JPH0696446B2 - Method for producing ultrafine silica - Google Patents

Method for producing ultrafine silica

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JPH0696446B2
JPH0696446B2 JP6904685A JP6904685A JPH0696446B2 JP H0696446 B2 JPH0696446 B2 JP H0696446B2 JP 6904685 A JP6904685 A JP 6904685A JP 6904685 A JP6904685 A JP 6904685A JP H0696446 B2 JPH0696446 B2 JP H0696446B2
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particle size
fumed silica
average particle
present
nitrogen
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徹也 岩尾
勝治 森井
義之 田島
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三井東圧化学株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、樹脂改質材等に用いられる超微粒子シリカの
製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing ultrafine particle silica used for a resin modifier or the like.

より詳しくは、粒径分布が狭くかつ平均粒子径の小さい
超微粒子シリカの簡便かつ低コストな製造方法に関する
ものである。
More specifically, the present invention relates to a simple and low-cost method for producing ultrafine particle silica having a narrow particle size distribution and a small average particle size.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

本発明が対象としている超微粒子シリカは、通常平均粒
径が50Å〜1μていどの結晶又は非結晶のSiO2を主成分
とする超微細粒子であり、一般にヒュームドシリカを言
われる。
The ultrafine particle silica to which the present invention is applied is an ultrafine particle having an average particle size of 50Å to 1 µm and having crystalline or amorphous SiO 2 as a main component, and is generally called fumed silica.

従来かかるヒュームドシリカは四塩化ケイ素(SiCl4
を主とするケイ素化合物を原料にして気相法、例えば酸
素酸化法や火炎加水分解法で製造されていた。
Conventionally such fumed silica is silicon tetrachloride (SiCl 4 ).
Was produced by a gas phase method, for example, an oxygen oxidation method or a flame hydrolysis method, using a silicon compound mainly containing

ところが従来の製造技術には、以下のような重大な欠点
が存在した。すなわち、 ヒュームドシリカの平均粒子径が小さくなるほど、製
造困難になること、 得られたヒュームドシリカの粒度分布が広いこと、 および原料のケイ素化合物からヒュームドシリカを製
造する反応速度が遅いこと等である。
However, the conventional manufacturing techniques have the following serious drawbacks. That is, the smaller the average particle size of fumed silica, the more difficult it is to produce, the broader particle size distribution of the obtained fumed silica, and the slower reaction rate for producing fumed silica from the raw silicon compound. Is.

その結果、の理由から、 希望する平均粒子径のヒュームドシリカを得るために、
高価にして複雑な分級のための装置や操作が必要にな
り、の理由と合わせてヒュームドシリカの製造コスト
が大幅にアップするなどの非常な不利益を受けていた。
As a result, in order to obtain the desired average particle size of fumed silica,
In addition to the reason that it requires an expensive and complicated classifying device and operation, the manufacturing cost of the fumed silica is greatly increased, which is a great disadvantage.

さてヒュームドシリカは、樹脂に添加してスクリップ剤
として用いられたり、塗料に混合してチクソトロピー効
果を与えたり多方面に使用されている。
Fumed silica is used in various fields as a scrip agent added to a resin or mixed with a paint to give a thixotropic effect.

そのような分野において、できるだけ平均粒子径が小さ
く、かつ粒径分布の狭いヒュームドシリカが要望されて
いる。そのような事情に対して、従来の製造技術で容易
に対応することは、はなはだ困難であった。
In such a field, fumed silica having a small average particle size and a narrow particle size distribution is desired. It has been extremely difficult to easily deal with such a situation with conventional manufacturing techniques.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は、平均粒径が小さく、粒径分布の狭いヒ
ュームドシリカ即ち超微粒子シリカを高速度で生産性よ
く製造する方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a method for producing fumed silica having a small average particle diameter and a narrow particle diameter distribution, that is, ultrafine particle silica at a high speed and with high productivity.

