedded polyimide film optical waveguide having a core width larger than the core height and an etching depth smaller than the core height can be manufactured.

【0047】以上に述べた作製方法を一部変更すること
により、種々の構造の異形ポリイミド光導波路を作製す
ることができる。コア幅とコア高さを同一にしたい場合
には、パターニングされるレジスト層5あるいはマスク
層4の幅を、コア層3の高さと同一にすればよいし、あ
るいはまたコア高さをコア幅より大きくしたい場合は、
レジスト層5あるいはマスク層4の幅を、コア層3の高
さよりも小さくすればよい。すなわち、コア幅は、フォ
トマスクの設計(具体的には、レジスト層5の幅、ある
いはマスク層4としてSi含有レジストもしくは感光性
ポリイミドを用いた場合のマスク層4の幅など)によっ
て任意に選択することができる。
By partially changing the manufacturing method described above, it is possible to manufacture modified polyimide optical waveguides having various structures. When it is desired to make the core width and the core height the same, the width of the resist layer 5 or the mask layer 4 to be patterned may be made the same as the height of the core layer 3, or the core height may be made larger than the core width. If you want to increase it,
The width of the resist layer 5 or the mask layer 4 may be smaller than the height of the core layer 3. That is, the core width is arbitrarily selected depending on the design of the photomask (specifically, the width of the resist layer 5 or the width of the mask layer 4 when a Si-containing resist or photosensitive polyimide is used as the mask layer 4). can do.

【0048】また、コア層のエッチング深さをコアの高
さと同一にしたい場合には、コア層のエッチング量をコ
ア層の厚さと同一にすればよいし、コア層のエッチング
深さをコアの高さよりも小さくしたい場合には、コア層
のエッチング量をコア層の厚さよりも小さく設定すれば
よい。さらに、コア層のエッチング量は、コア層のエッ
チング速度とエッチング時間の積によって決定される。
したがって、コア層のエッチング速度をあらかじめ求め
ておけば、エッチング時間によってコア層のエッチング
量を制御することが可能である。
When it is desired to make the etching depth of the core layer the same as the height of the core, the etching amount of the core layer may be made the same as the thickness of the core layer, and the etching depth of the core layer may be made the same. If the height is to be smaller than the height, the etching amount of the core layer may be set to be smaller than the thickness of the core layer. Further, the etching amount of the core layer is determined by the product of the etching rate of the core layer and the etching time.
Therefore, if the etching rate of the core layer is determined in advance, the etching amount of the core layer can be controlled by the etching time.

【0049】さらに、スピンコート法によりコア層3を
形成する場合には、コア高さ(すなわちコア層の厚さ)
はスピンコートの回転数などにより制御することができ
る。以上に述べた種々のパラメータ(フォトマスクの設
計、エッチング量、コア層の厚さなど)を適切に設定す
ることにより、図2(a)〜(h)に示すような、種々
の構造を有する異形ポリイミド光導波路を作製すること
ができる。
When the core layer 3 is formed by spin coating, the core height (ie, the thickness of the core layer)
Can be controlled by the number of rotations of the spin coat and the like. By appropriately setting the various parameters described above (photomask design, etching amount, core layer thickness, etc.), various structures as shown in FIGS. 2A to 2H can be obtained. A modified polyimide optical waveguide can be made.

【0050】図2(a)〜(c)は、コア幅wがコア高
さhよりも大きい異形ポリイミド光導波路である。コア
幅対コア高さの比(w/h)を、1より大きく2以下と
することによって、低損失のシングルモード光導波路を
得ることができた。図2(d)〜(f)は、コア幅がコ
ア高さよりも大きい異形ポリイミド光導波路である。コ
ア幅対コア高さの比を、0.7以上1未満とすることに
よって、低損失のシングルモード光導波路を得ることが
できた。たとえば、コア高さhを7μm、およびコア幅
wを4.9μm、6.3μm、7.7μm、8.4μm
および14.0μmに設計すると、それぞれコア幅対コ
ア高さの比が0.7、0.9の縦長コア断面、1.1、
1.2および2.0の横長コア断面を有する光導波路を
形成することができ、これらのコア断面を有する光導波
路は、いずれも低損失であり、かつシングルモード導波
路として機能する。
FIGS. 2A to 2C show modified polyimide optical waveguides in which the core width w is larger than the core height h. By setting the ratio of the core width to the core height (w / h) to be greater than 1 and 2 or less, a low-loss single-mode optical waveguide could be obtained. FIGS. 2D to 2F show modified polyimide optical waveguides in which the core width is larger than the core height. By setting the ratio of the core width to the core height to be 0.7 or more and less than 1, a low-loss single-mode optical waveguide could be obtained. For example, the core height h is 7 μm, and the core width w is 4.9 μm, 6.3 μm, 7.7 μm, 8.4 μm
And 14.0 μm, the ratio of the core width to the core height is 0.7, 0.9, respectively.
Optical waveguides having a 1.2 and 2.0 long core cross section can be formed, and each of these optical waveguides having a core cross section has low loss and functions as a single mode waveguide.

【0051】コア高さとエッチング深さの観点から見る
と、図2(a)、(d)および(f)は、コア高さより
もエッチング深さが大きい異形ポリイミド光導波路であ
る。これらのようにコア高さよりもエッチング深さを大
きくする場合には、エッチング深さを、コア高さの10
0%より大きく130%以下とすることが好ましい。す
なわち、コアが形成されていない部分の下部クラッド層
の厚さは、コア高さの0%より大きくかつ30%以下の
範囲内で、コアが形成されている部分の下部クラッド層
の厚さよりも薄い。このようにエッチング深さをコア高
さよりも大きくすることによって、エッチング終点をコ
アから遠ざけることが可能となり、エッチング終点にお
ける種々の形状効果、すなわちエッチング上面の表面荒
れに基づく不良界面およびエッチング時に生じるコア側
面脇のクラック等をコアから遠ざけることができる。し
たがって、コア側面の高精度な垂直性および均一性を達
成することができ、それらエッチング終点の効果による
性能劣化を抑制することができる。
From the viewpoint of the core height and the etching depth, FIGS. 2A, 2D and 2F show a modified polyimide optical waveguide having a larger etching depth than the core height. When the etching depth is made larger than the core height as described above, the etching depth is set to 10 times the core height.
It is preferable to be larger than 0% and 130% or less. That is, the thickness of the lower clad layer in the portion where the core is not formed is larger than 0% and 30% or less of the core height, and is smaller than the thickness of the lower clad layer in the portion where the core is formed. thin. By making the etching depth larger than the core height in this manner, the etching end point can be moved away from the core, and various shape effects at the etching end point, that is, a defective interface based on surface roughness of the etching upper surface and a core generated at the time of etching. Cracks on the side of the side can be kept away from the core. Accordingly, highly accurate verticality and uniformity of the core side surface can be achieved, and performance degradation due to the effect of the etching end point can be suppressed.

