JPH07101832B2 - Piezoelectric transducer and manufacturing method thereof - Google Patents
Piezoelectric transducer and manufacturing method thereofInfo
- Publication number
- JPH07101832B2 JPH07101832B2 JP14485286A JP14485286A JPH07101832B2 JP H07101832 B2 JPH07101832 B2 JP H07101832B2 JP 14485286 A JP14485286 A JP 14485286A JP 14485286 A JP14485286 A JP 14485286A JP H07101832 B2 JPH07101832 B2 JP H07101832B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- silicide
- thin film
- film
- lead titanate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧電素子からなる圧電変換器及びその製造方
法に関し、特に薄膜圧電素子の圧電体を優れた圧電性を
有するチタン酸鉛（PbTiO3）で形成するのに好適な圧電
素子からなる圧電変換器及びその製造方法に関するもの
である。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a piezoelectric transducer including a piezoelectric element and a method for manufacturing the same, and in particular, a lead titanate (PbTiO 3) having excellent piezoelectricity for a piezoelectric body of a thin film piezoelectric element. The present invention relates to a piezoelectric transducer including a piezoelectric element suitable for forming in 3 ) and a manufacturing method thereof.
従来、チタン酸鉛（PbTiO3）は強誘電相（正方晶系）に
おいて大きな結晶格子異方性と自発分極Psを持つことが
知られている。また、チタン酸鉛の微結晶を用いた実験
において、ｃ軸方向の電気機械結合係数が70％を越える
と報告されている。It is conventionally known that lead titanate (PbTiO 3 ) has large crystal lattice anisotropy and spontaneous polarization Ps in the ferroelectric phase (tetragonal system). In an experiment using lead titanate microcrystals, it was reported that the electromechanical coupling coefficient in the c-axis direction exceeded 70%.
しかし、チタン酸鉛（PbTiO3）を実用的な大きさに単結
晶として製作することは困難であるので、現在はそのセ
ラミツクスが使用されている。ところがチタン酸鉛（Pb
TiO3）をセラミツクスにしたのでは、結晶軸がランダム
な方向を向いた結晶粒の集まりとなつてしまい、ｃ軸方
向の自発分極及び圧電性が大きいというチタン酸鉛（Pb
TiO3）の特性を充分活かせない。However, since it is difficult to produce lead titanate (PbTiO 3 ) as a single crystal in a practical size, the ceramics are currently used. However, lead titanate (Pb
If TiO 3 ) is used as the ceramic, lead titanate (Pb), which has a large spontaneous polarization in the c-axis direction and a large piezoelectric property, because it is a collection of crystal grains whose crystal axes are randomly oriented.
The characteristics of TiO 3 ) cannot be fully utilized.
上記のことは、薄膜として使用する場合も同様であり、
結晶軸の方向がランダムな多結晶薄膜では充分な特性は
期待できない。そこで対策としては格子定数の近い単結
晶基板を用いて、エピタキシヤル成長させる試みが行わ
れている。しかし、基板としては酸化されにくい数種の
絶縁物に限られているものが現状である。The above is the same when used as a thin film,
Sufficient properties cannot be expected in a polycrystalline thin film whose crystal axis direction is random. Therefore, as a countermeasure, attempts have been made to grow epitaxially using a single crystal substrate having a close lattice constant. However, the present situation is that the substrate is limited to several kinds of insulators that are not easily oxidized.