〔基本的着想〕[Basic idea]

本発明者らは、かかる点にかんがみ鋭意検討した結果、
原料として四塩化ケイ素に代えて特定のペルクロロポリ
シランを用いて気相反対させることのみにより、これら
の目的がすべて達成できることを見出し、本発明を完成
した。
The present inventors, as a result of diligent studies in consideration of such points,
The present invention has been completed by finding that all of these objects can be achieved only by using a specific perchloropolysilane instead of silicon tetrachloride as a raw material and performing gas phase opposites.

〔発明の開示〕[Disclosure of Invention]

すなわち、本発明に従って、 ケイ素化合物を原料とし気相法を用いて超微粒子シリカ
を製造する方法において、該原料としてSinCl2n+2(n
は2以上の整数)で表わされるペルクロロポリシランを
用いることを特徴とする超微粒子シリカの製造方法、が
提供される。
That is, according to the present invention, in the method for producing ultrafine particle silica using a silicon compound as a raw material by a vapor phase method, the raw material is Si n Cl 2n + 2 (n
Is an integer of 2 or more), and a method for producing ultrafine particle silica is provided.

本発明において出発原料であるケイ素化合物(シリコン
化合物)として用いられるペルクロロポリシランは一般
式 SinCl2n+2(nは2以上の整数) で表わされるものである。
The perchloropolysilane used as the starting material silicon compound (silicon compound) in the present invention is represented by the general formula Si n Cl 2n + 2 (n is an integer of 2 or more).

このようなペルクロロポリシランの例としては、ヘキサ
クロロジシラン(Si2Cl6)、オクタクロロトリシラン
(Si3Cl8)デカクロロテトラシラン(Si4Cl10)、ドデ
カクロロペンタシラン(Si5Cl12)、テトラデカクロロ
ヘキサシラン(Si6Cl14)等があるが、なかでもヘキサ
クロロジシランやオクタクロロトリシランが入手の容易
さや取扱い易さの点が好ましい。これらは単独でまた
は、混合物として使用される。
Examples of such perchloropolysilane include hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6 ), octachlorotrisilane (Si 3 Cl 8 ), decachlorotetrasilane (Si 4 Cl 10 ), dodecachloropentasilane (Si 5 Cl 12). ), Tetradecachlorohexasilane (Si 6 Cl 14 ), and the like. Among them, hexachlorodisilane and octachlorotrisilane are preferable because they are easily available and easy to handle. These may be used alone or as a mixture.

本発明で用いるペルクロロポリシランは、高純度である
ことが望ましく、目的によって特定の不純物を除去する
ことが好ましい。例えば、ヒュームドシリカを半導体関
係の素材として用いる場合は、ペルクロロポリシラン中
の放射性同位元素例えばウラン、トリウム等を除去する
ことが好ましい。
The perchloropolysilane used in the present invention preferably has high purity, and it is preferable to remove specific impurities depending on the purpose. For example, when fumed silica is used as a semiconductor-related material, it is preferable to remove radioisotopes such as uranium and thorium in perchloropolysilane.

一般に入手しうるペルクロロポリシランには、従来技術
で用いられる原料である四塩化ケイ素が混合している場
合が多い。このような混合物を反応に用いた場合は、ま
ず最初にペルクロロポリシランが分解して反応を促進
し、また系内に均一な生長核を発生させるためかあるて
いど四塩化ケイ素が混入しても本発明の特徴はそこなわ
れない。
Perchloropolysilane that is generally available is often mixed with silicon tetrachloride, which is a raw material used in the prior art. When such a mixture is used for the reaction, first, perchloropolysilane is decomposed to accelerate the reaction, and silicon tetrachloride is mixed in as the case may be in order to generate uniform growth nuclei in the system. However, the characteristics of the present invention are not damaged.

即ち、一般には、90%、好ましくは50%、より好ましく
は20%程度の混入が許容される。
That is, generally, 90%, preferably 50%, and more preferably about 20% is allowed to be mixed.