【0052】一方、図2(c)、(e)および(h)
は、エッチング深さよりもコア高さが大きい異形ポリイ
ミド光導波路、すなわち突起部を有するコア層を有する
異形ポリイミド光導波路である。これらのようにエッチ
ング深さよりもコア高さ(すなわち、コア層の厚さ)を
大きくする場合には、エッチング深さを、コア高さの7
0%以上100%未満とすることが好ましく、特に導波
する光の閉じ込め効果を損なわないために、コア高さの
90%以上100%未満とすることがより好ましい。す
なわち、突起部以外のコア層の厚さは、コア高さの0%
より大きく30%以下、より好ましくはコア高さの0%
より大きく10%以下である。このようにコア高さをエ
ッチング深さよりも大きくすることによって、コア部分
の位置安定性を向上させるとともに、光導波路作製に伴
う歪み(応力発生)により生じる性能劣化を抑制するこ
とができる。なお、この場合、突起部と突起部の下にあ
るコア層を併せた矩形領域11がコアとして機能する。
On the other hand, FIGS. 2 (c), (e) and (h)
Is a modified polyimide optical waveguide having a core height larger than the etching depth, that is, a modified polyimide optical waveguide having a core layer having a protrusion. When the core height (that is, the thickness of the core layer) is larger than the etching depth as described above, the etching depth is set to 7 times the core height.
The core height is preferably 0% or more and less than 100%, and more preferably 90% or more and less than 100% of the core height so as not to impair the effect of confining guided light. That is, the thickness of the core layer other than the protrusions is 0% of the core height.
Greater than 30%, more preferably 0% of core height
Greater than 10%. By making the core height larger than the etching depth in this way, it is possible to improve the positional stability of the core portion and to suppress the performance deterioration caused by distortion (stress generation) accompanying the fabrication of the optical waveguide. In this case, the rectangular region 11 including the protrusion and the core layer below the protrusion functions as a core.

【0053】コア幅対コア高さの比あるいはエッチング
深さを上記範囲外とすると、光導波路のシングルモード
導波が困難となるばかりではなく、TEモードまたはT
Mモードの損失の増加、あるいはTEモードとTMモー
ドとの損失の差(偏波依存損失)の増加をもたらす。
When the ratio of the core width to the core height or the etching depth is out of the above range, not only the single mode waveguide of the optical waveguide becomes difficult, but also the TE mode or the T mode.
This causes an increase in the loss in the M mode or an increase in the difference between the loss in the TE mode and the loss in the TM mode (polarization-dependent loss).

【0054】[0054]

【実施例】引き続いて、いくつかの実施例を用いて、本
発明をさらに詳しく説明する。なお、種々のポリイミド
共重合体および混合物の組合せにより、あるいは光導波
路構造の差異により、無数の異形ポリイミド光導波路が
得られることは明らかであり、本発明がこれらの実施例
のみに限定されるものではないことを理解すべきであ
る。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to several examples. It should be noted that it is clear that countless modified polyimide optical waveguides can be obtained by combining various polyimide copolymers and mixtures, or by differences in optical waveguide structures, and the present invention is limited to only these examples. It should be understood that it is not.

【0055】作製した光導波路のコア形状の確認は、光
学顕微鏡を用いて行った。また、作製した光導波路の導
波モードと損失を、以下のように測定した。まず、入射
端より、波長1.3μmの導波路フィルム面と平行な方
向の偏波光(TEモード光)および波長1.3μmの導
波路フィルム面と垂直な方向の偏波光(TMモード光)
を入射した。光導波路の出射光の強度分布(ニアフィー
ルドモードパターン)を測定することにより導波モード
を求めた。また、入射光と出射光の強度差を光導波路長
で除算し、単位長さ当たりの光損失を求めた。
The shape of the core of the manufactured optical waveguide was confirmed using an optical microscope. Further, the waveguide mode and the loss of the manufactured optical waveguide were measured as follows. First, from the incident end, polarized light (TE mode light) in a direction parallel to the 1.3 μm wavelength waveguide film surface and polarized light (TM mode light) in a direction perpendicular to the 1.3 μm wavelength waveguide film surface.
Was incident. The waveguide mode was determined by measuring the intensity distribution (near field mode pattern) of the light emitted from the optical waveguide. Further, the difference in intensity between the incident light and the output light was divided by the length of the optical waveguide to determine the light loss per unit length.

【0056】(実施例1)4インチシリコン基板に対し
て、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン二無水物(6FDA)と2,2’
−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジ
フェニル(TFDB)とから合成されるポリイミド(6
FDA/TFDB)の前駆体であるポリアミド酸の15
質量%ジメチルアセトアミド(DMAc)溶液を、スピ
ンコート法により塗布した。この塗膜を、乾燥窒素ガス
雰囲気のイナートオーブン中で加熱してイミド化し、ポ
リイミド(6FDA/TFDB)からなる下部クラッド
層を形成した。
(Example 1) 2,4-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and 2,2 '
Polyimide synthesized from -bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminodiphenyl (TFDB) (6
15 of polyamic acid which is a precursor of FDA / TFDB)
A mass% dimethylacetamide (DMAc) solution was applied by spin coating. This coating film was heated and imidized in an inert oven in a dry nitrogen gas atmosphere to form a lower cladding layer made of polyimide (6FDA / TFDB).

【0057】次に、この下部クラッド層上に、15モル
%のピロメリット酸二無水物(PMDA)と35モル%
の6FDAと50モル%のTFDBとから合成されるポ
リイミド共重合体(30モル%のPMDA/TFDBと
70モル%の6FDA/TFDBとからなるポリイミド
共重合体)の前駆体であるポリアミド酸の15質量%D
MAc溶液を、スピンコート法により塗布した。この塗
膜を、乾燥窒素ガス雰囲気のイナートオーブン中で加熱
してイミド化し、厚さ7.1μmのコア層を形成した。
Then, 15 mol% of pyromellitic dianhydride (PMDA) and 35 mol% of
Polyamic acid 15 which is a precursor of a polyimide copolymer synthesized from 6FDA and 50 mol% of TFDB (a polyimide copolymer composed of 30 mol% of PMDA / TFDB and 70 mol% of 6FDA / TFDB) Mass% D
The MAc solution was applied by a spin coating method. This coating film was heated and imidized in an inert oven in a dry nitrogen gas atmosphere to form a 7.1 μm thick core layer.

