JPH0697540A - 固体レーザ - Google Patents
固体レーザInfo
- Publication number
- JPH0697540A JPH0697540A JP4246511A JP24651192A JPH0697540A JP H0697540 A JPH0697540 A JP H0697540A JP 4246511 A JP4246511 A JP 4246511A JP 24651192 A JP24651192 A JP 24651192A JP H0697540 A JPH0697540 A JP H0697540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- laser
- diamond crystal
- crystal
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/0955—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles
- H01S3/0959—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles by an electron beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で安定な紫外線固体レーザを提供する。
【構成】 ダイヤモンド結晶をレーザ発光の媒質とし励
起子発光によって、波長２２５ｎｍ以上３００ｎｍ以下
のレ−ザ光を発生する。 【効果】 本発明の紫外線固体レーザは、高密度光記録
装置用などの用途に好適である。
起子発光によって、波長２２５ｎｍ以上３００ｎｍ以下
のレ−ザ光を発生する。 【効果】 本発明の紫外線固体レーザは、高密度光記録
装置用などの用途に好適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は紫外線領域で発振する固
体レーザに関するものである。
体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】可視光の青色から紫外光線（４００ｎｍ
以下）の短波長域で小型、高効率で安定性の良いレーザ
光が、高密度光記録装置用などとして求められている。
以下）の短波長域で小型、高効率で安定性の良いレーザ
光が、高密度光記録装置用などとして求められている。
【０００３】これまで４００ｎｍ以下の短波長域では単
なる光源は各種あったが、このような短波長域で発振が
可能なレーザはごく限られていた。それらのレーザの方
式の一つは窒素レーザ、エキシマレーザなどのガスレー
ザで、大型で効率が悪く、非常に短時間のパルスとして
しか発振させることができないので、とても光記録など
には使用することができなかった。他の方式として５０
０ｎｍ以上の長波長のレ−ザ光を１／２や１／３の波長
の高調波に変換するものがあるが、これはレーザの効率
を２〜３桁低下させるので元の波長のレーザに大型のも
のを使わざるを得ず実用化に至っていない。
なる光源は各種あったが、このような短波長域で発振が
可能なレーザはごく限られていた。それらのレーザの方
式の一つは窒素レーザ、エキシマレーザなどのガスレー
ザで、大型で効率が悪く、非常に短時間のパルスとして
しか発振させることができないので、とても光記録など
には使用することができなかった。他の方式として５０
０ｎｍ以上の長波長のレ−ザ光を１／２や１／３の波長
の高調波に変換するものがあるが、これはレーザの効率
を２〜３桁低下させるので元の波長のレーザに大型のも
のを使わざるを得ず実用化に至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】短波長レーザを広く普
及させるためには、小型で安定に発振でき効率の高いも
のが必要である。そのためにはレーザ発振媒質が固体結
晶であるものが望ましい。
及させるためには、小型で安定に発振でき効率の高いも
のが必要である。そのためにはレーザ発振媒質が固体結
晶であるものが望ましい。
【０００５】ダイヤモンドが各種の励起方法によって、
可視光から紫外光にかけて発光を示すことは既に示され
ている。（例えば「ダイヤモンドの励起子発光」川原田
洋平木昭夫，NEW DIAMOND,Vol.6 No.3（1990）p2、「Ca
thodoluminescence and electroluminescence of undop
ed and boron-doped diamond formed by plasma chemic
al vapor deposition」H.Kawarada Y.Yokota Y.Mori K.
Nishimura A.Hiraki, J.Appl.Phys.,67(1990) p983 、
「Blue and greeen cathodoluminescence ofsynthesize
d diamond films formed by plasma-assisted chemical
vapour deposition,」H.Kawarada K.Nishimura T.Ito
J.Suzuki K.Mar Y.Yokota, Jap.J.Appl.Phys. 27（4）
（1988）pL683 など）
可視光から紫外光にかけて発光を示すことは既に示され
ている。（例えば「ダイヤモンドの励起子発光」川原田
洋平木昭夫，NEW DIAMOND,Vol.6 No.3（1990）p2、「Ca
thodoluminescence and electroluminescence of undop
ed and boron-doped diamond formed by plasma chemic
al vapor deposition」H.Kawarada Y.Yokota Y.Mori K.