これらペルクロロポリシランは公知の方法で製造したも
のを使用することができる。通常カルシウムシリコン、
マグネシウムシリコンあるいはフェロシリコン等の金属
とシリコンの合金の粒子を高温で塩素化するかまたはシ
リコン粒子自体を高温で塩素化して得られる。(たとえ
ば、米国特許明細書第2602728号、同2621111号) 本発明の方法で製造されるヒュームドシリカの物性例え
ば酸性度、静電価、表面水酸基等を調整するために、ペ
ルクロロポリシランに適当量の四塩化チタン、3塩化ア
ルミニウム等を併用してもよい。
As these perchloropolysilanes, those produced by a known method can be used. Usually calcium silicon,
It is obtained by chlorinating particles of an alloy of metal and silicon such as magnesium silicon or ferrosilicon at high temperature or chlorinating silicon particles themselves at high temperature. (For example, U.S. Pat. Nos. 2,602,728 and 2,621,111) Suitable for perchloropolysilane in order to adjust the physical properties of the fumed silica produced by the method of the present invention, such as acidity, electrostatic value, surface hydroxyl group and the like. Amounts of titanium tetrachloride, aluminum trichloride and the like may be used in combination.

本発明でヒュームドシリカを製造する気相反応は、各種
存在するが、代表的方法としては (i)シリコン化合物を酸素を用いて1000〜1500℃の高
温で酸化する直接酸化法と、 (ii)シリコン化合物を酸水素炎中で、700〜1300℃で
高温加水分解する高温加水分解反応等がある。なお、こ
れらの反応を行う際に、希釈ガスとしてチッ素、アルゴ
ン、ヘリウム等を用いて反応速度や反応温度等を制御し
たり、ま反応調節剤として塩化水素を混合することもで
きる。
Although there are various gas phase reactions for producing fumed silica in the present invention, typical methods include (i) a direct oxidation method of oxidizing a silicon compound with oxygen at a high temperature of 1000 to 1500 ° C., and (ii) ) In an oxyhydrogen flame of a silicon compound, there is a high temperature hydrolysis reaction in which a high temperature is hydrolyzed at 700 to 1300 ° C. In carrying out these reactions, nitrogen, argon, helium or the like may be used as a diluent gas to control the reaction rate or reaction temperature, or hydrogen chloride may be mixed as a reaction regulator.

反応で生成したヒュームドシリカは。フィルター、サイ
クロン、静電補集器等で補集することができる。
The fumed silica produced by the reaction. It can be collected with a filter, a cyclone, an electrostatic collector, or the like.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

さて本発明の方法即ち、シリコン原料として、ペルクロ
ロポリシランを用いて製造する方法は、従来技術のシリ
コン原料を用いて製造する方法と比較して、以下のよう
な大きな効果(メリット)が得られる。
Now, the method of the present invention, that is, the method of manufacturing using perchloropolysilane as a silicon raw material, has the following great effects (merits) compared with the method of manufacturing using the silicon raw material of the prior art. .

得られるヒュームドシリカの平均粒子径がより小さ
い。
The resulting fumed silica has a smaller average particle size.

得られるヒュームドシリカの粒径分布がより狭い。The resulting fumed silica has a narrower particle size distribution.

ヒュームドシリカの生成速度が速い。The production rate of fumed silica is high.

しかも本発明の方法で得られるヒュームドシリカの結晶
構造や化学的組成は従来のものと全く同一である。その
ため、本発明の方法で得られたヒュームドシリカは従来
技術で製造されたヒュームドシリカが使用された各種の
用途に、形態上の優位を維持しつつそのまま使用でるの
である。
Moreover, the fumed silica obtained by the method of the present invention has exactly the same crystal structure and chemical composition as those of the conventional ones. Therefore, the fumed silica obtained by the method of the present invention can be used as it is in various applications in which the fumed silica produced by the prior art is used, while maintaining its superior morphology.