【0058】次に、このコア層上に、膜厚0.3μmの
アルミニウム層(マスク層)を蒸着した。そして、この
アルミニウム層状にポジ型フォトレジストをスピンコー
ト法により塗布した後に、約95℃においてプリベーク
を行った。次にパターン形成用のフォトマスクと超高圧
水銀灯とを用いて紫外線を照射した後に、ポジ型レジス
ト用現像液を用いて現像し、135℃においてポストベ
ークを行った。このようにして、線幅10.3μmを有
する直線状のパターンを有するレジスト層を形成した。
Next, an aluminum layer (mask layer) having a thickness of 0.3 μm was deposited on the core layer. Then, a positive photoresist was applied to the aluminum layer by spin coating, and then prebaked at about 95 ° C. Next, after irradiating ultraviolet rays using a photomask for pattern formation and an ultra-high pressure mercury lamp, development was performed using a developer for a positive resist, and post-baking was performed at 135 ° C. Thus, a resist layer having a linear pattern having a line width of 10.3 μm was formed.

【0059】次に、ウェットエッチングにより露出して
いるアルミニウムを除去し、レジストパターンをアルミ
ニウム層に転写した。さらに、転写されたパターンを有
するアルミニウム層をマスクとして、コア層上面から
9.0μmの深さまでのコア層および下部クラッド層の
ポリイミドを、酸素プラズマを用いたドライエッチング
により除去した。そして、コア層上部に残存するマスク
として用いたアルミニウムを、エッチング液を用いて除
去した。
Next, the exposed aluminum was removed by wet etching, and the resist pattern was transferred to an aluminum layer. Further, using the aluminum layer having the transferred pattern as a mask, the polyimide of the core layer and the lower cladding layer from the upper surface of the core layer to a depth of 9.0 μm was removed by dry etching using oxygen plasma. Then, aluminum used as a mask remaining on the core layer was removed using an etchant.

【0060】そして、下部クラッド層と同一のポリイミ
ド(6FDA/TFDB)の前駆体であるポリアミド酸
の15質量%DMAc溶液を、スピンコート法により塗
布した。この塗膜を、乾燥窒素ガス雰囲気のイナートオ
ーブン中で加熱してイミド化し、上部クラッド層を形成
した。最後に光導波路の両端を、ダイシングソーで切り
落として、光の入出射端面を形成した。
Then, a 15% by mass DMAc solution of a polyamic acid, which is the same precursor as the polyimide (6FDA / TFDB) for the lower cladding layer, was applied by spin coating. This coating film was heated and imidized in an inert oven in a dry nitrogen gas atmosphere to form an upper clad layer. Finally, both ends of the optical waveguide were cut off with a dicing saw to form light input / output end faces.

【0061】このようにして、図2(a)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.45であり、エッ
チング深さがコア高さの127%である埋め込み型異形
ポリイミド光導波路が得られた。コア3が形成されてい
ない部分の下部クラッド層の厚さは、コア3が形成され
ている部分の下部クラッド層よりも、コア高さの27%
(1.9μm)薄い。この光導波路のTEモードでの導
波光は、シングルモードであった。また、この光導波路
のTEモードおよびTMモードでの損失は、共に1.0
dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.5dB/c
m以下であった。
In this way, as shown in FIG. 2A, a buried type variant having a ratio of the core width w to the core height h of 1.45 and an etching depth of 127% of the core height. A polyimide optical waveguide was obtained. The thickness of the lower cladding layer in the portion where the core 3 is not formed is 27% of the core height than the lower cladding layer in the portion where the core 3 is formed.
(1.9 μm) Thin. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. Further, the loss in the TE mode and the TM mode of this optical waveguide is 1.0
dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.5 dB / c.
m or less.

【0062】(実施例2)コア層を形成する材料として
50モル%の6FDAと12.5モル%の4,4’−オ
キシジアニリン(ODA)と37.5モル%のTFDB
とから合成されるポリアミド酸のDMAc溶液を用い
て、25モル%の6FDA/ODAと75モル%の6F
DA/TFDBとのポリイミド共重合体からなるコア層
を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を8.0μmと
し、線幅を11.5μmとし、エッチング深さを9.1
μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返して、光導
波路を形成した。
Example 2 As materials for forming a core layer, 50 mol% of 6FDA, 12.5 mol% of 4,4'-oxydianiline (ODA) and 37.5 mol% of TFDB
25 mol% of 6FDA / ODA and 75 mol% of 6FDA using a DMAc solution of a polyamic acid synthesized from
A core layer made of a polyimide copolymer with DA / TFDB was formed, the core height (core layer thickness) was set to 8.0 μm, the line width was set to 11.5 μm, and the etching depth was set to 9.1.
An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the thickness was set to μm.

【0063】このようにして、図2(a)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.44であり、エッ
チング深さがコア高さの114%である埋め込み型異形
ポリイミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモ
ードでの導波光は、シングルモードであった。また、こ
の光導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、
共に1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.
5dB/cm以下であった。
In this manner, as shown in FIG. 2A, a buried type variant having a ratio of the core width w to the core height h of 1.44 and an etching depth of 114% of the core height is used. A polyimide optical waveguide was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguide is as follows.
Both are 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.1 dB / cm.
It was 5 dB / cm or less.

【0064】(実施例3)コア層を形成する材料として
50モル%の6FDAと10モル%のODAと40モル
%のTFDBとから合成されるポリアミド酸のDMAc
溶液を用いて、20モル%の6FDA/ODAと80モ
ル%の6FDA/TFDBとのポリイミド共重合体から
なるコア層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を8.
0μmとし、線幅を8.8μmとし、エッチング深さを
8.0μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返し
て、光導波路を形成した。
Example 3 A polyamic acid DMAc synthesized from 50 mol% of 6FDA, 10 mol% of ODA and 40 mol% of TFDB as a material for forming a core layer
Using the solution, a core layer made of a polyimide copolymer of 20 mol% of 6FDA / ODA and 80 mol% of 6FDA / TFDB was formed, and the core height (core layer thickness) was set to 8.
An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the line width was 0 μm, the line width was 8.8 μm, and the etching depth was 8.0 μm.

【0065】このようにして、図2(b)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.10であり、エッ
チング深さがコア高さと等しい埋め込み型異形ポリイミ
ド光導波路が得られた。この光導波路のTEモードでの
導波光は、シングルモードであった。また、この光導波
路のTEモードおよびTMモードでの損失は、共に1.
0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.5dB/
cm以下であった。
In this manner, as shown in FIG. 2B, a buried type irregularly shaped polyimide optical waveguide having a core width w / core height h ratio of 1.10 and an etching depth equal to the core height is obtained. Obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of this optical waveguide is 1.
0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.5 dB / cm.
cm or less.