チタン酸鉛（PbTiO3）薄膜を圧電素子あるいは焦電素子
として用いる場合には、下地に電極を設ける必要があ
る。ところが導電性の高い物理でチタン酸鉛と格子定数
が近くしかも単結晶として入手しやすいものがない。そ
こで絶縁性単結晶板を用いて先ず電極膜を形成し、その
上に圧電性薄膜を形成して素子化する試みが行われてい
る。例えば、特開昭59−93000号に記載のように、酸化
マグネシウム（MgO）単結晶基板上に電極として白金（P
t）膜を（100）配向させ、その電極上にチタン酸鉛（Pb
TiO3）薄膜をｃ軸配向させている。When a lead titanate (PbTiO 3 ) thin film is used as a piezoelectric element or a pyroelectric element, it is necessary to provide an electrode on the base. However, there is no physics with high conductivity that has a lattice constant close to that of lead titanate and is easily available as a single crystal. Therefore, an attempt has been made to form an electrode film by using an insulating single crystal plate and then form a piezoelectric thin film on the electrode film to form an element. For example, as described in JP-A-59-93000, platinum (P) is used as an electrode on a magnesium oxide (MgO) single crystal substrate.
t) film is (100) oriented, and lead titanate (Pb
The TiO 3 ) thin film is c-axis oriented.
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術では、使用できる基板が限定されており、
素子の集積化，モノリシツク構造を可能とするシリコン
（Si）基板を使用することができなかつた。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-described conventional technology, usable substrates are limited,
It was not possible to use a silicon (Si) substrate that enables device integration and monolithic structure.
本発明の目的は、シリコン（Si）基板上に圧電性の優れ
た圧電素子を形成し、圧電変換器及びその製造方法を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a piezoelectric element having excellent piezoelectricity on a silicon (Si) substrate, and provide a piezoelectric converter and a method for manufacturing the same.
上記目的を達成するため、本発明の圧電素子はシリコン
（Si）基板上にシリサイド膜を電極（下部電極と称す
る。）として形成し、該シリサイド膜上に圧電体の薄膜
を形成し、該圧電体上に上部電極を形成することに特徴
がある。In order to achieve the above object, the piezoelectric element of the present invention has a silicide film formed on a silicon (Si) substrate as an electrode (referred to as a lower electrode), and a thin film of a piezoelectric body is formed on the silicide film. The feature is that the upper electrode is formed on the body.
シリコン（Si）と金属、例えばニツケル（Ni）コバルト
（Co）、クロム（Cr）、タングステン（Ｗ）、白金（P
t）、パラジウム（Pd）等は反応して容易にシリサイド
を形成することが知られている。中でも、ニツケル（N
i）、コバルト（Co）等、シリサイドの格子定数がSiの
それに等価的に近い場合には、エピタキシヤル膜の形成
が可能である。エピタキシヤル・シリサイドは熱的に安
定で、電気抵抗も低く電極として十分使用可能である。
しかも、ニツケルシリサイド（NiSi2）、コバルトシリ
サイド（CoSi2）の とチタン酸鉛（PbTiO3）のａ軸長とはほぼ等しい。した
がつてシリサイド膜上にさらにチタン酸鉛をエピタキシ
ヤル成長させることができる。Silicon (Si) and metals such as nickel (Ni) cobalt (Co), chromium (Cr), tungsten (W), platinum (P)
It is known that t), palladium (Pd) and the like easily react to form silicide. Above all, Nickel (N
When the lattice constant of silicide such as i) and cobalt (Co) is equivalent to that of Si, it is possible to form an epitaxial film. The epitaxial silicide is thermally stable, has low electric resistance, and can be sufficiently used as an electrode.
Moreover, nickel silicide (NiSi 2 ) and cobalt silicide (CoSi 2 ) And the a-axis length of lead titanate (PbTiO 3 ) are almost equal. Therefore, lead titanate can be further epitaxially grown on the silicide film.
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は、本発明の第一の実施例を示す単一の圧電素子を有
した圧電変換器の外観図である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. First
FIG. 1 is an external view of a piezoelectric converter having a single piezoelectric element according to the first embodiment of the present invention.