以上のように本発明の方法の特徴は、製造されるヒュー
ムドシリカの物性から見れば、従来法で困難であった平
均粒子径の小さいヒュームドシリカや粒径分布の狭いヒ
ュームドシリカを容易に得ることができることであり、
また製造コストも面から見ると、従来法で必要であった
分級装置が不要になり製品ロスも少くなり、しかも反応
速度の大幅向上とあいまって生産性が飛躍的に向上し、
大きなコストダウンができることである。
As described above, the feature of the method of the present invention is that, in view of the physical properties of the fumed silica produced, it is easy to prepare fumed silica having a small average particle diameter and fumed silica having a narrow particle diameter distribution, which were difficult by the conventional method. Is that you can get
Also, from the viewpoint of manufacturing cost, the classification device that was required in the conventional method is no longer required, product loss is reduced, and the productivity is dramatically improved in combination with the significant improvement in reaction speed.
It is possible to greatly reduce costs.

〔発明を実施するための好ましい形態〕[Preferred modes for carrying out the invention]

以下に実施例によりさらに詳細に説明するが、これらは
あくまで例示であり、本発明の技術的範囲(特許法第70
条)は、それらに拘束さえるものではない。
The present invention will be described in more detail below with reference to Examples, but these are merely examples, and the technical scope of the present invention (Patent Law No. 70
Article) is not bound by them.

実施例1 1.実験方法 外径10mmφ長さ1mの石英管の中央部を電気炉で加熱でき
ように配置する。そして空気、チッ素又は酸素を供給す
る配管とチッ素を供給する配管を石英管の一端を接続
す。チッ素の配管の途中には、シリコン化合物を飽和さ
せるためのバブラーを接続する。
Example 1 1. Experimental method A central part of a quartz tube having an outer diameter of 10 mm and a length of 1 m is arranged so that it can be heated by an electric furnace. Then, a pipe for supplying air, nitrogen or oxygen and a pipe for supplying nitrogen are connected to one end of the quartz pipe. A bubbler for saturating the silicon compound is connected in the middle of the nitrogen pipe.

シリコン化合物は、石英反応管中で酸化反応を生じてヒ
ュームドシリカ(SiO2)と塩素を生成する。その生成し
たヒュームドシリカの重量(A)を測定する一方、反応
に用いたシリコン化合物から化学量論的に生成するヒュ
ームドシリカ(SiO2)の重量(B)を推定する。(A)
/(B)を分解率とし、反応速度比較の目安とする。
The silicon compound causes an oxidation reaction in the quartz reaction tube to generate fumed silica (SiO 2 ) and chlorine. While measuring the weight (A) of the produced fumed silica, the weight (B) of the fumed silica (SiO 2 ) stoichiometrically produced from the silicon compound used in the reaction is estimated. (A)
Let / (B) be the decomposition rate and use it as a guide for comparison of reaction rates.

生成したヒュームドシリカの平均粒子径や粒径分布は、
表面走査型電子顕微鏡により観察する。
The average particle size and particle size distribution of the generated fumed silica are
Observe with a surface scanning electron microscope.

平均粒子径は、数平均粒子径と重量平均粒子径で表示さ
れる。
The average particle diameter is displayed as a number average particle diameter and a weight average particle diameter.

結晶構造は、X線スペクトル解析で判定した。The crystal structure was determined by X-ray spectrum analysis.

2.実験条件 電気炉を1400℃に加熱して石英管を加熱する。2. Experimental conditions The electric furnace is heated to 1400 ° C to heat the quartz tube.

バブラーにヘキサクロロジシランを装入し、75℃に保
ち、チッ素を250ml/minの供給量で通過させる。これに
より20分間で2.3gのヘキサクロロジシランを蒸発させ
た。別の配管で、酸素100ml/minとチッ素150ml/minを供
給した。両配管のガスは石英管の直前で混合した。供給
ガス量は酸素100ml/min、チッ素400ml/min、合計500ml/
minである。
The bubbler is charged with hexachlorodisilane, kept at 75 ° C, and nitrogen is passed through at a feed rate of 250 ml / min. This evaporated 2.3 g of hexachlorodisilane in 20 minutes. Oxygen 100 ml / min and nitrogen 150 ml / min were supplied through separate pipes. The gases in both pipes were mixed just before the quartz pipe. Supply gas amount of oxygen 100 ml / min, nitrogen 400 ml / min, total 500 ml / min
It is min.