【0066】(実施例4)コア層を形成する材料として
50モル%の6FDAと20モル%のODAと30モル
%のTFDBとから合成されるポリアミド酸のDMAc
溶液を用いて、40モル%の6FDA/ODAと60モ
ル%の6FDA/TFDBとのポリイミド共重合体から
なるコア層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を7.
0μmとし、線幅を12.0μmとし、エッチング深さ
を6.3μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返し
て、光導波路を形成した。
Example 4 As a material for forming a core layer, DMAc of a polyamic acid synthesized from 50 mol% of 6FDA, 20 mol% of ODA and 30 mol% of TFDB was used.
Using the solution, a core layer made of a polyimide copolymer of 40 mol% of 6FDA / ODA and 60 mol% of 6FDA / TFDB was formed, and the core height (core layer thickness) was set to 7.
An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the line width was 0 μm, the line width was 12.0 μm, and the etching depth was 6.3 μm.

【0067】このようにして、図2(c)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.71であり、エッ
チング深さがコア高さの90%である埋め込み型異形ポ
リイミド光導波路が得られた。すなわちコア部分11以
外のコア層3の厚さは、コア高さの10%(0.7μ
m)である。この光導波路のTEモードでの導波光は、
シングルモードであった。また、この光導波路のTEモ
ードおよびTMモードでの損失は、共に1.0dB/c
m以下であり、偏波依存損失は0.5dB/cm以下で
あった。
In this way, as shown in FIG. 2C, the buried-type variant having the ratio of the core width w to the core height h of 1.71 and the etching depth of 90% of the core height is used. A polyimide optical waveguide was obtained. That is, the thickness of the core layer 3 other than the core portion 11 is 10% (0.7 μm) of the core height.
m). The guided light in the TE mode of this optical waveguide is
It was single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of this optical waveguide is 1.0 dB / c.
m or less, and the polarization dependent loss was 0.5 dB / cm or less.

【0068】(実施例5)下部クラッド層および上部ク
ラッド層を形成する材料として50モル%の6FDAと
20モル%のODAと30モル%のTFDBとから合成
されるポリアミド酸のDMAc溶液を用いて、40モル
%の6FDA/ODAと60モル%の6FDA/TFD
Bとのポリイミド共重合体からなる上部クラッドおよび
下部クラッド層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を
8.0μmとし、線幅を8.8μmとし、エッチング深
さを7.2μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返
して、光導波路を形成した。
Example 5 As a material for forming the lower cladding layer and the upper cladding layer, a DMAc solution of a polyamic acid synthesized from 50 mol% of 6FDA, 20 mol% of ODA and 30 mol% of TFDB was used. , 40 mol% 6FDA / ODA and 60 mol% 6FDA / TFD
An upper clad layer and a lower clad layer made of a polyimide copolymer with B are formed, the core height (core layer thickness) is set to 8.0 μm, the line width is set to 8.8 μm, and the etching depth is set to 7.2 μm. An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the above method was adopted.

【0069】このようにして、図2(c)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.10であり、エッ
チング深さがコア高さの90%である埋め込み型異形ポ
リイミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモー
ドでの導波光は、シングルモードであった。また、この
光導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、共
に1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.5
dB/cm以下であった。
In this way, as shown in FIG. 2C, the buried-type variant having the ratio of the core width w to the core height h of 1.10 and the etching depth of 90% of the core height is used. A polyimide optical waveguide was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguide is 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.5 dB / cm.
It was less than dB / cm.

【0070】(実施例6)下部クラッド層および上部ク
ラッド層を形成する材料として50モル%の6FDAと
5モル%のODAと45モル%のTFDBとから合成さ
れるポリアミド酸のDMAc溶液を用いて、10モル%
の6FDA/ODAと90モル%の6FDA/TFDB
とのポリイミド共重合体からなる上部クラッドおよび下
部クラッド層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を
8.3μmとし、線幅を8.3μmとし、エッチング深
さを9.1μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返
して、光導波路を形成した。
Example 6 As a material for forming the lower clad layer and the upper clad layer, a DMAc solution of a polyamic acid synthesized from 50 mol% of 6FDA, 5 mol% of ODA and 45 mol% of TFDB was used. , 10 mol%
6FDA / ODA and 90 mol% 6FDA / TFDB
And an upper clad and a lower clad layer made of a polyimide copolymer having a core height (core layer thickness) of 8.3 μm, a line width of 8.3 μm, and an etching depth of 9.1 μm. An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except for the above.

【0071】このようにして、図2(d)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.00であり、エッ
チング深さがコア高さの110%である埋め込み型異形
ポリイミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモ
ードでの導波光は、シングルモードであった。また、こ
の光導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、
共に1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.
5dB/cm以下であった。
In this way, as shown in FIG. 2D, a buried-type variant in which the ratio of the core width w to the core height h is 1.00 and the etching depth is 110% of the core height. A polyimide optical waveguide was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguide is as follows.
Both are 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.1 dB / cm.
It was 5 dB / cm or less.

【0072】(実施例7)コア層を形成する材料として
50モル%の6FDAと10モル%のODAと40モル
%のTFDBとから合成されるポリアミド酸のDMAc
溶液を用いて、20モル%の6FDA/ODAと80モ
ル%の6FDA/TFDBとのポリイミド共重合体から
なるコア層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を8.
2μmとし、線幅を8.2μmとし、エッチング深さを
6.5μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返し
て、光導波路を形成した。
Example 7 A polyamic acid DMAc synthesized from 50 mol% of 6FDA, 10 mol% of ODA and 40 mol% of TFDB as a material for forming the core layer.
Using the solution, a core layer made of a polyimide copolymer of 20 mol% of 6FDA / ODA and 80 mol% of 6FDA / TFDB was formed, and the core height (core layer thickness) was set to 8.
An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the line width was set to 2 μm, the line width was set to 8.2 μm, and the etching depth was set to 6.5 μm.

【0073】このようにして、図2(e)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が1.00であり、エッ
チング深さがコア高さの79%である埋め込み型異形ポ
リイミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモー
ドでの導波光は、シングルモードであった。また、この
光導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、共
に1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.5
dB/cm以下であった。
In this manner, as shown in FIG. 2E, a buried-type variant in which the ratio of the core width w to the core height h is 1.00 and the etching depth is 79% of the core height. A polyimide optical waveguide was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguide is 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.5 dB / cm.
It was less than dB / cm.