素子を製作する場合、先ず、基板１には円柱状（10mmφ
×10mm）の両端面を光学研磨したシリコンSi（100）板
を用いる。このシリコンSi基板を洗浄した後電子ビーム
蒸着により20nmのNi膜２を形成する。この後真空中で80
0℃,10分間熱処理を行う。熱処理後の膜をRHEEDにより
評価したところ、シリサイド（NiSi2）がエピタキシヤ
ル成長しているのが確認された。次にこのシリサイド
（NiSi2）上に、圧電体としてチタン酸鉛（PbTiO3）を
主成分とする薄膜３を高周波マグネトロンスパツタリン
グによつて形成する。なお、圧電性を高めるために添加
する他の微少成分としては、ジルコニウム（Zr）、マグ
ネシウム（Mg）などがある。スパツタリング条件は、基
板温度が600℃,Ar−O2（90％−10％）ガスの圧力が３
Pa、スパツタリング時間が10hであり、形成された膜の
膜厚は３μｍである。このチタン酸鉛薄膜をＸ線回折に
より評価したところ、（00l）の強い回折線ピークと（h
00）の弱い回折線ピークが現われ、ほぼＣ軸配向した膜
となつていた。ただし、上記l,hは1,2,3である。続い
て、チタン酸鉛（PbTiO3）薄膜３上に、上部電極４とし
てクロム（Cr）と金（Au）を5mmφのマスクを使つて蒸
着する。When manufacturing an element, first, the substrate 1 is cylindrical (10 mmφ).
A silicon Si (100) plate whose both end surfaces (× 10 mm) are optically polished is used. After cleaning this silicon Si substrate, a Ni film 2 of 20 nm is formed by electron beam evaporation. After this in vacuum 80
Heat treatment at 0 ℃ for 10 minutes. When the film after the heat treatment was evaluated by RHEED, it was confirmed that the silicide (NiSi 2 ) was epitaxially grown. Next, a thin film 3 containing lead titanate (PbTiO 3 ) as a main component is formed as a piezoelectric body on the silicide (NiSi 2 ) by high frequency magnetron sputtering. Note that zirconium (Zr), magnesium (Mg), and the like are other minute components added to enhance piezoelectricity. The sputtering condition is that the substrate temperature is 600 ° C and the pressure of Ar-O 2 (90% -10%) gas is 3
P a , the sputtering time is 10 h, and the film thickness of the formed film is 3 μm. When this lead titanate thin film was evaluated by X-ray diffraction, a strong diffraction line peak of (00l) and (h
A weak diffraction line peak of (00) appeared, and the film was almost C-axis oriented. However, the above l, h are 1,2,3. Then, chromium (Cr) and gold (Au) are vapor-deposited as the upper electrode 4 on the lead titanate (PbTiO 3 ) thin film 3 using a mask of 5 mmφ.
その後、試料の温度を200℃に保ちながら、両電極（２
及び４）間に100kV/cmの直流電界を約20分間印加し、分
極処理を行う。Then, while maintaining the temperature of the sample at 200 ° C,
And 4), a DC electric field of 100 kV / cm is applied for about 20 minutes to perform polarization treatment.
上記の方法で製作した単一の圧電素子を有した圧電変換
器の感度をパルスエコー法により測定する。すなわち、
両電極間にバースト波を印加して超音波を発生させ、円
柱状シリコン（Si）の他方の端面から反射して帰つてく
るエコー強度を周波数0.1〜1.2HHzの範囲で測定する。
この実験で得られた周波数特性から電気機械結合係数を
計算すると0.61の値が得られた。この値がセラミクスの
値（〜0.5）を上回ることから、圧電体であるチタン酸
鉛（PbTiO3）のｃ軸配向膜を形成したことにより、その
効果を現わしている。The sensitivity of the piezoelectric transducer having a single piezoelectric element manufactured by the above method is measured by the pulse echo method. That is,
A burst wave is applied between both electrodes to generate an ultrasonic wave, and the echo intensity reflected from the other end surface of the cylindrical silicon (Si) and returned is measured in the frequency range of 0.1 to 1.2 HHz.