Nishimura A.Hiraki, J.Appl.Phys.,67(1990) p983 、
「Blue and greeen cathodoluminescence ofsynthesize
d diamond films formed by plasma-assisted chemical
vapour deposition,」H.Kawarada K.Nishimura T.Ito
J.Suzuki K.Mar Y.Yokota, Jap.J.Appl.Phys. 27（4）
（1988）pL683 など）
【０００６】また、ダイヤモンド結晶内に不純物や欠陥
を導入することによって、カラーセンターを作成し、可
視光域の固体レーザを作成する方法も示されている。
（例えば特開昭６３−２４６８８５、特開昭６４−２０
６８９）
を導入することによって、カラーセンターを作成し、可
視光域の固体レーザを作成する方法も示されている。
（例えば特開昭６３−２４６８８５、特開昭６４−２０
６８９）
【０００７】このようにダイヤモンドは物質として非常
に安定で、透明度が高く、熱伝導率が大きいので、紫外
線固体レーザ発振の媒質として優れているためその実現
が望まれていたが、これまで紫外域でレーザ発振を行っ
た例はなかった。
に安定で、透明度が高く、熱伝導率が大きいので、紫外
線固体レーザ発振の媒質として優れているためその実現
が望まれていたが、これまで紫外域でレーザ発振を行っ
た例はなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】結晶性が高く、不純物含
有量が適度に制御されたダイヤモンド結晶は電子線やキ
ャリア注入による励起によって、励起子発光と呼ばれる
発光を起こす。励起によって発生した電子と正孔が対を
成して存在するものを励起子というが、この励起子を構
成する電子と正孔が再結合するときに発光を生じるもの
である。ダイヤモンド結晶は励起によって各種の発光を
示すが、励起子発光とはこの中で２２５〜３００ｎｍの
波長範囲の光を放出する発光である。
有量が適度に制御されたダイヤモンド結晶は電子線やキ
ャリア注入による励起によって、励起子発光と呼ばれる
発光を起こす。励起によって発生した電子と正孔が対を
成して存在するものを励起子というが、この励起子を構
成する電子と正孔が再結合するときに発光を生じるもの
である。ダイヤモンド結晶は励起によって各種の発光を
示すが、励起子発光とはこの中で２２５〜３００ｎｍの
波長範囲の光を放出する発光である。
【０００９】発明者らは、以下のような方法でこの励起
子発光を利用して、ダイヤモンド結晶を用いた紫外光レ
ーザ発振に成功した。
子発光を利用して、ダイヤモンド結晶を用いた紫外光レ
ーザ発振に成功した。
【００１０】(1)励起手段としては、電子線照射やＸ線
照射、紫外線照射または電気的接合によるキャリア注入
を用いダイヤモンドの単位面積あたり０．１Ｗ／ｃｍ2
以上の強力な励起を行う。 (2)ダイヤモンド結晶は強力な励起手段によってエネル
ギーを供給しても温度が室温以下に保たれるように冷却
装置によって冷却する。 (3)向い合った反射ミラーによって光共振器を形成す
る。
照射、紫外線照射または電気的接合によるキャリア注入
を用いダイヤモンドの単位面積あたり０．１Ｗ／ｃｍ2
以上の強力な励起を行う。 (2)ダイヤモンド結晶は強力な励起手段によってエネル
ギーを供給しても温度が室温以下に保たれるように冷却
装置によって冷却する。 (3)向い合った反射ミラーによって光共振器を形成す
る。
【００１１】
【作用】電子線などの励起手段は、 ダイヤモンド結晶
内に大量の励起子を発生させ、これらの励起子が再結合
するときに発生する紫外光が、光共振器によって波長・
位相の揃ったレ−ザ光として一斉に放出される。
内に大量の励起子を発生させ、これらの励起子が再結合
するときに発生する紫外光が、光共振器によって波長・
位相の揃ったレ−ザ光として一斉に放出される。
【００１２】ダイヤモンド結晶は天然のものでもよい
が、天然ダイヤモンドは不純物の少ない品質の揃ったも
のを入手するのが困難であるので、高圧合成法または気
相合成法で合成された人工ダイヤモンドが好ましい。
が、天然ダイヤモンドは不純物の少ない品質の揃ったも
のを入手するのが困難であるので、高圧合成法または気
相合成法で合成された人工ダイヤモンドが好ましい。
【００１３】特に、気相合成ダイヤモンドはダイヤモン
ド以外の黒鉛などの構造を有する炭素を含むことがある
が、このような非ダイヤモンド状炭素は励起子発光にと
って極めて有害である。ダイヤモンドの合成法によらず
ダイヤモンド中の非ダイヤモンド炭素の許容できる目安
として、ラマン散乱スペクトル法で観察して、１３３０
cm-1から１３４０cm-1にピークを有するダイヤモンド特
有の散乱ピークの半値幅が１０cm-1以下で、かつ、１５
００cm-1から１６００cm-1に現れる非ダイヤモンド炭素
の散乱のピーク高さが先のダイヤモンド特有の散乱のピ
ーク高さの２０％以下であることが必要である。
ド以外の黒鉛などの構造を有する炭素を含むことがある
が、このような非ダイヤモンド状炭素は励起子発光にと
って極めて有害である。ダイヤモンドの合成法によらず
ダイヤモンド中の非ダイヤモンド炭素の許容できる目安
として、ラマン散乱スペクトル法で観察して、１３３０
cm-1から１３４０cm-1にピークを有するダイヤモンド特
有の散乱ピークの半値幅が１０cm-1以下で、かつ、１５
００cm-1から１６００cm-1に現れる非ダイヤモンド炭素
の散乱のピーク高さが先のダイヤモンド特有の散乱のピ
ーク高さの２０％以下であることが必要である。
【００１４】ダイヤモンド結晶中の炭素以外の不純物元
素としては少量の窒素およびホウ素が含まれていてもよ
い。これらの励起子固体レーザ用ダイヤモンド結晶中の