【0074】(実施例8)下部クラッド層および上部ク
ラッド層を形成する材料として50モル%の6FDAと
15モル%のODAと35モル%のTFDBとから合成
されるポリアミド酸のDMAc溶液を用いて、30モル
%の6FDA/ODAと70モル%の6FDA/TFD
Bとのポリイミド共重合体からなる上部クラッドおよび
下部クラッド層を形成し、コア層を形成する材料として
100モル%の6FDAと50モル%のODAと50モ
ル%のTFDBとから合成されるポリアミド酸のDMA
c溶液を用いて、50モル%の6FDA/ODAと50
モル%の6FDA/TFDBとのポリイミド共重合体か
らなるコア層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を
8.0μmとし、線幅を7.3μmとし、エッチング深
さを8.5μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返
して、光導波路を形成した。
Example 8 As a material for forming the lower cladding layer and the upper cladding layer, a DMAc solution of a polyamic acid synthesized from 50 mol% of 6FDA, 15 mol% of ODA and 35 mol% of TFDB was used. , 30 mol% 6FDA / ODA and 70 mol% 6FDA / TFD
A polyamic acid synthesized from 100 mol% of 6FDA, 50 mol% of ODA, and 50 mol% of TFDB as a material for forming an upper cladding layer and a lower cladding layer comprising a polyimide copolymer with B and a core layer DMA
c solution, 50 mol% of 6FDA / ODA and 50 mol%
A core layer made of a polyimide copolymer with 6% FDA / TFDB (mol%) was formed, the core height (core layer thickness) was 8.0 μm, the line width was 7.3 μm, and the etching depth was 8. An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the thickness was 5 μm.

【0075】このようにして、図2(f)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が0.91であり、エッ
チング深さがコア高さの106%である埋め込み型異形
ポリイミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモ
ードでの導波光は、シングルモードであった。また、こ
の光導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、
共に1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.
5dB/cm以下であった。本実施例によって、コア幅
がコア高さより小さい光導波路、すなわち基板面に対し
て微細で高密度な光導波路を作製することができた。
In this way, as shown in FIG. 2 (f), a buried-type variant having a ratio of core width w to core height h of 0.91 and an etching depth of 106% of the core height is used. A polyimide optical waveguide was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguide is as follows.
Both are 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.1 dB / cm.
It was 5 dB / cm or less. According to this embodiment, an optical waveguide having a core width smaller than the core height, that is, an optical waveguide that is fine and high-density with respect to the substrate surface could be manufactured.

【0076】(実施例9)下部クラッド層および上部ク
ラッド層を形成する材料として50モル%の6FDAと
5モル%のODAと45モル%のTFDBとから合成さ
れるポリアミド酸のDMAc溶液を用いて、10モル%
の6FDA/ODAと90モル%の6FDA/TFDB
とのポリイミド共重合体からなる上部クラッドおよび下
部クラッド層を形成し、コア高さ(コア層の厚さ)を
7.5μmとし、線幅を6.1μmとし、エッチング深
さを7.5μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返
して、光導波路を形成した。
Example 9 As a material for forming the lower cladding layer and the upper cladding layer, a DMAc solution of a polyamic acid synthesized from 50 mol% of 6FDA, 5 mol% of ODA and 45 mol% of TFDB was used. , 10 mol%
6FDA / ODA and 90 mol% 6FDA / TFDB
And an upper clad layer and a lower clad layer made of a polyimide copolymer having a core height (core layer thickness) of 7.5 μm, a line width of 6.1 μm, and an etching depth of 7.5 μm. An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except for the above.

【0077】このようにして、図2(g)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が0.81であり、エッ
チング深さがコア高さと同一である埋め込み型異形ポリ
イミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモード
での導波光は、シングルモードであった。また、この光
導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、共に
1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.5d
B/cm以下であった。本実施例によって、コア幅がコ
ア高さより小さい光導波路、すなわち基板面に対して微
細で高密度な光導波路を作製することができた。
Thus, as shown in FIG. 2 (g), the ratio of the core width w to the core height h is 0.81, and the etching depth is the same as the core height. The wave path was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of this optical waveguide is 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.5 dB.
B / cm or less. According to this embodiment, an optical waveguide having a core width smaller than the core height, that is, an optical waveguide that is fine and high-density with respect to the substrate surface could be manufactured.

【0078】(実施例10)コア層を形成する材料とし
て50モル%の6FDAと12.5モル%のODAと3
7.5モル%のTFDBとから合成されるポリアミド酸
のDMAc溶液を用いて、25モル%の6FDA/OD
Aと75モル%の6FDA/TFDBとのポリイミド共
重合体からなる上部クラッドおよび下部クラッド層を形
成し、コア高さ(コア層の厚さ)を8.1μmとし、線
幅を6.0μmとし、エッチング深さを7.3μmとし
た以外は、実施例1の方法を繰り返して、光導波路を形
成した。
Example 10 As materials for forming the core layer, 50 mol% of 6FDA, 12.5 mol% of ODA and
25 mol% of 6FDA / OD using a DMAc solution of polyamic acid synthesized from 7.5 mol% of TFDB.
An upper clad layer and a lower clad layer made of a polyimide copolymer of A and 75 mol% of 6FDA / TFDB are formed, the core height (core layer thickness) is set to 8.1 μm, and the line width is set to 6.0 μm. An optical waveguide was formed by repeating the method of Example 1 except that the etching depth was changed to 7.3 μm.

【0079】このようにして、図2(h)に示すよう
な、コア幅w対コア高さhの比が0.74であり、エッ
チング深さがコア高さの90%である埋め込み型異形ポ
リイミド光導波路が得られた。この光導波路のTEモー
ドでの導波光は、シングルモードであった。また、この
光導波路のTEモードおよびTMモードでの損失は、共
に1.0dB/cm以下であり、偏波依存損失は0.5
dB/cm以下であった。本実施例によって、コア幅が
コア高さより小さい光導波路、すなわち基板面に対して
微細で高密度な光導波路を作製することができた。
In this way, as shown in FIG. 2 (h), a buried type variant having a ratio of the core width w to the core height h of 0.74 and an etching depth of 90% of the core height is used. A polyimide optical waveguide was obtained. The guided light in the TE mode of the optical waveguide was a single mode. The loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguide is 1.0 dB / cm or less, and the polarization dependent loss is 0.5 dB / cm.
It was less than dB / cm. According to this embodiment, an optical waveguide having a core width smaller than the core height, that is, an optical waveguide that is fine and high-density with respect to the substrate surface could be manufactured.