反応部でヘキサクロロジシランは酸素酸化されて、超微
粒子シリカを生成し、塩素を副生する。
Hexachlorodisilane is oxidized by oxygen in the reaction section to generate ultrafine particle silica, and chlorine is by-produced.

3.結果 分解率は80%であった。生成したヒュームドシリカの平
均粒子径は、数平均粒子径は95Å、重量平均粒子径は18
0Åであった。
3. Results The decomposition rate was 80%. The average particle size of the generated fumed silica is 95 Å for number average particle size and 18 for weight average particle size.
It was 0Å.

また、粒子径分布は50Åから300Åまでであった。ヒュ
ームドシリカの結晶構造は、アモルファスSiO2であっ
た。
The particle size distribution was from 50Å to 300Å. The crystal structure of fumed silica was amorphous SiO 2 .

比較例1 シリコン化合物原料として四塩化ケイ素を使うほかは実
験方法は実施例1と同様にした。
Comparative Example 1 The experiment method was the same as in Example 1 except that silicon tetrachloride was used as the silicon compound raw material.

実験条件は、以下のようにした。The experimental conditions were as follows.

電気炉を実施例1と同様に1400℃に加熱した。バブラー
に4塩化ケイ素を装入し、25℃に保ちチッ素を50ml/min
の供給量で通過させた。これにより20分間に2.4gの四塩
化ケイ素を蒸発させた。別の配管で酸素100ml/minとチ
ッ素を350ml/min供給した。両配管のガスは石英管の直
前で混合した。実施例1と同様に酸素100ml/min、チッ
素400ml/min、合計500mlの量を加熱部を通過させた。四
塩化ケイ素の分解率は40%であった。
The electric furnace was heated to 1400 ° C. as in Example 1. Charge the bubbler with silicon tetrachloride, keep it at 25 ℃, and add nitrogen at 50 ml / min.
Was passed through. This evaporated 2.4 g of silicon tetrachloride in 20 minutes. Oxygen (100 ml / min) and nitrogen (350 ml / min) were supplied through separate pipes. The gases in both pipes were mixed just before the quartz pipe. As in Example 1, 100 ml / min of oxygen, 400 ml / min of nitrogen, and a total of 500 ml were passed through the heating section. The decomposition rate of silicon tetrachloride was 40%.

実施例1のヘキサクロロジシランの分解率は、本例の2
倍あり、反応速度がきわめて速いことがわかる。
The decomposition rate of hexachlorodisilane of Example 1 was 2% of that of this example.
It can be seen that the reaction rate is extremely fast.

生成したヒュームドシリカの平均粒子径は、数平均粒子
径170Åであり、重量平均粒子径は650Åであった。
The generated fumed silica had an average particle size of 170Å and an average particle size of 650Å.

また粒子径分布は60Åから1000Åまでであった。The particle size distribution was from 60Å to 1000Å.

本発明の方法によりヘキサクロロジシランから製造した
ヒュームドシリカが明らかに分子径分布の狭いことがわ
かる。
It can be seen that the fumed silica produced from hexachlorodisilane by the method of the present invention clearly has a narrow molecular size distribution.

ヒュームドシリカの結晶構造は実施例1と同様にアモル
ファスSiO2であった。
The crystal structure of fumed silica was amorphous SiO 2 as in Example 1.

比較例2 比較例1と同様の実験方法と実験条件であるが、酸素供
給量を50ml/secに減少し、代りにチッ素を450ml/secに
増加させた。
Comparative Example 2 Under the same experimental method and experimental conditions as in Comparative Example 1, the oxygen supply rate was reduced to 50 ml / sec and nitrogen was increased to 450 ml / sec instead.