許容濃度はそれぞれ５００ｐｐｍである。５００ｐｐｍ
を超えると窒素がダイヤモンド中で偏析しが励起子を発
光させない再結合中心となって好ましくない。また、ダ
イヤモンド結晶中の窒素とホウ素を含む不純物の総量は
２０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。２０００ｐ
ｐｍを超えると窒素のみの場合と同様に不純物が非発光
性の再結合中心となって好ましくない。
素としては少量の窒素およびホウ素が含まれていてもよ
い。これらの励起子固体レーザ用ダイヤモンド結晶中の
許容濃度はそれぞれ５００ｐｐｍである。５００ｐｐｍ
を超えると窒素がダイヤモンド中で偏析しが励起子を発
光させない再結合中心となって好ましくない。また、ダ
イヤモンド結晶中の窒素とホウ素を含む不純物の総量は
２０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。２０００ｐ
ｐｍを超えると窒素のみの場合と同様に不純物が非発光
性の再結合中心となって好ましくない。
【００１５】ダイヤモンド結晶中の不純物や結晶欠陥の
種類や量によって、２２５ｎｍから３００ｎｍの範囲で
波長の異なるレ−ザ光が発振される。
種類や量によって、２２５ｎｍから３００ｎｍの範囲で
波長の異なるレ−ザ光が発振される。
【００１６】ダイヤモンド結晶中に欠陥や不純物を導入
する方法としては、高圧合成時に原料に不純物を混入す
る方法、気相合成時に不純物を混入する方法、不純物を
イオン注入する方法、粒子線（電子線、Ｘ線、中性子線
など）で欠陥を生じさせる方法、低圧下または高圧下で
加熱処理する方法、およびそれらの組み合せで可能であ
る。
する方法としては、高圧合成時に原料に不純物を混入す
る方法、気相合成時に不純物を混入する方法、不純物を
イオン注入する方法、粒子線（電子線、Ｘ線、中性子線
など）で欠陥を生じさせる方法、低圧下または高圧下で
加熱処理する方法、およびそれらの組み合せで可能であ
る。
【００１７】多結晶ダイヤモンドでは結晶粒界や結晶粒
の端が励起子を失活させる再結合中心となるのでダイヤ
モンド結晶は単結晶であることが好ましく、多結晶であ
ってもなるべく一つ一つの結晶粒が大きいことが重要で
ある。単結晶の大きさ、多結晶における結晶粒の大きさ
は少なくとも１μｍ以上であることが必要である。１μ
ｍ未満であると粒界で失活する励起子が多くなり不都合
である。
の端が励起子を失活させる再結合中心となるのでダイヤ
モンド結晶は単結晶であることが好ましく、多結晶であ
ってもなるべく一つ一つの結晶粒が大きいことが重要で
ある。単結晶の大きさ、多結晶における結晶粒の大きさ
は少なくとも１μｍ以上であることが必要である。１μ
ｍ未満であると粒界で失活する励起子が多くなり不都合
である。
【００１８】励起子発光を生じさせる励起方法として
は、電子線、Ｘ線、紫外光、イオンビームなどを外部か
ら照射して励起する方法と、ＰＮ接合、ショットキー接
合、ＭＩＳ接合、ヘテロ接合などのダイヤモンドに設け
た電気的接合に電界を印加してダイヤモンド中にキャリ
アを注入する方法がある。
は、電子線、Ｘ線、紫外光、イオンビームなどを外部か
ら照射して励起する方法と、ＰＮ接合、ショットキー接
合、ＭＩＳ接合、ヘテロ接合などのダイヤモンドに設け
た電気的接合に電界を印加してダイヤモンド中にキャリ
アを注入する方法がある。
【００１９】現在の技術では電子線や紫外光を照射する
方法が、ダイヤモンド中に大量に励起子を発生するのに
適している。電子線は１ＫｅＶ以上の加速エネルギーで
照射することが好ましい。紫外光源はダイヤモンドの吸
収端である２２５ｎｍより短い波長の成分を多く含むエ
キシマレーザ、水銀ランプ、（重）水素放電ランプ、フ
ラッシュランプ、ＳＯＲ光などが望ましい。
方法が、ダイヤモンド中に大量に励起子を発生するのに
適している。電子線は１ＫｅＶ以上の加速エネルギーで
照射することが好ましい。紫外光源はダイヤモンドの吸
収端である２２５ｎｍより短い波長の成分を多く含むエ
キシマレーザ、水銀ランプ、（重）水素放電ランプ、フ
ラッシュランプ、ＳＯＲ光などが望ましい。
【００２０】また、金属とのショットキー接合や、窒化
ホウ素や炭化珪素などとのヘテロ接合によってキャリア
を注入する方法も小型化のために効果的である。このよ
うな電気的な接合を作るためには、ダイヤモンドに半導
体性をもたせることが必要であるが、その際にはリチウ
ム、ベリリウム、ホウ素、窒素、アルミニウム、珪素、
リン、硫黄、塩素、ガリウム、ヒ素、セレン、などの元
素を上に述べた方法でダイヤモンド結晶中に導入する必
要がある。
ホウ素や炭化珪素などとのヘテロ接合によってキャリア
を注入する方法も小型化のために効果的である。このよ
うな電気的な接合を作るためには、ダイヤモンドに半導
体性をもたせることが必要であるが、その際にはリチウ
ム、ベリリウム、ホウ素、窒素、アルミニウム、珪素、
リン、硫黄、塩素、ガリウム、ヒ素、セレン、などの元
素を上に述べた方法でダイヤモンド結晶中に導入する必
要がある。
【００２１】その他には、ダイヤモンドの両側に設けた
金属電極に交流電界を印加して励起する方法がある。こ
の場合にはダイヤモンドは絶縁性でもよい。
金属電極に交流電界を印加して励起する方法がある。こ
の場合にはダイヤモンドは絶縁性でもよい。
【００２２】励起子発光は熱による励起子の散乱によっ
て効率が低下するので、ダイヤモンド結晶を液体窒素温
度（７７Ｋ）以下の低温にした方が好ましいが、ダイヤ
モンドにおいては励起子の結合エネルギーが大きいので
室温においてもレーザ発振が可能である。
て効率が低下するので、ダイヤモンド結晶を液体窒素温
度（７７Ｋ）以下の低温にした方が好ましいが、ダイヤ
モンドにおいては励起子の結合エネルギーが大きいので
室温においてもレーザ発振が可能である。