【0080】(実施例11〜20)コア層のエッチング
マスクとして用いたアルミニウムと、マスクパターンの
形成に用いたポジ型フォトレジストに代えて、対酸素プ
ラズマ性に優れたシリコン系レジストをマスク層として
用い、該シリコン系レジストをパターニングしたことを
除いて、実施例1〜10の方法を繰り返して、実施例1
1〜20の光導波路を作製した。実施例11〜20の光
導波路の導波モードはいずれもシングルモードであっ
た。さらに、実施例11〜20の光導波路のTEモード
およびTMモードにおける損失、ならびに偏波依存損失
は、いずれも実施例1〜10の光導波路と同等であっ
た。
(Examples 11 to 20) Instead of aluminum used as an etching mask for a core layer and a positive photoresist used for forming a mask pattern, a silicon-based resist excellent in oxygen plasma properties was used as a mask layer. Example 1 was repeated except that the silicon-based resist was patterned.
1 to 20 optical waveguides were produced. The waveguide modes of the optical waveguides of Examples 11 to 20 were all single modes. Further, the loss in the TE mode and the TM mode of the optical waveguides of Examples 11 to 20 and the polarization dependent loss were all equal to those of the optical waveguides of Examples 1 to 10.

【0081】(比較例1)コア高さ(コア層の厚さ)を
8.2μmとし、線幅を8.2μmとし、エッチング深
さを8.2μmとした以外は、実施例1の方法を繰り返
して、コア幅w対コア高さhの比が1.00であり、エ
ッチング深さがコア高さと同一である埋め込み型異形ポ
リイミド光導波路を形成した。
Comparative Example 1 The method of Example 1 was repeated except that the core height (core layer thickness) was 8.2 μm, the line width was 8.2 μm, and the etching depth was 8.2 μm. By repeating this, a buried-type irregularly shaped polyimide optical waveguide was formed in which the ratio of the core width w to the core height h was 1.00 and the etching depth was the same as the core height.

【0082】しかし、この光導波路は、光の入出射端面
の位置、すなわち4インチウェハからの切り出し位置が
異なることにより、TEモードおよびTMモードにおけ
る損失が変動した。さらに、実施例1〜5および実施例
7と比較して、コアパターンのうねり等による加工不良
の発生が多かった。
However, in this optical waveguide, the loss in the TE mode and the TM mode fluctuated due to the difference in the position of the light input / output end face, that is, the position of cutting out from the 4-inch wafer. Furthermore, as compared with Examples 1 to 5 and Example 7, the occurrence of processing defects due to the undulation of the core pattern was more frequent.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の異形ポリ
イミド光導波路は、従来のポリイミド光導波路と比較し
て、TEモードおよびTMモードにおける損失が低くな
るばかりではなく、パターン加工精度の向上および基板
面内の実装密度の向上を図ることができる。
As described above, the modified polyimide optical waveguide of the present invention not only reduces the loss in the TE mode and the TM mode, but also improves the pattern processing accuracy, as compared with the conventional polyimide optical waveguide. The mounting density in the substrate surface can be improved.

【0084】本発明の異形ポリイミド光導波路は、種々
の光配線(高密度または低密度、直線または曲線、種々
の形状を有する光出射面および光入射面との高効率な接
続)に適用することができ、および分岐回路あるいは方
向性結合器を含む光部品にも適用することができる。さ
らに、本発明のポリイミド光導波路は、クラックあるい
は応力に伴う性能劣化の抑制効果を奏する。
The modified polyimide optical waveguide of the present invention can be applied to various optical wirings (high-efficiency or low-density, straight or curved, high-efficiency connection with a light emitting surface and a light incident surface having various shapes). The present invention can also be applied to optical components including branch circuits or directional couplers. Further, the polyimide optical waveguide of the present invention has an effect of suppressing performance deterioration due to cracks or stress.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の異形ポリイミド光導波路の製造方法を
示す流れ図である。
FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide of the present invention.

【図2】本発明の異形ポリイミド光導波路の概略の断面
図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a modified polyimide optical waveguide of the present invention.

フロントページの続き (72)発明者 安藤 慎治 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 山本 二三男 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 山田 典義 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA24 PA28 QA05 TA35Continuation of the front page (72) Inventor Shinji Ando 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Fumio Yamamoto 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Date (72) Inventor Noriyoshi Yamada 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 2H047 KA04 PA24 PA28 QA05 TA35