即ち、バブラーに流すチッ素は50ml/secで、比較例1と
同じであるが、別配管で、酸素50ml/secとチッ素400ml/
secを供給した。
That is, the nitrogen flown into the bubbler is 50 ml / sec, which is the same as in Comparative Example 1, but with separate piping, oxygen 50 ml / sec and nitrogen 400 ml / sec.
supplied sec.

四塩化ケイ素の分解率は38%であった。The decomposition rate of silicon tetrachloride was 38%.

平均粒子径は、数平均粒子径165Å、重量平均粒子径600
Åであった。
Average particle size is number average particle size 165Å, weight average particle size 600
It was Å.

また粒子径分布は、60Å〜1000Åであった。シリコン化
合物原料として四塩化ケイ素を使用する場合、比較例1
と比較して酸素吹込量を減少させ、O2/Si比を減少させ
ても、分解率は依然低く、平均粒子径は大きく、かつ粒
子径分布は広かった。
The particle size distribution was 60Å to 1000Å. When silicon tetrachloride is used as the silicon compound raw material, Comparative Example 1
Even if the amount of oxygen blown in was reduced and the O 2 / Si ratio was reduced, the decomposition rate was still low, the average particle size was large, and the particle size distribution was wide.

比較例3 比較例1と同様の実験方法と実験条件であるが、四塩化
ケイ素の供給量を1.2gに減少させた。
Comparative Example 3 Under the same experimental method and experimental conditions as in Comparative Example 1, the supply amount of silicon tetrachloride was reduced to 1.2 g.

即ち、バブラーに流すチッ素を25ml/secに変更し、別配
管で酸素10ml/secとチッ素375ml/secを供給した。
That is, the nitrogen flown through the bubbler was changed to 25 ml / sec, and oxygen was supplied at 10 ml / sec and nitrogen was supplied at 375 ml / sec through separate pipes.

四塩化ケイ素の分解率は、41%であった。The decomposition rate of silicon tetrachloride was 41%.

平均粒子径は、数平均粒子径で170Å、重量平均粒子径
で650Åであった。
The number average particle diameter was 170Å and the weight average particle diameter was 650Å.

また粒子径分布は、50〜1000Åであった。The particle size distribution was 50 to 1000Å.

四塩化ケイ素を使用する場合、比較例1より四塩化ケイ
素供給量を減少させても、分解率は依然として低く、平
均粒子径は大きく、かつ粒子径分布は広かった。
When silicon tetrachloride was used, the decomposition rate was still low, the average particle size was large, and the particle size distribution was wide, even when the amount of silicon tetrachloride supplied was reduced compared to Comparative Example 1.

実施例2 シリコン化合物原料としてヘキサクロロジシランとオク
タクロロトリシランの混合物を用いるほかは実施例1と
同じ実験方法を用いた。
Example 2 The same experimental method as in Example 1 was used, except that a mixture of hexachlorodisilane and octachlorotrisilane was used as the silicon compound raw material.

実験条件は以下のようにした。The experimental conditions were as follows.

電気炉を1400℃に加熱して石英管を加熱した。バブラー
にヘキサクロロジシラン60モル%、オクタクロロトリシ
ラン40モル%の混合物を装入し、100℃に保ちチッ素を5
0ml/minの供給量で通過させた。
The electric furnace was heated to 1400 ° C. to heat the quartz tube. The bubbler was charged with a mixture of 60 mol% hexachlorodisilane and 40 mol% octachlorotrisilane, and the mixture was kept at 100 ° C and nitrogen
A flow rate of 0 ml / min was passed.

これにより、20分間で、上記混合物0.92gを蒸発させ
た。別の配管で、酸素80ml/minとチッ素270ml/minを供
給した。
This caused 0.92 g of the above mixture to be evaporated in 20 minutes. Oxygen 80 ml / min and nitrogen 270 ml / min were supplied through separate pipes.