【００２３】ダイヤモンドの励起はいかなる方法によっ
ても、ダイヤモンド結晶の温度を上昇させるので、強力
かつ効果的な冷却手段を用意しなければならない。ま
た、連続的にレーザを発振させる必要がなければ、パル
ス状に間欠的な励起を行うことが好ましい。
ても、ダイヤモンド結晶の温度を上昇させるので、強力
かつ効果的な冷却手段を用意しなければならない。ま
た、連続的にレーザを発振させる必要がなければ、パル
ス状に間欠的な励起を行うことが好ましい。
【００２４】光共振器を構成する反射ミラーは、ダイヤ
モンド結晶の研磨面に金属を蒸着して構成することが、
レーザ発振の効率を高めるために好ましいが、ダイヤモ
ンド結晶の加工精度が光共振器に必要な平行度を得るレ
ベルに達していない場合は、少なくとも一方の反射ミラ
ーを、ダイヤモンド結晶の外部に設置することもでき
る。
モンド結晶の研磨面に金属を蒸着して構成することが、
レーザ発振の効率を高めるために好ましいが、ダイヤモ
ンド結晶の加工精度が光共振器に必要な平行度を得るレ
ベルに達していない場合は、少なくとも一方の反射ミラ
ーを、ダイヤモンド結晶の外部に設置することもでき
る。
【００２５】本発明の固体レーザでは、複数の波長のレ
−ザ光が同時に発振することがあるが、単一の波長のみ
を効率的に発振させるためには、光共振器の内部にプリ
ズムや回折格子などの波長選択素子をおくことにより、
一つの波長のレ−ザ光が効率よく発振し、波長帯域幅も
狭くなる効果がある。本発明のレーザは光増幅器として
も使用できる。
−ザ光が同時に発振することがあるが、単一の波長のみ
を効率的に発振させるためには、光共振器の内部にプリ
ズムや回折格子などの波長選択素子をおくことにより、
一つの波長のレ−ザ光が効率よく発振し、波長帯域幅も
狭くなる効果がある。本発明のレーザは光増幅器として
も使用できる。
【００２６】
【実施例】高圧合成法によって合成された平均２５ｐｐ
ｍ程度の窒素およびホウ素を含むＩｂ型ダイヤモンド単
結晶を７×３×１ｍｍ3の直方体に加工した。このダイ
ヤモンド直方体の全ての面は面粗さＲmax５００ｎｍ以
下に研磨し、直方体の３×１ｍｍ2の大きさの片方の面
に金を蒸着して全反射ミラーとした。このダイヤモンド
１を図１に示すように液体窒素で冷却された銅製の冷却
支持台２上に設置し、周囲を約１０-7Ｔｏｒｒの真空に
排気した。
ｍ程度の窒素およびホウ素を含むＩｂ型ダイヤモンド単
結晶を７×３×１ｍｍ3の直方体に加工した。このダイ
ヤモンド直方体の全ての面は面粗さＲmax５００ｎｍ以
下に研磨し、直方体の３×１ｍｍ2の大きさの片方の面
に金を蒸着して全反射ミラーとした。このダイヤモンド
１を図１に示すように液体窒素で冷却された銅製の冷却
支持台２上に設置し、周囲を約１０-7Ｔｏｒｒの真空に
排気した。
【００２７】ダイヤモンド１の上方に設けた電子銃５か
らダイヤモンド１の７×３ｍｍ2の大きさの面に向け
て、加速電圧２５ＫＶ、電流０．６ｍＡの電子ビームを
約０．０２秒間照射することを１秒間隔で繰り返した。
電子ビームの照射を繰り返しながら、全反射ミラー３の
反対側に設置した半透過ミラー４の角度を微調整すると
２３７．６ｎｍのレ−ザ光の発振が確認された。
らダイヤモンド１の７×３ｍｍ2の大きさの面に向け
て、加速電圧２５ＫＶ、電流０．６ｍＡの電子ビームを
約０．０２秒間照射することを１秒間隔で繰り返した。
電子ビームの照射を繰り返しながら、全反射ミラー３の
反対側に設置した半透過ミラー４の角度を微調整すると
２３７．６ｎｍのレ−ザ光の発振が確認された。
【００２８】上記の条件で電子ビームの電流量を下げて
レーザ発振の様子を観察すると、図２に示すようにレー
ザ発振のしきい値は電子ビーム電流が０．５４ｍＡのと
ころであることがわかった。
レーザ発振の様子を観察すると、図２に示すようにレー
ザ発振のしきい値は電子ビーム電流が０．５４ｍＡのと
ころであることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば小型で安定な紫外線固体
レーザを得ることができる。本発明の固体レーザは、高
密度光記録装置用などの用途に好適である。
レーザを得ることができる。本発明の固体レーザは、高
密度光記録装置用などの用途に好適である。
【図１】本発明の実施例を示す模式図。
【図２】電子ビーム電流に対するレーザ出力強度の変化
を示すグラフ。
を示すグラフ。
１：ダイヤモンド結晶 ２：冷却支持台 ３：全反射ミラー ４：半透過ミラー ５：電子銃 ６：レーザ取り出し窓 ７：真空容器 ８：光検出器 ９：電流計 １０：レ−ザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイヤモンド結晶をレーザ発光の媒質と
し励起子発光によって、波長２２５ｎｍ以上３００ｎｍ
以下のレ−ザ光を発生する固体レーザ。 - 【請求項２】 少なくともレーザ発光媒質としてのダイ
ヤモンド結晶とダイヤモンド結晶を励起するための電子
線または紫外線またはＸ線発生装置とダイヤモンド結晶
を一定温度に保つための冷却装置または放熱装置とを有
し、 ダイヤモンド結晶の励起子発光によって、波長２２５ｎ
ｍ以上３００ｎｍ以下のレ−ザ光を発生する固体レーザ
装置。 - 【請求項３】少なくともレーザ発光媒質としての１ヶ以
上の電極を設けたダイヤモンド結晶とダイヤモンド結晶
に直流または交流の電界を印加するための電源装置とダ
イヤモンド結晶を一定温度に保つための冷却装置または
放熱装置とを有し、 ダイヤモンド結晶の励起子発光によって、波長２２５ｎ
ｍ以上３００ｎｍ以下のレ−ザ光を発生する固体レーザ
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24651192A JP3462514B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 固体レーザ |