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
のコアと、該下部クラッド層および該コアを覆う上部ク
ラッド層とからなり、該下部クラッド層、該コア、およ
び該上部クラッド層はポリイミド材料を用いて作製され
ている埋め込み型異形ポリイミド光導波路において、 前記コアは、コア幅対コア高さの比が1より大きくかつ
2以下である矩形断面を有し、および該コアが形成され
ていない部分の下部クラッド層の厚さは、コア高さの0
%より大きくかつ30%以下である範囲内で、該コアが
形成されている部分の下部クラッド層の厚さよりも小さ
いことを特徴とする異形ポリイミド光導波路。
1. A lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core, wherein the lower cladding layer, the core, and the upper cladding layer are made of polyimide. In a buried-type modified polyimide optical waveguide manufactured using a material, the core has a rectangular cross section in which a ratio of core width to core height is greater than 1 and 2 or less, and the core is formed. The thickness of the lower cladding layer where there is no
%, Wherein the thickness is less than the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed, within a range of greater than 30% and less than 30%.
【請求項2】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
のコアと、該下部クラッド層および該コアを覆う上部ク
ラッド層とからなり、該下部クラッド層、該コア、およ
び該上部クラッド層はポリイミド材料を用いて作製され
ている埋め込み型異形ポリイミド光導波路において、 前記コアは、コア幅対コア高さの比が1より大きくかつ
2以下である矩形断面を有し、および該コアが形成され
ていない部分の下部クラッド層の厚さと、該コアが形成
されている部分の下部クラッド層の厚さとは等しいこと
を特徴とする異形ポリイミド光導波路。
2. A lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core, wherein the lower cladding layer, the core, and the upper cladding layer are made of polyimide. In a buried-type modified polyimide optical waveguide manufactured using a material, the core has a rectangular cross section in which a ratio of core width to core height is greater than 1 and 2 or less, and the core is formed. A modified polyimide optical waveguide, characterized in that the thickness of the lower cladding layer in the portion where there is no core is equal to the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed.
【請求項3】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
の突起部を有するコア層と、該下部クラッド層および該
コア層を覆う上部クラッド層とからなり、該突起部と該
突起部の下にあるコア層をコアとし、該下部クラッド
層、該コア層、および該上部クラッド層はポリイミド材
料を用いて作製されている埋め込み型異形ポリイミド光
導波路において、 該コアは、コア幅対コア高さの比が1より大きくかつ2
以下である矩形断面を有し、および該突起部が形成され
ていない部分のコア層の厚さは、該コア高さの0%より
大きくかつ30%以下であることを特徴とする異形ポリ
イミド光導波路。
3. A lower cladding layer, a core layer having a projection on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core layer. Wherein the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are made of a polyimide material, and wherein the core has a core width to a core height. Is greater than 1 and 2
The modified polyimide photoconductive member having a rectangular cross-section as follows, and a thickness of the core layer in a portion where the protrusion is not formed is greater than 0% and 30% or less of the core height. Wave path.
【請求項4】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
のコアと、該下部クラッド層および該コアを覆う上部ク
ラッド層とからなり、該下部クラッド層、該コア、およ
び該上部クラッド層はポリイミド材料を用いて作製され
ている埋め込み型異形ポリイミド光導波路において、 前記コアは、コア幅対コア高さの比が1である正方形断
面を有し、および該コアが形成されていない部分の下部
クラッド層の厚さは、コア高さの0%より大きくかつ3
0%以下である範囲内で、該コアが形成されている部分
の下部クラッド層の厚さよりも小さい、 ことを特徴とする異形ポリイミド光導波路。
4. A lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core, wherein the lower cladding layer, the core, and the upper cladding layer are made of polyimide. In a buried-type irregularly shaped polyimide optical waveguide manufactured using a material, the core has a square cross section in which a ratio of a core width to a core height is 1, and a lower clad in a portion where the core is not formed. The layer thickness is greater than 0% of the core height and 3
The modified polyimide optical waveguide, wherein the thickness is less than or equal to 0% and is smaller than the thickness of the lower clad layer in the portion where the core is formed.
【請求項5】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
の突起部を有するコア層と、該下部クラッド層および該
コア層を覆う上部クラッド層とからなり、該突起部と該
突起部の下にあるコア層をコアとし、該下部クラッド
層、該コア層、および該上部クラッド層はポリイミド材
料を用いて作製されている埋め込み型異形ポリイミド光
導波路において、 該コアは、コア幅対コア高さの比が1である正方形断面
を有し、および該突起部が形成されていない部分のコア
層の厚さは、該コア高さの0%より大きくかつ30%以
下であることを特徴とする異形ポリイミド光導波路。
5. A lower cladding layer, a core layer having a projection on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core layer. Wherein the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are made of a polyimide material, and wherein the core has a core width to a core height. And the thickness of the core layer in a portion where the protrusion is not formed is greater than 0% and 30% or less of the core height. Deformed polyimide optical waveguide.
【請求項6】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
のコアと、該下部クラッド層および該コアを覆う上部ク
ラッド層とからなり、該下部クラッド層、該コア、およ
び該上部クラッド層はポリイミド材料を用いて作製され
ている埋め込み型異形ポリイミド光導波路において、 前記コアは、コア幅対コア高さの比が0.7以上1未満
である矩形断面を有し、および該コアが形成されていな
い部分の下部クラッド層の厚さは、コアの高さの0%よ
り大きくかつ30%以下である範囲内で、該コアが形成
されている部分の下部クラッド層の厚さよりも小さい、
ことを特徴とする異形ポリイミド光導波路。
6. A lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core, wherein the lower cladding layer, the core, and the upper cladding layer are made of polyimide. In the buried type irregularly shaped polyimide optical waveguide manufactured using a material, the core has a rectangular cross section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and the core is formed. The thickness of the lower cladding layer in the portion where there is no core is less than the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed, within a range of more than 0% and not more than 30% of the height of the core.
A modified polyimide optical waveguide, characterized in that:
【請求項7】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
のコアと、該下部クラッド層および該コアを覆う上部ク
ラッド層とからなり、該下部クラッド層、該コア、およ
び該上部クラッド層はポリイミド材料を用いて作製され
ている埋め込み型異形ポリイミド光導波路において、 前記コアは、コア幅対コア高さの比が0.7以上1未満
である矩形断面を有し、および該コアが形成されていな
い部分の下部クラッド層の厚さと、該コアが形成されて
いる部分の下部クラッド層の厚さとは等しいことを特徴
とする異形ポリイミド光導波路。
7. A lower cladding layer, a core on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core, wherein the lower cladding layer, the core, and the upper cladding layer are made of polyimide. In the buried type irregularly shaped polyimide optical waveguide manufactured using a material, the core has a rectangular cross section having a ratio of core width to core height of 0.7 or more and less than 1, and the core is formed. A modified polyimide optical waveguide, characterized in that the thickness of the lower cladding layer in the portion where there is no core is equal to the thickness of the lower cladding layer in the portion where the core is formed.
【請求項8】 下部クラッド層と、該下部クラッド層上
の突起部を有するコア層と、該下部クラッド層および該
コア層を覆う上部クラッド層とからなり、該突起部と該
突起部の下にあるコア層をコアとし、該下部クラッド
層、該コア層、および該上部クラッド層はポリイミド材
料を用いて作製されている埋め込み型異形ポリイミド光
導波路において、 該コアは、コア幅対コア高さの比が0.7以上1未満で
ある矩形断面を有し、および該突起部が形成されていな
い部分のコア層の厚さは、該コア高さの0%より大きく
30%以下であることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路。
8. A lower cladding layer, a core layer having a projection on the lower cladding layer, and an upper cladding layer covering the lower cladding layer and the core layer. Wherein the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are made of a polyimide material, and wherein the core has a core width to a core height. Has a rectangular cross-section with a ratio of 0.7 to less than 1, and the thickness of the core layer in a portion where the protrusion is not formed is greater than 0% of the core height and 30% or less. A modified polyimide optical waveguide, characterized in that:
【請求項9】 前記ポリイミド材料は、式(1)〜
(3)のいずれかで表わされる繰り返し単位からなる含
フッ素ポリイミド、式(1)〜(3)から選択される2
種または3種の繰り返し単位からなる含フッ素ポリイミ
ド共重合体、およびそれらの混合物からなる群から選択
されることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載
の異形ポリイミド光導波路。 【化1】 【化2】 【化3】
9. The polyimide material according to the formula (1)
A fluorine-containing polyimide comprising a repeating unit represented by any of (3), 2 selected from formulas (1) to (3)
The modified polyimide optical waveguide according to any one of claims 1 to 8, wherein the modified polyimide optical waveguide is selected from the group consisting of a fluorine-containing polyimide copolymer composed of a kind or three kinds of repeating units, and a mixture thereof. Embedded image Embedded image Embedded image