供給ガス量は、酸素80ml/minとチッ素320ml/min合計400
ml/minである。
The amount of supply gas is 400 ml in total for oxygen 80 ml / min and nitrogen 320 ml / min
ml / min.

石英管入口部と出口部でのガス中のヘキサクロロジシラ
ンとオクタクロロトリシラン量をSi原子に換算し、その
比を分解率とした。結果は88%であった。
The amounts of hexachlorodisilane and octachlorotrisilane in the gas at the inlet and outlet of the quartz tube were converted to Si atoms, and the ratio was taken as the decomposition rate. The result was 88%.

平均粒子径は、数平均粒子径は90Å、重量平均分子量17
0Åであった。
The number average particle size is 90Å and the weight average molecular weight is 17
It was 0Å.

粒子径分布は50〜300Åであった。The particle size distribution was 50-300Å.

結晶構造はラモルファスSiO2であった。The crystal structure was Lamorphus SiO 2 .

〔発明の作用〕[Operation of the invention]

本発明の特徴は、ヒュームドシリカの製造原料として従
来技術で示されているシリコン化合物特に四塩化ケイ素
に代って、ペルクロロポリシランを用いることである。
A feature of the present invention is the use of perchloropolysilane as a raw material for the production of fumed silica, in place of the silicon compounds shown in the prior art, in particular silicon tetrachloride.

ペルクロロポシリランを用いると、なぜ、ヒュームドシ
リカの平均粒子径が小さくなり、粒径分布が狭くなり、
かつ生成速度が飛躍的に速くなるという大きな効果が得
られるのかの詳細な理由ないしメカニズムはもちろん現
在のところ不明であるが、おそらくペルクロロポリシラ
ンの分子構造中に存在するSi-Si結合がより反応性に富
み、その結果、反応系全体が均質に反応することから四
塩化ケイ素を使用する場合に比較して粒子径が小さく、
粒径分布が狭く、かつ反応速度が速いものと推定され
る。
The reason why the average particle size of fumed silica becomes smaller and the particle size distribution becomes narrower when perchloroposyrilan is used,
And the detailed reason or mechanism of the great effect that the formation rate is dramatically increased is not clear at present, but probably the Si-Si bond existing in the molecular structure of perchloropolysilane is more likely to react. Rich in properties, as a result, the entire reaction system reacts homogeneously, so the particle size is smaller than when using silicon tetrachloride,
It is estimated that the particle size distribution is narrow and the reaction rate is fast.

〔産業上の利用可能性〕[Industrial availability]

本発明の方法に従えば、平均粒径が小さく、かつ、粒径
分布の狭い超微粒子シリカが得られるので、これらを樹
脂改質剤(スリップ剤)や塗料変性剤(チクソトロピー
剤)に適用した場合より一層の効果が期待できる。
According to the method of the present invention, since ultrafine silica particles having a small average particle size and a narrow particle size distribution can be obtained, they were applied to a resin modifier (slip agent) or a paint modifier (thixotropic agent). Further effects can be expected.

また、本発明の方法に従えば生産性も顕著に向上し、し
かもシンプルできわめて経済性にすぐれた製造方法が提
供される。
Further, according to the method of the present invention, the productivity is remarkably improved, and a simple and extremely economical manufacturing method is provided.

したがって、本発明の産業上の利用可能性は極めて大き
いといわねばならない。
Therefore, it must be said that the industrial applicability of the present invention is extremely high.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ケイ素化合物を原料とし気相法を用いて超
微粒子シリカを製造する方法において、該原料としてSi
nCl2n+2(nは2以上の整数)で表わされるペルクロロ
ポリシランを用いることを特徴とする超微粒子シリカの
製造方法。
1. A method for producing ultrafine particle silica using a vapor phase method using a silicon compound as a raw material, wherein Si is used as the raw material.
A method for producing ultrafine particle silica, which comprises using perchloropolysilane represented by n Cl 2n + 2 (n is an integer of 2 or more).
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