| DE69301801T DE69301801T2 (de) | 1992-09-16 | 1993-09-14 | Festkörperlaser |
| EP93114733A EP0588292B1 (en) | 1992-09-16 | 1993-09-14 | Solid state laser |
| US08/120,757 US5420879A (en) | 1992-09-16 | 1993-09-15 | Solid state laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24651192A JP3462514B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 固体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697540A true JPH0697540A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3462514B2 JP3462514B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=17149484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24651192A Expired - Fee Related JP3462514B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 固体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5420879A (ja) |
| EP (1) | EP0588292B1 (ja) |
| JP (1) | JP3462514B2 (ja) |
| DE (1) | DE69301801T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003092455A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| JP2008218658A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 固体レーザー装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5569399A (en) * | 1995-01-20 | 1996-10-29 | General Electric Company | Lasing medium surface modification |
| JP3584450B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2004-11-04 | 住友電気工業株式会社 | レーザー発振素子及びレーザー発振装置 |
| US5504767A (en) * | 1995-03-17 | 1996-04-02 | Si Diamond Technology, Inc. | Doped diamond laser |
| EP0801828A2 (en) * | 1995-11-08 | 1997-10-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rapidly scanning cathode-ray tube laser |
| US9310167B1 (en) * | 1995-11-28 | 2016-04-12 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Compact infrared countermeasure emitter |
| WO1999034646A1 (fr) * | 1997-12-29 | 1999-07-08 | Tokyo Gas Co., Ltd. | Dispositif emetteur de rayons ultraviolets a diamant par injection de courant |
| JP2001064094A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-13 | Sharp Corp | 半導体ダイヤモンドの製造方法 |
| US6377340B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-04-23 | General Electric Company | Method of detection of natural diamonds that have been processed at high pressure and high temperatures |
| JP3411989B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2003-06-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ダイヤモンド半導体発光素子 |
| US7224532B2 (en) * | 2002-12-06 | 2007-05-29 | Chevron U.S.A. Inc. | Optical uses diamondoid-containing materials |
| US20050019955A1 (en) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Dahl Jeremy E. | Luminescent heterodiamondoids as biological labels |