【請求項10】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が1より大きくか
つ2以下である矩形断面を有し、かつ該コア層のエッチ
ング深さは、コア層の高さの100%より大きくかつ1
30%以下である工程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
10. A step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer, wherein the core has a ratio of core width to core height of more than 1 and 2 The core layer has an etching depth greater than 100% of the core layer height and
A step of laminating an upper clad layer, wherein the lower clad layer, the core layer and the upper clad layer are produced using a polyimide material. Method.
【請求項11】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が1より大きくか
つ2以下である矩形断面を有し、かつ該コア層のエッチ
ング深さは、コア層の高さと等しい工程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
11. A step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of etching the core layer to form a core, wherein the core has a ratio of core width to core height of more than 1 and 2 A step of laminating an upper clad layer having a rectangular cross section that is equal to or less than an etching depth of the core layer and a step of laminating an upper clad layer; Is a method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide, which is manufactured using a polyimide material.
【請求項12】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が1より大きくか
つ2以下である矩形断面を有し、かつ該コア層のエッチ
ング深さは、コア層の高さの70%以上100%未満で
ある工程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
12. A step of laminating a lower cladding layer and a core layer, and a step of etching the core layer to form a core, wherein the core has a ratio of core width to core height of more than 1 and 2 The lower cladding layer having a rectangular cross section that is equal to or less than 70% and less than 100% of the height of the core layer, and a step of laminating an upper cladding layer. A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide, wherein the layer, the core layer, and the upper clad layer are manufactured using a polyimide material.
【請求項13】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が1である正方形
断面を有し、かつ該コア層のエッチング深さは、コア層
の高さの100%より大きくかつ130%以下である工
程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
13. A step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of etching the core layer to form a core, wherein the core has a square cross section having a ratio of core width to core height of 1. And a step in which the etching depth of the core layer is greater than 100% and less than or equal to 130% of the height of the core layer; and a step of laminating an upper cladding layer. The method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide, wherein the layer and the upper cladding layer are manufactured using a polyimide material.
【請求項14】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が1である正方形
断面を有し、かつ該コア層のエッチング深さは、コア層
の高さの70%以上100%未満である工程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
14. A step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of etching the core layer to form a core, wherein the core has a square cross section having a ratio of core width to core height of 1. And a step in which the etching depth of the core layer is 70% or more and less than 100% of the height of the core layer; and a step of laminating an upper cladding layer, wherein the lower cladding layer, the core layer and A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide, wherein the upper clad layer is manufactured using a polyimide material.
【請求項15】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が0.7以上1未
満である矩形断面を有し、かつ該コア層のエッチング深
さは、コア層の高さの100%より大きくかつ130%
以下である工程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
15. A step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer, wherein the core has a ratio of core width to core height of 0.7 or more and 1 or more. And the etching depth of the core layer is greater than 100% and 130% of the height of the core layer.
A method for producing an odd-shaped polyimide optical waveguide, comprising the following steps: and a step of laminating an upper clad layer, wherein the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer are produced using a polyimide material.
【請求項16】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が0.7以上1未
満である矩形断面を有し、かつ該コア層のエッチング深
さは、コア層の高さと等しい工程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
16. A step of laminating a lower cladding layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer, wherein the core has a ratio of core width to core height of 0.7 or more and 1 or more. A step of laminating an upper clad layer having a rectangular cross-section less than and having an etching depth of the core layer equal to the height of the core layer, wherein the lower clad layer, the core layer and the upper clad layer Is a method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide, which is manufactured using a polyimide material.
【請求項17】 下部クラッド層およびコア層を積層す
る工程と、 該コア層をエッチングしてコアを形成する工程であっ
て、前記コアはコア幅対コア高さの比が0.7以上1未
満である矩形断面を有し、かつ該コア層のエッチング深
さは、コア層の高さの70%以上100%未満である工
程と、 上部クラッド層を積層する工程とを備え、該下部クラッ
ド層、コア層および上部クラッド層はポリイミド材料を
用いた作製されることを特徴とする異形ポリイミド光導
波路の製造方法。
17. A step of laminating a lower clad layer and a core layer, and a step of forming a core by etching the core layer, wherein the core has a ratio of core width to core height of 0.7 or more and 1 or more. A step of laminating an upper clad layer having a rectangular cross section of less than 70% and an etching depth of the core layer being 70% or more and less than 100% of the height of the core layer; A method for manufacturing a modified polyimide optical waveguide, wherein the layer, the core layer, and the upper clad layer are manufactured using a polyimide material.
【請求項18】 前記ポリイミド材料は、式(1)〜
(3)のいずれかで表わされる繰り返し単位からなる含
フッ素ポリイミド、式(1)〜(3)から選択される2
種または3種の繰り返し単位からなる含フッ素ポリイミ
ド共重合体、およびそれらの混合物からなる群から選択
されることを特徴とする請求項10〜17のいずれかに
記載の異形ポリイミド光導波路の製造方法。 【化4】 【化5】 【化6】
18. The polyimide material according to the formula (1)
A fluorine-containing polyimide comprising a repeating unit represented by any of (3), 2 selected from formulas (1) to (3)
The method for producing a modified polyimide optical waveguide according to any one of claims 10 to 17, wherein the method is selected from the group consisting of a fluorine-containing polyimide copolymer composed of a kind or three kinds of repeating units, and a mixture thereof. . Embedded image Embedded image Embedded image
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004295118A (en) * 2003-03-12 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd Optical waveguide
JP2004341406A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Nitto Denko Corp Polymer optical waveguide
JP2007093743A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Hitachi Cable Ltd Spot size conversion waveguide and its manufacturing method
WO2008114676A1 (en) 2007-03-16 2008-09-25 Omron Corporation Optical transmission system and electronic device
US7561774B2 (en) 2003-03-12 2009-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical waveguide
JPWO2008066160A1 (en) * 2006-12-01 2010-03-11 日本電気株式会社 Optical converter and manufacturing method thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004295118A (en) * 2003-03-12 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd Optical waveguide
US7561774B2 (en) 2003-03-12 2009-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical waveguide
JP2004341406A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Nitto Denko Corp Polymer optical waveguide
JP2007093743A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Hitachi Cable Ltd Spot size conversion waveguide and its manufacturing method
JP4552821B2 (en) * 2005-09-27 2010-09-29 日立電線株式会社 Method for manufacturing spot size conversion waveguide
JPWO2008066160A1 (en) * 2006-12-01 2010-03-11 日本電気株式会社 Optical converter and manufacturing method thereof
WO2008114676A1 (en) 2007-03-16 2008-09-25 Omron Corporation Optical transmission system and electronic device

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