A value of 0.61 was obtained by calculating the electromechanical coupling coefficient from the frequency characteristics obtained in this experiment. Since this value exceeds the ceramics value (up to 0.5), the effect is exhibited by forming the c-axis oriented film of lead titanate (PbTiO 3 ) which is a piezoelectric body.
また、上述したチタン酸鉛（PbTiO3）薄膜３のスパツタ
リング条件を、ガス圧３Pa，基板温度を200℃として膜
形成を行い、上述と同様にＸ線回折による評価を行つた
ところ、顕著な回折線は現われず非晶質の薄膜であつ
た。そこで600℃で８時間熱処理を行い、際びＸ線回折
による評価を行つたところ、（00l）の強い回折線ピー
クと（h00）の弱い回折線が現われ、ｃ軸配向して結晶
化したことが確認された。このことから、非晶質のチタ
ン酸鉛（PbTiO3）膜を形成した後に一定条件下の熱処理
を行うという方法によつても、ｃ軸配向チタン酸鉛薄膜
３を形成することができる。In addition, when the Supatsutaringu conditions lead titanate (PbTiO 3) thin film 3 described above, the gas pressure 3-Way a, performs film formation at a substrate temperature of 200 ° C., having conducted the evaluation by X-ray diffraction in the same manner as described above, significant The diffraction line did not appear, and the film was an amorphous thin film. Therefore, when heat treatment was performed at 600 ° C for 8 hours and evaluation was performed by X-ray diffraction, a strong diffraction line peak of (00l) and a weak diffraction line of (h00) appeared, and it was crystallized with c-axis orientation. Was confirmed. Therefore, the c-axis oriented lead titanate thin film 3 can be formed also by the method of performing the heat treatment under a certain condition after forming the amorphous lead titanate (PbTiO 3 ) film.
上記の方法で形成されたチタン酸鉛（PbTiO3）薄膜３上
に、上述と同様上部電極４を形成した後分極処理を実施
し、パルスエコー法により感度を測定して電気機械結合
係数を計算すると0.58の値が得られる。Similar to the above, the upper electrode 4 was formed on the lead titanate (PbTiO 3 ) thin film 3 formed by the above method, and then polarization treatment was performed, and the sensitivity was measured by the pulse echo method to calculate the electromechanical coupling coefficient. Then we get a value of 0.58.
このことからも、エピタキシヤルシリサイド膜を電極
（下部電極）として形成した結果、その上に形成された
チタン酸鉛（PbTiO3）薄膜３がｃ軸配向膜となるので、
チタン酸鉛（PbTiO3）セラミツクスの電気機械結合係数
の値を超える圧電性の高い圧電素子を有した圧電変換器
を実現できる。From this, as a result of forming the epitaxial silicide film as the electrode (lower electrode), the lead titanate (PbTiO 3 ) thin film 3 formed thereon becomes the c-axis alignment film.
It is possible to realize a piezoelectric transducer having a piezoelectric element having high piezoelectricity that exceeds the electromechanical coupling coefficient of lead titanate (PbTiO 3 ) ceramics.
前記実施例においてはニツケルシリサイド（NiSi2）を
電極として形成したが、かわりにコバルトシリサイド
（CoSi2）を形成することも可能である。前記実施例と
同様に洗浄したシリコン（Si（100））基板上に電子ビ
ーム蒸着により200nmのコバルト（Co）膜を形成した
後、真空中において900℃で30分間熱処理を行う。反射
電子線回折（RHEED）によりこの膜を評価したところ、
（100）配向を示すコバルトシリサイド（CoSi2）であ
る。さらにチタン酸鉛（PbTiO3）薄膜を前記実施例と同
様の方法で形成したところｃ軸配向したチタン酸鉛薄膜
である。以上述べたようにコバルトシリサイド（CoS
i2）も電極（下部電極）として使用可能である。Although nickel silicide (NiSi 2 ) is formed as an electrode in the above-mentioned embodiment, cobalt silicide (CoSi 2 ) can be formed instead. After forming a 200 nm cobalt (Co) film by electron beam evaporation on a cleaned silicon (Si (100)) substrate in the same manner as in the above example, heat treatment is performed in vacuum at 900 ° C. for 30 minutes. When this film was evaluated by backscattered electron diffraction (RHEED),
Cobalt silicide (CoSi 2 ) showing (100) orientation. Furthermore, when a lead titanate (PbTiO 3 ) thin film was formed by the same method as in the above-mentioned example, it was a c-axis oriented lead titanate thin film. As described above, cobalt silicide (CoS
i 2 ) can also be used as an electrode (lower electrode).
第２図（ａ），（ｂ）は、上述と同様の方法で製作した
複数の圧電素子が配列されてなるアレー圧電変換器の平
面図および断面図である。FIGS. 2 (a) and 2 (b) are a plan view and a cross-sectional view of an array piezoelectric transducer in which a plurality of piezoelectric elements manufactured by the same method as described above are arranged.
第２図において、11はシリコン（Si）基板、12はシリサ
イド膜、13はチタン酸鉛（PbTiO3）薄膜、14は上部電極
である。In FIG. 2, 11 is a silicon (Si) substrate, 12 is a silicide film, 13 is a lead titanate (PbTiO 3 ) thin film, and 14 is an upper electrode.
アレー圧電変換器を製作する場合は、先ずシリコン（S
i）基板11上にニツケル（Ni）またはコバルト（Co）膜
を形成する。熱処理によりシリサイド膜を形成した後、
リングラフイ技術を用いてアレイ状のレジストパターン
を形成する。イオンミリングによりシリサイド膜をパタ
ーニングした後、レジストを除去し、下部電極12が形成
される。次に前記第１の実施例と同様の方法でチタン酸
鉛（PbTiO3）薄膜13を全面に形成する。さらに上部電極
14を全面に形成し、分極処理を行えばシリサイド膜12の
上部のPbTiO3膜のみが圧電活性となる。When manufacturing an array piezoelectric transducer, first use silicon (S
i) A nickel (Ni) or cobalt (Co) film is formed on the substrate 11. After forming the silicide film by heat treatment,
An array-shaped resist pattern is formed by using the Lingrafi technique. After patterning the silicide film by ion milling, the resist is removed and the lower electrode 12 is formed. Next, a lead titanate (PbTiO 3 ) thin film 13 is formed on the entire surface by the same method as in the first embodiment. Further upper electrode
If 14 is formed on the entire surface and polarization is performed, only the PbTiO 3 film above the silicide film 12 becomes piezoelectrically active.
以上の手順により、各エレメント（圧電素子）（下部電
極で部分化され、ｃ軸配向チタン酸鉛（PbTiO3）膜の形
成された部分）を独立に動作させることのできるアレー
圧電変換器が得られる。By the above procedure, an array piezoelectric transducer capable of independently operating each element (piezoelectric element) (the portion which is divided by the lower electrode and on which the c-axis oriented lead titanate (PbTiO 3 ) film is formed) is obtained. To be
以上説明したように、本発明によればSi基板上にエピタ
キシヤルシリサイド膜を形成しているので、その上に形
成されたチタン酸鉛（PbTiO3）薄膜はｃ軸配向膜とな
る。したがつて、シリコン（Si）基板上にも圧電性の優
れたチタン酸鉛（PbTiO3）薄膜を容易に形成することが
できる。As described above, according to the present invention, since the epitaxial silicide film is formed on the Si substrate, the lead titanate (PbTiO 3 ) thin film formed on it becomes the c-axis oriented film. Therefore, a lead titanate (PbTiO 3 ) thin film having excellent piezoelectricity can be easily formed on a silicon (Si) substrate.
第１図は、本発明の第一の実施例を示す圧電素子の外観
図、第２図はアレー圧電変換器の平面図及び断面図であ
る。 1,11…シリコン（Si）基板、2,12…シリサイド薄膜、3,
13…チタン酸鉛（PbTiO3）薄膜、4,14…上部電極。FIG. 1 is an external view of a piezoelectric element showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view and a sectional view of an array piezoelectric converter. 1,11… Silicon (Si) substrate, 2,12… Silicide thin film, 3,
13 ... Lead titanate (PbTiO 3 ) thin film, 4, 14 ... Upper electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 41/26 Ｈ０３Ｈ 3/02 Ｂ Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ (72)発明者 須佐 憲三 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 白木 靖寛 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 石坂 彰利 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H01L 41/26 H03H 3/02 B H01L 41/22 Z (72) Inventor Kenzo Susa East of Kokubunji, Tokyo 1-280 Koigakubo, Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor, Yasuhiro Shiraki 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji, Tokyo (72) Inventor, Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Akitoshi Ishizaka 1-280, Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo Address: Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
Claims (11)
成された下部電極と、前記下部電極の上に形成された圧
電体の薄膜と、及び前記圧電体の上に形成された上部電
極とを有することを特徴とする圧電変換器。1. A lower electrode formed of a silicide film on a Si single crystal substrate, a piezoelectric thin film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the piezoelectric body. A piezoelectric transducer characterized by having.
（NiSi2）、もしくはコバルトシリサイド（CoSi2）を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の圧
電変換器。2. The piezoelectric converter according to claim 1, wherein nickel silicide (NiSi 2 ) or cobalt silicide (CoSi 2 ) is used for the silicide film.
成分とする圧電体からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の圧電変換器。3. The piezoelectric transducer according to claim 1, wherein the piezoelectric body is composed of lead titanate (PbTiO 3 ) as a main component.
工程と、前記シリサイド膜上に圧電体の薄膜を高周波ス
パッタリング法によって形成する工程を有することを特
徴とする圧電変換器の製造方法。4. A method of manufacturing a piezoelectric transducer, comprising: a step of forming a silicide film on a Si single crystal substrate; and a step of forming a thin film of a piezoelectric material on the silicide film by a high frequency sputtering method.
された前記圧電体の薄膜を熱処理したことを特徴とする
特許請求の範囲第４項に記載の圧電変換器の製造方法。5. The method of manufacturing a piezoelectric transducer according to claim 4, wherein the piezoelectric thin film formed by the high frequency sputtering method is heat-treated.
成された複数の下部電極と、前記の複数の下部電極の各
々と前記Si単結晶基板上に形成された圧電体の薄膜と、
及び前記圧電体の上に形成された上部電極とを有するこ
とを特徴とする圧電変換器。6. A plurality of lower electrodes formed of a silicide film on a Si single crystal substrate, each of the plurality of lower electrodes, and a piezoelectric thin film formed on the Si single crystal substrate,
And a top electrode formed on the piezoelectric body.
の前記圧電体の部分のみが圧電活性であることを特徴と
する特許請求の範囲第６項に記載の圧電変換器。7. The piezoelectric transducer according to claim 6, wherein only the portion of the piezoelectric body between the plurality of lower electrodes and the upper electrode is piezoelectrically active.
（NiSi2）、もしくはコバルトシリサイド（CoSi2）を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の圧
電変換器。8. The piezoelectric converter according to claim 6, wherein nickel silicide (NiSi 2 ) or cobalt silicide (CoSi 2 ) is used for the silicide film.
成分とする圧電体からなることを特徴とする特許請求の
範囲第６項に記載の圧電変換器。9. The piezoelectric converter according to claim 6, wherein the piezoelectric body is composed of a piezoelectric body containing lead titanate (PbTiO 3 ) as a main component.
複数の下部電極を形成する工程と、前記の複数の下部電
極の各々と前記Si単結晶基板上に圧電体の薄膜を高周波
スパッタリング法によって形成する工程を有することを
特徴とする圧電変換器の製造方法。10. A step of forming a plurality of lower electrodes made of a silicide film on a Si single crystal substrate, and a thin film of a piezoelectric material on each of the plurality of lower electrodes and the Si single crystal substrate by a high frequency sputtering method. A method of manufacturing a piezoelectric transducer, comprising the step of forming.
成された前記圧電体の薄膜を熱処理したことを特徴とす
る特許請求の範囲第10項に記載の圧電変換器の製造方
法。11. The method for manufacturing a piezoelectric transducer according to claim 10, wherein the piezoelectric thin film formed by the high frequency sputtering method is heat-treated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14485286A JPH07101832B2 (en) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Piezoelectric transducer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14485286A JPH07101832B2 (en) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Piezoelectric transducer and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633505A JPS633505A (en) | 1988-01-08 |
| JPH07101832B2 true JPH07101832B2 (en) | 1995-11-01 |
Family
ID=15371914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14485286A Expired - Lifetime JPH07101832B2 (en) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Piezoelectric transducer and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101832B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6349454B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-02-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of making thin film resonator apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856513A (en) * | 1981-03-05 | 1983-04-04 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| JPS6083387A (en) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | Piezo-electric element |
| JPS60213058A (en) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | Structure with silicide film and manufacture thereof |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14485286A patent/JPH07101832B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856513A (en) * | 1981-03-05 | 1983-04-04 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| JPS6083387A (en) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | Piezo-electric element |
| JPS60213058A (en) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | Structure with silicide film and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633505A (en) | 1988-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ramesh et al. | Oriented ferroelectric La‐Sr‐Co‐O/Pb‐La‐Zr‐Ti‐O/La‐Sr‐Co‐O heterostructures on [001] Pt/SiO2 Si substrates using a bismuth titanate template layer | |
| JP2923361B2 (en) | C-axis perovskite thin film grown on silicon dioxide | |
| US6709776B2 (en) | Multilayer thin film and its fabrication process as well as electron device | |
| JPH0763101B2 (en) | Piezoelectric transducer and manufacturing method thereof | |
| KR100671375B1 (en) | Thin film multilayer body, electronic device using such thin film multilayer body, actuator, and method for manufacturing actuator | |
| TWI831917B (en) | Membrane structures, piezoelectric films, and superconductor films | |
| US4803392A (en) | Piezoelectric transducer | |
| US6248394B1 (en) | Process for fabricating device comprising lead zirconate titanate | |
| JPH05283756A (en) | Ferroelectric thin film element | |
| Kushida et al. | Ferroelectric properties of c-axis oriented PbTiO3 films Thin films, surfaces, and small particles | |
| JP2004312611A (en) | Aluminum nitride thin film and piezoelectric thin film resonator using it | |
| JPH07101832B2 (en) | Piezoelectric transducer and manufacturing method thereof | |
| JP2003158309A (en) | Piezoelectric oscillatory element, capacitive element, and memory | |
| JPH05235416A (en) | Ferroelectric thin-film element | |
| Deb et al. | Pyroelectric characteristics of a thin PZT (40/60) film on a platinum film for infrared sensors | |
| JP2021129472A (en) | Magnetoelectric conversion device | |
| JPS6369280A (en) | Piezoelectric element and manufacture thereof | |
| JP2004281742A (en) | Semiconductor device, semiconductor sensor and semiconductor memory element | |
| JPH10245298A (en) | Crystal orientated ceramic substrate and device | |
| US20060042541A1 (en) | Method for preparation of ferroelectric single crystal film structure using deposition method | |
| JPH0576793B2 (en) | ||
| JPS62100099A (en) | Piezoelectric element and its manufacture | |
| JP3214031B2 (en) | Ferroelectric thin film element and method of manufacturing the same | |
| Ogawa et al. | Ferroelectricity of Lanthanum-Modified Lead-Titanate Thin Films Deposited on Nickel Alloy Electrodes | |
| JPH07286897A (en) | Pyroelectric type infrared ray element and its manufacturing method |