| EP2126162A1 (en) * | 2007-01-29 | 2009-12-02 | Carnegie Institution Of Washington | New laser uses for single-crystal cvd diamond |
| US10038304B2 (en) | 2009-02-17 | 2018-07-31 | Trilumina Corp. | Laser arrays for variable optical properties |
| US8995485B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | High brightness pulsed VCSEL sources |
| US20130223846A1 (en) | 2009-02-17 | 2013-08-29 | Trilumina Corporation | High speed free-space optical communications |
| US10244181B2 (en) | 2009-02-17 | 2019-03-26 | Trilumina Corp. | Compact multi-zone infrared laser illuminator |
| US8995493B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
| WO2011075609A1 (en) * | 2009-12-19 | 2011-06-23 | Trilumina Corporation | System and method for combining laser arrays for digital outputs |
| US8979338B2 (en) | 2009-12-19 | 2015-03-17 | Trilumina Corp. | System for combining laser array outputs into a single beam carrying digital data |
| US11095365B2 (en) | 2011-08-26 | 2021-08-17 | Lumentum Operations Llc | Wide-angle illuminator module |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3895313A (en) * | 1973-09-17 | 1975-07-15 | Entropy Conversion | Laser systems with diamond optical elements |
| US4638484A (en) * | 1984-11-20 | 1987-01-20 | Hughes Aircraft Company | Solid state laser employing diamond having color centers as a laser active material |
| JPS6420689A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Sumitomo Electric Industries | Manufacture of diamond light emitting device |
| JPS63246885A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド発光素子及び製造方法 |
| JPH0288498A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドレーザ結晶およびその作製方法 |
| FR2661566B1 (fr) * | 1990-04-25 | 1995-03-31 | Commissariat Energie Atomique | Laser compact a semi-conducteur du type a pompage electronique. |
-
1992
- 1992-09-16 JP JP24651192A patent/JP3462514B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-09-14 DE DE69301801T patent/DE69301801T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-14 EP EP93114733A patent/EP0588292B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-15 US US08/120,757 patent/US5420879A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003092455A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| JP2008218658A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 固体レーザー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69301801T2 (de) | 1996-08-01 |
| EP0588292A1 (en) | 1994-03-23 |
| DE69301801D1 (de) | 1996-04-18 |
| JP3462514B2 (ja) | 2003-11-05 |
| EP0588292B1 (en) | 1996-03-13 |
| US5420879A (en) | 1995-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3462514B2 (ja) | 固体レーザ | |
| Schawlow | Lasers: The intense, monochromatic, coherent light from these new sources shows many unfamiliar properties. | |
| US4638484A (en) | Solid state laser employing diamond having color centers as a laser active material | |
| Gorokhovsky et al. | Photoluminescence vibrational structure of Si center in chemical‐vapor deposited diamond | |
| US20120163406A1 (en) | Diamond heat sink in a laser | |
| EP0327111B1 (en) | Diamond laser and method of producing the same and method of operating the same | |
| US3813613A (en) | Laser employing a metallic pentaphosphate | |
| US5585641A (en) | Large area, surface discharge pumped, vacuum ultraviolet light source | |
| EP1686202B1 (en) | Single crystal of highly purified hexagonal boron nitride capable of far ultraviolet high-luminance light emission, process for producing the same, far ultraviolet high-luminance light emitting device including the single crystal, and utilizing the device, solid laser and solid light emitting unit | |
| US4736381A (en) | Optically pumped divalent metal halide lasers | |
| Moriya et al. | Luminescence due to metallic electron-hole liquid in GaAs | |
| Daneu et al. | Electron‐pumped high‐efficiency semiconductor laser | |
| Naboĭkin et al. | Stimulated emission of light from doped molecular crystals at 4.2° K | |
| US3225306A (en) | Optical maser using trivalent neodymium ions in a calcium tungstate host lattice | |
| Denne | High-flux micro-resonators for X-ray and γ-ray lasers | |
| US3248667A (en) | Optical maser comprising the active medium cawo4:tm+3 | |
| Kozlovskiy et al. | Full-color laser cathode ray tube (L-CRT) projector | |
| Kawaguchi et al. | Lasing characteristics and growth of CdS epitaxial thin-films excited by second harmonic Nd: YAG laser radiation at 473 nm | |
| US3335372A (en) | Organic laser | |
| Schawlow | Optical and infra-red masers | |
| Kaminskiĭ et al. | Low-threshold lasing of LiYF4: Pr3+ crystals in the 0.72 μm range as a result of flashlamp pumping at 300 K | |
| Abakumov et al. | Neodymium-doped YAG laser and generation of intense fourth harmonic of its radiation under pulse-periodic conditions | |
| JP2801913B2 (ja) | アップコンバージョンによってポンピングされたレーザ | |
| US3248668A (en) | Optical maser comprising the active medium cawo4:ho | |
| Boyd | New UV lamp sources for thin film deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |